DETERMINACIN DE PARMETROS HBRIDOS DEL TRANSISTOR BJT Y ANLISIS DE

AMPLIFICADORES POR SIMULACIN EN ORCAD

ELECTRNICA II

PASOS A SEGUIR:

1. Instalar orcad
2. Abrir orcad!!!
3. Crear un proyecto
4. Seleccionar el transistor que se va a trabajar.

Ejemplo: Se toma como ejemplo el que aparece en el libro gua para poder comparar los resultados (pg. 461 -
Humberto Gutirrez-Tomo 2). El transistor que manejan es un 2n3904

5. Se a crea un circuito para determinar los parmetros de transistor en emisor comn.

Como se est en simulacin no hay necesidad de colocar resistores en la malla de entrada y la de salida. En la malla de
entrada colocar una fuente de corriente y la de salida una fuente de voltaje.

Recordar que los parmetros h se hallan en un punto de operacin en particular. (VCEq y ICq).Se seleccionan dichos
valores segn el ejemplo del libro donde:

VCEq=12
ICq=5mA

Observar en el esquemtico que la fuente de voltaje V1 se coloca con el mismo valor del VCEq, ya que est conectada
directamente entre el Colector y el Emisor.

MTODO 1: A TRAVS DE VARIACIONES EN EL PUNTO DE OPERACIN

Se necesita hacer un barrido DC para poder determinar el valor de la corriente de base en el punto Q.

6. Ahora hacer el barrido DC de la fuente de corriente colocando un marcador de corriente en el colector, dejando
la fuente de corriente como aparece por defecto. En la ventana de ajustes de simulacin se colocan los
parmetros como aparece en la siguiente figura (el rango de barrido en la corriente de base ha de corresponder
con la que maneje el dispositivo):

LUIS ARIEL MESA M. ELECTRNICA II Pgina 1

 7. En los resultados la escala vertical indica la IC y la horizontal (que es la variable del barrido) la corriente IB.
8.
20mA

15mA

10mA

5mA

0A
0A 10uA 20uA 30uA 40uA 50uA 60uA 70uA 80uA 90uA 100uA
IC(Q1)
I_I1

8. Para hallar el valor de la IBq se puede cambiar el lmite del barrido para tener mayor exactitud. Recordar que la
IBq se obtiene de donde se obtenga la corriente ICQ, que para el ejemplo es de 5mA.
10mA

8mA

6mA
(28.089u,5.0045m)

4mA

2mA

0A
0A 5uA 10uA 15uA 20uA 25uA 30uA 35uA 40uA 45uA 50uA
IC(Q1)
I_I1

LUIS ARIEL MESA M. ELECTRNICA II Pgina 2

El valor de IBq encontrado es de 28.090uA

9. Ahora realizando la simulacin en el dominio del tiempo, se toma el valor de IBq y se lo coloca a la fuente de
corriente con el fin de verificar que los datos se ajusten a lo especificado. Para tal fin se activan las mediciones
de corriente y voltaje DC y se verifica la concordancia numrica.

10. De la simulacin se obtiene que VBEq=705.2mV.

11. Para hallar los parmetros h, se deben generar pequeas variaciones respecto al punto de trabajo. Esto se
realiza mediante incrementos y decrementos no superiores al 5% respecto al punto de operacin. Se hallan los
dos primeros, hfe y hie, los cuales mantienen VCE constante (es la misma condicin para ambos).
I C
h fe
I B VCEQ kte

VBE
hie
I B VCEQ kte

12. Obsrvese que para ambos se tiene Ib, luego para tal caso se hacen variaciones en Ib.
IB1=IBq+IBq*5%=29.45uA.
Luego se coloca este valor en la fuente de corriente y se hallan los valores de IC y VBE. El VCE se mantiene
constante en el punto Q ya que para el caso la fuente DC est conectada directamente al Colector y el Emisor
(VCE)

Se obtiene de la simulacin:
IC1=5.265mA
VBE1=706.6mV

LUIS ARIEL MESA M. ELECTRNICA II Pgina 3

 Ahora se varia la corriente 5% por debajo de IBq
IB2=IBq-IBq*5%=26.7uA
13. Repetimos el procedimiento para volver a encontrar IC2 y VBE2

Se obtiene de la simulacin:
IC2=4.738mA
VBE2=703.7mV
14. Ahora se determinan los parmetros hfe y hie.
I C
h fe
I B VCEQ kte

Hfe = |IC2-IC1|/|IB2-IB1|= (527uA)/(2.75uA)

Hfe = 191.64.
En el libro haba se obtuvo 192.
VBE
hie
I B VCEQ kte

Hie=|VBE2-VBE1|/|IB2-IB1| (2.9mV)/(2.75uA)
Hie=1054.55
En el libro se obtuvo 1.05k.

15. Ahora se determinan los otros dos parmetros, hre y hoe.

I C
hoe
VCE IBQ kte

VBE
hre
VCE IBQ kte

Notar que para estos hay que mantener constante la corriente de base en el punto Q y se debe hacer variaciones en
VCE ya que es comn a ambos. Las variaciones no deben superar nuevamente el 5%!
Recordar que IBq= 28.090uA y VCEq=12
VCE1=VCEq+VCE*5%=12.6V

LUIS ARIEL MESA M. ELECTRNICA II Pgina 4

De la simulacin se obtiene:
IC1=5.040mA
VBE1=705.2mV
16. Ahora se vara el VCE un 5% por debajo del VCEq.
VCE2=VCEq-VCEq*5%=11.4V

De la simulacin se obtiene:
IC2=4.969mA
VBE2=705.2mV
17. Ahora se puede calcular hoe y hre:
I C
hoe
VCE IBQ kte

Hoe=(71.uA)/(1.2V)=5.92e-5
En el libro haba dado (1/Ro) 58.48e-6

VBE
hre
VCE IBQ kte

Hre=(0)/(1.2V)=0
En el libro se obtuvo ?....upsss no lo da!!!.

LUIS ARIEL MESA M. ELECTRNICA II Pgina 5

 MTODO 2: UTILIZANDO LOS DATOS DE PEQUEA SEAL QUE ENTREGA ORCAD

Orcad puede entregar datos del modelo de pequea seal del transistor utilizado en cada simulacin si se utiliza el
anlisis en el punto de trabajo. Para tal fin, se debe colocar en los ajustes de simulacin el anlisis Bias point(punto de
trabajo)

Se corre la simulacin y en la ventana del Spice, se despliega en el men View, seleccionado output file

Este entrega un archivo plano como el siguiente, donde aparecern todos los datos de la simulacin realizada:

LUIS ARIEL MESA M. ELECTRNICA II Pgina 6

Como se tiene un transistor en la simulacin, se entregara un listado en dicho archivo de los parmetros para el punto
de trabajo del mismo (pequea seal), del cual se puede extractar la informacin que se requiere. Este generalmente se
incluye al final del output file:

Se pueden observarlos parmetros que generalmente corresponden al modelo r-pi

BETADC :Es la ganancia de corriente en DC
BETAAC: Es la ganancia de corriente en AC
VBE: Es el VBE en el punto Q
VCE: Es VCE en el punto Q
IC: IC en el punto Q
RPI y RX: son resistencias intrnsecas del transistor donde Hie=RPI+RX
Ro: es el inverso el hoe (hoe=1/Ro)
GM: es la transconductancia (GM=hfe/RX)

LUIS ARIEL MESA M. ELECTRNICA II Pgina 7

Ojo: Esta informacin del modelo de pequea seal solo la entrega ORCAD en el anlisis topo BIAS POINT !!!

El output file tambin entrega siempre los parmetros del modelo de seal grande que utiliza (modelo Gummel Poon)

LUIS ARIEL MESA M. ELECTRNICA II Pgina 8

 SIMULACIN DEL AMPLIFICADOR DISEADO

(Humberto Gutierrez Tomo 2- pag 456)

Lo que primero se obtiene ser la seal de salida con una entrada senoidal para verificar que el amplificador no
distorsione, para tal caso, se simula en el dominio del tiempo colocando cursores de voltaje a la entrada y la salida:

665mV

400mV

0V

-400mV

-676mV
3.45ms 3.60ms 4.00ms 4.40ms 4.80ms 5.20ms 5.60ms 6.00ms 6.40ms 6.65ms
V(R6:1) V(R4:2)
Time

LUIS ARIEL MESA M. ELECTRNICA II Pgina 9

 Donde se verifica que la misma mantiene la forma senoidal, por lo que el amplificador funciona adecuadamente. Se
puede verificar la inversin de 180 que se obtiene para las configuraciones de emisor comn adicionando un nuevo eje
vertical.
10mV 800mV
1 2

5mV 400mV

0V 0V

-5mV -400mV

>>
-10mV -800mV
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
1 V(R6:1) 2 V(R4:2)
Time

Ahora se prueba que en efecto este amplificando con la ganancia que establece el diseo (-60). Para tal caso se realizan
medidas de la amplitud pico-pico de la salida con los cursores del Spice.
(2.7230m,589.294m)

(3.2230m,-586.625m)

1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms

Luego
Time
Vopp =|589.294mV|+|-586.625mV|=1.17V
Luego como la entrada tiene 10mV de amplitud, se puede calcular:
Avt=Vopp/Vipp=1.17V/20mV=58.79
LUIS ARIEL MESA M. ELECTRNICA II Pgina 10
Se verifican ahora las ganancias de corriente y voltaje a travs de barridos de frecuencia. Se cambia la fuente VSIN por
una fuente VAC y se colca la misma amplitud (10mV) y el mismo offset (0V)

Se cambia ahora el tipo de barrido a AC Sweep/Noise y se ajusta el rango de frecuencia (1Hz-1GHz)y los puntos por
dcada que se van a tomar (tratar de que no sean tantos. 10 estn bien)

Para simular la ganancia de voltaje total se colocan cursores de voltaje a la entrada y la salida obteniendo las siguientes
graficas:

LUIS ARIEL MESA M. ELECTRNICA II Pgina 11

 600mV

500mV

400mV

300mV

200mV

100mV

0V
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz
V(R6:1) V(R4:2)
Frequency

Y como la ganancia Avt es la divisin de las dos, se incluye una nueva curva con el add trace que permita determinarla

LUIS ARIEL MESA M. ELECTRNICA II Pgina 12

 60

(8.7588K,59.459)

50

40

30

20

10

0
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1
V(R6:1) V(R4:2) V(R4:2)/ V(R6:1)
Frequency

Con lo que se corrobora que la ganancia de voltaje es de -60 aprox.

Para la ganancia de corriente se realiza e mismo procedimiento cambiando los cursores de voltaje por corriente:
80uA

60uA

40uA

20uA

0A
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz
I(R6) -I(R4)
Frequency

LUIS ARIEL MESA M. ELECTRNICA II Pgina 13

 25

(10.864K,24.338)

20

15

10

0
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz
I(R6) -I(R4) -I(R4)/ I(R6)
Frequency

Ntese que Ait=24.338

Para le impedancia de entrada Zi se coloca en la entrada un cursor de voltaje otro de corriente y obteniendo Zi=Vi/Ii

20K

15K

10K

5K (77.858,3.6270K)

0
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz
I(R6) V(R6:1) V(R6:1)/ I(R6)
Frequency

LUIS ARIEL MESA M. ELECTRNICA II Pgina 14