Analisis BJT FET MOSFET en AC

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REPASO
CIRCUITOS DE POLARIZACION DEL TRANSISTOR BIPOLAR
1.- POLARIZACIN POR BASE.- Esta polarizacin es la peor cuando se trata de fijar el punto Q. La
razn es que en la zona activa la corriente de colector, depende de la corriente de base y del
(Beta), y esto hace muy sensible a la ganancia de corriente. En un circuito como ste, el punto Q se
desplaz a lo largo de toda la lnea de carga con cambios del transistor o de temperatura.
Recorremos la malla1 para obtener la corriente IB:
VCC + IB.RB + VBE = 0. IB.RB = VCC - VBE = IB= (VCC - VBE ) / RB =;
IE= IB(1+)=, IC= IB.=. Ahora recorremos la malla 2 para obtener el VCE:
VCC + IC.RC + VCE = 0. VCE = VCC IC.RC=. Para obtener los puntos de corte
de la recta de carga de C.C tomamos la ecuacin anterior para hallar la I C(sat), y
hacemos VCE=0, entonces tenemos 0= VCC IC(Sat).RC, de donde
IC(Sat)= VCC / RC=, y lo mismo para hallar el VCE(Corte), ahora hacemos IC=0 y
obtenemos que VCE(Corte) = VCC. Para hallar los voltajes de base, colector y emisor,
hacemos la respectiva malla para hallar cada uno de esos voltajes. Como el
emisor no tiene resistencia su voltaje es VE=0. Ahora podemos hallar el VB por medio de VBE=VB
VE= 0.7V, como VE=0 entonces VB = VBE=0.7V. Para hallar el VC hacemos la malla y obtenemos:
VCC + IC x RC + VC =0; VC = VCC IC x RC =; Para hallar la potencia que disipa el transistor
utilizamos la siguiente frmula: PD= VCEQ. ICQ=.
2.- POLARIZACIN POR RETROALIMENTACIN DEL EMISOR.- Para estabilizar el punto Q se
introdujo una resistencia en el emisor y se obtuvo esta polarizacin. El proceso de racionamiento es
el siguiente: S IC aumenta, VE crece y tambin VB. Mayor VB significa menor tensin a travs de RB,
con lo que disminuye IB, en contraposicin al aumento de IC. Se le llama realimentacin porque el
cambio de tensin de emisor alimenta hacia atrs el circuito de base. Tambin se denomina se
negativa porque se opone al cambio original de corriente de colector.
En la polarizacin con realimentacin de emisor nunca lleg a ser popular. El desplazamiento del
punto Q es todava grande para la mayora de aplicaciones de fabricacin masiva.
Recorremos la malla1 para obtener la corriente IB:
VCC+IB.RB+VBE+IE.RE=0. Como IB=IE/(1+)=, IE/(1+).RB +IERE = VCC -VBE
IE(RB /(1+)+RE) = VCC - VBE = IE= (VCC - VBE ) / (RB /(1+)+RE) =; IB= IE/(1+)=;
IC= IB.=. Ahora recorremos la malla 2 para obtener el VCE: VCC + IC.RC + VCE +
IE.RE = 0. VCE = VCC IC (RC+RE). Para obtener los puntos de corte de la recta
de carga de C.C tomamos la ecuacin anterior para hallar la IC(sat), y hacemos
VCE=0, 0= VCC IC(Sat)x (RC+RE), de donde IC(Sat)= VCC /(RC+RE) =, y lo mismo
para hallar el VCE(Corte), ahora hacemos IC=0 y obtenemos que VCE(Corte) = VCC. Para
hallar los voltajes de base, colector y emisor, hacemos la respectiva malla para
hallar cada uno de esos voltajes. VE + IE x RE = 0 VE = IE x RE =; para
hallar el VB hacemos la malla y obtenemos: VB + VBE + IE x RE = 0 VB = VBE + IE x RE=; ahora
hacemos la malla para hallar el VC: VCC + IC.RC + VC = 0 de donde el VC = VCC IC x RC =; para
hallar la potencia que disipa el transistor utilizamos la siguiente frmula: P D= VCEQ x ICQ =.
La finalidad de la polarizacin de retroalimentacin del emisor es compensar las variaciones en ;
esto equivale a que RE sea mucho mayor que RB/(1+).
En circuitos prcticos, sin embargo, no se puede hacer RE lo suficientemente grande como para
compensar los efectos de sin saturar el transistor. Esto hace que la polarizacin de
retroalimentacin de emisor sea casi tan sensible a los cambios de como en la polarizacin de
base. Por lo tanto, la polarizacin de retroalimentacin de emisor no es una forma preferida de
polarizacin, por lo que se debe evitar su uso.
3.- POLARIZACIN POR DIVISOR DE VOLTAJE.- En los circuitos de polarizacin anteriores la
corriente de polarizacin IcQ y el voltaje VCEQ de
polarizacin eran una funcin de la ganancia de
corriente () del transistor. Sin embargo, debido a
que el es sensible a la temperatura de los
transistores, lo mejor sera desarrollar un circuito
que fuera independiente de la beta del transistor. El
circuito al que nos referimos es la polarizacin por
divisor de voltaje de la figura 3. Si se analiza sobre
una base exacta la sensibilidad a los cambios en ,
resulta ser muy pequea. Si los parmetros del
circuito se eligen adecuadamente, los niveles resultantes de IcQ y de VCEQ pueden ser casi
totalmente independientes de beta. Existen dos mtodos que pueden aplicarse para analizar la
polarizacin por divisor de voltaje. El primero que vamos a demostrar es el mtodo exacto que
puede aplicarse a todos los circuitos polarizados por divisor de voltaje. Al segundo se le llama
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mtodo aproximado y puede introducirse slo si es satisfecha la siguiente condicin especfica:

10xR2 xRE.
Anlisis exacto.- El lado de la base del circuito 3(a) puede volver a dibujarse segn se muestra en
la figura 4(a) para el anlisis en C.C. El circuito equivalente de Thvenin a la izquierda de la terminal
de la base puede dibujarse como el de la figura 4(a).
Para hallar la RTh la fuente de voltaje se reemplaza por un corto circuito equivalente como se indica
en la figura 5(a). RTh= R1 R2 = ( R1xR2) /( R1 + R2)=.
Para hallar el VTh la fuente de voltaje Vcc regresa al circuito, y el circuito para hallar el voltaje
Thvenin queda como el de la figura 6(a) y se calcula de la siguiente manera: primero se calcula el
V2, aplicando la regla del divisor de voltaje, V2=(Vcc + VEE).R2 /( R1 + R2)=, y haciendo la malla
vemos que el V2= VTh=.
Despus se vuelve a dibujar el circuito de Thvenin cmo se muestra en la figura 7(a) e I B puede
calcularse al aplicar primero la ley de voltaje de Kirchhoff en la direccin de las manecillas del reloj
para la malla 1 que se indica en la figura 7(a): - VTh + RThxIB + VBE + IExRE = 0.
Sustituyendo IE= IB(1+), tenemos RThxIB + IB(1+)RE = VTh VBE. Resolviendo para IB tenemos que:
IB = (VTh VBE) / (RTh +(1+)RE) =.
Una Vez que se conoce la IB, se hallan las dems corrientes por medio de estas dos ecuaciones, I E=
IB(1+)= e IC= IB.=. Conocidas las corrientes podemos hacer las mallas indicadas en la figura 7(a)
para hallar los voltajes de VB, VE, VC y PD. VB= VBE + VE=VBE+ IE.RE =; VCE =VCCICx(RC+RE ); VE =
IExRE =; VC = VCC IC x RC =.
El lado de la base del circuito 3(b) puede volver a dibujarse segn se muestra en la figura 4(b) para
el anlisis en C.C. El circuito equivalente de Thvenin a la izquierda de la terminal de la base puede
dibujarse como el de la figura 4(b).
Para hallar la RTh la fuente de voltaje se reemplaza por un corto circuito equivalente como se indica
en la figura 5(b). RTh= R1 R2 = ( R1xR2) /( R1 + R2)=.
Para hallar el VTh las fuentes de voltaje Vcc y VEE regresan al circuito, y el circuito para hallar el
voltaje Thvenin queda como el de la figura 6(b) y se calcula de la siguiente manera: primero se
calcula el V2, aplicando la regla del divisor de voltaje, V2=(Vcc + VEE).R2 /( R1 + R2)=, y luego
hacemos la malla indicada: - VTh + V2 - VEE=; VTh = V2 - VEE=.
Despus se vuelve a dibujar el circuito de Thvenin cmo se muestra en la figura 7(b) e I B puede
calcularse al aplicar primero la ley de voltaje de Kirchhoff en la direccin de las manecillas del reloj
para la malla 1 que se indica en la figura 7(b): VTh + RThxIB + VBE + IExRE VEE = 0.
Sustituyendo IE= IB(1+), tenemos RThxIB + IB(1+)RE = VTh VBE + VEE. Resolviendo para IB tenemos
que: IB = (VTh VBE + VEE) / (RTh +(1+)RE) =.
Una Vez que se conoce la IB, se hallan las dems corrientes por medio de estas dos ecuaciones, IE=
IB(1+)= e IC= IB.=. Conocidas las corrientes podemos hacer las mallas indicadas en la figura 7(b)
para hallar los voltajes de VB, VE, VC y PD. VB=VBE +VE-VEE =VBE+IE.RE - VEE =; VCE
=VCC+VEEICx(RC+RE ); VE = IExRE - VEE =; VC = VCC IC x RC =.
Analisis aproximado.- La seccin de entrada de la polarizacin por divisor de voltaje se
representa por el circuito de la figura 8. La resistencia Ri es la
resistencia equivalente entre la base y tierra para el transistor con un
resistor de emisor RE. La resistencia reflejada entre la base y el
emisor est definida por Ri=(1+)RE. Si Ri es mucho mayor que la
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resistencia R2, la corriente IB ser mucho menor que I2 (la corriente siempre busca la trayectoria de
menor resistencia), e I2 ser aproximadamente igual a I1, entonces R1 y R2 pueden considerarse
elementos en serie. El voltaje a travs de R2, que en realidad es el voltaje base, puede calcularse
mediante el uso de la regla del divisor de voltaje (de ah el nombre para este circuito de polarizacin
esto es: V2=Vcc. R2 /( R1 + R2)= VB. Debido a que Ri=(1+)RE .RE, la condicin que definir, en
caso que pueda aplicarse a la aproximacin, ser la siguiente: .RE 10.R2. Si la inecuacin se
cumple, la aproximacin podr aplicarse con un alto grado de precisin.
Una vez determinado V2= VB, el nivel de VE puede calcularse a partir de VB = VBE+VE=, entonces
VE =VB - VBE=. Como VE= IE.RE =, entonces IE= VE / RE =, IB= IE / ( 1 + )=, e IC = IB x =.
El voltaje del colector-emisor se encuentra determinado por VCE = VCC ICxRC +IExRE=, pero dado
que ICQ IE VCE = VCC ICx( RC + RE ) =; VC = VCC IC x RC =; PD= VCEQ x ICQ=. Pero las anteriores
ecuaciones tambin las podemos hallar haciendo las mallas que se indican en la figura3.
Ntese que en la secuencia de clculos no hemos utilizado el y que la IB no fue calculada. El punto
Q (que es determinado por ICQ y VCEQ) y es por lo tanto independiente del valor de .
4.- POLARIZACION DEL EMISOR. algunos equipos electrnicos de tienen una fuente de
alimentacin que produce tensiones positivas y negativas. La figura 9 muestra un circuito con dos
fuentes de alimentacin: + VCC y VEE. La fuente negativa polarizada directamente el diodo del
emisor VB=y la positiva lo hace con el diodo del colector. A este circuito o se le conoce con el
nombre de polarizacin de emisor.
Anlisis.- Cuando este tipo de circuito est diseado correctamente, la
corriente de base ser suficientemente pequea como para ser ignorada, lo que
equivale a decir que la tensin de base es de 0V aproximadamente. Como el
VB= VBE+VE=0V, entonces VE = - VBE = - 0,7V.
La resistencia de emisor, desempea un papel clave a la hora de calcular la
corriente de emisor. Para hallar esta corriente, se aplica la ley de Ohm a la
resistencia de emisor como sigue: la parte superior de la resistencia de emisor
tiene una tensin de 0.7V y la parte inferior a VEE. Por tanto, la corriente en
el emisor es igual a la diferencia que hay entre las dos corrientes dividida por la
resistencia emisor. sea IE= (VEE 0,7)/ RE =. Debido a que no aparece en
esta frmula, el punto Q es fijo. Cuando se dispone de una fuente de
alimentacin dividida debe utilizarse una polarizacin del emisor.
Tambin se puede hallar haciendo la malla 1: IB.RB+VBE+IE.RE VEE =0, como la IB = 0A tenemos
+VBE+IE.RE VEE =0, donde IE= (VEE 0,7) / RE =. Una Vez que se conoce la IE, las cantidades
restantes del circuito pueden establecerse de la misma manera como fueron desarrolladas para el
circuito de polarizacin por retroalimentacin del emisor.
Hacemos las mallas que se indican en la figura 9: IB= IE / ( 1 + )=, e IC = IB x =; VCE = VCC +
VEE IC x ( RC + RE ) = VC VE =VC + 0,7= VCC + 0,7 IC x RC=; VB =VBE + IE x RE=; VE = IE x RE VEE =
0,7; VC = VCC IC x RC =; VB= VBE+VE= VBE+ IE.RE =; para hallar la potencia que disipa el transistor
utilizamos la siguiente frmula: PD= VCEQ x ICQ =.
La clave para un buen diseo y de un circuito con polarizacin de emisor es el Valor de RB; este
debe ser pequea, pero qu tanto? Por una deduccin similar a la dada para la polarizacin de
divisor de voltaje, la frmula exacta para la corriente de emisor es: IE= (VEE VBE) / (RE + RB/).
Cuando un circuito de polarizacin de emisor est bien diseado, su tensin es similar a la de
polarizacin por divisor de tensin, cumpliendo la regla de 100:1, tenemos: RB < 0,01 xRE.
Para este caso, se simplifica las ecuaciones para el anlisis: V B0V; IE= (VEE 0,7) / RE =;
VC = VCC IC x RC =; VCE = VCC + VEE IC x (RC + RE ) = VC VE = VC + 0,7= VCC + 0,7 IC x RC=.
Una fuente de error en este clculo simplificado es la pequea tensin a travs de la RB de la figura
9. Si una pequea corriente circula por esta resistencia, existir una tensin negativa entre la base y
tierra. En un circuito bien diseado, est tensin de base es menor de 0,1V.
5.- POLARIZACIN POR RETROALIMENTACIN DE COLECTOR.- La figura 10 muestra la
polarizacin por retroalimentacin de colector (tambin llamada auto polarizacin). El resistor de
base retorna al colector en lugar de a la fuente de alimentacin. Esto es lo que distingue la
polarizacin de retroalimentacin de colector de la polarizacin de base.
Accin de la retroalimentacin.- Pues bien suponiendo que la temperatura
aumente, origina que el aumente y por consiguiente la Ic, el voltaje VCE
disminuye debido a la gran cada de voltaje en Rc. Esto significa que hay
menos voltaje en la resistencia de la base, y esto da origen a que haya una
disminucin en IB. Con la IB ms pequea, compensa el incremento original en
la Ic. Como se ve, la polarizacin por retroalimentacin del colector es ms
efectiva que la polarizacin por retroalimentacin de emisor para estabilizar el
punto Q. Aunque el circuito es todava sensible a los cambios de ganancia de
corriente, se utiliza en la prctica dada su sencillez y tener una mejor
respuesta en frecuencia.
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Hacemos la malla 1 para obtener la corriente IB: VCC+ IC.RC+IB.RB+VBE= 0. Como IB = IC / (IC /
).RB+IC.RC=VCC VBE IC.(RB/ + RC) =VCC VBE IC=(VCC VBE )/ (RB/ + RC) =. Conocida la IC
podemos hallar las otras dos corrientes: IB y la IE por medio de las siguientes formulas: IB = IC / =, y
IE= IB(1+)=. Ahora recorremos la malla
2 para obtener el VCE: VCC + IC.RC + VCE = 0. VCE = VCC IC.RC=. Para obtener los puntos de
corte de la recta de carga de C.C tomamos la ecuacin anterior para hallar la I C(sat), y hacemos
VCE=0, entonces tenemos 0= VCC IC(Sat).RC, de donde IC(Sat)= VCC / RC=, y lo mismo para hallar el
VCE(Corte), ahora hacemos IC=0 y obtenemos que VCE(Corte) = VCC. Para hallar los voltajes de base,
colector y emisor, hacemos la respectiva malla para hallar cada uno de esos voltajes. Como el
emisor no tiene resistencia su voltaje es VE=0. Ahora podemos hallar el VB por medio de VBE=VB
VE= 0.7V, como VE=0 entonces VB = VBE=0.7V. Para hallar el VC hacemos la malla y obtenemos:
VCC + IC x RC + VC =0; VC = VCC IC x RC =. Para hallar la potencia que disipa el transistor
utilizamos la siguiente frmula: PD= VCEQ. ICQ=.
La polarizacin por retroalimentacin de colector tiene otra ventana sobre la polarizacin de emisor;
no se satura el transistor. Conforme decrece la resistencia de base, el punto de operacin se mueve
sobre la lnea de carga de cc hacia el punto de operacin. Pero ste nunca llega a saturacin, no
importa lo baja que sea la resistencia de base
6.- POLARIZACIN POR RETROALIMENTACIN DE COLECTOR Y DE EMISOR.-Las
polarizaciones con retroalimentacin de emisor y de colector representan los primeros esfuerzos por
obtener polarizaciones ms estables para los circuitos con transistores. A pesar de que la idea de la
realimentacin negativa es buena, esos circuitos se quedan a mitad de camino
al no proporcionar la suficiente realimentacin negativa para lograr su objetivo.
Por ello, el circuito que serie en la figura 11. La idea bsica es usar una
combinacin de una resistencia de emisor y una resistencia de colector. Como
se ver, ms cantidad no siempre significa ms calidad. En este caso la
combinacin de los dos tipos de realimentacin en un circuito de desierta
ayuda, pero esto sigue siendo insuficientes para los niveles necesarios en la
produccin en serie.
Para hallar las ecuaciones hacemos primero la malla 1 y obtenemos:
VCC+ IC.RC+IB.RB+VBE+IE.RE=0; como IE= IB(1+)=, y IC= IB.=; reemplazamos
en la ecuacin IB..RB + IB.RB +IB(1+)RE = VCC VBE
IB( .RB +RB +(1+)RE) = VCC VBE IB= VCC VBE /( .RB +RB +(1+)RE). Una vez conocida la IB
Hallamos IE= IB(1+)=, y la IC= IB.=.
Ahora recorremos la malla 2 para obtener el VCE: VCC + IC.RC + IE.RE + VCE = 0. VCE = VCC
IC.RC+IE.RE =, como IC IE tenemos VCE = VCC IC x ( RC + RE ) = . Para obtener los puntos de corte
de la recta de carga de C.C tomamos la ecuacin anterior para hallar la IC(sat), y hacemos VCE=0,
entonces tenemos 0= VCC IC(Sat). (RC + RE ) =, de donde IC(Sat)= VCC / ( RC + RE ) =, y lo mismo para
hallar el VCE(Corte), ahora hacemos IC=0 y obtenemos que VCE(Corte) = VCC. Para hallar los voltajes de
base, colector y emisor, hacemos la respectiva malla para hallar cada uno de esos voltajes.
VE+IExRE = 0 VE =IExRE =; para hallar el VB hacemos la malla y obtenemos: VB+VBE + IE x RE =0
VB = VBE + IE x RE=; ahora hacemos la malla para hallar el VC: VCC + IC.RC + VC = 0 de donde el
VC = VCC IC x RC =. Para hallar la potencia que disipa el transistor utilizamos la siguiente frmula:
PD= VCEQ. ICQ=.
PROBLEMAS SOBRE CIRCUITOS DE POLARIZACION DEL TRANSISTOR BIPOLAR
1.- Para el circuito de la figura 1, 2, 3, 4, 11 y 12 calcular: IE, IB, IC, VB, VE, VC y el PD. Si el =200
2.- La figura 7 tiene las siguientes especificaciones: ICQ=1/3 IC(SAT.); IC(SAT.)= 9mA. Determine, si el =200: a).-
El valor de RB, RE y RC. b).- Los voltajes y corrientes de c.c (IE, IB, IC, VB, VE, VC ) y el PD.
3.- Con la informacin que proporciona la figura 8 y un =80, determine: a).- El valor de RB, RE y RC. b).- Los
voltajes y corrientes de c.c (IE, IB, IC, VB, VE, VC ) y el PD.
4.- Con la informacin que proporcionan las figuras 9 y 10 y un =100 para cada uno de los transistores,
determine: a).- El valor de R1. b).- Los voltajes y corrientes de c.c (IE, IB, IC, VB, VE, VC) y el PD.
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5.- En el circuito que se muestra en la figura 11, sea el =100. a) Encuentre VTH y RTH para el circuito de la
base. b) Determine: IE, IB, IC, VB, VE, VC y el PD.
6.- Para el circuito de la figura 12 calcular: IE, IB, IC, IRL, IRC, VB, VE, VC, VRC y el PD. Si el =200
RESPUESTAS A LOS PROBLEMAS DE CIRCUITOS DE POLARIZACION DEL TRANSISTOR

BIPOLAR PROPUESTOS
Para la figura 1: RTH = 300K; V2= 20V; VTH = 0V; IB = 10,677A; IC = 2,135mA; IE = 2,146mA;
VB = 3,203V; VE =3,903V; VC = 7,186V; VCE = 11,0899V; PD = 23,683mW.
Para la figura 2: IB = 11,348A; IC = 2,269mA; IE = 2,281mA; VB = 3,437V; VE = 2,737V;
VC = 10,246V; VCE = 7,509V; PD = 17,043mW.
Para la figura 3: V2= 6,697V; IE = 789,167A; IB = 3,926A; IC =785,241 A; VB = 11,302V;
VE =1 2,002V; VC = 10,854V; VCE = 22,856V; PD = 17,947mW.
Para la figura 4: IB = 21,318A; IC = 4,263mA; IE = 4,285mA; VB = 10,872V; VE = 11,572V;
VC = 10,232V; VCE = 1,339V; PD = 5,711mW.
Para la figura 5: IB = 9,881A; IC = 1,9762mA; IE = 1,986mA; VB = 177,859mV; VE = 877,859mV;
VC = 6,664V; VCE = 7,542V; PD = 14,904mW.
Para la figura 6: IB = 7,939A; IC = 1,5878mA; IE = 1,5957mA; VB = 119,086mV; VE = 819,086mV;
VC = 4,189V; VCE = 5,008V; PD = 7,952mW.
Para el punto 2, figura 7: IC = 3mA; IB = 15A; IE = 3,015mA; IC(SAT.)= VEE / (RC+RE)= 9mA; (RC+RE)=
VEE / IC(SAT.)=; (RC+RE)= 18/9mA=2K; Rc=4,5/3mA=1,5K; RET=500; RE=400; RB=1.052.833,333
; Vc= 4,5V; VE= 16,4925V; VB=15,7925V; VCE = 11,992V; PD = 35,977mW.
Para el punto 3, figura 8: IC = 2mA; IB = 25A; IE = 2,025mA; Vc= 7,6V; VE= 2,4V; VB=3,1V=;
VCE = 5,2V; Rc=2,2K; RE= 1.185,185; RB= 356K; PD = 10,4mW.
Para el punto 4, figura 9: Vc=12V; IC = 1,276mA; IB = 12,765A; IE = 1,289mA; VE= 1,547V; V B=
2,247V=V2; R1=39.255,141; VCE = 10,452V; PD = 13,343mW.
Para la figura 10: IB = 20A; IC = 2mA; IE = 2,02mA; VC = 10,6V; VCC = 16V; VB = 3,124V=V2;
VE = 2,424V; R1=41.997,439 ; VCE = 8,176V; PD = 16,352mW.
Para el punto 5, figura 11: Nos ayudamos con la figura 13 que se muestra y hacemos las mallas 1 y
2 RTH = 54687,5; I2= 28,125 A; VTH = 3,031V; IB = 2,2668A; IC = 226,689A; IE = 228,955A;
VB = 3,155V ; VE = 3,855mV; VC = 3,665V; VCE = 7,5207V; PD = 1,7048mW.
Para el punto 6, figura 12: Nos ayudamos con la figura 13. IB = 4,236A; IC = 847,2906A; IE =
851,527A; IX = 1,6236mA =IC + IL =; IL =776,3546 A; VB = 42,3645mV; VE = 742,3645mV; VC
=3,881V; VCE =4,623V; PD = 3,917mW.
TEMA PARA EL PRIMER PREVIO

ANALISIS MATEMATICO DE LOS AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES
BIPOLARES (B.J.T)
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AMPLIFICADORES EN LA CONFIGURACION DE EMISOR COMUN

Despus de que un transistor se haya polarizado con el punto Q cerca de la mitad de la recta de
carga de cc, se puede acoplar una pequea seal de ac en la base. Esto produce fluctuaciones de
igual forma y frecuencia en la corriente del colector. Si la seal de entrada es senoidal y a una
frecuencia de 1kHz, la salida ser una seal senoidal con una frecuencia de 1kHz. El amplificador es
se llama lineal (o de alta fidelidad) si no cambia la forma de la seal.
Si la amplitud de la seal es pequea, el transistor solo usara una pequea parte de la lnea de
carga y la operacin ser lineal.
Pero si la seal de entrada es demasiado grande, las fluctuaciones en la lnea de carga excitaran al
transistor a saturacin y corte. Esto cortara los picos de una onda senoidal y el amplificador ya no
ser lineal. Si se escucha con mucha atencin una salida con un parlante.se oir un sonido terrible
porque la seal esta distorsionada.
EL TEOREMA DE SUPERPOSICION PARA AMPLIFICADORES
En un amplificador transistorizado, como el de figura 1, la fuente de cc proporciona corrientes y

voltajes fijos. La fuente de ac produce fluctuaciones en estas corrientes y voltajes. La forma ms
simple para analizar el circuito es la divisin del anlisis en dos partes: un anlisis de cc y un anlisis
de ac. A esto se le llama el teorema de superposicin y se utiliza cuando se analizan amplificadores
transistorizados.
Estos son los pasos a seguir para la aplicacin del teorema de superposicin de circuitos
transistorizados:
Figura 1.- Amplificador en la configuracin de emisor comn con resistencia de emisor totalmente desacoplada. 40 >
Av 400
1.- Redzcase la fuente de ac a cero; esto significa poner en corto una fuente de voltaje o abrir una
fuente de corriente. branse todos los capacitores. Al circuito restante se le llama circuito
equivalente de cc. Con este circuito se pueden calcular los voltajes y corrientes de cc.Ver figura 2.
2.- Redzcase la fuente de cc a cero; esto equivale a poner en corto una fuente de voltaje o abrir
una fuente de corriente. Pnganse en corto todos los capacitores de acoplamiento y de paso. Al
circuito restante se le llama circuito equivalente de ac. Este es el circuito que se utiliza para el
clculo de voltajes y corrientes de ac. Ver figura 3.
3.- La corriente total en cualquier rama del circuito es la suma de las corrientes de cc y ac que se
encuentran presentes en esta rama; el voltaje total aplicado en cualquier rama es la suma de los
voltajes de ac y cc que se encuentran aplicados en esa rama.
Figura 2.- Circuito equivalente de cc Figura 3.- Circuito equivalente de ac

Notacin. Para mantener una diferencia entre cc y ac es prctica general utilizar maysculas en las
letras y los subndices para las cantidades de cc. Por ejemplo: IE; IC; IB para las corrientes de cc;
VE;VC;VB los voltajes de cc a tierra; VBE; VCE; VCB para los voltajes entre los terminales.
De la misma forma, se utilizan minsculas en las letras y los subndices para los voltajes y corrientes
de ac: ie; ic; ib para corrientes de ac; ve; vc; vb para voltajes de ac a tierra; vbe; vce; vcb para
voltajes de ac entre terminales.
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Es usual tambin utilizar el signo menos para indicar que dos voltajes senoidales estn desfasados
1800 uno con respecto al otro. Por ejemplo, la ecuacin vo = - vin significa que el voltaje de salida
est desfasado 180 con respecto al voltaje de entrada.
RESISTENCIA DEL DIODO DE EMISOR EN A.C.-
Para establecer el punto Q, se ha visualizado el transistor de la figura 4a reemplazado por el circuito
equivalente de la figura 4b (el modelo de Ebers-Moll). Hasta la presente se han hecho
aproximaciones de VBE a 0.7V.
La figura 4d muestra la cuerva del diodo que relaciona a I E con VBE. En ausencia de una seal de
ac, el transistor opera en el punto Q, el cual normalmente est colocado en la mitad de la lnea de
carga de cc. Cuando una seal de ac excita a un transistor, se produce un cambio en voltaje y
corriente de emisor; si la seal es pequea, el punto de operacin varia senoidalmente desde Q
hasta un pico positivo de corriente en A, luego a un pico negativo de corriente en B, y de regreso
otra vez al punto Q, donde se repite el ciclo. Esto produce variaciones senoidales en I E y VBE como
se indica.
Si la seal es pequea, los pico A y B estn muy cercanos a Q, y la operacin es aproximadamente

lineal. En otras palabras, el arco entre A y B es casi una lnea recta y debido a esto los cambios en
voltaje y corriente son aproximadamente proporcionales. En lo referente a la seal de AC, el diodo
aparece como una resistencia dada por re=VBE/IE=, donde re=resistencia del emisor en ac;
VBE= pequeo cambio de voltaje de base-emisor; IE= cambio correspondiente en la corriente de
Emisor.
Como los cambios en VBE y en IE son equivalentes a la corriente y al voltaje de ac la resistencia se
escribe normalmente como re = vbe / ie=; donde re = resistencia en ac del emisor; vbe = voltaje
aplicado a los terminales base-emisor; ie = corriente de ac a travs del emisor. Por ejemplo, si vbe
es 10mV e ie = 0,4mA, entonces re = 10mV / 0,4mA = 2,5
La figura 4c muestra el modelo de Ebers-Moll para AC, que se utiliza cuando se analiza un circuito
equivalente de AC de un amplificador. En este modelo, el diodo base a emisor es sustituido por una
resistencia de emisor a la AC
Las variaciones base-emisor son senoidales, como se indica en la figura 4d. Si la seal es pequea,
las variaciones en corriente de emisor sern tambin senoidales; pero cuando la seal de entrada es
grande, la corriente de emisor ya no ser senoidal debido a la no linealidad de la curva del diodo.
Cuando la seal es demasiado grande, la corriente de emisor se extender sobre el semiciclo
positivo y ser comprimida en el semiciclo negativo, como se indica en la figura 4e. Una onda
distorsionada como esta no se escuchara como seal de entrada cuando excite una bocina.
LA FORMULA DE re.- Como re es la relacin entre la variacin de VBE y la variacin de IE, su valor
depende de la localizacin del punto Q. Cuanto ms alto est Q en la curva, re, ser ms pequea
debido a que el mismo cambio en voltaje base-emisor produce un cambio mayor en la corriente de
emisor; la pendiente de la curva del diodo en el punto Q determina el valor de re.
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Su valor es re= 25mV / IE =.

Por ejemplo, si el punto Q tiene una IE de 1 mA, entonces re=25mV/1mA=25 o, para un punto Q
con una IE= 5mA re decrece a re = 25mV/ 5mA=5
Se sabe como se calcula IE en los circuitos de polarizacin; por lo tanto, cuando se tiene IE se puede
encontrar el valor que corresponda a re. Debe recordarse que re es una cantidad de ac cuyo valor
depende de una cantidad de cc (IE). Esto significa que el punto Q determina el re .
La ecuacin re= 25mV/IE es vlida para una temperatura ambiente de alrededor de 25C. La
resistencia re aumenta aproximadamente 1% por cada 3C de aumento. Adems, la ecuacin re=
25mV/IE supone una unin pn rectangular. Debido a que la forma de la curva del diodo cambia con
una unin no rectangular, el valor de re puede diferir algo del que se indica en la ecuacin re
=25mv/IE. A pesar de esto, para localizacin de fallas y diseo preliminar amplificadores de seal
pequea, re =25mv/IE es un excelente principio para cualquier transistor.
BETA DE A.C.- La figura 5 muestra una grfica caracterstica de Ic en funcin de I B. cc es la razn
de la corriente de colector de cc Ic a la corriente de base a cc IB. Como la grfica no es lineal, cc
depende de las coordenadas del punto Q. Por eso, en las hojas tcnicas cc queda especificada
para un valor particular de Ic.
FIGURA 5 La curva de corriente de cc de colector contra la corriente de cc de base no es lineal
El beta de AC (designada como ac o simplemente ) es una cantidad de pequea seal que de

pende de la localizacin de Q. En trminos de la figura 5, beta se define como: =Ic / I B o,
como las corrientes alternas son las mismas que los cambios en las corrientes, = ic/ib.
Grficamente, es la pendiente de la curva en el punto Q; por esta razn, tiene diferentes valores a
diferentes ubicaciones del punto Q.
En las hojas tcnicas es identificada como hfe. Obsrvese que los subndices de hfe son letras
minsculas, mientras que los subndices de hFE son letras maysculas. Por lo tanto, cuando se
consultan las hojas tcnicas no deben confundirse estas ganancias de corriente en cc y ac. La
cantidad hFE es la relacin de IC /IB, tambin como cc. La cantidad hfe es la relacin es la relacin
ic/ib, o sea .
EL AMPLIFICADOR DE EMISOR COMUN
La figura 1 muestra un amplificador de emisor comn con resistencia de emisor totalmente
desacoplada. Como el emisor est acoplado a tierra por medio de un capacitor, a este amplificador
algunas veces se les llama amplificador con emisor a tierra: esto significa que el emisor est a tierra
de ac, pero no a tierra de cc. Tiene acoplada a la base una pequea onda senoidal, lo cual produce
variaciones en la corriente de base.
La corriente de colector es una forma de onda senoidal amplificada de la misma frecuencia, debida
a . Esta corriente senoidal de colector, fluye por la resistencia de colector y produce un voltaje
amplificado de salida.
INVERSION DE FASE.- Debido a las fluctuaciones de ac en la corriente de colector, el voltaje de
salida de la figura1 varia senoidalmente en la parte superior e inferior del voltaje esttico o de
reposo. Debe notarse que el voltaje de salida de ac est invertido con respecto al voltaje de ac de
entrada, lo cual significa que est desfasado 180 con respecto a la entrada. Durante el primer ciclo
positivo del voltaje de entrada aumenta la corriente de base, dando origen a un incremento en la
corriente de colector. Esto produce una cada de voltaje mayor en el resistor del colector; por lo
tanto, el voltaje de colector disminuye y se obtiene el primer semiciclo negativo del voltaje de salida.
Por el contrario, en el ciclo negativo del voltaje de entrada, fluye menos corriente de colector y
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disminuye la cada de voltaje en el resistor de colector. Por esta razn, el voltaje de colector a tierra
aumenta y se obtiene el semiciclo positivo del voltaje de salida.
Anlisis matemtico del amplificador de emisor comn con resistencia de emisor totalmente
desacoplada para hallar los parmetros en cc utilizamos el circuito equivalente de cc de la figura 2.
Para hallar los parmetros: Av, Ai, Ap, Zin, Zin(BASE), Zo; partimos de los circuitos equivalentes
del amplificador segn las figuras 3 y 6.
Av=Vo/Vin Vo ic.rc=0 Vo= ic.rc; Vin+ic.re =0 Vin= ic.re= Vb. Luego Av= ic.rc / ic.re
Av=rc/re; Ai= io/iin=ic/ib=; Ap= po/pin=Vo.ic /Vin.iin= Ap=Av.Ai = Av.=; Zin=R1//R2//Zin(BASE)=;
Zin=( Rb // Zin(BASE)) =; Zin(BASE)=Vb/ib= icxre / ib=; pero =ic / ib = ib =ic / = Zin(BASE)= ic. re
/ (ic/ )= Zin(BASE)= .re=; Zin= R1//R2//.re=; Vo=Vc y Vo= Av.Vin=; Ve= 0V; Zo=rc=Rc//RL=;
Vin=Vf.Zin/(Rf+Zin)=.
La figura 7 nos muestra un amplificador en la configuracin de emisor comn con resistencia de
emisor dividida o parcialmente desacoplada. Este amplificador tiene una ganancia de voltaje entre
mayor de 10 y menor o igual a 40. Para poder hallar sus parmetros tanto en cc como en ac
debemos utilizar los circuitos equivalentes de cc figura 8 y el circuito equivalente de ac figura 9 y 10,
que nos facilita el calculo
Figura 7.- Amplificador de emisor comn de RE dividida. Figura 8.- Circuito equivalente de cc
Av= Vo / Vin Vo ic.rc = 0 Vo = ic.rc=; Vin + ic.(re+ rE) = 0 Vin = ic. (re+ rE ) = Vb. Luego
Av= ic.rc / ic. (re+ rE ) Av= rc / (re+ rE); Ai= io/iin= ic/ib=; Ap= po/pin=Vo. ic /Vin. iin= Ap=Av.Ai =
Ap=Av.=; Zin=R1//R2//Zin(BASE)=; Zin=(Rb// Zin(BASE))=; Zin(BASE)=Vb/ib= ; Zin (BASE)=ic.(re+ rE)/ib=;
pero =ic/ib ib=ic/= Zin(BASE)=ic.(re + rE )/(ic/ )= Zin(BASE)=.(re+rE) = Zin=R1//R2// (re+ rE ) .
Vo=Vc y Vo= Av.Vin=; Ve= ie.rE; Vin=Vf.Zin/(Rf+Zin)=; Zo=rc=Rc//RL=.
Figura 9.- Circuito equivalente de ac Figura 10.- Circuito equivalente para ac de un

Amplificador de EC con RE dividida
La figura 11 nos muestra un amplificador en la configuracin de emisor comn con resistencia de
emisor sin desacoplar. Este amplificador tiene una ganancia de voltaje entre mayor de 0 y menor o
igual a 10. Para poder hallar sus parmetros tanto en cc como en ac debemos utilizar los circuitos
equivalentes de cc figura 12 y el circuito equivalente de ac figura 13 y 14, que nos facilita el calculo
Figura 11.- Amplificador de EC de RE sin desacoplar. Figura 12.- Circuito equivalente de cc.
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Av= Vo / Vin Vo ic.rc = 0 Vo = ic.rc; Vin + ic.(re+ RE) = 0 Vin = i c. (re+ RE ) = Vb. Luego
Av= ic.rc / ic.(re+ RE ) Av=rc / (re+ RE); Ai= io/iin= ic/ib=; Ap= po/pin=Vo. ic /Vin. iin= Ap=Av.Ai =
Ap= Av.=; Zin=(Rb// Zin(BASE))= R1//R2// .(re+ RE )=; Zin(BASE)=Vb/ib= ic.(re+ RE) /ib=; pero
=ic/ib ib=ic/ = Zin(BASE)= ic. (re +RE )/ (ic / )= Zin(BASE)= .(re+ RE )=; Zin= R1//R2// .(re+RE).
Vo=Vc y Vo= Av.Vin=; Ve= ie. RE; Vin=Vf.Zin/(Rf+Zin)=; Zo=rc=Rc//RL=.
Figura 13.- Circuito equivalente de ac Figura 14.- Circuito equivalente para ac de un

Amplificador de EC con RE sin desacoplar
AMPLIFICADOR EN LA CONFIGURACIN DE COLECTOR COMN
A este amplificador se le conoce tambin como amplificador seguidor de emisor, porque la seal de
entrada est en fase con la seal de salida y es casi de la misma magnitud en la carga. Este difiere
de los dems amplificadores, porque es el nico que tiene la carga en el emisor.
Av=VO /Vin=; VO =ic.Re=Ve; donde Re= RE // RL=; y la Vin: Vin+ie.re+ ie .Rs =0 Vin= ie.re+ ie .Rs =
Vin= ie (re+Re) =; como ic ie Vin= ic (re+Re) =; Av= ic.Re / ic (re+Re) = Av= ic.Re / ic (re+Re) =;
Av= Re / (re+Re) =; Si Re >>>>re Av1; Ai =io / iin=ic / ib = ; Ap= (pO) / pin)=; Ap= Ai . Av =;
Zin = Rb // Zin(BASE) =; Rb = R1 // R2=; y Zin(BASE) = Vb / ib =; si Vb = Vin y ic = / ib =;
Zin(BASE)= ic (re+Re) / ib / =; Zin(BASE)= (re+Re) =; Zin = R1// R2// (re+Re) =.
Rb=R1//R2= R1xR2 / (R1+R2)= y Re=RE//RL= RE x RL / (RE + RL)

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Para hallar la Zo(EMISOR), (la impedancia vista desde el emisor) se hace thevenin desde de la
base y hallamos la RTH que es igual a Rf//R1//R2, y tambin se halla el VTH que es el mismo Vin
que hemos hallado hasta ahora es decir. Vin=Vf( Zin / (Rf + Zin), y el circuito equivalente es:
Zo(EMISOR) =Rth/ + re =; como Zo = Re// Zo(EMISOR) y Re >>>> Zo(EMISOR) Zo Zo(EMISOR)=Rth/ + re =.

PAR DARLINGTON: Este amplificador Darlington es un circuito transistorizado ampliamente
utilizado, que consiste en emisores seguidores conectados en cascada, por lo general un par es
como el que se muestren la figura. La ganancia total de voltaje es cercana a la unidad. El resultado
principal es un incremento muy grande en la impedancias de entrada y un decremento igualmente
grande en la impedancia de salida.
V2=VB1= Vcc.R2 / (R1+R2); VE1=V2 VBE=; VE2= VE1 VBE=V2 2 VBE; Vc1=Vc2=Vcc; IE2= (V2 2VBE) /
RE; IB2=IE2/(+1); Ic2=.IB2; IE1 =IB2 = IE2 / +1); IB1= IE1/(+1)= IE2 / (+1) / (+1)= IE2 / (+1)(+1);
IB1= IE2/ (+1)(+1); Ic1=.IB2. Ganancia de corriente en c.c AI= Io / Iin= IE2 /IB1=(+1)(+1). Para la
Ai en a.c es la misma sea Ai=(+1)(+1). La ganancia de vlotaje es: Av= VO/Vin= Re/ (re2+Re) =;
VO= Av.Vin= ie2.Re=Ve2; donde Re= Rs // RL=; y la Vin: -Vin+ie1.re1+ ie2. re2 +ie2 .Rs = 0
AMPLIFICADOR PAR DARLINGTON Y SU CIRCUITO EQUIVALENTE EN A.C

Vin= ie1.re1+ ie2. r'e2 +ie2.Rs = Vin ie2 (re2+Re) =; como ic2 ie2 Vin= ic2 (re2 +Re) =; Av= ic2.Re / ic2
(re2 +Re) = Si Re >>>>> re Av 1; Ai = io / iin= ic2 / ib1=; Ai =(ie2 )/(ie1/ ( + 1 ))=; como ie1 ib2 y
ie1 =ie2/ ( + 1 ) Ai = ie2. ( + 1 ) / ( ie2 / ( + 1 ))=; Ai =(+1)(+1). Ap=(pO) / pin)=; Ap= Ai . Av =;
Zin=Rb//Zin(BASE)Q1; Rb=R1//R2=; y Zin(BASE)Q1=(re1+ Zin(BASE)Q2)
Ai =(+1)(+1). Ap=(po / pin)=; Ap= Ai . Av =; Zin=Rb//Zin(BASE)Q1; Rb=R1//R2=; y
Zin(BASE)Q1=(re1+ Zin(BASE)Q2) =; Zin(BASE)Q2=Vb2/ ib2=; si Vb2=Vin2 y ib2 =/ic2=;
Zin(BASE)Q2=ic 2(re2+Re) / ib2 /=; Zin(BASE)Q2= (re2+Re) =; Zin(BASE)Q1=(re 1+ (re2+Re) ) =;
Zin=R1// R2// Zin(BASE)Q1 =. Como Rb<<<<<<Zin(BASE)Q1. Zin Rb= R1// R2=. Zo
ZO(EMISOR)Q2 = (ZO(EMISOR)Q1/)+re2 ZO(EMISOR)Q1= (Rth/) + re1= Zo
(EMISOR)Q2 =((Rth/) + re1) / + re2= Zo (EMISOR)Q2 = (Rth+.re1) / . + re2Zo
AMPLIFICADOR EN LA CONFIGURACIN DE BASE COMN
Este amplificador es de muy baja impedancia de entrada y es tan baja que sobrecarga la mayor
parte de las fuentes de seal y por esto la mayor parte de la seal de entrada se pierde en la
resistencia de la fuente (Rf). Este amplificador en forma discreta no se usa a bajas frecuencias, su
aplicacin es sobre todo en circuitos de alta frecuencia por encima de los 10 MHz. Los
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dos circuitos que se muestran a continuacin slo tienen estas dos clases de polarizacin que se
emplean para esta configuracin. Lo nico que difiere de estos dos circuitos es el circuito de
polarizacin; porque el circuito equivalente de a.c. es igual para los dos amplificadores as tengan
diferente circuito de polarizacin.
Av= Vo / Vin = Vo ic.rc = 0 Vo = ic.rc =; - Vin+ic.re = 0 Vin = Ve = ic.re = Vf x Zin /

(Zin+ Rf )=; Av= ic.rc / ic.re Av=rc / re; Ai= io / iin = ic / ie = ; Ap = po / pin = Vo. ic / Vi x
iin= Ap= Av x Ai =; Ap = Avx =; Av= VO/Vin=; VO= Av.Vin= ; VO=io. rc=; como io=
ic VO=ic.rc=Vc; donde rc = Rc // RL=; Vb= 0 V; Zin(BASE)=NO HAY PORQUE LA BASE ESTA A TIERRA.
Zin = RE // re =; como RE >>>>>> re Zin re; y re =25mV/IE; Zo = rc = Rc // RL=.
PROBLEMAS SOBRE AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES BIPOLARES DE SEAL

PEQUEA RESUELTOS PARA ANALIZAR
1- Con la informacin que ofrece la figura 1. Determine, si el =200
a).- Los voltajes y corrientes de a.c. y la potencia que disipa el transistor.
b).- La ganancia de potencia real que disipa RC
c).- La ganancia de corriente real en RL.
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2- De la figura 2. Determine, si el =200

a).-Los voltajes y corrientes de c.c y a.c. y la potencia que disipa el transistor.
b).-La ganancia de potencia real que disipa RL.
C ).-La ganancia de corriente real en Rc.
Problema 1.-Comprobamos si 10xR2<xRE10x60K<200(3,05K+75), como se cumple, lo hacemos

por el mtodo aproximado, y hallamos el V2. V2=(18+18)X60K/(340K+60K)=5,4V IE=(5,4 0,7) /
(3,05K+75)=1,504mA; re=25mV/1,504mAre=16,622; rC=6K//9K=3,6K; Av=3,6K / (16,622+75)=
Av=39,291; Zin(BASE)=200(16,622+75)=18324,742; Zin=340K//60K//18324,742=13480,779;
Vin= VF.Zin / (RF + Zin)=; Vin=120mVX13480,779/(1,5K+13480,742)=107,984mV=Vb;
V0=107,984MvX39,291=4,242V=Vc; ic =4,242/3,6K=1,178mA; ib=1,178mA/200=5,892A;
ie=201X5,892A=1,184mA; Ve=75X1,184mA=Ve=88,835mV; iRL=4,242V/9K=471,433 A;
iRC=4,242/6K=707,15A; if=(120mV107,984mv)/1,5K= if=8,01A; AiRealRC=707,15A/8,01A
=88,28; AvReal=4,242/120mV=35,357 ApRealRC=88,264X35,357=3121,379; AiRealRL=471,433 A /
8,01A=58,853
Problema 2.- IE=(12 0,7)/(11,2K+100)=1mA; re=25mV/1mA=25; rC=6K//12K=4K; Av=4K/(25+100)=

Av=32; Zin(BASE)=200(25+100)=25K; Zin=16K//25K=9756,097; Vin= 180mVX9756,097/ (9756,097+2K)
Vin =149,377=Vb; V0=149,377mVX32=4,78V=Vc; ic =4,78/4K=1,195mA; ib=1,195mA/200=5,975A;
ie=201X5,975A=1,2mA; Ve=1.2mAX100=120,099mV; iRL= 4,78/12K=398,34A; AvReal= V0 / Vin =
AvReal=4,78/ 180mV=26,556;if=(180mV149,377mV)/2K=15,311A; AiRealRL=398,34A/15,311A;
AiRealRL=26,016; ApRealRL= 26,555X26,016=690,888; iRC=4,78/6K=796,68A;
AiRealRc=796,68A /5,975A=52,032.
3-El transistor de la figura 3 tiene un =200, Calcular?
a).-Los voltajes y corrientes de a.c.
C).-La ganancia de corriente real en RC
4-Con la informacin que ofrece la figura 4. Determine, si el =200

a).-Los voltajes y corrientes de a.c.
b).-La ganancia de potencia real que disipa RC.
C ).-La ganancia de corriente real en la carga.
Problema 3.-Comprobamos si 10xR2<xRE10x40K<200x7,6K, como se cumple, lo hacemos por el

mtodo aproximado, y hallamos el V2. V2=(15+15)X40K/(80K+40K)=10V; IE=(10 0,7)/7,6K=
IE=1,223mA; re=25mV/1,223mA=20,43; rC=4K//8K=8K/3; Av=(8K/3) / (20,43+100)=22,142;
Zin(BASE)=200(20.43+100)=24086; Zin=40K//80K//24086=12655,367; Vin= 200mVx12655,361/
(12655,361+1,5K)=178,806mV=Vb; V0=178,806mVX22,142=3,959V=Vc; ic =3,959/(8K/3)=1,484mA;
ib=1,484mA/200=7,423A; ie=201X7,423A=1,492mA; Ve=1,492mAX100=149,215mV;
iRL=3,959/8K= 494,875A; if=200mV-178,806mV/1,5K=14,128A; AiRealRL=494,875 A /14,129A=
AiRealRL =35,028; AvReal=3,959/0,2=19,796; ApRealRL=19,795X35,028=693,434; iRC=3,959/4K=
iRC=989,822A; AiRealRc= iRC / if =; AiRealRc= 989,75A / 14,129A=70,056.
Problema 4.- IB=(20 0,7)/{6K(200)+(440K+260K)+201(1,5K+100)}=8,687A; IE=(20)X8,687A=
IE=1,746mA;re=25mV/1,746mA=14,317; rC=260K//6K//18K=4423,44; Av=4423,44/(14,318+100)=
Av=38,694; Zin(BASE)=200(14,318+100)=22863,4031; Zin=440K//22863,6=21734,052;
Vin=180mVX21734,23/(1,2K+21734,23)=170,581mV=Vb; V0=170, 581mVX38,694=6,6V= Vc ;
iC= 6.6/4423,44=1,492mA; ib=1,492/200=7,46A; ie=201X7,46A=1,499mA; Ve=1,499mAx100=
Ve=149,964mV; iRC=6,6/6K=1,1mA; if=(0.18mV 170,581mV) / 1.2K=7,848A;
AiRealRc=1,1mA/7,849=140,145; AvReal=6.6/0,18=36,669; ApRealRC=140,145X36,666=5139,82;
iRL=6,6/18K=366,698A; AiRealRL=366.666 A/7,848 A=46,721.
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Analice los 4 ejercicios resueltos para que tengan idea de cmo se resuelven los problemas que les
envi y los puedan resolver
. PROBLEMAS SOBRE AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES BIPOLARES

PARA RESOLVER
1.- Con la informacin que ofrecen las figuras 1, 2 y 4. Determine, si el =200
a).-Los voltajes y corrientes de c.c y a.c, y la potencia que disipa el transistor.
C).-La ganancia de corriente real en Rc.
2.- De la figura 3. Determine, si el =180
a).- El valor de R1 y Vcc.
b).- Los voltajes y corrientes de c.c y a.c. y la potencia que disipa el transistor.
c).- La ganancia de potencia real que disipa Rc.
d).- La ganancia de corriente real en RL.
3.- Con la informacin que ofrecen las figuras 5, 6, 7, 9. Determine, si el =200
a).-Los voltajes y corrientes de c.c y a.c, y la potencia que disipa el transistor.
b).-La ganancia de potencia real que disipa RC.
C).-La ganancia de corriente real en la carga.
4._ La figura 8 tiene las siguientes especificaciones: ICQ=1/3 IC(SAT.); IC(SAT.)= 9mA.
Determine, si el =200
a).- El valor de RB, RE y Rc.
b).- Los voltajes y corrientes de c.c y a.c, y la potencia que disipa el transistor.
c).- La ganancia de potencia real que disipa RC.
d).-La ganancia de corriente real en la carga.
RESPUESTAS A LOS 9 PROBLEMAS

Figura 1.- V2=20V; RTH=300K; V TH=0V; IB=10,677A; IE= 2,146mA ; IC=2,135mA; VB=3,203V;
VE=3,903V; Vc= 7,186V;VEC=11.089V; PD=23,653mW; rC=2,4K; re=11,648; Av=206,037:
Zin(BASE)=2329,672; Zin=2311,721; Vin= 16,443mV=Vb; Vo =3.387V=Vc; ic =1,411mA:
ib=7,058A; ie=1,418mA; Ve=0V; if =7,113 A; iRL=846,992A; iRC= 564,661A;
AirealRL= 119,075 AVreal= 169,398; APrealRL= 20171,175 ; AirealRC= 79,383.
Figura 2.- IB=7,427A; IE= 1,492mA ; IC=1,485mA; VB=133,699mV; VE=833,699mV; Vc= 5,771V;
VEC=6.605V; PD=9,812mW; rC=1,2k; re=16,745; Av=10,278: Zin(BASE)=23349,008;
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Zin=10164,261; Vin=138,979mV=Vb; Vo =1,428V=Vc; ic =1,19mA: ib=5,952A; ie=1,196mA;

Ve=119,64mV; if =13,673A; iRL=238,091A; iRC=952,364A; AirealRL= 17,412; AVreal=7,936;
APrealRL=138,194; AirealRC= 69,651.
Figura 3.- IB=20A; IE= 3,62mA ; IC=3,6mA; VB=7,94V=V2; VE=7,24V; Vc= 12V; Vcc=22,8V;
R1=18715,365 ;VEC=4,76V; PD=14,28mW; rC=2,25k; re=6,906; Av=325,8; Zin(BASE)=1243,093;
Zin=1043,975; Vin= 16,784mV=Vb; Vo =5,468V=Vc; Ve=0V; ic =2,43mA: ib=13,502A;
ie=2,443mA; if =16,077 A; iRL=607,599A; iRC=1,822 mA; AirealRL= 113,375 AVreal=169,398;
APrealRC=30999,158; AirealRL= 37,791.
Figura 4.- V2=7,272V; IE= 2,629mA; IB=13,080A; IC=2,616mA; VB=12,727V; VE=13,427V; Vc=
9,535V;VEC=22,963V; PD=60,072mW; rC=2,6666k; re=9,508; Av=280,436: Zin(BASE)=1901,798;
ie=1,797mA; if =10,7183A; iRL=596,125A; iRC=1,192mA; AirealRL= 55,6174 AVreal=238,45;
APrealRL=13262,00153; AirealRC= 111,2349
Figura 5.- IB=10,929A; IE= 2,196mA; IC=2,185mA; VB= 19,345V=; VE= 20,045V; Vc= 12,241V;
VEC=7,804V; PD=17,0598mW; rC=3657,474K; re=11,379; Av=321,4; Zin(BASE)=2275,959;
ie=1,559mA; if =7,797A; iRL=506,803A; iRC=1,013 mA; AirealRL= 129,994 AVreal=169,398;
Figura 6.- V2=12V; IE= 1,486mA; IB=7,397A; IC=1,479mA; VB= 6V; VE= 6,7V; Vc= 9,123V;
VCE=15,823V; PD=23,409mW; rC=3,6K; re=16,814; Av=30,818: Zin(BASE)=23362,831;
Zin=13375,691; Vin= 183,931mV=Vb; Vo =5,668V=Vc;; ic =1,574mA: ib=7,872A; ie=1,582mA;
Ve=158,243mV; if =13,39A; iRL=629,824A; iRC=944,737A; AirealRC= 70,551; AVreal=28,342;
APrealRC=1999,5 78; AirealRL= 47,034.
Figura 7.- V2=10,818V; IE= 1,264mA; IB=6,289A; IC=1,257mA; VB= 9,818V; VE= 10.518V;
Vc= 12,452V; VEC= 22,9704V; PD= 28,895mW; rC= 3428,571; re= 19,774; Av= 173,381;
Zin(BASE)= 3954,937; Zin= 3810,534; Vin= 18,54mV=Vb; Vo =3,214V=Vc; Ve= 0V;
ic = 937,579A: ib= 4,687A; ie= 942,267A; if = 4,865A; iRL= 401,819A; iRC= 535,759 A;
AirealRC= 110,112; AVreal=160,727; APrealRC=17698,211; AirealRL= 82,584.
Figura 8. - IC= 3mA; IB=15A; IE= 3,015mA; Rc= 1,5K ; RE=500 ; RB=1'052.833,333; Vc= 4,5V
VE= 16,4925V; VB= 15,7925V; VEC= 11,9925V; PD= 35,9775mW; rC= 1,2K; re= 8,291;
Av= 144,72; Zin(BASE)= 1658,374; Zin= 1655,766; Vin= 16,932mV=Vb; Vo =2,45V=Vc; Ve= 0V;
ic = 2,042mA: ib= 10,21A; ie= 2,052mA; if = 10,226A; iRL= 408,403 A; iRC=1,633mA; AirealRC=
159,748; AVreal=160,727; APrealRC=19572,535; AirealRL=39,937.
Figura 9.- IB= 11,521A; IE= 2,315mA ; IC= 2,304mA; VB= 13,826V=V2; VE= 14,526V; Vc=
6,913V; VCE=7,613V; PD=17,543mW; rC=2k; re=10,975; Av= 185,2707; Zin(BASE)=2159,002;
ie=1,634mA; if =8,146A; iRL=542,106A; iRC=1,084mA; AirealRC= 133,093 AVreal=162,631;
ANALISIS MATEMATICO DE LOS AMPLIFICADORES MULTIETAPAS
Para analizar este amp. multietapa de tres etapas como el de la figura1, aplicamos el teorema de
superposicin para analizar primero el circuito de corriente continua y luego el circuito de a.c.
Para analizar el circuito de corriente de continua se cortocircuita la fuente de voltaje de a.c, y los
condensadores se comportan como interruptores abiertos quedando el circuito de la figura 1 como el
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se muestra en las figuras 2, 3 y 4.

Ahora analizamos cada circuito por separado en la parte de corriente continua:
Hallamos el valor de V2-1 en la figura 2: V2-1=Vcc.R2-1/(R1-1+R2-1)=, y el V2-1=VB1 . Hacemos la malla 1
para hallar la IE2: V2+VBE+VBE+IE2.RE=0 IE2=(V2 2VBE)/ RE =; Hallada la IE2 puedo hallar las
dems corrientes: IE1= IB2 = IE2 / ( + 1 )=; IC1= IB1.=; IC2 = IB2=; IB1= IE1 /( +1)=( IE2 / (+1)) / (+1)=
IB1=IE2 / (( + 1 ) ( + 1 )) =. Hallamos los voltajes de cada uno de los transistores:
VB1=V2; VE1=V2 VBE=VB2; VE2=VE1 VBE= V2 2VBE= IE2.RE=; VC1=VC2=VCC.

Analizamos el circuito de la figura 3 que es la segunda etapa esta polarizado por divisor de voltaje.
Hallamos el valor de V2-2 en la figura 3: V2-2=Vcc.R2-2/(R1-2+R2-2)=, y el V2-2 = VB2. Hacemos la malla 1

para hallar la IE3: V2 + VBE + IE2.RET = 0 IE3=(V2 VBE)/ RET =; IB3 = IE3 / ( + 1 )=; IC3= IB3.=. RET
= RE + rE =. Conocida las corrientes hayamos los voltajes:
VB3 = V2 = VBE3 + IE.RET =; VE3 = V2-3 VBE= IE3.RET=; VCC + IC3.RC2 + VC2 = 0
VC=VCCIC x RC =; VCC+IC.RC+ VCE + IE.RE=0 VCE =VCCIC (RC+ RE )=.
Analizaremos el circuito de la figura 4 que es la tercera etapa y esta polarizado por divisor de voltaje
y hacemos el mismo anlisis que en el circuito de la segunda etapa.
V2-3 = Vcc. R2-3 / ( R1-3 + R2-3) =, y el V2-3 = VB3. Hacemos la malla 1 para hallar la IE4: V2 + VBE +
IE4.RE = 0 IE4=(V2 VBE)/ RE =; IB4 = IE4 / ( + 1 )=; IC4= IB4.=. Conocida la corriente hallamos los
voltajes:VB = V2 = VBE + IE.RE =; VE = V2 VBE= IE.RE=; VCC + IC.RC + VC = 0
VC=VCCIC x RC =; VCC+IC.RC+ VCE + IE.RE=0 VCE =VCCIC (RC+ RE )=.
Aplicando la segunda parte del teorema de superposicin, para analizar el circuito de corriente
alterna, reducimos la fuente de cc a cero; esto equivale a poner en corto la fuente de voltaje de C.C.
Ponemos en cortocircuito los capacitores de paso y acoplamiento, como se muestra en el circuito5,
las resistencias RE2 y RE3 se anulan por el efecto de los condensadores de paso
FIGURA 5
Las resistencias R1-1; R1-2; RC2; R1-3 y RC3 que estn a tierra las bajamos a la tierra de abajo para
dejar una sola tierra y poderlo analizarlo mejor como se muestra en el circuito 6, vemos que en la
primera etapa tenemos R1-1 y R2-1 estn en paralelo y la cambiamos por una resistencia equivalente
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que la llamaremos RB1, y en la segunda etapa aparecen RE2; R1-2 y R2-2 estn en paralelo y la
cambiamos por una resistencia equivalente que la llamaremos RB2 y por ltimo estudiaremos la
tercera etapa y vemos que la resistencias RC2; R1-3 y R2-3 estn en paralelo y la cambiamos por una
resistencia equivalente que la llamaremos RB3. Las resistencias RC3 y RL conforman la resistencia
equivalente de carga y estn en paralelo y la llamaremos rc4.
FIGURA 6
Ahora hacemos el circuito equivalente del amplificador en ac completo, o sea cambiando los
transistores por sus circuitos equivalentes como se muestra en la figura 7.
Como la ganancia de voltaje del amplificador es igual AV1x AV2xAV3, en la primera etapa la ganancia
es aproximadamente igual a 1, en la segunda etapa la ganancia de voltaje est entre 10 y 40, y la
tercera etapa un la ganancia de voltaje est entre 40 y 400.
Comenzamos calculando las ganancias de voltaje en cada una de las etapas: Av1=Re / (re2+Re)=.
Donde Re= RE1 //RB2 //Zin(BASE)3=, y re2=25mv/ IE2=. La segunda etapa la AV2= - rc2 /(re3+rE)=.
Donde rc2=RC3 // RB3 //Zin(BASE)4=, y la tercera etapa la AV3= - rc3 / re4=. Donde rc3=RC4 // RL=.
Podemos hallar todas las impedancias de base: Zin(BASE)1= ( re1 + Zin(BASE)2 ) =;
Zin(BASE)2= (re2 + Re) =; Zin(BASE)3= (re3+rE) =; Zin(BASE)4= . re4=.
FIGURA 7
Ahora calculamos la Zin para hallar el V in y poder calcular los dems voltajes. Zin=RB1//Zin(BASE)1=;
V in= VFxZin / (RF + Zin)= V b1; VO =AVTxV in = V C4; Vo1= V inxAV1= V e2= V b3; Vo2= Vo1xAV2=;
Vo2= V C3= V b4=; V e1= V in - i e1x re1 =; V e1= V b2=; V e3= i e1x rE3=; V e4=0V.
Hallaremos las corrientes que las vamos a necesitar para hallar algunos voltajes:
i b1= V b1 / Zin(BASE)1=; i e1= (+1) i b1=; i C1= i b1x =; i b2= V b2 / Zin(BASE)2=; i e2= (+1) i b2=;
i C2= i b2x =; i b3= V b3 / Zin(BASE)3=; i e3= (+1)i b3=; i C3= i b3x =; i C4= V C4 / rc3=;
i b4= i C4 / =; i e4= (+1)i b4=.
PROBLEMA DE TRABAJO PARA ENTREGAR EL DIA DEL PREVIO
FIGURA 8
En el amplificador de la figura 8, c/u de los transistores tienen un =200 calcular:
a.- Los voltajes y corrientes de cc y ac en c/u de las etapas del amplificador, y la potencia que disipa
c/u de los transistores.
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b.- La impedancia vista desde la base de Q1.

c.- La ganancia de corriente real que recibe la base de Q3.
d.- La ganancia de corriente real que recibe Rc4.
e.- La ganancia de potencia real que disipa la RL.
DISEO DE AMPLIFICADORES CON TRANSITORES BIPOLARES (BJT) DE UNA O MAS

ETAPAS ESTE ES EL CAPITULO 2 Y ES EL TRABAJO QUE HAY QUE HACER.
AMPLIFICADOR EN LA CONFIGURACION DE EMISOR COMUN CON RESISTENCIA SIN

DESACOPLAR
PROBLEMA DISEO. Disear un amplificador emisor comn con resistencia de emisor sin
desacoplar que cumpla con los siguientes parmetros: AV= - 8; Vf=300mVpp; RL=4k; Fc= 25Hz;
Vcc= 15V; Ic= 3mA; =200
Vc=Vcc/2; VRC =Vcc-Vcc/2=Ic.Rc= Rc=VRC/Ic=; Av= - rc/ (re+RE)=; rc=Rc //RL. Como RE>>>re.
Entonces Av= -rc/RE RE= -rc/Av; Ic=IE; VRE=IC*RE; V2=VE+VBE= IE.RE +0.6; V1=Vcc V2=;
IB =Ic/(Medido); I1=11IB; I2=10IB; R1 =V1/I1;R2=V2/I2; Ccin=1 / (2fcZin);
Cco=10/(2fcRL)=; Zin=R1//R2 //Zin(BASE)=; Zin(BASE)= (re+RE).RE
Los valores de las resistencias y de los condensadores, si no son
exactos se aproxima a un valor que se consiga en el comercio.
Para medir la Zin: abrimos el circuito en el nodo formado entre el Ccin y
las R1 y R2.Introducimos un potencimetro con una R igual a
cero .Giramos el potencimetro hasta obtener la mitad de la seal que
haba en la carga. Quitamos el potencimetro y medimos la R entre los
puntos 1 y 3 y esa ser la Zin del amplificador
Para medir la Zo: quitamos la RL y en su lugar montamos el
potencimetro. Giramos el potencimetro hasta alcanzar la mitad de la
seal que haba en un principio en la carga. Quitamos el potencimetro
y medimos la Resistencia entre los puntos 1 y 3, esta ser la
impedancia de salida.
AMPLIFICADOR EN LA CONFIGURACION DE EMISOR COMUN CON RESISTENCIA DE

EMISOR DIVIDIDA
PROBLEMA DISEO.; Disear un amplificador cuya resistencia de emisor se divide en dos, y una
de ellas es desacoplada, este circuito deber cumplir con los siguientes parmetros: Av.=35
fC=30Hz; Vcc=15V.; Ic=5mA; RL=4K ; Vf=120mVpp; =200.
VC = VCC /2= VRC = Vcc - Vcc / 2 Rc = Vcc / 2IC=.El VRE, es la
resistencia de emisor total y la tomamos como: VE=Vcc/6=VRET=; y
RET=rE+RE=;RET= Vcc / 6Ic=; Como Ic = IE VCE =Vc -VE=; Av=-rc/(re+
rE)=; como rE es mucho mayor que re rE = - rc/ Av =
La rE calculada, la recalculamos, para as lograr la ganancia requerida
por el circuito. A la rE calculada le quitamos un 30% sea r*E=70%.rE=;
RE= RET - r*E=; VRET=Vcc/6=; VR2=VRET+VBE =; VR1=Vcc - VR2 =; Pero si
VBE=0.6V; VR2 = Vcc/6 +0.6=; IB=Ic/(Medido)=; I1= 11.IB=; I2 =10.IB; R1=
V1 / I1=; R2 =V2 /I2=; Ccin =1/(2foZin)=; Zin = R1 // R2 // Zin(BASE)=; Zin(BASE)= (e+ r*E) r*E=;
Cco= 10 / (2fcRL)=; Cbp = 10 / (2fcRE)=.
AMPLIFICADOR EN LA CONFIGURACION DE EMISOR COMUN CON RESISTENCIA DE EMISOR
TOTALMENTE DESACOPLADA
PROBLEMA DISEO. Disear un amplificador emisor comn con resistencia de emisor totalmente
desacoplada, este circuito deber cumplir con los siguientes parmetros: Av = 160; VF = 20mVpp;
fo = 30Hz ; RL = 6.8K ; (Medido) =
RL rC = R L ( X % ) R L Av
TABLA PARA 500 a 3k rC = R L ( 20 % ) R L 40 a 400
3k a 5k rC = R L ( 60 % ) R L 40 a 100
CALCULAR rc
rC = R L ( 80 % ) R L 100 a 400
5K a 10k rC = R L ( 70 % ) R L 40 a 100
rC = R L ( 55 % ) R L 100 a 400
10K a 20k rC = R L ( 90 % ) R L 40 a 100
rC = R L ( 85 % ) R L 100 a 400
20K a 50k rC = R L ( 96 % ) R L 40 a 100
rC = R L ( 90 % ) R L 100 a 400
NOTA: Esta tabla se aplica para los diseos 60K a 150k rC = R L ( 98 % ) R L 40 a 400
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de los amplificadores de resistencia de emisor totalmente desacopladas y tambin en los diseos de

base comn.
Av hallo rC . Si rC= R L ( X % ) R L. Conocida rC hallo Rc. Si rC = Rc RL / (Rc + RL )= Rc= rCRL /
(RL rC) = Av= - Rc / re = re = - rC / Av=; y re= 25mv / IE Ic =. Para el valor de VE lo tomo entre
0.5V VE 3.5V. Tomamos un valor aproximado entre 2V y 3V. VE=VRE= RE.IE= RE = VE / Ic =;
Vcc= VRC+ VCE+ VE=; VR1 = Vcc - VR2 =; Pero VR2 = VRE + VBE =
VR2 = RE.IE + 0.6=; IB = Ic / (Medido) =; I1=11IB; I2=10IB; R1= V1 /I1=; R2 = V2 / I2 =; Ccin =1 / (2foZin)=;
Zin =R1 // R2 //Zin(BASE) =; Zin(BASE)= .r'e=; Cco= 10 /(2..fo.RL)=; Cbp= 10 / (2..fo.RE).
DISEO DE UN AMPLIFICADOR COLECTOR COMUN
PROBLEMA DISEO. Disear un amplificador colector comn que cumpla con los siguientes
parmetros: Av 1;Vf= 1Vpp; fo= 30H; RL= 560; Zin 10k; Ic = 2,5ma; =200.
PROCEDIMIENTO
Clculo la RE=KRL=;Kes una constante que puede tener un valor
entre 5 K 20.
Clculo VRE= REIc=; Clculo la Vcc C = 2VRE =; Clculo de los voltajes en

R1 y R2: VR1 = Vcc - VR2 Y VR2= VRE + 0.6 =. IB = Ic / (Medido) =; I1=11IB;
l
I2=10IB; R1= V1 /I1=; R2 = V2 / I2 =; Ccin =1 / (2foZin)=; Zin =R1 // R2
c
//Zin(BASE) =; Zin(BASE) = (r'e+Re) .Re=; Ccin= 1/(2..fo.Zin)=;
u
Cco = 10 / (2..fo.RL)=
l
DISEO DE UN AMPLIFICADOR BASE COMUN
o
PROBLEMA DISEO. Disear un amplificador base comn que cumpla con los siguientes
parmetros: Av=150; Vin=20mVpp;Vfo=30Hz; RL=6,8K ; (Medido) =200.
PROCEDIMIENTO R
Vout=Av xVinpp= ; VCE =Vout +K yE K 1. Por medio de la tabla anterior
=
hallo rC. Si Si rC= R L ( X % ) R L=; Rc= rCRL / (RL - rc) =; Av= - rC / re
re= - rC /Av=. Como re=25mV /IR E =. (IE Ic)=25mV/ re= Llevo el
valor de Ic a un valor exacto por ejemplo
E si me da 1.88mA lo llevo a 2mA
para asi obtener valores de resistencias exactas.
Para obtener el valor de VE lo tomoI entre 1V VE 4V RE=VE / Ic=;
c
Vcc= VRC+ VCE+ VE =; VR1=Vcc -VR2=; Pero VR2= VRE+0,6=, e IB=Ic/=;
=
I1=11.IB; I2=10.IB; R1=V1 / I1=; R2=V2 / I2=; Ccin=1 / (2foZin)=; Zinre; Cco= 10 / (2foRL)=; Cbp=
;
10 / foR2)=.
DISEO DE UN AMPLIFICADOR PARAFASICO PROBLEMA DISEO._
C
Disear un amplificador parafsico que cumpla con los siguientes parmetros: Av=1; Vin=120mVpp;

fo=30Hz; Ic=2mA; =200; RL1=RL2=5,6K; Zin15K.Clculo la
l
RE=KRL=;Kes una constante que puede tener un valor entre 1
c
K 5; RL1=RL2; Rc=RE
u
VRE=VRC=REIc=; VCEVRE; Vcc= VRC +VCE+ VRE=; como VRE=VRC,
l
entonces tenemos Vcc=2VRE+VCE=.
o
El VCE se le dar un valor mayor que el de VRE de tal forma que se
obtenga un Vcc de 12V; 15V; 18V; 24V 30V. VR2= VRE + 0,6 =; VR1=
l
Vcc - VR2=IB = Ic / (Medido)=; I1=a11.IB; I2=10.IB; R1=V1 / I1=; R2=V2 / I2=;
Ccin=1 / (2foZin)=; Zin= R1 // R2 // (Medido)(.Re+ re); Cco= 10 /
(2foRL)=; Cco=Cco1=Cco2. V
DISEO DE UN AMPLIFICADOR MULTIETAPA DE ACOPLE c RC
PROBLEMA DISEO._ c Disear un amplificador de acople
RC que tenga los siguientes parmetros: Av=3600:
Vf=2mVpp; RL=6,8K; = S=8; (Medido ) =200; fc=30Hz.
Se recomienda que la Av de la primera etapa sea menor
que la Av de la segunda:
2 AvT=Av1 x Av2= Diseo
de la segunda etapa: V Vout=Avt xVinpp=;
Vce2=Vout+K ; Kes R una constante K1 El
E
voltaje de RE2 lo asumimos 0.5<RE2<3.5V; rc=RL-
(X%)RL. La(X%) tomamos= de la tabla que est en funcin
de Av y de RL: Rc=;RL . rc /( RL - rc). Calculamos
la IC:
C
Ic=25mv/re ; re= rc/Av2;la corriente Ic la aproximamos a un valor exacto que puede ser mayor al

que nos dio en el caculo. Para obtener valores de resistencias que se consigan en el comercio. La Ic
l
IE.
c
Clculo de la resistencia de emisor RE: RE=VRE / Ic. Clculo del voltaje en Rc: VRc= IcxRc.
u
l
o
d
e
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Clculo de la fuente de Vcc: Vcc= VRc+VcE+ VRE2=. Clculos de los voltajes en R1 y R2

VR1=Vcc-VR2=; Y VR2=VRE2+VBE. Clculo de R1 y R2 R2= SxRE2 = ; S es el factor de estabilidad
dado en los parmetros del diseo. R1= VR1XRin/VR2=. Donde Rin= R2//xRE2=; Clculo de Zin
Zin2= R1 // R2 // .r'e
DISEO DE LA PRIMERA ETAPA
Para disear la primera etapa, tenemos la fuente de Vcc, que ya fue calculada en la segunda etapa,
y tenemos la resistencia de carga (RL1) que corresponde a la Zin de la segunda etapa, conocidos
estos datos procedemos a disear la primera etapa que es un amplificador con resistencia de emisor
dividida.
Para clculos de polarizacin para esta etapa debemos tener en cuenta el voltaje de colector a tierra
Vc, para as poder facilitar los clculos de Rc.
*Clculo de Rc
Vc=Vcc/2= VRc=Vcc - Vcc/2= VRc=Vcc/2= Rc= VRc /Ic
La corriente de colector para esta clase de circuitos la puede dar el diseador, teniendo en cuenta
que la Ic1 Ic2
*Clculo del VRET
El voltaje en RET para esta clase de circuitos se toma como: VRET=(1/6)xVcc
*Clculo de RET *Clculo de VCE *Clculo de rE1 y RE1
RET= Vcc/6Ic= VCE=Vc-VE rE1=rC1 /Av RE1= RET- rE1 rc1=Rc1//Zin2
La rE1 calculada solo tomamos el 70%, para as lograr perfectamente la ganancia requerida por el
circuito: r*E1 = 0.7rE1 RE1= RET- rE1*
*Clculo del voltaje en R1 y R2 * Clculo de R1 y R2.
VR2=VRET+VBE=(1/6xVcc)+VBE=; y VR1=Vcc-VR2=; R2=SxRE =; R1=VR1XRin/ VR2. Donde Rin=R2//re
Clculo de Zin: Zin= R1 // R2//x(re + r*E)=
*Clculo de los condensadores de acople..
Ccin= 1 / (2..fc.Zin)=; Cco= 10 / (2..fc.RL)=; Cbp1= 10 / (2..fc.RE1) =; Cbp2= 10 / (2..fc. RE2)=
Cp= 10 / (2..fc (RC1 + Zin2))=
DISEO DE UN AMPLIFICADOR MULTIETAPA DE ACOPLE DIRECTO
PROBLEMA DISEO._ Disear un amplificador de acople directo que cumpla con los siguientes
parmetros: Av=3600:Vf=1,5mVpp;RL=6,8K;S=8;(Medido)=200 ;fc=30Hz.
Se recomienda que la Av de la primera etapa sea menor
que la Av de la segunda: AvT=Av1 x Av2=
Diseo de la segunda etapa
Vout=Avt. Vinpp=;Vce2=Vout+;Kes una constante K1
Calculamos la IC: Ic=25mv/re ; re= rc/Av2;la corriente
Ic la aproximamos a un valor exacto que puede ser mayor
al que nos dio en el caculo. Para obtener valores de
resistencias que se consigan en el comercio. La Ic IE.
Seleccin del voltaje en la resistencia de RE2:
RE2= VRE2 / Ic=.
Debemos recordar que este es un acople directo y
debemos seleccionar un voltaje en RE2 adecuado para facilitar los clculos de polarizacin de la
primera etapa y as lograr una buena seal sin distorsin a la salida de cada etapa. El voltaje de R E2
lo asumimos VRE2 3V. rc=RL-(X%)RL. El valor de (X%) lo tomamos de la tabla que esta en funcin
de Av y de RL, y hallamos la: Rc= RL .rc /( RL - rc)=; Clculo del voltaje en Rc: VRc= IcxRc.
Clculo de la fuente de Vcc: Vcc= VRc+VcE+ VRE2=; Clculo de Zin; Zin2 = xre=RL1
Para disear la primera etapa, tenemos que partir de que ya contamos con una fuente de Vcc
calculada en la segunda etapa, que contamos con un voltaje de colector a tierra de la primera etapa,
y que es igual al voltaje de base a tierra de la segunda etapa, (V C1=VB2= VRE2+0,6); y tenemos una
resistencia de carga (RL1) que corresponde a la Zin2 de la segunda etapa, conocidos estos datos
procedemos a disear la primera etapa.
Vc1, para as poder facilitar los clculos de Rc.
*Clculo de Rc: Vc1=VRE2+0,6=; VRc=Vcc - Vc1= Rc= VRC1/Ic1
La corriente de colector de la primera etapa la seleccionamos de acuerdo a la corriente de colector
de la segunda etapa. Para unos buenos clculos de polarizacin de la primera etapa, siempre
tomamos teniendo en cuenta que la Ic1 Ic2
*Clculo del VRET: El voltaje en RET para esta clase de circuitos se puede asumir como VRET2. .
*Clculo de RET= r*E + RE1= *Clculo de VCE *Clculo de rE
RET= VRET / Ic= VCE= Vc - VE= rE=rc1/Av = rc1=Rc1//Zin2
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La rE calculada solo tomamos el 62%, para as lograr perfectamente la ganancia requerida por el circuito:
r*E = 0.62rE RE1= RET-r*E=
VR2= VRET+ VBE=; y VR1=Vcc-VR2=. R2= SxRE =; R1= VR1XRin / VR2. Donde Rin= R2//xRET
Clculo de Zin: Zin= R1 // R2//x(re + r*E )=
*Clculo de los condensadores de acople y de paso.
Ccin= 1 / (2..fc.Zin)=; Cco= 10 / (2..fc.RL)=; Cbp1= 10 / (2..fc.RE1) =; Cbp2= 10 / (2..fc. RE2)=.
DISEO DE UN AMPLIFICADOR MULTIETAPA DE ACOPLE CON DIODOS
PROBLEMA DISEO._ Disear un amplificador multietapa de acople con diodos que cumpla con
los siguientes parmetros:
Av=2800:Vf=1,8mVpp; RL=6,8K; S=8;(Medido)=200 ; fc=30Hz
Se aconseja que la Av de la 1 etapa sea menor que la Av de la 2 etapa: vT=Av1 x Av2
Diseo de la segunda etapa; Vout=Avt xVinpp=; Vce2=Vout+K ; Kes una constante K1
El voltaje de RE2 lo asumimos VRE23V; rc=RL-(X%)RL. El valor de (X%) lo tomamos de la tabla
que esta en funcin de Av y de RL, y hallamos la: Rc= RL . rc / ( RL - rc) = Calculamos la IC:
Ic=25mv/re ; re= rc/Av2; la corriente Ic la aproximamos a un valor exacto que puede ser mayor al
que nos dio en el caculo. Para obtener valores de resistencias que se consigan en el comercio
La Ic IE. Clculo de la resistencia de emisor RE: RE=VRE / Ic. Clculo del voltaje en Rc: VRc=
IcxRc.
Clculo de la fuente de Vcc: Vcc= VRc+VcE+ VRE2=; Clculo de Zin2: Zin2 = xre=
Para disear la primera etapa, tenemos que partir de que ya contamos con una fuente de Vcc
calculada en la segunda etapa, y tenemos una resistencia de carga (R L1) que corresponde a la Zin2
de la segunda etapa, conocidos estos datos procedemos a disear la primera etapa que es un
amplificador con resistencia de emisor dividida.
Vc, para as poder facilitar los clculos de Rc.
*Clculo de Rc: Vc1=Vcc/2=: VRc=Vcc - Vcc/2=; VRc=Vcc/2=; Rc= VRc /Ic=.
La corriente de colector para esta clase de circuitos la puede dar el diseador,
Teniendo en cuenta que la Ic1 Ic2
*Clculo del VRET.
El voltaje en RET para esta clase de circuitos se toma como: VRET=(1/6)xVcc
*Clculo de RET= r*E + RE1=; RET= Vcc/6Ic=; Clculo de VCE: VCE=Vc-VE=; Clculo de rE1 y RE1:
rE=rc1/Av =, y rc1=Rc1//Zin2. La rE calculada solo tomamos el 65%, para as lograr perfectamente la
ganancia requerida por el circuito. r*E = 0,65rE RE1= RET- r*E=
VR2= VRET+ VBE=; y VR1=Vcc-VR2=; R2= SxRE =; R1= VR1XRin/ VR2. Donde Rin= R2//x RET
Clculo de Zin: Zin= R1 // R2//x(re + r*E )=.
*Clculo de los condensadores de acople.
Ccin= 1 / (2..fc.Zin)=; Cco= 10 / (2..fc.RL)=; Cbp1= 10 / (2..fc.RE1) =; Cbp2= 10 / (2..fc. RE2)=.
Calculo de los diodos de acople.
Los diodos a utilizar son de silicio que tienen un voltaje de 0,6V, el nmero de diodos que se
utilizarn en el acople se determinarn como sigue a continuacin: # de diodos=(Vc 1 - VB2) / 0,6=
Si Vc1=Vcc/2=; y VB2=VRE2+VBE.
Se puede tambin utilizar un diodo zener tomando esa diferencia de voltaje: Vz= Vc 1 - VB2=.
Se recomienda utilizar en paralelo con los diodos el diodo zener un condensador de 0,1f para
evitar perdidas en la ganancia del circuito debido a la cada de tensin que produce la resistencia
interna de los diodos.
EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO. (FET= Field Effect Transistor)
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El transistor de efecto de campo (FET) es un dispositivo de tres terminales que se utiliza para
aplicaciones diversas que se asemejan, en una gran proporcin, a las del transistor BJT. Aunque
existen importantes diferencias entre los dos tipos de dispositivos, tambin es cierto que tienen
muchas similitudes que se presentarn a continuacin.
Pueden hacerse unas cuantas comparaciones generales entre los dispositivos FET y BJT y los
circuitos resultantes.
1.-El FET tiene una resistencia de entrada extremadamente alta con un valor tpico de casi100M.
(La resistencia tpica de entrada de un BJT es de 2K).
2.-El FET no tiene voltaje de unin cuando de utiliza como interruptor o muestrador.( El BJT tiene un
VBE =0,7V).
3.-El FET es hasta cierto punto inmune a la radiacin, aunque el BJT es sumamente sensible ( el
beta es el que afecta en particular).
4.-El FET es menos ruidoso que el BJT y, en consecuencia, mas apropiado para etapas de
entradas de amplificadores de bajo nivel (se utiliza en los receptores de FM de alta fidelidad ).
5.-El FET puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad trmica que el BJT.
6.-El FET es mas pequeo que el BJT y por ello mas popular en los CI.
Algunas desventajas del FET son la AV y el ancho de banda relativamente pequeas comparadas
con el BJT, as como su mayor susceptibilidad de daarse cuando se manipula.
La diferencia bsica entre los dos tipos de transistores es el hecho de que el transistor BJT es un
dispositivo controlado por corriente es decir, la corriente Ic es una funcin directa del nivel de I B,
como se muestra en la figura 1. Para el transistor FET es un dispositivo controlado por voltaje, y
observamos como la corriente ID ser una funcin del voltaje VGS aplicado al circuito de entrada
como se muestra en la figura 2. En cada caso, la corriente del circuito de salida est controlada por
un parmetro del circuito de entrada, en la figura 1 se trata de un nivel de corriente y en la figura 2
de un voltaje aplicado.
As como existen transistores bipolares npn y pnp; donde el prefijo bi indica que el nivel de
conduccin es una funcin de dos portadores de carga, los electrones y los huecos. El FET es un
dispositivo unipolar que depende unicamente de la conduccin o bien, de electrones (canal-n) o de
huecos (canal-p).
El trmino efecto de campo se debe a un campo elctrico que se establece mediante las cargas
presentes que controlaran la conduccin del circuito de salida, sin la necesidad de un contacto
directo entre las cantidades controladoras y controladas.
CONSRUCCION Y CARACTERISTICAS DE LOS JFET
Como se indico anteriormente, el JFET es un dispositivo de tres terminales, con un terminal capaz
de controlar la corriente de las otras dos, y contiene una unin p-n bsica y puede construirse como
un FET de unin (JFET: junctin FET) como un transistor de efecto de campo FET metal-oxido-
semiconductor MOSFET (por las siglas en ingls de Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-
Transistor).
La construccin bsica del JFET de canal-n y el canal p se muestra en la figura 3. Obsrvese que la
mayor parte de la estructura es de material tipo n que forma el canal entre las capas interiores del
material tipo p.
La parte superior del canal tipo-n se encuentra conectada por medio de un contacto hmico a la
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terminal referida como el drenaje (D)(por la sigla en ingls de, Drain), mientras que el extremo
inferior del mismo material se conecta por medio de un contacto hmico a un terminal referido como
la fuente (S)(por la sigla en ingls, Source). Los dos materiales tipo p se encuentran conectados
entre s y tambin a una terminal de compuerta (G)(por la sigla en ingls, Gate). Por tanto, el drenaje
y la fuente se hallan conectados a los extremos del canal tipo-n y la entrada a las dos capas de
material tipo p. Durante la ausencia de un de-potencial en sus terminales, el JFET tiene dos uniones
p-n bajo condiciones sin polarizacin: El resultado es una regin de agotamiento en cada unin, lo
cual se asemeja a un diodo sin polarizacin.
La figura 4 muestra las polarizaciones normales para polarizar un JFET de canal n canal p. Si es
de canal n se le aplica un voltaje VDD positivo entre el drenador y la fuente, estableciendo un flujo de
electrones libres de la fuente hacia el drenador, si es de canal p sucede lo contrario. Puesto que los
electrones pasan a travs del canal, el flujo de corriente depende del ancho del canal.
Obsrvese que se aplica un VGG negativo si es canal N, o positivo si es canal p, entre el graduador
compuerta y la fuente surtidor, lo que es estndar para todas las aplicaciones del JFET.
POLARIZACION DE UN JFET
Como podemos observar en la figura 4 el graduador esta polarizado inversamente, segn la teora
vista del diodo entre ms grande sea el voltaje del graduador, el canal se hace ms estrecho porque
las capas de agotamiento se aproximan ms.
VOLTAJE DE CORTE DE GRADUADOR-SURTIDOR (VP)
Cuando el voltaje de graduador alcanza su mximo valor las capas de agotamiento hacen
contacto y el canal de conduccin se estrangula (desaparece). En este caso se corta la corriente del
drenador. El voltaje de graduador que provoca el corte se simboliza como V GS(apagado)=VP
CORRIENTE DE FUGA DEL GRADUADOR
Puesto que la unin graduador-surtidor es un diodo polarizado inversamente, a travs de l
fluye slo una pequea corriente inversa. Idealmente, la corriente de graduador es cero, y por tanto,
la corriente del drenador es igual a la corriente del surtidor. Por esta razn, la nica corriente
significativa en un JFET es la corriente del drenador, simbolizada como I D.
ALTA RESISTENCIA DE ENTRADA
Hay una diferencia muy grande entre un JFET y un transistor bipolar; la impedancia de entrada a
bajas frecuencias. Puesto que por el graduador casi no circula corriente inversa, la resistencia de
entrada de un JFET es de decenas o cientos de megohmios. Por lo tanto, es preferible usar un JFET
en las aplicaciones en que se requiere un alta impedancia de entrada, lo malo de alcanzar esta alta
impedancia de entrada es tener un menor control sobre la corriente de salida, y una menor ganancia
de voltaje. En otras palabras, un JFET necesita mayores variaciones en el voltaje de entrada para
producir pequeas varaciones de corriente a la salida. Por esta razn, un amplificador con JFET
tiene mucha menor ganancia de voltaje que un amplificador bipolar.
SIMBOLOS
Los smbolos grficos para los JFET de canal-n y canal p se presentan en la figura 5. Obsrvese
que la flecha se encuentra apuntando hacia adentro para el dispositivo de canal n, con el objeto de
representar la direccin en la cual fluira IG si la unin p-n tuviera polarizacin directa. La nica
diferencia en el smbolo es la direccin de la flecha para el dispositivo de canal p.
CURVAS DEL DRENADOR

La figura 6 muestra una familia de curvas del drenador de un JFET. Obsrvese la similitud con las
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curvas del colector de un bipolar. Se encuentra una regin de saturacin, una regin activa, una
regin de ruptura y una regin de corte. Para VGS=0 corresponde a la condicin de graduador en
corto circuito ya que es equivalente a conectar directamente el graduador con el surtidor. Cuando el
VGS=0 la ID se incrementa rpidamente hasta su mximo valor que es la I DSS.
El subndice de IDSS se refiere a una corriente del drenador con el graduador en corto circuito y es la
mxima corriente de drenador que un JFET puede producir.
El nivel de VGS que d por resultado ID=0 mA se encuentra definido por VGS=VP, siendo VP un
voltaje negativo para los dispositivos de canal-n y un voltaje positivo para los de canal p.
RESUMEN
Una cantidad importante de parmetros y relaciones se han presentado hasta ahora. Otros cuya
referencia ser frecuente en el anlisis del JFET, asi como otros en el siguiente analisis de los JFET
de canal-n, se describen a continuacin:
La corriente mxima se encuentra definida como IDSS y ocurre cuando VGS=0v y VDS |VP|.
Para los voltajes del drenador a la fuente VGS menores que (ms negativos que) el nivel de
estrechamiento, la corriente de drenador es igual a 0A (ID=0A).
Para todos los niveles de VGS entre 0Vy el nivel de estrechamiento, la corriente I D se encontrar en
el rango entre IDSS y 0 amperios.
Se puede desarrollar una lista similar para los JFET de canal p.
CURVA CARACTERISTICA DE TRANSFERENCIA O DE TRANSCONDUCTANCIA.
Para el transistor BJT la corriente de salida Ic y la corriente de
control IB fueron relacionadas por () beta, considerada como
constante para el anlisis que fue desarrollado. En forma de
ecuacin,
En esta ecuacin existe una relacin lineal entre Ic e I B. Si se duplica el nivel de IB e Ic, se
incrementar tambin por un factor de 2.
Desafortunadamente, esta relacin lineal no existe entre las cantidades de salida y de entrada de un
JFET. La relacin entre ID y VGS se encuentra definida por la ecuacin de Shockley:
El trmino cuadrtico de la ecuacin dar por resultado una relacin no lineal entre I D y VGS,
produciendo una curva que crece exponencialmente con las magnitudes decrecientes de VGS.
Las curvas caractersticas de transferencia definidas por la ecuacin de Shockley no resultan
afectadas por la red en la cual se utiliza el dispositivo.
Se puede obtener la curva de transferencia utilizando la ecuacin de Shockley o a partir de las
caractersticas de salida en la figura 6. En la figura 7 se proporcionan dos grficas con la escala
vertical en miliamperios para cada grfica. Una es una grfica de ID en funcin de VDS, mientras que
la otra es de ID en funcin de VGS. Con las caractersticas de drenaje a la derecha del eje y es
posible dibujar una lnea horizontal desde la regin de saturacin de la curva denotada V GS=0 y al
eje ID. El nivel resultante de corriente para ambas grficas es I DSS. El punto de interseccin en la
curva ID en funcin de VGS ser el que se mostr antes, ya que el eje vertical est definido
Como VGS= 0v.
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CIRCUITOS DE POLARIZACION.
As como en los transistores bipolares se utilizaron unos circuitos de polarizacin para ubicar el
punto Q, tambin se utilizarn unos circuitos de polarizacin muy similares a los del bipolar.
Estos circuitos de polarizacin son:
Polarizacin de graduador o compuerta.
Polarizacin por Autopolarizacin.
Polarizacin por divisor de voltaje.
Polarizacin por surtidor o fuente.
Polarizacin por fuente de corriente.
POLARIZACION DE GRADUADOR O COMPUERTA.
La figura 8a es un ejemplo de polarizacin de graduador (similar a la polarizacin de la base de un
transistor bipolar). La figura 8b muestra un diagrama simplificado. Esta es la peor forma posible de
Fijar el punto Q para un amplificador JFET lineal. La razn es que existe una variacin considerable
entre los valores mnimos y mximos de los parmetros de un JFET.
Esto implica que las curvas de transferencia mnima y mximo estn separadas como se muestra en
la figura 8c. La polarizacin por graduador proporciona un voltaje fijo en el graduador, y esto hace
que la ubicacin del punto q dependa fuertemente del JFET empleado.
Para hallar los parmetros del circuito polarizado por graduador de la siguiente ecuacin:
VGS=VG - VS=; como VS=0V, entonces VGS=VG= - VGG. Conocido el VGS podemos hallar la ID, y as
los dems parmetros por mallas. ID=IDSS(1-(-VGG)/VP)=; -VDD+ID.RD+VD=0 VD=VDD- IDRD=;
PD=VDSxID=.
POLARIZACION POR AUTO-POLARIZACION.
La figura 9a muestra la auto-polarizacin, que es otra forma de polarizar un JFET. Ntese que slo
se usa una fuente de alimentacin en el drenador; no hay alimentacin en el graduador. La idea es
usar el voltaje que se encuentra en el resistor del surtidor R S para producir el voltaje inverso en el
graduador (graduador-surtidor). Esta es una forma de retroalimentacin local similar a la que se
utiliza con transistores bipolares. Teniendo presente la funcin de esta retroalimentacin, se ve que
si la corriente de drenador se incrementa, la cada de voltaje en RS; esto aumenta el voltaje inverso
de graduador-surtidor, lo que provoca que el canal se haga ms angosto y que reduzca la corriente
de drenador. El efecto resultante es desajustar parcialmente el incremento original de la corriente de
drenador.
VOLTAJE DE GRADUADOR.-Puesto que el graduador esta polarizado inversamente (fig. 9a), la
corriente de graduador que fluye a travs de RG es despreciable, por lo que el voltaje de graduador
respecto a tierra es cero: VG=0V.
El voltaje de surtidor a tierra es igual al producto de la corriente de drenador y la resistencia de
surtidor o fuente: VS=IDRS= .
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El voltaje graduador-surtidor es igual a la diferencia entre el voltaje de graduador y el voltaje de

surtidor: VGS=VG - VS =0V - IDRS= VGS = - IDRS.
Esto significa que el voltaje de graduador-surtidor es igual al valor negativo de voltaje en el resistor
de surtidor, de tal forma que cuanto mayor sea la corriente de drenador, ms negativo se hace el
voltaje de graduador.
LINEA DE AUTOPOLARIZACION.-Todo circuito auto-polarizado tiene una curva de trans-
conductancia y una lnea de auto-polarizacin como se muestra en la figura 9b. La pendiente de la
lnea de auto-polarizacin es -1/Rs puesto que esta lnea es la grfica de la ley de Ohm para la
resistencia Rs. La nica forma de satisfacer tanto la ley de Ohm como la curva de trans-
conductancia es ubicando el punto Q en el punto de interseccin.
EFECTO DE LA RESISTENCIA DE SURTIDOR.- La figura 9c muestra la variacin del punto Q
cuando cambia la resistencia de surtidor. Cuando Rs es grande, el punto Q desciende sobre la curva
de trans-conductancia o de transferencia y la corriente de drenador es pequea. Cuando Rs
es pequea el punto Q asciende sobre la curva de trans-conductancia y la corriente de drenador
es grande. Existe un valor ptimo de Rs que fija el punto Q cerca del centro de la curva de trans-
conductancia.
DISEO POR EL METODO MATEMATICO.-Una vez conocido el VGS = IDRS. Despejamos la ID;
ID= VGS/Rs=; y la igualamos con la ID de la formula que es ID=IDSS(1VGS/VP)=;
VGS/Rs = IDSS(1VGS/VP) VGS/Rs.IDSS=1 2VGS/VP+(VGS/VP); Si multiplicamos por VP
tenemos: VPVGS/Rs.IDSS= VP 2 VGS VP+VGS. Ahora ordenamos la ecuacin y obtendremos una
ecuacin de 2 grado: VGS (2VPVP/Rs.IDSS)VGS+VP=0;
VGS={(2VPVP/Rs.IDSS) (2VPVP/Rs.IDSS) 4VP}/2=.
El VGS toma dos valores el cual uno sirve y el otro no, se toma aquel que cumpla que:|V GS| | VP |.
Hallado el valor de VGS podemos calcular la ID: ID= VGS/Rs=; calculada la ID podemos hallar los
dems parmetros por medio de mallas por ejemplo: VDD+ID.RD+VD=0 VD=VDD IDRD=; tambin
podemos hallar VDS por mallas o de la siguiente forma; VDS =VDVS= VDS=VDD IDRD ( IDRS)=;
VDS=VDD ID(RD+RS)=; y PD=VDSxID=.
DISEO POR EL METODO GRAFICO.- Para disear un circuito auto-polarizado por el mtodo
grfico se toma la hoja tcnica del JFET que incluye una curva de trans-conductancia en el cual
tiene las coordenadas de IDSS y VP y se hace lo siguiente: desde el valor de IDSS se traza una
horizontal al eje de las X (VP), luego tomo el valor de VP y trazo una vertical paralela al eje de la Y
(IDSS). Trazo una recta pendiente que se forma entre el punto de interseccin de las dos rectas que
acabo de trazar y el punto de origen, esta recta corta la curva de trans-conductancia que es
exactamente donde se obtiene el punto Q optimo. Tmese la lectura de las coordenadas del punto
Q, y la razn de voltaje a corriente proporciona el valor de diseo de Rs:Rs = -VGS/ID. Ver la figura
9d
POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE.-La figura 10a muestra la polarizacin por divisor de
voltaje que es muy similar a la usada con el transistor bipolar. Si el voltaje de Thvenen V TH aplicado
a graduador o compuerta: VTH=(R2/(R1+R2))xVDD. Este es el voltaje de cc del graduador a tierra. A
causa de VGS, el voltaje de surtidor o fuente a tierra es: Vs=VTH-VGS. Por lo tanto, la corriente de
drenador es igual a: ID=(VTH-VGS)/Rs.
Si VTH es lo suficientemente grande como para despreciar la VGS, la corriente de drenador es
aproximadamente constante para cualquier JFET, como se muestra en la figura 10b.
Sin embargo, existe un problema: En un transistor bipolar el V BE es aproximadamente 0.7 V, con
variaciones mnimas de un transistor a otro, pero en los JFET V GS puede variar varios voltios de un
JFET a otro. Con voltajes tpicos de alimentacin, es difcil hacer el V TH lo suficientemente grande
para despreciar a VGS. Por esta razn, la polarizacin por divisor de voltaje es menos efectiva en los
JFETs que en los transistores bipolares.
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Si se grafica la ecuacin de ID=(VTH-VGS)/Rs=, se obtiene la lnea de polarizacin mostrada en la

figura 10c. Ntese como la corriente del drenador se incrementa al pasar de Q2 a Q1. Cuanto mayor
sea el VTH, la lnea de carga se har ms horizontal, pero existe un lmite superior para el valor de
VTH. Por lo tanto, aunque se obtiene una gran mejora en la polarizacin por divisor de voltaje no es
lo suficientemente buena para proporcionar el punto Q fijo que se est buscando.
Como ambas ecuaciones de ID estn en funcin de VGS, y VGS no lo conocemos, entonces igualamos
las dos ecuaciones y despejamos a VGS: (VTH-VGS)/Rs= IDSS(1-VGS/VP); as hemos eliminado la ID,
continuamos con el despeje: (VTHVGS) / Rs.IDSS=1 2VGS/VP+(VGS/VP); Si multiplicamos por VP
tenemos: VP(VTHVGS)/Rs.IDSS= VP 2 VGS.VP+VGS. La ordenamos y obtendremos una ecuacin
de 2grado: VGS (2VP(VP / Rs.IDSS))VGS+VP+ VPVTH / Rs.IDSS =0;
VGS={(2VP--VP/Rs.IDSS) (2VP--VP/Rs.IDSS)-4 VP(1(VTH/ Rs.IDSS)}/2=.
El VGS toma dos valores el cual uno sirve y el otro no, se toma aquel que cumpla que:|V GS| | VP |.
podemos hallar VDS por mallas o de la siguiente forma; VDS =VDVS= VDS=VDD IDRD
( IDRS)=; VDS=VDD ID(RD+RS)=; y PD=VDSxID=.
POLARIZACION POR SURTIDOR O FUENTE.- La figura 11 muestra la polarizacin por surtidor
similar a la polarizacin de emisor. La idea es que de las variaciones de V GS no sean marcadas. Ya
que la mayor parte de VSS aparece en Rs, la corriente de drenador es aproximadamente igual a:
ID=(Vss-VGS)/Rs.
Para que la polarizacin por surtidor opere bien, Vss debe ser mucho mayor que V GS. Sin embargo,
un intervalo tpico para VGS est entre -1 y -5 V, donde es claro que no es posible despreciar el
efecto de VGS usando voltajes tpicos de alimentacin.
Como ambas ecuaciones de ID estn en funcin de VGS, y VGS no lo conocemos, entonces igualamos
las dos ecuaciones y despejamos a VGS: (VssVGS)/Rs= IDSS(1VGS/VP); as hemos eliminado la ID,
continuamos con el despeje: VssVGS/Rs.IDSS=1 2VGS/VP+(VGS/VP); Si multiplicamos por VP
tenemos: VP(VssVGS)/Rs.IDSS= VP 2 VGS.VP+VGS. La ordenamos y obtendremos una ecuacin
de 2 grado: VGS(2VP(VP/Rs.IDSS))VGS+VP+(VPVss/Rs.IDSS)=0 Resolvemos la ecuacin de 2
grado para hallar el VGS:
VGS={(2VP--VP/Rs.IDSS) (2VP--VP/Rs.IDSS)-4 VP(1(VTH/ Rs.IDSS)}/2=.
El VGS toma dos valores el cual uno sirve y el otro no, se toma aquel que cumpla que:|VGS||VP|.
podemos hallar VDS por mallas o de la siguiente forma; V DS =VDVS=VDS=VDD IDRD(VEE
IDRS)=; VDS=VDD + VEE ID(RD+RS)=; y PD=VDSxID=.
POLARIZACION POR FUENTE DE CORRIENTE.-Existe una forma de obtener un punto Q estable
en los JFETs: se necesita producir una corriente de drenador independiente de VGS. La polarizacin
por divisor de voltaje y la polarizacin por fuente se intento realizar esto, pero como se explico es
difcil despreciar el VGS con valores tpicos de alimentacin ya que VGS puede ser de varios voltios.
Aqu se analizan dos circuitos: con fuente de alimentacin bipolar (ver figura 12a) y con fuente
monopolar (ver la figura 13), en los que el efecto de VGS realmente es despreciable.
FUENTE DE ALIMENTACION BIPOLAR.-Como el transistor bipolar esta polarizado por emisor, la

corriente de emisor est dado: IC=(VEE-VBE) / RE=. Puesto que el transistor bipolar acta como una
fuente de corriente de cc, sta fuerza a la corriente de drenador del JFET a ser igual a la corriente
del colector: IC IE=ID.
La figura 12b muestra cun efectiva es la polarizacin por fuente de corriente. Puesto que Ic es
constante. Los dos puntos Q tienen los mismos valores de corriente de drenador. La fuente de
corriente elimina la influencia de VGS. Aun cuando VGS es diferente para cada punto Q, ya no influye
en los valores de corriente de drenador.
Una vez hallada la ID puedo hallar los dems parmetros como: VDD+ID.RD+VD=0 VD=VDD
IDRD=; tambin podemos hallar VDS por mallas: -VDD + IDRD+VDS+VCE+IDRE VEE =0;
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VDS=VDD+VEE VCE ID(RD+RE)=;y VCE = VC VE=; por mallas VE=VEE IE.RE=, y Vc=Vs=VGS; VCE
= VGS( IE.RE VEE)= VCE = VGS IE.RE + VEE=, y VDS=VDDVGS ID.RD =;VG=0V;VB=OV;
PD=VDS x ID, y PD=VCE.ID
FUENTE MONOPOLAR.-Cuando no se dispone de una fuente de alimentacin bipolar, puede
utilizarse un circuito como el de la figura 13 para fijar una corriente de drenador constante. En este
caso, el transistor bipolar se polariza por divisor de voltaje. Suponiendo un divisor de voltaje fijo,
las corrientes de colector y emisor son constantes independientes del transistor bipolar. Esto fuerza
a que la corriente del drenador del JFET sea igual a la corriente de colector del transistor bipolar.
Como la polarizacin es por divisor de voltaje, hallo el V2 hago la malla y obtengo lo siguiente:
V2=VDD.R2/ (R1+R2)=, e IEIc=ID=V2 VBE/ RE=. Los dems parmetros se hallan lo mismo que el
anterior o sea por mallas porque ya conoce la ID
TRANSCONDUCTANCIA O TRANSFERENCIA.- Antes de analizar los amplificadores JFET se
requiere analizar un parmetro de ac llamado trans-conductancia, que se designa como gm y se
define de la siguiente manera: gm=ID/VGS. Ya que las variaciones de ID y VGS son equivalentes a
corrientes y voltajes de ac, y puede escribirse como la ecuacin: gm=id/vgs.
Esta es una frmula para seal pequea, exacta para cambios infinitesimales, y se utilizar como
una aproximacin para gm siempre que el valor pico a pico de id sea menor que el 10% de la
corriente de drenador en el punto Q. Su unidad es el siemens (S), anteriormente denominada mho.
Esta unidad representa la conductancia, la razn de corriente a voltaje.
INTERPRETACION GRAFICA.-la figura 14 representa la interpretacin de gm en trminos de la
curva de trans-conductancia. Entre los puntos A y B, un cambio de VGS produce un cambio en ID.
La razn de cambio en ID al cambio de VGS es igual al valor de gm entre A y B. Si se selecciona otro
par de puntos mas arriba de la curva, en C y D, se obtiene una mayor variacin en ID para un cambio
dado en VGS.
Por tanto, gm tiene un valor mayor en la parte superior de la curva. En pocas palabras, gm dice cuanto
control tiene el voltaje de graduador sobre la corriente de drenador. Cuanto mayor sea gm mas eficaz ser
el control del voltaje del graduador sobre la corriente de drenador.
MODELO SIMPLE DE UN JFET.-la figura 15 muestra un circuito equivalente simple de ac para un

JFET. Una resistencia muy alta RGS est entre el graduador y el surtidor. Su valor es del orden de
los cientos de megohmios. El drenador del JFET acta como una fuente de corriente con un valor de
gm.vgs. Si se conoce gm y vgs puede calcularse la corriente de ac de drenador.
Este modelo es una primera aproximacin ya que no incluye la resistencia interna rds de la fuente de
corriente, las capacitancias internas del JFET, etc. Para bajas frecuencias, este modelo simple de ac
puede utilizarse en la localizacin de fallas y modelo preliminar.
VALOR DE LA TRANSCONDUCTANCIA.-Cuando VGS=0V, gm tiene su valor mximo, el cual se
denota gmo, la relacin entre gm para cualquier punto Q y la gm mxima, dada por:
gm=gmo (1-VGS/VP)=.
Ntese que gm decrece linealmente cuando VGS se hace ms negativa, como se muestra en la
figura 16. Esta propiedad es til en el control automtico de ganancia mas adelante.
Vp=VGS(apagado)= -2IDSS/gmo. Es muy difcil medir en forma precisa el valor de V P. Por otro lado, IDSS
y gmo pueden medirse con alta precisin. Por lo tanto, el procedimiento normal es medir I DSS y gmo
para despus calcular el VGS (apagado).
El AMPLIFICADOR DE SURTIDOR COMUN.-En la figura 17 muestra un amplificador en
configuracin surtidor comn (CS). Cuando se aplica una pequea seal de ac en el graduador,
esta produce variaciones en el voltaje entre graduador y surtidor, que a su vez proporciona una
corriente de drenador senoidal. Ya que una corriente alterna fluye a travs del resistor de
drenador,se obtiene a la salida un voltaje de ac amplificado.
INVERSION DE FASE.--Un incremento en el voltaje entre el graduador y el surtidor producen mas
corriente de drenador, lo que significa que el voltaje del drenador est disminuyendo. Puesto que el
semiciclo positivo del voltaje de entrada produce el semiciclo negativo del voltaje de salida, el
amplificador en configuracin CS produce una inversin de fase.
La figura 18 muestra el modelo de ac de un amplificador CS. Ntese que el modelo de ac es similar
al de un amplificador en la configuracin de emisor comn.
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DISTORSION.- En virtud de que la curva de trans-conductancia no es lineal el JFET distorsiona a

seales grandes, como se muestra en la figura 19. Dado un voltaje de entrada senoidal, a la salida
se obtiene una corriente no senoidal en la que el ciclo positivo est alargado y el semiciclo negativo
est comprimido. Este tipo de distorsin recibe el nombre de distorsin de ley cuadrtica ya que la
curva de trans-conductancia es parablica. En cuanto a amplificadores lineales se refiere, la
distorsin es indeseable. Una forma de hacer mnima la distorsin de ley cuadrtica en los
amplificadores JFET es mantener la seal pequea. En este caso solo se usa una pequea parte de
la curva de trans-conductancia, lo cual significa que la operacin es aproximadamente lineal.
Para hallar los parmetros como son Av, Ap, Zin y Zo. Porque Ai no hay. Utilizamos los mismos
mtodos que en los transistores bipolares.
Hacemos mallas para hallar la Av= Vo/Vin=; Vo + id rd=0 V0 = id rd=; donde rd = RD / / RL y
la id = gmVgs Vo= gmVgs rd=; y la Vin =Vg =Vgs =0 : Av= gmVgs rd / Vgs = ; Av= gm rd=.
Ai no hay. Ap=(Vo) / Zo/ (Vin) / Zin=;Ap=Av(Zin /Zo)=; Zin= R1// R2=:y Zo= rd Zo =RD//RL=.
CON RESISTOR DE COMPENSACION.- Algunas veces incluye un resistor de compensacin
sumado a la resistencia del surtidor, como se muestra en la figura 20.
De esta manera, el surtidor ya no est a tierra de ac. La corriente de drenador, al circular por rs
produce un voltaje de ac entre el surtidor y tierra. Si rs es lo suficientemente grande, la
retroalimentacin local puede hacerse mnima la linealidad de la curva de transconductancia.
Entonces la ganancia de voltaje se aproxima al valor ideal de -rd/rs que es la razn de la resistencia
equivalente de drenador a la resistencia de surtidor sin capacitor de paso.
Ntese la similitud con la ganancia de un amplificador bipolar con resistencia de emisor dividida.
Para hacer el anlisis matemtico: La figura 21 nos muestra el circuito equivalente de ac. Ya que
la Rin de un JFET tiende a infinito, toda la corriente de drenador de ac fluye a travs de rs,
produciendo una cada de voltaje de gmVgs.rs.
Despus de hecho el anlisis matemtico se sacan dos conclusiones: primero, la resistencia de
compensacin reduce la Av; segundo las variaciones de gm de un JFET a otro tienen menos efecto
en la Av.
Hacemos mallas para hallar la Av: Av= VO/Vin=; VO id rD=0 VO= id rD; donde rD = RD / /RL y la
id = gmVgs VO= gmVgsrD y la Vin: Vin+Vgs + id rs=0: Vin= Vgs +gmVgs.rs= Vgs(1+ gm.rs)=
Av= gmVgs r D / Vgs (1+ gm.rs)= Av= gm. r D /( 1+ gm.rs)=; Av= rD / ( 1/ gm+rs)= ; donde 1/
gm es la resistencia dinmica del dispositivo. Ai no hay. Ap=(VO) / Zo/ (Vin)/ Zin=; Ap=Av(Zin
/Zo)=; Zin= R1// R2=:y Zo=rD Zo =RD//RL=.
EL AMPLIFICADOR DE DRENADOR COMUN (CD).- la figura 22 muestra un amplificador en
configuracin de drenador comn.
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Es similar a un seguidor de emisor. Una seal de ac excita al graduador produciendo una corriente
de drenador de ac, la cual fluye a travs del resistor equivalente de surtidor, que no tiene capacitor
de paso y produce un voltaje de ac de salida que es aproximadamente igual al voltaje de entrada y
con la misma fase. Esta es la razn por la que el circuito se denomina surtidor seguidor. En virtud de
su alta impedancia de entrada, este seguidor de surtidor se utiliza con frecuencia en la entrada de
los instrumentos de medida como voltmetros electrnicos y osciloscopios.
En la figura 23 se muestra el circuito equivalente de ac. Puede observarse que un voltaje de entrada
se encuentra aplicado a la impedancia de entrada. En la polarizacin por divisor de voltaje Zin es el
paralelo de r1 y r2. En una autopolarizacin, Zin es igual a RG y asi para las otras formas de
polarizacin. En la salida se encuentra la Zo la cual es igual a Rs en paralelo con 1/Gm.
Hacemos mallas para hallar la Av: Av= VO/Vin=; VO+ id.Rs=0 VO= id.Rs; donde Rs= Rs // RL=; y la
id = gmVgs VO= gmVgs. Rs y la Vin: Vin+Vgs + id .Rs =0: Vin= Vgs + gmVgs.Rs = Vgs(1+ gm.Rs)=
Av= gmVgs Rs / Vgs (1+ gm. Rs)= Av=gm. Rs /(1+ gm. Rs)= Rs / (1/ gm+ Rs)=; Av= Rs / (1/ gm+ Rs)=; Si
Rs >>>>> 1/ gm entonces la AV1; donde 1/ gm es la resistencia dinmica del dispositivo. Ai no hay.
Ap= (VO) / Zo/ (Vin) / Zin=; Ap=Av(Zin /Zo)=; Zin= R1// R2=: y Zo=1/gm // Rs 1 / gm.
EL AMPLIFICADOR DE GRADUADOR COMUN(CG).- la figura 24 muestra un amplificador

graduador comn (GC).
La figura 25 muestra el circuito equivalente de ac de base comn. El voltaje de ac de salida es igual
a la corriente del drenador por rd. Por tanto, la impedancia de entrada de un amplificador de
graduador comn es baja, a diferencia de los amplificadores (CS y CD), donde la impedancia de
entrada se aproxima a un valor infinito para bajas frecuencias. A causa de la baja impedancia de
entrada con que cuenta el amplificador de CG, este tiene muy pocas aplicaciones.
Hacemos mallas para hallar la Av: Av= Vo/Vin=; VO +id Rs =0; VO = id Rs; donde Rs = Rs / / RL y
la id = gmVgs Vo = gmVgs Rs y Vin=Vgs +gmVgs Rs = Vg Av= gmVgs Rs /Vgs + gmVgs rs =;
Av= Rs / (1/gm+rs)=; Ai=No hay. Ap=(VO) / Zo/ (Vin) /Zin=; Ap= Av(Zin /Zo)=; Zo(surtidor)=1/gm=: y
Zo =1 / gm =. id rd
EL TRANSISTOR MOSFET
El transistor MOSFET (metal-oxide semiconductor FET). Cuenta con un surtidor, un graduador y un

drenador. A diferencia del JFET, en el MOSFET el graduador est aislado del canal, por lo que la
corriente del graduador es extremadamente pequea sin importar que el graduador sea positivo o
negativo. Al MOSFET en algunas ocasiones se le denomina FET con graduador aislado.
MOSFET DEL TIPO DE EMPOBRECIMIENTO O DECREMENTAR.- En la figura 26 muestra un
MOSFET canal tipo n, una barra conductora de material tipo n con una regin tipo p a la derecha y
un graduador aislado a la izquierda. Los electrones libres pueden fluir desde el surtidor o fuente al
drenador a travs del material tipo n. La regin tipo p recibe el nombre de sustrato (o cuerpo); esta
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reduce fsicamente la trayectoria de conduccin a un canal angosto. Los electrones que fluyen del
surtidor al drenador deben pasar a travs de este canal angosto.
A la izquierda del canal se deposita una capa delgada de oxido de silicio (SiO 2). El oxido de Silicio es
lo mismo que el vidrio; un aislante. En un MOSFET el graduador es metlico. Ya que el graduador,
est aislado del canal, la corriente en el graduador es despreciable aun cuando el voltaje de
graduador sea positivo. El diodo pn que existe es un JFET se ha suprimido en el MOSFET.
MODO DE EMPOBRECIMIENTO.- La figura 27a muestra un MOSFET con graduador polarizado
negativamente. La alimentacin de VDD fuerza a los electrones libres a fluir del surtidor al drenador.
Estos electrones fluyen a travs del canal angosto a la izquierda del sustrato tipo p.
Como antes, la tensin del graduador puede controlar el ancho del canal. Entre ms negativo sea el
voltaje en el graduador, ms pequea ser la corriente del drenador. Cuando el voltaje del
graduador es lo suficientemente negativo, la corriente de drenador se corta. Por lo tanto, con un
voltaje negativo en el graduador, la operacin de un MOSFET es similar a la de un JFET. Puesto
que el efecto del voltaje negativo del graduador consiste en empobrecer de electrones libres el
canal.
MODO DE ENRIQUECIMIENTO O DECREMENTAL.- Ya que el graduador de un MOSFET esta

aislado del canal, podemos aplicarle un voltaje positivo, como se muestra en la figura 27b. El voltaje
positivo en el graduador incrementa el nmero de electrones libres que fluyen a travs del canal.
Cuanto ms positivo sea el voltaje en el graduador, mejor ser la conduccin de surtidor a drenador.
La operacin del MOSFET con un voltaje positivo de graduador se basa en el enriquecimiento de la
conductividad del canal. En cualquiera de los modos de operacin, a causa de la capa aislante, la
corriente que fluye por el graduador es despreciable. La resistencia de entrada de un MOSFET es
increblemente alta, por lo comn del orden de los diez mil M a diez mil millones de megohmios.
CURVAS DEL DRENADOR.- Para un MOSFET tipo empobrecimiento las curvas caractersticas del
drenador son muy similares a las de un FET.
CURVA DE TRANSCONDUCTANCIA.-La curva de transconductancia de un MOSFET es muy
similar a la de un FET y podemos tomar como ejemplo la
figura 7 donde se representa las curvas de drenador y las
curvas de transconductancia. IDSS sigue representando la
corriente de drenador cuando el graduador est en corto, o sea
que es su mxima corriente que puede circular por el canal. La
relacin entre la corriente de drenador y el voltaje graduador-
surtidor es todava parablica, por lo que puede aplicrsele la
ecuacin de la ley cuadrtica definida para un FET, con la
diferencia de que el valor de VGS puede ser ahora positivo o
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negativo.
SIMBOLOGIA.-La figura 28a muestra el smbolo con que se representa un MOSFET DE CANAL N o
de tipo de empobrecimiento. A la derecha del graduador o compuerta est la lnea vertical que
representa el canal N. La terminal del drenador sale de la parte superior del canal, y la terminal del
surtidor o fuente se conecta a la parte inferior. La flecha en el sustrato tipo P apunta al material tipo
N del canal. En algunas aplicaciones, puede suministrarse un voltaje al sustrato para tener un mayor
control de la corriente de drenador. Por esta razn algunos MOSFET tiene cuatro terminales
externos. Por lo regular, el fabricante conecta internamente el sustrato al surtidor, resultando un
dispositivo de tres terminales cuyo smbolo se muestra en la figura 28a.
Existe tambin un MOSFET DE CANAL P, o de tipo de empobrecimiento. Consiste en una barra de
material tipo P con una regin tipo N a la derecha y un graduador o compuerta aislada a la izquierda.
El smbolo convencional para un MOSFET con canal tipo p es similar al de MOSFET con canal tipo
n, excepto que la flecha apunta hacia fuera como se muestra en la figura 28a.
POLARIZACION DEL MOSFET DEL TIPO DE EMPOBRECIMIENTO.- ya que el MOSFET del tipo
de empobrecimiento su modo de operar es muy similar a los de un FET, por lo que se puede usar
todos los mtodos de polarizacin estudiado para los FET. Estos incluyen. Polarizacin del
graduador, auto polarizacin, polarizacin por divisor de voltaje y polarizacin por corriente del
surtidor. Adems de estos mtodos de polarizacin los MOSFET del tipo de empobrecimiento puede
operar, ya sea en el modo de empobrecimiento o en el de enriquecimiento, puede
fijarse el punto Q en la coordenada de la ID, o sea que el VGS sea igual a cero. Por
lo tanto una seal de ac de entrada aplicada al graduador produce variaciones
arriba y abajo del punto Q. El hecho de que VGS pueda ser cero es una ventaja
cuando se trata de polarizar. Ello permite usar el circuito de polarizacin que se
muestra en la figura 29. A este circuito tan simple no se le aplica voltaje ni al
graduador, ni al surtidor. Por lo tanto, VGS=0 e ID=IDSS. El voltaje de cc en el
drenador es: VDS=VDD-IDSSxRD. La polarizacin cero de la figura 29 es una
caracterstica peculiar de los MOSFET. No es aplicable en transistores bipolares o
en FET.
PROBLEMAS SOBRE EL FET Y MOSFET
1.-En el circuito de la figura 1 calcular: VG, VD, VS, ID e IDSS, si el VP=6V.
Como el FET es de canal P, se busca el Terminal ms positivo para indicar que
este es el surtidor. La flecha que indica (14V) es el voltaje que hay, desde este
punto con respecto a tierra y segn la teora sera el V S=14v y hago una malla:
-22+2KID +14=0 ID= (22-14)/2k =; ID=4mA. Hallo el voltaje V2, polarizo las
resistencias y hago una malla alrededor de V2, VGS y VRS:
V2=(22+22)1,1M/(1,1M+11M)=4; V2+ 2k.4mA VGS=0; VGS= 4 + 8 = 4 -
VD +4mA4k-22=0; VD= -22 + 16 = - 6; VSD=VS VD =; VSD=14-(-6)=20V; IDSS=
ID/(1VGS/VP) = IDSS= 4mA / ( 1 4/6 ) ; IDSS=36mA
2.-Complete el diseo del circuito de la figura 2 que cumpla con los siguientes parmetros:
Vp= -8V; Vs= -36V; Av= -8V y un VDS= 12V. Calcular los voltajes y corrientes de cc y ac y la
ganancia de potencia real en la carga.
Como puedo hallar V2 y tengo el valor de Vs puedo hallar ID y despus el VGS. V2= 44 x 440K / (440K
+ 4.4M) = 4V. Hacemos una malla para hallar Is. Vs + 2KID 44=0. Como conocemos Vs,
despejamos la ID. ID = (44+(36))/2K = 4mA. Hacemos una malla para
hallar VGS. V2+VGS+2K.4mA=0; VGS= 4V 8V = 4V; VG + 4V 44 = 0;
VG = 40V; VDS = VD VS=; VD = VDS + VS= 12+(36)=; VD= 24V. IDxRD + VD
= 0 ; RD= VD/ID ; RD = (24)/4mA = ; RD=6K; IDSS= ID/( 1 VGS/VP)= ;
IDSS =4mA /( 1 4/8 ) =; IDSS =16mA; gm = ( 2 IDSS / VP)(1 VGS / VP )=;
gm=((2x16mA)/8)(1( 4v/8v))=; gm=2mS; Av=gmrD=; rD= Av/gm=;
rD=( 8 ) /2mS = 4K; RL = RD. rD / (RD rD ) =; RL= 6K.4K / ( 6K 4K)=;
RL= 12K; Zin = Rg = R1 // R2 =; Zin = Rg = 4,4M x 440K /
(4,4M + 440K) = 400K; Vs = 0V; Vin = 150mv x 400K / (400K + 100K )=;
Vin =120mv; Vin = Vg =Vgs=120mv; Vo =Vd =Av x Vin =(-8 ) x 120mv= 960mv; id = Vgs x gm =;
id = 120mv x 2mS = 240mA; if = (Vf Vin) / Rf =; if = (150mv 120mv) / 100K = 300nA;
ApREALRL= PRL / Pf =( Vo / RL ) / (Vf.if )=; ApREALRL= ( (960mv)/ 12k) / (150mv.300nA)=1706,666;
3.-El amplificador de la figura 3 tiene los siguientes parmetros: Av= 8; Vp= 8V. Si la mxima
corriente que puede circular por el canal N es de 16mA, y su punto de trabajo (Q) en la curva
caracterstica del drenador es de 4mA y 12V. Calcular los voltajes y
corrientes de c.c y a.c y la ganancia de potencia real en RD.
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Como conocemos IDSS=16mA; ID=4mA, y Vp= 8V. Podemos calcular VGS a partir de la formula ID=
IDSS (1 VGS/VP)=, despejamos a:
VGS = Vp (1 ID / IDSS) = ( 8 )( 1 4mA / 16mA ) = 4V y 12V. Tomamos el VGS = 4V,
porque es valor que esta entre 0V y 8V Calculamos el voltaje de V2.
V2=(22+22)2,2M/(2,2M+22M) = 4V; 4V+( 4V)+4mA.Rs=0
Rs= 8 / 4mA= 2K. Como conocemos el valor de Rs, hallamos el valor de Vs por la siguiente malla:
Vs+4mA.2K 22 = 0 Vs=22+8= 14V; como VDS=12V y VDS = VD Vs = entonces VD=
VDS + Vs= 12+( 14)= 2V; para hallar el valor de RD hacemos la siguiente malla; 22+ 4mA.RD +(
2) =0 RD= (22+2) / 4=6K; tambin podemos conocer el valor de VG por medio de: VGS= VG
Vs= VG= VGS+Vs= 4+(14)= 18V.
gm=((2)16mA/(8))(1 (4v/8v))=; gm=2mS; Av=gmrD=; rD= Av/gm=; rD=( 8)/2mS= 4K;
RL=RD.rD/(RD rD ) =; RL= 6K. 4K /( 6K 4K)=;RL= 12K; Zin = Rg = R1 // R2 = R1. R2 /( R1+ R2) =
Zin=Rg=2,2M.22M / (2,2M + 22M) = 2M; Vin =Vg=Vgs=Vf.Zin /(Zin+Rf)= 200mv.2M /(2M +500K=
Vin =Vg=Vgs =160mv; Vo=Vd =Vin.Av=160mv.(-8)=1.28V; id =Vgs.gm =160mv.2mS =; id = 320mA;.
if=(Vf - Vin) / Rf =(200mv - 160mv) / 500K =80nA; ApREALRD= PRD / Pf =( Vo / RD ) / (Vf.if ).
ApREALRD= (1.28V) / 6k) / (200mv.80nA)=273,6w / 16nw = 17066,666;
4.-Complete el diseo del circuito amplificador con MOSFET que se muestra en la figura 4, que
cumpla con los siguientes parmetros: ID=3mA; Av= - 12; Vp=5V;
rm=250 y un VD = 21V. Calcular los voltajes y corrientes de cc y ac y
la ganancia de potencia real en la carga.
gm= 1 / rm= 1/250= 4mS. Como se conoce sus formulas y sus valores
de: ID= IDSS (1 VGS/VP) =; gm = (2IDSS VP)( VGS / VP)=, despejamos en
las dos ecuaciones la IDSS y las igualamos: ID/( 1
VGS/VP) =gm.Vp /2. (1 VGS/VP) 2ID=gm.Vp(1VGS/ VP)
2ID=gmVp gmVGS VGS=(gm.Vp+2ID)/gm=((4m.5 ) 2x3m) /4m =
VGS=3.5V; V2=33x33M /(33M+330M)=3V; conocido VGS y V2 hacemos
una malla y hallamos la Rs: +3+3.5 3mA.Rs =0 Rs = 6.5 / 3mA=
Rs =2,166 K; Vs = -ID.Rs = Vs = - 3mA.2,1666K= - 6,5V; VG= V2= - 3V. Hacemos una malla y
hallamos la RD: 33 3m.RD 21=0; RD=12 / 3m=4K; IDSS=3mA(1(3.5/5))=33,333mA; Av=
gm rD=; rD= Av/gm=(12)/4mS=3K; RL=RD.rD /(RD rD)= RL=4K.3K / (4K3K)=12K;
Zin=330M//33M=30M; Vin=150m.30M/(30M+500K)= 147,54m Vin=Vg = Vgs =147,54mv; Vo =Vd
Vo ==Av.Vin = (-12).147.54mv=1.77V=; id = Vgs.gm = id =4m.147.54m=590.163mA; Vs=0V;
if=(Vf - Vin) / Rf =(150mv 147,54mv)/500K =4,918nA. ApREALRL= PRL / Pf =( Vo / RL ) / (Vf.if )
ApREALRL=VO / (RL.Vf.if )=1.77/(12K.150mv.4,918nA)=353904,026.
5.-Complete el circuito del amplificador con MOSFET que se muestra en la figura 5, para obtener
los siguientes parmetros: ID=4mA; Av= 10; Vp= 8V; rm=250 y un VD = 2V. Calcular los voltajes
y corrientes de c.c y a.c y la ganancia de potencia real en la carga.
gm= 1/rm= 1/250=4mS;ID= IDSS ( 1 VGS/VP) =; gm = ( 2 IDSS / VP )(1 VGS / VP )=, despejamos
IDSS en las dos ecuaciones, y las igualamos: ID/(1VGS/VP) = gm.VP /2(1VGS/VP);
2ID=gm.Vp(1VGS/VP 2ID=gm.Vp+gm.VGS =; VGS=(gm.VP +2ID)/ gm= VGS = (4m (-8) +
2.4m) / 4m = 6V; hallamos V2 V2=(22+22)22M / (22M+220M)= 4V; - 4 + (-6) + 4mA. RST = 0 RST
=10 / 4mA = 2,5K; Rs =2,5K - 50=; Rs=2,45K; - 22+4m2.5K+Vs=0; Vs= -10+22=-12V; IDSS=
4mA(1- (-6/-8))= IDSS=64mA; VGS= VG VS= VG=VGS + VS=
VG= -6 +(-12)= -18V; VDS=VDVS = 2 - (-12)= 14V; - 2 -
RD.4m + 22= 0; RD=20/4m=5K; Av= - rD / ( rm + rs )=; rD=-
Av.(rm+rs)=; rD= (10)(250+50)=3K; RL=RD.rD/(RDrD) =;
RL=5K.3K/( 5K3K)=7.5K; Zin=R1.R2/ R1+R2=;
Zin=220M//22M=; Zin=20M; Vin=Vg=Vf.Zin / (Zin+Rf) =;
Vin=200mv.20M / (20M+500K)=; Vin =195,121mv;Vo=Vin.Av=;
Vo=195,121mv.(-10)= -1.951V=Vd ; id =Vo /rD=1,951/3K=
650,406 A; Vs= id.rs=650,406A.50=; Vs= 32,52mv; id=gm.Vgs= Vgs=id/gm=; Vgs=650,406 A /
4mS=162,601mv; if=(Vf - Vin) / Rf; if=(200mv - 195,121mv) / 500K =9,756nA; ApREALRL= PRL / Pf =;
ApREALRL= ( Vo / RL ) / (Vf.if )=; ApREALRL= ((1.951V)/7.5k)/(200mv.9,756nA)=; ApREALRL=507,52w
/1,951nw =260133,265.
6.- Complete el circuito del amplificador con MOSFET que se muestra en la figura 6, que cumpla
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con los siguientes parmetros: Vo= -2,4V; Vs= 11,1V; Vp=4V y un VDS = 12.6V. Calcular los voltajes
y corrientes de c.c y a.c y la ganancia de potencia real en RD. Hacemos la siguiente malla: -Vs
-1,8K.ID+16,5=0 ID=(16,5-Vs)/1,8K=;ID=(16,5-11,1)/1,8K= ID=3mA. Calculo el V2: V2=
(16,5+16,5).33M /(33M+330M)= 3V. Hallo el VGS por la siguiente malla: 3 + VGS - 1,8K.3mA = 0;
VGS=5,4 -3 = 2,4V. Como VGS=VG VS= VG= VGS+ VS=; VG= 2,4 + 11.1= 13,5V; VSD =VS VD =;
VD =VS VSD =11,112,6= VD = - 1,5V; 16,5 3m.RD + (-1.5) = 0;
RD= 15 / 3mA=; RD = 5K; IDSS =3mA/(1(2,4/4))=18,75mA;
gm=(2x18,75mA)/4)(1-2,4/4)=3,75mS; Av=Vo/Vin Vo=Av.Vin= y
Vin=Vf.Zin /(Zin+Rf)=; Zin=330 //33 M=; Zin=30M;
Vin=161,1mv.30M /(30M + 300K) =160mv; Av=-2,4/160mv= -15;
Av=gmrD=; rD=Av/gm=; rD=(15)/3,75mS=4K; RL=RD.rD /(RDrD)
=; RL= 5Kx4K / (5K4K) = 20K; Vs=0V; Vin=Vg = Vgs = 160mv; Vo
=Vd = 2,4V; id = Vgs x gm =; id = 160mv x3,75mS =600mA ;
ApREALRD=PRD /Pf=(Vo / RD)/(Vin.iF)=; if=(Vf - Vin) / Rf=; if=(161.6mv -160mv)/300K= 5.333nA
Pf =Vin.if)= 161,1mv.5,333nA=861.866nw; PRD= Vo / RD=((2.4)/ 5k)= 1,152mV;
ApREALRD=1,152mV/ 861.866nw =1336633,663
7.- Complete el circuito del amplificador con FET que se muestra en la fig 7, que cumpla con los
siguientes parmetros: ID=4mA; Vo= 1.28V ; IDSS =16mA ; gm=2mS y un VD = 20V. Calcular los
voltajes y corrientes de c.c y a.c y la ganancia de potencia real que disipa RL.
Tomamos las ec. de ID y gm: ID= IDSS(1 VGS/VP) = ;
gm = ( 2 IDSS / VP )(1 VGS / VP )=, y observamos que no tenemos ni
VGS, ni Vp, despejamos una de estas incgnitas de las formulas y las
igualamos.
ID / IDSS = ( 1 VGS/VP) y gmVp / 2 IDSS = ( 1 VGS/VP);
(gm.Vp / 2IDSS) = ( 1 VGS / VP); ID / IDSS = (gm.Vp / 2 IDSS)
Vp= (2/gm) ID.IDSS=; Vp=( 2/2mS)4m.16m=; Vp=8V. Tomamos el
valor de VP=8V positivo por ser de canal P, y despejamos el VGS de
una de las ecuaciones anteriores.
2m.8/(2.16m)=1- VGS/8 VGS/8 =1/2 VGS=8/2=4V. Hallamos V2: V2=(33x3,3M) /(3,3M+33M)= V2
= 3V. Hacemos una malla alrededor de VGS y obtenemos el valor de Rs: 3 + 4 - 4m.Rs =0
Rs=7/4m=1,75K; - VD + 4mRD=0 RD = 20/4m=; RD=5K; - VG 3 + 33=0; VG=30;-VS-7+33=0;
VS=26V; VSD=VS-VD=; VSD=26-20=6V; Zin=33M//3,3M=3M; Vin=176mv.3M (3M+0.3M ) = 160mV Av
= vo / vin =; Av = -1.28v / 160mv =; Av =- 8; Av= - gm.rD=; rD = -Av / gm =; rD= -(-8)/2ms rD=4K;
RL =5K.4K / (5K-4K)=20K; Vin=Vg = Vgs = 160mv; Vs = 0V; Vo =Vd = -1.28V; id = Vgs.gm =;
id =2ms.160mv=320A; ApREALRL=(Vo/RL )/(Vf.if )=; if=(Vf - Vin) / Rf =1,76mv-160mv=53,333nA
ApRL =((-1.28v)/ 20K) / 1,76mv.53,333nA =; ApRL = 8727,272

Analisis BJT FET MOSFET en AC

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mtodo aproximado y puede introducirse slo si es satisfecha la siguiente condicin especfica:

RESPUESTAS A LOS PROBLEMAS DE CIRCUITOS DE POLARIZACION DEL TRANSISTOR

TEMA PARA EL PRIMER PREVIO

AMPLIFICADORES EN LA CONFIGURACION DE EMISOR COMUN

EL TEOREMA DE SUPERPOSICION PARA AMPLIFICADORES

En un amplificador transistorizado, como el de figura 1, la fuente de cc proporciona corrientes y

Figura 2.- Circuito equivalente de cc Figura 3.- Circuito equivalente de ac

Si la seal es pequea, los pico A y B estn muy cercanos a Q, y la operacin es aproximadamente

Su valor es re= 25mV / IE =.

FIGURA 5 La curva de corriente de cc de colector contra la corriente de cc de base no es lineal

El beta de AC (designada como ac o simplemente ) es una cantidad de pequea seal que de

Figura 9.- Circuito equivalente de ac Figura 10.- Circuito equivalente para ac de un

Figura 13.- Circuito equivalente de ac Figura 14.- Circuito equivalente para ac de un

Rb=R1//R2= R1xR2 / (R1+R2)= y Re=RE//RL= RE x RL / (RE + RL)

Zo(EMISOR) =Rth/ + re =; como Zo = Re// Zo(EMISOR) y Re >>>> Zo(EMISOR) Zo Zo(EMISOR)=Rth/ + re =.

AMPLIFICADOR PAR DARLINGTON Y SU CIRCUITO EQUIVALENTE EN A.C

AMPLIFICADOR EN LA CONFIGURACIN DE BASE COMN

Av= Vo / Vin = Vo ic.rc = 0 Vo = ic.rc =; - Vin+ic.re = 0 Vin = Ve = ic.re = Vf x Zin /

PROBLEMAS SOBRE AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES BIPOLARES DE SEAL

2- De la figura 2. Determine, si el =200

Problema 1.-Comprobamos si 10xR2<xRE10x60K<200(3,05K+75), como se cumple, lo hacemos

Problema 2.- IE=(12 0,7)/(11,2K+100)=1mA; re=25mV/1mA=25; rC=6K//12K=4K; Av=4K/(25+100)=

4-Con la informacin que ofrece la figura 4. Determine, si el =200

Problema 3.-Comprobamos si 10xR2<xRE10x40K<200x7,6K, como se cumple, lo hacemos por el

. PROBLEMAS SOBRE AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES BIPOLARES

RESPUESTAS A LOS 9 PROBLEMAS

Zin=10164,261; Vin=138,979mV=Vb; Vo =1,428V=Vc; ic =1,19mA: ib=5,952A; ie=1,196mA;

se muestra en las figuras 2, 3 y 4.

VB1=V2; VE1=V2 VBE=VB2; VE2=VE1 VBE= V2 2VBE= IE2.RE=; VC1=VC2=VCC.

Hallamos el valor de V2-2 en la figura 3: V2-2=Vcc.R2-2/(R1-2+R2-2)=, y el V2-2 = VB2. Hacemos la malla 1

PROBLEMA DE TRABAJO PARA ENTREGAR EL DIA DEL PREVIO

b.- La impedancia vista desde la base de Q1.

DISEO DE AMPLIFICADORES CON TRANSITORES BIPOLARES (BJT) DE UNA O MAS

AMPLIFICADOR EN LA CONFIGURACION DE EMISOR COMUN CON RESISTENCIA SIN

AMPLIFICADOR EN LA CONFIGURACION DE EMISOR COMUN CON RESISTENCIA DE

de los amplificadores de resistencia de emisor totalmente desacopladas y tambin en los diseos de

Clculo VRE= REIc=; Clculo la Vcc C = 2VRE =; Clculo de los voltajes en

Clculo de la fuente de Vcc: Vcc= VRc+VcE+ VRE2=. Clculos de los voltajes en R1 y R2

DISEO DE UN AMPLIFICADOR MULTIETAPA DE ACOPLE CON DIODOS

CURVAS DEL DRENADOR

El voltaje graduador-surtidor es igual a la diferencia entre el voltaje de graduador y el voltaje de

Si se grafica la ecuacin de ID=(VTH-VGS)/Rs=, se obtiene la lnea de polarizacin mostrada en la

FUENTE DE ALIMENTACION BIPOLAR.-Como el transistor bipolar esta polarizado por emisor, la

MODELO SIMPLE DE UN JFET.-la figura 15 muestra un circuito equivalente simple de ac para un

DISTORSION.- En virtud de que la curva de trans-conductancia no es lineal el JFET distorsiona a

EL AMPLIFICADOR DE GRADUADOR COMUN(CG).- la figura 24 muestra un amplificador

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