MEDICIONES ELECTRICAS

1.1 INTRODUCCIN A LA MATERIA.

Definiciones Bsicas
Electrnica: ciencia que se dedica al estudio de la condicin elctrica, para procesar informacin, a
travs de los estados que manifiesta la materia: slidos, lquidos y gases.
Ramas de la electrnica:

Sistemas digitales.

Comunicaciones.

Teraputica.

Instrumentacin.

Telemetra.

Electrnica Industrial

Electrnica Militar

Materia: Se define como algo que ocupa espacio y tienen peso, la podemos encontrar en los estados
slidos, lquidos y gaseosos.

Elemento: Cualquier sustancia cuyas molculas no se pueden subdividir por medios qumicos ordinarios.
Atomos: Partcula ms pequea en que se puede dividir un elemento manteniendo las
propiedades del elemento original.

Carga: En la teora de tomo de Bohr, los electrones orbitaban alrededor de un ncleo que contena
protones y neutrones, la atraccin de las cargas opuestas de los electrones y los protones
mantenan unidos a los tomos. las partculas con igual carga se repelan unas a las otras.

El nmero casi igual de electrones y protones en la mayora de los objetos, como un pedazo de piel, hace
que se cancelen sus fuerzas de atraccin, de modo que los electrones de un objeto vecino como una
varilla de mbar, normalmente no siente ninguna atraccin por la piel en algunos tomos, sin embargo,
los electrones no estn tan arraigados como en otros y hay situaciones en que se pierden electrones.

Por ejemplo: si frotamos la varilla con la piel algunos de los electrones de la piel se pasan al mbar,
la piel pierde algunos electrones, mientras que mbar los gana. Puede verse la atraccin entre estas
cargas, los pelos de la piel son atrados hacia la varilla. Si se acercan ambos lo suficiente, algunos
electrones de la varilla brincaran de regreso a la piel emitiendo una chispa.

Voltaje: La atraccin de cargas opuestas significa que se requiere energa para apartarlas la que
puede recuperarse al juntarse de nuevo. Entre una y otra situacin decimos que la energa se conserva
como energa potencial. Cuando un sistema tiene energa potencial, tiene el potencial de hacer
trabajo. Trabajo aqu significa una forma ms visible de energa, no necesariamente algo que queramos
hacer.
En electricidad, la cantidad anloga a la altura es el voltaje, indicado, por regla general, con el smbolo
V. El voltaje se mide en volts. En circuitos digitales medimos algunas veces el voltaje en milsimas de
volt o milivolts.

En trminos elctricos, podemos usar la forma completa para describir la diferencia de voltaje, o
cada de voltaje, entre dos puntos, o podemos usar la forma breve y hablar del voltaje en un punto.
La forma breve siempre implica la comparacin implcita con un punto de referencia. En la mayora de
los circuitos ese punto de referencia comn se llama tierra, y puede en realidad conectarse a
tierra a travs de una tubera de agua, pero no esta a 0 volts en un sentido absoluto.

Corriente: La corriente elctrica tiene la misma relacin con la carga como la tiene una corriente de ro
con el agua; es la rapidez con que la carga cruza una lnea que corta parte del circuito. La regla general
de la corriente es que se indica con el smbolo I y se mide en amperios. Un amperio es igual a 1 culombio
por segundo. Muy a menudo, tratamos una corriente de miliamperios (mA) y microamperios (A).

Al igual que un flujo de agua, la corriente tiene una magnitud y una direccin.

Conductores electrnicos: Son aquellos materiales por los cuales se puede forzar el movimiento de
electrones de tomo en tomo cuando se aplica una presin elctrica voltaje.

Aisladores: Son aquellos materiales a travs de los cuales no se puede lograr fcilmente el flujo
electrones.

Resistencia elctrica: En la oposicin o resistencia ofrecida por un material al paso de la corriente

elctrica.

Corriente elctrica: Flujo ordenado de electrones por un circuito o seccin del mismo.

Circuito electrnico: Es el camino que sigue una corriente elctrica que partiendo de su fuente pasa por
conductores y componentes y regresa a su punto de partida por lo que se deduce que un circuito
electrnico debe ser un camino cerrado para que los electrones que parten de un punto puedan regresar
a l completando el circuito.

1.2. Funcionamiento y uso de un Multmetro Analgico y Digital.

Medir: Validacin de una ley, armar circuitos y medir para ver si se cumple una ley de ohm verificar
midiendo las variables. Medicin con objeto de mantenimiento, calibracin, supervisin, evaluacin de
prototipos de diseo, procesos que requieran supervisin (monitoreo continuo) a fin de tomar decisiones
importantes sobre su operacin.

Alguna de las definiciones importantes que se deben de considerar al momento de medir son las
siguientes:
Exactitud: la exactitud de una medicin especifica la diferencia entre el valor medido y el valor real de
una cantidad. La desviacin del valor verdadero es un ndice de que tan exactamente se ha llevado a
cabo una lectura.

Precisin: la precisin especifica la repetibilidad de un conjunto de lecturas, hechas cada una en forma
independiente con el mismo instrumento. Se determina una estimacin de la precisin mediante la
desviacin de la lectura con respecto al valor promedio.

Las mediciones juegan un papel importante en la validacin de las leyes de la ciencia. Tambin son
esenciales para estudiar, desarrollar y vigilar muchos dispositivos y procesos. Sin embargo el proceso
mismo de medir implica muchos pasos antes de producir un conjunto til de informacin. Para estudiar los
mtodos que produzcan mediciones efectivas se considera el proceso de medicin como una secuencia
de 5 operaciones:

Operacin # 1: El diseo de un dispositivo eficiente de medicin, este paso comprende una seleccin
adecuada del equipo disponible y una interconexin correcta de los diferentes componentes e
instrumentos.

Operacin # 2: Manejo inteligente de aparatos de medicin.

Operacin # 3: El registro de los datos de modo claro y completo. La informacin registrada debe darnos
una referencia inequvoca para interpretaciones futuras.

Operacin # 4: El calculo de la exactitud de la medicin y las magnitudes de los posibles errores

implcitos.
Operacin # 5: La preparacin de un informe que describa la medicin y sus resultados par aquellos que
puedan utilizarse en su empleo.

La finalidad de Medir es con el objeto de mantenimiento, calibracin, supervisin, evaluacin de prototipos

de diseo, proceso que requieran supervisin (monitoreo continuo) a fin de tomar decisiones importantes
sobre su operacin.

Las mediciones de voltaje se efectan con dispositivos tan variados como voltmetros electromecnicos,
voltmetros digitales, osciloscopios y potencimetros. Los mtodos para medir corrientes emplean los
instrumentos llamados ampermetros.

Un ampermetro siempre se conecta en serie con una rama del circuito y mide la corriente que pasa a
travs de l. Un ampermetro ideal sera capaz de efectuar la medicin sin cambiar o perturbar la corriente
en la rama. Sin embargo, los ampermetros reales poseen siempre algo de resistencia interna y hacen
que la corriente en la rama cambie debido a la insercin del medidor.

En forma inversa, un voltmetro se conecta en paralelo con los elementos que se miden. Mide la
diferencia de potencial (voltaje) entre los puntos en los cuales se conectan. Al igual que el ampermetro
ideal, el voltmetro ideal no debera hacer cambiar la corriente y el voltaje en el circuito que se est
midiendo. Esta medicin ideal del voltaje slo se puede alcanzar si el voltmetro no toma corriente alguna
del circuito de prueba. Sin embargo, la mayora de los voltmetros reales trabajan tomando una corriente
pequea, pero finita y por lo mismo tambin perturba el circuito de prueba hasta cierto grado.

Los medidores que determinan el voltaje y/o corriente se pueden agrupar en dos clases generales:

a) Medidores analgicos.
b) Medidores digitales.

Medidores Analgicos

Multmetro Analgico (VOM)

Los multmetros analgicos son instrumentos de laboratorio y de campo muy tiles y verstiles, capaces
de medir voltaje en corriente alterna (C.A.) y corriente directa (C.D.), corriente, resistencia, ganancia de
transistor, cada de voltaje en los diodos, capacitancia e impedancia.

Este tipo de medidores emplea mecanismos electromecnicos para mostrar la cantidad que se est
midiendo en una escala continua. Es decir, el proceso que realizan es analgico y la salida es analgica
(agujas).

Los multmetros digitales han tomado el lugar de la mayora de los multmetros con movimientos de D'
Arsonval por dos razones principales: mejor exactitud y eliminacin de errores de lectura.

Por otro lado, todava se emplean los medidores analgicos que incorporan movimientos de D' Arsonval,
ya que se emplean todava para aplicaciones en las que se deben observar las indicaciones de muchos
medidores de un vistazo. Por ejemplo, la mayora de las subestaciones de servicio elctrico emplean
medidores analgicos que tratar de recordar 30 nmeros y sus valores de seguridad.

Movimiento de D' Arsonval

El mecanismo sensor ms comn que se emplea en los ampermetros y vlmetros electromecnicos es

un dispositivo sensor de corriente llamado galvanmetro de D' Arsonval o movimiento de imn
permanente y bobina mvil. Este mecanismo fue desarrollado por D' Arsonval en 1881. Tambin se
emplea en algunos hmetros, medidores rectificadores de corriente alterna y puentes de impedancia. Su
aplicacin tan difundida se deba a su sensibilidad y exactitud extremas. Se pueden detectar corrientes de
menos de 1m A mediante instrumentos comerciales. (Algunos instrumentos de laboratorio que emplean
los movimientos de D' Arsonval pueden medir corrientes tan pequeas como 1.0 X 10 -13 A). El movimiento
detecta la corriente empleando la fuerza que surge de la interaccin de un campo magntico y la corriente
que pasa a travs de l. La fuerza se emplea para generar un desplazamiento mecnico, que se mide en
una escala calibrada.

Las cargas que se mueven en forma perpendicular al flujo de un campo magntico experimentan una
fuerza perpendicular tanto al flujo como a la direccin de movimientos de las cargas. Como la corriente
que pasa por un conducto de debe a un movimiento de cargas, esas cargas estarn sujetas a la fuerza
magntica si se orienta adecuadamente al conductor dentro de un campo magntico. La fuerza se
transmite mediante las cargas a los tomos en un conductor, y se fuerza al conductor mismo a moverse.

La direccin de la fuerza en el conductor que lleva la corriente se encuentra fcilmente mediante la regla
de la mano derecha. El dedo ndice apunta en la direccin de la corriente convencional y el dedo medio
apunta en la direccin del campo magntico. La ecuacin vectorial que define a esta fuerza es:

F=iLXB

Siendo F la fuerza en newtons en el conductor, i es la corriente en amperes, L es la longitud en metros y

B se representa por X.

En algunos medidores analgicos las escalas son no lineales. Esto se debe por lo general a que el campo
magntico no es uniforme en toda la zona entre las piezas polares del imn. Para que la indicacin del
medidor sea exacta, la escala del medidor debe desviarse de la linealidad para compensar esa falta de
uniformidad del medidor.

El mecanismo o movimiento que patent D' Arsonval se basa en este principio. Una bobina de alambre se
fija en un eje que gira en dos cojinetes de joya. La bobina puede girar en un espacio entre un ncleo
cilndrico de hierro suave y dos piezas polares magnticas. Las piezas polares crean el campo magntico
y el ncleo de hierro restringe el campo al espacio de aire (entrehierro) entre l y las piezas polares. Si se
aplica una corriente a la bobina suspendida, la fuerza resultante har que gire. A este giro se oponen dos
resortes pequeos que originan un par (fuerza giratoria) que se opone al par magntico. Las fuerzas de
los resortes se calibran de modo que una corriente conocida origine una rotacin de ngulo conocido.
(Tambin, los resortes sirven como conexiones elctricas para la bobina.) El puntero liviano muestra la
cantidad de rotacin sobre una escala calibrada.

La desviacin de la aguja es directamente proporcional a la corriente que fluye en la bobina, siempre que
el campo magntico sea uniforme y la tensin del resorte es lineal. En ese caso, la escala del medidor
tambin es lineal. La exactitud de los movimientos de D' Arsonval que se emplean en los medidores
comunes de laboratorio es de aproximadamente el 1% de la lectura de la escala completa.

Movimiento del electrodinammetro

El movimiento del electrodinammetro se emplea en la construccin de voltmetros y ampermetros de

gran exactitud, as como wttmetros y medidores de factor de potencia. Al igual que el mecanismo de D'
Arsonval, trabaja tambin como dispositivo sensor de corriente. Se puede obtener exactitudes muy altas
con el empleo de este mecanismo porque no utilizan materiales magnticos (los cuales poseen
propiedades no lineales).

En contraste con el movimiento de D' Arsonval, que emplea un imn permanente como fuente del campo
magntico, el electrodinammetro crea un campo magntico con la corriente que mide. Esta corriente
pasa por dos devanados del campo y establece el campo magntico que interacciona con la corriente en
la bobina mvil. La fuerza en esa bobina, debido a los campos magnticos de las bobinas fijas, hace que
gire la bobina mvil. La bobina mvil se fija a un puntero que se mueve a lo largo de una escala cargada
para indicar el valor de la cantidad que se est midiendo. El conjunto completo del mecanismo se monta
en una caja blindada de hierro para aislarlo de cualquier campo magntico parsito.

El movimiento del electrodinammetro produce una lectura de gran exactitud, pero est limitado debido a
sus necesidades de potencia. El campo magntico de los devanados estacionarios, producido por una
corriente de pequea es mucho ms dbil que el campo permanente del movimiento de D' Arsonval.

AMPRMETRO ANALGICO DE CD

Los ampermetros electromecnicos industriales y de laboratorio se emplean para medir corrientes desde
1m A (10-6 A) hasta varios cientos de amperes. El movimiento de D' Arsonval se emplea en la mayora de
los ampermetros de corriente directa como detector de corriente. Los medidores tpicos para banco de
laboratorio tienen exactitudes de aproximadamente 1 % del valor de la escala completa debido a las
inexactitudes del movimiento del medidor. Adems de este error, la resistencia de la bobina del medidor
introduce una desviacin con respecto al comportamiento de un ampermetro ideal. El modelo que se
emplea para describir un ampermetro real en trminos de circuito equivalente es una resistencia R m (de
igual valor que la resistencia de la bobina y los conductores del medidor) en serie con un ampermetro
ideal.

RESISTENCIA INTERNA DE MOVIMIENTOS DE D' ARSONVAL TIPICOS

CORRIENTE RESISTENCIA CAIDA DE VOLTAJE

50 m A 1000-5000 50 mV-250mV

500 m A 100-1000 50 mV-500 mV

1 mA 30-120 30 mV-120 mV

10 m A 1-4 10 mV-40 mV

La sensibilidad de un ampermetro indica la corriente mnima necesaria para una desviacin de toda la
escala.

Un shunt es un trayecto de baja resistencia conectado en paralelo con el movimiento del medidor. El
shunt permite que una fraccin especfica de la corriente que pasa por la rama del circuito rodee el
movimiento del medidor. Si se sabe con exactitud cmo se divide la corriente, la fraccin de sta que pasa
por el movimiento puede indicar la corriente total que pasa por la rama en la que se conecta el medidor.

VLTMETROS ANALGICOS DE CD

La mayor parte de los vlmetros emplean tambin el movimiento de D' Arsonval. Este movimiento se
puede considerar en s mismo un vlmetro, si se considera que la corriente que pasa por l, multiplicada
por su resistencia interna, origina una determinada cada de voltaje. Para aumentar el voltaje que se
puede medir mediante ese instrumento, se agrega una resistencia ms en serie a la resistencia propia del
medidor. La resistencia adicional (que se llama un multiplicador) limita la corriente que pasa por el circuito
del medidor.
Para construir un vlmetro de mltiple rango, se puede emplear un interruptor que conecte resistencias de
varias magnitudes en serie con el movimiento del medidor. Para obtener una deflexin hacia los valores
altos de la escala, los bornes se deben conectar con el vlmetro con la misma polaridad que las marcas
de las terminales. Los voltmetros tpicos de corriente directa (CD) de laboratorio tienen exactitudes de 1
% de la escala completa.

La sensibilidad de un vlmetro se puede especificar por el voltaje necesario para una deflexin de escala
completa. Pero otro criterio de sensibilidad, que se usa ampliamente, es la capacidad de ohms por volts.

Figura 1-1. Voltmetro bsico de CD.

Figura 1-2. Voltmetro de varios rangos.

OHMETRO

Es un instrumento que mide la resistencia o simplemente continuidad, de un circuito o parte del

directamente en ohmios sin necesidad de clculos, su principio de funcionamiento se basa en el mtodo
del voltmetro para medir resistencias y se configura habitualmente en circuitos tipo serie y/o derivacin.

OHMETRO TIPO SERIE

El ohmetro tipo serie consta de un galvanmetro o movimiento D`Arsonal conectado en serie con una
resistencia y una batera, con un par de terminales a los cuales se conecta la resistencia desconocida. La
corriente que circula a travs del galvanmetro depende de la magnitud de la resistencia desconocida y la
indicacin del medidor es proporcional a su valor, siempre y cuando se hayan tomado en cuenta los
problemas de calibracin.

R1 = resistor limitador de corriente.

R2 = resistor de ajuste a cero.
E = batera interna.
Rm = resistencia interna del galvanmetro d' Arsonal.
Rx = resitor desconocido.

Cuando la resistencia desconocida Rx = 0 (terminales A y B en cortocircuito), circula corriente mxima en

el circuito. En estas condiciones, la resistencia de derivacin R 2 se ajusta hasta que el galvanmetro
indique la corriente a escala completa (Ifsd). La posicin de la aguja para la corriente de escala completa

se marca "0 ". En forma similar, cuando Rx = (terminales A y B abiertas) la corriente en el circuito

es cero y el galvanmetro indica cero corriente, esta posicin se marca " " en la escala. Se colocan las
marcas intermedias en la escala conectando valores conocidos de resistencia Rx en las terminales del
instrumento. La exactitud de estas marcas depende de la exactitud respectiva del galvanmetro y de las
tolerancias de las resistencias de calibracin.

Aun cuando el ohmetro tipo serie es un diseo popular y se utiliza extensamente en los instrumentos
porttiles para servicio general, tiene ciertas desventajas. Las ms importantes se relacionan con la
disminucin del voltaje de la batera interna con el tiempo y el uso, de forma que la corriente a escala
completa disminuye y el medidor no lee "0" cuando A y B estn en cortocircuito. La resistencia de
derivacin R2 provee un ajuste para contrarrestar el efecto de la descarga de la batera. Es posible ajustar
la aguja a escala completa con R1 eliminando a R2, pero esto cambiara la calibracin en toda la escala. El
ajuste de R2 es una mejor solucin, ya que la resistencia equivalente del paralelo de R2 y la bobina Rm
siempre es baja

Comparada con R1, y por consiguiente el cambio requerido en R 2 para el ajuste no cambia mucho de
calibracin.

Una cantidad conveniente al uso en el diseo de un ohmetro tipo serie es el valor de R x que origina media
deflexin en el medidor. A esta posicin, la resistencia a travs de las terminales A y B se define como la
resistencia de media escala Rh. El circuito es analizable a partir de la corriente a escala completa Ifsd y la
resistencia interna del galvanmetro Rm, se reduce la corriente a 1/2 Ifsd, y la resistencia desconocida debe
ser igual a la resistencia interna total del ohmetro.

R2 Rm
Rh = R1 + --------------
R2 + R m

La resistencia total que se presenta a la batera es igual a 2R h, y la corriente necesaria para la deflexin a
media escala de

E
Ih = -----------
2Rh
Para producir la deflexin a plena escala, la corriente por la batera se debe duplicar, o sea

E
I1 = 2Ih = ------
Rh

La corriente de derivacin a travs de R2 es

I2 = I1- Ifsd

El voltaje en la resistencia de la derivacin (Esh) es igual al voltaje en el galvanmetro

Esh = Em o I2R2 = IfsdRm

Y
Ifsd Rm
R2= ---------------
I2
Al sustituir las ecuaciones anteriores se obtiene

IfsdRm IfsdRmRh
R2 = ----------------- = -----------------
I1 - Ifsd E - IfsdRh

Resolviendo la ecuacin arriba mencionada por R1, se obtiene

R2 R m
R1 = Rh - --------------
R2 + R m

Al sustituir las ecuaciones anteriores y al despejar R1, se tiene

IfsdRmRh
R1 = Rh - ------------
E
OHMETRO TIPO DERIVACION

Este consiste de una batera enserie con una resistencia de ajuste R 1 y un galvanmetro D' Arsonal. La
resistencia desconocida se conecta a travs de las terminales A y B, en paralelo con el medidor. Para este
circuito es necesario tener un interruptor que desconecte la batera cuando no se use el instrumento.
Cuando la resistencia desconocida Rx = 0 ( A y B estn abiertas), las corrientes circular nicamente
a travs del medidor; y con la apropiada seleccin del valor de R1, se puede hacer que la aguja marque
escala completa. De esta forma, el ohmetro tiene la marca "cero" en el lado izquierdo de la escala ( no
circula corriente) y la marca "infinito" en el lado derecho de la escala ( corriente de deflexin a plena
escala).
El ohmetro tipo derivacin es adecuado para medir valores bajos de resistencia; no se suele emplear en
los instrumentos de prueba, pero se encuentra en los laboratorios o para aplicaciones especiales de
medicin de resistencia baja.

El anlisis del ohmetro tipo derivacin es similar al del ohmetro tipo serie.

Medidor es
E
Ifsd = --------------
R1 + R m

Donde:

E = voltaje de la batera interna

R1 = resistor limitador de corriente
Rm = resistencia interna del galvanmetro

Al despejar R1 se tiene
E
R1 = ------ - Rm
Ifsd

Para cualquier valor de Rx conectado a travs de las terminales del medidor, la corriente por el medidor
decrece y esta dada por
E Rx
Ifsd =-------------------------- X ------------
R1 + [Rm Rx /(Rm +Rx)] Rm + R h

La corriente del medidor para cualquier valor de Rx, expresada como una fraccin de la corriente a escala
completa es
Im Rx (R1 + Rm )
S= ------ = -------------------------------
Ifsd R1(Rm + Rx) + Rm Rx

R1 R m
------------ = Rp
R1 + R m

Y sustituyendo las ecuaciones anteriores se obtiene

Rx
S = -------------
Rx + R p
Si se utiliza la ecuacin anterior, el medidor se calibra calculando s en trminos de Rx y Rp .

Para la lectura de media escala del medidor ( Im = 0.5 Ifsd ) la ecuacin anterior se reduce a

ERh
0.5 Ifsd = --------------------------
R1 Rm + Rh (R1 + Rm )

Donde Rh = resistencia externa que produce media deflexin. Para determinar los valores sobre la escala
para un valor de R1,

R1 R m
Rh = --------------------
R1 + R m

El anlisis muestra que la resistencia de media escala est determinando por el resistor limitador R 1 y la
resistencia interna del galvanmetro Rm. La resistencia limitadora, de deflexin a plena escala I fsd.

Ampermetros y voltmetros analgicos para CA

Las seales elctricas que cambian en amplitud y direccin peridicamente a travs del tiempo se miden
con los medidores de corriente alterna. Estos medidores pueden responder al valor pico, promedio, o
efectivo de las seales peridicas de corriente alterna que se les aplique. Esos medidores tambin se
calibran para indicar sus salidas en trminos de uno de esos tres valores caractersticos de seales de
CA. Como resultado, si se deben efectuar mediciones exactas de seales de CA, se deben seguir las
referencias que se dan a continuacin. Primero, se debe considerar qu valor caracterstico de la onda se
busca (promedio, pico o efectivo). A continuacin, si es posible, se selecciona un medidor que responda y
que est calibrado para indicar su salida en esa caracterstica. Si ello no fuera posible, se necesita
calcular un factor de correccin entre la indicacin que se obtiene y el valor deseado de la caracterstica.
Sin embargo, en ese caso probablemente sea ms fcil y ms exacto observar y medir el valor de la
caracterstica deseada de la onda real con un osciloscopio o analizador de espectro y no con el medidor
que se tenga a mano.

Figura 1-3. Formas de onda para corriente alterna.

COMO EMPLEAR LOS MEDIDORES BSICOS

Los ampermetros siempre se conectan en serie con la rama cuya corriente se ha de medir y nunca
en paralelo. Se puede destruir el ampermetro si se conecta en paralelo por equivocacin. Su baja
 resistencia puede permitir que pase la suficiente corriente en el medidor para la suficiente corriente
en el medidor para quemarlo. El voltmetro se conecta en paralelo a la porcin del circuito cuya
cada de voltaje se desea medir.
Asegrese que la aguja est siempre en cero antes de conecta un medidor. Si no indica cero,
ajstese con el tornillo de ajuste a cero en la cara del medidor.
No maneje los medidores con rudeza. El eje y sus cojinetes se daan fcilmente por golpes
violentos o vibracin.
Para obtener el movimiento del medidor, cuando se tienen rangos mltiples, inicie todas las
mediciones de cantidades desconocidas ajustando al instrumento en su escala mayor. Tmese
como indicacin final la deflexin que quede ms cerca del valor de escala completa. Esta
indicacin final ser el valor ms exacto.
Descnsense los medidores porttiles sobre sus partes traseras. Esto ayudar a evitar que se
volteen y se daen.
Se deben corregir las lecturas para todo efecto de carga originado por la presencia del medidor en
el circuito.
Para dar lecturas escala arriba, se deben conectar los medidores de cd de modo que las terminales
del medidor estn unidas a los puntos en el circuito de prueba cuyas polaridades sean iguales. Las
conexiones de polaridad invertida pueden conducir a daos del movimiento a causa del golpe del
puntero contra el tope de reversa.
Los medidores de CA -de aleta de hierro, electrodinammetros, y los electrostticos- pueden
conectarse sin tomar en cuenta la polaridad.
Mantnganse los medidores alejados de conductores con mucha corriente. Los campos magnticos
asociados con las corrientes pueden interferir con los campos magnticos del movimiento del
medidor e introducir errores.
Para los multmetros:

a).- Cuando no se usen, tngase el selector de funcin en las escalas de alto voltaje de CD. esto
evita que se descargue la batera si ocurre un corto accidental entra las puntas. Tambin protege al
circuito rectificador contra conexiones accidentales como una fuente de CD.
b).- Verifquese la batera o pila para asegurarse que est trabajando con un voltaje mayor que el
mnimo permitido.
c).- Utilcese cada una de las funciones del medidor tal como si se empleara un instrumento
especial nicamente.
d).-Si el hmetro no se puede llevar a cero cuando las puntas de prueba estn en corto, se le debe
cambiar la batera.

Los medidores se deben calibrar una vez al ao de conformidad con las especificaciones del
fabricante. Adhirase una etiqueta de calibracin al medidor en donde aparezca la fecha en la que
se hizo la ltima calibracin.

ERRORES DE MEDIDORES

Error de escala. Marcas inexactas en la escala durante la calibracin o la fabricacin. Son

igualmente probables en toda la escala.
 Error de cerro. Omisin de ajuste a cero antes de efectuarse las mediciones.
Error de paralaje. Originado por no tener la lnea de visin exactamente perpendicular a la escala
de medida. Se puede eliminar algo con un espejo bajo la escala o la aguja.
Error de friccin. Si est daado o gastado el cojinete, su friccin puede evitar que la aguja indique
un valor verdadero. Se puede eliminar algo golpeando suavemente al medidor cuando se hace una
medicin.
Efectos de temperatura sobre los imanes, resortes y resistencias internas. Estos errores son
proporcionales al por ciento de deflexin.
Error originado por desalineacin entre el eje y la bobina en el cojinete; se reduce manteniendo al
eje en posicin vertical.
Aguja doblada o aguja rozando contra la escala.
Baja exactitud. Si se dice que un medidor es exacto hasta determinado porcentaje, estos
generalmente se refiere a la lectura de escala completa. Para las lecturas menores, el porcentaje
real de error puede ser mucho mayor. Esto se aplica slo a los medidores analgicos.
Error de efecto de carga debido a la utilizacin de un instrumento no ideal en un circuito. Se puede
calcular la perturbacin del circuito por el instrumento y se puede compensar en la indicacin, si no
se dispone de un medidor con menos efecto de carga.
Errores especficos asociados con los principios de operacin y el diseo de un medidor en
particular. La magnitud de esos errores se calcula a partir del conocimiento del medidor y de su
funcionamiento.
Error de ruido en modo comn. El ruido en modo comn puede originar errores serios en muchos
sistemas de medicin electrnica.

Medidores Digitales

Multmetro Digital (DMM)

Estn diseados para medir cantidades como: voltaje de CD, voltaje de CA, corrientes directa y alterna,
temperatura, capacitancia, resistencia, inductancia, conductancia, cada de voltaje en un diodo,
conductancia y accesorios para medir temperatura, presin y corrientes mayores a 500 amperes.

La mayora de los multmetros digitales se fabrican tomando como base ya sea un convertidor A/D de
doble rampa o de voltaje a frecuencia. Muchos multmetros digitales son instrumentos porttiles de
bateras.

El medidor electrnico digital (abreviado DVM para voltmetro digital o DMM para multmetro digital) indica
la cantidad que se est midiendo en una pantalla numrica en lugar de la aguja y la escala que se emplea
en los medidores analgicos. La lectura numrica le da a los medidores electrnicos digitales las
siguientes ventajas sobre los instrumentos analgicos en muchas aplicaciones:

Las exactitudes de los voltmetros electrnicos digitales DVM son mucho mayores que las de los
medidores analgicos. Por ejemplo, la mejor exactitud de los medidores analgicos en de
aproximadamente 0.5% mientras que las exactitudes de los voltmetros digitales pueden ser de
0.005% o mejor. Aun los DVM y DMM ms sencillos tiene exactitudes de al menos 0.1%.
 Para cada lectura hecha con el DVM se proporciona un nmero definido. Esto significa que dos
observadores cualquiera siempre vern el mismo valor. Como resultado de ello, se eliminan errores
humanos como el paralaje o equivocaciones en la lectura.
La lectura numrica aumenta la velocidad de captacin del resultado y hace menos tediosa la tarea
de tomar las mediciones. Esto puede ser una consideracin importante en situaciones donde se
deben hacer un gran nmero de lecturas.
La repetibilidad (repeticin) de los voltmetros digitales DVM es mayor cuando se aumenta el
nmero de dgitos desplegados. El voltmetro digital DVM tambin puede contener un control de
rango automtico y polaridad automticos que los protejan contra sobrecargas o de polaridad
invertida.
La salida del voltmetro digital DVM se puede alimentar directamente a registradores (impresoras o
perforadoras de cinta) donde se haga un registro permanente de las lecturas. Estos datos
registrados estn en forma adecuada para ser procesados mediante computadoras digitales. Con la
llegada de los circuitos integrados (CI), se ha reducido el control de los voltmetros digitales hasta el
punto en que algunos modelos sencillos tienen hoy precios competitivos con los medidores
electrnicos analgicos convencionales.

La parte primordial de los DVM y DMM es el circuito que convierte las seales analgicas medidas en la
forma digital. Estos circuitos de conversin se llaman convertidores analgicos a digitales (A/D).

Figura 1-4. Diagrama a bloque de un multmetro digital.

CONVERTIDORES ANALOGICOS A DIGITALES

Se usan un gran nmero de mtodos para convertir seales analgicas a la forma digital. Los que ms se
emplean en los circuitos convertidores A/D disponibles en el mercado son cinco:

1.- Rampa de escalera

2.- Aproximaciones sucesivas
3.- Doble rampa
4.- Voltaje a frecuencia
5.- Paralelo o instantneo

1.- Convertidores A/D de rampa de escalera. Los convertidores ms sencillos son de este tipo. Cuando se
aplica un comando de inicio o arranque la lgica de control, el voltaje analgico de entrada se compara
con una salida de voltaje de un convertidor D/A. Esta salida comienza en cero y se incrementa en un bit
menos significativo con cada pulso del reloj. Siempre que el voltaje de entrada sea mayor que el voltaje
de salida del convertidor D/A, el comparador producir una seal de salida que contina permitiendo que
los pulsos del reloj se alimenten al contador. Sin embargo, cuando el voltaje de salida de ese convertidor
es mayor que el voltaje de entrada, la salida del comparador cambia y esta accin evita que los pulsos del
reloj lleguen al contador. El estado del contador en ese instante representa el valor de voltaje de entrada
en forma digital. La desventaja de este tipo de convertidores es que, no obstante su simplicidad, es
bastante lento y el tiempo de conversin depende de la amplitud de voltaje de entrada.

Figura 1-5. Diagrama de bloques del convertidor analgico a digital en rampa de escalera

2.- Convertidores A/D de aproximaciones sucesivas. Se utilizan ampliamente debido a su combinacin de

alta resolucin y velocidad, ya que pueden efectuar conversiones entre 1 y 50 m s. Sin embargo, son ms
caros. La lgica de este convertidor prueba varios cdigos de salida y los alimenta al convertidor D/A y a
un registro de almacenamiento y compara el resultado con el voltaje de entrada a travs del comparador.
La operacin es anloga a la accin de pesar una muestra en una balanza de laboratorio con pesos
estndar en una secuencia binaria. El procedimiento correcto es comenzar con el mayor peso estndar y
proseguir en orden hasta el menor. La muestra se coloca en un platillo y el peso mayor se coloca en el
otro; si la balanza no se inclina, se deja el peso, y se coloca el siguiente con menor peso. Si la balanza se
inclina, se quita el peso mayor y se agrega el siguiente menos pesado. Se usa el mismo procedimiento
para el siguiente valor menos pesado y as se prosigue hasta el menor. Despus de que se ha probado el
ensimo peso y se ha tomado una decisin, se dan por terminadas las mediciones de peso. El total de las
pesas que se encuentran en el platillo es la aproximacin ms cercana al peso de la muestra. En el
convertidor de aproximaciones sucesivas, se implementa el procedimiento de medicin de pesos
mediante un convertidor D/A, un comparador, un registro de almacenamiento y una lgica de control.
Figura 1-6. Diagrama de bloques de un convertidor analgico a digital de aproximaciones sucesivas.

3.- Convertidores A/D de doble rampa. Se emplean ampliamente en aplicaciones en donde la mayor
importancia estriba en la inmunidad al ruido, gran exactitud y economa. Los convertidores de doble
rampa pueden suprimir la mayor parte del ruido de la seal de entrada debido a que emplean un
integrador para efectuar la conversin. El rechazo del ruido puede ser infinito para una frecuencia
especfica del ruido si el primer periodo de integracin del convertidor se iguala al periodo del ruido. Por lo
tanto, para rechazar el ruido prevaleciente debido a las lneas de alimentacin de 60 Hz, se necesita que
T1 sea de 16.667 ms. Sin embargo, esta ventaja tambin conduce a tiempos de conversin muy largos.
Sin embargo las ventajas de los convertidores de doble rampa los hacen muy adecuados para
aplicaciones en las que no sean necesarios tiempos breves de conversin. Se emplean mucho, en
especial en aplicaciones de instrumentos de precisin tales como voltmetros digitales.
 Figura 1-7. Convertidor analgico a digital de doble rampa.

4.- Convertidor de voltaje a frecuencia. En este tipo de convertidores, el voltaje de CD de entrada se

convierte en un conjunto de pulsos cuya velocidad de repeticin (o frecuencia) es proporcional a la
magnitud del voltaje de alimentacin. Los pulsos se cuentan mediante un contador electrnico en forma
semejante al de contar las longitudes de onda con el contador de intervalo de tiempo en el voltmetro
digital de doble rampa. Por lo tanto, la cuenta es proporcional a la magnitud del voltaje de entrada. La
parte primordial de esos convertidores es el circuito que transforma el voltaje de CD de entrada a un
conjunto de pulsos. Se emplea un integrador para llevar a cabo esta tarea. Las frecuencias tpicas del
convertidor de voltaje a frecuencia (V/F) quedan en el rango de 10 kHz a 1 kHz. El convertidor muy
utilizado de 10 kHz necesita un intervalo de compuerta de 0.025 s para una conversin A/D de 8 bits.
Figura 1-8. Diagrama de bloques de un multmetro digital tipo integrador voltaje a frecuencia.

5.- Convertidor en paralelo (o instantneo). Estos convertidores llevan a cabo las ms rpidas
conversiones A/D. En esta tcnica, el voltaje de entrada se alimenta simultneamente a una entrada de
cada uno de los P comparadores. La otra entrada de cada comparador es un voltaje de referencia. El
comparador recibe un valor distinto del voltaje de referencia, comenzando en V Rmax. Empleando el
principio del divisor de voltaje y valores iguales de R, el valor del voltaje de referencia V Rp en cada
comparador estar dado por

VRp = VRmax P/Q

Siendo

p = nmero del comparador (de 1 a P)

P = nmero total de comparadores
Q = nmero total de resistencias = P + 1

As, el voltaje de entrada se compara de manera simultnea con valores de voltaje, igualmente
espaciados (de 0 a VRmax).

Figura 1-9. Convertidor analgico a digital paralelo de tres bits.

OSCILOSCOPIO
El osciloscopio de rayos catdicos debido a su especial mecanismo de despliegue puede desplegar
seguir seales con frecuencias mayores de 1 GHz. De hecho, frecuencias an mayores se pueden
desplegar empleando el osciloscopio de muestreo.

El dispositivo de despliegue que permite observar variaciones de tan alta velocidad es el tubo de rayos
catdicos. El tubo genera un haz delgado de electrones (el rayo catdico) dentro de s mismo. Este rayo
est dirigido de tal modo que choca con una pantalla fluorescente que cubre un extremo del tubo.
Siempre que el rayo choca con la pantalla, se emite un punto de luz visible. Cuando el haz se mueve a
travs de la pantalla, "pinta" un trazo de su trayectoria. Los campos que provocan las deflexiones del haz
de electrones se crean a lo largo de su trayecto mediante placas deflectoras. La pantalla del osciloscopio
depende de los voltajes aplicados a las placas del tubo. Tambin se sigue de esta conclusin que el
osciloscopio en realidad es un vltmetro, esto es, un vltmetro con mecanismo de despliegue de
velocidad super alta.

El voltaje no es la nica cantidad que se puede medir. Interpretando correctamente las caractersticas del
despliegue, se puede usar el osciloscopio para indicar corriente, tiempo, frecuencia y diferencia de fase.
En efecto, el osciloscopio probablemente sea el instrumento ms verstil y til inventado para trabajos de
mediciones elctricas.

Subsistemas del osciloscopio

El osciloscopio es un instrumento complejo capaz de medir o desplegar una amplia variedad de seales.
Los subsistemas que constituyen por lo general un osciloscopio son:

1. Subsistema de despliegue (tubo de rayos catdicos).

2. Subsistema de deflexin vertical.
3. Subsistema de deflexin horizontal.
4. Fuente de poder.
5. Sonda (puntas de prueba).
6. Circuitos de calibracin.

Dentro del tubo, se crea un haz de electrones mediante un can de electrones. El haz de electrones se
enfoca y, se dirige para que choque con la pantalla fluorescente, creando un punto de luz en el lugar del
impacto con la pantalla. El haz se deflexiona en forma vertical en proporcin a la amplitud del voltaje
aplicado a las placas de deflexin vertical del tubo. La seal amplificada de entrada tambin est
monitoreada por el subsistema de deflexin horizontal. El subsistema tiene la tarea de barrer
horizontalmente el haz de electrones a travs de la pantalla a una velocidad uniforme.
 Figura 1-10. Diagrama a bloques de los subsistemas del osciloscopio

Subsistema de despliegue (tubo de rayos catdicos)

El tubo en s es un recipiente sellado de vidrio con un can de electrones y un sistema de deflexin

montado dentro del tubo en un extremo y una pantalla fluorescente en el otro. Se evaca el aire del tubo,
que queda al alto vaco. Se necesita este alto vaco.

La funcin del can es producir el haz de electrones. Algunos de esos electrones pasan a travs de un
pequeo agujero en la rejilla de control de intensidad que rodea al ctodo. La intensidad del punto de luz
que se produce donde el haz de electrones choca con la pantalla fluorescente depende del nmero de
electrones en dicho haz.

Despus de dejar el can de electrones, el haz enfocado y acelerado pasa entre dos placas deflectoras.
Si no hay diferencia de voltaje entre las placas, el haz contina directamente y llega a la pantalla
fluorescente en su centro. Si hay una diferencia de potencial entre uno o ambos conjuntos de placas, el
haz se desviar de su trayectoria recta.

Se colocan los dos conjuntos de placas deflectoras perpendiculares entre s de modo que puedan
controlar en forma independiente el haz tanto en la direccin horizontal como en la vertical.

La pantalla fluorescente del tubo de rayos catdicos est cubierta de fsforo, en el punto donde el haz de
electrones llega a la pantalla, este material emite un punto de luz visible.

El tiempo que tarda la intensidad del punto para disminuir al 10 por ciento su brillantez original se llama la
persistencia del fsforo.
Cuando un haz de electrones llega a la pantalla se genera tanto calor como luz. El efecto, 90 por ciento
de la energa del haz se convierte en calor y slo 10 por ciento en luz visible.

La retcula es el conjunto de lneas horizontales y verticales inscritas en forma permanente en la cara del
tubo de rayos catdicos. Esas lneas permiten que se mida visualmente la onda mostrada contra un
conjunto de escalas verticales y horizontales.

Figura 1-11. Tubo de rayos catdicos del osciloscopio

Figura 1-12. Deflexin del haz de electrones en el tubo de rayos catdicos; a) ambas placas deflectoras a
voltaje cero; b) voltaje positivo en la placa deflectora derecha; c) voltaje positivo en la placa deflectora
superior; d)-g) voltajes positivos iguales en placas deflectoras adyacentes.

Subsistema de deflexin vertical.

Se deben aplicar aproximadamente 10 a 20 V a las placas deflectoras del tubo de rayos catdicos para
desviar al haz de electrones 1 cm. El osciloscopio debe tener un subsistema que tenga la capacidad de
amplificar o de atenuar las seales de entrada para que se produzca una figura correcta cuando se
apliquen las seales de inters a las placas deflectoras del tubo de rayos catdicos.

El sistema de deflexin vertical esta compuesto de los siguientes elementos:

1. Selector de acoplamiento de entrada

2. Atenuador de entrada
3. Preamplificador
4. Amplificador vertical principal
5. Lnea de retardo.

El subsistema de deflexin vertical comienza con un repaso de la operacin combinada del atenuador, el
preamplificador y el amplificador vertical principal. Todos ellos constituyen la parte amplificadora del
subsistema.

La funcin del atenuador es reducir la amplitud de las seales de entrada en un factor seleccionado F
antes de que se apliquen esas seales a la seccin de preamplificador y amplificador.

Figura 1-13. Subsistema de deflexin vertical.

Subsistema de deflexin de horizontal

Consiste del amplificador de deflexin horizontal y los circuitos de base de tiempo. Se emplea el
amplificador de horizontal de dos maneras. La primera es en la amplificacin directa de seales externas
de entrada (que se alimenta a continuacin a las placas de deflexin horizontal del tubo de rayos
catdicos). Como lo que muestra el osciloscopio al operar en este modo consiste en la variacin de
alguna seal (mostrada en la direccin Y o vertical) contra de otra (que se muestra a lo largo del eje X u
horizontal), se dice que el osciloscopio est trabajando en el modo X-Y de despliegue.

El segundo uso del amplificador horizontal se utiliza para amplificar las ondas de barrido generadas por
los circuitos de base de tiempo.
 Figura 1-14. Modo X-Y de operacin
Puntas de prueba del osciloscopio

Efectan la importante tarea de detectar las seales en su fuente y transferirlas hasta las entradas del
osciloscopio. La cabeza de la punta contiene los circuitos sensores de la seal. Casi siempre se emplea
un cable coaxial para transmitir la seal desde la cabeza de la punta hasta los circuitos de terminacin (o
directamente a las terminales de entrada del osciloscopio, si no hay circuito de terminacin). Si se emplea
un circuito de terminacin, su funcin es terminar el cable coaxial en la impedancia caracterstica del
cable y presenta as la impedancia del cable a las entradas del osciloscopio.

Figura 1-15. Diagrama general de bloques de una sonda (puntas de prueba) de un osciloscopio

Circuitos de calibracin

Para asegurar que el amplificador vertical de un osciloscopio est amplificando con exactitud las
magnitudes de las seales medidas, se deben efectuar pruebas de calibracin peridicamente. Esto es,
se debe alimentar una seal que tenga una amplitud conocida con exactitud a las terminales de entrada
del osciloscopio y observar la seal en la pantalla. Si la pantalla da un valor medido distinto del valor
conocido de referencia, indica que el amplificador vertical no se encuentra calibrado en forma correcta. Se
deben hacer entonces los ajustes correctos del instrumento para restaurar la exactitud adecuada en la
pantalla. De igual manera, se deben efectuar peridicamente pruebas de calibracin para asegurar la
exactitud de la base de tiempo.

1.3 Funcionamiento y Uso de Generadores de Funciones.

Un generador de funciones es un instrumento verstil que genera diferentes formas de onda cuyas
frecuencias son ajustables en un amplio rango. La salidas ms frecuentes son ondas senoidales,
triangulares, cuadradas y diente de sierra. Las frecuencias de estas ondas pueden ser ajustadas desde
una fraccin de hertz hasta varios cientos de kilohertz.
La diferentes salidas dl generador se pueden obtener al mismo tiempo. Por ejemplo, proporcionando una
sola cuadrada para medir la linealidad de un sistema de audio, la salida en diente de sierra simultnea se
puede usar para alimentar el amplificador de deflexin horizontal de un osciloscopio, con lo que se
obtiene la a exhibicin visual de los resultados de las mediciones. La capacidad de un generador de
funciones de fijar la fase de una fuente externa de seas es otra de las caractersticas importantes y
tiles.

Un generador de funciones puede fijar la fase de un generador de funciones con una armnica de una
onda senoidal del otro generador. Mediante el ajuste de fase y amplitud de las armnicas permite general
casi cualquier onda obteniendo la suma de la frecuencia fundamental generada por un generador de
funciones de los instrumentos y la armnica generada por el otro. El generador de funciones tambin se
puede fijar en fase a una frecuencia estndar, con lo que todas las ondas de salida generadas tendrn la
exactitud y estabilidad en frecuencia de la fuente estndar.

El generador de funciones tambin puede proporcionar ondas a muy bajas frecuencias. Ya que la
frecuencia baja de un oscilador RC es limitada, la figura ilustrada otra tcnica. Este generador entrega
ondas senoidales triangulares y cuadradas con un rango de frecuencias de 0.01 Hz hasta 100 kHz. La red
de control de frecuencia est dirigida por el selector fino de frecuencia en el panel frontal del instrumento
o por un voltaje de control aplicado externamente. El voltaje de control de frecuencia regula dos fuentes
de corriente.

La fuente de corriente superior aplica una corriente constante al integrador, cuyo voltaje de salida se
incrementa en forma lineal con el tiempo. La conocida relacin da el voltaje de salida.

Un incremento o decremento de la corriente aplicada por la fuente de corriente superior aumenta o

disminuye la pendiente del voltaje de salida. El multivibrador comparador de voltaje cambia de estado a
un nivel predeterminado sobre la pendiente positiva del voltaje de salida del integrador. Este cambio de
estado desactiva la fuente de corriente superior y activa la fuente inferior.

Dicha fuente aplica una corriente distinta inversa al integrador, de modo que la salida disminuya
linealmente con el tiempo. Cuando el voltaje de salida alcanza un nivel predeterminado en la pendiente
negativa de la onda de la salida, el comparador de voltaje cambia de nuevo, desactiva la fuente de
corriente inferior y activa al mismo tiempo la fuente superior.

El voltaje a la salida del integrador tiene una forma de onda triangular cuya frecuencia est determinada
por la magnitud de la corriente aplicada por las fuentes de corriente constante. El comparador entrega un
voltaje de salida de onda cuadrada de la misma frecuencia. La tercera onda de salida se deriva de la onda
triangular, la cual es sintetizada en oda senoidal por una red de diodos y resistencias. En ese circuito la
pendiente de la onda triangular se altera a medida que su amplitud cambia resultado una onda senoidal
con menos del 1% de distorsin.

Los circuitos de salida del generador de funciones consiste de dos amplificadores que proporcionen dos
salidas simultneas seleccionadas individualmente de cualquiera de las formas de onda.

UNIDAD II
ANALISIS DE CIRCUITOS DE CORRIENTE ALTERNA
2.1 INTRODUCCIN

Corriente alterna: la corriente alterna, denominada normalmente ac, es la que se obtiene de una
mquina rotatoria llamada alternador o generador de ac. La teora de esta mquina se basa tambin en el
principio de la induccin electromagntica y se describe en las secciones siguientes. Del orden del 90 por
100 de la energa elctrica se genera como corriente alterna, y de aqu que la mayora de los sistemas de
energa sean de este tipo. Las caractersticas de los circuitos de ac difieren en algunos aspectos de 1as
de los sistemas de dc. Una corriente alterna es aquella que continuamente y a intervalos regulares
cambia en magnitud y alterna en sentido o polaridad.

Voltaje de los sistemas de CA; el transformador: El voltaje que generan los alternadores de las
grandes plantas de energa modernas es mayor que el voltaje suministrado a las casas; no es raro que
sea del orden de 16,600 V. este voltaje tan alto aumenta el rendimiento para las compaas de energa,
pero es necesaria su reduccin antes de conectarlo a las casas. El uso extensivo de los sistemas de ac
se debe principalmente al la facilidad de subir o bajar el voltaje con un transformador. El funcionamiento
de este aparato se basa tambin en el principio de la induccin electromagntica.

Induccin Electromagntica

Descubrimiento de Faraday: El funcionamiento de aparatos de energa elctrica tales como el

generador de dc, el alternador y el transformador se basan en el principio de la induccin
electromagntica. El descubrimiento de este principio se debe a Michael Faraday, quien, en 1831,
encontr que, cuando un conductor que formaba parte de un circuito cerrado se mova a travs de un
campo magntico, circulaba por l una corriente.

El descubrimiento de Faraday se puede comprobar moviendo un conductor a travs del campo de un

fuerte electroimn como lo muestra la figura 2.1. Si el conductor C se mueve hacia arriba a travs del
campo magntico, el movimiento dar lugar a que se induzca un voltaje en el conductor, y el
galvanmetro G acusar la presencia del voltaje inducido.

Este voltaje inducido se denomina fem inducida. Si se mantiene quieto el conductor en el campo
magntico, el galvanmetro indicar un voltaje pero en sentido opuesto a cuando se mova hacia arriba.
Si se mueve el conductor hacia los lados, esto es, paralelamente al campo de N a S, el galvanmetro
indicar cero, mostrando que no se induce ningn voltaje. Al cambiar la polaridad del imn, esto es, al
intercambiar la situacin de los polos N y S, tambin se cambia el sentido de la indicacin del
galvanmetro.

Figura 2.1 Comprobacin del descubrimiento de faraday

El principio de la induccin electromagntica se puede resumir como sigue: siempre que haya un
movimiento entre un conductor y un campo magntico, se inducir una fem en el conductor; puede
permanecer el campo magntico estacionario y el conductor moverse a travs de l o bien permanecer el
conductor estacionario y ser el campo magntico el que se mueva.

Caractersticas de la corriente alterna.

Grados elctricos: en la figura 2.2 se muestra el voltaje de CA comenzando en cero voltios, aumentando
en sentido positivo hasta un valor mximo a los 90, despus bajando a cero a los 180, donde cambia de
polaridad, o alterna; volviendo despus a aumentar hasta su valor mximo negativo a los 270 y bajando
otra vez a cero a los 360. Desde este punto contina indefinidamente repitiendo este ciclo.

Los grados mencionados se llaman grados elctricos.

Figura 2.2 Fem inducida en un conductor de un generador de CA simple.

Alternancia: Se emplea el trmino de alternancia para definir un periodo de 180 grados elctricos.

Ciclo: Es el espacio de un conjunto completo de valores, esto es, todos los valores positivos y negativos.
El ciclo corresponde a 360 grados elctricos y tambin a dos alternancias.

Frecuencia: Es el nmero de veces que se presenta un ciclo en un segundo y se expresa en ciclos por
segundo.

La frecuencia de un alternador depende de su velocidad de rotacin y del nmero de polos. Expresada

matemticamente es

f = (P X S) / 120
Donde
f = frecuencia, cps
P = nmero de polos del alternador
S = velocidad del alternador, r.p.m.

Periodo : Es el tiempo que necesita el voltaje (o la corriente) para completar un ciclo y se expresa
matemticamente como
t=1/f
Donde
t = tiempo necesario para completar un ciclo, seg
f = nmero de ciclos por segundo

Frecuencia empleada en los sistemas de suministro de energa. La frecuencia de los sistemas de

energa es baja, siendo la ms comn 50 ciclos, aunque tambin se emplean 25, 30, 40 y 60. La ms
popular es la de 50 porque da buenos resultados tanto cuando se usa para iluminacin como para
maquinaria. Pueden construirse alternadores para producir frecuencias de 500 ciclos y en algunos casos
especiales se han construido para una frecuencia de 20,000 ciclos.

Frecuencias empleadas en los sistemas de comunicaciones. En radio, televisin, telemetra, etc., se

usan frecuencias mayores, tales como cientos de millares de ciclos, millones de ciclos hasta cientos de
millones de ciclos. Estas frecuencias elevadas se consiguen gracias a los sistemas generadores
(osciladores) que emplean vlvulas de vaco o transistores.

Caractersticas de la intensidad y el voltaje

Valores instantneos. Cuando se produce una fem al girar una bobina a velocidad constante en un
campo magntico uniforme se puede encontrar el valor del voltaje en cada instante por la ecuacin

Onda sinusoidal. Si se obtiene un gran nmero de valores empleando la ecuacin anterior, se sitan en
un grfico y se dibuja una curva; sta se denomina onda sinusoidal. Un voltaje que corresponde a esta
forma se llama voltaje sinusoidal.

Valor mximo. Es el valor mayor que se alcanza en un ciclo. Este valor es importante en algunas partes
del estudio de voltajes e intensidades alternos, pero no se usa como valor de definicin. Se designa como
Emax e Imax.

Valor medio. El valor medio de un ciclo completo es cero, porque las reas positivas y negativas bajo la
curva son iguales entre s. El valor medio, sin embargo, se refiere generalmente a solo medio ciclo. Este
valor se puede determinar encontrando un gran nmero de valores instantneos igualmente espaciados
desde 0 a 180 (o desde 0 a 90), obteniendo su suma y dividindola por el nmero de valores
empleados. Expresado matemticamente,

e1 + e2 + e3 + en
Emed = ----------------------------
n

El amperio en CA. La corriente que fluye en un circuito es proporcional al voltaje, de aqu que los valores
medio, instantneos y mximos se puedan aplicar a las intensidades sinusoidales tal como se ha descrito
para los voltajes sinusoidales. Se puede definir como la intensidad de corriente alterna que produce el
mismo efecto que un amperio en corriente continua. Asi las ecuaciones anteriores se pueden escribir
 621.5
Media = ----------------- = 62.15
10

Valor medio obtenido al tomar intervalos de 10.

El valor eficaz. El valor instantneo de la onda sinusoidal que se elige para representar el amperio en CA
se denomina valor eficaz, ya que debe ser de tal magnitud que produzca el mismo efecto calorfico que 1
A en corriente continua.

El valor eficaz de una onda sinusoidal es, por tanto, la raz cuadrado de la media de los cuadrados
instantneos. Tambin se puede hallar el valor eficaz usando matemticas ms elevadas (clculo) que
muestran que el valor eficaz de una onda sinusoidal es siempre igual a su valor mximo dividido por raiz
de 2. Este valor es el comnmente aceptado y se expresa:

Esto puede simplificarse de la siguiente manera:

I = 0.707 Imax

El valor eficaz se llama a veces valor medio cuadrtico porque se halla obteniendo la raz cuadrada de la
media de los cuadrados de un gran nmero de valores instantneos.

Voltamperios, factor de potencia, potencia

Relacin de fase entre el voltaje y la intensidad: debido a que los voltajes y las intensidades en alterna
estn continuamente variando de una forma sinusoidal es posible que en un circuito las ondas de voltaje e
intensidad vayan o no a la par, o sea estn o no en fase. El que el voltaje y la intensidad de un circuito
estn o no estn en fase de del tipo de elementos que forman su carga.
Voltiamperios: en los circuitos de CD, en los que la intensidad y el voltaje tienen valor constante, el
producto de los voltios por los amperios es la potencia en vatios cuando ambos estn en fase. Cuando no
estn en fase, el producto de los voltios por los amperios ser mayor que los vatios consumidos por el
circuito. Por esta razn, al producto de los voltios por los amperios se le llama voltamperios del circuito.
Tambin llama frecuentemente a este producto potencia aparente del circuito.

Voltamperios = voltios x amperios

Factor de potencia: la razn entre los vatios consumidos realmente por el circuito y los voltamperios del
circuito se llama factor de potencia, as

Potencia real
Factor de potencia = --------------------------
Potencia aparente

2.1.1. LEY DE OHM

Ley de ohm
La relacin matemtica ms importante entre el voltaje, intensidad de corriente y la resistencia fue
descubierta por Georg Simon Ohm y se denomina ley de ohm enuncindose como sigue:

"La corriente que circula en un circuito varia directamente con el voltaje aplicado e inversamente con la
resistencia de el mismo".

E
I = -------
R

Son tres la unidades bsicas (variables) de medida en electricidad a saber; el voltio, al amperio y el
ohmio.
El amperio. Es la intensidad de corriente que equivale al paso de coulombio por un punto dado de circuito
en un segundo.

E
I = --------
R

1 cul = 6.28 X 1018 e-

El nombre de amperio se dio en honor de Andre Marie Ampere.

El voltio. Equivale a la presin elctrica que se requiere para conseguir una intensidad de 1 amperio en
una resistencia de 1 ohmio.
Corrientemente la palabra voltaje se usa en lugar de potencial, diferencia de potencial y fuerza
electromotriz.

E = IR

El nombre de voltio se dio en honor de Alejandro Volta.

El ohmio. Es igual a la oposicin ofrecida por un conductor al paso de un amperio cuando se aplica entre
sus extremos una presin elctrica de 1 voltio.

E
R = --------
I

Potencia. La unidad elctrica es el watt y es equivalente al trabajo que hace en 1 segundo una corriente
constante de un amperio que circula bajo la presin de 1 voltio.

1 watt = 1A X 1V
P = IE
P = I2 R
P=(E/R)E
P = E2 / R

2.1.2. CIRCUITOS ELECTRICOS

Circuitos elctricos.

Un circuito simple es aquel en el que solo hay una resistencia conectada a la fuente del circuito.

Un circuito serie es aquel en el que estn conectados o ms resistencias formando un camino continuo de
manera que la corriente para sucesivamente de una a otra.

Intensidad de un circuito serie: solo sola hay un camino por donde pasar la corriente y la que sale por la
fuente tiene que regresar, pasar la misma intensidad por todas las partes del circuito.

Voltaje en un circuito serie: las cada de voltaje e1, e2, etc. indican las tensiones necesarias para
obligar a la corriente a pasar por las resistencias asociadas (existentes) en el circuito. Como la tensin
total aplicada representa el voltaje total necesario de la fuente para hacer pasar la corriente por todo el
circuito, el voltaje suministrado por la fuente a de ser igual a la suma de las cadas de tensin en el
circuito.

Resistencia de un circuito en serie: la corriente en este circuito tiene que pasar por todas las
resistencias antes de regresar al punto de partida. La resistencia total ofrecida al paso de la corriente sera
por tanto la suma de todas las resistencias aisladas.
RT = r1 + r2 + r3

Potencia en un circuito serie: todas las resistencias absorben potencia y como todas las potencias
proceden de fuente del suministro, la potencia total absorbida por el circuito tiene que ser igual a al suma
de las potencias consideradas aisladamente.

PT = p1 + p2 + p3
En = en1 + en2 + en3

Las caractersticas del circuito serie se pueden ser resumidas como sigue:

1. La intensidad (corriente) es igual en todas las partes del circuito.

2. El voltaje aplicado es igual a la suma de las cadas de tensin en el circuito.
3. La resistencia del circuito completo es igual a la suma de las resistencias asociadas en el circuito.
4. La potencia total es igual a la suma de las potencias absorbidas en las resistencias.
5. La energa total es igual a al suma de las energas en cada una de las resistencias asociadas en el
circuito.

Circuito paralelo

Cuando se conectan dos o mas resistencias de manera que la corriente pueda pasar por dos o mas
caminos se tiene un circuito paralelo.

La intensidad en un circuito paralelo es la suma de las intensidades de cada rama.

IT = l1 + l2 + l3

As mismo la tensin que se aplica a los extremos de las terminales de las cargas al no encontrar
resistencias en su camino, sern iguales a la aplicada por la fuente de voltaje.

ET = e1 + e2 + e3

Resistencia en un circuito paralelo: se calcula empleando el mtodo de la conductancia y se puede

obtener mediante la expresin siguiente:
1
RT = -----------------
1 1 1
--- + --- + ----
r1 r2 r3
Por regla la resistencia total es menor que el valor de la menor de las resistencia del circuito.

2.1.3. EMPLEO DE LAS LEYES DE KIRCHHOFF

 Empleo de las leyes de Kirchhoff

Ests leyes se pueden emplear para resolver tanto los circuitos reducibles como los irreducibles,
calculando sus valores desconocidos (voltaje, intensidades, resistencias, etc.).

Ley de Kirchhoff en voltaje. Se enuncia como sigue: la suma algebraica de todos los voltajes a lo largo
de un camino cerrado de un circuito a de ser igual a cero.

Es - e1 - e2 - e3 = 0

Ley de Kirchhoff de la intensidad. La suma algebraica de todas las intensidades de corriente en

cualquier modo o nudo de un circuito a de ser igual a cero.

IT - i1 - i2 - i3 = 0

Mtodo de solucin de problemas.

1. Marcar todos los elementos del circuito con un nombre y un valor.

2. Asignar a cada rama del circuito una direccin de corriente dibujando una flecha a lo largo de la rama
que indique la direccin del flujo de e- .
3. Marcar todos los puntos de conexin de elementos del circuito con una letra de referencia.
4. Escribir las ecuaciones de las intensidades para cada unin de tres o ms elementos del circuito. Las
corrientes que entran en la unin se consideraran algebraicamente positivas y las que salen negativas.
5. Escribir las ecuaciones del voltaje para cada camino cerrado del circuito.
Indicar los voltajes desconocidos en funcin de las intensidades y resistencias. Indicar las polaridades de
los voltajes, cuando se establezcan las ecuaciones de los voltajes se deben seguir las siguientes reglas:
a).- El voltaje de una fuente es positivo cuando la direccin de la corriente que pasa por el, va del terminar
negativo al positivo y negativo en caso contrario.
b).- La polaridad del voltaje en una resistencia depender de la direccin del flujo de e- dentro de ella.
Cuando est direccin es opuesta a la direccin en que se ha trazado el voltaje del lazo, el voltaje de la
resistencia es negativo. Cuando coincidan la direccin del flujo de e- y la asignada a lazo el voltaje es
positivo.

6. Resolver simultneamente las ecuaciones de voltaje y corriente.

7. Los voltajes desconocidos pueden determinarse empleando la ley de Ohm.
8. Comprobar las respuestas obtenidas sustituyendo sus valores en las ecuaciones del voltaje y corriente
no empleadas de manera que todos los valores de corriente desconocidas sean empleadas al menos una
vez.

2.2. CAPACITORES E INDUCTORES.

Capacitores
Capacitancia o capacidad es la propiedad de un circuito por la que se opone a cualquier cambio en el
voltaje.

Mientras que la inductancia se origina en el campo magntico y se opone a cualquier cambio de la

intensidad de la corriente, la capacitancia la origina el campo electrosttico y se opone a cualquier cambio
en el voltaje.

Cuando se desea obtener una capacitancia se emplea un dispositivo llamado condensador.

Unidad de capacitancia: la unidad de capacidad es el faradio, denominado as en honor de Michael

Faraday,. Un circuito tiene una capacidad de un faradio cuando un voltaje que cambia a razn de un volt
por segundo origina una intensidad media de 1 amperio.

El faradio es una unidad demasiado grande para fines prcticos y la que se usa comnmente es el f.
otras que se emplean tambin son el pf y nf.

Factores que influyen en la capacidad: rea activa del conductor, espesor del dielctrico y clase de
material empleado como dielctrico.

La capacidad se determina por:

Donde:

C = Capacidad en f.
K = Constante dielctrica.
A = rea efectiva de una placa en cm2.
t = Espesor del dielctrico en cm.
Reactancia capacitiva: la capacitancia ofrece una oposicin al flujo de corriente alterna que retarda los
cambios de voltaje exactamente como la inductancia retarda los cambios de intensidad. Cuando se
conecta un condensador a una fuente de corriente alterna la oposicin se presenta permanentemente a
sta. La oposicin que un condensador ofrece al flujo de corriente alterna se llama reactancia capasitiva.
Se expresa en y su smbolo es:

Donde:

Xc = Reactancia capasitiva.
f = Frecuencia en cps o Hz.
c = Capacitancia, faradios.

Inductancia
Aplicando C.A a un conductor el campo estara expandindose, contrayndose, invirtiendo su polaridad;
expandindose, contrayndose.

Conclusin

Cuando la intensidad , la fem. Inducida es tal que se opone al aumento de la fem aplicada, cuando la
intensidad disminuye, la fem inducida es tal que se opone a la disminucin de la fem aplicada. Este efecto
se llama induccin y esta de acuerdo con la definicin de que la induccin es la propiedad de un circuito
de oponerse a cualquier cambio en la intensidad de la corriente. Se debe advertir que cambio es una
palabra muy importante es esta definicin.

Cuando el flujo de corriente a travs de un circuito vara en intensidad origina un campo magntico
variable que crea una fuerza electromotriz inducida, la cual se opone al cambio de la intensidad que la
produce.

Es evidente que slo es eficaz la induccin cuando hay una intensidad variable en un circuito. En los
circuitos de C.D , sta condicin slo existe, normalmente no se tiene en cuenta la inductacia en tales
circuitos, considerndose ms significativa en C.A.

La unidad Inductancia es el henrio y se llama as en honor del cientfico americano JOSEPH HENRY. Un
circuito tiene una inductacia de 1 henrio cuando un cambio en la corriente de un A x /s induce un voltaje
medio de un voltio. Es un smbolo para la inductancia es "L".

Factores que influyen en la inductacia de una bobina

Aunque prcticamente todos los circuitos tienen probablemente inductancia, frecuentemente lo norma es
hablar de L refirindose a una bobina. Cuando se emplea una bobina expresamente por su propia
inductiva; se llama inductor. La auto inductancia es una bobina depende de sus caractersticas fsicas, o
sea, de sus dimensiones, nmero de vueltas y propiedad magntica de su ncleo.

Debido a que a veces es muy difcil predecir con precisin las condiciones magnticas de un circuito. Se
usan varias ecuaciones para expresar la relacin entre los factores que influyen en la "i" de una bobina.

Inductancia en un solenide:

Su longitud es al menos 10 veces en su dimetro.

Donde:

L = inductancia en henrios.
N = nmero de vueltas.
 = permeabilidad del ncleo.
A = rea del ncleo en cm2.
l = longitud del ncleo en cm.

Solenoide con ncleo de hierro.

Solenoide con medio de aire.

Bobina de varia capas con ncleo de aire.

Bobina plana con ncleo de aire.

2.3 REACTANCIAS E IMPEDANCIAS.

Reactancia inductiva, resistencia e impedancia.

Los efectos de la inductancia en un circuito de corriente alterna son dos:

a) Crear una oposicin al flujo de la corriente.
b) Originar un retardo o trazo en la intensidad.

Reactancia inductiva.

El estudio de la inductancia muestra que un cambio en el campo magntico induce un voltaje en tal
sentido que se opone a cualquier cambio en la intensidad de la corriente. Esto da lugar a que la
intensidad sea mas baja que sin no estuviera presente la inductancia y la inductancia debe , por tanto,
introducir una oposicin al flujo de la corriente. La oposicin se llama reactancia inductiva y se expresa en
ohmios; su smbolo es Xl. Sobre el valore de la reactancia inductiva influyen dos valores:

a) La inductancia del circuito.

b) La velocidad a que cambia la corriente.
Donde:

Xl = Reactancia inductiva. ( )
f = Frecuencia. (cps (Hz))
L = Inductancia.(H)
2? = 6.2832.

En la practica es imposible tener un circuito (bobina) que solo tenga inductancia porque el alambre con
que se fabrica la bobina tiene alguna resistencia normalmente esta resistencia es tan pequea en
comparacin con la reactancia inductiva que se desprecia, pero puede ser significativa en algunas
aplicaciones. Si se toma en cuenta la resistencia inherente al conductor en que esta fabricado la bobina
su efecto ohmico combinado con el de la reactancia inductiva se llama impedancia (Z) y se expresa
tambin em ohmios ( ).

EL
IL = --------
Z

La corriente que se establece en una bobina pero no sale en ese mismo instante por la bobina (vueltas).
Ejemplo. Una manguera al abrirla para que salga el agua.

Constante de tiempo en la bobina (t)

L
t = --------
R

Entre mas vueltas tiene la bobina se tarda ms en establecer corriente.

Entre menos vueltas tiene una bobina ms rpido establece corriente.

Constante de tiempo:

El tiempo que necesita la corriente para alcanzar su valor final depende de la relacin entra la inductancia
y la resistencia del circuito.

La razn entre la inductancia y la resistencia se llama constante de tiempo y representa el tiempo en

segundos que necesita la corriente para alcanzar el 63.2 % de su valor final.

Angulo de retraso (cos de teta ): si en un circuito que contiene inductancia se aplica corriente alterna, el
efecto de la inductancia del circuito ser causa que la corriente atrasada continuamente repecto al voltaje.
El retraso depende de los valores relativos de la inductancia y la resistencia del circuito y se expresa
generalmente en grados elctricos en lugar de segundos.
Se determina por la siguiente relacin:

Todo lo que contiene bobina generalmente los circuitos de entrada son reactivos e inductivos.

Ejercicio: Una bobina de choque de 6 henrios que tiene una resistencia de 200 ohmios se conecta a una
fuerza de energa de 110 volts a 60 ciclos.

a) Cul es su reactancia inductiva?

b) Cul es su reactancia impedancia?
c) Cuanta corriente roma de la lnea?

L = 6H
R = 200
E = 100V / 60Hz

XL = 6.2832 X 60 X 6
XL = 2261.95?

_
Z = /(R2 + XL2)
_
Z = /(2002 + 2261.952)
Z = 2270.77?

I = 110 / 2270.77
I = 0.048 A

F.P. = ngulo = R / Z = 200 / 2270.77 = 0.088075

Inv cos de 0.088075 = 84.94
Teta = 84.94

Ejercicio: una bobina tiene una inductancia de 300 henrios y una resistencia de 6 se conecta a una
batera de 3 V. Que tiempo tarda la corriente en alcanzar el 63.2% de su valor final.

L = 300 ?H
R=6?
E=3V
T=?
63.2% de su valor.
T = L / R = (300 X 10-6 H) / 6
T = 5 X 10-5 seg.
T = 50 seg.

Las inductancias de un circuito que contiene varias bobinas conectadas en serie y alejadas lo suficiente
de modo que no exista acoplamiento entre ellas se determina por:

LT = L1 + L2 + L3 + ... + LN (serie)

Cuando estn conectadas en paralelo bajo la misma condicin anterior se usa la siguiente expresin:

1
LT = -----------------------------
1 1 1 1 (paralelo)
--- + --- + --- + ... + ---
L1 L2 L3 LN
L1 L2
LT = --------
L1 + L2

Reactancia inductiva

XLT = XL1 + XL2 + XL3 + ...+ XLN (serie)

1
XLT = -----------------------------
1 1 1 1 (paralelo)
--- + --- + --- + ... + ---
XL1 XL2 XL3 XLN

Impedancia: en la practica no se puede construir condensadores solo que tengan algunas resistencias.
Debido a que esta es muy pequea comparado con la reactancia capacitiva, a veces se desprecia y se
considera entonces el condensador como si solo tuviera reactancia capacitiva.

Si se considera la resistencia del capacitor, su efecto ohmico debe combinarse con el de las reactancias
capacitivas, este efecto ohmico se denomina impedancia.
I = E / Xc
I=E/Z
T = RC

Donde:
T = seg.
R = ohms
C = faradios
Q = IT

Constante de tiempo: el producto de resistencia en ohmios por la capacidad en faradios se denomina

constante de tiempo y represente el tiempo que necesita el voltaje del condensador para alcanzar el
63.2% del voltaje ampliado.

UNIDAD III
SELECCION DE
COMPONENTES R, L, C
3.1. RESISTORES

a) Valor de resistencia.
b) Valores limite - disipacin.
c) Limites mximos de corriente.
d) Tolerancia o precisin.
e) Coeficiente de temperatura y limitaciones.
f) Coeficientes de voltaje.
g) Ruido.
h) Requisitos de tamao y montaje.
i) Efectos reactivos parsitos: Inductancia y capacitancia.
j) Estabilidad ambiental con respecto a soldabilidad.
k) Estabilidad ambiental con respecto a choques.
l) Estabilidad ambiental con respecto a vibraciones.
m) Estabilidad ambiental con respecto a ciclos trmicos.
n) Estabilidad ambiental con respecto a humedad.
o) Estabilidad ambiental con respecto a altitud.
p) Estabilidad ambiental con respecto a aislamiento.
q) Estabilidad ambiental con respecto a resistencia mecnica.
r) Estabilidad ambiental con respecto a durabilidad del cdigo de colores.
s) Estabilidad ambiental con respecto a desviacin.
t) Efectos de frecuencia.
u) Costos.
v) Temperatura mxima.
w) Factor de degradacin por temperatura.
 Figura 3.1. Especificaciones tcnicas de un resistor

Ejemplo:

Figura 3.2. Ejemplo

Azul = 6
Gris = 8
Negro = 0
Oro = 5%
Tal que
68 X 100 (5%) = 68 3.4

3.2. INDUCTORES

a) Valor de inductancia.
b) Tamao y requisitos de montaje.
c) Q (factor de mrito).
d) Gama de frecuencias.
e) Composicin de ncleo (entre hierro).
f) Nivel de corriente continua.
g) Magnitud de corriente alterna en bobinas con ncleo de hierro.
h) Efectos de capacitancia parsita.
i) Frecuencia autorresonante.
j) Parabobinas acopladas.
k) Razn de vueltas.
l) Inductancia mutua.
m) Acoplamiento capacitivo entre devanados.
n) Factores ambientales con respecto a la temperatura.
o) Factores ambientales con respecto a la humedad.
p) Factores ambientales con respecto a los choques.
q) Factores ambientales con respecto a las vibraciones.
r) Factores ambientales con respecto a los aislamientos.
s) Factores ambientales con respecto a la altitud.
t) Factores ambientales con respecto a los ciclos trmicos.
u) Disipacin de potencia.
v) Proteccin.
w) Fijos o variables.

3.3. CAPACITORES

a) Voltajes de capacitancia y valores limite.

b) Voltaje de corriente continua de corriente alterna pico y sobre voltaje (transistores)
c) Tamao fsico.
d) Requisitos de montaje.
e) Limites de temperatura.
f) Coeficiente de temperatura de la capacitancia.
g) Tolerancia o precisin.
h) Variaciones de capacitancia con el voltaje.
i) Fugas.
j) Polarizaciones.
k) Valor de q
l) Efectos parsitos de inductancia serie, resonancia serie.
m) En variable nmero permitido de ajustes de variacin.
n) Estabilidad.
o) Efectos ambientales con respecto a choques.
p) Efectos ambientales con respecto a vibraciones.
q) Efectos ambientales con respecto a ciclos de temperatura.
r) Efectos ambientales con respecto a humedad.
s) Efectos ambientales con respecto a posibilidades de soldadura.
t) Efectos ambientales con respecto a resistencia mecnica.
u) Efectos ambientales con respecto a altitud.
v) Efectos ambientales con respecto a aislamiento.
w) Efectos ambientales con respecto a duracin de cdigo.
x) Voltaje mximo de ondulacin.
y) Gamma de frecuencias.
z) Costos.
aa) Corriente mxima de ondulacin.

3.4. TRANSFORMADORES

Empleo de los transformadores en los sistemas de energa. Una razn importante del gran empleo de
la corriente alterna en proporcin a la continua es la facilidad con que se puede aumentar y disminuir su
voltaje gracias a los transformadores. Esto hace posible generar energa en grandes cantidades en la
fuente de energa que puede ser una planta hidroelctrica. Se puede entonces elevar el voltaje a los
valores de la lnea de transmisin, hasta 500.000 V, y hacer que el rendimiento en la transmisin de la
energa a ciudades a cientos de kilmetros de la estacin generadora sea grande. En las afueras de cada
ciudad se instala una subestacin transformadora para reducir el voltaje a valores razonables para su
distribucin por la ciudad, y se vuelve a bajar con otros transformadores hasta llegar a la tensin de
suministro a los consumidores.

Principio del funcionamiento. La base del funcionamiento de un transformador es tambin la induccin

electromagntica. En la figura que se muestra bajo este texto ilustra el transformador fundamental que
consiste en un ncleo de hierro y dos bobinados denominados primario y secundario. El ncleo
proporciona un camino para el campo magntico y se construye generalmente de un gran nmero de
chapas delgadas de un acero especial. El primario es el que recibe la energa de la lnea y el secundario
es el que da la energa a la carga.

Figura 3.3. Transformador fundamental

La teora del funcionamiento de un transformador es la que sigue:

1. Cuando se conecta el primario a un fuente de fem alterna, por el bobinado comienza a pasar una
corriente alterna.
2. En cuanto fluye una corriente por un conductor se crea un campo magntico alrededor de l. Si la
corriente cambia continuamente en magnitud y la polaridad, el campo magntico que se origina en el
ncleo de hierro har lo mismo.
3. El campo magntico alterno est, por tanto, continuamente expandindose y contrayndose. Como el
circuito magntico es cerrado, la variacin del campo magntico es la misma en cualquier parte del
ncleo.
4. Las lneas magnticas al expandirse y contraerse cortarn a los conductores situados en cualquier
parte del ncleo, y de acuerdo con el experimento de Faraday , en stos aparecer una fem inducida.
5. Como a cada conductor sobre el ncleo le corta el mismo flujo, la fem inducida por vuelta ser la
misma. Por tanto, el voltaje en cada bobinado ser proporcional al nmero de vueltas; expresado
matemticamente, esto es

EP NP
------ = ------
ES NS

6. Se puede ver en esta ecuacin que el voltaje del secundario se puede aumentar o disminuir eligiendo
una relacin de vueltas.

Funcionamiento del transformador cuando se carga. Si se conecta el secundario a una carga, pasar
una corriente a travs de la carga y tambin por el bobinado del secundario. La energa que consuma la
carga tiene que proceder de la lnea; de aqu que la carga en el primario tenga que variar como en el
secundario. En la figura anterior se muestra que no existe conexin elctrica entre los bobinados del
primario y el secundario. La energa consumida por la carga se transfiere del secundario al primario por
medio del flujo magntico. El rendimiento del transformador es muy alto, a menudo superior al 95 por 100;
de aqu que los varios en el secundario sean casi los mismos que en el primario. En estas condiciones las
intensidades varan inversamente con los voltajes. Matemticamente, esto es

EP IP
------ = ------
ES IS

Esta ecuacin muestra que al elevar el voltaje con un transformador se disminuye la intensidad. Esta es la
ventaja decisiva en los sistemas de transmisin de energa.

Rendimiento. Todos los generadores, motores, transformadores u otros aparatos que transforman
energa de una forma a otra pierden parte de esta energa en el proceso. Si se emplea un motor de
gasolina para hacer girar a un generador, el motor suministra energa mecnica al eje del generador, y
esta energa se convierte en energa mecnica que pasa a la carga. Solo una parte de esta energa
mecnica se transforma en energa elctrica debido a las prdidas por friccin y a las prdidas en el
hierro y el cobre del generador. El rendimiento es la expresin que se usa para indicar qu porcin de la
energa recibida por un aparato se aprovecha en la transformacin. Se puede definir el rendimiento como
la relacin entre la salida y la entrada de cualquier aparato; matemticamente se expresa como:
 Salida
Rendimiento = -----------
Entrada

UNIDAD IV
DISPOSITIVOS
SEMICONDUCTORES
4.1 INTRODUCCIN

Cronologa

En 1833, Michael Faraday un fsico britnico quien descubri que el sulfuro de plata tenia coeficiente
negativo.

En 1835, se descubren las propiedades rectificadoras de los dispositivos de estado slido.

En 1864, se hace un redescubrimiento de las propiedades rectificadoras de los dispositivos de estado

slido.

En 1904, se patenta el primer rectificador de estado slido.

Tambin en 1904 se patenta el primer diodo de vaco conocido como vlvula de Fleming.

En 1907, el doctor Lee de Forest inventa su diodo de vaci (audin).

En 1940, se inicia la investigacin sera sobre los dispositivos de estado slido.

En la navidad de 1947, se produce el primer amplificador de estado slido (transistor) en los laboratorios
de la compaa Bell (AT&T).

En 1949, se propone la teora para el transistor de unin.

En 1956, se concede el premio novel de fsica a los inventores del transistor.

En 1951, se construyo y demostr un modelo funcional del transistor de unin.

A fines de la dcada de los 50 se le entreg a los militares una computadora de bulbos que ocupaba
60000 pies2 (6231 m2 de espacio de suelo)

El diodo ideal

El diodo es un dispositivo electrnico, el ms sencillo de los dispositivos semiconductores, pero

desempea un papel muy importante en los sistemas electrnicos. Con sus caractersticas, que son muy
similares a las de un interruptor sencillo, aparece en una amplia variedad de aplicaciones, que van desde
las ms sencillas a las ms complejas.
De manera ideal, un diodo conducir corriente en la direccin que define la flecha en el smbolo, y actuar
como un circuito abierto en cualquier intento por establecer corriente en direccin opuesta.

Las caractersticas de un diodo ideal son aquellas de un interruptor que puede conducir corriente en una
sola direccin.

Figura 4.1. Estado de conduccin de un diodo ideal

Figura 4.2. Estado de no conduccin de un diodo ideal

El tomo de germanio tiene 32 electrones en rbita, mientras que el silicio tiene 14 electrones en varias
rbitas. En cada caso, existen cuatro electrones en la rbita exterior (valencia). El potencial (potencial de
ionizacin) que se requiere para movilizar cualquiera de estos cuatro electrones de valencia, es menor
que el requerido por cualquier otro electrn dentro de la estructura. En un cristal puro de germanio o de
silicio estos cuatro electrones de valencia se encuentran unidos a cuatro tomos adjuntos como se
muestra en la figura 4.3. para el silicio. Tanto el Ge como el Si son referidos como tomos tetravalentes,
porque cada uno tiene cuatro electrones de valencia.

Una unin de tomos fortalecida por el compartimiento de electrones se denomina unin covalente.

Figura 4.3. Unin covalente del tomo de silicio

Se dice que los materiales semiconductores como el Ge y el Si, que muestran una reduccin en
resistencia con el incremento en la temperatura, tienen un coeficiente de temperatura negativo.
Mientras ms distante se encuentre el electrn del ncleo es el estado de energa, y cualquier electrn
que haya dejado a su tomo, tiene un estado de energa mayor que cualquier electrn en la estructura
atmica.

Materiales semiconductores

El trmino semiconductor revela por s mismo una idea de sus caractersticas. El prefijo semi suele
aplicarse a un rango de niveles situado a la mitad entre dos lmites.

El trmino conductor se aplica a cualquier material que soporte un flujo generoso de carga, cuando una
fuente de voltaje de magnitud limitada se aplica a travs de sus terminales.

Un aislante es un material que ofrece un nivel muy bajo de conductividad bajo la presin de una fuente de
voltaje aplicada.

Un semiconductor, por tanto, es un material que posee un nivel de conductividad sobre algn punto entre
los extremos de un aislante y un conductor.

Aunque se puede estar familiarizado con las propiedades elctricas del cobre y la mica, las caractersticas
semiconductores, germanio (Ge) y silicio (Si), pueden ser relativamente nuevas. Algunas de las
cualidades nicas del Ge y el Si es que ambos forman un patrn muy definido que es peridico en
naturaleza (continuamente se repite el mismo). A un patrn completo se le llama cristral y al arreglo
peridico de los tomos, red cristalina. Para el Ge y el Si el cristal tiene la estructura de diamante de tres
dimensiones que se muestra en la figura 4.4 cualquier material compuesto slo

Figura 4.4. Estructura de un solo cristal de Ge y Si.

Materiales Extrnsecos tipo N y tipo P

Las caractersticas de los materiales semiconductores pueden ser alteradas significativamente por la
adicin de ciertos tomos de impureza a un material semiconductor relativamente puro. Estas impurezas,
aunque slo haya sido aadida 1 parte en 10 millones, pueden alterar en forma suficiente la estructura de
la banda y cambiar totalmente las propiedades elctricas del material.

Un material semiconductor que haya sido sujeto de dopado se denomina un material extrnseco.
Existen dos materiales extrnsecos de gran importancia para la fabricacin de dispositivos
semiconductores: el tipo n y el tipo p.

Material tipo N

Tanto el material tipo n como el tipo p se forman mediante la adiccin de un nmero predeterminado de
tomos de impureza al germanio o al silicio. El tipo n se crea a travs de la introduccin de elementos de
impureza que poseen cinco electrones de valencia (pentavalentes), como el antimonio, arsnico y fsforo.
Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se les llama tomos donadores.

Es importante comprender que, aunque un nmero importante de portadores "libres" se han creado en el
material tipo n, ste an es elctricamente neutral, debido a que de manera ideal el nmero de protones
cargados positivamente en los ncleos es todava igual al nmero de electrones "libres" cargados
negativamente y en rbita en la estructura.

Material tipo P

El material tipo p se forma mediante el dopado de un cristal puro de germanio o de silicio con tomos de
impureza que poseen tres electrones de valencia. Los elementos que se utilizan con mayor frecuencia
para este propsito son el boro, galio e indio.

A las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se les conoce como tomos aceptores.

El material resultante tipo p el elctricamente neutro, por las mismas razones descritas para el material
tipo n.
Flujo de electrones comparado con flujo de huecos

Si un electrn de valencia adquiere suficiente energa cintica para romper su unin covalente y llena un
hueco, entonces se crear un hueco en la unin covalente que liber el electrn.

Portadores mayoritarios y minoritarios

En el estado intrnseco, el nmero de electrones libres en Ge o en Si se debe slo a aquellos electrones

en la banda de valencia que han adquirido suficiente energa de las fuentes trmicas o lumnicas para
romper la unin covalente o a las pocas impurezas que no pudieron eliminarse. Las "vacantes" dejadas
atrs en la estructura de uniones covalentes representan una cantidad muy limitada de huecos. En un
material tipo n, el nmero de huecos no ha cambiado de manera significativa de su nivel intrnseco. El
resultado neto, por tanto, es que el nmero de electrones supera por mucho el nmero de huecos. Por
esta razn:

En un material tipo n al electrn se le llama portador mayoritario y el hueco es el portador minoritario.

En un material tipo p el hueco es el portador mayoritario y el electrn el portador minoritario.
Cuando el quinto electrn de un tomo donor deja a su tomo, el tomo restante adquiere una carga
positiva neta: de ah el signo positivo en la representacin de ion donor. Por razones anlogas, el signo
negativo aparece en el ion aceptor.

Los materiales tipo n y p representan los bloques de construccin bsicos de los dispositivos
semiconductores. En la siguiente seccin se encontrar que la "unin" de un solo material tipo n con un
material tipo p tendr por resultado un elemento semiconductor de importancia considerable en los
sistemas electrnicos.

Diodo semiconductor

El diodo semiconductor se forma con slo juntar los materiales tipo n y tipo p. En el momento en que son
"unidos" los dos materiales, los electrones y los huecos en la regin de la unin se combinan, dando por
resultado una falta de portadores en la regin cercana a la unin.

A esta regin de iones positivos y negativos descubiertos se le llama regin de agotamiento, debido al
agotamiento de portadores en esta regin.

Como el diodo es un dispositivo de dos terminales, la aplicacin de un voltaje a travs de sus terminales
permite tres posibilidades:

a) Sin polarizacin (VD = 0V): en ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo neto de la carga
en cualquier direccin para un diodo semiconductor es cero.

Figura 4.5. Unin p-n sin polarizar externamente

b) Polarizacin directa (VD > 0V): a la corriente que existe bajo las condiciones de polarizacin se le llama
corriente de saturacin, y se representa mediante IS.
 Figura 4.6. Unin p-n con polarizacin inversa.

c) Polarizacin inversa (VD < 0V): un diodo semiconductor tiene polarizacin directa cuando se ha
estableciedo la asociacin tipo p y positivo y tipo n y negativo.

Figura 4.7. Unin p-n con polarizacin directa

Regin Zener

El potencial de polarizacin inversa que da como resultado un cambio muy drstico de las caractersticas
dse le llama potencial Zener y se le da el smbolo VZ.

Mientras el voltaje a travs del diodo se incrementa en la regin de polarizacin inversa, la velocidad de
los portadores minoritarios responsables de la corriente de saturacin inversa IS tambin se
incrementarn. Eventualmente, su velocidad y energa cintica asociada ser suficiente para liberar
portadores adicionales por medio de colisiones con otras estructuras atmicas estables. Esto es, se
generar un proceso de ionizacin, hasta el punto en el cual se establece una gran corriente de
avalancha que determina la regin de ruptura de avalancha. La regin de avalancha (VZ) se puede
acercar al eje vertical al incrementar los niveles de dopado en los materiales tipo p y tipo n. sin embargo,
mientras VZ disminuye a niveles muy bajos, como - 5 V, otro mecanismo llamado ruptura Zener
contribuir con un cambio agudo en la caracterstica. Esto ocurre debido a que existe un fuerte campo
elctrico en la regin de la unin que puede superar las fuerzas de unin dentro del tomo y "generar"
portadores. Aunque el mecanismo de ruptura Zener es un controbuyente significativo slo en los niveles
ms bajos de VZ, utilizan esta porcin nica de la caracterstica de una unin p-n son los diodos Zener.

Figura 4.8. Regin Zener

El mximo potencial de polarizacin inversa que puede ser aplicado antes de entrar a la regin Zener se
conoce como voltaje pico inverso.

Tcnicas de fabricacin

El primer paso en la fabricacin de algn dispositivo es obtener materiales semiconductores del nivel de
pureza deseado, como el silicio, germanio y arseniuro de galio. En la actualidad se requieren niveles de
impureza de menos de una parte de mil millones (1 en 1,000,000,000) para la fabricacin de la mayora
de los dispositivos semiconductores.

Las materias primas se sujetan primero a una serie de reacciones qumicas y aun proceso de refinacin
por zona para formar un cristal policristalino del nivel de pureza que se desea. Los tomos de un cristal
policristalino estn acomodados en forma aleatoria, mientras que en el cristal nico, los tomos estn
acomodados en una red cristalina geomtrica, simtrica y uniforme.

El aparato para refinacin por zona consiste en un recipiente de grafito o cuarzo, para tener la
contaminacin mnima, un tubo contenedor de cuarzo y un juego de bobinas de induccin de RF
(radiofrecuencia). Las bobinas o el bote deben ser movibles a lo largo de la longitud del tubo de cuarzo.
Se obtendr el mismo resultado en cualquier caso, aunque aqu se presenta el mtodo de las bobinas
movibles porque parece ser el ms comn. El interior del tubo contenedor de cuarzo est lleno con un gas
inerte (con poca o ninguna reaccin qumica) o al vaco, para reducir ms la posibilidad de contaminacin.
En el proceso de refinacin por zona se pone en el bote una barra de silicio con las bobinas en un
extremo de la barra. Luego se aplica la seal de radiofrecuencia a la bobina, la cual induce un flujo de
carga (corrientes parsitas) en el lingote de silicio. Se aumenta la magnitud de estas corrientes hasta que
se desarrolla suficiente calor para fundir esa regin del material semiconductor. Las impurezas del lingote
entrarn en un estado ms lquido que el material semiconductor que las rodea. Las bobinas de induccin
se mueven lentamente hacia la derecha para inducir la fusin de la regin vecina, las impurezas "ms
fluidizas" "seguirn" a la regin fundida. El resultado neto es que un gran porcentaje de las impureza
aparecern al extremo derecho del lingote cuando las bobinas de induccin hayan llegado a ese extremo.
Este lado de la pureza con impurezas puede despus cortarse y se repite el proceso completo hasta que
se llega al nivel de pureza deseado.

Diodos Discretos

Los diodos semiconductores son con frecuencia de algunos de los siguientes cuatro tipos: crecimiento de
la unin, aleacin, difusin o crecimiento epitaxial.

Crecimiento de la unin: los diodos de este tipo se forman durante el proceso de estiramiento de cristal
Czochralski. Se pueden aadir alternamente impurezas tipo p y n al material semiconductor fundido en el
crisol, y da como resultado una unin p-n cuando el cristal se estira. Despus de rebanar, el dispositivo de
rea grande puede cortarse en grandes cantidades (a veces miles) de diodos semiconductores de rea
ms pequea. El rea de los diodos de unin por crecimiento es lo suficientemente grande para manejar
altas corriente (y por tanto tener valores nominales de potencia altos). Sin embargo, al rea grande
introducir efectos capacitivos indeseables en la unin.

Aleacin: el proceso de aleacin dar como resultado un diodo semiconductor del tipo de unin que
tambin tendr un alto valor nominal de corriente y PIV grande. Sin embargo, la capacitancia de la unin
es tambin grande, porque el rea de unin tambin es grande.

La unin p-n se forma poniendo primero una impureza tipo p en un sustrato tipo n y calentando ambos
hasta que sucede la licuefaccin y los dos materiales se juntan. El resultado es una aleacin que cuando
se enfra produce una unin p-n en la frontera entre la aleacin y el sustrato. Los papeles que
desempean los materiales tipo n y p pueden intercambiarse.

Difusin: el proceso de difusin para formar diodos semiconductores de unin puede emplear difusin
slida o gaseosa. Este proceso requiere ms tiempo que el proceso de aleacin, pero es relativamente
barato y puede controlarse con mucha ms precisin. La difusin es un proceso por el cual una lata
concentracin de partculas se "difunden" en una regin que la rodea con menor concentracin. La
principal diferencia entre los procesos de difusin y aleacin es el hecho de que no se llega a la
licuefaccin en el proceso de difusin. Solamente se aplica calor en el proceso de difusin para
incrementar la actividad de los elementos involucrados.

El proceso de difusin slida comienza con el "deposito" de impurezas aceptoras en un sustrato tipo n y
se calientan los dos hasta que la impureza se difunde en el sustrato hasta formar la capa tipo p.

En el proceso de difusin gaseosa, un material tipo n se sumerge en una atmsfera gaseosa de

impurezas aceptoras y luego se calienta. La impureza se difunde en el sustrato para formar la capa tipo p
del diodo semiconductor. Tambin pueden intercambiarse los papeles de los materiales tipo p y n. el
proceso de difusin es el que se utiliza ms en la actualidad para la fabricacin de diodos
semiconductores discretos.
Crecimiento Epitaxial: el trmino epitaxial se deriva de las palabras griegas epi, que significa "sobre", y
taxis, que significa "arreglo". Una oblea base de material n+ se conecta a un conductor metlico. La n+
indica un nivel de dopado muy alto para una caracterstica de resistencia reducida. Su propsito es actuar
como una extensin semiconductora del conductor y no como el material tipo n de la unin p-n. La capa
tipo n se depositar sobre esta capa usando un proceso de difusin. Esta tcnica de utilizar una base n+
da al fabricante ventajas definitivas de diseo. Luego se aplica el silicio tipo p usando una tcnica de
difusin y se agrega el conector metlico del nodo.

Fabricacin de Transistores

La mayora de los mtodos que se usan para fabricar transistores son simplemente extensiones de los
mtodos usados para elaborar diodos semiconductores. Los mtodos ms usados actualmente incluyen
unin por aleacin y difusin. El estudio de cada mtodo ser breve, pero se incluirn los pasos
fundamentales de cada uno.

Unin por aleacin: la tcnica de unin por aleacin es una extensin del mtodo para la fabricacin de
diodos semiconductores. Sin embargo, se depositan dos puntos de la misma impureza a cada lado de la
oblea semiconductora que tiene la impureza opuesta. Luego se calienta toda la estructura hasta que se
funde y cada punto se une en aleacin a la oblea de la base, dando como resultado las uniones p-n.

El punto de colector y la unin resultante son ms grandes para soportar la corriente, y la disipacin de
potencia ms alta en la unin colector-base. Este mtodo no se emplea tanto como la tcnica de difusin
que se describir brevemente, pero todava se usa mucho en la fabricacin de diodos de alta potencia.

Crecimiento de la Unin: se usa la tcnica Czochralski para formar las dos uniones p-n en un transistor
de unin por crecimiento. El proceso, requiere que el control de la impureza y la relacin de retiro sean
tales que aseguren el ancho adecuado de la base y los niveles de dopado de los materiales tipo n y p. Los
transistores de este tipo estn limitados por lo general a un valor nominal menor de W.

Difusin: el mtodo de fabricacin que ms se utiliza en la actualidad es la tcnica de difusin. El

proceso bsico se present en el anlisis de la fabricacin de diodos semiconductores. La tcnica de
difusin se emplea en la produccin de transistores en meseta y planares, donde cada uno de ellos puede
ser de tipo de difusin o epitaxial.
En el transistor pnp en meseta de difusin, el primer proceso es una difusin tipo n en una oblea tipo p
para formar la regin de la base. Luego, se difunde o se une en aleacin el emisor tipo p a la base tipo n.
despus se hace una corrosin para reducir la capacitancia de la unin del colector. El termino "meseta"
se deriva de su similitud con la formacin geogrfica. La tcnica de difusin permite un control muy
preciso de los niveles de dopado y el espesor de las diversas regiones.

La principal diferencia entre el transistor de meseta epitaxial y el transistor de meseta es una capa
epitaxial adicional sobre el sustrato de colector original. El sustrato tipo p original se pone en un recipiente
cerrado que contiene vapor de la misma impureza. Mediante un control adecuado de temperatura, los
tomos del vapor caern y se acomodarn por s mismos sobre el sustrato tipo p original, dando como
resultado la capa epitaxial. Una vez que se ha establecido esta capa, contina el proceso, igual que para
el transistor en meseta, para formar las regiones de base y emisor. El sustrato tipo p original tendr un
nivel de dopado mayor y una resistencia menor que el de la capa epitaxial. El resultado es una conexin
de baja resistencia con la terminal de colector que reducir las prdidas por disipacin del transistor.

Los transistores planar y planar epitaxial son fabricados con dos procesos de difusin para formar las
regiones de base y emisor. El transistor planar tiene una superficie plana y de ah el trmino planar. Se
aade una capa de xido para eliminar las uniones expuestas, lo cual reduce sustancialmente las
prdidas por fugas superficiales (corrientes de fuga en la superficie, en vez de a travs de la unin).

4.2 DIODOS RECTIFICADORES, APLICACIONES

Entradas senoidales; rectificacin de media onda.

La red ms simple que se examinar con una seal variable en el tiempo aparece en la figura 4.9. (en
este caso utilizaremos el modelo ideal).

Figura 4.9. Rectificador de media onda

A travs de un ciclo completo, definido por el periodo T de la figura 4.9, el valor promedio es cero. El
circuito rectificador de media onda que se muestra en la figura 4.9 generar una forma de onda vo , la
cual tendr un valor promedio de uso particular en el proceso de conversin de ac a dc. Cuando un diodo
es usado para el proceso de rectificacin, es comn que se le llame rectificados. Sus valores nominales
de potencia y corriente son normalmente mucho ms altos que los de los diodos que se usan en otra
aplicaciones, como en computadoras o sistemas de comunicacin.

Durante el intervalo t=0 ==> T/2, la polaridad del voltaje aplicado vi es como para establecer "presin" en
la direccin que se indica, y encender el diodo con la polaridad indicada arriba del diodo.

Al proceso de eliminacin de la mitad de la seal de entrada para establecer un nivel dc se le llama

rectificacin de media onda.

El efecto del uso de un diodo de silicio con VT = 0.7 V se seala en la siguiente figura par regin de
polarizacin directa. La seal aplicada debe ser ahora de por lo menos 0.7 antes de que el diodo pueda
"encender". Para los niveles de vi menores de 0.7 V el diodo an est en estado de circuito abierto y v0 =
0 V, como indica la misma figura. Cuando conduce, la diferencia entre v0 y vi se encuentra en un nivel fijo
de VT = 0.7 V y v0 = vi - VT, segn se indica en la figura. El efecto neto es una reduccin en el rea
arriba del eje, la cual reduce de manera natural el nivel resultante de voltaje dc.

Rectificacin de onda completa.

Puente de diodos

El nivel de CD que se obtiene a partir de una entrada senoidal puede mejorar al 100% si se utiliza un
proceso que se llama rectificacin de onda completa. La red ms familiar para llevar a cabo tal funcin
aparece en la figura 4.10 con sus cuatro diodos en una configuracin en forma de puente durante el
periodo t = 0 a T/2 la polaridad de la entrada se muestra en la figura 4.11 para mostrar que D2 y D3 estn
conduciendo, en tando que D1 y D4 se hallan en estado "apagado". El resultado neto es la configuracin
de la figura 4.12, con su corriente y polaridad indicadas a travs de R. Debido a que los diodos son
ideales, el voltaje de carga vo = vi, segn se muestra en la misma figura.

Figura 4.10. Puente rectificador de onda completa.

Figura 4.11. Rectificador de onda completa para el periodo 0? T/ 2 de voltaje de entrada vi.

Figura 4.12. Trayectoria de conduccin para la regin positiva de vi.

4.3 DIODOS ZENER

En 1934 un cientfico llamado Carlos Zener propuso una teora de ruptura elctrica en los slidos, sealo
que bajo cierta intensidad de campo, los portadores pueden cruzar la unin o juntura mediante un proceso
de mecnica cuntica. Tal como si los portadores hubiese tneles en la barrera. Una vez que se produce
la juntura, se desarrolla con rapidez para convertirse en un avalancha de corriente.

Por supuesto se refera a corriente de unos cuantos amperios; pero se trataba de corriente inversa. El
diodo Zener se diseo para que funcionara de acuerdo con esta premisa, dicho componente funciona con
polarizacin inversa y la polarizacin operacional apropiada produce corriente en el centro de la zona de
ruptura. Puesto que el diodo Zener fue el primer dispositivo que funciona en estas condiciones, una parte
de la curva de corriente inversa se conoce como regin Zener.

Figura 4.13. Regin Zener

De acuerdo con la curva caracterstica anterior, cuando un diodo Zener se polariza en modo inverso, el
diodo acta como un interruptor cerrado (igual que un diodo de unin normal). La corriente directa
aumenta con la tensin aplicada y esta limitada prcticamente por parmetros externos del circuito.
Cuento el diodo est polarizado en sentido inverso, produce una pequea i inversa llamada de saturacin,
esta permanece relativamente constante hasta que se alcanza la regin de ruptura Zener en la
proximidad de la tensin Zener del dispositivo. A pesar del aumento de polarizacin inversa cerca de la
tensin de ruptura la i inversa aumenta rpidamente a causa del efecto de avalancha. Finalmente la
ruptura Zener (caracterizada por un brusco cambio de corriente) tiene lugar cuando se alcanza la tensin
Zener. En esta regin, pequeas variaciones de tensin dan por resultado grandes variaciones de
corrientes. Evidentemente hay cambios muy bruscos de resistencia efectiva en la union p-n.
La ruptura Zener no origina necesariamente la destruccin de dispositivos. Mientras la corriente esta
limitada en el diodo por el circuito exterior hasta un nivel que no exceda la capacidad de potencia del
diodo ste continua funcionando normalmente. Por otra parte reduciendo la polarizacin inversa por
debajo de la tensin Zener, se puede variar el nivel de tensin hasta restaurar el nivel de corriente de
saturacin. El proceso de conmutacin del diodo entre sus estados de corriente Zener y de saturacin
puede ser repetido tantas veces como sea necesario sobre que se deteriore el elemento.

4.4 LEDS

LED (light Emitting Diode) o SSL (Solid State Lamp) lampara de estado slido
Ventajas del SSL
1. Tienen una respuesta sumamente rpida de tiempo, esto es el encendido y apagado que puede ser del
orden de nseg o pocos seg o inclusive pseg de tiempo, tambin tiene una larga y una gran rigidez
mecnica de tiempo, tambin tienen una larga y una gran rigidez mecnica, adems tiene baja
impedancia lo que les permite acoplarse a circuitos muy diversos en forma semejante a un diodo
convencional.
2. La luz de salida es predominantemente monocromtica.
En cualquier semiconductor se produce una conexin de par hueco electrn al fusionarse un hueco y
electrn intercambian energa
En el intercambio de energa desprende luz visible y calor, todas la uniones trabajan caliente. El LED es
un dispositivo en el que intencionalmente se busca el aprovechamiento de luz.
Cualquier diodo emite luz. El LED es una unin p-n hecho intencionalmente para aprovechar la luz.
En una mesa de material aislante se le pone una diminuta pastilla, esta pastilla se encarga en radiar los
electrones.
Los LED'S pueden trabajar hasta 100000 horas lo cual es un tiempo muy grande de funcionamiento.
Si los alimentas con corriente alterna y lo switcheas te da mas utilidad.
Los colores estan dados por el tipo de agente contaminate. La luz es un factor muy importante para estos
elementos.
Otra de las aplicaciones de los LEDS es la transferencia de luz como datos.
La informacin que se ponga en la fuente f va a hacer transmitida por luz (por el LED) y es recibida por el
emisor que la convierte a una seal elctrica. Esto genera un acoplador ptico (optoacopladores).
Siempre va haber un LED de entrada y en la salida puede haber un semi-conductor.

4.5 TRANSISTORES BJT

Caractersticas de los Transistores:

El consumo de energa es relativamente baja.

El tamao de los transistores es relativamente mas pequea que los tubos de vaco.

El peso.

Una vida larga til (muchas horas de servicio).

Puede permanecer mucho tiempo en deposito (almacenamiento).

No necesita tiempo de calentamiento.

Resistencia mecnica elevada.

Los transistores pueden reproducir el fenmeno de la fotosensibilidad (fenmenos sensibles a la

luz).
Construccin de Transistores
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y
una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le llama transistor npn,
en tanto que al segundo transistor pnp.
Para la polarizacin las terminales que se muestran en la figura 4.14 las terminales se indican mediante
las literales E para el emisor, C para el colector y B para la base. Se desarrollar una apreciacin de la
eleccin de esta notacin cuando se analice la operacin bsica del transistor. La abreviatura BJT, de
transistor bipolar de unin (del ingles, Bipolar Junction Transistor), suele aplicarse a este dispositivo de
tres terminales. El trmino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el
proceso de inyeccin hacia el material polarizado de forma opuesta. Si slo se utiliza un portador (electrn
o hueco), entonces se considera un dispositivo unipolar.

a) b)
Figura 4.14. Tipos de transistores: a) pnp; b) npn.

Operacin del Transistores

Se describir la operacin bsica del transistor utilizando el transistor pnp de la figura 4.14a. la operacin
del transistor npn es exactamente la misma que si intercambiaran la funciones que cumplen el electrn y
el hueco. En la figura 4.15 se dibujo de nuevo el transistor pnp sin la polarizacin base - colector. El
espesor de la regin de agotamiento se redujo debido a al polarizacin aplicada, lo que da por resultado
un flujo muy considerable de portadores mayoritarios desde el material tipo p hacia el tipo n.

Figura 4.15. Unin con polarizacin directa de un transistor pnp.

Ahora se eliminar la polarizacin base - colector del transistor pnp de la figura 4.14a, segn se muestra
en la figura 4.16. En resumen:
Una unin p-n de un transistor tiene polarizacin inversa, mientras que la otra tiene polarizacin inversa.
ambos potenciales de polarizacin se aplicaron a un transistor pnp, con el flujo resultante indicado de
portadores mayoritarios y minoritarios. Los espesores de las regiones de agotamiento, que indican con
claridad cul unin tiene polarizacin directa y cul polarizacin inversa. Habr una gran difusin de
portadores mayoritarios a travs de la unin p-n con polarizacin directa hacia el material tipo n. As, la
pregunta sera si acaso estos portadores contribuirn de forma directa a la corriente de base IB o si
pasarn directamente al material tipo p. Debido a que material tipo n del centro es muy delgado y tiene
baja conductividad, un nmero muy pequeo de estos portadores tomar esta trayectoria de alta
resistencia hacia la terminal de la base.
La magnitud de la corriente de base casi siempre se encuentra en el orden de los microamperes,
comparando con miliamperes para las corrientes del emisor y del colector. La mayor cantidad de estos
portadores mayoritarios se difundir a travs de la unin con polarizacin inversa, hacia el material tipo p
conectado a la terminal del colector. La razn de esta relativa facilidad con la cual los portadores
mayoritarios pueden atravesar la unin con polarizacin inversa se comprender con facilidad si se
considera que para el diodo con polarizacin inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecern
como portadores con polarizacin inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecern como
portadores minoritarios en el material tipo n.
En otras palabras, tuvo lugar una inyeccin de portadores minoritarios al material de la regin de la base
tipo n. A la combinacin de esto con el hecho de que todos los portadores minoritarios en la regin de
agotamiento atravesar la unin con polarizacin inversa de un diodo puede atribursele el flujo.

Figura 14.16. Unin con polarizacin inversa de un transistor pnp.

Configuracin de Base Comn

Para la configuracin de base comn con transistores pnp y npn. La terminologa de la base comn se
deriva del hecho de que la base es comn tanto a la entrada como a la salida de la configuracin. A su
vez, por lo regular la base es la terminal ms cercana a, o que se encuentra en, el potencial de tierra. A lo
largo de este libro todas las direcciones de corriente harn referencia al flujo convencional (huecos) en
lugar de hacerlo respecto al flujo de electrones. Para el transistor la flecha en el smbolo grfico define la
direccin de la corriente del emisor (flujo convencional) a travs del dispositivo.
Para describir en su totalidad el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, como los
amplificadores de base comn se requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para el punto de
excitacin o parmetros de entrada y el otro para el lado de la salida. El conjunto de entrada para el
amplificador de base comn relacionar la corriente de entrada (IE). el conjunto de caractersticas de la
salida o colector tiene tres regiones bsicas de inters: la regiones activa, de corte y de saturacin. La
regin activa es la que suele utilizarse para los amplificadores lineales (sin distorsin). En particular:
En la regin activa la unin base - colector se polariza inversamente, mientras que la unin emisor - base
se polariza directamente.
La regin activa se define mediante los arreglos de polarizacin de la figura 4.17. En el extremo ms bajo
de la regin activa, la corriente del emisor (IE) es cero; esa es la verdadera corriente del colector, y se
debe a la corriente de saturacin inversa ICO, como lo seala la figura 4.18.
La corriente ICO real es tan pequea (microamperes) en magnitud si se compara con la escala vertical de
IC = 0. Las condiciones del circuito que existen cuando IE = 0 para la configuracin de base comn se
muestra en la figura 4.19. La notacin que con ms frecuencia se utiliza para ICO en los datos y las hojas
de especificaciones es, como se indica en la figura 4.19, ICBO.
Debido a las mejoras en las tcnicas de fabricacin, el nivel de ICBO para los transistores de propsito
general (en especial los de silicio) en los rangos de potencia baja y mediana, por lo regular es tan bajo
que puede ignorarse su efecto. Sin embargo, para las unidades de mayor potencia ICBO, as como Is,
para el diodo (ambas corrientes de fuga inversas) son sensibles a la temperatura. A mayores
temperaturas, el efecto de ICBO puede convertirse en un factor importante debido a que aumenta muy
rpidamente con la temperatura.
En la regin de corte, tanto la unin base - colector como la unin emisor - base de un transistor tienen
polarizacin inversa.
En la regin de saturacin, tanto la unin como la emisor - base estn en polarizacin directa.

a) b)
Figura 4.17. Smbolos utilizados con la configuracin comn: a) transistor pnp; b) transistor npn.

Figura 4.18. Caractersticas de salida o colector para un amplificador a transistor de base comn.
Figura 4.19. Corriente de saturacin inversa.

Configuracin de Emisor Comn

La configuracin de transistor que se encuentra ms a menudo aparece en la figura 4.20 para los
transistores pnp y npn. Se le denomina configuracin de emisor comn debido a que el emisor es comn
o hace referencia a las terminales tanto de entrada como de salida (en este caso, es comn tanto a la
terminal de base como a la de colector). Una vez ms, se necesitan dos conjuntos de caractersticas para
describir por completo el comportamiento de la configuracin de emisor comn: uno para el circuito de
entrada o base-emisor y otro para el circuito de salida o colector-emisor.
En la regin activa de un amplificador de base comn la unin del colector-base se encuentra polarizada
inversamente, mientras que la unin base-emisor se encuentra polarizada directamente.
Para propsitos de amplificacin lineal (la menor distorsin), el corte para la configuracin de emisor
comn se definir mediante IC = ICEO.

a) b)
Figura 4.20. smbolos utilizados con la configuracin de emisor comn: a) transistor npn; b) transistor pnp.

Configuracin de Colector Comn

La configuracin de colector comn se utiliza sobre todo para propsitos de acoplamiento de impedancia,
debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, contrariamente a
alas de las configuraciones de base comn y de un emisor comn.
La figura 4.21 muestra una configuracin de circuito de colector comn con la resistencia de carga
conectada del emisor a la tierra. Obsrvese que el colector se encuentra conectado a la tierra aunque el
transistor est conectado de manera similar a la configuracin del emisor comn. Desde un punto de vista
de diseo, no se requiere de un conjunto de caractersticas de colector comn para elegir los parmetros
del circuito de la figura 4.21. puede disearse utilizando las caractersticas de salida para la configuracin
de colector comn son la mismas que para la configuracin de emisor comn.
Figura 4.21. Configuracin de colector comn utilizado para propsitos de acoplamiento de impedancia.

4.6 AMPLIFICADORES CON BJT

Se puede explicar la accin bsica de amplificacin del transistor sobre un nivel superficial utilizando la
red de la figura 4.23. La polaridad de corriente directa no aparece en la figura debido a que nuestro
inters se limita a la respuesta en corriente alterna. Para la configuracin de base comn, la resistencia
de corriente alterna de entrada determinada por las caractersticas de la figura 4.22 es muy pequea y
casi siempre vara entre 10 y 100 . La resistencia de salida, segn se determin en las curvas de la
figura 4.18 es muy alta (mientras ms horizontales sean las curvas, mayor ser la resistencia) y suele
variar entre 50 k y1M . La diferencia en cuanto a resistencia se debe a la unin con polarizacin
directa en la entrada (base-emisor) y a la unin con polarizacin inversa en la salida (base-colector).
Utilizando un valor comn de 20 para la resistencia de entrada, se encuentra que

Figura 4.22. Caractersticas del punto de entrada o manejo para un amplificador a transistor de silicio de
base comn.
Ii = Vi / Ri = 200mV / 20 = 10 mA

IL = Ii +10 mA
VL = ILR
= (10 mA)(5 k )
= 50 V

Figura 4.23. Accin bsica de amplificador de voltaje de la configuracin base comn.

AV = VL / Vi = 50 V / 200 mV = 250

Los valores tpicos de la amplificacin de voltaje para la configuracin de base comn varan entre 50 y
300. La amplificacin de corriente (IC / IE) es siempre menor que 1 para la configuracin de la base
comn.
La accin bsica de amplificacin se produjo mediante la transferencia de una corriente i desde un circuito
de aja resistencia a uno de alta.

Transferencia + Resistor ==> Transitor

4.7 BJT COMO CONMUTADOR

Aplicar los transistores no se limita nicamente a la amplificacin de seales. A travs de un diseo

adecuado pueden utilizarse como un interruptor para computadora y para aplicaciones de control. Puede
emplearse como un inversor en los circuitos lgicos de las computadoras.
Observe la figura 4.24 donde el voltaje de salida Vc es opuesto al que se aplic sobre la base o a la
terminal de entrada. Tambin obsrvese la ausencia de una fuente de dc conectada al circuito de la base.
La nica fuente de dc est conectada al colector o lado de la salida, y para las aplicaciones de
computadoras normalmente es igual a la magnitud del nivel "alto" de la seal aplicada, en este caso 5 V.
Figura 4.24. Transistor inversor.
El diseo ideal para el proceso de inversin requiere que el punto de operacin conmute de corte a la
saturacin, pero a lo largo de la recta de carga descrita en la figura 4.52. para estos propsitos se asumir
que Ic = Iceo = 0 mA cuando IB = 0 A (una excelente aproximacin de acuerdo con las mejoras de las
tcnicas de fabricacin).
Cuando Vi = 5 V, el transistor se encontrar "encendido" y el diseo debe asegurar que la red est
saturada totalmente por un nivel de IB mayor asociado con la curva IB, que aparece cerca del nivel de
saturacin. El nivel de saturacin para la corriente del colector y para el circuito est definido por:

ICsat = Vcc/ Rc
4.8 TRANSISTOR DE POTENCIA

Mientras los circuitos integrados se usan para aplicaciones de pequeas seales y baja potencia, la
mayora de las aplicaciones de alta potencia todava requieren transistores de potencia discretos. Las
mejoras en las tcnicas de produccin han proporcionado potencias ms altas en encapsulados de
tamao pequeo; tambin han aumentado el voltaje de ruptura mximo de transistor y han proporcionado
transistores de potencia con una velocidad de conmutacin mayor.
La potencia mxima manejada por un dispositivo particular y la temperatura de las uniones del transistor
estn relacionadas, debido a que la potencia disipada por el dispositivo causa un incremento de
temperatura en la unin del dispositivo. Es obvio que un transistor de 100W proporcionar ms capacidad
de potencia que un transistor de 10 W.
Se debe hacer notar que de los dos tipos de transistores bipolares (germanio y silicio), aquellos de silicio
proporcionan temperaturas nominales mximas. Por lo general, la temperatura mxima de unin de estos
tipos de transistores de potencia es:
Silicio: 150-200C
Germanio: 100-110C
Para muchas aplicaciones, la potencia promedio disipada puede aproximarse mediante
PD = VCEIC
Sin embargo, esta disipacin de potencia se permite solamente hasta una temperatura mxima.
Por arriba de esta temperatura se debe reducir la capacidad de disipacin de potencia del dispositivo (o
prdida de disipacin) para que a temperaturas superiores del encapsulado se reduzca la capacidad de
manejo de potencia, llegando a 0 W a la temperatura mxima del encapsulado del dispositivo.
Entre mayor sea la potencia manejada por el transistor, mayor ser la temperatura del encapsulado. En la
actualidad, el factor limitante en el manejo de potencia por un transistor particular es la temperatura de la
unin del colector del dispositivo. Los transistores de potencia estn montados en encapsulados metlicos
grandes para ofrecer un rea grande a partir de la cual pueda radiar (transferirse) el calor generado por el
dispositivo. Aun as, la operacin de un transistor directamente en el aire (montado en una tarjeta de
plstico, por ejemplo) limita severamente la potencia nominal del dispositivo. Si en vez de ello (como es lo
usual) se monta el dispositivo en algn tipo de disipador de calor, su capacidad de manejo de potencia
puede acercarse ms al valor de su potencia nominal mxima.

Figura 4.25. Curva de prdida de disipacin de potencia tpica para os transistores de silicio.

4.9 TIRISTORES (SCR)

Dentro de la familia de dispositivos pnpn, el rectificador controlado de silicio (SCR) es, sin duda, el de
mayor inters hoy en da, y fue presentado por primera vez en 1956 por los Bell Telephone Laboratories.
Algunas de las reas ms comunes de aplicacin de los SCR incluye controles de relevador, circuitos de
retardo de tiempo, fuentes de alimentacin reguladas, interruptores estticos, controles de motores,
recortadores, inversores, cicloconversores, cargadores de bateras, circuitos de proteccin, controles de
calefaccin y controles de fase.
En aos recientes han sido deseados SCR para controlar potencias tan altas de hasta 10 MW y con
valores individuales tan altos como de 2000 A a 1800 V. Su rango de frecuencia de aplicacin tambin ha
sido extendido a cerca de 50 kHz, lo que ha permitido algunas aplicaciones de alta frecuencia.

Operacin Bsica del Rectificador Controlado de Silicio

Como su nombre lo indica, el SCR es un rectificador construido con material de silicio con una tercera
terminal para efecto de control. Se escogi el silicio debido a sus capacidades de alta temperatura y
potencia. La operacin bsica del SCR es diferente de la del diodo semiconductor de dos capas
fundamental, en que una tercera terminal, llamada compuerta, determina cundo el rectificador conmuta
del estado de circuito abierto al de circuito cerrado. No es suficiente slo la polarizacin directa del nodo
al ctodo del dispositivo. En la regin de conduccin la resistencia dinmica el SCR es tpicamente de
0.01 a 0.1 . La resistencia inversa es tpicamente de 100 k o ms.
El smbolo grfico para el SCR se muestra en la figura 4.27, y las conexiones correspondientes a la
estructura de semiconductor de cuatro capas en la figura 4.26.

Figura 4.26. Construccin bsica del SCR.

Figura 4.27. Smbolo del SCR.

Caractersticas y Valores Nominales del SCR

En la figura 4.28 se proporcionan las caractersticas de un SCR para diversos valores de corriente de
compuerta. Las corrientes y voltajes ms usados se indican en las caractersticas.

Figura 4.28. Caractersticas del SCR.

1. Voltaje de ruptura directo V(BR) F* es el voltaje por arriba del cual el SCR entra a la regin de
conduccin. El asterisco (*) es una letra que se agregar dependiendo de la condicin de la terminal de
compuesta de la manera siguiente:
O = circuito abierto de G a K
S = circuito cerrado de G a K
R = resistencia de G a K
V = Polarizacin fija (voltaje) de G a K
2. Corriente de sostenimiento (IH) es el valor de corriente por abajo del cual el SCR cambia del estado de
conduccin a la regin de bloqueo directo bajo las condiciones establecidas.
3. Regiones de bloqueo directo e inverso son las regiones que corresponden a la condicin de circuito
abierto para el rectificador controlado que bloquean el flujo de carga (corriente) del nodo al ctodo.
4. Voltaje de ruptura inverso es equivalente al voltaje Zener o a la regin de avalancha del diodo
semiconductor de dos capas fundamental.

Aplicaciones del SCR

Tiene variedad de aplicaciones entre ellas estn las siguientes:

Controles de relevador.

Circuitos de retardo de tiempo.

Fuentes de alimentacin reguladas.

Interruptores estticos.

Controles de motores.

Recortadores.

Inversores.

Cicloconversores.

Cargadores de bateras.

Circuitos de proteccin.

Controles de calefacctin.

Controles de fase.

En la figura 4.29a se muestra un interruptor esttico es serie de medida de media onda. Si el interruptor
est cerrado, como se presenta en la figura 4.29b, la corriente de compuerta fluir durante la parte
positiva de la seal de entrada, encendiendo al SCR. La resistencia R1 limita la magnitud de la corriente
de compuerta.
Cuando el SCR se enciende, el voltaje nodo a ctodo (VF) caer al valor de conduccin, dando como
resultado una corriente de compuerta muy reducida y muy poca prdida en el circuito de compuerta. Para
la regin negativa de la seal de entrada el SCR se apagar, debido a que el nodo es negativo respecto
al ctodo. Se incluye al diodo D1 para prevenir una inversin en la corriente de compuerta.
Las formas de onda para la corriente y voltaje de carga resultantes se muestran en la figura 4.29b. El
resultado es una seal rectificada de media onda a travs de la carga. Si se desea conduccin a menos
de 180, el interruptor se puede cerrar en cualquier desplazamiento de fase durante la parte positiva de la
seal de entrada. El interruptor puede ser electrnico, electromagntico, dependiendo de la aplicacin.

a) b)
Figura 4.29. Interruptor esttico en serie de media onda.

En la figura 4.30a se muestra un circuito capaz de establecer un ngulo de conduccin entre 90 y 180.
El circuito es similar al de la figura 4.29a, con excepcin de la resistencia variable y la eliminacin del
interruptor. La combinacin de las resistencias R y R1 limitar la corriente de compuerta durante la parte
positiva de la seal de entrada. Si R1 est en su valor mximo, la corriente de compuerta nunca llegar a
alcanzar la magnitud de ence4ndido. Conforme R1 disminuye desde el mximo, la corriente de compuerta
se incrementar a partir del mismo voltaje de entrada.
De esta forma se puede establecer la corriente de compuerta requerida para el encendido en cualquier
punto entre 0 y 90, como se muestra en la figura 4.30b. Si R1es bajo, el SCR se disparar de inmediato
y resultar la misma accin que la obtenida del circuito de la figura 4.30b, el control no puede extenderse
ms all de un desplazamiento de fase de 90, debido a que la entrada est a su valor mximo en este
punto. Si falla para disparar a ste y a menores valores del voltaje de entrada en la pendiente positiva de
la entrada, se debe esperar la misma respuesta para la parte de pendiente negativa de la forma de onda
de la seal. A esta operacin se le menciona normalmente en trminos tcnicos como control de fase de
media onda por resistencia variable. Es un mtodo efectivo para controlar la corriente rms y, por tanto, la
potencia se dirige hacia la carga.

a) b)
Figura 4.30. Control de fase de resistencia variable de media onda.

4.10 TRIAC
El triac es fundamentalmente una combinacin paralela inversa de dos terminales de capas de
semiconductor que permiten el disparo en cualquier direccin con una terminal de compuerta para
controlar las condiciones de encendido bilateral del dispositivo en cualquier direccin. En otras palabras,
para cualquier direccin, la corriente de compuerta puede controlar la accin del dispositivo en una forma
muy similar a la mostrada para un SCR. Sin embargo, las caractersticas del triac en el primer y tercer
cuadrante son algo diferentes como se muestran en la figura 4.31b.

En la figura 4.31 se proporciona el smbolo grfico del dispositivo y las caractersticas. Para cada
direccin de conduccin posible hay una combinacin de capas de semiconductor, cuyo estado ser
controlado por la seal aplicada a la terminal de compuerta.

a) b)
Figura 4.31.TRIAC a) smbolo; b) caractersticas.

En la figura 4.32 se presenta una aplicacin fundamental del triac. En esta condicin est controlando la
potencia de ac a la carga, encendindose y apagndose durante las regiones positiva y negativa de la
seal senoidal de entrada. La accin de este circuito durante la parte positiva de la seal de entrada es
muy similar a la encontrada para el diodo Shockley. La ventaja de esta configuracin es que durante la
parte negativa de la seal de entrada resultar el mismo tipo de respuesta, porque tanto el diac como el
triac pueden dispararse en direccin inversa.

Figura 4.32. Aplicacin del triac: control de fase (potencia)

UNIDAD V
AMPLIFICADORES
OPERACIONALES
5.1 INTRODUCCIN, CARACTERISTICAS

Un amplificador operacional, u op-amp, es un amplificador diferencial con una ganancia muy alta, con una
elevada impedancia de entrada y una impedancia de salida baja. Los usos ms tpicos del amplificador
operacional son proporcionar cambios de amplitud de voltaje (amplitud y polaridad), osciladores, circuitos
de filtros y muchos otros tipos de circuitos de instrumentacin. Un op-amp contiene varias etapas de
amplificador diferencial para lograr una ganancia de voltaje muy alta.

La figura 5.1 muestra un op-amp bsico con dos entradas y una salida, como podra resultar con el uso de
una etapa de entrada diferencial. Cada entrada da como resultado una salida de la misma polaridad (o
fase) o de la opuesta, dependiendo de si la seal se aplica en la entrada con el signo de ms (+) o a la del
signo de menos (-).

Figura 5.1. Op-amp bsico

Entrada de una sola terminal

La operacin con la entrada en una sola terminal resulta cuando la seal de entrada se conecta a una
terminal de entrada, mientras la otra terminal de entrada se conecta a la tierra. La figura 5.2 muestra las
seales conectadas para esta operacin. En la figura 5.2 la entrada se aplica a la terminal de entrada con
un signo ms (con la terminal de entrada con signo menos a tierra), lo que da como resultado una salida
que tiene la misma polaridad que la de la seal aplicada a la entrada. La figura 5.3 muestra una seal de
entrada aplicada a la terminal de entrada con un signo menos, siendo la salida opuesta en fase con la
seal aplicada.

Figura 5.2. operacin de una sola terminal (negativo en tierra comn)

Figura 5.3. operacin de una sola terminal (positivo en tierra comn)

Entrada de una doble terminal (diferencial)

Adems de usar una sola entras, es posible tambin aplicar seales en cada terminal de entrada. Por lo
que se convierte en una operacin de dos terminales. La figura 5.4 muestra una entras, Vd, aplicada entra
las dos terminales de entrada (ntese que ninguna terminal de entrada est conectada a tierra), con la
salida resultante amplificada en fase con la aplicada entre las terminales de entrada con signo ms y con
signo menos. La figura 5.5 muestra la misma accin que resulta cuando se aplican dos seales
separadas a las terminales de entrada, siendo la seal diferencial Vi 1 - Vi 2.

Figura 5.4. Operacin en doble terminal

Figura 5.5. Operacin en doble terminal (diferencial)

Salida de una doble terminal
Aunque la operacin tratada hasta ahora ha tenido una sola salida, el op-amp tambin puede operar con
salidas opuestas, como se indica en la figura 5.6 una entrada aplicada a cualquier terminal de entrada
dar como resultado salidas en ambas terminales de salida, siendo estas salidas siempre opuestas en
polaridad.

Figura 5.6.Salida en doble terminal

Operacin en modo comn

Cuando se aplica la misma seal de entrada a ambas terminales de entrada, da como resultado la
operacin en modo comn, como se muestra en la figura 5.7. Resulta ideal cuando las dos entradas son
amplificadas de manera igual, y debido a que da como resultado seales de polaridad opuesta a la salida,
estas seales se cancelan, dando como resultado una salida de 0 V.

Figura 5.7. Operacin en modo comn

Rechazo en modo comn

Una caracterstica importante de una conexin diferencial es que las seales que son puestas en las
entradas estn slo ligeramente amplificadas; la operacin global amplifica la seal diferencial, mientras
que rechaza la seal comn en las dos entradas. Debido a que el ruido (cualquier seal de entrada no
deseada) es por lo general comn a ambas entradas, la conexin diferencial tiende a proporcionar
atenuacin de esta entrada no deseada, mientras proporciona una salida amplificada de la seal
diferencial aplicada a las entrada. Esta caracterstica de operacin, es conocida como rechazo en modo
comn.
Amplificador operacional bsico
Un amplificador operacional es un amplificador de una ganancia muy alta que posee una impedancia de
entrada muy alta (por lo general de unos cuantos megaohms) y una baja impedancia de salida (menos de
100?) . el circuito bsico se construye con un amplificador diferencial que tiene dos entradas (ms o
menos) y al menos una salida. La figura 5.8 muestra una unidad op-amp. Como se dijo anteriormente, la
entrada positiva (+) produce una salida que est en fase a la seal aplicada, en cambio, una entrada en la
terminal de entrada negativo (-) da como resultado una salida de polaridad opuesta. En la figura 5.9 se
indica el circuito equivalente en ac del ap-amp. Como se muestre, la seal de entrada aplicada entre las
terminales de entrada se ve como una impedancia de entrada, Ri, por lo general muy alta. El voltaje de
salida se muestre como la ganancia del amplificador multiplicada por la seal de entrada tomada a travs
de una impedancia da salida, R0, que es normalmente muy baja. Un circuito op-amp ideal. Tal como se
muestre en la figura 5.10, tendra impedancia de entrada infinita, impedancia de salida cero y una
ganancia de voltaje infinita.

Figura 5.8 Op-amp bsico

Figura 5.9 Equivalente de ac de un circuito prctico

Figura 5.10 Equivalente de ac de un circuito ideal

Op-amp bsico
En la figura 5.11 se muestra la conexin del circuito bsico usando un op-amp. Este circuito proporciona
una operacin como un multiplicador de ganancia constante. Una seal de entrada V1, se aplica a travs
de una resistencia R1, a la terminal de entrada de signo menos. Luego, la salida se vuelve a conectar de
regreso a la misma terminal de entrada de signo menos a travs de una resistencia Ef; por su parte, la
terminal de entrada de signo ms est conectada a tierra. Debido a que la seal V1 est aplicada a la
terminal de entrada del signo menos, la salida resultante est opuesta en fase con la seal de entrada. La
figura 14.12 muestra al op-amp reemplazado por su circuito equivalente de ac. Si usamos el circuito
equivalente del op-amp ideal, reemplazamos Ri por una resistencia infinita y R0 por una resistencia cero,
se tiene al circuito equivalente de ac que se muestra en la figura 14.13.
Figura 5.11. Conexin de un op-amp bsico

Figura 5.12. Operacin de un op-amp como multiplicador de ganancia constante equivalente de ac del op-
amp

Figura 5.13. Operacin de un op-amp como multiplicador de ganancia constante equivalente de op-amp
ideal
Usando superposicin, podemos resolver para el voltaje V1 en terminos de los componentes debidos a
cada una de las fuentes. Para la fuente V1 solamente (-AvVi igual a cero),

Rf
Vi = ---------- V1
R1 + Rf

Para la fuente -AvVi solamente (V1 igual a cero)

R1
Vi2 = ---------- -AvV1
R1 + Rf
El voltaje total Vi es entonces
 Rf R1
Vi = Vi1 + Vi2 = ------------ V1 + ----------- (-AvV1)
R1 + Rf R1 + Rf

Que puede resolverse para Vi como

Rf
Vi = -------------------- V1
Rf + (1+ Av) R1
Si Av 1 y AvRi Rf, que por cierto, entonces

Rf
Vi = ---------- V1
AvR1

Si resolvemos para Vo / Vi, obtenemos

Vo -Av Vi -Av R fVi Rf V1

--- = ---------- = -------- ------ = - ---- ----
Vi Vi Vi Av R1 R1 Vi

Por lo que

Vo Rf
---- = - ----
Vi R1

El resultado de la ecuacin anterior muestra que la relacin de la salida total al voltaje de entrada
depende nicamente de los valores de las resistencias R1 y Rf, siempre y cuando Av sea muy grande.

5.2.1 AMPLIFICADOR INVERSOR

El circuito de amplificador de ganancia constante que ms se utiliza es el amplificador inversor, el cual se

muestra en la figura 5.14. La salida se obtiene multiplicando la entrada por una ganancia fija o constante,
que determinan la resistencia de entrada (R1) y la resistencia de retroalimentacin (Rf), con la salida
invertida respecto a la entrada. Ecuacin:
V0 = -[(Rf / R1) V1]
Figura 5.14. Multiplicador inversor de ganancia constante.

Ejercicio 5.1:
Si el circuito de la figura 14.15 tiene R1 = 100 k y Rf = 500 k , qu voltaje de salida resulta para la
entrada de V1 = 2 V?
Solucin:
V0 = -[(Rf / R1) V1]
V1 = -[(500 / 100) 2V]
V1 = -10 V
5.2.2 AMPLIFICADOR NO INVERSOR

Las conexiones de la figura 5.15 muestran un circuito a op-amp que trabaja como amplificador no inversor
o multiplicador de ganancia constante. Debe resaltarse que la conexin de amplificador inversor es la que
ms se utiliza, porque tiene una mejor estabilidad a la frecuencia (misma que trataremos ms adelante).
Para determinar la ganancia de voltaje del circuito podemos usar que R1 es V1, debido a que Vi ? 0 V.
Este debe ser igual al voltaje de salida a travs de un divisor de voltaje R1 y Rf, por lo que

Figura 5.15. Multiplicador no inversor de ganancia constante.

R1
V1 = ---------- Vo
R1 + Rf

Lo que da como resultado

V0 R1 + Rf Rf
--- = ---------- = 1 + -----
V1 R1 R1
Ejercicio 5.2
Calcule el voltaje de salida de un amplificador no inversor (como el de la figura 5.15) para valores de V1 =
2 V, Rf = 500 k y R1 = 100 k .

Solucin :

Rf
V0 = 1 + ----- * V1
R1
500
V0 = 1 + ----- * 2 V
100

V0 = + 12

5.2.3 SEGUIDOR UNITARIO

El circuito seguidor unitario, que se muestra en la figura 5.16 proporciona una ganancia unitaria sin
inversin de polaridad o fase, est claro que:

V0 = V1
Y que la salida es de la misma polaridad y magnitud que la entrad. El circuito opera como un circuito
emisor seguidor o seguidor de fuente, a excepcin de que la ganancia es exactamente unitaria.

Figura 5.16. Seguidor unitario

5.3.1 COMPENSACIN EN FRECUENCIA

Un op-amp est diseado para ser un amplificador de alta ganancia y con un gran ancho de banda. Esta
operacin tiende a ser inestable (oscila) debido a retro alimentacin positiva. Para asegura una operacin
estable, los op-amp se construyen con circuitera de compensacin interna que tambin causa que la
ganancia muy alta de lazo abierto disminuya con el incremento de frecuencia. A esta reduccin de
ganancia se le conoce como atenuacin prograsiva. En la mayora de los amplificadores, la atenuacin
progresiva se presenta con un porcentaje de 20 dB por dcada (-20 dB/dcada) o 6 dB por octava (-6
dB/octava).
Ganancia-ancho de banda
Debido a la circuitera de compensacin interna incluida en un op-amp, la ganancia de voltaje cae
conforme se incrementa la frecuencia. Las especificaciones del op-amp proporcionan una descripcin de
la ganancia en funcin del ancho de banda. La figura 5.17 proporciona una grfica de la ganancia en
funcin de la frecuencia para un op-amp tpico. Si se baja la frecuencia hasta CD, la ganancia se
convierte en el valor listado por la especificacin AVD (ganancia diferencial de voltaje) del fabricante y por
lo general tiene un valor muy grande. Conforme aumenta la frecuencia de la seal de entrada, la ganancia
en lazo abierto cae hasta que finalmente llega al valor de 1 (unitaria).
La frecuencia en este valor de ganancia la especifica en fabricante como el ancho de banda de ganancia
unitaria, B1. Aunque este valor es una frecuencia en la que la ganancia llega a 1, y puede considerarse un
ancho de banda, puesto que la banda de frecuencia desde 0 Hz hasta la frecuencia de ganancia unitaria
es tambin un ancho de banda. Por tanto, se podra hacer referencia al punto donde la ganancia se
reduce a 1, como la frecuencia de ganancia unitaria (f1) o el ancho de banda de ganancia unitaria (B1).

Figura 5.17. Grfica de ganancia en funcin de la frecuencia

Otra frecuencia interesante es la que vemos en la figura 5.17, a la cual la ganancia cae en 3 dB (o a 0.707
de la ganancia de dc, AVD), siendo esta la frecuencia de corte del op-amp, fC. De hecho, la frecuencia de
ganancia unitaria y de corte estn relacionadas por
F1 = AVDfC
La ecuacin arriba mencionada muestra que a la frecuencia de ganancia unitaria tambin se le puede
llamar producto ganancia-ancho de banda del op-amp.
Ejercicio 5.1
Determine la frecuencia de corte de un op-amp que tiene los valores especificados B1 = 1 MHz y AVD =
200 V/mV.
Solucin:
Debido a que f1 = B1 = 1 MHz, podemos usar la siguiente ecuacin:
f1 = AVDfC
 f1 1 MHz 1 X 10e6
fC = ----------= ---------------- = ----------------- = 5 Hz
AVD 200 V/mV 200 X 10e3

5.4 AMPLIFICADOR SUMADOR

Probablemente, el circuito op-amp ms utilizado es el circuito del amplificador sumador que se muestra en
la figura 5.19. el circuito muestra un circuito amplificador sumador de tres entradas que proporciona un
medio de sumar algebraicamente tres voltajes, multiplicado cada uno por un factor de ganancia constante,
el voltaje de salida puede expresarse en trminos de las entradas como

R R R
Vo = - ---- V1 + ---- V2 + ---- V3
R1 R2 R3

En otras palabras, cada entrada suma un voltaje a la salida, multiplicado por su multiplicador de ganancia
constante separado. Si se usan ms entradas, cada una aade un componente adicional a la salida.

Figura 5.19. Amlificador sumador

Ejercicio 3
Calcule el voltaje de salida de un amplificador sumador para los siguientes conjuntos de voltajes y
resistencias. (Use R = 1 M en todos los casos)

a) V1 = +1 V, V2 = +2 V, V3 = +3 V, R1 = 500 k , R2 = 1 M , R3 = 1 M .
b) V1 = -2 V, V2 = +3 V, V3 = +1 V, R1 = 200 k , R2 = 500 k , R3 = 1 M .
Solucin

a)
1000 k 1000 k 1000 k
Vo = - ------------- (+1 V) + ------------- (+2 V) + ------------- (+3 V)
500 k 1000 k 1000 k
Vo = - [2 (1 V) + 1 (2 V) + 1 (3 V)] = -7 V

b)
 1000 k 1000 k 1000 k
Vo = - ------------- (-2 V) + ------------- (+3 V) + ------------- (+1 V)
200 k 500 k 1000 k
Vo = - [5 (-2 V) + 2 (3 V) + 1 (1 V)] = +3 V

UNIDAD VI
FUENTES DE C.D. Y
OSCILADORES CON C.I.
6.1 FUENTES REGULADAS

En la figura 6.1, el voltaje de lnea de la entrada tiene un valor nominal de 115 V. dependiendo de la
demanda de electricidad en un rea dada de localidad, este voltaje de lnea puede ser diferente de 115 V.
de hecho, el voltaje de lnea en la instalacin de potencia puede variar mucho entre hora pico y horas
tranquilas. Como este voltaje de lnea es la entrada del puente rectificador, la salida filtrada de ste es
casi directamente proporcional al voltaje de lnea. Como se puede ver en la figura 6.1, la salida filtrada del
puente rectificador es la entrada del regulador de voltaje.

Figura 6.1. Regulacin de la carga y de la fuente.

Otra forma de especificar la calidad de luna fuente de potencia regulada es su regulacin de la fuente
(tambin se llama efecto de la fuente o regulacin de la lnea). Se abrevia SR, la regulacin de la fuente
se define como el cambio en el voltaje de la carga regulado para un intervalo especfico del voltaje de
lnea, generalmente 115 10%.
La formula se define es

SR = VHL - VLL

Donde:
SR = regulacin de la fuente.
VHL = voltaje de carga con voltaje de lnea alto.
VLL = voltaje de carga con voltaje de lnea bajo.
Por ejemplo, si el voltaje de la carga es 10 V 0.3 V para un voltaje de lnea de 115 10%, entonces:

SR = 10.3 V - 9.7 V = 0.6 V

Comparando, una buena fuente de potencia tal como la 6214a de Hewlett-Packard tiene una SR = 4 MV.
El porcentaje de regulacin de la fuente es:

%SR = SR/Vnom X 100%

donde Vnom es el voltaje de carga nominal, es decir el voltaje de salida bajo condiciones de
funcionamiento caractersticas. Por ejemplo, si el cambio en el voltaje de la carga es 0.6 V y el voltaje de
carga nominal es 10 V, el porcentaje de la regulacin de la carga es:

%SR = 0.6/10V X 100% = 6%

6.2 OSCILADOR 555 Y SUS VARIANTES

Est circuito integrado est compuesto de una combinacin de comparadores lineales y flip-flips, como se
describe en la figura 6.2. El circuito completo se encuentra, por lo general, en un encapsulado de ocho
terminales, como se especifica en la figura 6.2. Una conexin en serie de tres resistencias pone los
niveles de voltaje de referencia de los dos comparadores a 2Vcc / 3 y Vcc / 3, iniciando o reiniciando la
salida de estos comparadores a la unidad del flip-flop. La salida del circuito flip-flop se lleva luego hacia
afuera por medio de una etapa de amplificacin de salida. El circuito del flip-flop tambin opera a un
transistor en el interior del CI llevando el colector del transistor a bajo, por lo general, para descargar a un
condensador de temporizacin.
Figura 6.2. Detalles del CI temporizador 555.

Operacin astable: una aplicacin popular del CI del temporizador 555 es como multivibrador astable o
circuito de reloj. El siguiente anlisis de la operacin del 555 como un circuito astable incluye detalles
sobre las diferentes partes de la unidad y cmo se utilizan las diversas entradas y salidas. La figura 6.3
muestra un circuito astable construido con la ayuda de una resistencia y un condensador externos para
fijar el intervalo de temporizacin de la seal de salida.

El condensador C se carga hacia Vcc por medio de unas resistencias externas RA y RB. haciendo
regerencia a la figura 6.3, el voltaje del condensador se eleva hasta que llega a ser superior a 2Vcc/3.
Este voltaje es el umbral en la terminal 6, que maneja al comparador 1 para disparar al flip-flop en forma
tal de que la salida en la terminal 3 pasa a bajo. Adems, el transistor de descarga se desactiva, lo que
ocasiona que la salida en la terminal 7 descargue al condensador por medio de la resistencia RB. Luego,
el voltaje del condensador disminuye hasta que cae por debajo del nivel de disparo (Vcc/3). Entonces el
flip-flop se dispara para que la salida regrese a alto, y el transistor de descarga se desactiva para que el
condensador pueda de nuevo cargarse a travs de las resistencias RA y RB para llegar a Vcc.

Figura 6.3 Multivibrador astable usando el CI 555.

Operacin monoastable: el temporizador 555 tambin puede usarse como un circuito multivibrador de un
disparo o monoestable, como se muestra en la figura 6.4. Cuando la seal de entrada de disparo para a
negativo, activa al multivibrador de un disparo, con la salida en la terminal 3 yendo a alto por un periodo
de tiempo.
Talto = 1.1 RAC
Al revisar de nuevo la figura 6.2, el flanco negativo de la entrada de disparo hace que el comparador 2
dispare al flip-flop con la salida de la terminal 3 yendo a alto. El condensador C se carga hacia Vcc a
travs de la resistencia RA. Durante el intervalo de carga la salida permanece en alto. Cuando el voltaje a
travs del condensador alcance el nivel de umbral de 2 Vcc/3, el comparador 1 dispara al flip-flop
haciendo que la salida pase a bajo. El transistor de descarga tambin pasa a bajo, haciendo que el
condensador permanezca a casi 0 V hasta que se vuelve a disparar.

Figura 6.4. Operacin de un temporizador 555 como multivibrador monoastable.