UNIVERSIDAD DE EL SALVADOR

ESCUELA DE INGENIERA ELCTRICA

ELC-215

RESPUESTA EN FRECUENCIA DE AMPLIFICADOR EMISOR COMN Y

AMPLIFICADOR CASCODO BJT
Jos Ramos Lpez

MODELO DEL TRANSISTOR

La figura 1 muestra el modelo general del transistor BJT en alta frecuencia

Figura 1. Modelo hbrido-pi del transistor BJT en alta frecuencia.

Los parmetros del 2N2222 se calculan de la manera siguiente

El clculo de parmetros se basa en la hoja de datos del 2N2222A, de la cual se muestra detalles a
continuacin. Especficamente se han aplicado los valores de Capacitancia de salida (Cobo @ VCB
= 10 V), ganancia de corriente en pequeas seales (IC = 10 mA), Admitancia de salida (IC = 10

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mA) y Constante de Tiempo Colector base. Se asume VT = 26 mV. La hoja de especificaciones
proporciona un valor mximo de 150 ps para la constante de tiempo base colector:

Figura 2. Modelo hbrido pi para el 2N2222 con ICQ = 10 mA y VCEQ = 10V. Para estos valores
hFE = 225.

RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DEL AMPLIFICADOR EMISOR COMN

Considere el amplificador emisor comn mostrado en la figura 3. Inicialmente asumimos que RE1 =
0. Puede demostrarse que el punto Q se encuentra aproximadamente en ICQ = 10 mA y VCEQ = 10V.
Utilice el teorema de Miller para encontrar un valor aproximado de la frecuencia de corte superior fH.
Calcular tambin la ganancia en la banda media, AM. Verificar con PSpice o TINA. Repetir los
clculos y simulacin para RE1 = 24 ohmios. Seleccionar CC1, CC2 y CE para fL = 100 Hz. Presentar
sus clculos al instructor.

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 Figura 3. Circuito emisor comn para la primera parte del laboratorio de respuesta en frecuencia

Montar el circuito en el laboratorio y determinar experimentalmente fH, fL y la ganancia en la banda

media para ambos casos (RE1 = 0 y RE1 = 24 ohmios). Reportar sus resultados al instructor.

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RESPUESTA EN FRECUENCIA DE AMPLIFICADOR CASCODO BJT

Figura 4. Amplificador cascodo BJT

En este caso para aplicar directamente el modelo desarrollado para ICQ = 10 mA, se procede a
seleccionar valores de RE, R1 y R2 para establecer dicho punto de operacin a condicin de que la
cada de voltaje total entre los dos transistores sea de 20 V. Con esta condicin, la cada de voltaje
en extremos de RE es de 4.9 V

RE = 4.9 V / 10 mA = 490 ohm

El valor estndar ms prximo es RE = 510 ohm

Asumiendo VBE = 0.7 V, entonces VB1 = (-15 + 5.1 +0.7)V = -9.2 V

Seleccionando R2 = 10 kohm

IR2 = 9,2 V / 10 kohm = 0.92 mA

La corriente circulando a travs de R1 es

IR1 = IR2 IB1 = 0.92 mA 10 mA/225 = 0.92 mA -0.044 mA = 0.876 mA

R1 = VR1/IR1 = 5.8 V/0.876 mA = 6.6 kohm

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El valor estndar ms prximo es R1 = 6.8 kohm

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TAREAS ETAPA CASCODO BJT

Repetir las tareas de anlisis, simulacin y prueba realizadas para la etapa emisor comn, para el
amplificador cascodo mostrado en la figura 4. En este caso se espera un desempeo superior de la
respuesta en frecuencia, de manera que es bastante probable que el lmite de fH sea difcil de observar
directamente con el equipo de laboratorio de la EIE. El estudiante deber investigar mtodos
alternativos de prueba para determinar fH en el laboratorio. Por ejemplo, la medicin del tiempo de
subida tr (rise time).

BIBLIOGRAFA

1- Sedra & Smith. Circuitos Microelectrnicos, 5 edicin. McGraw Hill.

2- Hambley. Electrnica, 2 edicin. Prentice Hall, 2001.
3- Motorola. Semiconductor Technical Data. P2N2222A/D.

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ANEXO A. DATOS TCNICOS 2N2222 (Data Sheet Motorola)

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