SILCIO PURO OU INTRNSECO TEMPERATURA = 0 KELVIN (-273C)

E Energia TOTAL do eltron

A Zero Kelvin
todos os esta-
dos na BC
esto vazios.
BC
Banda de Conduo do Si
EC

Si @ -273C
BP: Banda Proibida do Si EG0 = 1,21eV
EG =EC- EV
ou Gap de Energia Ge @ -273C
EG0 = 0,785eV

n na Banda de Valncia
Eltro EV
a de Valncia
n na Band
ro
Elt A Zero Kelvin todos
BV os estados na BV
Banda de Valncia do Si esto ocupados.
Os eltrons ficam
Eltrons das camadas presos s ligaes
internas do tomo, covalentes, sem
sem interao. qualquer mobilidade.

SILCIO PURO OU INTRNSECO TEMPERATURA > 0 KELVIN (e.g.*: T = 300K = 27C)

O calor cede energia para os eltrons da BV passarem para a BC. Energia cedida = hf = quantum = quanta

E Energia TOTAL do eltron

n=1,5x1010 cm-3
Si @ 27C
Eltron Livre na BC s
vre
Eltrons li

BC
EC
BC Si @ 27C
e na
EG = 1,1 eV
n livr BP
tr o
El Ge @ 27C
EG = 0,72 eV
hf V
Buraco na B
EV
hf BV
ur
B

hf ac
os
Si @ 27C
p=1,5x1010 cm-3
Eltrons das camadas
internas do tomo,
Si puro: n = p = ni sem interao.

n = concentrao de eltrons, o nmero de eltrons livres por m3 na Banda de Conduo (BC).

p = concentrao de buracos, o nmero de buracos por m3 na Banda de Valncia (BV).
No semicondutor intrnseco (no dopado, puro): n = p = ni = concentrao intrnseca.
Para o Si puro, na temperatura ambiente (300K), n = p = ni = 1,5x1010 cm-3. Energia do gap: EG = 1,1 eV.
Para o Ge puro, na temperatura ambiente (300K), n = p = ni = 2,5x1013 cm-3. Energia do gap: EG = 0,72 eV.
Obs.: ni(Ge)/ni(Si) = 1667. Condutores: n = 1022 eltrons livres/cm3. Isolantes: n = 10 eltrons livres/cm3
Um estado vazio na BV chama-se buraco (lacuna, hole). Um estado vazio na BC chama-se estado vazio!
* e.g. = exempli gratia = por exemplo

UERJ 2003, Dopagem, Prof. Weber Pag. 1

SILCIO DOPADO, OU EXTRNSECO, TIPO N TEMPERATURA = 0 KELVIN (-273C)

E Energia TOTAL do eltron

Energia do A Zero Kelvin
nvel doador todos os esta-
da impureza dos na BC
localizada na BC do Si esto vazios.
BP do Silcio
0 eV
P do Si
e lt r on d a impureza @ 0K na B
5
T=0K BP do Si

Eltron da
impureza na BV d
o Si
A Zero Kelvin
todos os estados
BV do Si na BV esto
na BV do Si
Eltron do Si ocupados.

Eltrons das camadas

internas do tomo,
sem interao.

Exemplos de impurezas pentavalentes (doadoras): antimony, phosphorus, arsenic

SILCIO DOPADO, TIPO N TEMPERATURA UM POUQUINHO MAIOR QUE 0 KELVIN

E Energia TOTAL do eltron

BC do Si

i
oS
BCd Nvel Doador
ra a E
ai pa
D da impureza
O 5 eltron da impureza v Pouca energia consegue
mandar o 5 eltron da
impureza para a BC do Si.
O sinal + significa apenas
que a impureza se ionizou
A impureza ioniza-se

0 Kelvin:
todos os
BV do Si
na BV do Si
estados
Eltron do Si ocupados
na BV

Eltrons das camadas

internas do tomo,
sem interao.

UERJ 2003, Dopagem, Prof. Weber Pag. 2

SILCIO DOPADO, TIPO N, TEMPERATURA MAIOR QUE 0 KELVIN (e.g.: 300K = 27C)

E Energia TOTAL do eltron

BC n = p + ND

i
C do S 0 eV
na B
ureza
5 eltron da imp ND ons/m3
BP

d o Si
o Si na BV
Eltron d
BV

Eltrons das camadas

internas do tomo,
sem interao.

ND a concentrao de tomos da impureza doadora (tomos por m3). Na temperatura ambiente todos os tomos
da impureza esto ionizados, ento n = p + ND. Na figura, a representao dos sinais de + sobre o nvel doador sig-
nifica apenas que cada tomo da impureza tornou-se um on positivo com a perda do eltron. No significa, evi-
dentemente, que o on esteja naquele nvel de energia. Quem estava naquele nvel de energia, a 0 Kelvin, era o
eltron que foi para a BC quando a temperatura aumentou.

No semicondutor tipo n, n >> p, logo, podemos aproximar n ND.

Mais tarde, veremos que: np = ni2

Eltrons majoritrios
Semicondutor tipo n

Buracos minoritrios

UERJ 2003, Dopagem, Prof. Weber Pag. 3

SILCIO DOPADO, TIPO P TEMPERATURA = 0 KELVIN

E Energia TOTAL do eltron

BC

covalente incompleta, e
ligao stado BP
vaz
io
ve
n

l de energia a a EA
ceitador da impurez 0 eV

BV

Eltrons das camadas

internas do tomo,
sem interao.

Exemplos de impurezas trivalentes (aceitadoras): boron, gallium, indium

SILCIO DOPADO, TIPO P TEMPERATURA UM POUQUINHO MAIOR QUE 0 KELVIN

E Energia TOTAL do eltron

BC

EC
Pouca energia consegue mandar o
eltron da BV do Si para o estado
ureza aceitar um eltron vind
a imp o da BP vazio na impureza aceitadora.
BV
do S O nvel aceitador da impureza fica
i na BP do Si.
EA
0 eV
EV
n
bura l o eltro
e
co na BV do Si deixado p BV

Eltrons das camadas

internas do tomo,
sem interao.

UERJ 2003, Dopagem, Prof. Weber Pag. 4

SILCIO DOPADO, TIPO P TEMPERATURA UM POUQUINHO MAIOR QUE 0 KELVIN

E Energia TOTAL do eltron

BC

BP O sinal - aqui significa apenas que a

on
za torna-se um neg impureza se ionizou negativamente e que
a impure a tiv o eltron vindo da BV do Si ficou com a
energia EA do nvel aceitador.

o
EA 0 eV

i
d oS
buraco deixa do na BV
BV

Eltrons das camadas

internas do tomo,
sem interao.

SILCIO DOPADO, TIPO P TEMPERATURA MAIOR QUE 0 KELVIN (e.g.: T = 300K = 27C)

n
eltron livre vindo da BV do Si devido ao calor

NA ons/m3

0 eV

calor
devido ao
buraco

p = n + NA

UERJ 2003, Dopagem, Prof. Weber Pag. 5

 Buracos majoritrios

Semicondutor tipo p

Eltrons minoritrios

Semicondutor tipo-n
n ND. Sendo: np = ni2, ento: p = ni2 / n ou p ni2 / ND
Semicondutor tipo-p
n NA. Sendo: np = ni2, ento: n = ni2 / p ou n ni2 / NA

DOPAGEM GENRICA TEMPERATURA MAIOR QUE 0 KELVIN (e.g.: T = 300K = 27C)

UERJ 2003, Dopagem, Prof. Weber Pag. 6

FORMAO DA JUNO P-N DURANTE A FUNDIO

Semicondutor tipo-p Semicondutor tipo-n

b

e
... b b b b b e e e e e
...
e

e
e

b b b b b b b b

e e e e e e e
pp0 NA nn0 ND
b b b b b b
e
e
b
b b
... b b b b b e e e e e
...
e e

t=0
Semicondutor tipo-p Semicondutor tipo-n
b

e
... b b b b e e e e e
... e
e

b b b b b b b
E e e e e
e e
pp0 NA nn0 ND
b b b b b
e
e
b
b b
... b b b b b e e e e e
... e

Semicondutor tipo-p
t = 0+ Semicondutor tipo-n
b

e
... b b b b e e e e
... e
e

b b b b b b b

E e e e e e
pp0 NA nn0 ND
b b b b
e
e
b
b b
... b b b e e e e
... e

t>0

Semicondutor tipo-p
V0 = ddp de contato Semicondutor tipo-n
b

e
... b b e e
... e
e

b b b b b
E0 e e e
pp0 NA np0 ND
b b b
e
e
b
Q- = Q+
b b
... b b e e
... e

UERJ 2003, Juno p-n, Prof. Weber Pag. 1

JUNO P-N ABERTA

ABERTO

Semicondutor tipo-p
V0 = ddp de contacto Semicondutor tipo-n
b

e
... b b e
...
e

e
e

b b b b b
E0 e e e
pp0 NA nn0 ND
b b b
e
e
b
Q- = Q+
b b
... b b e
...
e e

UERJ 2003, Juno p-n, Prof. Weber Pag. 2

JUNO P-N POLARIZADA DIRETAMENTE

vD (bateria externa que gera um campo Eb na juno)

+ -

vj = V0 - vD
Semicondutor tipo-p Semicondutor tipo-n
b

e
... b b b e e e e
... e
e

b b b b b
ER Eb
b

E0 e e e e
pp0 NA nn0 ND
b b b b
e
e
b
b b
... b b b e e e
... e

UERJ 2003, Juno p-n, Prof. Weber Pag. 3

JUNO P-N POLARIZADA INVERSAMENTE

VD vD = -VD (VD > 0)

- +

Semicondutor tipo-p vj =V0 - vD =V0 - (-VD) = V0 +VD Semicondutor tipo-n

b

e
... b b
...
e

e
e

b b b ER b

Eb E0 e e
pp0 NA nn0 ND
b b
e
e
b
b b
... b
...
e e

UERJ 2003, Juno p-n, Prof. Weber Pag. 4