EC 1113 CIRCUITOS ELECTRNICOS

PRESENTACIN PERSONAL

SECCIN 1
Prof. Mara Isabel Gimnez de Guzmn
Correo electrnico: mgimenez@usb.ve

HORARIO Y UBICACIN SECCIN

Martes: 9:30 a 11:30 am ELE 218

Jueves: 9:30 a 11:30 am ELE 218
Viernes: 1:30 a 4:30 pm ELE218
 EVALUACIN
PARCIALES
N 1 (30%)
N 2 (35%)
QUICES
Evaluacin Previa (3%)
N 1 (3%)
N 2 (3%)
N 3 (3%)
N 4 (3%)

LABORATORIOS
N 1 (4%)
N 2 (4%)
N 3 (4%)
N 4 (4%)
N 5 (4%)
 INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA

*Microelectrnica: Tecnologa de circuitos integrados capaz de elaborar
circuitos con millones de componentes en un solo chip.

*Seales: Fenmenos elctricos (o de cualquier otro tipo) que contienen
informacin.

*Para extraer informacin de una seal hay que procesarla.

*Las variables se convierten en seales electrnicas mediante
transductores.

 REPASO DE REDES ELCTRICAS

Conceptos fundamentales

Rama: Cada uno de los componentes de un circuito entre dos terminales

Nodo: Unin de tres o ms ramas. Se escoge uno como referencia

Malla: cualquier trayecto cerrado que se tome en la estructura circuital

Leyes de Kirchhoff

Ley de Kirchhoff de los voltajes LKV: La suma algebraica de los
voltajes de rama en cualquier malla cerrada de una red es igual a cero.

Ley de Kirchhoff de las corrientes LKC: La suma algebraica de las
corrientes de rama en un nodo es cero.

Ley de Ohm El voltaje a travs de una resistencia es directamente
proporcional a la corriente que circula por ella v = R i
FUENTES DEPENDIENTES
 MTODO DE MALLAS
Aplicable a cualquier red plana. Se basa en el anlisis de las mallas
elementales de la red.















 MTODO DE NODOS:
Aplicable a cualquier red, plana o no plana. Se basa en el anlisis de los
nodos independientes de la red. El nmero de nodos independientes de
una red es igual al
nmero de nodos
totales menos uno, el
cual es el nodo de
referencia o nodo de
tierra.




TEOREMA DE THVENIN:
La Red A es equivalente a
un circuito formado por
una sola Fuente de Voltaje
Independiente (VTH) en
serie con una resistencia
equivalente (RTH)

VTH: Voltaje existente entre
los terminales a y b de la Red
A cuando la Red B no est
conectada a dichos puntos.

RTH: Resistencia existente
entre los puntos a y b cuando
las Fuentes Independientes de la Red A se sustituyen por sus respectivas
resistencias internas.
TEOREMA DE NORTON:
La Red A es equivalente a un
circuito formado por una sola
Fuente de Corriente Indepen-
diente (IN) en paralelo con una
resistencia equivalente (RN)

IN: Corriente que circula
entre los terminales a y b de
la Red A cuando se
conecta un cortocircuito
entre dichos puntos.

RN: Resistencia existente
entre los puntos a y b cuando las Fuentes Independientes de la Red A se
sustituyen por sus respectivas resistencias internas.

TEOREMA DE MXIMA TRANSFERENCIA DE POTENCIA
Dada una fuente con una resistencia de fuente fijada de antemano
(equivalente Thevenin o Norton), la resistencia de carga que maximiza la
transferencia de potencia es aqulla con un valor hmico igual a la
resistencia de fuente: RL = RTH

Si RL fija y RTH variable, entonces la potencia se maximiza con RTH = 0
 EJEMPLO EQUIVALENTE THEVENIN
VOLTAJE DE THEVENIN


CORRIENTE DE NORTON
 TEOREMA DE SUSTITUCIN


Cualquier rama
de una red puede
ser reemplazada
por otra diferente
siempre y cuando
la corriente que
circula por esa
rama y el voltaje
entre sus
terminales
permanezcan
inalterados.
 GRAFICAS DE SEALES

 AMPLIFICADORES LINEALES










Ganancia de voltaje Av= Vo/ Vi Av= 20 log (Vo/ Vi)

Ganancia de corriente Ai= Io/ Ii Ai= 20 log (Io/ Ii)

Ganancia de potencia Ap= Po/ Pi Ap= 10 log (Po/ Pi)
 FUENTES DE ALIMENTACIN DEL AMPLIFICADOR















Potencia entregada por las fuentes: Pdc = V+ I1 + V I2

Pi = Vi Ii Po= Vo/ Io Pdc + Pi = Po + Pdisipada

Po
Eficiencia: =
Pdc

SATURACIN

 SEMICONDUCTORES

*Semiconductor
*Cristal de silicio
*Enlaces covalentes. Banda de valencia
*Semiconductor intrnseco
*Baja temperatura: No hay conduccin
*Temperatura ambiente: Suficiente
energa para que algunos electrones
pasen a la banda de conduccin

* Hay electrones libres

* Los electrones dejan espacios: Huecos
* Los huecos los ocupan otros electrones
* Conduccin en la banda de valencia
* Conduccin en la banda de conduccin
* Electrones: Portadores negativos
* Huecos : Portadores positivos
 DOPAJE CON IMPUREZAS

* Se difunden tomos de impurezas

* Donantes: Valencia 5: Fsforo,
Arsnico, Antimonio (Material N)
*Aceptoras: Valencia 3: Boro, Indio,
Aluminio (Material P)
* Semiconductores extrnsecos
* Portadores mayoritarios y
minoritarios
* En un semiconductor extrnseco la
densidad de portadores mayoritarios es aproximadamente constante
mientras que la densidad de portadores minoritarios aumenta con la
temperatura.
* Cuando la densidad de portadores minoritarios llega al 10% de la
densidad de portadores mayoritarios, el semiconductor se comporta como
intrnseco.
 TIPOS DE CORRIENTE EN UN SEMICONDUCTOR

Corriente de Difusin:
* Es el flujo de carga elctrica asociado con el movimiento aleatorio
debido
a la agitacin trmica.
* Lo causa el gradiente de concentracin de los portadores.
* Los huecos y electrones se mueven en la misma direccin (de zonas de
mayor concentracin a zonas de menor concentracin).
* Las corrientes tienen signo opuesto.

Corriente de Deriva, Arrastre o Desplazamiento:

* Es el flujo de carga elctrica producido por la aplicacin de un campo
elctrico.
*Los huecos se mueven en una direccin en la capa de valencia y los
electrones se mueven en la otra direccin en la capa de conduccin.
* Las corrientes tienen el mismo sentido.
 LA JUNTURA PN
*Se forma al poner en contacto un
semiconductor P con uno N.
* Los huecos se difunden de P a N y los
electrones de N a P, dando lugar a la
corriente de difusin ID, cuya direccin
es de la regin P a la N.
* Al cruzar la juntura, los que eran
portadores mayoritarios en su regin se
convierten en minoritarios y se
recombinan con los respectivos tomos.
*Del lado P hay tomos de impurezas
aceptoras sin cubrir y del lado N
impurezas donantes sin cubrir. Se forma
la regin de vaciamiento o zona de carga espacial al quedar tomos
(iones) con carga positiva en la regin N y negativa en la regin P.
* Se genera un campo elctrico que
forma una barrera de potencial VO la
cual se opone a que contine la
difusin.
* Adems de la corriente de difusin,
hay corriente de deriva IS debido al
movimiento de los portadores minoritarios.
* Los electrones de la regin P generados trmicamente que llegan a la
barrera de potencial son barridos hacia la regin N y los huecos de la
regin N generados trmicamente son barridos hacia la regin P donde
pasan a ser portadores mayoritarios.
* Dado que la corriente IS se debe a los portadores minoritarios generados
trmicamente, su valor depende fuertemente de la temperatura y es
independiente del valor del voltaje de la barrera de potencial VO
* Bajo condiciones de circuito abierto debe haber equilibrio ID = IS
* El equilibrio lo mantiene Vo.
*Si ID aumenta porque hay ms difusin de una
regin a la otra, aumentar el nmero de cargas no
cubiertas, por lo que aumentar Vo, lo cual har que la difusin disminuya,
hasta que ID = IS.
*Si IS aumenta, el nmero de impurezas sin cubrir de cada lado disminuye,
por lo que la zona de carga espacial se hace ms estrecha, el valor de VO
disminuye, lo cual hace que aumente la corriente de difusin ID hasta que
nuevamente ID = IS.
* Vo depende de las concentraciones de portadores y de la temperatura.
Para dispositivos de silicio, su valor est entre 0,6 y 0,8 V.
* Cuando el dispositivo no est conectado, el voltaje entre los terminales es
cero. Esto se debe a que los voltajes de las junturas metal-semiconductor
de los extremos, equilibran exactamente el voltaje de la zona de carga
espacial.
Si esto no fuera as, podramos obtener energa de las junturas PN, lo cual
viola el principio de conservacin de la energa.
 LA JUNTURA PN EN POLARIZACIN DIRECTA

Disminuye la barrera de potencial Vo, lo cual hace que aumente la
corriente de difusin tanto de los huecos como de los electrones,
haciendo que circule una corriente I de la regin P a la regin N, donde
I =ID - IS.
 CAPACITANCIA DE DIFUSIN

*Al haber conduccin, hay un exceso de portadores minoritarios en ambas

regiones, cuyas concentraciones dependen del voltaje aplicado.

* Si cambia el voltaje deben cambiar las concentraciones. El efecto de

acumulacin de carga da origen al efecto capacitivo denominado
Capacitancia de Difusin.
 LA JUNTURA PN EN POLARIZACIN INVERSA










*Se incrementa el voltaje de juntura Vo, lo cual hace que aumenten los
tomos ionizados y aumenta la zona de carga espacial.

*Inicialmente se produce una corriente inversa debido al nmero de

portadores que abandonan la zona de carga espacial.

*Una vez en equilibrio, contina circulando una corriente

comparativamente pequea, denominada corriente inversa del
dispositivo.
CORRIENTE INVERSA DIODO DE POTENCIA
 CAPACITANCIA DE JUNTURA

Al tener dos reas cargadas, una con voltaje positivo y otra con voltaje
negativo, se dispone de un condensador en la zona de carga espacial, cuya
capacitancia depende del voltaje inverso aplicado.

Aunque la funcin no es lineal, puede trabajarse con valores de carga

directamente proporcionales al voltaje de juntura si se consideran
variaciones de voltaje pequeas alrededor del punto Q.
 REGIN DE RUPTURA (BREAKDOWN)

*Si se sigue aplicando voltaje negativo a la juntura PN se entra en la regin

de conduccin inversa, o ruptura, o breakdown.

*No todos los tipos de diodos pueden operar en esa zona. Puede ser
destructivo si se sobrepasa la capacidad de disipacin mxima de la
juntura.

* La ruptura se puede deber al efecto avalancha o al efecto zener.

*El efecto avalancha ocurre cuando el voltaje inverso aplicado introduce

suficiente energa para que los portadores choquen con los iones,
rompiendo un enlace covalente, lo cual genera un hueco y un electrn que
se mueven en direcciones opuestas, produciendo a su vez nuevos huecos y
electrones, lo cual da origen a una corriente externa con muy poco cambio
en el voltaje de juntura.
*El efecto zener ocurre cuando el campo es mucho mas intenso y la
energa introducida es tan elevada que los enlaces covalentes se rompen
sin que haya colisin. El incremento del voltaje de juntura es muy
reducido.
*Menor de 5V: zener
*Mayor de 8 voltios: avalancha
*Entre 5 y 8 V: ambos.
 RELACIN CORRIENTE-VOLTAJE DE LA JUNTURA PN

v / nvt
I = Is e 1

Escalas expandidas o
comprimidas para ver mas
detalles
 DIODOS
EL DIODO IDEAL















 APLICACIN: EL RECTIFICADOR

 VOLTAJE EN LA CARGA Y EN EL DIODO

Voltaje en la carga Voltaje en el diodo

 EJEMPLO








vs = 24sen


El diodo comienza a conducir cuando vs llega a 12 V, en el ngulo .

12 2 = 180 2x30 = 120
= arcsen = 30
24
24V 12V
= 0,12mA
La corriente mxima por el diodo es 100

El voltaje inverso mximo en el diodo es 24+12=36V

PUERTA LGICA OR

Y = A + B + C

vA vB vC vY
0 0 0 0
0 0 1 1
0 1 0 1
0 1 1 1
1 0 0 1
1 0 1 1
1 1 0 1
1 1 1 1
 PUERTA LGICA AND

Y = A * B * C



vA vB vC vY
0 0 0 0
0 0 1 0
0 1 0 0
0 1 1 0
1 0 0 0
1 0 1 0
1 1 0 0
1 1 1 1