COMPONENTES Y

CIRCUITOS ELECTRNICOS
Curso adaptacin a Ingeniera Electrnica.
1er cuatrimestre

Juan Antonio Jimnez Tejada

1. 1
HORARIO 1er CUATRIMESTRE:
Martes, mircoles y jueves 13-14h; aula C22

TEMARIO TEORA 1er CUATRIMESTRE

INTRODUCCIN 1 HORA
TEMA 1. COMPONENTES ELECTRNICOS (I) 4 HORAS Calendario de prcticas
Primer cuatrimestre
TEMA 2. CIRCUITOS FUNDAMENTALES.CONCEPTOS BSICOS.4
HORAS MARTES 4.30-7.30

TEMA 3 AMPLIFICADOR OPERACIONAL IDEAL 6 HORAS 1 18-oct-11

TEMA 4 DIODOS 7 HORAS 2 8-nov-11
TEMA 5 AMPLIFICADOR OPERACIONAL. APLICACIONES NO 3 22-nov-11
LINEALES. 5 HORAS 4 13-dic-11
Total: 27 horas
5 17-ene-12

Segundo cuatrimestre
PROFESORADO: MARTES 4.30-7.30 (no definitivas)
Prof. Juan Antonio Jimnez Tejada. Teora, prcticas y problemas 1er
1 10-abr-12
Cuatr., prcticas laboratorio 2 Cuatr. (JAJT)
2 24-abr-12
Prof. Salvador Rodrguez Bolvar. Teora, problemas, prcticas 2
Cuatr. (SRB) 3 8-may-12
4 15-may-12
5 22-may-12
COMPONENTES Y CIRCUITOS ELECTRONICOS
PRIMER CUATRIMESTRE
Conceptos bsicos:
Notacin y tipo de seales.
Espectro de Fourier.
Componentes pasivos, parmetros caractersticos.
Concepto de amplificacin e inversor lgico.
Herramientas de simulacin de circuitos: SPICE
PRCTICA 1: Repaso conceptos circuitos pasivos: seal dc, ac, respuesta transitoria, diagrama de Bode, medida de
equivalente Thvenin. Simulacin con SPICE.
Amplificador operacional.
Modelo ideal. Configuraciones bsicas (inversor, no inversor, sumador, derivador, integrador, diferencial).
Modelo real (ancho de banda-ganancia, slew-rate, tensin Offset, corrientes de polarizacin).
PRCTICA 2. Filtro paso alta con amplificador operacional real. Bode. Respuesta a seales de pulsos y triangulares a
distintas frecuencias.
Semiconductores en equilibrio.
Electrones de conduccin, niveles energticos, bandas de energa.
Impurificacin, tipos de portadores de carga y de semiconductores.
Concepto de nivel de Fermi. Densidad de carga mvil y fija. Ecuacin neutralidad.
Concepto corriente de arrastre (conductividad) y de difusin.
Diodos.
Funcionamiento de una unin pn. Curva I-V cualitativa.
Carga espacial: relacin con tensin aplicada.
PRCTICA 3: Relacin densidad de carga mvil con el nivel de Fermi y la temperatura. Relacin carga espacial con la
tensin aplicada y dopado (estudio cualitativo).
Conduccin en inversa.
Dispositivos basados en uniones.
Modelos de gran y pequea seal.
PRCTICA 4. Circuitos bsicos con diodos (respuesta transitoria permanente).
Aplicaciones no lineales con amplificador operacional.
Limitadores y comparadores.
Rectificadores.
Generadores de tramos.
Concepto de realimentacin positiva.
PRCTICA 5. Detector de pico.
CRITERIOS DE EVALUACIN

PARA APROBAR LA ASIGNATURA SE HAR MEDIA ENTRE LAS NOTAS DE PRCTICAS, PROBLEMAS Y EXAMEN DE
ASIGNATURA SEGN EL PORCENTAJE QUE SE VE A CONTINUACIN

PRCTICAS
INDIVIDUALES
25%
EXAMEN ORAL DE PRCTICAS SEGN CALENDARIO

PROBLEMAS
INDIVIDUALES
OBLIGATORIOS
15%
EXAMENES ORALES DE PROBLEMAS

EXAMEN DE ASIGNATURA
60%

ACTIVIDADES PRCTICAS
LAS PRACTICAS Y PROBLEMAS PRESENTADOS FUERA DE PLAZO ESTARN PENALIZADOS. (Nota mxima de 10 puntos si
se entrega en plazo, hasta 7 puntos si se entrega dentro de una semana despus, hasta 5 puntos pasado una semana y hasta 7 das antes del
examen oficial de cuatrimestre, No Presentado pasada esa fecha).

Se mantiene la nota de problemas y prcticas en la convocatoria de septiembre.

Guin obligatorio de una prctica por cuatrimestre asignada a cada estudiante por los profesores de prcticas. Plazo de entrega: hasta 14
das despus de la finalizacin de la ltima sesin de prcticas.

EXMENES
Exmenes ordinarios: 1er parcial, 2 parcial-final, exmenes orales de actividades prcticas a lo largo del curso.
Examen de septiembre 2011: Examen de teora, problemas y de prcticas. Se mantendr la nota de problemas y de prcticas para la
convocatoria de Septiembre.
Examen de diciembre 2010: Examen de asignatura (75%) + prcticas de primer cuatrimestre (25%).

1. 4
 SEALES ELCTRICAS.
CONCEPTOS BSICOS
Seal fsica Transductor Seal elctrica

Teoremas Thevenin,
Procesamiento de seales elctricas. Norton
Funciones ms significativas:
Amplificador (electrnica analgica)
Inversor lgico (electrnica digital)
Conversores A/D, D/A

Componentes
1. 5
 Seal fsica: espectro de Fourier, suma de armnicos
T
1
ce
Representacin dominio Tiempo
f (t ) = n
jn0t
, cn = f (t )e jn0t dt: seal peridica 0 2 / T
T0
n =

1
Representacin dominio Frecuencia. f (t ) = F ( )e d , F( ) = jt
f (t )e jt dt: seal arbitraria

2

Seal Cuadrada Peridica

Aplicando el desarrollo en Serie de Fourier:

Espectro discreto de la
onda cuadrada.
0=2/T armnico fundamental.

AC
4V 1 1
V (t ) = 0 + sen ( t ) + sen ( 3 t ) + sen ( 5o t ) + ... 1
T
c0 = f (t )dt = f (t )
o
3
o
5 T 0
DC 1. 6
Notacin seales. Fuente de alimentacin DC.

Magnitudes dc I A , VC ;
Seal Salida procesada.
entrada (AC) Consumo de energa
Magnitudes ac ia (t ), vc (t )
Valor instantneo total: iA (t ) = I A + ia (t ); vC (t ) = VC + vc (t )
Seales armnicas: ia (t ) = I a exp( j (wt + a ))
Fasor: Ia = I a exp( ja )
Valor "Root mean square": < V 2 (t ) >
Si V (t ) = Vo sin(t ) Vo,rms = Vo / 2
Potencia instantanea: P(t ) = i(t )v(t ) = Im sin(t + )Vm sin(t )
T
1 1 1
Potencia media: Pa = P(t ) = P(t )dt = Vm,rms I m,rms cos = Vm Im cos = Re( I V )
*

T0 2 2
Notacin fasorial relacin I-V en componentes pasivos
definicin de impedancias anlisis de circuitos

dv A d (Va exp( jt ))
iA = I a exp( jt ) = C =C = jCVa exp( jt ); I a = jCVa Va / Z C
dt dt
1. 7
 Seales analgicas y digitales. Conversores A/D, D/A.

Seal analgica:
Seal continua.
Toma cualquier valor.

Muestreo de una
seal continua

Seal discreta en
el tiempo (no tiene por
que ser digital)

Vmax
101
Cuantificacin.
10 110
0
11
001
000
Codificacin
100
...

...

00 111
1 100
010
01 011
Vmin
niveles
1
2
2
2
3
2
N
... 2 Seal digital:
D = b020 + b121 + ... + bN12N1 donde bi = 0/1 Toma dos valores.
Nmero binario: bN-1, bN-2,...,b1, b0
Niveles: 2N, (resolucin, error de cuantificacin)
1. 8
TEMA 1. COMPONENTES
ELECTRNICOS (I)

COMPONENTES PASIVOS

1. 9
 COMPONENTES.
CLASIFICACIN.
Componentes Componentes
electrnicos: cumplen auxiliares.
funciones elctricas. o Cables
o Resistores o Sistemas de interconexin
o Condensadores o Interruptores
o Inductores o Conmutadores
o Transformadores o Conectores
o Rels o Radiadores
o Diodos o Sistemas de refrigeracin
o Transistores o Bastidores
o Circuitos integrados o Tornillos

1. 10
 COMPONENTES
ELECTRNICOS
Pasivos (no necesitan Activos
polarizacin, I-V sencilla) o Diodos
o Resistores o Transistores
o Condensadores o Circuitos integrados
o Inductores
Fuente de alimentacin DC.

Seal Salida procesada.

entrada Consumo de energa

1. 11
 COMPONENTES PASIVOS
Componente Magnitud Valor Unidades
electrnico elctrica
caracterstica
Resistor Resistencia R

Condensador Capacidad C F

Inductor Coeficiente de L H
autoinduccin.

1. 12
 Caractersticas comunes

Valor nominal: Valor de la magnitud elctrica del

componente medida en unas condiciones determinadas (temperatura,
frecuencia, tensin).
Tolerancia: mxima diferencia que puede existir entre el valor
real de un componente y su valor nominal (variables aleatorias
elaboracin del componente).
Valores normalizados: Valores nominales empleados en
los componentes. No son fruto del azar. Series de nmeros entre 1 y 10
generados por progresin geomtrica (espaciados uniformemente en
escala logartmica). Razn de la serie tal que el nmero de valores sea
de 3, 6, 12, 24, 48, 96, 192.

Ejercicio: generar las series y calcular la tolerancia de cada una.

1. 13
 Variacin de parmetros
Con la temperatura. - Relacin lineal:
P (T ) = P0 (1 + (T T0 )),
P0 valor nominal, T0 temperatura nominal
Coeficiente de temperatura:
= 1/ P(dP / dT ) = d (ln P) / dT
(% / K , ppm / K )
- Relacin no lineal: = (T) (uso de grficas)

Con la tensin. - Relacin lineal. Coeficiente de tensin:

= 1/ P(dP / dV ) = d (ln P) / dV
(% / K , ppm / K )
- Relacin no lineal: = (T) (uso de grficas)

Con la frecuencia - Normalmente no lineal (grficas)

1. 14
 Limitaciones de funcionamiento

Por temperatura:
o Temperatura ambiente
o Temperatura y tiempo soldadura
o Potencia disipada en componente

Por tensin: campo elctrico de ruptura

o Disrupcin dielctrica.
o Alta corriente

1. 15
 Especificaciones y estndares

Completas
Veraces
Normalizadas
o Condiciones de medida.
o Metodologa.
o Terminologa
o Estndares [UNE (E), DIN (D), UTE (F)]

1. 16
 Comportamiento trmico.
Papl=Pdis+dEalm/dt Rgimen estacionario: Papl=Pdis

Flujo de calor: Pdis=Gth(TC-Tamb)

Gth: conductancia trmica
Rth=1/Gth: Resistencia trmica
P dis
TC=RthPdis+Tamb
Pmax=(Tmax-Tamb)/Rth TC

jc
jc 30 C / W (TO99)
o

o Rth=jc+ca
silicio - cpsula 4 C / W (TO 3)
ca
ca 100 C / W (TO99)
o

cpsula - ambiente o
40 C / W (TO3) T amb

ca
2 - 30 oC / W
con disipador
1. 17
Rgimen no estacionario:

Variacin temperatura ambiente C th

P apl
Variacin potencia aplicada a componente
TC
Papl=Pdis+dEalm/dt
jc
Papl=(TC-Tamb)/Rth+CthdTC/dt R th= jc+ ca

Ealm=CthTC, Cth: capacidad trmica (J/K) ca

T amb
TC=RthPapl+Tamb+Aexp(-t/RthCth)
Constante de tiempo trmica, th= RthCth

1. 18
Ejemplo:

Resistencia en rgimen continuo.

P=IdcVdc=Idc2R
T=T-Tamb=PRth
Pmax=(Tmax-Tamb)/Rth

Resistencia en rgimen alterno

T<< th:
T=T-Tamb=PRth=(Vrms2/R)Rth= T
V T/2 << th
=(Vpp2/2)(Rth/R)=50oC
10 V

T>> th: t

T=T-Tamb=PRth=(V2/R)Rth t
T >> th
T
=100oC, nivel alto R=100
Rth=100 oC/W
= 0oC, nivel bajo t h=0.1s
T

1. 19
 RESISTORES FIJOS.
Clasificacin por aspecto fsico.
Tipo de resistor
Composicin de carbn
Pelcula de carbn (pirolticos)
Pelcula de metal o de xido-
metal
Bobinado
Construccin tpica
Polvo de carbn mezclado con
adhesivos y moldeado en forma
cilndrica con los terminales
embutidos en el cuerpo.
Carbn puro depositado sobre un
cilindro de cermica o vidrio y
sellado hermticamente con
epoxy o pintura.
Pelcula de metal puro o mezcla
de metal con aislantes depositada
sobre sustrato de cermica o
vidrio, y sellado hermticamente.
Hilo de aleacin metlica
bobinado sobre un ncleo
aislante, y recubierto con una
capa vtrea, de silicona o de
barniz.
Aplicaciones y comentarios
Uso general, particularmente si
no hay necesidad de exactitud y
no es necesario trabajar en
condiciones de alta temperatura o
humedad. De bajo coste.
Uso general cuando se necesitan
mejores prestaciones por las
condiciones de humedad y
temperatura.
Utilizados cuando se necesita
bajo coeficiente de temperatura y
gran exactitud para un circuito
crtico. Ms caras que las
anteriores.
Utilizados para alta disipacin de
potencia o para alta precisin.
Ocupan mucho espacio y son los
ms caros.
1. 20
 Resistores fijos.
Clasificacin por su uso.
Uso general Composicin, de pelcula.
Precisin Pelcula metlica, bobinados.
Potencia Mayor tamao, de gran variedad
de aspectos.
Cilindro lacado con 4 bandas de
colores (resistencia nominal +
tolerancia)
5 6 bandas de colores,
indicando coeficiente de
temperatura. Se pueden encontrar
tambin los datos impresos.
Impresos el valor hmico y la
potencia nominal.
1. 21
Cdigos de resistores
R: ohmio
K: kilo
M: Mega

F: 1% tolerancia
G: 2% tolerancia
J: 5% tolerancia
K: 10% tolerancia
M: 20% tolerancia

Ejemplos: 6K8G 6.8k, 2%

220RK 220, 10%

1. 22
 Cdigos de resistores
Figures Tolerance Color
Multiplier Temp. Coeff.

0.01 10% Silver

0.1 5% Golg Figures

0 1 200 Black Multiplier () -6

Temp. Coeff (10 /K)

1 10 1% 100 Brown
2 100 2% 50 Red
3 1K 15 Orange
4 10K 25 Yellow
Tolerance
5 100K 0.5% Green
6 1M 0.25% 10 Blue
7 10M 0.1% 5 Violet
8 1 Grey
9 White

1. 23
 Comportamiento en frecuencia
Modelo real de resistor
C

R L
Ejercicio: a) Representar el mdulo de la impedancia real del resistor
normalizada (|Z(jw)|/R) en funcin de la frecuencia, admitiendo que la
capacidad parsita es de 1 pF y la inductancia parsita L=1nH. Representarlo
para diferentes valores de R (100, 1k, 10k, 100k, 1M. b) Buscar hojas
caractersticas de resistores donde se muestre el comportamiento en frecuencia
y determinar el valor de C y de L.

1. 24
 RESISTORES VARIABLES.
+
VO
-
Potencimetro:
Reostato: 9 Divisor de tensin.
9 R variable. 9 Corriente solo por
9 Toda la corriente por pista resistiva.
contacto central. 9 F() ley de variacin
-Lineal (salida fuente
R ( ) = RT G ( ), 0 < G ( ) < 1 alimentacin)
posicin, -Logartmica
RT resistencia entre terminales fijos (volumen salida
amplificador)
EO ( ) = ET F ( ) = ET ,
0 < = F ( ) < 1

1. 25
 Clasificacin
Por uso:
Retoques de ajuste (envejecimiento componentes, preset
potentiometers, trimming potentiometers)
Control (potencimetro ajuste audio)

Por construccin:
Modo de accionar el cursor (una vuelta o multivuelta).
Naturaleza pista conductora (similar a resistores fijos: bobinado, pista
continua)
Parmetros especficos
Elctricos:
Resistencia mnima absoluta, resistencia terminal, relaciones de voltaje
mnimo y final, resistencia de contacto, corriente mxima por cursor,
ajustabilidad.

Mecnicos:
ngulo mecnico de rotacin, ngulo de conmutacin, ngulo muerto
de rotacin. 1. 26
 RESISTORES NO LINEALES
Resistores cuya I-V es no lineal.

Tipos:
Termistor (variacin con temperatura)
Varistor (variacin con campo elctrico)
Sensores resistivos (variacin con otras magnitudes
fsicas: magnetorresistores, fotorresistores)
V
R est = = R( I )
Resistencia esttica I

dV d [ Rest ( I ) I ] dRest
Resistencia dinmica Rdin = = =I + Rest
dI dI dI

1. 27
 Termistores.

Negative temperature coefficient resistors (NTC)

xidos metlicos con caractersticas de semiconductores intrnsecos.
Modelo emprico
1 1
B( )
RT = RN e T TN

RT: valor a T
RN: valor a TN (temperatura nominal, 298K)
B (K): constante o variable con T: B(T)=B0(1+(T-TN))

1. 28
 Caracterstica I-V. Disipacin de potencia.

T Tamb = Rth P
1 1
V B( )
RthVI + Tamb TN
R= = RN e
I
10
298 K
323 K
Determinacin de parmetros. 8 Im,Vm 348 K
373 K

R(Ti): pendiente a bajas I 6

T2

Tensin (V)
T1
B: cociente R(T1)/R(T2) 4

Rth: (T1-T2)/ImVm 2

Potencia mxima disipable, temperatura 0

mxima o resistencia mnima. -0,02 0,00 0,02 0,04 0,06 0,08 0,10 0,12 0,14 0,16 0,18
Corriente (A)

Ejercicio: a) Calcular los valores de R298, R323, B, Rth, la resistencia mnima, y la temperatura
mxima del punto caliente a partir de las curvas de la figura. b) Generar una serie de curvas como la de
la figura a las mismas temperaturas para un NTC con los siguientes parmetros:
RN=5k, TN=298 K, B=3800 K-1, Rth=100 K/W.
1. 29
 Polarizacin.
Recta de carga. Punto de trabajo.
R
+ 10

Q1

Vi NTC V 8
Q2
recta de carga

Tensin (V)
6

- 4
Vi = IR + V
Q3

1 1
Q1, Q2, Q3: puntos de trabajo 2

V B( )
RthVI + Tamb TN
Q1, Q3: puntos estables 0
= RN e
I
Q2: punto de trabajo inestable -0,02 0,00 0,02 0,04 0,06 0,08 0,10 0,12 0,14 0,16 0,18

Corriente (A)

Aplicaciones:
Termometra (polarizacin baja potencia, automvil).
Retardo temporal (inercia trmica, th=RthCth, t=0 R NTC Bobina rel
alta, t R baja).
Compensacin de componentes con coef. de
temperatura positivo.
1. 30
 Positive temperature coefficient resistors (PTC)
Estructuras metlica multigrano. (BaTiO3)
Curvas R(T) ms modelos empricos.

R(T) IV En la prctica dos zonas:

a) I y II valor constante
III
b) Valor emprico para III
I II
Rref
Rmin
B (T Tref )
T1 Tref T fin T RT = Rref e Tref T T fin

Caracterstica I-V Rmin

I

T Tamb = Rth P 298 K

V 308 K
R = = Rref e BRthVI Rmax

I V
Polarizacin similar a NTC.
Aplicaciones
- Proteccin circuitos contra sobre corrientes (PTC en serie con circuito, motores)
ITRI
- Calefactor
- Retardador (en paralelo con bobina rel)
- Termmetro.
1. 31
 VARISTORES
Voltage dependent resistor VDR
Estructuras multigrano. Conduccin limitada por fronteras de grano.
Relacin I-V no lineal, emprica
I R
I = kV >1
Vd
V = CI < 1
V
V 1
R = = V 1 = CI 1
Vd V
I k

Barrera de grano
-> tensin de disparo
-> zona R(V)

1. 32
 Resistencias esttica y dinmica:
V 1 1
R e st = = V = CI 1
I k
dV
Rdin = = CI 1 = R e st
dI
Disipacin de potencia (VefIef), problema no lineal:
V (t ) = Vo sin(t )
I = kV = kVo (sin(t ))
T T
I ef = 1/ T I (t )dt = 1/ T k 2Vo 2 (sin(t )) 2 dt
2

0 0

Caso de inters (rgimen pequea seal):

V (t ) = Vdc + Vac sin(t ), Vac Vdc
V = Rdin I
2
Vdc 2 Vace ff
P= +
R e st R din

Aplicaciones: supresin picos de tensin en dispositivos conmutados

de carga inductiva (motores, bobinas de rels, transformadores)
1. 33
 CONDENSADORES
Caracterstica principal, capacidad: C=Q/V. C=r0A/d (plano
paralelo).
Variaciones con temperatura, frecuencia..., determinadas por
dielctrico.
Clasificacin:
plstico r2-3, r= r(T,f,V)
cermicos r104
electrolticos (Al2O3) r9
Tipos
Polarizados (electrolticos)
No polarizados (electrostticos)

1. 34
 Especificaciones

Capacidad nominal (25oC, 103 Hz), (25oC, 100 120 Hz electrolticos).

Valores preferidos: serie tolerancia 5%
Tolerancia en condensadores mayor que en resistores.
D:.5pF F :1% G :2%
H:2% J :5% K :10%
M:20% P :+100%-0% Z :+80%-20%
Temperaturas mxima, mnima, rango.
Tensiones
Tensin nominal (rated voltage) VNVdc+Vacpico (Valores usuales 10/16/25/40/63)
Tensin lmite (peak voltage). Valor de ruptura dielctrica (20%VN, 1.2 VN...)
Voltage category: mximas Vdc y Vac
Max. Voltage rate: mxima pendiente de tensin, dV/dt, para evitar picos de
corriente.
Fugas (comportamiento dc)
Resistencia de aislamiento RI=Vdc/Ifdc
Constante de tiempo de autodescarga, (T)=RI(T)C
Corriente de fugas Ifdc

1. 35
Prdidas (comportamiento ac)

Q(t ) = i (t )dt C=
Q
=
i(t )dt i (t ) = C
dV (t )
V (t ) V (t ) dt

Si V(t)=V0sin(t) -> corriente adelantada 90o

T

V (t )i(t )dt = 0
0
no se disipa potencia

Si existen prdidas -> desfase 90o + i

I
Cs
tan: factor de prdidas,
v
Cs
-
Q=1/ tan : factor de calidad
i Rs

Valores buenos: tan10-4 Ideal Real

Valores regulares: tan10-2 v v
Valores malos: tan1
V = I ( Rs + 1/ jCs ) = I ( Rs j / Cs )
v
R

Rs
D = tan = = Rs Cs
1/ Cs
Z c = Rs2 + (1/ Cs ) 2 i

desfase V-I = / 2 = / 2 tan 1 ( Rs Cs ) 1/Cs

1. 36
 Modelo alternativo: 1
I =V( + jC p )
Rp
i
Cp 1/ R p 1
D = tan = =
C p RpC p
1

Rp Cp Prdidas nicas, modelos equivalentes = Rs Cs
RpC p
1
Z = ( + jC p ) 1 = Rs + 1/( jCs )
v 1/Rp Rp
R p = Rs ( D 2 + 1) / D,
C p = Cs /(1 + D 2 )
En buen condensador D 1( 103 ), C p Cs , R p Rs / D 2

Modelo ms completo:
Rp
L Rc

Contactos
C
1. 37
Ejercicio: Buscar en las hojas caractersticas de un condensador sus parmetros L, Rc, Rp, C.
Representar |Z| y tan en funcin de la frecuencia

1000 1 103
mdulo impedancia en funcin de f

Z
ij
100
Comportamiento
10 inductivo
Comportamiento 1
capacitivo 1
10 100 1 10
3
1 10
4
1 10
5
1 10
6
1 10
7
1 10
8
1 10
9
10 w
ij .
1 10
9

2 .
frecuencia (Hz)

27.692285
tangente de prdidas en funcin de f
100

10
tan(delta)

tandel 1
ij
0.1

0.01
3.475158 .10
3
3
1 10
3 4 5 6 7 8 9
10 100 1 10 1 10 1 10 1 10 1 10 1 10 1 10
10 w
ij .
1 10
9

2 .
frecuencia (Hz)

tan= 1/(CRp), (CRs), Rs/(L)

1. 38
Potencia disipada en condensador:

0, Prdidas a travs de R s =tan /( Cs )

Wac =I rms 2 R s

I rms = Vac / Z = Vac / Rs 2 + 1/(Cs ) 2 = Vac /( Rs 1 + 1/ D 2 ) = Vac /( Rs ( D 2 + 1) / D 2 )

D2 1
Wac = Vac 2

D 2 + 1 Rs
si tan 1 Rs 1/ Rs , Z 1/ Cs , Wac = Vac 2 2Cs 2 Rs

=0
Wdc =Vdc If =If 2 R I (corriente de fugas, resistencia de aislamiento)

WT = Wdc + Wac = W f
f

1. 39
Tipos de condensadores:
No polarizados
De plstico (acetato de celulosa, polister, poliestireno, policarbonato,
polipropileno, tefln): aplicaciones normales, buenas prestaciones,
bajo precio.
Cermicos (tipo lenteja), xidos metlicos: valor alto de r, alta C
o Comportamiento estable con temperatura
o Comportamiento inestable con temperatura
Otros: papel, vidrio, variables (de aplicaciones ms especficas).
Polarizados electrolticos.
-Gran valor de la capacidad (tox pequeo)
-Uso de metales sobre los que se crece xido si la corriente circula en
un sentido, en el otro sentido se descompone el xido.
-Deficientes en cuanto a fugas, prdidas, mrgenes tiles de
frecuencia, tolerancias>50%
-tiles en filtros paso banda en fuentes de alimentacin
-Al2O3: r=9, Ta2O5: r=22

1. 40
 Bibliografa:
Juan A. Lpez Villanueva, Juan A. Jimnez Tejada, Fundamentos de circuitos
para electrnica, Universidad de Granada.
J. Sangrador Garca et al. Componentes electrnicos pasivos. Universidad
Politcnica de Madrid.

1. 41
APNDICE.
Tierra

El trmino tierra (en ingls earth), como su nombre indica, se refiere al potencial de la superficie de la
Tierra.
El smbolo de la tierra en el diagrama de un circuito es:

Para hacer la conexin de este potencial de tierra a un circuito se usa un electrodo de tierra, que puede ser
algo tan simple como una barra metlica anclada el suelo, a veces humedecida para una mejor conduccin.
Es un concepto vinculado a la seguridad de las personas, porque stas se hallan a su mismo potencial por
estar pisando el suelo. Si cualquier aparato est a ese mismo potencial no habr diferencia entre el aparato
y la persona, por lo que no habr descarga elctrica peligrosa.
Por ltimo hay que decir que el potencial de la tierra no siempre se puede considerar constante,
especialmente en el caso de cada de rayos. Por ejemplo si ha cado un rayo a una distancia de 1 kilmetro,
la diferencia de potencial entre dos puntos separados por 10 metros ser de ms de 150 V.

Masa
La definicin clsica de masa (en ingls ground) es un punto que servir como referencia de
tensiones en un circuito (0 voltios). El problema de la anterior definicin es que, en la prctica, esta tensin
vara de un punto a otro, es decir, debido a la resistencia de los cables y a la corriente que pasa por ellos,
habr una diferencia de tensin entre un punto y otro cualquiera de un mismo cable.
Una definicin ms til es que masa es la referencia de un conductor que es usado como retorno comn de
las corrientes.
La masa y la tierra en un circuito no tienen porque tener la misma tensin. Incluso la forma de onda de la
masa respecto a la tierra puede ser variable, por ejemplo en un convertidor Buck.
El smbolo de la masa en un circuito es el siguiente (tambin es aceptable sin el rayado):

1. 42
APNDICE: El Rel
El Rel es un interruptor operado magnticamente. Este se activa o desactiva (dependiendo de la conexin) cuando el
electroimn (que forma parte del Rel) es energizado (le damos tensin para que funcione). Esta operacin causa que
exista conexin o no, entre dos o ms terminales del dispositivo (el Rel).
Esta conexin se logra con la atraccin o repulsin de un pequeo brazo, llamado armadura, por el electroimn. Este
pequeo brazo conecta o desconecta los terminales antes mencionados.
Ejemplo: Si el electroimn est activo jala el brazo (armadura) y conecta los puntos C y D. Si el electroimn se desactiva,
conecta los puntos D y E.
De esta manera se puede tener algo conectado, cuando el electroimn est activo, y otra cosa conectada, cuando est
inactivo
Es importante saber cual es la resistencia del bobinado del electroimn (lo que esta entre los terminales A y B) que activa
el rel y con cuanto voltaje este se activa.
Este voltaje y esta resistencia nos informan que magnitud debe de tener la seal que activar el rel y cuanta corriente se
debe suministrar a ste.
La corriente se obtiene con ayuda de la Ley de Ohm: I = V / R.
donde:
- I es la corriente necesaria para activar el rel
- V es el voltaje para activar el rel
- R es la resistencia del bobinado del rel
Ventajas del Rel:
- Permite el control de un dispositivo a distancia. No se necesita estar junto al dispositivo para hacerlo funcionar.
- El Rel es activado con poca corriente, sin embargo puede activar grandes mquinas que consumen gran cantidad de
corriente.
- Con una sola seal de control, puedo controlar varios Rels a la vez.

1. 43
 TEMA 2. CIRCUITOS
FUNDAMENTALES.
CONCEPTOS BSICOS.
AMPLIFICADORES.
INVERSOR LGICO DIGITAL

2. 1
 AMPLIFICADORES
Importante: linealidad vO(t)=AvvI(t), Av =Ganancia
No linealidad: distorsin

Curva caracterstica vO-vI.

Ganancias:
vO
Ganancia de tensin: A v = A v e jv 20log( A v )
vI
iO
Ganancia de corriente: A I = A I e jI 20log( A I )
iI
PL i O vO
Ganancia de potencia: A P = 10log(A P )
PI iI vI

Conservacin de Energa: Pdc+Pi = PL+Pdisp

Pdc=IiVi;
Pi=Pot. de la seal en la entrada.
PL=Pot. Entregada a al carga;
Pdis= Pot. disipada en forma de calor.
Eficiencia del amplificador PL/Pdc 100
2. 2
Saturacin del amplificador
Caso vO-vI lineal entre valores de fuentes de alimentacin
La salida nunca puede exceder los valores de las fuentes de
alimentacin.

Para evitar la distorsin

debe cumplirse:

L L+
Vi
AV AV

2. 3
Saturacin del amplificador
Caso real: vO-vI no perfectamente lineal
Solucin:
1. Eleccin de la regin donde vara la seal en zona lineal (Polarizacin,
eleccin del punto de trabajo adecuado).
2. Amplitud de la seal ac pequea.
Redefinicin de ganancia:
dvO v O
Av (pequea seal)
dv I enQ
v I
vO (t ) = VO + vo (t ) = VO + vO (t )

En laboratorio medimos:
V(V)

V O(t)
VO

V I(t)

V Vopp
Av = V = Vo VI
VIpp

2. 4
Modelos de circuitos para amplificadores.

Circuitos Modelos simples. Medidas de laboratorio.

complejos Unilaterales. Anlisis de circuitos.
Obtencin modelos
Amplificador de Tensin:
Ri : Resistencia de Entrada; RO : Resistencia de Salida;
AVOvi : Fuente de tensin controlada por tensin.
vi v
Ri = ; RO = x
ii ix vi = 0

Ri
vi = v s
Ri + Rs
RL
v O = AVO vi
R L + RO

Para un amplificador de tensin es recomendable Ri grande y RO pequeo.

Amplificador Buffer = Adaptador de impedancias, (AVO1).
Existen cuatro tipos de amplificadores dependiendo de la relacin
tensin/corriente entrada/salida:

2. 5
2. 6
 Respuesta en frecuencia de amplificadores.
Existencia de componentes Z=Z() (ZC =1/jC; ZL = jL.) AV= AV() No tiene
Funcin de transferencia T()=vo/vi ()=|T()|exp(jV) sentido!
|vo|= |vi| |T()|
Vo= Vi+ V() V(V)

V O(t)
VO
Vopp
En laboratorio medimos: V I(t) Av = V = Vo VI
VIpp
t

Ancho de Banda (BW)

1 y 2 son las frecuencias de corte

20 log T ( C ) = 20 log T ( max ) 3dB

T ( max )
T ( C ) =
2

El ancho de banda debe coincidir con el espectro de las seales a amplificar.

De lo contrario se produce una distorsin de la seal.
2. 7
 Circuitos de una nica constante de tiempo. Cte. de tiempo
=RC

Paso Bajo Paso Alto

Diagrama de Bode Respuesta del tipo Paso-bajo.

Diagrama de amplitudes

0 = Frecuencia de corte

Diagrama de fases

2. 8
Clasificacin de los amplificadores segn su respuesta en frecuencia.
(a) Paso bajo?: ganancia plana + (b) Paso bajo: ganancia plana +
efectos condensadores (C internas efectos condensadores (C internas
limitan en alta frecuencia y las limitan en alta frecuencia y las
externas (C grande, acoplo) en baja. externas (C bajas en CIs) tambin.
Acoplamiento capacitivo. Acoplamiento directo

(c) Amplificadores sintonizados paso banda

(receptores de radio o TV).
2. 9
 INVERSOR LGICO DIGITAL
Elemento bsico en diseo de CI digitales.
Funcin: Vi Vo
0 1
1 0
Caracterstica de transferencia (Voltage transfer characteristic, VTC)
VIL = Mximo valor de la tensin de entrada que es
considerado 0 lgico
VIH = Mnimo valor de la tensin de entrada que es
considerado 1 lgico
La salida permanece cte. e independiente de la
entrada dentro de un intervalo.
Margen de ruido para nivel alto NMH =VOH VIH
Margen de ruido para nivel bajo NML=VIL VOL
El circuito digital elimina las fluctuaciones (ruido)
en la entrada siempre que estn dentro de los
mrgenes.
Diseo Ideal : VIH =VIL =VDD /2 NMH =NML
=VDD /2

2. 10
Caractersticas Fundamentales de una Tecnologa:

1.- Potencia disipada :

Pot. Dinmica: Consumo producido durante las
conmutaciones,
Pot. Esttica: Consumo en reposo, originada por
corrientes de perdidas Ileak

Vi
2.- Retardo en la Propagacin:
t1 = Cambio en la entrada t2 = Cambio en la salida;
Retardo t2 t1. t
Los transistores presentan un tiempo de
conmutacin no nulo. Vo tpLH
tpHL
Presencia de una capacidad en el nodo de salida que 50% 50%
hay que cargar y descargar hasta alcanzar los valores
VOH , VOL. t

2. 11
2. 12
 Bibliografa:

A.S. Sedra y K.C. Smith, "Microelectronics Circuits", 5 ed.,Oxford

University Press, 2003

2. 13
 COMPONENTES
ELECTRNICOS (II)
COMPONENTES ACTIVOS

Tema 3. Amplificador operacional

Tema 4. Diodos
Tema 5. Aplicaciones

3. 1
 Tema 3. Amplificadores operacionales (A.O.)
Circuito integrado, complejo, ms de 20 transistores.
Comportamiento terminal ideal muy sencillo elemento de circuito.
Muchas aplicaciones: operaciones matemticas, computacin analgica.

Smbolo y terminales.
Advertencia: VPP corresponden a las
fuentes dc de valor 15V o 12V y no
suelen representarse.
Otros terminales: ajuste del Offset,
compensacin en frecuencia, etc.

A.O. ideal. v+ vO
vO = A(v+ v )
RO = 0
v-
v+
-
+
vO +
-
A(v +-v-)
Ri = (i+ = 0, i = 0)
A (ganancia en lazo abierto) v-
B (ancho de banda)
Amplificador diferencial: Rechazo en modo comn.
A , vO finito v+ = v (cortocircuito virtual)
3. 2
 Aplicaciones. Anlisis de circuitos con A.O.
Configuracin inversora.
R2
G vO / vI , ganancia en lazo cerrado.
R1
Anlisis con A finita:
vI
- vO
vO = A(v + v ) = Av +
R
2
( vi v ) = ( v vO ) G = vO = R1
vi 1 R
R1 R2 1 + 1 + 2
A R1
Anlisis con A
v v+ = 0

(v v )
i
=
( v vO ) G = vO = R2
vi R1
R1 R2

R2
Vlido para 1 + A
R1
Resistencia de entrada: Ri = vI / iI = R1 ; iI = (vI v ) / R1 = vI / R1
Resistencia de salida: RO = (vO / iO ) vI =0 = 0

3. 3
 Z2
Configuracin inversora con impedancias.
Z1
VO ( s ) Z (s) -
= 2 vI
vO
Vi ( s ) Z1 ( s ) +

Integrador inversor. C

t
VO 1 1 R

RC 0
= , vO (t ) = vI (t )dt -
Vi sRC vI vO
+
VO 1
Respuesta en frecuencia: = , = +90o
Vi RC

Rf
Integrador Miller: para evitar la saturacin de la
salida si existe componente dc a la entrada R
C
-
v I(t) vO(t)
+

3. 4
Derivador inversor.
VO dv (t )
= sRC , vO (t ) = RC I
Vi dt
V La amplitud aumenta con
Respuesta en frecuencia: O = RC , = 90o 20dB/dec o 6dB/oct.
Vi

Problema: El circuito amplifica en la salida las variaciones bruscas de la entrada (ruido).

Circuito inestable.
Solucin: Derivador no ideal (Se puede aadir una resistencia en serie con la capacidad).
R

Rf C

vI(t)
-
vO(t)
+

3. 5
Sumador ponderado. Amplificador No Inversor Seguidor de Tensin
vO=vi. Se utiliza como
R2
N
vi (t ) v O (t ) = 1 + v (t ) adaptador de impedancias.
v O (t ) = R F R1 i (Amplificador Buffer)
i =1 Ri Ri=, RO=0.
Ri= ya que Ii=0. Suponer A finita:
El A.O. nos permite realizar
diferentes operaciones R2
1 +
matemticas. vO R1
Computacin analgica. G= =
vi 1 R
1+ 1 + 2
A R1

3. 6
Amplificador diferencial.
Aplicando superposicin:
R
v a =0 vO1 = 2 vb
R1
R4 R
v b =0 vO 2 = va (1 + 2 )
R3 + R4 R1
R2 1 + R2 / R1
vO = vb + va
R1 1 + R3 / R4
Salida diferencial: rechazo modo comn.
vO = 0 cuando va = vb
R2 R4 R
= , vO = 2 (va vb )
R1 R3 R1
R2
R1
Clculo resistencia de entrada -
-
v2 v1 = R1i + 0 + R3i v2-v1 +
+ vO

Rin = R1 + R3 R3 Seal: V=1mV. Procesar

R4

Sistema
Desventajas: baja Rin, mal ajuste de ganancia. Transductor
instrumentacin
Solucin: amplificador de instrumentacin
Interferencia con tierra
comn 1V. Eliminar
3. 7
Amplificador de instrumentacin.

v2 v1 v1 v3
=
R R1

v2 v1 v4 v2
=
R R1
2R
( v4 v3 ) = (v2 v1 )( 1 + 1)
R
R
vO = 0 ( v4 v3 )
R2
R0 2 R1
vO = 1 + ( v1 v2 )
R2 R

Ri=.
La ganancia la determina la primera etapa. R es un potencimetro que permite fijar la
ganancia al valor deseado.
La segunda etapa elimina el modo comn. Su ganancia es unidad y las cuatro
resistencias se suelen elegir del mismo valor.

3. 8
Efecto de la ganancia y ancho de banda finito.

El comportamiento real del A.O. difiere del ideal. La ganancia en lazo abierto
es finita y disminuye con la frecuencia.

Open-Loop-Gain A(f)

La ganancia dc es 105
A(f) disminuye 20dB/dec.
Comportamiento tpico
de A.O. con compensacin
interna

A0
A ( s) = ; A0 = 10 5 b = 2 10 rad / s
s
1+
b
t=A0b Ancho de banda de ganancia unidad.
Parmetro especificado en las hojas caractersticas.

3. 9
Respuesta en Frecuencia para Lazo Cerrado. Configuracin Inversora.
R2 R2

vO R1 R1 R
= = ; A0 >> 1 + 2
vi 1 R2 1 R2 s R2 R1 R2
1+ 1 + 1 + 1 + + 1 +
A R1 A0 R1 A0b R1 R1
R -
2 vI vO
vO R1 AVO A R +
= = ; 3dB = 0 b ; AVO = 2
vi s R2 1 + s +
R2 R1
1+ 1 + 1
A0b R1 3dB R1

El inversor presenta una respuesta paso-bajo con una nica cte. de tiempo.
Producto Ganancia-Ancho de Banda AVO3dB A0b = Cte.
Compromiso entre ganancia y ancho de banda.

Configuracin no Inversora.

R2 R2 R2
1 + 1 + 1 +
=
R1 1
=
vO R R1

vi 1 R2 s R2 1 + s
1 + 1 + 1 + 1 +
A R1 A0b R1 3dBb
R
A0  1 + 2
R1
3. 10
Slew Rate (Rapidez de respuesta). Tiempo de subida. Efectos de gran seal.
Parmetro que define la mxima velocidad de respuesta de un A.O.

dvO
SR
dt max

Respuesta a un escaln de tensin. Seguidor de tensin.

VO 1
( s) = ; ( R1 R 2 = 0 Conf . No inversora )
Vi s
1+
t

Vi ( s ) =
V
Suponer respuesta lineal del circuito. Vt>SR
s
V 1 1 1 1
VO ( s ) = =V
Laplace

s 1+ s s s + t
t
(
vO (t ) = V 1 e tt )
dvO (t ) dvO (t )
= V t e tt , = V t
dt dt t =0

Tiempo de subida Tiempo que tarda 2.2

t r t 90% t 10% =
en pasar del 10% al 90% del valor final. t
(Vt<SR)
3. 11
Slew Rate (Rapidez de respuesta). Ancho de banda a plena potencia.
Parmetro que define la mxima velocidad de respuesta de un A.O.

dvO
SR
dt max

Respuesta a una seal senoidal.

dvi
vi = V sen(t ); = V cos(t )
dt

El mximo se alcanza en los cruces

por cero.
No distorsin: V<SR
Distorsin: V>SR.

Ancho de banda a plena potencia:

Vomax: voltaje nominal de salida
MVomax SR
Para amplitudes V< Vomax la frecuencia a la que aparece la distorsin ser mayor
3. 12
No idealidades dc.
Dispositivo de acoplamiento directo. Gran ganancia dc Problemas
Son consecuencia de los desajustes inevitables en la etapa diferencial situada en la entrada del A.O.

oTensin de offset VOS

Si cortocircuitamos las entradas conectndolas a tierra V+=V=0 , la salida no se anula VO 0.
VOS Tensin aplicada a los terminales del A.O. que hace cero la salida.
VOS 1-5 mV. Depende de la Temperatura y se especifica en V/oC.
No tiene polaridad definida (suceso aleatorio).
R1 R2
Modelo:
-
R2
+
-

vO = VOS (1 +
V OS -
VOS + vO )

+
-
+ R1

Soluciones prcticas:

Entradas adicionales en el Inversor capacitivamente Integrador Miller

A.O. para ajuste del offset. acoplado Rf
R2
+V
- C R1 R
C
+ -V
vI - vO
-
vI(t) vO(t)
+ +

3. 13
oCorrientes de polarizacin, IB, IOS
I B1 + I B 2
Input bias current: I B = 100nA
2
Input offset current: I OS = I B1 I B 2 10nA
Modelo:
I OS
vO = ( I B + ) R2  I B R2
IB
IOS/2
+ IB
IOS/2
+ 2

vO

IB
- R1

IB
-
R2
I
( I B + OS ) R3
Solucin: 2
I OS R3 I I R v
(I B + ) + ( OS I B ) = ( I B + OS ) 3 O
+
R3
2 R1 2 2 R2 R2
IB
vO I R R I
IOS/2
vO = ( I B + OS ) 3 ( 2 + 1) ( OS I B )

IB
- R2 2 R2 R1

si R3 = R2 // R1
vO
2
I I
= ( I B + OS ) ( OS I B ) = I OS
R2 2 2
R2
vO = I OS R2
3. 14
Modelo completo del amplificador operacional

3. 15
 Bibliografa:
A.S. Sedra y K.C. Smith, "Microelectronics Circuits", 5 ed.,Oxford University
Press, 2003.

3. 16
 TEMA 4. DIODOS
4.1. Fundamento fsico de los semiconductores.
4.2. Fundamento fsico de la unin
semiconductora.Caracterstica I-V.
4.3. Modelos de circuito.

4. 1. 1
4.1 Fundamento fsico de los semiconductores.
1. De que estn hechos la mayora de los dispositivos electrnicos?
SEMICONDUCTORES CRISTALINOS
2. Quin participa en la corriente elctrica? ELECTRONES,...
3. Dnde se encuentran esos electrones? ESTADOS ELECTRNICOS
AGRUPADOS EN BANDAS DE ENERGA.
tomo aislado Molcula Red peridica

Banda de conduccin
EG
Banda de valencia

4. Participan todos los electrones del cristal en la conduccin?

SOLO LOS DE LAS BANDAS DE MAYOR ENERGA
5. Qu materiales son conductores de corriente elctrica? METALES.
SEMICONDUCTORES A T0
Aislantes y
Metales semiconductores

EC EC
Si
EC EC F>0 EG EV
EG T=0 K EG F.0 EG - Si Si Si
EV EV Semiconductor.
EV
Conduccin por
Si 1
Aislante e- y huecos 2
Conduccin por electrones No conduccin

6. Hay conduccin en la banda de valencia?

HUECOS
4. 1. 2
 7. Es necesario aplicar conceptos de mecnica cuntica para describir el movimiento de
electrones y huecos en el semiconductor? EN LA MAYORA DE LOS CASOS SE
DESCRIBEN CLSICAMENTE. LOS EFECTOS DE LAS FUERZAS INTERNAS DEL
CRISTAL SE INCLUYEN EN LA MASA DE ELECTRONES Y HUECOS (MASA
EFECTIVA). E
Electrn libre: EC Electrn en cristal:
dp d( =k) E
F = -qE = = = ma EV
dt dt F = -qE + F int = ... = ma
p
2 2 2
=k * dp*
E= = - qE = m a = ??
2m 2m dt
k k
000 100

1 d 2E 2
E(k)= E( k 0 )+ 2
(k - k 0 ) + ..
2 dk
2 2
= ( k n - k min )
E n( k n )= E c + + ...
2 m*n
2 2
= kp
E p( k p )= E v + + ...
2m*p

4. 1. 3
 8. Se pueden conseguir semiconductores con np? Se puede aumentar la conductividad
intrnseca de un semiconductor?
AADIENDO IMPUREZAS. SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS

SEMICONDUCTORES CON MS ELECTRONES

Ejemplo: Silicio dopado con fsforo en posicin sustitucional

n1 = p
EC - In fijo positivo Y Impureza donadora
Si n2 = N D+
- ED - n>p
Si P Si n = n1 + n2 - Caso de semiconductor tipo N
- electrones: mayoritarios.
Si EV - huecos: minoritarios
n = p + N D+

SEMICONDUCTORES CON MS HUECOS

Ejemplo: Silicio dopado con boro en posicin sustitucional
EC n = p1
- In fijo positivo Y Imp. aceptadora
Si
N = p2
A - p>n
Si B Si n = p1 + p2 - Caso de semiconductor tipo P
EA - huecos: mayoritarios.
Si EV - electrones: minoritarios
- - n + N A = p

4. 1. 4
9. Podemos definir cundo un semiconductor en equilibrio tiene ms energa que otro? En cuyo
caso habr un flujo de partculas desde donde hay ms energa a donde hay menos.
NIVEL O ENERGA DE FERMI.
1, E E F
1 1
E E E
f(E) = E-EF
= , E = EF
C C C

1 + e KT 2
0, E E F
E V E V E V

Funcin de ocupacin de Fermi-Dirac

10. Cul es la densidad de electrones y huecos de conduccin? E

a. Densidad de estados por unidad de energa.

1 3
g n (E) = c n (E - E c )2 cn *2
mn EC
1 3
g(E)
g p (E) = c p ( E v - E )2 cp * 2
mp EV
b. Ocupacin de cada estado f(E).
c. n,p=bandaf(E)g(E)

E c max Ev
n= g n (E)f(E)dE p= g p (E)(1 - f(E))dE
Ec E v min

4. 1. 5
Clculo de la densidad de electrones y huecos en las situaciones ms corrientes.
SEMICONDUCTORES NO DEGENERADOS (Ev<EF<Ec)

a) En banda de conduccin E$Ec>EF b) En la banda de valencia: E#Ev<EF

E- E F E- E F E- E F E- E F
e KT >> 1 f(E) e -
KT e KT << 1 f(E) 1 - e KT

E c max Ev

E- E F
g n(E)f(E)dE c n(E - E c ) e
1
n= 2 -
KT dE p= g p(E)(1 - f(E))dE
Ec Ec E v min

c ( E - E ) e
Ev
E - Ec E- E F
u
1

p v 2
KT dE
KT -

E c- E F E c- E F Ev - E
u 2 e du = c n(KT )2 e
3 1 3
n = c n(KT ) 2 e - u
-u -
KT KT
0 2 KT

E v- E F
u 2 e du
3 1
-u
p = c p(KT ) e 2
KT
EC EF
0
KT
n = NC e EV EF
3/ 2 KT
T p = NV e
N c(T)= cte T 2 = N c( 300 K)
3
3/ 2
300 T
NV (T)= cte T 2 = NV ( 300 K)
3

Nc, NV=densidad efectiva de estados en la banda 300
de conduccin y valencia respectivamente.
E
G

np = N C (T)NV (T)e
KT
= ni 2 (Ley de accin
de masas)
4. 1. 6
 Ejemplos de uso de las ecuaciones del semiconductor en equilibrio

M SEMICONDUCTORES INTRNSECOS M SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS:

n=p=ni np, np=ni2
! Con impurezas donadoras:
E
- G
n=p+ND+
n i = N c (T) N v (T) e 2KT
Depende del material y de la temperatura -Grado de ocupacin del nivel creado por las
ni(Si,300K).1010cm-3 impurezas: funcin de ocupacin de Fermi-Dirac.
o +
ND = 1 ND = 1
- -
- Posicin del nivel de Fermi: N D 1 + e E DKTE F N D 1 + e E FKTE D

E c - E Fi E v - E Fi
n = p N ce- KT = N ve KT
-Hiptesis: a temperaturas de inters ND+.ND
E c + E v KT N v en casos prcticos ND>>ni Y n>>p
E Fi = + ln
2 2 Nc
-Ejemplo: ND=1016cm-3 en Si (((1ppm!!), T=300K
N c = 2.8 10 cm 3
19 -

n=p+ND+. ND=1016cm-3
En Si, T = 300K : N v = 1.1 10 19 cm -3 p=ni2/n=104cm-3
E G = 1.12eV p<<n pero p0
Ec-EF=KTln(Nc/n)=205.6meV
Ec + Ev Advertencia: a bajas temperaturas ND+ ND
E Fi - 12meV
2
-Ejercicio: Ec-ED=40meV. Calcular temperatura para
que ND+= ND/2

4. 1. 7
! Con impurezas aceptadoras p=n+NA- !Semiconductores parcialmente compensados.
Semiconductores tipo P y tipo N
-Grado de ocupacin del nivel creado por las
impurezas: funcin de ocupacin de Fermi-Dirac. si N +D > N -A tipo N ; N +Deff = N +D - N -A
si N +D < N -A tipo P; N -Aeff = N -A - N +D
- o
NA = 1 NA = 1
- -
N A 1 + e E AKTE F N A 1 + e E FKTE A Ecuacin de neutralidad general y
ecuaciones bsicas de un semiconductor
-Hiptesis: a temperaturas de inters no degenerado en equilibrio:
NA- NA>>ni Y p>>n Y
pNA n ni2/NA
n + N -A = p + N +D
- Advertencia:( COMPROBAR SIEMPRE LAS EC EF

HIPTESIS! KT
n = NC e
EV EF
-Ejemplo: NA=1016cm-3 en Si , T=300K,
KT
EA-Ev=40meV p = NV e
p=n+NA- NA=1016cm-3
n=ni2/p=104cm-3 np = ni2
n<<p pero n0 -
EF-Ev=KTln(Nv/p)=181.4meV NA = 1
NA-=0.996 NA (99.6%) EC E A- E F
N A 1+ e KT
+
EF ND = 1
EA E -E
EV
N D 1+ e FKT D
4. 1. 8
 11. TRANSPORTE DE ELECTRONES Y HUECOS. CONTRIBUCIONES A LA CORRIENTE.
Aplicacin de un campo elctrico. Existencia de un gradiente de
concentracin de portadores.
dV(x) -
E(x) = - Y Flujo de portadores en sentido contrario
dx al gradiente
E c (x) = -qV(x) + cte
EC Y Corrientes de difusin de electrones y de
EFn huecos:
Durante un vuelo libre
(Dn,Dp: coeficientes de difusin)
d
- qE(x) = = k n E(x) EV dn dp
dt J n = qD n J p = - qD p
dx dx
Interrupciones del vuelo libre
(mecanismos de dispersin): Corriente total.
- vibraciones de la red
- impurezas ionizadas
- defectos dn
- otros portadores, etc J n = qn n E + qD n
dx
jn=qnvn vn: velocidad media de los portadores.
dp
vn=nE transporte hmico J p = qp p E - qD p
n: movilidad de los electrones dx
(depende de los mecanismos de dispersin, J = J n+ J p
"scattering")

Corriente de arrastre: jn=qnnE=nE

jp=qnpE=pE
j=jp+jn=(p+n)E 4. 1. 9
 12. CONCENTRACIONES DE PORTADORES DE CARGA EN DESEQUILIBRIO .
GENERACIN-RECOMBINACIN.

- En desequilibrio no es aplicable el nivel de Fermi.

- Electrones en equilibrio entre s.
- Huecos en equilibrio entre s.
E ( r )- E Fn( r ) E v ( r )- E Fp ( r )
- Definicin de un nivel de Fermi para cada tipo de n( r ) = - c
p( r ) = N v e
Nce KT KT
partculas y con carcter local.
EFn, EFp: pseudoniveles de Fermi.

Situaciones:

E Fn - E c E v - E Fp E - E E Fn - E Fp
- c v
np = N c e KT N v e KT = N c N v e KT e KT

qV np exceso V np > 0 np > ni2

np = n i2 e KT
defecto V np < 0 np < n i2

- Agente causante de desequilibrio Y reaccin del semiconductor.

exceso Y activacin de mecanismos de recombinacin.

defecto Y activacin de mecanismos de generacin.

-)Con qu rapidez responde un semiconductor?

Definicin de la probabilidad de generacin recombinacin.

4. 1. 10
Probabilidad de generacin recombinacin.
N1 de pares electrn hueco que se generan- n1 de pares que se recombinan por unidad de tiempo.
qV np
- U gr np - n i2 = 2
n i ( e KT - 1)
exceso: np>ni2 Y Ugr<0, domina recombinacin
defecto: np<ni2 Y Ugr>0, domina generacin

- Caso particular: desequilibrio de bajo nivel (los mayoritarios apenas se ven afectados)

a) TIPO N: b) TIPO P:
n N D , p = p 0 + p, n0 p 0 = n i2 p p 0 = N A , n = n0 + n, n0 = n 2
i
ni2 , p0 =
ND NA
np - n i2 = N D ( p 0 + p) - N D p 0 = N D p np - n i2 = N A ( n0 + n) - N A n0 = N A n
p n
U gr = - U gr = -
p n
- Si se mantiene el agente externo causante de la generacin:
E
p n
U gr = G - U gr = G - EC
p n
EV
n,p: constantes de tiempo de recombinacin.

- Aumento de la velocidad de respuesta de los dispositivos mediante la

introduccin de impurezas metlicas que favorecen la generacin- k
recombinacin absorbiendo momento (El oro en silicio es la ms usada) 000 100
4. 1. 11
 13. CONCENTRACIONES DE PORTADORES DE CARGA EN DESEQUILIBRIO .
ECUACIONES DE CONTINUIDAD.
Variacin de portadores en un elemento de volumen=Los que entran - los que salen
+ los que se generan - los que se recombinan.

Anlisis unidimensional (por unidad de rea):

Entran por unidad de rea x x+)x Salen por unidad de rea y tiempo:
y tiempo:

1 1 1 1 J n
- J n (x) - J n(x + x) - J n(x) - x
q x
q
)x q q

n 1 1 1 J n n n 1 J n n - n0
x = - J n(x) - - J n(x) - x + G - x = +G -
t q q q x n t q x n
De forma similar para huecos:

p 1 1 1 J p p p 1 J p p - p0
x = J p(x) - J p(x)+ x + G - x =- +G -
t q q q x p t q x p

Ecuacin de Poisson: d 2 V(x) = - (x)

dx 2 s
4. 1. 12
Caso particular: n n
= 0, 0
dn t x
E = 0, G = 0 J n = q D n
dx
2
Jn 2
n n n
= q Dn 2 n n - n0 0 = D n -
x x x2 n
n 2
n n- 2
n
= D n 2 - n0 Ln Dn n 0 = L 2n - n
t x n x2

x x
EJEMPLO: n(x) = A e - Ln + B e Ln

Si el semiconductor es infinitamente largo

G x
n(x) = A e - Ln
n x
J n = q Dn = -qn(0) D n e - Ln
x Ln
situacin estacionaria pero no homognea:
En la superficie:

n
0=G-
n
n = n(0) = G n

4. 1. 13
APNDICE. Efecto Hall.

Conduccin por electrones. Conduccin por huecos.

E E
v
B B v + qE
-qE - J EH
J EH
Campo Campo
resultante resultante
qvvB
-qvvB
Acumulacin de Acumulacin de
electrones huecos

F = -qE - qv B

4. 1. 14
APNDICE. Relaciones de Einstein

E c (x)- E Fn(x) dn 1 dE dE dp 1 dV(x) dE Fp

E v (x)- E Fp (x)
n = N ce- =- n c - Fn p -q
dx
KT p = N ve KT = -
dx KT dx dx dx KT dx
dn n dV(x) dE Fn dV(x) D p dV(x) dE Fp
=- -q - J p = qp p -
KT dx
- pq -q - =
dx KT dx dx dx dx
dV(x)
2
q dV(x) qn dE Fn dV q p d E Fp
J n = qn n - + n D n + Dn = qp (- p + D p )+ q D p
dx KT dx KT dx dx KT KT dx
d E Fn
En equilibrio =0 ,Jn=0
dx En equilibrio
dV(x) q
qn n n
- + D n =0
dx KT Dp KT
=
p q
Dn KT
=
n q
dE Fp
en general J p = p p
dx
se supone vlida incluso fuera del equilibrio
dE Fn
J n = nn
dx

4. 1. 15
 Bibliografa:
http://ece-www.colorado.edu/~bart/book/book/ Principles of Semiconductor
Devices Bart Van Zeghbroeck.

4. 1. 16
4.2. Fundamento fsico de la unin semiconductora
Unin PN en equilibrio. Unin PN polarizada en directo.
Unin metalrgica
N + - P
N + - P
Eint
1 2 2 1
I>0
Jdifusin
V
Jarrastre
EC EC
qRo EFn qV EFp
EF
EV EV
Campo externo opuesto al interno
Y Disminucin de este campo
1: zonas neutras Y Disminucin carga que soporta el campo
2: zona de carga espacial (z.c.e.) Y Disminucin zona de carga espacial
Ro: potencial barrera
(Ro=Vb) Disminucin de la barrera en al unin
Y Jdifusin>Jarrastre
Y CORRIENTE NETA (muy sensible al decrecimiento
de la barrera). 4. 2. 1
 V
Unin PN polarizada en inverso. Caracterstica I-V I = I s ( eV T - 1)

Jdifusin EC
Jarrastre EFp nKT KT
q(Ro+V) EV VT = , = 26mV (300K)
N + - P q q
qV
n: factor de idealidad, refleja situaciones no
EFn ideales:
I= 0
- generacin recombinacin en z.c.e. a bajas
V corrientes.
- alta inyeccin de portadores (cada de
potencial en z. neutra)
Campo externo del mismo signo que el interno
V
Y aumento neto del campo, aumento de la Directo : V > 0 V >> V T I I s e
barrera VT
Y slo participan los minoritarios en la corriente Inverso : V < 0 V >>
V T I I s cuando V -
(corriente muy dbil)

2 2
I = I s= n i
+ n i
ND NA
I s n i (T), I S se duplica cada 10 C
2 o

4. 2. 2
Anlisis de una unin PN en inverso

Clculo del potencial barrera (V=0V)

qRo
-W1 0 W2
qVn P N
qVp - +
q 0 = E G - q V n - qV p

= E G - KT ln N c - KT ln N v
n p
N c N v q = KT ln np VR
E G = KT ln 0
ni2 n i2
EFp
Ejemplo: Caso particular (dopados uniformes n=ND, p=NA):

0 = V T ln N D 2N A qVR
ni
Condicin de neutralidad q(Ro+VR) EC
0 W2 EFn
- q N A (x)dx = q N D (x)dx EV
-W 1 0

Dopados uniformes : N A W 1 = N D W 2

4. 2. 3
 Relacin anchura de la z.c.e. con la
qN D W 22 qN A W 12
barrera de potencial (R0+VR) 0 + V R = V( W 2 ) - V(-W 1 )= +
s 2 s 2
- Ecuacin de Poisson + condiciones de q
contorno en los extremos de la z.c.e. 0 +V R = N DW 2( W 1 + W 2 ) xN A
2 s

q
- Caso unidimensional y dopados 0 +V R = N AW 1( W 1 + W 2 ) xN D
uniformes. 2 s
qN A
-W 1 < x < 0 q
d 2 V(x) = - (x) = s ( N A + N D )( 0 + V R )= 2
W N AN D
2 s
dx 2 s qN D
- 0 < x <W 2 2 s N A + N D
s W = W 1 +W 2 = ( 0 + V R )
q N AN D
dV qN A qN A
-W 1 < x < 0 = x + C 1 E(x) = - x + C 1
dx s s 2 s 0 + V R 2 s( 0 + V R )
W 1= =
qN A x 2 q N AW N
V(x) = + W 1 x + C 2 q N A(1+ A )
s 2 ND

qN D x 2 2 s( 0 + V R )
0 < x < W 2 ... V(x) = - - W 2 x + C 3 W 2=
s 2 ND
q N D(1+ )
NA
continuidad en x = 0 C 2 = C 3

EJEMPLO: Sea una unin PN abrupta, NA=1015cm-3, ND=1016cm-3, 300K, VR=10V Y R0=638mV
W1=3.5m, W2=0.35m. Campo mximo: qN A 4 V
E max = - W 1 = -5.4 10
s cm 4. 2. 4
 Conduccin en inversa. Mecanismos de ruptura.

Ruptura por avalancha Ruptura Zner:

- Solo en uniones muy dopadas.
- Eaplicado > Ecrit - Corriente tnel de electrones
-
EFp -
Y portadores con gran
energa y capacidad
+
-
- para generar pares. EFp
-
-
-
+ EC
EFn
+
+
+ EV
-
+

N = 1015-1016cm-3: Ecrit - 3105V/cm EC

N - 1018cm-3: Ecrit - 106V/cm
EFn
EV
Expresin I RA = M I R
emprica para 1
la corriente: M= n
Vr Domina el mecanismo que se
1-
BV produzca a menores tensiones de
polarizacin.
IRA: corriente con avalancha
IR: corriente sin avalancha
M: factor de multiplicacin
n 0 [3, 6]
VR: tensin inversa aplicada
BV: tensin de ruptura (Emax=Ecrit)
4. 2. 5
 Curva I-V Dispositivos basados en uniones

ID (A)
Diodo de unin:
Ntense las escalas
15 unin PN con terminales externos.
diferentes de las regiones
directa e inversa
10 Caracterstica
directa
P N
-VZK 5
nodo Ctodo
-VZ -30 -20 -10 0
Diodo Zner:
Codo
Zener -0.5 -IZK0.5 1.0 1.5
VD (V)
diseado para conducir en inversa

-1.0

-1.5 -IZT
-2.0
Diodo Schottky:
Caracterstica -2.5 unin metal semiconductor.
inversa

IZ (A)

4. 2. 6
 Fotodiodos* Dispositivos basados en uniones
Dispositivos de dos terminales. Responden a la absorcin de fotones.

I - Generacin gop pares

hL>EG e-hcm-3 s-1
- Campo elctrico
P - + N Tensin en separa los electrones y
circuito abierto huecos
Huecos
Corriente ptica:
I op = qAg op (L p + Ln + W )
Electrones

gop =0
Ln W Lp V Corriente total:
I g1
R E qV
g2 I = I 0 e 1 I op
KT

- Corriente en cortocircuito
+ V
Aplicaciones: R E R E R

P N P N P N
I I I
+ V - - V + + V -
1er cuadrante 3 cuadrante 4o cuadrante
IV>0 IV>0 IV<0
Fotodetector Clula solar
4. 2. 7
*Solid state electronic devices Ben G. Streetman and Sanjay Banerjee Upper Saddle River, NJ : Prentice Hall, 2000
 Dispositivos basados en uniones

LEDS y lseres

Unin en directo.
Recombinacin en zonas
EC -
neutras y z.c.e. EFn EFp
EV +
Optoacoplador.
Ejemplo de sistema de comunicacin ptica:
+
Par optoelectrnico: Lser o LED + fotodiodo
I I
Se puede intercalar informacin entre emisor y
receptor (CDs)
Perfecto aislamiento
-

4. 2. 8
 Apndice: El fotodetector
El fotodetector puede funcionar como clula fotovoltaica si no se le aplica tensin externa
tal y como se ve en la figura 1. Si incide luz sobre el diodo los pares electrn hueco generados son
acelerados por el campo elctrico interno. Se crea por tanto una corriente, IL, que partiendo de la
zona P atraviesa la resistencia y llega a la N (o de la N a la P en el interior del diodo). Aparece una
diferencia de potencial en los extremos de la resistencia que polariza al diodo en directa. Esta
tensin da lugar a su vez a una corriente, ID, que circula por el diodo de la zona P a la N, es decir,
opuesta a la generada por iluminacin. Estos dos mecanismos se pueden modelar por una fuente
de corriente de valor IL y un diodo en oscuridad por el que circula una corriente ID. La corriente que
circula por la resistencia es la diferencia de las dos, I=IL-ID, como se ve en la figura 2.
Modificando el valor de la resistencia externa se puede variar el valor de la corriente que
circula por ella, as como la diferencia de potencial que cae en sus extremos. Y por consiguiente la
potencia que se puede extraer de la clula. Existe un valor ptimo para la resistencia para el cual la
potencia es mxima y por tanto el rendimiento es mayor. La relacin I-V tpica de una clula
fotovoltaica se puede ver en la figura 3.

4. 2. 9
Apndice: No idealidades en el diodo
Corriente generacin-recombinacin. Idif
n p = ni2 exp(qV / KT )
-En directa hay una recombinacin de EC -
portadores en la zona de carga espacial n p ni exp(qV / 2 KT ) Irec
EFn EFp
y por tanto no llegan a las zonas cn c p NT ( np n 2
i ) EV
neutras. Para mantener la misma U= +
cn (n + n1 ) + c p ( p + p1 ) I=Idif+Irec
relacin campo-carga en la unin y que
llegue la misma corriente de difusin cn c p NT n ( exp(qV / KT ) 1)
2

(cn + c p )ni exp(qV / 2 KT )

P N
debemos aportar ms corriente a
igualdad de tensin. Dicho incremento cn c p
coincide con la corriente de = NT ni exp(qV / 2 KT )
(cn + c p )
recombinacin. .p
n
I = qAUdx
- En la z.c.e. hay exceso de portadores
de los dos tipos. Como debe haber qAWni2
= exp(qV / 2 KT )
continuidad de la concentracin de rec
portadores habr un punto en el que
n=p. Se puede estimar en promedio que
en la zona de carga espacial se cumple
n=p. Con esta condicin podemos EC
I0 EFp
calcular la corriente de recombinacin
- EV
que hay que aadir a la de difusin.
+
- En inversa hay defecto de portadores Igen
en la z.c.e. por lo que se generan pares I=I0+Igen
EFn
electrn hueco.
4. 2. 10
 Bibliografa:
http://ece-www.colorado.edu/~bart/book/book/ Principles of Semiconductor
Devices Bart Van Zeghbroeck.

4. 2. 11
 4.3. Modelos de circuito.
Anlisis de circuitos con diodos I
R VD VD
I = I S ( e V T - 1) I S e V T
V
+ R
V = IR + V D

V I I = -V D +
V
VD R R -1/R
Solucin: punto de interseccin
- (punto de operacin, polarizacin...) VD

Modelo lineal a tramos: EJEMPLO:

V
a) Si V < V D OFF, I = 0 , V D =V
R + Rr
I
V -V
b) Si V > V V = IR + V + I r d , I =
V( rd R+ rd
VD>V(
1/rd Rr (. 4) R +
VD<V( V VD
V( VD -

V=5V, V=0.65V, rd=10, R=2k Y

I=2.16mA 4. 3. 1
 Modelo simplificado (rd=0):
I R
+

V I
VD

-
V( VD Si V>V V=IR + V

Modelo lineal para el diodo Zner:

I

V( rd
- En directo,
Vd > V
-VZ VD

-IIZminI
R
+ Rr (. 4)
I -No conduccin,
1/rZ V VD -VZ < Vd < V
Hiprbola de mxima
dispacin de potencia
-IIZmaxI -
VZ rZ
-En inverso,
Vd < VZ
4. 3. 2
 Modelo de pequea seal

rd CT Cd
Y
Resistencia dinmica rd:
-1 -1
dI d V VT
rd = I S eV T =
dV dV I
Capacidades:

- modificacin de la carga en zonas neutras

- modificacin de la carga en la zona de carga espacial.

1) Polarizacin directa

carga dominante: minoritarios en zonas neutras

dQ d d V
Cd = = ( T I 0 e V T ) = T I
dV dV VT
I = Qd / T , T = L2p / D p : tiempo de trnsito

4. 3. 3
2) Polarizacin inversa. Carga dominante: carga fija en z.c.e.
C j0
- Unin abrupta - Unin lineal C j= 1
VD 3
1 -
dQ dQ dW 1
CT C j = = 0
dV R dW 1 dV R

C j0
dQ = AqN AdW 1 - Unin cualquiera C j = , VD < 0
1
m
VD
2 1 -
0
dW 1 C j 2C j 0 , VD > 0
s
=
dV R NA
2 qN A 1+ (
0 VR
+ )
ND
1
q s N A N D 2 1
C j = A
2( N A + N D ) 0 +V R

=
sA
W
1
q s N A N D 2 1 C j0
Si V D -V R C j = A =
2( N A + N D ) 0 -V D VD
1-
0

(vlido para VD>0 pequeos)

4. 3. 4
Parmetros de modelo SPICE de diodo

Parmetro de Smbolo Nombre SPICE Unidades Valor

modelo predeterminado
Corriente de IS IS A 10-14
saturacin
Coeficiente no N N 1
idealidades
Resistencia serie RS RS 0

Tensin barrera 0,Vb VJ V 1

Capacidad unin Cj0 CJ0 F 0

sin polarizacin
Coeficiente m M 0.5
gradualidad de
unin
Tiempo de trnsito T TT S 0

Tensin de ruptura VZK BV V

Corriente inversa a IZK IBV A 10-10

VZK

4. 3. 5
 Bibliografa:
A.S. Sedra y K.C. Smith, "Microelectronics Circuits", 5 ed.,Oxford University
Press, 2003.
http://deyte.ugr.es
K.V. Shalimova, Fsica de los semiconductores, Mir, 1975
Bart Van Zeghbroeck. Principles of Semiconductor Devices
http://ece-www.colorado.edu/~bart/book/book/

4. 3. 6
 Tema 5. Aplicaciones: Funciones analgicas no lineales.
Puente de Diodos

E1 V
vx >> 0 D2 y D3 on; vO = R0 EA
R1 + R0
E2 + V
vx << 0 D1 y D4 on; vO = R0 EB
R2 + R0
EB vx EA vO = vx

Circuitos limitadores y comparadores

Diagrama de bloque Caracterstica Diagrama de bloque Caracterstica de transferencia.

de un limitador de transferencia de un comparador ER = Nivel de comparacin.
tpica K

5. 1
 Circuitos comparadores con diodos Zener

vI > 0, vO = VZ
vI < 0, vO = +VD

vI > 0, vO = (VD + VZ 2 )
vI < 0, vO = VZ 1 + VD

inicio conduccin hacia derecha

vO (VD + VZ 2 ),
vI = ( R1 / RF )vO > ( R1 / RF )(VD + VZ 2 )
inicio conduccin hacia izquierda
vO VZ 1 + VD ,
vI = ( R1 / RF )vO < ( R1 / RF )(VZ 1 + VD )

La presencia de RF transforma el comparador en limitador. 5. 2

Limitador de propsito general (I)

5. 3
Limitador de propsito general

RF
D 1 y D 2 o ff v0 = v1
R1
RB RA
e1 = E 1 + v0
RA + RB RA + RB

RC RD
e2 = E 2 + v0
RC + RD RC + RD

D 1 c o n d u ce c u a n d o e1 = V

V E1 v
v0 = ( R F R B ) + + 1
R A R B RA R 1

D 2 co n d u ce cu a n d o e2 = + V

V E2 v
v0 = ( RC R F ) + 1
R C R D RD R 1

5. 4
Limitador de propsito general (II)

El cambio de los diodos por transistores reduce la pendiente.

5. 5
 RF
Q1 y Q2 off v 0 = v
R1 1
RB RA RC RD
v B2 = E2 + v0
v B1 = E 1
R A + RB
+ v0
R A + RB RC + R D R D + RC

RF RF
v0 = v1 v1 > 0 v0 = v1 v1 < 0
R1 R1

Q1 conduce cuando v B1= v BE Q2 conduce cuando v B 2=+v BE

E1 v1 1 1 E2 V1 1 1
+ + v BE + + v BE +
R A ( 1 + )R1 R A RB R D ( 1 + b)R1 RC R D
v 0= v 0=
1 1 1 1
+ +
R B ( 1 + )R F RC ( 1 + b)R F

5. 6
 Limitador de propsito general (III)

Lmites del puente:

RF RL
E + = ( E1 V )
RA + RF RL

RF RL
E = ( E 2 V )
RB + RF RL

v0,vA
v0=v A vA V Z5+V
v0
V Z5+V E+
Slope = -RF/R1 Caso: Slope = -R F/R 1 Caso:
VZ5+V<E+ VZ5+V>E+
VZ6+V<E- VZ6+V>E-
v1 v1 El puente conduce
El puente conduce
cuando vO=vA. No
-(VZ6+V ) siempre (vO=vA) E-
conduce cuando
-(V Z6+V )
vOvA.
5. 7
 Circuitos rectificadores Problemas: 12.46 al 12-56 Sedra-Smith

Rectificadores de media Onda (Limitadores de Cero)

vI < V , D off , vO = vI vI < V , D on, vO = V

vI > V , D on, vO = V vI > V , D off , vO = vI
Nota: La cada de tensin en el diodo no permite un lmite preciso en cero. No permite trabajar
con seales de poca amplitud.

Rectificador de media onda de precisin

v1 > 0 va = V v0 = 0 D1 off D2 on
RF
v1 < 0 v0 = v1 D1 on D2 off
R1

5. 8
Rectificadores de media Onda (Voltmetro)

1 V pico R2 RF
 min vO =
CF RF R1 R3

Controlando los valores de las resistencias

podemos dar lectura de valores rms.

Rectificador de onda completa

(Generador de valor absoluto)
R4
v1>0 D1 on D2 off v2= v1
R3
v1<0 D1 off D2 on v2 = 0

RF R
v0 = v1 F v2
R1 R2
RF
R3 = R4 = R v1 < 0 v0 = v1
R1
Si RF = R1 vO = v 1
R RF
R2 = 1 v1 > 0 v0 = v1
2 R1
RF R
v0 = v1 + 2 F v1
R1 R1 5. 9
 Generadores de funcin a tramos lineales
Suma de
RF
Segmentos lineales S1 = ;
R1
R R
S2 = F + F ;
R1 R2
R R R
S3 = F + F + F
R1 R2 R3

D1 Limitador en paralelo R R
S1 = F + F ;
2 R1 R3
R R
S3 = F + F
2 R2 R3
D2 R R R
S2 = F + F + F
2 R1 2 R2 R3
R RF
Limitador en serie S1 = F + ;
D1 R2 R5
R
S2 = F ;
R5
D2 R R
S3 = F + F
R1 R5 5. 10
 Amplificadores logartmicos. Amplificador logartmico bsico.
Este circuito presenta una
Funcin logartmica dependencia muy fuerte frente a
variaciones de temperatura.
R
vI - vO
+

vI qvO
= I = I s exp( )
R nKT
v
vO = nKT ln( I ), vI > 0
RI S

Para vBE no muy elevadas:

qv
Smbolo asociado al diagrama de bloque. IC = F IES exp BE
kT
v1 vBE = v0
K 2 v1

vO = K1 ln
v2 vO kT IC
v2 v0 = vEB ln ; v1 = IC R
q aF IES
kT v1
v0 ln
q F IES R
5. 11
Implementacin de un amplificador logartmico.

v1 qv3
= I C1 = F I ES exp
R5 kT I C1 R3v1 qv
= = exp 5
v2 q(v5 v3 ) I C2 R5v2 kT
= I = F I ES exp
R3 C2 kT
R2 kT R3v1 K2v1
v5 = v0 = ln v0 = K1 ln
R1 + R2 q R5v2 v2
R1 kT R3
donde K1 = 1 + y K2=
R2 q R5
5. 12
 Amplificadores antilogartmicos. Amplificador antilogartmico

Funcin antilogartmica
R

vI - vO
+

vO qvI
= I = I s exp( )
R nKT
qvI
vO = RI s exp( ), vI > 0
nKT
v2 q R2
I C1 = = F I ES exp v1 v3
R3 kT R1 + R2
Smbolo asociado al diagrama de bloque.
v0 qv3
I C2 = = F I ES exp
v1 R5 kT
vO = K1v2 exp( K 2 v1 )
IC 2 v0 R3 qv R2
vO = K1v2 10 K 2 v1 = = exp 1
v2 vO IC1 v2 R5 kT R1 + R2
vO = K1v2 exp ( K2 v1 )
R5 q R2
donde K1 = y K2 =
R3 kT R1 + R2
5. 13
Aplicaciones de los amplificadores logartmicos:
Generadores de funcin.

Exponencial

Divisin en
un cuadrante

Multiplicacin
en un cuadrante

Operador general
mulipropsito

5. 14
 Multiplicadores analgicos. Aplicaciones.

Multiplicacin y Divisin Raz Cuadrada

5. 15
 Generadores de Seal. Circuito generador de seales cuadradas (vS) y triangulares (vT).
vT vS
+ =I
R1 R2
I > 0 V0 ( A2 ) = V I ( R = 100k ) < 0
vS =
I < 0 V0 ( A2 ) = +V I ( R = 100k ) > 0
vO(A2) vS V V 15 + V
I
I > 0 = + vS =VH >> 0
2 100 3.2
R1
I < 0 V + 15 + V = V vS v =V << 0
100 3.2 2
S L

t
1 vS t
RC 0
vT = vS dt = + vT ( 0 )
R2 RC
vT = Seal triangular
R1 1 1
T = V RC +
R2 VL VH
R
vT = 1 vS V = (VH VL )
R2

Los diodos de A2 conmutan cuando I=0.

5. 16
 Multivibrador biestable Problemas: 12.24 al 12-29 Sedra-Smith

Realimentacin Positiva. Comparacin con Histresis

Carcter inversor

Caracterstica para
Vi crecientes
R1
L
+ R +R = VTH
Circuito Biestable R1
v+ = vO =
1 2

R1 + R2 R1
L = VTL
R1 + R2

Caracterstica para Caracterstica de transferencia completa.

Vi decrecientes

5. 17
Carcter no inversor.

vI v+ v+ vO
=
R1 R2
vO 1 1
vI = R1 ( + v+ ( + ))
R2 R1 R2
R1 R1
VTH = L ; VTL = L+ ;
R2 R2

5. 18
 Bibliografa:
J.V. Wait, L.P. Huelsman, G.A. Korn Introduccin al amplificador
operacional. Teora y aplicaciones, Ed. Gustavo Gili, S.A.
A.S. Sedra y K.C. Smith, "Microelectronics Circuits", 5 ed.,Oxford University
Press, 2003.

5. 19