Captulo 8 Fundamentos da Cintica dos Processos de Refino

1. Introduo
Durante um longo perodo da histria recente da metalurgia, os processos de refino dos aos
evoluram a frente do conhecimento tcnico sobre os fenmenos neles envolvidos. O
desenvolvimento do conversor Bessemer, por volta de 18561, capaz de produzir uma corrida
de ao em cerca de 30 minutos de sopro, por exemplo, foi fundamentalmente emprico. Os
fornos Siemens-Martin, desenvolvidos pela aplicao do conceito de regeneradores trmicos
por William Siemens2 foram uma evoluo da pudlagem do ferro, que os metalrgicos da
poca podiam compreender, do ponto de vista emprico. O refino consumia cerca de 12h.
Naturalmente, o controle dos processos, especialmente nos conversores era to limitado
quando a compreenso dos fenmenos que neles ocorriam. Enquanto Bessemer
aparentemente no era capaz de controlar o fim de sopro, Goran Goransson, na Sucia,
controlava o fim do sopro atravs da ductilidade das gotas de metal ejetadas do conversor2.
Quando o oxignio produzido industrialmente se tornou disponvel e se buscou o
desenvolvimento de conversores empregando este gs, o desenvolvimento foi ainda emprico
e os motivos pelos quais as reaes de refino se passavam de forma to rpida, mesmo com o
sopro por cima, ainda foi mal compreendido.
Enquanto os conhecimentos da aplicao da termodinmica e consolidaram nas dcadas de
1940 e 19503, na dcada de 1960 comeou a ficar aparente que, para atender principalmente
as demandas de aumento de produtividade e de melhor controle das caractersticas do ao
produzido era preciso uma compreenso mais exata dos processos que se passavam no
interior dos reatores de aciaria. Em especial, era necessrio entender como se passavam as
reaes qumicas envolvidas, o que limitava a taxa4 global com que ocorriam e, mais
importante, como seria possvel controlar e acelerar estas taxas. Os trabalhos com
metodologia bem definida de estudos cinticos possivelmente se iniciaram com Darken5 nos
EUA e Schenk na Alemanha. e amadureceu nos esforos e trabalhos hoje clssicos de grupos
como os de Julian Szekely e de Keith Brimacombe (aluno de F D Richardson), para citar
alguns, e com o desenvolvimento, fundamentado em modelos matemticos e fsicos, do
processo AOD, na dcada de 1970.

1
Sir Henry Bessemer, an autobiography, disponvel em http://www.history.rochester.edu/ehp-
book/shb/start.htm consultado em 12/2011.
2
J.R. Stubbles, The original steelmakers, ISS-AIME, 1984
3
F Elliott e J Chipman no MIT, L Darken na USS e C. Wagner foram, talvez, as figuras mais destacadas neste
esforo.
4
comum em portugus usar-se velocidade ao invs de taxa. Entretanto, conveniente reservar
velocidade para a taxa de movimento, apenas. As variaes de outras grandezas (como quantidade ou
concentrao) em funo do tempo, de forma geral so chamadas de taxas. Em ingls rate usado.
Speed nunca empregado nem tampouco velocity.
5
A apresentao de um modelo simples para a evoluo do CO no forno Siemens-Martin no livro de 1953 se
tornou uma das fontes mais comuns do valor da espessura da camada limite em um banho de ao, embora
Darken, na ocasio, tenha deixado claro que apenas estimara (let us postulate tentatively) este valor!

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2. Fundamentos da Cintica em Refino dos Aos
Durante o refino dos aos diversas alteraes (de composio qumica, temperatura, etc.) so
desejadas. Estas alteraes so movidas pela busca do equilbrio termodinmico.
Entretanto, no se passam instantaneamente. Algumas destas alteraes esto associadas a
reaes qumicas, outras no. Para que se possa compreender o que define a taxa com que
estas alteraes ocorrem, no basta compreender o estado de equilbrio que o sistema visa
atingir: necessrio compreender e estudar como estas alteraes ocorrem. Como, em
muitos casos, as alteraes no envolvem reaes qumicas e, em outros, apesar de
envolverem reaes qumicas envolvem outras etapas importantes, conveniente denominar
o objeto de nosso estudo cintico de um processo que pode ou no englobar uma reao
qumica, mesmo correndo o risco associado ao emprego da palavra tambm para descrever o
processo empregado para o refino (Forno Eltrico, etc.). Assim, a meno a cintica de uma
reao, se refere, neste texto, a cintica apenas dos processos qumicos envolvidos na
transformao de reagentes em produtos.

Excetuando-se os processos de homogeneizao de uma determinada fase, e os processos que

envolvem apenas transmisso de calor e fuso, os processos que ocorrem no refino dos aos
envolvem reaes se passam, normalmente, em interfaces entre fases6. Os processos de
homogeneizao de uma fase so tratados, normalmente, por modelos de fluido dinmica.
2.1. Etapas de um Processo Heterogneo
Em funo deste aspecto topolgico, os processos so chamados de processos heterogneos7.
Conceitualmente, todo o processo que envolve uma reao em uma interface, envolver
diferentes etapas em srie para que seja completado:

a) O transporte do reagente, atravs das fases envolvidas, at a interface;

b) Eventuais fenmenos interfaciais como adsoro ou desoro;
c) A reao propriamente;
d) O transporte dos produtos a partir da interface, atravs das fases homogneas.

Assim, quando duas fases fora de equilbrio esto em contato, em uma interface, existe uma
fora motriz para que o equilbrio seja atingido. Se assumirmos que a temperatura e a
presso (dois potenciais termodinmicos) das duas fases so iguais, a fora motriz para que o
equilbrio seja atingido ser a diferena entre os potenciais qumicos das espcies ou
elementos envolvidos. Se uma das fases ainda no existe (por exemplo, quando ocorre a
nucleao de uma bolha ou de uma incluso no-metlica no metal lquido), parte da fora
motriz necessria, tambm, para causar a nucleao da fase em questo.

6
De forma estritra, os processo de fuso tambm ocorrem em interfaces, no caso entre a fase slida e a fase
lquida.
7
Em contraposio a processos homogneos, que se passam em qualquer ponto de uma fase.

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2.2. Um processo simples remoo de nitrognio do ao lquido
Para compreender como as diversas etapas de um processo heterogneo so importantes no
resultado global do processo, conveniente apresent-las em um exemplo de um processo
simples como, por exemplo, a remoo do nitrognio dissolvido no ao pela exposio ao
vcuo, antes de estud-las em detalhe.

y Ngs

Gs
PN2
yi

Metal Nmetal
%N

Vcuo N

Figura 1 Ao liquido contendo nitrognio dissolvido em contato com atmosfera contendo gs

nitrognio. Se o ao e o gs no esto em equilbrio e as duas fases esto completamente
homogneas, h uma diferena de potencial qumico do nitrognio que pode ser esquematizada
como mostra a figura da direita.

A diferena de potencial qumico Nmetal Ngs a fora motriz para que o ao seja
desgaseificado, isto , para que o nitrognio passe do ao para o gs. Esta diferena de
potencial ser empregada nas diferentes etapas que acontecem no processo, de modo a que o
processo ocorra e, eventualmente, a condio de equilbrio, Nmetal (t ) = Ngs (t ) , se estabelea.

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N N
metal
N
Nmetal (0)
Gs
Nmetal (t1 ) Gs
N (0) Nmetal (t 2 )
Ngs Nreao (t 2 ) Ngs
Metal
Metal

yi y yi y
Figura 2 (a) Instante inicial, t=0. Ambas Figura 2 (b) Reao qumica (ou processos
as fases so perfeitamente homogneas e interfaciais como adsoro o desoro) so muito
h desequilbrio na interface. lentos. medida que a reao ocorre tanto o gs
como o metal se mantm homogneos. Assume-
se que o gs seja constantemente extrado, no
havendo acmulo do nitrognio removido do ao
na fase gasosa, portanto. Toda a diferena de
potencial usada para a reao qumica. (t2>t1>0)

De uma forma simplificada e considerando que no pode haver acmulo de nitrognio na

interface (coordenada y i , na Figura 1)8 possvel se imaginar situaes limites sobre a
distribuio das diferenas de potencial entre as diferentes etapas do processo mencionadas
no item 2.1. Para tal, necessrio imaginar que a taxa com que determinada etapa ocorre
muita mais lenta do que as demais etapas do processo. Como todas as etapas esto em srie,
se existir uma taxa muita menor que as demais, esta controlar, praticamente9, o processo
como um todo, e toda a diferena de potencial qumico ser empregada pelo sistema para
vencer esta resistncia.

Iniciando-se com uma situao de desequilbrio como mostrada na Figura 2 (a), em que tanto
o metal como o gs so considerados perfeitamente homogneos em termos de composio
qumica, observa-se uma diferena de potencial qumica inicial, N (0) . Esta diferena de
potencial qumico facilmente compreendida observando-se um grfico do equilbrio metal-
gs para o sistema Fe-N (Lei de Sievert para o nitrognio no ao), como mostra a Figura 3.
Um ao que contivesse, inicialmente, 50 ppm de nitrognio em soluo, estaria em equilbrio
com uma presso de nitrognio de 0,012 atm ( PN 2 = 0,11 ). Se a presso interna do
desgaseificador for de 1 mmHg e assumir-se que o gs no interior do vaso tem a composio
aproximada do ar, a presso de nitrognio no interior do vaso ser de 0,001atm
( PN 2 = 0,032 ), que estaria em equilbrio com um ao contendo 14ppm de nitrognio

8
A premissa de que no h acmulo na interface importante pois permite fazer um balano de massa
igualando (a taxa de chegada de material a interface, a taxa de sada de material e a taxa da reao qumica na
interface).
9
Isto uma aproximao pois nenhuma das etapas pode ocorrer com taxa infinita que seria necessria para
acomodar a ausncia de diferena de potencial qumico ( N = 0 ).

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dissolvido. Naturalmente, no possvel comparar, diretamente, os valores da composio
qumica do ao com a presso de nitrognio nem com a composio qumica da atmosfera no
interior do desgaseificador.

Ao: t=0, 50 ppm N

% N N
0.0014

PN 2 N

Gs: pt= 1mmHg

Figura 3 Condies hipotticas de desgaseificao superpostas ao grfico experimental da
lei de Sievert do nitrognio no ferro10 a 1606oC. Supondo que o gs esteja a uma presso
total de 1mmHg e seja constitudo aproximadamente por ar e que o ao, ao chegar ao
desgaseificador tem 50ppm N dissolvidos, possvel avaliar o desequilbrio inicial
( N (0) ) atravs de uma diferena hipottica entre a composio do ao e a composio
de equilbrio com o gs ou atravs da diferena hipottica entre a presso de nitrogenio do
gs e a presso que estaria em equilbrio com o ao.

Esta diferena de potencial qumico ser a fora motriz para os processos que conduzem ao
equilbrio.

2.2.1. Reao qumica muito mais lenta do que as etapas de transporte

Se assumirmos que a reao qumica uma etapa muito mais lenta do que as demais, a
proporo que o nitrognio do ao for consumido para formar molculas de gs nitrognio
pela reao:
2 N = N2

mais nitrognio ser transportado para perto da interface, para compensar o consumo (caso
contrrio, se estabeleceria uma diferena de concentrao de nitrogenio entre o ao prximo
a interface e distante dela). Como a reao lenta (comparativamente) h tempo suficiente
para o metal se homogeneizar junto a interface, mantendo a composio interfacial
constante e igual a composio mdia do banho. Da mesma forma, as molculas de gs
formadas sobre o ao so removidas de forma que no se note acmulo de produtos da reao

10
R. D. Pehlke and J. F. Elliott: Trans. Met. Soc. AIME, 218 (1960), 1088.

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junto a interface. Como se assume que o sistema de vcuo esteja permanentemente em
operao, neste exemplo, no h acumulo de gs no sistema e a presso do gs permanece
independente do tempo. J o teor de nitrognio do ao ir sendo reduzido a medida que o
tempo passa, como indica a Figura 2 (b)11.
Como a reao lenta, no consegue estabelecer o equilbrio entre os potenciais reinantes
nas duas interfaces.
2.2.2. Transporte de nitrognio no metal muito mais lento do que as demais etapas
Por outro lado, se supusermos que o transporte do nitrognio dentro do metal, at a interface,
muito mais lento do que a reao qumica e do que o transporte das molculas de nitrognio
no gs, a reao ser capaz de atingir o equilbrio local, na interface e o processo ser
controlado pela capacidade de se transportar mais nitrognio atravs do ao para produzir,
novamente, desequilbrio na interface e formar gs nitrognio12.

Partindo-se tambm da situao descrita na Figura 2(a) a caracterstica marcante de um

processo em que o transporte seja muito mais lento do que a reao qumica o fato de que a
reao consegue estabelecer equilbrio local na interface; o processo s no prossegue de
forma mais rpida por falta de reagentes junto interface (discutido neste item) ou acmulo
de produtos (discutido no prximo item).

11
Uma analogia comum para descrever um processo em srie seria uma linha de montagem em que peas so
trazidas at um montador (a reao qumica) e o conjunto montado removido. A analogia da reao lenta
quando o montador demora muito mais para montar o conjunto do que os sistemas que trazem as peas e
removem os conjuntos montados so capazes de operar.
12
Na analogia da linha de montagem, esta situao seria representada pela demora das peas chegarem ao
montador. O montador monta as peas rapidamente fica esperando novas peas; assim que as recebe, monta
um novo conjunto que rapidamente removido.

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 N N
Nmetal (0 + dt ) metal
N (0) Ngas ,interface (0 + dt )
Nmetal (t1 ) metal
N (t1 ) Ngs ,interface (t1 )
Gs
Ntr (t1 )
Ngs Ntr (t1 ) Gs
metal ,interface Ngs
N
Metal
Metal
yi y
yi y
Figura 4 (a) Quando o transporte no metal Figura 4(b) Quando o transporte no gs muito
muito mais lento do que as demais etapas, a mais lento do que as demais etapas, a reao
reao qumica consome o nitrognio do ao qumica consome o nitrognio do ao formando
prximo a interface, estabelecendo equilbrio mais gs nitrognio prximo a interface,
entre metal e gs, na interface estabelecendo equilbrio entre metal e gs, na
( Nmetal ,interface (t ) = Ngs (t ) ). A partir da, a interface ( Nmetal (t ) = Ngs ,interface (t ) ). A partir
desgaseificao passa a ser limitada pela da, a desgaseificao passa a ser limitada pela
capacidade de o nitrognio do metal ser capacidade de o nitrognio se afastar da
transportado at a interface. Toda a diferena interface Toda a diferena de potencial
de potencial qumico usada para o transporte qumico usada para o transporte no gs. O
no metal. O perfil de potencial qumico no perfil de potencial qumico no gs, nesta figura,
metal, nesta figura, puramente esquemtico e puramente esquemtico e ser assunto de
ser assunto de discusso nas prximas sees. discusso nas prximas sees.

As caractersticas importantes deste tipo de processo so ilustradas, esquematicamente, na

Figura 4(a).
H equilbrio na interface (pois a reao qumica muito mais rpida do que o transporte) e,
portanto, os potenciais qumicos so idnticos nas duas fases, na interface e h uma diferena
de potencial qumico entre o seio do metal e a interface, que a fora motriz
( Ntr (t ) = Nmetal (t ) Nmetal ,interface = Nmetal (t ) Ngs ) para o transporte do reagente (neste caso,
o nitrognio) at a interface.
importante observar que o potencial qumico do nitrognio no metal, exatamente na
interface, inacessvel experimentalmente. Neste caso, ele pode ser determinado atravs da
condio de equilbrio das duas fases e, conseqentemente, possvel estimar a magnitude da
fora motriz disponvel.

Caso este problema envolvesse uma fase slida, ao invs do metal lquido, o perfil de
potencial qumico nesta fase seria definido pelas leis da difuso, nico mecanismo de
transporte relevante, nos slidos. Assim, poder-se-ia aplicar as Leis de Fick para calcular o
fluxo13 de nitrognio:

13
Fluxos so sempre expressos em unidades do que transportado por rea, por tempo. Assim com fluxo de
calor, fluxo de massa ou densidade de corrente eltrica, por exemplo.

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 (% N ) Eq. 1
J N = DN [massa / rea.tempo]
y

DN (% N ) % N Eq. 2
=
y y t
ou, empregando-se um formalismo de mobilidades (M)14 (ao invs de coeficientes de
difuso)
Nmetal
J N = M N cN [massa / rea.tempo]
y

Entretanto, nos fludos, os mecanismos de transporte de massa por conveco so muito mais
rpidos do que a difuso. Infelizmente, o tratamento matemtico da conveco, normalmente
atravs da equao de Navier-Stokes , tambm, bastante complexo e requer informaes
sobre propriedades fsico-quimicas nem sempre conhecidas nos sistemas de siderurgia.
Assim, como ser visto no item xxxxx os problemas de transporte de massa em fludos tem
sido, normalmente, modelados de forma simplificada, enquanto no se dispe de todas as
informaes necessrias para solues mais precisas da equao de Navier-Stokes, aplicveis
aos processos de refino dos aos.
2.2.3. Transporte de nitrognio no gs muito mais lento do que as demais etapas
O caso improvvel da etapa mais lenta ser o transporte do nitrognio no gs apresentado na
Figura 4 (b). Somente em condies bastante especiais possvel restringir a conveco no
gs de forma a que o transporte de uma espcie gasosa seja mais lento do que o transporte da
espcie correspondente na fase lquida.

2.2.4. Controle Misto

evidente da discusso acima que, alm dos casos extremos descritos, podero existir
situaes em que duas (ou mais) etapas do processo tem taxas comparveis e no possvel
assumir que apenas uma delas controla a cintica global do processo.

A situao em que a reao qumica muito mais rpida do que o transporte, mas o
transporte no metal e no gs tem taxas comparveis ilustrada, esquematicamente, na Figura
5 (a).

14
A adoo do formalismo de difuso atravs do conceito de mobilidades amplamente discutida no mbito do
software DICTRA. Ver, por exemplo, A Schneider, G Inden, Computer Simulation of Diffusion Controlled
Phase Transformations, in Continuum Scale Simulation of Engineering Materials: Fundamentals
Microstructures Process Applications.Ed. D Raabe, et al. Wiley-VCH Verlag, 2004

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 N

Nmetal (t1 ) Nmetal (t1 )

Ntr ,metal (t1 ) Nmetal ,i (t1 ) Gs
tr , metal
(t1 )
N
Gs Nr (t1 )
Ni Ngs ,i (t1 )
tr , gas
N (t1 ) gs Ntr , gas (t1 ) Ngs
N
Metal Metal
yi y yi y
Figura 5 (a) Quando a reao muito mais Figura 5 (b) Quando as taxas das trs etapas
rpida que o transporte nas duas fases, discutidas nesta seo so comparveis, a fora
observa-se, equilbrio na interface. Se, motriz se divide entre elas de modo a garantir
entretanto, as taxas de transporte do nitrognio que o fluxo de massa seja igual nos trs
at a interface e do gs nitrognio a partir da processos.
interface forem comparveis, parte da fora
motriz ser usada no transporte em cada uma
das fases. Como o potencial qumico na
interface no acessvel experimentalmente, a
soluo deste problema depende de equaes
que modelem os dois fluxos, e da condio de
no-acumulo na interface, isto , da
igualdade dos dois fluxos.

Por fim, quando as duas taxas de transporte e a taxa de reao tem magnitudes comparveis,
a fora motriz se dividir entre todos as etapas do processo, como mostra a Figura 5 (b).

2.3. Modelos de Transporte de massa em Fluidos

O escoamento dos fluidos em processos de refino (ou em qualquer processo metalrgico)
pode se dar de forma laminar ou turbulenta. Em raros casos, o escoamento ocorre de forma
laminar- notadamente em experimentos de laboratrio. Entretanto, por ser o modo de
escoamento que conduz a solues mais simples para o modelamento do transporte de massa,
freqentemente adotado como simplificao.
2.3.1. Camada Limite ou Filme Estacionrio
Quando um fluido escoa de forma laminar em uma interface, normalmente se estabelece um
gradiente de velocidades relativas, como esquematizado na Figura 6.

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Figura 6 Um fluido escoando na direo z em condies de escoamento laminar, sobre
uma fase slida estacionria. Nestas condies se estabelece um gradiente de velocidades
como indicado no esquema. Prximo interface a velocidade se aproxima de zero, ou de
uma camada estacionria15.

Nestas condies, seria razovel supor que se estabelecesse um gradiente de potencial

qumico (ou, dentro de uma fase apenas, de composio qumica) como indicado na Figura 7.

15
Talvez esta condio prevalea no interior dos tijolos de fossa utilizados no lingotamento convencional,
quando o lingotamento transcorre com velocidade constante h algum tempo. No interior de uma vlvula de
panela ou de lingotamento contnuo, possvel que estas condies sejam tambm estabelecidas.

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 Concentrao ou potencial qumico

Ci ou i Interface

Distncia

Fase Lquida ou
Gasosa

Cmdio (t ) ou mdio (t )

Figura 7 Estabelecimento de um gradiente de concentrao (ou de potencial qumico) em

uma fase fluida em condies de escoamento laminar em contato com, por exemplo, um
slido (na interface) com o qual reage, atingindo a composio/ potencial Ci ou i na
interface. O perfil real pode ser aproximado por uma camada limite ou camada
estacionria ou filme estacionrio de espessura .

Assumindo-se que no haja movimento na camada estacionria, isto , que o transporte do

soluto em questo ocorra apenas por difuso e considerando que um estado estacionrio
atingido na camada (isto , o gradiente de concentrao linear na camada, a soluo da
primeira lei de Fick (Eq. 1) trivial.

C
J (t ) = D
y
(C medio (t ) C i )
J (t ) = D

D
J (t ) = (C medio (t ) C i ) Eq. 3

Como o gradiente calculado na direo positiva do eixo distncia o sinal negativo indica
que o fluxo ocorre na direo inversa.

Obtm-se, assim, uma equao de fluxo da forma geral:

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 J (t ) = k (C medio (t ) Ci ) Eq. 4

A constante de proporcionalidade na Eq. 4 chamada de coeficiente de transporte de massa.

Comparando-se as Eq. 3 e Eq. 4 observa-se que, pela formulao da teoria da camada limite:
D
k=

Infelizmente, a teoria pouco ajuda na determinao do coeficiente de transporte de massa de
processos metalrgicos reais. Embora existam diversas correlaes para a determinao de
a partir da mecnica dos fluidos16 no h muitas determinaes precisas dos coeficientes
de difuso dos diversos solutos no ferro lquido e as condies de escoamento laminar
raramente se aplicam a processos reais.
Uma evidncia importante que recomenda cautela no uso da teoria que, em geral, quando
se varia a temperatura e, conseqentemente, D, no se observa uma dependncia linear de k
em funo de D.

No estudo da formao de CO atravs da adio de minrio no forno Siemens Martin

Darken17 estimou um valor de = 0,003cm baseado em algumas estimativas anteriores de
Samarin e Shvartzaman. Este valor j foi usado freqentemente por vrios autores em
diversos problemas.
2.3.2. Teoria da renovao da superfcie
Se observarmos uma panela de gua aquecida em um fogo, notaremos que a conveco
causa a subida de volumes de gua que irrompem superfcie. Experimentos mais
controlados com talco colocado sobre a gua mostram que reas sem cobetura de talco
aparecem na superfcie cada vez que um destes volumes (eddies no plural, eddy no
singular) trazido a superfcie (ver Figura 8).

Figura 8 Elementos de volume (eddies) trazidos superficie pela conveco. Mecanismo

considerado na teoria da renovao da superfcie.

O tratamento matemtico desenvolvido por Higbie18 considera que quando um elemento de

volume atinge a superfcie, ele no sofre conveco internamente e capaz de realizar trocas
na interface atravs de processos difusivos, apenas (como na teoria anterior, busca-se reduzir

16
Ver, por exemplo,D R Poirier, G H Geiger, Transport Phenomena in Materials Processing, TMS-AIME,
Warrendale, PA, 1994.
17
L Darken, R Gurry, Physical Chemistry of Metals, McGraw-Hill, New York, 1953.
18
R Higbie, Transactions AIChEJ, 31 (1935), 365.

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a conveco a processos difusivos, mais facilmente tratveis matematicamente).
Adicionalmente, o tempo de permanncia (ou de residncia) de cada elemento de volume, na
interface curto o suficiente para que que o volume em questo se comporte como semi-
infinito: isto , a composio do volume, no extremo mais distante da interface, no se altera
durante o tempo de residncia. Assim, a soluo do problema, atravs das equaes de
difuso possvel.

Fase 1

Elemento Interface
de volume
da Fase 2 a Elemento de
caminho da volume voltando
interface para o seio da
fase, enriquecido
s em soluto ( C)

Fase 2

Figura 9 Ilustrao da teoria da renovao da superfcie. Um elemento de volume da Fase

2, contendo a composio mdia do soluto A, no banho, indicada como C A , transportado
at interface, onde a concentrao da Fase 2 indicada por C A0 . Durante o tempo de
residncia o elemento de volume enriquecido no soluto A (observar a alteraco do
perfil de composio na figura). Entretanto, ainda ao final do tempo a composio em
uma posio do elemento de volume afastada da interface permanece igual a C A . Ao
abandonar a interface o elemento de volume se homogeneza imediatamente para um novo
valor de composio qumica, neste caso indicado por C A + C , em funo do fluxo de
massa de A que ocorreu da fase 1 para o elemento de volume, da fase 2. O elemento de
volume se homogeneza imediatamente na fase 2, nesta teoria.

A soluo matemtica deste problema resulta em um coeficiente de transporte de massa dado

pela relacao da Eq. 5, onde o tempo de residncia do volume (eddy) na interface:

k mdio = 2
D Eq. 5

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Da mesma forma que na teoria da camada limite, as constantes na Eq. 5 no so de fcil
obteno. Em alguns casos especficos, entretanto, possvel estimar o tempo de residncia
de contato entre duas fases, como exemplificado a seguir.

Elemento
de
volume
o
n tat
co
em

cia
n
st
Di

Figura 10 (a) Quando o fluido
passa por uma partcula ou bolha
esfrica (ou quando a bolha ou
partcula escoam dentro do
fluido) o tempo de residncia dos
elementos de volume pode ser
d
calculado como = .
v
Figura 10 (b) No interior do metal, bolhas ascendentes
normalmente assumem a forma de calotas esfricas em
funo da diferena de presso entre o topo e a base da
bolha (muito elevada, devido a densidade do metal).
Neste caso, possvel, tambm, calcular o tempo de
residncia (ou de contato metal-bolha).

Para fornos em que h um escoamento que aproxima o escoamento laminar, especialmente

em funo de foras dominantes como a agitao eletromagntica, este modelo pode tambm
ser aplicado com sucesso. Machlin19, por exemplo, modelou o forno a induo sob vcuo
considerando que os elementos de volume que atingem a superfcie do banho, no centro do
cadinho, residem na superfcie at atingirem os refratrios, em funo do modo de agitao
decorrente do campo magntico resultante, como mostra a Figura 11.

19
E. S. Machlin, Kinetics of vacuum induction refining- Theory, Trans. TMS-AIME, 1960, vol. 218, pp. 314
26

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Figura 11 (a) Esquema do fluxo de metal em Figura 11 (b) Modelo de Machlin para o
um VIM de laboratrio (a esquerda medido, a transporte de massa no metal, na interface metal-
direita calculado) vcuo em VIM. O coeficiente de transporte de
2 Dr
massa obtido por Machlin .
vh 2

2.3.3. Um exemplo simples

A aplicao das equaes de fluxo derivadas com base na Eq. 4 bastante simples. Muitas
vezes, mesmo que no se disponha de um modelo adequado para prever o coeficiente de
transporte de massa, os resultados do ajuste do modelo obtido podem auxiliar na
compreenso da importncia relativa das diversas etapas do processo.

Ward20 estudou a evaporao do mangans de ligas Fe-Mn em um cadinho agitado por

induo e mantido a 1580oC. Ward mediu a concentrao do Mn em funo do tempo, no
ao, para diferentes presses de uma atmosfera inerte, reinantes no ambiente sobre o cadinho,
como esquematizado na

20
R G Ward, JISI, 201 (1963) 11.

1998, 2012, Andr Luiz V. da Costa e Silva 15/30

 J Mn

Fluxo de mangans Presso de vapor de diferentes elementos. Os crculos pretos

global deixando o metal
(Liga Fe-Mn) para uma
atmosfera inerte
marcam os pontos de fuso. A interseo das linhas com o eixo
superior horizontal o ponto de ebulio. A presso de vapor do
Mn bastante superior a do Fe a temperaturas da ordem de
1600oC e o comportamento do mangans como soluto, no ferro,
desvia pouco da idealidade.

Como a presso de vapor do mangans mais alta do que a do ferro nesta temperatura e tem
um valor significativo e a atmosfera no contm mangans, podemos aproximar a equao de
fluxo supondo que o teor de Mn em equilbrio com a atmosfera ser aproximadamente zero.
Assim:
J Mn (t ) = k Mn (%Mn(t ) %Mn i ) Eq. 6

Considerando que a concentrao de Mn na interface muito baixa, esta equao pode ser
aproximada para:
J Mn (t ) = k Mn (% Mn(t ) 0)
Neste caso, estamos assumindo que k Mn representar a resistncia a passagem do mangans
da fase liquida, em soluo, para a fase gasosa.

Conhecendo-se o fluxo de mangans que sai do ao, a quantidade de ao no cadinho (W) e a

rea interfacial (A), possvel realizar um balano de massa do mangans:

Quantidade de Mn no Quantidade de Mn que sai do = Quantidade de Mn no ao

ao em t ao em dt em t+dt

1998, 2012, Andr Luiz V. da Costa e Silva 16/30

 W W
%Mn(t ) J M Adt = %Mn(t + dt )
100 100
100 A
%Mn(t + dt ) % Mn(t ) = J M dt
W
100 Ak Mn
d (%Mn(t )) = (%Mn(t ))dt
W
d (%Mn(t )) 100 Ak Mn
= dt
% Mn(t ) W

Esta expresso pode ser facilmente integrada, resultando em:

% Mn(t ) 100 Ak Mn Eq. 7

ln = t
% Mn(0) W

100 Ak Mn
O fator o coeficiente angular de uma reta quando se apresenta os resultados
W
% Mn(t )
cinticos como ln em funo de t , como mostra a
% Mn(0)

Figura 12 Variao do teor de Mn em ligas Figura 13 Coeficiente de transporte de massa

FeMn expostas a diferentes presses totais (global) da evaporao do Mn de ligas FeMn
(de gs inerte) a 1580oC em um cadinho extrados dos resultados da Eq. 7. Abaixo de
agitado por induo. Os nmeros ao lado de determinada presso, k Mn independente da
cada linha indicam a presso, em mHg . presso do gs.

1998, 2012, Andr Luiz V. da Costa e Silva 17/30

Os resultados da Figura 13 indicam que abaixo de determinada presso do gs, o coeficiente
de transporte de massa global ( k Mn na Eq. 7) no depende da presso. Isto indica que, nestas
condies, o transporte do mangans no gs no tem efeito na cintica do processo de
evaporao. Resta avaliar se este valor do coeficiente de transporte de massa devido
apenas a cintica de transporte do mangans no metal ou se h alguma influncia da reao
qumica (que, em principio, pode ter uma taxa independente, tambm da presso do gs
inerte).

Para presses inferiores a 10 mHg a distncia entre as molculas do gs tal que prevalece a
chamada condio de evaporao livre, em que todos os tomos de metal que deixam a
superfcie escapam, nenhum retornando ao metal lquido devido a choque com molculas do
gs. Neste caso, possvel calcular a taxa de evaporao de mangans como:

0
44,33 p Mn Eq. 8
n&[atg / s ] = A i
Mn C Mn
MT
Isto resulta em uma constante de evaporao livre de k E = 5,1 10 2 cms 1 como indicado na
Figura 13. evidente, portanto, que o valor de k Mn medido a baixas presses tem uma
contribuio significativa do transporte de massa no metal. Caso contrrio, o valor
observado seria o valor limite k E .

Quando a resistncia aos dois fluxos tem magnitudes comparveis nenhum dos dois pode ser
considerado como dominante. Neste caso, necessrio observar que os dois fluxos tem de
ter o mesmo valor, para que no ocorra acmulo de material na interface. Logo
J Mn = k Mn (%Mn(t ) % Mn i ) = k Mn (C Mn C Mn
i
)
n& Mn i
= k E C Mn
A
e
n&
J Mn = Mn
A

Como no se conhece a composio na interface, C Mn

i
a melhor estratgia para a soluo do
sistema de equaes acima explicitar o valor de C Mn
i
nas duas equaes, eliminando este
termo entre elas.

1998, 2012, Andr Luiz V. da Costa e Silva 18/30

J Mn i
= C Mn C Mn
k Mn
n& Mn 1 i
= C Mn
A kE
e
1 n& Mn 1
J Mn + = C Mn
k Mn A kE
n& 1
J Mn = Mn = C Mn
A 1 1
+
k Mn k E

Assim, a resistncia equivalente (ou o coeficiente de transporte mdio) ao fluxo de

1
mangans dada por . Das Figuras acima possvel determinar o valor desta
1 1
+
k Mn k E
resistncia equivalente:
1
1 1
+ = 1,1 10 2 cms 1
k Mn k E

Como o valor de k E conhecido, pode-se determinar o valor de k Mn = 1.4 10 2 cms 1 .21

Isto significa que cerca de 78% da resistncia ao fluxo de mangans no processo de
evaporao, s baixas presses, devida ao transporte de massa no metal, nestes
experimentos. O aumento da agitao do metal, portanto, deveria conduzir a uma acelerao
da evaporao.
Observa-se assim que, em condies especiais de transporte, pode ser possvel ter-se acesso a
taxa real da etapa qumica (no caso, a evaporao). Mas, de forma geral, esta etapa
significativamente mais rpida do que as etapas associadas ao transporte.

A queda da taxa de evaporao com o aumento da presso devida aos choques dos tomos
de mangans que evaporam, com as molculas do gs. Este efeito poderia, ainda, ser
incorporado em uma equao que resultasse na resistncia combinada das trs etapas.

Para tratar formalmente esta condio, conveniente, entretanto, avanar com o formalismo
das taxas de reao qumica, de modo a que o equacionamento de todas as etapas de um
processo tenham sido discutidas.

2 1 1
21
Aplicando o modelo de Machlin, Ward determinou k Mn = 1.5 10 cm s considerando v = 10cm s
5 2 1
e D = 5 10 cm s

1998, 2012, Andr Luiz V. da Costa e Silva 19/30

2.4. Cintica das Reaes Qumicas
As primeiras estratgias de previso do efeito da temperatura e do tempo sobre as reaes
que ocorrem nos materiais se basearam nas observaes de um dos fundadores da fsico-
qumica, o sueco Svante Arrhenius, que em 1889, observando a importncia da temperatura
nos processos qumicos, formulou uma relao emprica entre as caractersticas de uma
determinada reao e o efeito da temperatura sobre a taxa com que tal reao ocorre.
A equao de Arrhenius, pela primeira vez, permitiu conhecer como os processos so
acelerados pelo aumento da temperatura.

A equao de Arrhenius tem a forma:

E
k = K 0e

RT Eq. 9

onde o termo pr-exponencial K 0 independe ou fracamente dependente da temperatura e o

termo E freqentemente chamado de energia de ativao, em funo da teoria da das taxas
de reao absolutas, desenvolvida principalmente por Eyring, em 1935.

2.4.1. Teoria das taxas de reao absolutas (aplicada a reaes heterogneas)

Complexo ativado

G *
Reagentes
Energia

Produtos

Trajetria da reao
Figura 14 Em uma determinada direo espacial (nem sempre facilmente determinada) os
reagentes, ao se chocarem, podem produzir uma configurao atmica (ou molecular)
chamada de complexo ativado. A energia para a formao do complexo ativado a
chamada energia de ativao, G * na Figura.
Na teoria das taxas absolutas, considera-se que os reagentes, (A e B) formam um complexo
ativado (AB) (uma configurao intermediria, necessria para a formao do produto) que
se decompe no produto (C).

A reao quimica seria ento descrita por:

1998, 2012, Andr Luiz V. da Costa e Silva 20/30

 A + B = (AB) = C

A teoria tem duas premissas bsicas:

a) Existe equilbrio termodinmico entre os reagentes e o complexo ativado.

Assim, a partir da termodinmica, pode-se escrever a constante de equilbrio e sua relao

com a variao de energia livre de Gibbs mostrada na Figura 14 :

a ( AB ) ( AB ) ( AB ) Eq. 10
K * (T ) = =
a AaB a AaB

G * H * S *
K * (T ) = e RT
=e RT
e RT Eq. 11

Como o complexo ativado s existe na interface, sua atividade expressa em funo de sua
concentrao na interface ( AB ) e de seu coeficiente de atividade ( AB ) .

kT
b) Existe uma taxa universal de decomposio dos complexos ativados mol cm 2 s 1 ,
h
dn
onde k a constante de Bolzmann22, 1,38 10 23 J / K , e a taxa da reao definida
dt
apenas pela concentrao do complexo ativado na interface onde a reao ocorre:

dn kT 10 Eq. 12
n& = = ( AB ) 2,1 10 T ( AB )
dt h

Isto , a freqncia de decomposio, multiplicada pela concentrao do complexo que se

decompe. Para uma reao com uma taxa razoavelmente tpica23, da ordem de
10 4 mol cm 2 s 1 a 1500oC isto resulta em uma concentrao de complexo ativado, na
interface, da ordem de 10 18 mol cm 2 . Este valor bastante baixo, se comparado com uma

22
H uma relao fundamental entre a constante de Bolzmann, a constante universal dos gases e o nmero de
Avogradro ( R = kN 0 )
23
G R Belton, Interfaces and interfacial reactions of gases with liquid alloys and slags. In Advanced Physical
Chemistry for Process Metallurgy, ed. N. Sano, W. -K Lu, P. V Riboud, and M. Maeda, 151-182. San Diego,
CA: Academic Press, 1997

1998, 2012, Andr Luiz V. da Costa e Silva 21/30

cobertura de uma camada atmica de uma superfcie, que resulta em cerca de24
10 9 mol cm 2 .

Explicitando-se a concentrao do complexo ativado a partir da Eq. 10 e substituindo a Eq.

12 obtm-se

dn kT K * (T )kT
= ( AB ) = a A a B
dt h h
( AB )

Se substituirmos a dependncia da temperatura da constante de equilbrio obtida na Eq. 11

temos:
e H RT e S RT kT kT H * RT Eq. 13
* *
S *

= a A a B = a a RT
dn e
dt ( AB ) h A B h e
( AB )

Segundo Belton23 o valor da energia de ativao na equao de Arrhenius (Eq. 9) tem um

valor muito prximo da entalpia de formao do complexo ativado H * na Eq. 13.

2.4.2. Reaes prximas ao equilbrio

Quando reaes esto prximas ao equilbrio, no razovel considerar somente a taxa de

formao do complexo ativado a partir dos reagentes. A reao inversa pode tambm ocorrer
com uma taxa no desprezvel pois, no equilbrio, por definio, a taxa de formao dos
produtos igual a taxa de formao dos reagentes, de forma que no se observa,
macroscopicamente, alteraes no sistema25.

Assim, se expressarmos a taxa de formao do produto C apresentada pela Eq. 13 com uma
constante de taxa de reao isoterma F , podemos expressar:

24
O espaamento interatmico do ouro lquido, por exemplo, de 3 ( 3 10 8 cm ), segundo Richardson.
Supondo um arranjo compacto (hexagonal) no plano possvel calcular que 1 at-g de ouro (ou 1 mol) ocuparo
uma rea de 9,38 108 cm 2 , que resulta na densidade superficial acima calculada.
25
Quando se analisa o equilbrio sob o aspecto termodinmico, determina-se que no equilbrio, no ocorrem
alteraes no sistema com o tempo. Entretanto, esta assertiva deve ser qualificada, explicitando-se que no
ocorrem alteraes nas propriedades termodinmicas (e portanto macroscpicas) do sistema. Seria
inconcebvel, por exemplo, que em uma panela contendo 100t de ao, com 3m de dimetro, quando o equilbrio
entre o aluminio do ao (dissolvido) e o aluminio da escria (sob a forma de alumina) fosse atingido, algum
mecanismo de comunicao existisse entre os tomos de aluminio que os informasse que nenhum tomo
deveria mais trocar de fase! Naturalmente o que ocorre que a formao de alumina a partir de aluminio e de
oxignio no ao se passa exatamente a mesma taxa que a alumina da escria se dissocia e forma aluminio e
oxignio que se incorporam ao ao. Medindo-se a composio qumica do ao e da escria, no percebemos
qualquer alterao, com o tempo. Se fossemos capazes de marcar em determinado momento, os tomos de
oxignio que se encontram no ao, aps um certo tempo encontraramos um numero considervel destes tomos
na escria e o mesmo numero de tomos de oxignio no marcado no metal.

1998, 2012, Andr Luiz V. da Costa e Silva 22/30

dn dnC
= = F a AaB
dt dt

Empregando o mesmo formalismo anterior, podemos deduzir, para a reao inversa que:
dnC
= I aC
dt
A taxa global de formao de C deve ser, portanto:

dnC
= F a A a B I aC
dt
No equilbrio as taxas de formao e de consumo de C devem ser iguais, de forma que:

F a A a B = I aC
aC
= F = K eq (T )
a AaB eq I

Assim, a taxa de reao prxima ao equilbrio pode ser expressa apenas em funo da taxa de
rao isoterma de formao de C como:

dnC
= F (a A a B (a A a B ) eq )
dt

2.4.3. Molecularidade ou classificao emprica da ordem da reao

Na Eq. 13 observa-se que a taxa da reao proporcional a atividade dos dois reagentes, a
primeira potencia, isto :
dn
= Ka A a B ou K C A C B
dt

Como a soma das potncias das composies dos reagentes de que a taxa de reao depende
2, esta reao chamada de reao de segunda ordem. Uma reao em que
dn
= K C D categorizada como uma reao de primeira ordem.
dt

2.5. Um outro exemplo simples (etapa controladora em um processo

envolvendo transporte e reao qumica)

Em alguns casos mais simples possvel tratar analiticamente a situao em que tanto o
transporte de reagentes e dos produtos nas duas fases como a reao qumica influenciam a
cintica do processo.

1998, 2012, Andr Luiz V. da Costa e Silva 23/30

Supondo-se que a reoxidao de um ao exposto a uma escria contendo FeO se passe em
condies semelhantes a Figura 5 (b), podemos adapt-la para considerar concentraes e
no o potencial qumico, como mostra a

% FeO
N %O % FeOm
Nmetal (t1 )
Ntr ,metal (t1 ) Nmetal ,i (t1 ) Gs % FeOi Metal
Nr (t1 ) %O i
Ngs ,i (t1 )
Ntr , gas (t1 ) Ngs %O m
Metal
Escria
yi y
yi y

Figura 15 Figura 5(b) e sua adaptao para a reoxidao de um ao por uma escria contendo FeO
com potencial de oxidao maior que o do banho.

Para a reao FeO= Fe + O, se todas as equaes de fluxo e de taxa de reao forem

expressas em at-g de oxignio transferido, a condio de continuidade e no-acmulo na
interface exige que o fluxo molar de FeO (cada molde FeO tem um at-g de oxignio)
dn
deve ser igual a taxa de reao global, por unidade de rea ( O ) e igual ao fluxo de
dt
oxignio no metal.

O fluxo de FeO pode ser expresso como:

j FeO = k FeO (% FeOm % FeOi ) Eq. 14

O fluxo de O dissolvido pode ser expresso como (j considerando a direo positiva do fluxo
na direo +y:

jO = k O (%O i %O m ) Eq. 15

Supondo a reao qumica prxima ao equilbrio:

Para a reao no sentido de dissociao do FeO e reoxidao:

n& F = F % FeOi
Para a reao no sentido de formao do FeO:

n& I = I % O i

1998, 2012, Andr Luiz V. da Costa e Silva 24/30

A taxa de reao resultante ser:

n& F n& I = F % FeOi I % O i

No equilbrio, a taxa resultante zero a relao entre a concentrao dos reagentes e produtos
pode ser obtida pela termodinmica (supondo que a constante de equilbrio, j expressa em
funo das concentraes nas duas fases seja dada por K T .

0 = n& F n& I = F % FeOi I % O i

F % FeOi = I % O i
% FeOi I
KT = =
% Oi F

Desta forma, possvel expressar a taxa global da reao em funo apenas de uma das taxas
de reao:

n& F n& I = F % FeOi I % O i = I % FeOi I % O i Eq. 16
KT

Considerando que os fluxos dados pelas Eq. 14 a Eq. 16 so iguais, conveniente combinar
as trs equaes para eliminar as concentraes interfaciais, inacessveis
experimentalmenete.
j FeO Eq. 17 (a)
= (% FeOm % FeOi )
k FeO
(n& F n& I ) K T Eq. 17 (b)
= % FeOi K T % O i
I
jO Multiplicando por K T obtm-se a Eq. 17 (c)
= (%O i %O m )
kO
jO K T Eq. 17 (c)
= ( K T %O i K T %O m )
kO

Somando as Eq. 17(a) a (c) tem-se:

j FeO (n& F n& I ) K T j K
+ + O T = % FeO m K T % O m
k FeO I kO
e
1 K K
j global + T + T = % FeOm K T % O m
k FeO I k O
e. por fim, possvel obter a resistncia equivalente do processo26:

26
Observe que se no tivesse sido escolhida uma reao de primeira ordem para este clculo, a eliminao
das concentraes da interface, por mtodos analticos, seria muito mais complexa.

1998, 2012, Andr Luiz V. da Costa e Silva 25/30

 1
j global = (% FeOm K T % O m )
1 K K
+ T + T
k FeO I k O

A fora motriz para o fluxo global do processo expressa como a diferena entre o teor de
FeO da escria e o teor de FeO que estaria em equilbrio com o teor de oxignio contido no
% FeO
metal, j que K T = a constante de equilbrio termodinmico da reao envolvida.
%O
1 K K
A resistncia global do processo dada por + T + T . Qualquer um dos termos
k FeO I kO
que seja suficientemente maior do que os demais, assumir o controle do processo.

1 KT 1 K
Isto , se >>e >> T o transporte do FeO na escria controla o processo.
k FeO I k FeO kO
K 1 KT K
Se, por outro lado: T >> e >> T o transporte do oxignio no metal controla
kO k FeO kO I
o processo.

2.6. Efeitos superficiais - adsoro e desoro em reaes metal-gs

No item 2.4.1 foi apresentada a importncia da concentrao do complexo ativado na
interface, uma vez que ela tem influencia direta sobre a taxa de formao dos produtos.
Ocorre que a concentrao de alguns elementos na interface tem valores diferentes das
concentraes mdias destes elementos nas fases em que esto dissolvidos. Estes elementos
so normalmente chamados elementos tenso-ativos. Alguns elementos podem apresentar
concentraes muito elevadas nas interfaces, afetando diversas propriedades dos aos e,
especialmente no caso em questo, o nmero de stios livres para a presena do complexo
ativado na interface. Isto pode afetar de forma significante a cintica de reaes qumicas em
siderurgia, especialmente aquelas que envolvem metal liquido e gs.

1998, 2012, Andr Luiz V. da Costa e Silva 26/30

Figura 16 Efeito de diversos solutos sobre a Figura 17 Tenso superficial de ligas Fe-O a
tenso superficial do ferro liquido a 1550oC 1550oC em funo do teor de oxignio127.

Com base nos dados da Figura 17 Swisher e Turkdogan27 calcularam a concentrao de

oxignio na superfcie do banho de ao, usando a equao de adsoro de Gibbs, que permite
calcular a segregao dos elementos para a superfcie liquida, de forma simplificada. Os
resultados dos clculos so apresentados na Figura 18. O resultado a apresentado como a
frao de stios interfaciais ocupados, normalmente identificada como . A concentrao de
uma mono-camada ideal, em que cada tomo ocupasse um stio e no houvesse nenhuma
interao entre os tomos de oxignio tambm apresentada para comparao.
Cobertura da interface (frao)

no banho
Figura 18 Concentrao de oxigenio na superficie de ligas de Fe liquido a 1550oC, expressa
como frao dos stios interfaciais ocupados, em funo da concentrao de O da liga Fe-O.
Este grfico , freqentemente chamado de isoterma de adsoro do O no Fe lquido.

27
J H Swisher , E T Turkdogan, Trans Met Society AIME 219 (1967) 609.

1998, 2012, Andr Luiz V. da Costa e Silva 27/30

Quando ocorre adsoro de um elemento, a maneira mais simples de descrever a
interferncia deste fenmeno sobre uma reao que envolva outro elemento nesta mesma
interface considerar que a taxa de reao efetiva seja reduzida em funo do nmero de
stios ocupados e, portanto:

n& Eff = n& (1 ) ou Eff = (1 )

Estes efeitos so observados em diversos tipos de processos que envolvem uma reao na
interface, como mostra a

Efeito do teor de S em ligas Fe-S

sobre a taxa de evaporao livre do
ferro a 1600 oC.

Efeito de dois elementos tenso-ativos

importantes (O e S) sobre o
coeficiente aparente de transporte de
massa na remoo de nitrognio do
Coeficiente aparente de transporte de massa do N

ferro (2N=N2) pela formao de gs.

1998, 2012, Andr Luiz V. da Costa e Silva 28/30

Nem sempre fcil medir independemente os diferentes coeficientes de transporte e reao.
Uma analise criteriosa dos resultados, em geral, permite determinar a etapa limitante.

Sain e Belton, por exemplo, mediram a descarburao de ligas Fe-C saturadas em C e

agitadas por induo (de modo que fosse razovel assumir que o trasnsporte de C no metal
no seria a etapa limitante) expostas a um fluxo de gs.

O efeito da vazo de gs foi medido como mostra a Figura 19.

Posteriormente, Sain e Belton determinaram o efeito do enxofre sobre a taxa da reao
qumica de descarburao, nas condies em que o processo de descarburao era controlado
pela reao na interface

Figura 19 (a) Efeito da vazo de gs descarburante (mistura rica em CO2) sobre o cadinho
contendo ferro saturado em carbono fortemenente agitado por induo. Para altas vazes de
gs a taxa de perda de carbono deixa de depender da vazo do gs, indicando que o
transporte no gs no importante para a cintica deste processo.

1998, 2012, Andr Luiz V. da Costa e Silva 29/30

 Figura 19 Efeito do enxofre sobre a taxa
da reao qumica de descarburao, nas
condies em que o processo de
descarburao era controlado pela reao
na interface.

1998, 2012, Andr Luiz V. da Costa e Silva 30/30