Indice Alfabético GE dul de enon. 438-439 plang de entrada 0 Ses esa, 438 “expan 8,40, 42-06 tenon orimenon dt maton 8 407 “emt de deseo de core, 38-69 ‘aspire “Spl po wansormadr. 348 Som scophaneto oS 8 coRe as eam eines, $28,537 eso empl, 30,38, eso em se, 530,583 “pate TIERS 479481482 rote) Saar 9 Se'a79 39 Pe ‘cn 392.39, 397 “go do, 93, fied, Soveron 38 osinven, 438 Senin 81 [Anise por comput, 32-4, 69-7, 100136141, Tre abe 07 a1, 263-14, 502306, 32-35, 353357, 35,365, 372, 396408, 446450, 465. 73, 50.302, 1525, 63 568 nin po re carga 107-108, 11 116 ‘Angsrom, 7 ‘atfopaana, 342 ‘Apart de riaento de 00,410 ‘give de entrada ‘Amano 9032 ‘nance ae Gio, 51, 574, $6, $86 “dela 586 ‘emo ects, mates semiconstores, 6 dormers seracondtore Banda pasate, 346 Bardeen Joh, 3 BASIC, 3238 186-161, 272.274 eu, 86.90 31-136 BIFET, 977,397 BIOS, 377,397 Brstain, Wale 80 Pager deena, 49. c capuciincia eran, 2, 362363, (Cassese de tnsferenia, 155-158 Cofaderes 569, Cena Totocondutva, S80581 solares, 585-387 Gune “Conrolad ein, 598-600 {ae destigament a oa (GTO), 600-601, 876-877 “esac ee meio, 594-596 ‘eaite SGtO8, 172.173, 387,408 ‘de ehavesment, 125.127 “oe inseumeatgio 46 Sempicador de narumentgto, 4653 die do dipaye 463 oktne de 462, 467 “linertace, S18 ‘ke plariao exivel do eis, 109-112 “Ge imei complemestay, 91 fio). 1618 de bare Shot, 568-568 one 18 ene 28 euivtene TFET, 285 liner po ares, 16-18 Co Mosher, 290398 ansores TBI, 213.232 “ese, 809,510, $1 “Tater, 3032: 310-427 spars de reiarento de ona, 41011 leo de produto 418 figuras hid, 427 1 esenmentn ects, 414-415 capaho, 23 Edtegament or it, 14 stu monolica, 5-418, fle fino e expe 123 noo, 87 mana dfs 419 laid eplimento, $19 ips de an, 413 near digital, 504 sera 416 tnt Semicondtres, 410412 reales, 123 onli 5-418 ‘perp de fatamenta, 416 Spsivatn 23 S photoes 419 fort NAND, 23, Proceso eit, 412 te evaporato, $22 {octtopaio, 19 receptor, 418 elle de endimeats 410 eee de elon 417 Se plerizao, 42-423 ena de Coach, $11 tet, 26 SET. 285 MOSFET, 24-298 ‘mliplcaores de ens, 67.68 “pone, $182,397 “Sonia, 57273 tape, 57, transroes TBY 213-232 {la ver Creutos inegrados Chee waa ‘Scola por tansfomador, 482 *Teettaca aia, 4 eaimentgso em sn, $79 TAB a79 2578, 487,489 Se.ar9! 40 cociciente Ge essai negative, $87 ae tempers, 27 Sega, postive Mieapatiaia, $72 ‘Compra, 08,521 {Competent de ona. 57,586 (Coma loead, $33 {Conga quiescent, 13, 102103 (Coad, 2-3 (Conetots) ‘acide 380 Dartington, 381, 408-405 Conti cescomum, £286, 120, 219-221, 225.226, 247, 288- 286, 299-30, 324 oer comer, 91, 221-225 ‘om raiment Ie no eon, 251.252 ete, 116118 “po colt, 248-281, 320321 compos 377 Ge dvsor de teas, 238-240, 254 ‘:plariat por divisor de tendo 112-116, 23624, 234,300, = reo comm, 290292 enissr comm, 86-91, 221-223, 225-227, 236246, 28.274 - foote-somum, 285290, pons-comum, 292294 * epuior e missoe 119-20, 248-246, 285,322304 (Conta de Pick 57 {Contole de guest, 557 Convento sali dpa 509 “de dp inti, 509 ‘Convesres dig alii, 509 Conese) eg, 82-83, 87 ete, 588, “de stra reves, escua 319Cone, 102-104 Coutonb, Cesemeato de junio ‘doe 412 transhoes TBS. 413 crs, 3 iui nemiico, 583, gusto, 4,53 2 Singulat, 3 ‘io 410 (Crt de Nuit. $37 ‘Gara nvr de poiaae do JFET, 201-208 (Central, denn de 417 Dacey, GC. 181 DeForest, Les 80 Deca 9 Dees, 33-348 Decoeicadores FSK. S18 emoduago de eqienci, 16 Dateto de prximiade, 603 Dis, 60-00 | Diaprama de Bode, 37-35, 383,389, 361-366, 369 Difco, 38 Diese ‘eae TI, $13 Dios. ine or compar, 2234, 68-73 forse cons 3640 spegies 9678 ‘ran. 9032 “enc de st, 978 ‘ree supertici. 67570 Sekt. 367 570 “apace it, 22 “cannes 5459 Selon canes, 1618, 6868574 oSaea as eotgogte Spano 6-47 Miectlas Teepe 4647 “omen est eve 9 1, 58 Sj 412 Tope porate eens, 57-569 “4 paseo 313 “esipadores de calor 573, “opagem 7,574 feos de emperatura, 11-13 ores dei 7730, 85,584, 612614 ‘brea, 7-135 13. fatha Se espcitcaies, 1.22, 68 570, $7572, 575 foto, 577-580 germin,3 1-12 574 rampeatores 59.62 ‘ey 12, 858.809 ng pn, 574575 gn 812 gap covaene, 4 63) pl eval aroma, 39-40, $1 “rhipiadoes 6788 para are cee’ “pone. “Fines, 7 “pete 573 Pisin de, 19 = PSpce, 3233, 68-73 “rete de deplete, 79 “resstiocia, 17 STAG S17 Sbe B17 mt, 16-17 “retessgo cao, 49-51 ‘eonds comple, S183 = Schetky, 367°570, 386 “sem poaiapa, 78 Shockey 03, 6 Tae, 37.1112 Sibi, 3223 Tempo de reabelsiment, 22, $68 tengo de mir 11 “ewe 2325, ‘TPL Is si, 52.54 TPR B.S, 5238 trasfrmador com deriva cena, 52-53, ‘ine, 37.577 ‘sco, 59-573 ian 365-373 ‘ener D477, 2-67, 601 tptcagten 62-67 earacertias, 2428 ict equivalent, 25 pale de tempest, 27 “altade epeicopes. 28 regi, 101 2 imbol, 27 Displays doris Kqudo, 81-585 Dispstivots coil Seoents 80 portent 180 ‘ab erescimeat pital, 412 “pon eve de destgamento da pots (GTO), 60-601 la, 65-604 SCR stv porta, (LASCR), 60-508, Disipacso ec, 96,573 epoca 19 Disrgio, 3 “Go ampliiadr, 93 “hamden, 370371, 498 ary Dotade. 67.68, opasem, 37 E tes) Ga capacleia de Miller ‘urd 340, cide et “ene em malestaios, 69-370 ema 600 fe temgeratura 1-13 dea mins 28-30 Efsénci de comerso, 213 larlumnesinca 27 levon3 de vale, ¢$ “foo de Blerovot¢ Enisor “reo de polarizagto ete do, 109-112 Geto Bloom plaza no, 340.244, 254,320 nigra seguir de 119120, 288246, 285,322. a 1,585 EErogmeno por fia 414 Enea) com ermingto opi, 428 ‘ies, «28 Fp oe. 342 “remilog 3, ‘pathametadakmico, 583 Indice Alfabetico 647 Espen de coment, 390 bling, 131-136 F ator de Ripple, $80 TFET metal Srido de silcio, 161-173, ver JFET ov MOSFET Fess) 'NC 464 post altas, 465,470 pase alas, 464,469 pss band 466 70 “expacive,67-68 pact, 67,68, $80 configura com polrzagio fa 104-108, 236.238, 25,257 260, 312313, 314315, 319-320, RC.385 ening. 1A, 30 Fito onvenciol 7 ‘deturscon 67 uinso, 377-380 radiant, 381-587 Folhas de expeciicages do, 12 "dba de Scot, $6570 emiere ei 28 ede 37 Tyrie S717 “er. 28 SRE. 158-161 "MOSFET “ip depleso 168 pe intstcato, 168-170 “optrislae, 614 ‘tans 9.57 STahos owes) onoladas, 457 de chavesment de potnla, S68 de core, 389 constants, 396 SSS ene 390 om rtp, 389 "econ 56 se mel pote, 335-346 Semodulgao de 316 “sits 518 c ante “Se amplitude const, 433 “ete om tering dupa, 396 com temingo simples, 38 “imargem de 538 i, 433 (Gano banda passame, 363.368, 370,440 Gerdoe dee ser, 6 deforma de ods, 31 ‘de onda que, 67 eins 6 (ermini3, 1-12, 410411, 574, 57578, 87 CGiacoteo, meso de, 353 ‘gic, 281 mateo, 281-282 coer 233 cera 282285, defini 281 Gai de se, 347,350, Gramps, 9-62648 Indice Alfabetico 1 Impedincin deena da configura dene comm, 290 esd da configura reno comum, 290291 Inmplamagto ce ons, 419 Infatermeho, 379 Instruments de medio. 621 mega 436 Ines laminsn axl 28.30 Inept de corent do pedo, 93 Inver 1127 “tmp-op 6 pica, 434 Tela 3 J FET, vr Teaser FET Sango pn S74 S78 58,585, K ily Jack St. Cae, 410 L ce, st ‘refi decampo,$83.584 igus) ‘dos, $12 Arosvores TI, 413 gain coven. + Lingeaer, 32 Cogeco como, 3415 satura 361-342 Lames 57 M Mat smarade poe fase, PLL} S15 ‘Margem de ganbo, 538 Mascaras, 16 Matera) Nexon, 5.7 fniaccon “temicendiors 1 Neficete de temperatura egativo,$ open 56,79 tipo p79 ++ dopagem, 5.6 Tiga covalent, Moos $7 2 rtascos, # adel de ene 45 poradores = Phafos. 7 2 mints, 7 pom 56,79) tipo .6-9 Mealizago, $23 MMD.23.97 Modelo de eansistor com pare h, 253260 om parc h, 225.281, 258.280 bid, 23.231 ome do 33 sr hbde, 363 27219225, 236-225 Mosrer FET, metal Sid de sii, 1-173 ‘ipo ‘peo, 16-164, 284.295 inemsicato, 298-298 ‘rnsirore, 6 ine se 294.298 ‘CMOS, 172178 palaaagao tip dps, 186-191 2p ineesicags, 191-198 ‘ip 1 epg, 161-168 Srenseaso, 164170 Mos, 170172 Mulplcadr de gan costae, 455, N Newer, 3 Nivel de enria 46 iste ° Obmimet, 23.97 Orava 335 Oneances ‘Steel, 430 odo-omim, 396 inonestrel 313, ote de 103-104 (Opro-eleonicas, 57-580 (Opiosalatres 614 OMe empliude, 28 2 apa de pl, 629 ae temp 29 rulpe, 628 “opera, 62 Colts, 542 told tensto (VCO), S14 ria, St + de velaagio, 610, 617-618 fe resstcta negatva, 575 elocarent dese, 539 oaSai Cer, 539 Tani, $40 Hatey, 33 operat, 538 ponte de Wien, S41 sara, 548 esneacia mega S75 Slonzad, 32 {ipo slaps, 610, 617-618 Octo de is cates, er ORC P ar realmentado, 385 Pasivagio, 423 Pecan $77,579 Pootresi 419 Potted a, $84 Ponto de opeapo, 102-108 Ponadone) majorities, 7. $67 einrtsios, 7, 367, 578, 85 Porta oa 7-49, 1, 66, 612 Proceso de cvapraso, 423 “featogrfc, 419 Programs, 32 Projet, 121-125, 197-199 Peston 3 Pope ‘CMOS. 408 ‘ds 33, 8 (MOSFETs, 205308 "Ts, 10, 136-137, 268-271, 392, 383.357, 365.366, 01-405 eansisores JFET, 178, 302-307, 334, 359, 368, 399- Posh pal scoplado por wansfomadr 491 guste complement, 492, 501 UT, ver Transit de Unjngto Programsvel Regio eve, 102-108 “e depegi, 79, 69-570, $14 Zener ei Regula, «267, 4 spn, 355 crs) (een, 549, 554-556, joan 982 caso * expcitiaties, $60, 561 limo de coment 856 ei S88) tenn pl, S57, 858 tenner, 385 “ener, 257 Regular de carepamento, 96 eben, 596 ‘etenso, S80 Rejig mode-comam, 429.430, rau de. Relat de rndiment, 0, 414-415 eles retest, 608 Ressgaca 1-17 TAC, 1516 oa 1617 Spe. 1817 scoot, 15 cone. iS “ini, 13.17 este, 13.17 ~epati S14-577 Resta, 23,415 Respsta de fegdciats) “plified com acoplamento ‘teansfomador, 33 rt, 38 Re, 348 anda passat, 346 fdeband, 345306 ‘eta patna, 345.346 ‘cada 39 aes, 3-348 fs 2% er, 360-361 Se malts 368-370 ‘fico de fae, 346-347, 350 Me Giclee 363, = rnd, 368 ove 8 {prod gano hands pss, 363.364, 70 {ene de ons gira, 370-332 tansoee JPET, 357359, 366370 estes TBJ, M8-387, 360-68, 368.370 igo def. 365-364 Reteagio “met ond, 594-596 de onda complet, $13,597 Rettcads, 19, 48°54, 573 onal asco, 391-98, 607.610, lca S34 38 Gracia, 53-594 mua fea, 593 oeente de tng, $98 fae, 534 Nentcaso de erin 534 fstrupgao anodo-coene, 93 pean, 51883 nen 591 aloes namin, 593-594 ‘onda complen com sera cena, $97.598 Ross sn 131 S22 converoe TTL, $21 Raby $17 s Sata com terminagto dupa 29 Saturn, 102-10, 108,11, 116SCR, ver Retifeado Como a Silo ao porta, 601608, ‘8 8060 | Seguidoe ese, 290 “eit 35, 480-481 ‘Selo, 57-578 585, Seleniit de ino, 580 ‘Semeondatores, 27 ‘Séne de Fearne 370.371 ‘Shockey, Wil, 8.155 Si, 3:7, 112-311, 577-578, $86,587 Sines de regina $18 Sistemas) ‘de slarme, $99 “Ae conte de se, 596 ‘ded poras, 28-227, 312.825, fe fered eldcoas, 417418, ‘le siumingso de emerge, 97-598 te plveriago, #22403 femeacta 331,377,378, 390408 Stare, 32 Sobran de ens, 38 Sled ido, $051, S86 T Tara de bide 4 Tes, 80-100, 336274 asia), 38 Smpicaio, 85-86 ‘mise SAC. 236-278 pst peuencs simi, 236-274 or computador, 98100, 196-14, 231282, 268-24, 30208, 32-33, 368, 3080S, 46-450, 405473, 500-30, $2325, 568-565 ‘nse comm, 82-86, 10, 219-220, 225.227, 246-2, "58-156 359.260, 324, BASIC. 138,272-278 et), 850, (31-136 obo, 194197 Claeehavesmenn, 128-127 Sfptepradon 41508 “eoleenmam, 91, 21-223, 244246, 288 onfguago I polarengo do emissor, 240-244, 254,320 ee eaimenneso edo colton, 251-252 tensa 6118 SSS caer, 248251, 300322 Cssor deen, 13-116 234-240, 258 Chat de poriags, 118-21 7 eguidor o emison 119-120, 244.246, 288, 322- ST, 82-83, 87 stra ever 131-136 “one, 9,9, 102108 ‘isi 13 fe de Rye Ry, 312325. insor comm 86-1, 22-223, 236-246, 251-274 encepaulaneta, 98 ‘Sabie, 31136 So emir 109-112 240244, 284255 fan deepens, 93 a: coments, 218, de tenno, 17-218 ideieagio de teins, 98.100 imedincia oMenrade 215.216 Ta aie 316217 oN etesimert, 13 Scale 41 “mie de opera, 91-93 “imselagem, 213232 ‘modelo ote Bote let brio, 23-251, 253.260 beter pv 1 88-86, 90, 108129 prt, 81-82 Times de. 9193 2p de 102-106 “pp 81:83, 86,91, 130: Plaiag. 83,9691, 102-14 it, 104108, 236-258, 253.254, 257-289 “proto 121-138 spe’ 8, 136138, 31.233, 268-272, 332.335, 384 357 368 rept ava, 102-108 strap, 92-93, 102408, 106, 11-112, 116 ban 82 taper de cuvas, 97 frases mesa £13, ‘raja de pret, 29-231 esa de defen, 127-128, 62-263 ‘Tengo de retbslesimeta revere, 22568 ‘Temporada, 31 ‘Tenover Fonte de Coren, Fore de Testo iar, oat de 38 oS peorete, 460 2 teat, $60 owt, $85 “Termine, 87-588 ‘enme fundamen, 370 Ter vital, 434 Tete rus integraos 416426 ‘deenda quia, 370372 ios, 28-24 eases, 9397 rey TH 1 18,51, 52-83, 598 TPR Ii, 16 51,5258, “Tragador de curvas,73,93:96, 160 “Tasformador, 83 om derivagto cnt, 52-83 ‘Transitorte) sr TIPE oa MOSFET “tiple jst, ver TJs = Datngon, 382 Se Eletode Campo, ver JFET ou MOSFET ‘ep, 496, 097 Se enon programe! (PUT) 03-64, 61-618 ‘tv conta sisi (SCS) 588-600 1 alodo Shockey. 8, etfeador conta iio (SCR), 591-598 JTRIAG, 608 “are, 200311, 32427 pls por composer 174, 204-207, 302-38, 359. 368 sopra, 181-185, 296-290 Basic. 200207, nal miSts3 Tp tss.34 acerca, 51-155 de warsferenca, 158158 Indice Alfaherico 649 gens 150 combina, 196-197 “oguvaene a, 254 configura de dvinr de tensa, 280.290 ons, 151 va universal de polrizato do, 201-205, 297.289, = encepslamene, 138 ung de Schichey, 158-157 fats de especies, 158 ho detent ae, 286 287,258,290, 291,283, 206, oe ~-g, 290288, ‘Senco de teoinas,158 Tina do modelo, 302 modelo para pequens sas, 284 opera, 51-158 pinch 132.153 = plaiasto km 178-200,201-207 21am 200201 peso de ens, 185.188 pai i 176181 288-286 ore comu, 292298, 327 “prot, 197-199, 298-599 Seampicadrs, 298-299 Spice, 175,204 302308, 382-35, 359-360, 368 eumencia defomte Nevin 86-87, 325 ode, 325 guido se tote, 290 ‘Sebolos, 134 items em eset, 327-322 emiolgia 1S eapadar de eras 160 “troubleshooting (ees de dees), 199-20, a2 292,320 ‘aloes sominis mdximos, 158 ‘pose TBI 313 NPN 108129 PNP. 130131 Ta plaares 413 Spo epiaal 412 rela. TRIAC. 04 u IT (ensistor uj), 60-612 ning. 546 Unpola, 130 v Vata, 80 YCO, vr Oscitadoe Conrado 8 Tesso ‘Velocidad daz, $77 ena de dfs, 127-129, 19,262, 302 ‘yMOS, 170-17 ener, ver Diets) “ie de coments constane 3 390SEXTA EDICAO DISPOSITIVOS ELETRONICOS E TEORIA DE CIRCUITOS ROBERT BOYLESTAD LOUIS NASHELSKY Traducao de Alberto Gaspar Guimaraes Engenheiro de Telecomunicagdes e Mestre em Engenharia Elétrica pelo Instituto Militar de Engenharia Luiz Alves de Oliveira Engenheiro de Telecomunicacées pelo Instituto Militar de Engenharia Revisio Técnica Alberto Gaspar Guimaraes Oc EDITORAElectronic Devices and Circuit Theory ‘Original English language edition published by Copyright © 1996, 1992, 1987, 1982, 1978, 1972 by Prentice-Hall, Ine Al Rights Reserved Direitos exclusivos para a lingua portuguesa Copyright © 1998 Copyright da reimpressio © 1999 by LTC — Livros Técnicos e Cientificos Editora S.A. ‘Travessa do Ouvidor, 11 Rio de Janeiro, RJ — CEP 2040-040 Tel: (OXX21) 221-9621 Fax: (OXX21) 221-3202 Reservados todos os direitos. E proibida a duplicagao ou reproducio deste volume, no todo ou em parte, sob quaisquer formas ou por quaisquer meios (eletrénico, mecinico, gravacio, fotoespia ou outros), sem permissio expressa da EslitoraDedicado a ELSE MARIE; ERIC; ALISON, MARK e KELCY; STACEY e DOUGLAS; JOHANNA ea KATRIN, KIRA, LARREN, TOMMY, JUSTIN e PATTYSumario Prefiicio, xi Agradecimentos, xiii EquagGes Importantes, xv 1 SRGESBSS 2.10 DIODOS SEMICONDUTORES, 1 Introdugio, 1 Diodo Ideal, 1 Materiais Semicondutores, 1 Niveis de Energia, 4 ‘Materiais Extrinsecos — Tipos me p, 5 Diodo Semicondutor, 7 Niveis de Resisténcia, 13 Circuitos Equivalentes de Diodo, 16 Fothas de Especificagdes do Diodo, 18 Capacitincia de Transigéo e Difusio, 22 ‘Tempo de Reestabelecimento Reverso, 22 Notago do Diodo Semicondutor, 23 Verificagio do Diodo, 23 Diodos Zener, 24 Diodos Emissores de Luz, 27 Arranjo de Diodos — Circuitos Integrados, 30 ‘Andlise por Computador, 32 APLICACOES DO DIODO, 36 Introduco, 36 ‘Analise por Reta de Carga, 36 Aproximag&es para 0 Diodo, 41 ‘Configuragées Série de Diodos com Entradas DC, 42 Configuragdes Paralela e Série-Paralela, 46 Portas E/OU, 47 Entradas Senoidais: Retificagio de Meia-Onda, 49 Retificagdo de Onda Completa, 51 Ceifadores, 54 Grampeadores, 59 Diodos Zener, 62 Circuitos Multiplicadores de Tensio, 67 Anilise por Computador, 69 TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNGAO, 80 Introdugao, 80 Construgo do Transistor, 80 Operagdo do Transistor, 81 Configurago Base-Comum, 82 ‘Transistor como Amplificador, 85 Configuragio Emissor-Comum, 86 Configuragao Coletor-Comum, 91 Limites de Operagao, 91 Folha de Especificagoes do Transistor, 93 Teste de Transistores, 93 Encapsulamento do Transistor e Tdentificagao dos Terminais, 98 Anilise por Computador, 98, POLARIZACAO DC-TBJ, 102 Introdugio, 102 Ponto de Operagio, 102 Circuito com Polarizagio Fixa, 104 Gircuito de Polarizagao Estivel do Emissor, 109 Polarizagio por Divisor de Tensio, 112 Polarizagao DC com Realimentagio de Tensio, 116 Configuragdes Mistas de Polarizagio, 118 Procedimentos de Projeto, 121 Circuitos de Chaveamento com Transistor, 125 ‘Técnicas de Solugao de Problemas em Circuitos, 127 Transistores PNP, 130 Estabilizagao da Polarizago, 131 Anilise por Computador, 136 ‘TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO, 150 Introducao, 150 Construgao e Caracteristicas do JFET, 151 Caracteristicas de Transferéncia, 155 Folha de Especificagies (FETS), 158 Instrumentagdo, 158 Relagdes Importantes, 161 MOSFET Tipo Deplegao, 161 MOSFET Tipo Intensificacdo, 164 Emprego do MOSFET, 170 MOS, 170 CMOS, 172 Quadro-Resumo, 173 Anélise por Computador, 174 POLARIZACAO DO FET, 178 Introducdo, 178 Configuragao com Polarizagio Fixa, 178 Configuragao com Autopolarizagio, 181 Polarizacao por Divisor de Tensio, 185 MOSFET Tipo Deplecio, 188 MOSFET Tipo Intensificagao, 191 Quadro-Resumo, 194 Circuitos Combinados, 194 Projeto, 197 Verificagao de Defeitos, 199 FETs de Canal-P, 200 Curva Universal de Polarizagio para o JFET, 201 ‘Anélise por Computador, 20410.1 102 103 10.4 105 106 10.7 108 109 MODELAGEM DO TRANSISTOR TBJ, 213 Introdugio, 213 Amplificago no Dominio AC, 213 Modelagem do Transistor TBI, 214 Parametros Importantes: Z, ZA, A 215 Modelo r, do Transistor, 219 Modelo Hibrido Equivalente, 223 Determinago Grafica dos Parametros h, 227 Variagoes dos Pardmetros do Transistor, 229 Anilise por Computador, 231 ANALISE DO TBJ PARA PEQUENOS SINAIS, 236 Introdugio, 236 Configuragao Emissor-Comum com Polarizagio Fixa, 236 Polatizagio por Divisor de Tensio, 238 Circuito EC com Polarizagio no Emissor, 240 Configuragao Seguidor-de-Emissor, 244 Configuracao Base-Comum, 246 Configuragdo com Realimentagio no Coletor, 248 Configuracao com Realimentagdo DC no Coletor, 251 Circuito Hibrido Equivalente Aproximado, 253, Modelo Hirido Equivalente Completo, 256 Quadro-Resumo, 260 Verificagao de Defeitos, 262 Anilise por Computador, 263 ANALISE DO FET PARA PEQUENOS SINAIS, 280 Introducdo, 280 Modelo’ do FET para Pequenos Sinais, 280 Circuito JFET com Polarizagao Fixa, 285 Circuito JET com Autopolarizacao, 286 Circuito JFET com Divisor de Tensio, 289 Circuito JFET Seguidor-de-Fonte (Dreno-Comum), 290 Circuito JFET Porta-Comum, 292 MOSFETs Tipo Deplecao, 294 MOSFETs Tipo Intensificagao, 295 Circuito E-MOSFET com Realimentagao do Dreno, 295 Circuito E-MOSFET com Divisor de Tensio, 297 Projeto de Circuitos Amplificadores com FET, 298 Quadro-Resumo, 300 Verificagao de Defeitos (troubleshooting), 302 Anlise por Computador, 302 ANALISE DE SISTEMAS — EFEITO DE R, E R,, 312 Introducao, 312 Sistemas de Duas Portas, 312 Efeito de uma Impedincia de Carga (R,), 313, Efeito da Impedincia da Fonte (R), 315 Bfeito Combinado de Re Ry, 318 Circuitos TBJ EC, 319 Circuitos TBJ Seguidor-de-Emissor, 322 Circuitos TBJ BC, 324 Circuitos FET, 32: 10.10 10.11 10.12 1 na 12 13 4 us 116 17 118 119 11.10 wan m2 143 12 12.1 122 123 124 125 126 12.7 128 129 12.10 12.11 13 13.1 132 133 134 13S 136 13.7 138 139 14 141 142 143 44 145 46 Sumario viii Quadro-Resumo, 327 Sistemas em Caseata, 327 ‘Anilise por Computador, 332 RESPOSTA DE FREQUENCIA DO TBJ E JFET, 341 Introdugio, 341 Logaritmos, 341 Decibel, Consideragdes Gerais sobre Freqtiéncia, 345 Andlise para Baixas Freqiiéncias —Diagrama de Bode, 347 Resposta em Baixas Freqiiéncias — Amplificador TBJ, 351 Resposta em Baixas FreqiiGncias — Amplificador FET, 357 Efeito da Capacitancia de Miller, 360 Resposta em Altas Freqiiéncias — Amplificador TBJ, 361 Resposta em Altas Freqiéncias — Amplificador FET, 366 Efeitos da Freqiiéncia em Cireuitos Multiestégios, 369 Teste de Onda Quadrada, 370 ‘Andlise por Computador, 372 CONFIGURAGOES COMPOSTAS, 377 Introducao, 377 Conexio em Cascata, 377 Conextio Cascode, 380 Conexao Darlington, 381 Par Realimentado, 385 Circuito CMOS, 387 Circuitos de Fontes de Corrente, 388 Circuitos Espelhos de Corrente, 390 Circuito Amplificador Diferencial, 392 Circuitos Amplificadores Diferenciais BIFET, BIMOS e CMOS, 397 Anélise por Computador, 398, TECNICAS DE FABRICACAO DE CIRCUITOS DISCRETOS E INTEGRADOS, 410 Introdugio, 410 Matcriais Semicondutores, Si, Ge e GaAs, 410 Diodos Discretos, 412 Fabricagdo do Transistor, 413 Circuitos Integrados, 414 Circuito Integrado Monolitico, 415 Ciclo de Produgio, 418 Circuitos Integrados de Filme Fino e Espesso, 423 Circuitos Hibridos Integrados, 427 AMPLIFICADORES OPERACIONAIS, 428 Introdugio, 428 Operacdo Diferencial e Modo-Comum, 430 Amp-Ops Bésicos, 432 Circuits Amp-Op Priticos, 434 Especificacdes do Amp-Op — Pardmetros de Desequilibrio DC, 438 Especificagdes do Amp-Op — Pardmetros de Frequéncia, 440147 48 15 15. 152 153 4 155 156 157 16 16.1 16.2 163 loa 165 166 167 168 169 17 1a 72 173 174 115 176 117 178 18 18.1 18.2 183 18.4 18.5 18.6 18.7 18.8 189 18.10 19 19.1 192 19.3, 194 195 19.6 197 Sumario Especificagdes da Unidade Amp-Op, 442 Anilise por Computador, 446 APLICACOES DO AMP-OP, 455 Multiplicador de Ganho Constante, 455 Soma de Tensoes, 457 Buffer de Tensio, 459 Fontes Controladas, 459 Circuitos para Instrumentagio, 461 Filtros Ativos, 464 Anilise por Computador, 466 AMPLIFICADORES DE POTENCIA, 478 Introdugo— Definigdese Tipos de Amplificadores, 478 Amplificador Classe A com Realimentagao-Série, 479) Amplificador Classe A com Acoplamento a Transformador, 482 Operacio do Amplificador Classe B, 487 Circuitos Amplificadores Classe B, 489 Distorgaio do Amplificador, 493 Dissipador de Transistor de Poténcia, 496 Amplificadores Classe C e Classe D, 499 ‘Andlise por Computador, 500 CIS LINEARES-DIGITAIS, 504 Introdugio, 504 Operacio da Unidade Comparadora, 504 Conversores Digitais-Analogicos, 509 Operagao do CI Temporizador, 511 Oscilador Controlado por Tensio, 514 Malha Amarrada por Fase (PLL), 515 Circuitos de Interfaceamento, 51 Anilise por Computador, 521 REALIMENTACAO E CIRCUITOS OSCILADORES, 528 Conceitos sobre Realimentacao, 528 Tipos de Conexao de Realimentagio, 528 Circuitos com Realimentagio na Pritica, 533 ‘Amplificador com Realimentagao — Consideragdes sobre Fase e Freqiléncia, 537 Oscitadores, 538 Oscilador de Destocamento de Fase, 539 Oscilador com Ponte de Wien, 541 Circuito Oscilador Sintonizado, 542 Oscilador a Cristal, 544 Oscilador com Transistor Unijungao, $45 FONTES DE TENSAO (REGULADORES, DE TENSAO), 549 Introdugio, 549 Consideragties Gerais sobre Filtros, 549) Filtro a Capacitor, 550 Filtro RC, 553, Regulagao de Tensio por Transistor, 554 Cs Reguladores de Tenso, 559 Anilise por Computador, 563, 219 21.10 2111 21.12 21.13, 21.14 21.15, 21.16 22 224 22.2 223 24 225 226 227 228 22.9 OUTROS DISPOSITIVOS DE DOIS TERMINAIS, 567 Introduca0, 567 Diodos de Barreira Schottky (Portadores Quentes), 567 Diodos Varactor (Varicap), 569 Diodos de Poténcia, 573 Diodos Tiinel, 574 Fotodiodos, 577 Células Fotocondutivas, 580 Emissores de IV, 581 Displays de Cristal Lfquido, 581 Células Solares, 585 Termistores, 587 pnpn E OUTROS DISPOSITIVOS, 591 Introducao, 591 Retificador Controlado de Silicio, 591 Operagiio Bésica do Retificador Controlado de Silfcio, 591 Caracteristicas do SCR e Valores Nominais, 593 Construgio do SCR ¢ Identificagao dos Terminais, 594 Aplicagdes de SCR, 594 Chave Controlada de Silicio, 598 Chave de Destigamento de Porta, 600 SCR Ativado a Luz, 601 Diodo Schockley, 603 DIAC, 603 TRIAC, 604 Transistor de Unijungao, 604 Fototransistores, 612 Opto-Isoladores, 614 ‘Transistor de Unijungdo Programavel, 614 OSCILOSCOPIOS E OUTROS INSTRUMENTOS DE MEDIDA, 621 Introducio, 621 ‘Tubo de Raios Catédicos — Teoria e Construgao, 621 Operacio do Osciloscdpio de Raios Catédicos, 621 Operagao de Varredura de Tensio, 622 Sineronizagao e Disparo, 624 Operacio Multitrago, 628 Medidas Usando Escalas Calibradas de CRO, 628 Recursos Especiais do CRO, 630 Geradores de Sinais, 631 APENDICE A PARAMETROS HIBRIDOS — EQUAGOES DE CONVERSAO (EXATAS E APROXIMADAS), 633 APENDICE B FATOR DE RIPPLE E CALCULOS DE TENSAO, 634 APENDICE C TABELAS E QUADROS, 638 APENDICE D PSPICE, 640 APENDICE E SOLUCOES PARA PROBLEMAS IMPARES SELECIONADOS, 641 INDICE, 646Prefacio a TAS SST TE TT APS NTT LIS ATT TT ‘Ao nos aproximarmos do 25.° aniversrio deste livr, toma-se evi- dente que a 6 edico deve dar continuidade ao extenso trabalho de revisto realizado na 5 edigo, O crescente uso de sofiwares, Clsea ampla abordagem necesséria nos cursosbésicos determinaram ocon- tetido da edigdo anterior e continuaram a ser fatores preponderantes, para a elaboraglo da edigdo nova. Ao longo dos anos, aprendemos, ue se pode melhorar a letura aperfeigoando-se o aspecto geral do texto. Assim, dedicamo-nos atomé-lo mais acessiveleagradével a tum grande niimero de estudantes. Como no passado, nos preocu- ppamos com o aspecto didético do texto e com sua exatido. DIDATICA ma das mais importantes melhoriasimplementadas neste sem dvd, a coreta adaptagdo do seu contedido a0 rotero de um curso, Mantivemos aalteraco na ordem dos capitulo realizada na aitima edigdo. Nossa experiénciade ensino permite-nos afrmar que, com a nova apresentago, o livro oferece agora uma didatica mais adequada, colaborando com o plano de estudos dos professores ajudando os estudantes a formar uma base necesssia a estudos futu- ros. O ntimero de exemplos, ue foi ampliado substancialmente na digo anterior, foi mantido, Conceitos importantes econclusoes po- ‘dem seridentficados por expresses isoladas eem negrito. Também utlizamsefcones para cada capitulo, a fim de facilitara referénciaa tum trecho particular do livro. Foram desenvolvidos problemas para cada sego do livro, com graus de dificuldade que vao desde o mais, simples até o mais complexo, Sendo que os problemas mais dffceis 0 identficados por astriscos. O titulo de cada segdo também é re- produzido na seco de problemas, identificando de maneira clara 0s cexerecios de interesse para um particular t6pico de estudo, ANALISE DE SISTEMAS Em diversas visitas a outras escotas¢ institut téenicos, assim como encontros de varias associagdes, foi observado que a “andlise de sis- temas” deve ser abordala de modo que o estudante consiga compre- ‘ender a aplicagao de circuitos baseados em dispositivosintegrados. ‘Os Capitulos 8,9 10 foram especificamente reorgunizados para apre- sentar a base da andlise de modelos com um grau de complexidade ‘compativel com esta fase introdut6ria. Embora possa ser mais fécil considerar 0s efeitos de Re R, para cada configuragi inicialmente introduzida, estes efeitos proporcionam também uma oportunidade para se aplicarem alguns dos conceitos fundamentais na andlise de sistemas. Os capitulos posteriores que tratam de Amp-Ops ¢ Cs irdo desenvolver os conceitos itroduzidos nestes capitules.. PRECISAO [Nao ha dlivida de que uma codigo importante de qualquer pu- Dlicagdo é que ela nao contenha erros. Certamente, 0 intuito no € desafiar 0 professor ou 0 estudante com inconsisténcias plane- jadas. Na verdade, nfo hé nada mais penoso para um autor do {que ser comunicado de que hi erros em seu texto. Apés a ampla revislio realizada na edico anterior, podemos assegurar que este livro contém o mais alto grau de precisio possivel, em se tratan- do de uma publicagao desse tipo. MODELAGEM DO TRANSISTOR A modelagem do transistor TBI pode ser feita de varias manei- ras, Alguns autores empregam 0 modelo que contém somente 1, ‘enquanto outros preferem utilizar o modelo com parimetros hi- bridos, ou uma combinagao destes dois. A sexta edigdio dard én- fase a0 modelo r., com uma abordagem suficiente do modelo hibrido para permitir uma comparacao entre os modelos e a apli- cagiio de ambos. Um capitulo inteiro (Capitulo 7) foi dedicado & introdugio dos modelos, proporcionando uma compreensio cla- rae correta de cada uma das relagdes que existem entre 0s dois. PSpice E BASIC Nos tiltimos anos tem sido observado um crescimento continuo da utilizagio de computadores em cursos basicos. Além dos pro- cessadores de texto, normalmente abordados no primeiro semes- tre, varias instituigbes educacionais estdo incluindo também em seus cursos a utilizagao de planilhase programas (softwares) para ‘a anglise de circuitos, como por exemplo o PSpice Spice foi o software escolhido por este livro porque recer tes estudos indicam que ¢ o programa mais freqiientemente uti lizado, Outras opedes incluem 0 Micro-Cap Ill e 0 Breadboard. 0 PSpice permite que se escrevam arquivos de entrada para a ‘maioria dos circuitos analisados neste livro. Além disso, procu- +0u-se utilizar uma abordagem que niio exige do estudante um cconhecimento prévio sobre sofiwares. programa PSpice para ambiente WINDOWS permite que se enire com 0 esquema do circuito € que este seja analisado, fomnecendo resultados similares aos obtidos com 0 PSpice para DOS. Alguns programas em BASIC sto também incluidos com © intuito de demonstrar as vantagens e beneticios adicionais de se utilizar uma linguagem de programagio. CORRECAO DE DEFEITOS ‘A técnica de correcio de problemas em circuitos troubleshooting) 6 indubitavelmente, uma das mais difices dese introduzir. desen- volver e demonstrar em um livro. E uma arte que pode ser aborda- da utilizando-se varios métodos, mas a experiéncia e prética sio ‘obviamente os elementos-chave para se desenvolver a habilidade necesséria, O contesido aqui apresentado é, essencialmente, uma revisio das situagbes que normalmente ocorrem em um ambientexii Preficio de laborat6rio. Algumas dicas, como por exemplo a maneira pela qual se isola uma regio problemética do circuito, sio fornecidas {junto com uma lista de causas provaveis. Nio se espera que 0 es- tudante se tone perito em reparos de problemas em circuitos, mas ue pelo menos consiga compreender as técnicas envolvidas no processo de troubleshooting. UTILIZACAO DO LIVRO. De maneira geral, o texto pode ser dividido em duas partes prin- cipais: a andlise de e ac ou resposta de freqiéncia. Para alguns cursos, a anise de é suficiente para um semestre, enquanto que outros consideram que todo 0 livro pode ser abordado em um. semestre se forem escolhidos tépicos espectficos. De qualquer forma, o tema do livro se desenvolve desde os primeiros capftu- los. Os t6picos sem vital importancia no processo de aprendiza- gem sio deixados para os iltimos capitulos, evitando-se, desta maneira, que seja abordado um contetido excessivo sobre dete ‘minado assunto na fase de desenvolvimento. Para cada disposi tivo, o livro apresentou as configuragdes ¢ aplicagdes mais im- portantes. Selecionando exemplos € aplicagdes especificas, a matéria de um curso pode ser reduzida sem que se prejudique 0 desenvolvimento progressivo implementado pelo texto. Ainda assim, se 0 professor considerar que uma determinada drea € importante, os detalhes para uma leitura mais abrangente do tex- to estdo dispontveis ROBERT BOYLESTAD LOUIS NASHELSKYAgradecimentos eI TT SS ITA ES Nossos mais sinceros agradecimentos aos professores que utilizaram o livro e nos enviaram comentirios, corregdes e sugestOes. Queremos agradecer também a Rex Davidson, Editor de Produc na Prentice Hall, por cuidar dos diversos aspectos necessérios & produgdo. Nossos mais sinceros agradecimentos a Dave Garza, Editor, ¢ Carol Robinson, Editora de Projetos, ambos da Prentice Hall, pelo apoio prestado 2 6." edigao. Gostarfamos de agradecer as pessoas que ofereceram suas sugestdes e comentérios a0 longo das varias edigdes do livro. Sua participagdio tomou possivel o aprimoramento de Dispositivos Eletrénicos e Teoria de Circuitos nesta nova edigao. Ernest Lee Abbott Napa College, Napa, CA Phillip D. Anderson Muskegon Community College, Muskegon, MI Al Anthony EG&G VACTEC Inc. ‘A. Duane Bailey Southern Alberta Institute of Technology, Calgary, Alberta, CANADA Joe Baker University of Southern California, Los Angeles, CA. Jerrold Barrosse Penn State-Ogontz. ‘Ambrose Barry University of North Carolina—Charlotte ‘Arthur Birch Hartford State Technical College, Hartford, CT Scott Bisland SEMATECH, Austin, TX Edward Bloch The Perkin-Elmer Corporation Gary C.Bocksch Charles S. Mott Community College, Flint, MI Jeffrey Bowe Bunker Hill Community College, Charlestown, MA Alfred D. Buerosse Waukesha County Technical College, Pewaukee, WI Lila Caggiano MicroSim Corporation Robert Casiano International Rectifier Corporation Alan H.Czarapata Montgomery College, Rockville, MD Mohammad Dabbas ITT Technical Institute John Darlington Humber College, Ontario, CANADA Lucius B.Day Metropolitan State College, Denver, CO Mike Durren Indiana Vocational Technical College, South Bend, IN Dr. Stephen Evanson Bradford University, UK George Fredericks Northeast State Technical Community College F.D. Fuller Humber College, Ontario, CANADA Phil Golden DeVry Institute of Technology, Irving, TX Joseph Grabinski Hartford State Technical College, Hartford, CT Thomas K.Grady Western Washington University, Bellingham, WA William Hill ITT Technical Institute Albert L. Ickstadt San Diego Mesa College, San Diego, CA Jeng-Nan Juang Mercer Universiy, Macon, GA, Karen Karger Tektronix Inc. Kenneth E. Kent DeKalb Technical Institute, Clarkston, GA. Donald E.King ITT Technical Institute, Youngstown, OH Charles Lewis APPLIED MATERIALS, INC. Donna Liverman Texas Instruments Inc. George T. Mason _ Indiana Vocational Technical College, South Bend, IN William Maxwell Nashville State Technical Institute Abraham Michelen Hudson Valley Community College ‘John MacDougall University of Western Ontario, London, Ontario, CANADA Donald E. McMillan Southwest State University, Marshall, MN ‘Thomas E.Newman _L. H. Bates Vocational-Technical Institute, Tacoma, WA Dr. Robert Payne University of Glamorgan, Wales, UK E.F.Rockafellow _Southern-Allberta Institute of Technology, Calgary, Alberta, CANADAxiv Agradecimentes Saced A. Shaikh Dr. Noel Shammas Ene Sung Donald P. Szymanski Parker M. Tabor Peter Tampas Chuck Tinney Katherine L. Usik Domingo Uy Richard J. Walters Julian Wilson Syd R. Wilson Jean Younes Charles E. Yunghans Ulrich E. Zeisler Miami-Dade Community College, Miami, FL ‘School of Engineering, Beaconside, UK Computronics Technology Inc. Owens Technical College, Toledo, OH Greenville Technical College, Greenville, SC Michigan Technological University, Houghton, MI University of Utah Mohawk College of Applied Art & Technology, Hamilton, Ontario, CANADA Hampton University, Hampton, VA DeVry Technical Institute, Woodbridge, NI Southern College of Technology, Marietta, GA Motorola Inc. ITT Technical Institute, Troy, MI Western Washington University, Bellingham, WA Salt Lake Community College, Salt Lake City, UTEquacoes Importantes TAT NTS ATTN ALT ET, 1 Diodos Semicondutores W 26 Vip, fue = AV Aly, Po = Volos Te V, VeV = 1,6 x 10°F, fy = (EP = 1), Roc = Volley Fs = AV /Aly = AVAIV.(T, ~ Tl) x 100% 2 Aplicagdes do Diodo Vs. = Vo = 0.7 V; meia-onda: V4. = 0,318V,: onda completa: Vsq = 0,636, Orv, (1 ~ a), 3. Transistores Bipolares de Jumga0 fp = Le + ly: Le = Hespmane + HcOmmeanees to ~ Her Vn = Teles Te = athe + enor Me = Able» Hero = Henol(l = @). Bre = Tolley Bac = Mle! Mls BiB + 1), Je = Bly te = (B+ Whe Peon = Verte 4 Polarizagao DC-TBJ Em geral: Vgc = 0,7 V. Ie ~ Iep Ic = Bilyi polarizagao fixa: Iy = (Voc ~ Voe)/Rer Veg = Vee = UeRe, ley, = VeelRes emissor estabilizado: ly = (Voc ~ Ves)/(Re + (B+ DR). R,= (B+ DRe Ver = Vie — [Re + Res hen, = VeollRe + Rp); divisor de tensdo: exato: Ry = Ry Ray Exy = RoVecl(Ry + Ride ly = (Exy ~ Vine)! (Roy + (B* DR). Ver = Voc ~ LARe + Re): aproximada: Vy = R.Vecl(R, + Ry), BRe = 10R,, Ve = Vp ~ Vor To = Ie = VeiRe; tealimentagio de tenséo: fy = (Vec — Vey + B(Re + Ry)]; base-comum: Ip = (Ver ~ Vge)/Re: transistores de chaveamento: fue =f, + ty lyn = & + i estabilidade: S(lco) = Ale/Meo: polarizacao fixa: S(Ico) = B + 1: polarizacio do emissor: S(Icg) = (8 + 11 + RyRe)i(l + 8 + RelRy); divisor de tensio: S(leo) = (B + I){L + ReRe\(l + B+ Ry/Ry)s polarizagao por realimentagéo: S(Ico) = (B + I)(1 + RylReV(1 + B + Ry!Rc), SV ge) = Alc/AV ge; polarizagao fixa: S(Vae) = ~BIRg; polarizagdo do emissor: S(Vpz) = — BIR, + (B + 1)Rel; divisor de tensdo: S(Vge) = —BIIRy + (B + DRek polarizagao por realimentagao: S(Vpe) = —B(Ry + (8 + Rc). S(B) = AldAB; polarizagao fixa: S(B) = IB; polarizagéo do emissor: S(8) = Feil + RvRe)IB(1 + B; + RylR,)k divisor de tensdo: S(B) = To(l + Ry/ReVIBM(I + By + RriROI: polarizagéo por realimentagdo: S(B) = Ic(Rp + ReVIB\(Ry + Re(I + B:))I, Mle = SUlco) Alco + S(Vpe) AVoe + S(B) SB 5 Transistores de Efeito de Campo [, = 0 A fy = loss — Vos¥e) lo = Ie Vos = Vell ~ VoTlois)s to = Tyso4 (Se Vox = V2), ty = ngs? ($6 Vos * 0.3 Vp)v Po = Vostor to = kVas ~ Vi)® Vo: Vos = Voo ~ loRpi autopotarizagéo: Vos = LR Vos = Von ~ lols + Rp), V; = Ly divisor de tensio: Veg = RaVoo)(R, + R:), Ves = Vo ~ lok. Vos = Voo ~ fo(Rn + Rs) MOSFET tipo intensificagio: Ip = k(Vcs ~ Vesrrw)®. k = Inyan/(Vesiany ~ Vesirm)® polarizacao por realimentagao: Vis Ves Vos = Voo ~ IoRoi divisor de tensdo: Va = R:Vpp/(Ry + Ri), Vos = Vo ~ fos; curva universal: m M= mx VollVol Vo = ReVool(Ry + Rs) 6 Polarizagao do FET Polarizagéo fixa: Vos VelilossRe 7 Modelagem do Transistor TRY Z, = Vil, 1, = (V, ~ VIR, Ay, = ZA MZ, +R). A, = ~AZ/Ry, 1, = 26 mVils base comum: Z, comum: Z,~ Bre Zy = fy Ay = Rita A, Be hig = Bro Ihe = Bas Bix = Foy (V, = VoVRens Zp = Valley Av = VV fy Zp = 2M, AL = Rly Ay = ~1s emissor 8 Anilise do TBJ para Pequenos Sinais Emissor-comum: A, = —Relrs Z, = RellBra Z, = Ro. A, ~ Bi divisor de tensio: R’ = R[Ry, A, = —Relre Z, = RilBre. Zp = Re; polarizagio do emissor: Z, = flr, + Re) ~ Ry, A, = ~BRe! Z, = -Rdlr, + Re) = -RCRp; seguidor-de-emissor: Z, ~ flr, + Ry), A, ~ 1, Z, = 74 base-comum: A, = Ror. Z,= Rello Rg; realimentagao do coletor: A, = —Relr. Z, = BrIRVIA\|, Z, ~ RclR,s realimentagio de do coletor: A, = ~(RrRolra Rohr. Z, = RRs pardmetzos hibridas: A, = hf(1 + hyRy)y A, = A Ruth, + (ify ~ hfs dRyb Z, =f, ~ Wd Ril (1+ Ay) Zo = My ~ (hash, + RN 9 Andlise do FET para Pequenos Sinais gq = gm(1 ~ Vos!V 7): 8m = 2osélVrl: configuragio bésica: A, = ~,Rp; tesisténcia de fonte nao desviada: A, = ~g,Rp/(1 + g,Rs); seguidor-de-fonte: A, = gyRei(1 + 8,5); porta-comum: A, = &a(Rollt)xvi Equagdes Importantes 10. Anélise de Sistemas — Efeito de Rye R, TBI: A, = ReAga/(R, + R,), A, = ~A.Z/Ry, V, = RVR, + Ri polarizagao fixa: A, = —(R¢IR, Jira Ay, = ZA(Z, + R,)sZ, = Bry Z, = Re; divisor de tensio: A, = ~(RelRy)Ira A, ZAAZ, +R), Z, ~ RyRallBre Z_ = Res polarizagso do emissor: A, = —(RcAR,)/Ry, A,, = ZAMZ, + R,). Z,~ Rel ARe, Z, = Re; realimentagao do coletor: A, = —(Rel|R)it. A,, = ZAMZ, + R,), Z, = Br|Ry/|A,|, Z, = RcllRy; seguidor-de-emissor: RE = RyRy, A, = RURE + 1), A, = Rp + RB +r), Z, = RelBlr, + RZ), Z, = Rel(R/B + r,s base-comum: A, = (RcWRy)lr, A, = 1, Z;* re Z, = Rei FET: Rs desviado: A, BnlRyR,), Z, = Ro Z, = Rp; Ry nao desviado: A, = -8m(RoLRW + &eRs), Z, Rp; seguidor-de-fonte: A, = g,(Rsl|R,)U1 + g(RsIRiI Z, = Rov Z, = Rellrall/Sm: porta-comum: A= ga(RoIR,), Z,= Relllty Z, = Ryi eM CA8cla: Ary = Ay Ay Any Ay Arp = AZ IR, 11 Resposta de Freqiéncia do TBJ € JFET log,a = 2,3 logy, logy, 1 = 0, logyalb = logit ~ logiob, Logigl/b = —logyb, logyab = logiya + logigb, yp = 10 logioPs'P, Gian = 10 login Py't MW|nas Gan = 201089 Va/Vs. G.=G,+ G+ Gy + SPagusy BW = f, — fs baixas frequéneias (TBN): f,, = W2m(R, + RCs fic = W2m(R, + RCo fag = V2RR.Co Re = Rel(RIB + 1,). Ri = RR Ro, FET: fy = V2m(Reg + RCo, fue = V2RR,Co Jag W2mRoCy Ra Relig, = # 0) efeito Miller: Cy, = (1 A,)Cp Cy, = (1 ~ 11A,)Cj altasfreqiéncas (TBI): fy, = V2AR yy Co Rey = RAR IRIIR, C= Cu, + Coe + Cun fy, = WEAR Co Boy = RAR Da C= Cra + Cc # Cup Jp ~ W2AB yet Coe + Cuds fr = Baths FET: fy, = UPAR Cy Roy, = Rules Cyt VaR, Cyr Rigs = RolRillta C, = Cu, + Cu + Cys multiestigios: f; = fyVE™— 1, fy fy teste da onda quadrada: fu, = 0.35it, % tilt = ((V— VV] x 100%, f,, = (Pim)f, P= (V— VV 12 Configuragdes Compostas Ganho de tensio diferencia: A, = BRe2ri gamho de tensdo em modo comum: BRallr, + 2(B + Rel 13. Técnicas de Fabricacdo de Circuitos Discretos e IntegradosR = Rilw, C; = AW 14 Amplificadores Operacionais CMRR = 4/A,: CMRR(log) = 20 logy(4/A,); multiplicador de ganho constante: V,/V, = —R,/Ry: amplifiador néo-inversor: V,/V; = 1 + Ry/Ry; seguidor unitério: V, = V,; amplificador somador V. = -URIRDV, + (R/RDIVs + (Ry/RVsk; integrador: v,(.) = —(UR,C))Svyde 15 Aplicagdes do Amp-Op _Multiplicador de ganho constante: A = —Ry/Ry; nio inversor: A = 1 + Ry/Rj; somador de tensio: V, = ~[(R,/R,)V, + (Ry/Rs)V> + (R,/R,)V5]; filtro ativo passa alta: f,, = 1/2mR,C;; filtro ativo passa baixa: fn = WaR,C, 16 Amplificadores de Poténcia Poténcia de entrada: P, = Vecleo poténcia de saida: P, = Veele = I?Re = Vig/Re rms Veade2 = (Ii2)Re = Vix2Ro) pieo Veelcl® = (Ie8)Re = Vee((8Re) pico a pico eficiéneia: n= (P,/P) x 100% cficigncia maxima: Classe A, alimentado em série = 259% Classe A, acoplado por transformador = 50% Classe B, push-pull = 78,5% relagées do transformador: VJV, = NYN, = Ill Ry = (NUN,)'Ry; potencia de saida: P, = (Vesnar ~ Vet) ena ~ Hea) V8: ‘amplificador de poténcia classe B: Vecl2V peo Vilpico)(2R,); % 9 = (mi4)[V;(pico)Vecl x 100%; Py = Pid = (P, ~ P,)2; maximo P, = VicI2Ry; maximo P, = 2V3ci/nR,; miximo Psy 2WEcln*R,; %e distorcao harménica total (% THD) = VD} + Di + Di + “= x 100%; dissipagio de calor: T, = Py®y, + Ta, 84 = 40°CIW (ar livre); Py (T,~ TO ye + Ocs + Ose) 17 Cis Lineares-Digitais Circuito escada: V, = ((Dy x 2 + D, x 2) + Dy x 2 + + Dy x DW 555 oscilador: f = 1,44(R, + 2R,)C; S55 monoestavel: T,,, = 1,1R,C; VCO: f, = (2/R\C)(V" ~ V/V}; loop de maha fechada (PLL): £, = O.3RCy. fi = *81V, fo = 22m) Vinh x 10VG 18 Amplificadores Realimentados € Circuitos Osciladores 4, = Ai(1 + fA); realimentagio em série; Z, = 2(1 + BA); realimentagio em paralelo: Z, = Z/(1 + BA); realimentagio de tensio: Z/(1 + A); realimentagéo de corrente: Z,,= ZI + BAY; estabilidade do ganho: dA/A, = 1i(|I + BAI)(dA/A); oscilador; BA = 1; destocamento de fase: f = 1/2MRCV/6, (B= 1/29, A > 29; deslocamento de fase do FET: |A| = g.R,, Ry = Rora!(Rp + 74); deslocamento de fase do TBJ: f = (1/27RC)[1/ VO > ARRY|, hy > 23 + 2HRCR) + A(RIR(); ponte de Wien: R/R, = RR, + CAC f, = V2eVR GRC; sintonizado A, = WV EC, Coy = CCC, + C), Hartley: 1, = Ly + Ly + 2M, f, = V2rVECEquagoes Imporantes xvii 19 Fontes de Tensao (Reguladores de Tenso) Fityos:r = V;(rms)Vs, x 100%, V.R. = (Wu, ~ VeiVa1 100%, Vac = Vg = Vi(P-p)2, Vrms) = V¢p-p)2V3, V.ems) ~ (Ju4V3)(VadV); onda completa, carga love V,{ems) = 24/C, = Vg = ATIC, = 2ATgICV y) X 100% = 2AR,C X 1009, Ing = TIT, Lys fro RC: Vi, = Ry Vis R Rs X, = 2,653/C (meia onda), X- = 1,326/C (onda completa), Vi(rms) Unt ~ Undine * 100%, Vi = ViC1 + RR), Vs = Voll + RAR) + as 20 Outros Dispositivos deDois Terminais Diodo varactor: C, = C(O) + [ViVi Tec = (ACCAT, ~ T)) % 100%; fotodiodo: W = hf, A= vif, Lim = 1,496 10°" W. 21 PnPN € Outros Dispositivos _ UIT: Ray Vp = nV gp + Vo; fototransistor: c= hls PUT: 9 = Ra + Radlie= oDISPOSITIVOS ELETRONICOS E TEORIA DE CIRCUITOSTSIEN TTT CAPITULO Diodos Semicondutores 1.1 INTRODUCAO Algumas décadas apés a introdugio do transistor em 1940, tem se percebido uma mudanga muito dramitica na inddstra elet nica. A miniaturizagdo crescente leva-nos a questionar sobre seus limites. Sistemas completos aparecem agora sobre um wafer milhares de vezes menor do que um simples elemento dos eir- cuitos anteriores. As vantagens associadas com os sistemas atu- ais, quando comparados com circuitos a vélvulas dos anos ante- riores, sio, para a maioria, imediatamente Gbvias: menores ¢ le- vves, nenhuma necessidade de aquecimento ou perda de calor (como necessério para vilvulas), construcdo mais robusta, mais eficiente, e ndo requer periodo de aquecimento. ‘A miniaturizado de anos recentes tem resultado em sistemas ‘do pequenos que o objetivo principal do encapsulamento € sim- plesmente fornecer algum meio de manusear 0 dispositive e ga- rantir que as conexdes mantenham-se adequadamente fixas a0 ‘wafer semicondutor. Os limites da miniaturizagao parecem ser estabelecidos por trés fatores: a qualidade do material semicon- mem qualquer tentativa de estabelecer corrente no sentido oposto. Em. resumo: As caracteristicas de um diodo ideal sdo aquelas de uma ‘chave que pode conduzir corrente somente em um sentido. Na descrigao dos elementos a seguir, & importantfssimo que as diversas letras dos sfmbolos, polaridades de tensdo e sen tidos de corrente sejam definidos. Se a polaridade da tensa0 aplicada é consistente com aquela mostrada nia Fig. I.la, a regido da curva caracterfstica a ser considerada na Fig. 1.1b esta & direita do eixo vertical. Se uma tensdo reversa for apli- cada, a regido esquerda da curva é considerada. Se a corrente através do diodo tem a diregao indicada na Fig. 1.1a, a regido da curva caracteristica a ser considerada esté acima do eixo horizontal, enquanto uma inversio no sentido exigiria 0 uso da curva abaixo do eixo. Para a maioria das caracteristicas do dispositivo mostradas neste livro, a ordenada (ou eixo “y") serio eixo da corrente, enquanto a abscissa (ou eixo °x") sera oeixo da tensa. ‘Um dos parimetros importantes para 0 diodo ¢ a resistén- cia no ponto ou regido de operagao. Se considerarmos aregi de condugio definida pelo sentido de /, e polaridade V, na Fig. ) Fig. 11 Diodo ideal: (a) simbolo;(b) curva earateristca.2 Dispostives Eletronicos e Teoria de Circuitos Cuno-cresito Shi i cut) 1, mitada plo cir @ © Fig. 1.2 Estados de (a) condugoe (b)nlo-condugao do dnd ideal detesminados pe poarizaao apicada. 11a (quadrant superior direto da Fig. 1.1b), coneluiemos que ‘o valor da resisténcia direta, R,, conforme definida pela lei de Ohm. é ve Ip 2, 3, mA, ov {ou qualquer valor positive Re 0 © (curto-circuito) onde V, € a tensdo direta através do diodo e /, é a corrente direta através do diodo. Odiodo ideal é, portanto, wn curto-circuito para a regio de condugao, Se considerarmos agora a regio de potencial negativo apli- cado (terceiro quadrante), da Fig. 1.1b, 20, ov qualquer potencial de polarizagao reversa ‘Oma = 2 O (circuito-aberto) 6 a corrente re- onde V, € a tensdo reversa através do diodo,¢ I, versa do diodo, O diodo ideal é, portanto, um circuito-aberto na regiao de ndo-condugao. Em resumo, as condigdes descritas na Fig. 1.2 sio aplicaveis. Em geral, érelativamente simples determinar se um diodo est na regiio de condugdo ou ndo-condugao, observando-se simples- mente a diregao da corrente /, estabelecida por uma tensao apli- cada, Para o fluxo convencional (oposto ao fluxo do elétron), se a corrente de diodo resultante tem mesmo sentido que a seta do simbolo do diodo, 0 diodo ests operando na regio de condu- io conforme descrito na Fig, 1.3a, Se a corrente resultante tem, 4 diregdo oposta, como mostrado na Fig. 1.3b, 0 circuito-aberto equivalente € apropriado. Conforme indicado anteriormente, o propésito principal des- ta segdo ¢ introduzir as caracteristicas de um dispositivo ideal, ‘por comparaco com as caracteristicas da variedade comercial A medida que avangamos nas préximas seqdes, devemos man- ter as seguintes questdes em mente: Quao préximo iré a resistencia direta ou “ligada” de um diodo real equivaler ao nivel 0-0 desejado? Arresisténcia de polarizagio reversaésuficientemente grande para permitir uma aproximagdo de circuito-aberto? 1.3. MATERIAIS SEMICONDUTORES ‘A propria expresstio semicondutor apresenta uma sugestlo so- bre sua caracteristica. O prefixo semi-€ normalmente aplicado a ‘uma faixa de niveis situada entre dois limites. O termo condutor € aplicado a qualquer material que sus tenta um fluxo de uso de carga, quancio uma fonte de tensiio amplitude limitada € aplicada através de seus terminais. Um isolante é 0 material que oferece um nivel muito bai- 1x0 de condutividade sob pressio de wma fonte de tensdo aplicada. Um semicondutor 6, portanto, 0 material que possui wm nivel de condutividade entre os extremos de um isolante e um condutor. Inversamente relacionada d condutividade de um material est sua resisténcia ao fluxo de carga, ou corrente, Isto é, maior o nivel de condutividade, menor o nivel de resisténcia. Em tabelas, 0 termo resistividade (p, letra grega rho) € geralmente usado quando se compara aos niveis de resistencia dos materiais. Em unidades métricas, a resistividade de um material é medida em 9-cm ou Q-m. As unidades de N-cm so obtidas pela substituigao das tunidades para cada quantidade da Fig. 1.4 na seguinte equagio (que se obtém da equagao bisica de resisténcia R = pl/A): an Tp Ip=0 1.3 Estados de (a) condugdo(b) nio-condugo do dodo ideal, como deter rminado pelo sentido da corrente convencionalestabelecida peo cireuito,Fig. 14 Definindo as unidades métrias de resistividade. De fato, se a drea da Fig. 1.4 € | em? e o comprimento I cm, valor da resisténcia do cubo da Fig. 1.4 ¢ igual & resistividade do material, conforme demonstrado abaixo: L_ dem) IRl= 6 re) A il lembrar deste fato ao compararmos os niveis de = |pfohms Sera resistividade nas discusses a seguir. ‘No Quadro 1.1, 0s valores tipicos de resistividade sao forne- cidos por ts grandes categorias de materiais. Embora voc® possa estar familiarizado com as propriedades elétricas do cobre e mica deestudos passados, as caracteristicas dos materiais semicondu- tores de germanio (Ge) e silicio (Si) podem ser relativamente inéditas. Como voce verificard nos capitulos a seguir, eles no so, com certeza, os dois tnicos materiais semicondutores. Eles sio, contudo, os dois materiais que tm recebido maior interesse no desenvolvimento de dispositivos semicondutores. Em anos recentes, a tendéncia 6 a adogio do silicio em detrimento do ge ‘manio, mas o germanio ainda continua em modesta produgio. ‘Observe no Quadro I. a diferenga extrema entre os mater ais condutor e isolante para o comprimento de 1 em (drea de 1 cm?) do material. Dezoito posigdes separam 0 ponto decimal de ‘um niimero para o outro. Justfica-se a atencdo que Ge e Si rece- bbem por varias razdes. Uma consideragiio muito importante € {ato de eles poderem ser fabricados em um nfvel muito grande de pureza, De fato, avancos recentes tém reduzido niveis de im- pureza no material puro para uma parte por 10 bilhdes (1:10.000,000.000). Alguém poderia perguntar se estes niveis reduzidos de impureza sao mesmo necessérios. Eles certamente slo, se considerarmos que a adigio de uma parte de impureza (do tipo adequado) por milhio em um wafer do material de silicio pode mudar aquele material de um condutor relativamente po- bre para um bom condutor de eletricidade. Estamos lidando, & claro, com um espectro totalmente novo de niveis de compara- 20, quando lidamos com 0 meio semicondutor. A capacidade de mudar significativamente as caracteristicas do material atra- vvés deste processo, conheciddo como “dopagem”, jé€ uma razio do porque o Ge e Si tém recebido toda esta atengdo. Outras ra- ‘ies incluem o fato de suas caracteristicas poderem ser muito alteradas pela aplicagao de calor ou luz — uma consideragio importante no desenvolvimento de dispositivos sensiveis ao ca- lore luz QUADRO 1.1 Valores de Resistividade Tipicos Condor ‘Semicondutor Irolante p= 10" Dem (ica) 0° 2m (cobee) e 50 Q-em (germinio) 50% 10° D-em (ico) Diodos Semicondutores 3 cima sto devidas a suas estruturas atomicas. Os étomos de ambos, (os materiais formam um modelo bem preciso, que é peri por natureza (isto é, repetem-se continuamente). Um modelo completo € chamado cristal, e relica & 0 arranjo peridico dos tomos. Para Ge e Si, o cristal tem a estrutura de diamante tridi- mensional da Fig. 1.5. Qualquer material composto apenas de estruturas cristalinas repetidas no mesmo tipo & chamado de uma estrutura de cristal singular. Para materiais semicondutores de aplicag2o prética no campo de eletrOnica, esta caracteristica de cristal singular existe e, além disso, a periodicidade da estrutura ‘iio muda significativamente com a adicao de impurezas no pro- cesso de dopagem. ‘Vamos agora examinar a estrutura do étomo e observar como ele poderia afetar as caracteristicas elétricas do material. Como se sabe, 0 dtomo & composto de trés particulas bisicas; 0 elétron, © proton e 0 néutron. Na estrutura atOmica, 0s néutrons formam © micleo, enquanto que os elétrons giram em torno do niicleo em uma drbita fixa, Os modelos de Bohr dos dois semicondutores mais comumente usados, germdnio e silicio, sao mostrados na Fig. 1.6. Conforme indicado pela Fig. 1.6a, 0 étomo de germanio tem 32 elétrons orbitando, enquanto osilicio tem 14. Em cada ca8o, cexistem quatro elétrons na camada mais externa (valéncia). potencial (potencial de ionizagdo) exigido para qualquer um = Nédleo © Fig. 1.6 Escutura aimica (a) do germanio:(b) do slo,4 Dispositivas Fletrdnicos e Teoria de Circuitos pe - os es ae ? = Fg, 1.7 Ligago covalente do tomo de silico. destes quatro elétrons de valencia € menor do que 0 necessério para qualquer outro na estrutura, Em um cristal puro de germé- rio ou silicio, estes quatro elétrons de valéncia esto ligados a ‘quatro tomos de ligago, conforme mostrado na Fig. 1.7 para o silicio. Tanto Ge como Si sio referidos como dtomos tetravalen- tes, pois eles tém, cada um, quatro elétrons de valencia. Uma ligagdo de étomos, baseada no compartilhamento de elétrons, € chamada ligagdo covalente, Embora a ligagao covalente resulte em uma ligagdo mais for- te entre os elétrons de valéncia e seus étomos da matriz, ainda & possivel para os elétrons de valencia absorverem energia cinéti- ca suficiente de fatores naturais, para quebrarem a ligagdo e as- sumirem o estado “livre”. O termo “livre” revela que seu movi- ‘mento é bem sensivel aos campos elétricos aplicados, como os, estabelecidos pelas fontes de tenslo, ou qualquer diferenga de po~ tencial, Estes fatores naturaisincluem efeitos como aenergia da, luz na forma de fotons e a energia térmica do meio. A tempera- ‘ura ambiente, existem aproximadamente 1,5 X 10" portadores livres em um centimetro cibico de material de siliciointrinseco. Materiais intrinsecos so aqueles semicondutores que fo~ ram cuidadosamente refinados para reduzirem as impu- rezas a um nivel muito baixo — essencialmente tdo puro quanto possivel através da tecnologia moderna, Os elétrons livres no material, devido somente aos fatores naturais, sio referidos como portadores intrinsecos, Na mesma temperatura, um material de germénio intrinseco tera aproxima- damente 2,5 X 10" portadores livres por centimetro cabico. A raziio entre o miimero de portadores no germanio e 0 numero no silicio é maior do que 10°, ¢ indica que 0 germanio é melhor con- dutor & temperatura ambiente. Isto pode ser verdade, mas am- bos sii ainda considerados maus condutores no estado intrin- seco, Observe que no Quadro 1.1 a resistividade também difere por uma razio em torno de 1000:1, com o silfcio apresentando (© maior valor. Obviamente, esse resultado esté de acordo uma vez que a resistividade e a condutividade estao inversamente re- lacionadas. Um aumento na temperatura de um semicondutor pode resultarem um aumento substancial no nimero de elétrons, livres no material a A medida que a temperatura aumenta a partir do zero absolu- to (0K), um ntimero cada vez maior de elétrons de valéncia ab- sorve energia térmica suficiente para quebrar a ligagio covalen- te e contribuir para o nimero de portadores livres, conforme escrito acima, Este ntimero maior de portadores iré aumentar 0 {Indice de condutividade e produzir um menor nivel de resist8ncia, ‘Materiais semicondutores, como 0 Ge eo Si, que apresen- tam uma redugdo da resisténcia com aumento da tempe- ratura, so considerados possuidores de coeficiente de temperatura negativo. ‘Vocé provavelmente verificard que a resisténcia da maioria dos condutores aumenta com a temperatura. Isto se deve ao fato de que a quantidade de portadores em um condutor néo iré au- ‘mentar significativamente com a temperatura, mas sua vibrago ‘em torn de uma posigao relativamente fixa tomnard cada vez-mais 0V)e polarizagéo reversa (V, < 0 V). Cada condigao resulta ‘em uma resposta que 0 usuario deve entender claramente, para {que 0 dispositivo seja aplicado de maneira correta. Sem Polarizacao (V, = 0 V) Sob condigdes de néo-polarizacao, quaisquer portadores mino- Fitérios (buracos) no material tipo n que se encontrarem dentro da regiio de deplegdo irdo passar diretamente para o material tipo _p. Quanto mais prximo o portador minoritério estiver da jun- G0, maior & a atragdo para a camada de fons negativos, ¢ menor ‘8 oposigdo dos fons positivos na regio de deplegdo do material tipo n. Para futuras discussdes, devemos assumir que todos os portadores minoritérios tipo n que se encontram na regio de deplecao, devido a seus movimentos randOmicos, iro passar diretamente para 0 material tipo p. Um argumento semelhante pode ser utilizado para os portadores minoritérios (elétrons) do ‘material tipo p. Este fluxo de portadores € indicado na Fig. 1.14 para os portadores minoritérios de cada material. ‘0s portadores majoritarios (elétrons) do material tipo n deve, superar as forgas atrativas da camada de fons positivos no mate rial tipo n e o campo de fons negativos do material tipo p, a fim ‘de migrarem para a drea da regido de deplecao do material tipo p.Contudo 0 ntimero de portadores majoritarios é tio grande no fons ssitdores © ot + rere —F, S38 ot mane Se tipo p misttlna ig, 113 (a) Material tipo: (b) material io p.8 —_Dispostivos Eletrnicos e Teoria de Circuites Vp=0V (nenhuma polarizagéo) material tipo m que existir, invariavelmente, um mimero peque- no de portadores majoritarios com energia suficiente para passar pela regio de deplecio para o material tipo p. Novamente, 0 mesmo tipo de argumento pode ser aplicado aos portadores ma- {oritérios (buracos) do material tipo p. O fluxo resultante devido ‘20s portadores majoritarios também & mostrado na Fig. 1.14. Uma andlise mais detalhada da Fig. 1.14 mostraré que as, amplitudes relativas dos vetores do fluxo so tais que 0 fluxo resultante em cada diregao é zero. Este cancelamento dos veto- res foi indicado por linhas cruzadas. O comprimento do vetor re- presentando o fluxo de buraco foi desenhado maior do que para fo fluxo de elétrons, a fim de demonstrar que a amplitude de cada tum nao precisa ser a mesma para 0 cancelamento, € que 0s ni- veis de dopagem para cada material podem resultar em um fluxo desigual de portadores de buracos e elétrons. Em resumo, entao: Na auséncia de uma tensao de polarizagdo, o fluxo resul- ante de carga em qualquer direcdo para um diodo semi- condutor é zero. O simbolo para o diodo é repetido na Fig. 1.15 comas regides tipo me p associadas. Observe que a seta esta associada com 0 ‘componente tipo p, ¢ a barra com a regido tipo n. Como indica- do, para V,, = 0 V, a corrente em qualquer ditegao € 0 mA. Fig, 1.18 Condigbes de nio-polarizagao para um diodo semicondutor. 1 Fluo de portador minoritrio h 4 SF esl ar oe ean Fig, 1.14 Jungdo p-» sem polarizagio externa, Polarizacao Reversa (V, < 0 V) ‘Se um poteneial externo de V volts é aplicado através da jungao p-nem que o terminal positivo é conectado ao material tipo n ¢ 6 terminal negativo é ligado a0 material tipo p, conforme mos- trado na Fig. 1.16, 0 niimero de fons positivos néo-combinados na regilio de deplegao do material tipo n aumentaré, devido 20 grande mimero de elétrons “livres” arrastados para o potencial positivo da tensio aplicada, Por motivos semelhantes, 0 niimero de fons negativos ndo-combinados auumentard no material tipo p. Oefeito &, portanto, um alargamento da regio de deplegao. Este alargamento da regio de deplegdo estabelecer uma barreira tio grande para os portadores majoritérios superarem que, efetiva- ‘mente, reduzird o fluxo de portadores majoritérios a zero, con- forme mostrado na Fig. 1.16. Contudo o niimero de portadores minoritérios que penetra na regio de deplegio no seré alterado, resultando em vetores de 1, Fluxo de portador minonitério teams =O Fig, 1.16 Jungao p-» poarzada reversamenteaes (pesto) Fig. 1.17 Condigées de polaizaio evers para um dodo Semicond. fluxo de portadores minoritérios da mesma amplitude indicados na Fig. 1.14, quando nenhuma tensao era aplicada. Accorrente que surge sob condigdes de polarizagdo rever- ‘sa é chamada de corrente de saturagdo reversa, e é repre sentada por I, A corrente de saturagio reversa é raramente maior do que poucos microampéres, exceto para dispositivos de alta poténcia. De fato, em anos recentes, seu nivel tem-se situado normalmen- te na faixa de nanoampere para sistemas de silfcio,e na faixa de ;poucos microampéres para o germinio. O termo saturagdo vem do fato de ela alcangar ser valor méximo rapidamente, ¢ ndo rudar significativamente com o aumento do potencial de pola~ rizagdo reversa, como mostrado nas curvas caracteristicas do iodo da Fig. 1.19, para V, <0 V. As condigdes da polarizagao reversa sio descritas na Fig. 1.17 para o simbolo do diodo e jun- «0 p-n, Observe, sobretudo, que a diregio de J, € contréria a seta do simbolo, Observe também que o potencial negativo é conec- tado ao material tipo p. e 0 potencial positivo ao material tipo —a diferenga em letras grifadas para cada regido revela umacon- digo de polarizagao reversa. Polarizacao Direta (V, > 0 V) Uma condigio de polaricagdo direta, ou “ligada”, é estabeleci- da aplicando-se 0 potencial positive a0 material tipo p, ¢ 0 po- tencial negativo ao material tipo n, conforme mostrado na Fig, 1.18, Para referéncia futura, portanto: Um diodo semicondutor é polarizado diretamente quando aassociacao tipo p e positivo, e tipo ne negativo, for esta- belecida, ‘Aaplicagio de um potencial de polarizagao direta V, iré “for- gar” elétrons no material tipo n e buracos no material tipo p a recombinarem-se com os fons préximos da fronteia, e reduzir a largura da regio de deplecao como mostrado na Fig. 1.18. 0 fluxo de portadores minoritirios resultante de elétrons do mate- rial tipo p para o material tipo n (e buracos do material tipo n para ‘o material tipo p) nao mula em intensidade (pois o nivel de con- dugio é controlado essencialmente pelo ntimero limitado de impurezas no material), mas a redugio da regiao de depleeaio resultou em um fluxo denso de majoritirios através da jungo. ‘Um elétron do material tipo n agora “vé” uma barreira reduzida na jungo, devido a regio de deplego reduzida e uma forte atra- gio para o potencial positivo aplicado 20 material tipo p. A me- ida que a polarizago aplicada aumenta em amplitude, a regiao de deplecdo continua a diminuir em largura até que 0 fluxo de clétrons consiga atravessar a junedo, resultando em um aumento exponencial da corrente conforme mostrado na regido de polari- Diodos Semicondutores 9 Po te . Pig. 1.18 Jungio p-n polarizadadiretamente zagio direta da curva caracteristica da Fig. 1.19. Observe que a escala vertical da Fig. 1.19 esté em miliampéres (embora alguns diodos semicondutores apresentem uma escala vertical medida em ampéres) a escala horizontal na regido de polarizagio dire- ta tem um maximo de | V. Tipicamente, portanto, a tensdo atra- vés de um diodo potarizado diretamente sera menor do que 1 V. Observe, também, como a corrente aumenta rapidamente além do joelho da curva. Com o auxilio da fisica do estado solido, pode-se mostrar que as caracteristicas gerais de um diodo semicondutor sao defini- das pela seguinte equago para as regides de polarizacao direta e Ip = Wee = 1) aay onde corrente de saturagdo reversa 11,600/y com 7 = 1 para o Ge e 9 = 2 para o Si, em niveis relativamente baixos de corrente de dio- do (ou abaixo do joelho dacurva), e = | para Ge e Si para niveis maiores de corrente de diodo (no trecho da curva em que a corrente aumenta de for- ‘ma mais acentuada) T= Te + 278 ‘Um grifico da Eq. (1.4) é fornecido na Fig. 1.19. Se expan- dirmos a Eq, (1-4) na seguinte forma, 0 elemento de contribui: ‘lo para cada regio da Fig. 1.19 pode ser facilmente descrito: Ip = Le — 1, Para valores positivos de V,, 0 primeiro termo da equaca0, ‘cima ird crescer muito rapidamente, ¢ 0 efeito do segundo termo serd desprezivel. O resultado é que para valores positivos de V., 1, ser positivo e cresceré da forma y = e* mostrado na Fig. 1.20. Em V, = 0V, aEg, (1-4) vema ser, = f,(¢” — 1) = 1 ~ 1) OA, como mostra a Fig. 1.19. Para valores negativos de V,, 0 primeiro termo caird rapidamente para abaixo de 1, resultando em [, = ~[,,queé simplesmente a linha horizontal da Fig. 1.19. ‘A interrupcio verificada na curva caracteristica em V, = 0V é simplesmente devido a mudanga brusca na escala de mA para 4A. ‘Observe na Fig. 1.19 que os dispositivos dispontveis comerci- ‘almente apresentam uma curva caracteristica deslocada em poucas dezenas de volts para adirvita. Isto se deve &resisténcia interna do “corpo” e & resisténcia extema dos “contatos” de um diodo. Am- bas as resistencias contribuem para o surgimento de uma tensio adicional para um mesmo nivel de corrente, como determina a lei10 Dispositivos EletrOnicos e Teoria de Circuitos 0 =30 Regito de polarizagio reversal Wp <0Vly=-l) Fig, 1.19 Curva caracterstica do diode semicondutor de sili de Ohm (V=IR). Em tempo: & medida que os métodos de produ- Go se aperfeigoarem, esta diferenga iré diminuir e a curva real do diodo ira se aproximar da prevista pela Eq. (1.4) E importante observar a mudanca em escala para os eixos vertical e horizontal, Para valores positivos de /,, a escala é em miliampéres, e a escala de corrente abaixo do cixo € em microampéres (ou. possivelmente, nanoampires). Para V,, a es- cala para valores positivos é em décimos de volts, e para valores negativos, a escala 6 em dezenas de volts Tnicialmente, a Eq, (1.4) parece um tanto complexa, ¢ pode originar um medo injustificado de sua utilizago em todas as aplicagdes do diodo a seguir. Contudo, felizmente, sero feitas, Fig. 1.20 Gritico de ies l | sce " : i 3 I e | Polar sete St water, ; siege 8 Hi ~~ (Vp >0V, 1y>0 ma) pos os 07 Tw Foam TS eh aio | WOAH | ye 0V.f | vhaua | Woe Oven | 0A | aproximagGes em uma préxima seco, descartando a necessida- de de aplicar a Eq. (1.4), fornecendo, assim, uma solugio com ‘um minimo de dificuldade matemética. ‘Antes de deixar o assunto sobre o estado de polarizagio dire~ ta, as condigdes para conducao (0 estado “on"”) sio repetidas na Fig. 1.21 com as polaridades de polarizagio necessérias, ¢ a di- regio resultante do fluxo de portadores majoritérios. Observe sobretudo como a diregzo da condugao combina com a seta do simbolo (conforme esclarecido para 0 diodo ideal). Regio Zener “Mesmo que a escala da Fig. 1.19 seja de dezenas de volts na re- iio negativa, existe um ponto onde a aplicagio de uma tensio ili + a (Semelane) Fig. 1.21 Condigies de polarzagodireta pars um diodo semicondutorFg. 1.22 Reyido Zener também negativa resulta em uma mudanga brusca na curva ca- racteristica, conforme mostrado na Fig. 1.22. A corrente aumen- ta na diregao oposta da regio de tenso positiva. O potencial de polarizagao reverso que resulta desta bbrusca mudanga na curva caracteristica € chamado potencial Zener. e & dado pelo simbolo V.. ‘A medida que a tenstio através do diodo aumenta na regido de polarizagdo reversa, a velocidade dos portadores minoritérios responsaveis pela corrente de saturado reversa /, também aumen- ta, Eventualmente, suas velocidades e energia cinética associa- da (W, = $ my*), serio suficientes para liberarem portadores adicionais através das colisbes com estruturas atOmicas estéveis, Isto 6, o resultado é um processo de ionizagdo, pelo qual elétrons de valéncia absorvem energia suficiente para deixarem o tomo de origem. Estes portadores adicionais podem, entio, ajudar no processo de ionizagao, até que uma alta comrente de avalanche seja estabelecida e a regio de ruptura em avalanche determinada, ‘A regio de avalanche (V,) pode ser aproximada do eixo ver- tical, aumentando-se 0s niveis de dopagem nos materiais p e n. Contudo, & medida que V, diminui para nfveis muito baixos, tais como —$ V, um outro mecanismo, chamado ruptura Zener, con- tribuir para a mudanga brusca na curva caracteristica. Isto ocorre porque existe um forte campo elétrico na regio de junga0 que pode perturbar as forgas de ligagdo dentro do stomo e "gerat™ portadores. Embora 0 mecanismo de ruptura Zener seja um ele- ‘mento considerdvel apenas em niveis menores de V,, esta mu- danga brusca na curva caracteristica em qualquer nivel é chama- da regido Zener, e os diodos que empregam apenas esta porcio daccurva de uma jungao p-n sio chamados diodos Zener. Eles S10 descritos em detalhe na Sega 1.14, ‘A regitio Zener do diodo semicondutor descrito deve ser evi- tada para que a resposta de um sistema nao seja completamente alterada pela mudanga brusca na curva caracteristica nesta regio de tensio reversa. potencial maximo de polarizacao reversa permitido, para que o diodo ndo entre na regido Zener, é chamado de tensdo de pico inversa (referida simplesmente como TPL nominal) ou tensdo de pico reversa (denotada por TPR nominal). Se uma aplicagdo exige uma TPI nominal maior do que a permitida para um tinico dispositivo, alguns diodos de mesmas ‘caracteristicas podem ser conectados em série. Diodos também Diodas Semicondutores. 11 lio conectados em paralelo para aumentarem a capacidade de fluxo de corrente, Silicio versus Germanio Diodos de silicio apresentam, em geral, TPI, correntes nominais ¢ faixas de temperatura maiores do que 0s diodos de germanio, ‘TPI nominais para. silicio podem situar-se na faixa de 1.000 V, a0 passo que o valor maximo para o germanio é de aproximada- ‘mente 400 V. O silicio pode ser usado para aplicagées em que a temperatura chega a aumentar em toro de 200°C (40°F), en- quanto que 0 germnio presenta um valor nominal muito me~ nor (100°C). A desvantagem do silicio, entretanto, comparado com germénio, conforme indicado na Fig, 1.23, €a maior tensao de polarizacio direta exigida para alcangar a regido de condu- dio. Este valor é da ordem de 0,7 V para diodos de silicio dispo- iveis comercialmente, e de 0,3 V para diodos de germéinio, quan- do arredondados os valores. O maior valor para osilicio é devi- do, em primeiro lugar, ao fator 7 na Eq. (1.4). Este fator tem influéncia na determinagao da forma da curva apenas em niveis, de corrente muito baixos. Quando a curva inicia seu aumento vertical, 0 fator 7 cai para 1 (0 valor continuo para germanio). Istoé evidenciado pelas semelhangas nas curvas, uma vez alcan- ‘cad 0 potencial de offset. O potencial em que este aumento ocorre &comumente chamado potencial de offser,limiar ou de disparo. Freqiientemente, a primeira letra de um termo que descreve uma ‘quantidade particular € usada na notagdo para aquela quantida- de, Contudo, para assegurar que nao haja muita confusio com ‘outros termos, como tensio de saida (V,) ¢ tensdo direta (V,), a notagio V, foi adotada para este livro, da palavra “limiar (threshold). Em resumo: Vr = 0,7 (Si) Vr = 0,3 (Ge) Obviamente, quanto mais proxima a parte ascendente da curva esté do eixo vertical, mais “ideal” o sistema, Contudo as outras caracteristicas do silicio, quando comparadas com 0 germinio, ainda o tornaram a melhor escolha para a maioria dos elementos disponiveis comercialmente, Efeitos de Temperatura ‘A temperatura pode ter um efeito marcante sobre as caracteristi- cas de um diodo semicondutor de silicio, como verificado para 0 iodo de silicio tipico da Fig. 1. ‘mente, que: A.corrente de saturagéo reversa I, teré seu valor em am- plitude aproximadamente dobrado para cada aumento de 10°C na temperatura. Nao é incomum para um diodo de germinio, com f,na ordem de 1 ou 2 wA em 25°C, apresentar uma corrente de fuga de 100 wA = 0,1 mA. a uma temperatura de 100°C. Niveis de cor- rente desta magnitude na regido de polarizagao reversa iriam cer- tamente questionar nossa desejada condigio de circuito-aberto na regido de polarizaglo reversa. Valores tipicos de I, para si cio so muito menores do que os de germénio, para os mesmos niveis de corrente e poténcia, conforme Fig. 1.23. 0 resultado é12 Disposiivos Eletronicos e Teoria de Circuitos 1, (8) =001yA = 100A ve (Si) Fig. 1.23 Comparagio os diodos emicondutores de Sie Ge. que, mesmo em altas temperaturas, os nfveis de J, para diodos de silicio no alcancam os altos nfveis obtidos para germanio— uma caracteristica muito importante que explica por que os dispositi- vos de silicio desfrutam um nivel significativamente maior de Inimay 97) 200°C 100°C 25°C 75°C ~ti- si Vz (Ge) DI 07 93 OF G5 06 OF OF V,(W) THA Vp Ge) vps) desenvolvimento ¢ utilizago em projetos, Fundamentalmente, tum cireuito-aberto equivalente na regizo de polarizagiio reversa mais bem caracterizado em qualquer temperatura com 0 si 4do que com o germanio. 1037) Fig. 1.24 Varigio nas curvascaracteristicas do diodo com a modanga na temperaturaFig, 1.25 Determinao da resistencia ded um diodo, em um ponte 8 opera- 80 particular. Os crescentes niveis de /, com a temperatura so responsdveis, pelos diferentes nfveis da tensio de limiar, conforme mostrado na Fig. 1.24, Aumente simplesmente o nivel de /, na Eq, (1.4), observe que 0 aumento na corrente de diodo é antecipado. Natu- ralmente, 0 valor de 7, também aumentaré na mesma equacao, ‘mas o aumento de /, ird prevalecer sobre a menor mudanga per- centual de T,..A medida que a temperatura aumenta, as curvas ccaracteristcas esto, na verdade, se tormando mais “ideais”, mas concluiremos, quando analisarmos as folhas de especificagées, que temperaturas além da faixa normal de operagdo podem ter um efeito muito prejudicial sobre a poténcia maxima e nfveis de corrente do diodo, Na regido de polarizacio reversa, a tensio de rruptura eresce com a temperatura, mas observe o aumento inde- sejével na corrente de saturagio reversa. 1.7. NIVEIS DE RESISTENCIA A medida que o ponto de operagdo de um diodo move-se de uma regio para outra, a resisténcia do diodo também sera alterada devido a forma néo-linear da curva caracteristica. Serd demons- trado nos préximos parigrafos que o tipo da tensdo ou sinal apli cado ind definir 0 nivel de resisténcia de interesse. Trés niveis diferentes introduzidos nesta segio iro aparecer novamente, ‘quando analisarmos outros dispositivos. E, portanto, essencial que a sua determinagao seja claramente compreendida. Resisténcia DC ou Estatica A aplicagdo de uma tensio de num circuito contendo um diodo semicondutor resultard em um ponto de operacao sobre a curva do diodo inalterado com 0 tempo. A resistencia do diodo no ponto de operagdo pode ser encontrada simplesmente encontrando-se 0 valores correspondentes de V, ¢ /,, conforme mostrado na Fig, 1.25, aplicando-se a seguinte equagao: as) Os niveis de resistencia de no joelho e abaixo deste sero aiores do que os niveis de resisiéncia obtidos para a regio de aumento vertical da curva. Os niveis de resistencia na re- ito de polarizacio reversa serao, naturalmente, bem maiores. Uma vez que, em geral, ohmimetros empregam uma fonte de corrente relativamente constante, a resistencia determinada ser Diodas Semicondutores 13, ‘em um nivel de corrente pré-ajustado (tipicamente, poucos mi- liamperes), EXEMPLO 1.1 Determine os niveis de resisténcia de para o diodo da Fig. 1.26 em (@) I,=2mA (b) 1, = 20ma © V, Ip(md) 05 08 Yow) Fig. 1.26 Exemplo |. Solugao (a) Em/, =2mA, V, = 0,5 V (da curva) e (©) EmV, = —10 V, 1, = —1, = ~1pA (dacurva)e ov =10Mo ThA reforcando claramente alguns dos comentérios anteriores, com respeito aos nfveis de resisténcia de de um diodo. Resisténcia AC ou Dinamica E obvio da Eq. 1.5 ¢ do Exemplo 1.1 que a resisténcia de de um iodo independente da forma da curva caracteristica naregido que circunda ponto de interesse. Se uma senGide, a0 invés de uma entrada de, for aplicada, a situagdo mudard completamente. A en trada variando moverd o ponto de operacdo instantineo para cima ¢ para baixo em uma regio da curva, definindo, portanto, uma ‘mudanga especifica na corrente e tensio, conforme mostrado na Fig. 1.27. Sem variagGes da tensio aplicada, 0 ponto de operagio seria © ponto Q, que aparece na Fig. 1.27 determinado pelos niveis de aplicados. A designagio do ponto Q & obtida da palavra quiescen- te, que significa “nivel invariével ou estacionério”,14 Dispositives Eletronicos e Teoria de Circuits Cares carctristia do dodo SY al, Ponto Q (operagdo de) A ay, Fig. 1.27 Detinigo da esivéneia dinmica ov ae ‘Uma linha reta desenhada tangente & curva através do ponto Q, conforme mostrado na Fig. 1.28, definiré uma variagao parti- cular da tensio ¢ corrente, ¢ pode ser usada para determinar a resisténcia ac ou dindmica para esta regio da curva caracteristi- ado diodo, Um esforgo deveria ser feito para manter a variagio em tensio e corrente to pequena quanto possivel, e eqiidistante de cada lado do ponto Q. Na forma de equagio, a Quanto mais ingreme a inclinag2o, menor o valor de AV, para a ‘mesma variagdo em AJ,,e, conseqiientemente, menor a resistén- cia. A resisténcia ac na regitio de aumento vertical da curva ca- racteristica &, portanto, bem pequena, enquanto que a resisténcia ‘ac é muito maior em niveis de corrente baixos. conde A significa uma variagio finita do parametro, 6) Poo of | a1, fs avy Fig. 1.28 Determinagdo da resstncia a€-no pono Q. EXEMPLO 1.2 Para a curva caracteristica da Fig. 1.29: (a) Determine a resisténcia ac em, = 2 mA -ti- (b) Determine a resistencia ac em J, = 25 mA. (c) Compare os resultados das letras (a) e (b) com as resistén- clas de em cada nivel de corrente. Joma) 25 1s 10) Bi OF OF OF 05 06 OF 08 OP Vow na) avy Fig. 1.29 Exemplo 12 Solugao (a) Para, = 2mA;a linha tangente em J, = 2 mA foi determi nada como mostra a figura, e uma amplitude de 2 mA aci ma e abaixo da corrente de diodo especificada foi escolhi- da. Em I, = 4 mA, V, = 0,76 V eem/, = 0mA, V, = 0,65 V. As variagdes resultantes em corrente e tensi0 sao Aly=4mA—OmA=4mA e AV, = 0,76 V ~ 0,65 V = 0,11 V e a resisténcia ac Vs _ ONLY = Ms OUV La so Mg 4mA (b) Para J, = 25 mA; linha tangente em J, = 25 mA foi dese- nhada sobre a figura, ¢ uma amplitude especifica de S mA cima e abaixo da corrente de diodo foi escolhida. Em J, = 30 mA, V, = 0,8 V e-em /, = 20 mA, V, = 0,78 V. AS ‘mudangas resultantes na corrente e tensio sio Alg= 30 mA ~ 20 mA = 10 mA e AV, = 0,8 V - 0,78 V = 0,02 V e aresisténcia ac é Avs Mls raa = 350.0 Ip 2mA muito maior do que o valor de r, de 27,5 0. Para L, = 25 mA, V,, = 0,79 Ve Yo Ib muito maior do que o valor r, de 2 ©. Ro= Encontramos a resisténcia dindmica graficamente, mas exis- te uma definiglo bisica em célculo diferencial que diz: A derivada de uma fungdo em wm ponto é igual a inclina- (edo da reta tangente tragada naquele ponto. ‘A.Eq. (1.6) definida pela Fig. 1.28, 6, desse modo, determinada essencialmente pela derivada da fungao no ponto @ de opera- gio. Se encontrarmos a derivada da Equagio geral (1.4) para diodo semicondutor com respeito & polarizagao direta aplicada, eentao invertermos o resultado, teremos uma equacdo para are- sisténcia dinfmica ou ac naquela regido. Isto é, tomando-se @ derivada da Eq. (1.4) com respeito & polarizagio aplicada, re- sulta em d d Sh iyeore — wp gylde D) e dlp _ k Wy Tet realizando algumas operagdes bisicas do célculo diferencial, Em geral, 1, > J, na regio de inclinagdo vertical da curva e dlp _ k ap Tr Substituindo-se 7 = 1 para Ge e Si na regidio de inclinagao ver- tical da curva, obtemos 11,600 _ 11.600 7 1 2 temperatura ambiente Ty = Te + 273° = 25° + 273° = 208° 11,600 11.600 298 de modo que = 38,93 18,93 Considerando o resultado para definir uma relagio de resistén- cia (R = VID) nos da AW _ 0,026 dlp Ip Diodas Semicondutores 15 ay oni significado da Eq. (1.7) deve ser muito bem compreendido, Ele indica que a resisténcia dindmica pode ser encontrada simn- plesmente substituindo-se 0 valor quiescente da corrente de dio- do na equagio. Nao hd necessidade de as curvas estarem dispo- niveis, ou de nos preocuparmos em desenhar linhas tangentes, conforme definido pela Eq, (1.6). E importante ter em mente, con- tudo, que a Eq, (1.7) é precisa apenas para valores de J, a re- gio de aumento vertical da curva. Para valores menores de 1,7 = 2(silicio) e o valor de r, obtido deve ser multiplicado por um fator de 2. Para valores pequenos de /, abaixo do joelho da cur- va, a Eq, (1.7) toma-se inadequada. ‘Todos os niveis de resistencia determinados até o momento foram determinados para a jungdo p-n, endo incluem a resis- t8ncia do material semicondutor (chamada resisténcia de cor- po)e aresisténcia introduzida pela conexdo entre o material micondutor e o condutor metiico externo (chamada resistén- cia de contato). Estes niveis adicionais de resistencia podem set inelufdos na Eq, (1.7), somando-se a resisténcia denotada por ‘rq como aparece na Eq. (1.8). A resistencia r, inclui, portanto, a resisténcia dinfmica definida pela Eq. 1.7 ea resistencia r, introduzida 26 mV + rm | ohms (18) I (0 fator r, pode variartipicamente de 0,1 ©, em sistemas de alta poténcia, para 2 0, em alguns diodos de baixa poténcia de uso geral. Para o Exemplo 1.2, a resisténcia ac em 25 mA foi calculada como sendo de 2.0. Usando a Eq. (1.7), temos, 26 mV _ 26 mV Ip 25mA ‘A diferenca em torno de 1 © pode ser considerada devido & con- tribuicdo de r, Para o Exemplo 1.2, a resisténcia ac em 2 mA foi calculada como sendo de 27,5 0. Usando a Eq. (1.7), mas multiplicando- se por um fator de 2 para esta regido (no joelho da curva 1) = 2), 04 2 4 Zen) _ (26m ny 2282) <208Y) <0 9-260 A diferenga de 1,5 pode ser considerada devido a contribui- tor Na verdade, a determinago de r, com um elevado grau de precisio a partir da curva caracteristica, usando-se a Eq, (1.6), €, nna melhor das hip6teses, um processo dificil, ¢ 0S resultados devem ser tratados com um pouco de desconfianca. Nos niveis baixos de corrente de diodo, 0 fator r, é normalmente pequeno 0 suficiente comparado com r, para permitir que se despreze 0 seu impacto sobre a resisténcia de diodo ac. Nos niveis altos de cor- rente, 0 nivel de r, pode aproximar-se de r,, mas uma vez que existiio freqllentemente outros elementos resistivos de magni- tude muito maior em série com 0 diodo, assumiremos neste li- ‘ro que a resisténcia ac 96 € detetminada por r,¢ 0 impacto de r, seri ignorado, a menos que se especifique o contrério, Avangos tecnol6gicos de anos recentes suigerem que 0 nfvel de r, conti- nuard a diminuir de valor e tornar-se-@ eventualmente um fator que, na certa, pode ser ignorado em comparagdo ar.16 _Dispositives Eletronicos e Teoria de Circuitos ‘A discussiio acima concentrou-se somente na regio de po- larizagao direta, Na regido de polarizacdo reversa, assumiremos {que a Vatiago de corrente ao longo da linha /,, de 0 V a regio Zener, € nula, ¢ a resisténcia ac resultante usando-se a Eq. (1.6) 6 suficientemente alta para permitir a aproximacao de circuito- aberto. Resisténcia AC Média Sco sinal de entrada for suficientemente grande para produzir a amplitude mostrada na Fig. 1.30, a resistencia associada do dis- positivo para esta regio € chamada resisténcia ac média, A re- sisténcia ac média €, por definigio, determinada pela linha reta desenhada entre as duas intersegdes estabelecidas pelos valores, ‘maximo e minimo da tensio de entrada. Na forma de equacao (observe Fig. 1.30). (1.9) Para a situagao indicada pela Fig. 1.30, Alg= 17 mA — 2 mA = 15 mA e AV, = 0,725 V ~ 0.65 V = 0.075 V = 1, = bls. 00ISY gg Beedle 15 mA. Se a resistencia ac (,)fosse determinada em I, = 2 mA, seu valor seria maior do que 5 , e, se determinada em 17 mA, se- ria menor, Entre estes valores, a resisténcia ac realizaria a tran- Iolm) DF OF 04 05 06 07 08 09 1 Se avy wy Fig. 1.30 Determinagdo da resistncia ac média entre os limites indicados. a sigdo do alto valor em 2 mA para 0 baixo valor em 17 mA. A Eq, (1.9) define um valor que é considerado a média dos valo- res ac de 2.a 17 mA. O fato de um nivel de resisténcia poder ser tusado para esta ampla regio da curva prova a utilidade da defi- nigdo de circuitos equivalentes para um diodo em uma segiio posterior, Quadro Resumo (© Quadro 1.2 foi desenvolvido para reforgar as importantes con- clusdes das iltimas paginas, e enfatizar a diferenca entre os vi- rios niveis de resistencia. Conforme indicado anteriormente, © contetido desta segio € a base para os cdleulos de resisténcia a serem realizados nas segdes e capitulos posteriores. 1.8 CIRCUITOS EQUIVALENTES DE DIODO Um circuito equivalente é uma combinagao de elementos ‘adequadamente escolhidos para melhor representarem as caracteristicas reais de um dispositivo, sistema ou regido particular de operagao. Em outras palavras, uma ver definido o circuito equivalente, simbolo do dispositivo pode ser removido do esquema, eo cir- cuito equivalente inserido em seu lugar sem afetar severamente ‘.comportamento real do sistema. Via de regra, o resultado é uma configuragiio que pode ser resolvida usando-se téenicas tradicio- nais de anilise de circuit. Circuito Equivalente Linear por Partes Uma técnica para se obter um circuito equivalente para 0 diodo € aproximar as caracteristicas do dispositivo por segmentos de rela, conforme mostrado na Fig. 1.31. O circuito equivalente resultante é naturalmente chamado circuito equivalente li- near por partes. Seria Sbvio da Fig. 1.31 que os segmentos de rela nio resulta em uma reprodugao exata das caracterfsti- cas reais, em especial na regio do joelho. Contudo os segmen- tos resultantes estio suficientemente préximos da curva real para estabelecerem um circuito equivalente, fornecendo uma excelente primeira aproximagao do comportamento real do sis- tema, Para a regio de inclinagdo da curva equivalente, a r sisténeia ac média, como introduzida na Seezo 1.7, é 0 nivel de resisténcia que aparece no circuito equivalente da Fig. 1.32 proximo ao dispositivo real. Em esséncia, ela define 0 nivel de resisténcia do dispositivo quando ele esté no estado “liga- do”, 0 diodo ideal é incluido para estabelecer que s6 existe uma direcdo de condugio através do dispositivo e que uma condi- clo de polarizagio reversa resulta no estado de circuito-aber- to para 0 circuito. Como o diodo semicondutor de silfcio nao alcanga o estado de conducio até V, atingir 0,7 V para polari- zacao direta (conforme mostrado na Fig. 1.31), uma bateria V, ‘opondo-se a diregdo de conducao deve aparecer no circuito cequivalente, conforme mostrado na Fig. 1.32. A bateria espe- cifica simplesmente que a tensio através do sistema deve ser maior do que a tensio limiar da bateria para que a condugtio através do dispositivo na diregao imposta pelo diodo ideal possa ser estabelecida. Quando isso ocorre, a resisténcia do diodo terd o valor especitico de r..i Diodos Semicondutores 17 QUADRO 1.2 Niveis de Resistencia Canactericas Determinagto Tye Eqeagdo Bipecais Grafica be " Ded ao am png tp wa Rae eure carceristica hn Yo A Defnido ® 6 id por uma rea BY thay, oo a tangente no ponto Q na indica seméiio Definid por uma linha eta ale etre os limites de operagso avy Contudo tenha em mente que V, no circuito equivalente nao é ‘uma fonte de tens independente. Se umn voltimetro for coloca- 4do nos terminais de um diodo isolado, sobre uma bancada de laboratério, nao serd obtida uma leitura de 0.7 V. A bateria re~ presenta apenas o nivel horizontal da curva caracteristica que deve ser atingido para estabelecer a conducao. Em geral,o nivel aproximado de r,, pode ser determinado de um ponto de operagio especifico da fotha de especificagdes (a Inf) ser discutida na Segao 1.9). Por exemplo, para um diodo semi- condutor de silicio, se I, = 10 mA (uma cortente de condugéo direta para 0 diodo) em V, = 0,8 V, sabemos que é necessério tum deslocamento de 0,7 V antes que a curva caracteristica do dispositivo se eleve e ty = OM 7 OLY, ~BLy |pap, — 1OMA=OmA 10 mA conforme obtido para Fig. 1.30. wa Circuito Equivalente Simplificado Para a maioria das aplicagées, a resistencia r, & suficientemente pequena para ser desprezada em comparagdo aos outros elementos Aocircuito. A retirada de r, do circuito equivalente € 0 mesmo que dizer que a curva caracteristica do diodo apresenta a forma mostra dana Fig. 1.33, Na verdade. esta aproximago € empregada amiti- de na andlise de um circuito semicondutor, como demonstrado no + Vp - oe 2 Disks a BIVORV th.) i) Fig. 1.31 Definigo do cicuito equivalent linea, usando-se segments de rts para aproximara curva caracteristica, : a feat : yy on Fig. 1.32 Componentes do cecito equivalent lines18 Dispositivos Eletrdnicos ¢ Teoria de Circuitos tw 0 V=07V Vp +i Fig, 1.38 Circuito equivalent simplificao para 0 iodo semicondutor de silicio. Cap. 2. O cireuito equivalente reduzido aparece na mesma figura Isto indica que um diodo de silicio polarizado diretamente em um sistema eletnico, sob condigées de, tem uma queda de 0,7 V atra- ‘és dele no estado de condugao, em qualquer nivel da corrente de diodo (para valores nominais, naturalmente) Circuito Equivalente Ideal Agora que 1, foi removido do circuito equivalente, vamos mais a frente e estabelecer que um nivel de 0,7 V pode muitas vezes ser ignorado em comparaclo ao nivel de tensfo aplicada, Neste caso, 0 circuito equivalente seré reduzido para um diodo ideal somente, conforme mostrado na Fig. 1.34, com sua curva carac~ teristica. NoCap. 2, veremos que esta aproximago é muitas vezes feita sem perda consideravel da precisao. Naindilstria, uma substituigao popular para a expresso “cir- ccuito equivalente de diodo” & modelo de diodo — um modelo, por definicio, € representagao de um dispositivo, objeto, si tema existente e assim por diante. De fato, esta terminologia substitute serd usada quase que exclusivamente nos capitulos seguintes, Quadro Resumo Para elucidar, os modelos de diodo empregados para uma faixa de parametros do circuito e aplicagées sio fornecidos no Qua- 4dro 1.3, com suas caracteristicas lineares aproximadas. Cada modelo sera mais bem analisado no Cap. 2. Existem sempre ex- ccegdes as regras gerais, mas € completamente seguro dizer que o ‘modelo equivalente simplificado sera empregado com mais fre- ‘giéncia na anélise de sistemas eletrOnicos, enquanto que 0 dio- do ideal seré aplicado amitide na andlise de sistemas de alimen- tagdo de poténcia, onde tensdes maiores sio encontradas. to 1.9 FOLHAS DE ESPECIFICACOES DO DIODO (0s dados sobre dispositivos semicondutores especificos sio nor- ‘malmente fomecidos pelo fabricante de duas formas. Mais freqlen- temente, trata-se de uma breve descriglo, imitada talvez a uma pagina, O outro modo é uma analise completa das caracterfsticas, uusando-se gréficos, desenhos, tabelas ¢ assim por diante, Em todo ‘caso, entretanto, existem dados especificos dos dados que devern ser ineluidos para a uilizagao correta do dispositivo, Sao eles: 1. Atenso dreta V, (para uma correntee temperatura especificas). 2. A conrente direta maxima J, (para uma temperatura especifica). 3. A corrente de saturacao reversa /, (para uma tensio e tempe- ratura especificas). 4, Atensfo reversa nominal [IPI ou TPR ou T(BR), onde BR vern dotermo“ruptura” (breakdown) (a uma temperatura especitica)]. O nivel maximo de dissipagio de poténcia para uma tempe- ratura em particular. Niveis de capacitincia (conforme definido na Secao 1.10). ‘Tempo de recuperacao reverso 1, (conforine definido ni do 1.11). Faixa de operagao de temperatura, es Dependendo do tipo de diodo considerado, dados adicionais, também podem ser fomecidos, tais como faixa de freqléncia, nivel de rufdo, tempo de chaveamento, niveis de resistencia tér- mica e valores de pico repetitivos. Dependendo da aplicagio, a importincia do dado seré muitas vezes aparente. Se a poténcia :méxima ou dissipagdo nominal é também fornecida, ela é consi- derada igual 20 seguinte produt Py = Volo (10) Fig. 1.34 Dio ideal esua curva caacteritieaDiodos Semicondutores 19 QUADRO 1.3 Circuitos Equivalentes de Diodo (Modelos) Tipo Condes Modelo Coruteriscas » Modo linear |} Dow HEHEHE » Modelo simplicado Rage >> ry {i Tt, ve Bia tM » Sistema idea Rue >> ee. ELSS¥, : iauer | SRSEEEESEE? “* Dis : Xo onde 1, ¢ V, sto a corrente ¢ tenso do diodo em um ponto de operacio particular. ‘Se utilizarmos o modelo simplificado para determinada apli- cago (um exemplo comum), podemos substituir V, = V, = 0,7 V para o diodo de silicio na Eq. (1.10), € determinar a dissipagio de poténcia resultante, para uma comparagio com a poténcia méxima nominal. [sto é, Vil ain, ‘Uma cépia exata dos dados fornecidos pela Fairchild Camera and Instrument Corporation para seus diodos de alta tensao/bai- xa fuga BAY73 e BA 129 aparece nas Figs. 1.35 ¢ 1.36. Este cexemplo representa a lista detalhada de dados e caracteristicas. (O termo retificador é aplicado a um diodo quando ele é usado ‘em um processo de retificagao, a ser descrito no Cap. 2. ‘Tépicos especificos da folha de especificagdes foram realga- dos, com uma letra de identificagao correspondente & seguinte deserigio: A: Astenses de polarizagdo reversa (TPRs) mfnimas paracada diodo em uma corrente de saturagio reversa especifica. B: Caracteristicas de temperatura como indicado. Observe 0 uso da escala Celsius e a grande faixa de utilizagao [lem- bre-se de que 32°F = 0°C = congelamento (H,O) ¢ 212°F = 100°C = ebuligao (H,0)]. Cz Nivel maximo de dissipagdo de poténcia P, ‘mW. A poténcia méxima nominal diminui a uma taxa de 3,33 mW por grau de aumento na temperatura, acima da {temperatura ambiente (25°C), conforme claramente indi- ccado pela curva de reducao de poténcia da Fig. 1.36. D: Corrente direta continua Iai sus a temperatura na Fig. 1.36). E: Faixade valores de V, para J, = 200 mA. Observe que ele excede V, = 0.7 V para ambos os dispositivos. F: Faixade valores de V, para , = 1,0mA. Observe, neste caso, ‘como os limites superiores giram em tomno de 0,7 V. G: Em V, = 20 Ve para uma temperatura de operagiio tipica 1, = 500 nA = 0,5 #A, enquanto que para uma tensio reversa maior, [,cai para 5 nA = 0,005 A. H: O nivel de capacitancia entre os terminais € em torno de 8 pF para o diodo BAY73, em V, = V, = 0 V (nenhuma polarizagio) e uma freqiiéncia de operagao de | MH,. I: O tempo de recuperagio reverso é3 ms paraa lista de con- digdes de operacio. 500 mA (observe J, ver- Algumas curvas da Fig. 1.36 empregam a escala log. Uma breve investigacio da Seco 11.2 iria ajudar na leitura dos grifi- ‘cos. Observe na figura da esquerda superior como V, aumentou de 0,5 V para mais de 1 V, & medida que J, aumenta de 10 pA para mais de 100 mA. Na figura abaixo, vemos que a corrente de saturagdo reversa varia consideravelmente com niveis crescen- tes de V;, mas permanece abaixo de 1 nA a temperatura ambien- 125 V, Conforme observado na figura a0 lado, entretanto, nota-se como a corrente de saturagdo reversa aumen- ta rapidamente com o aumento da temperatura (conforme pre~ visto antes). ‘Na figura a dreita, no alto, observe como a capacitincia dimi- nui como aumento na tensio de polarizagao reversa, e, na figura abaixo, observe que a resisténcia ac (r,) vale apenas cerca de 1 0 em 100 mA, e aumenta para 100.0 em correntes menores do que 1 'mA (como esperado da discussdo das seges anteriores).20 —_Dispostivos Eletronicos ¢ Teoria de Circuits ie DIFFUSED SILICON PLANAR +125 V (MIN) @ 100 A (BAYT) a 1200 V (MIN) @ 100 pA (BA 129) DO-35 OUTLINE, ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Note 1) Tt “Temperatures Stoage Temperature Range 65°C 19 200°C i 8 Maximum Junction Operating Temperate +nse Lend Temperate 260°e Power Dissipation (Note 2) sean Maximum Total Power Dissipation at 25°C Ambient 500 mW — Linear Power Derating Factor (rom 23°C) aaamwre Maximum Voltage and Currents wiv Working Inverse Volage BAY73 lov BaI29 tov lo ‘Average Rectified Current 200mA Oo Le Sosa, > i Continuous Forvard Curent ana Eaton i Peak Repeitive Forward Curent cooma ‘noun Peak Forward Surge Curent ae gan Pulse width= 1s oA ar harbpranl Pulse With = 1 40a rae oeereaitge ELECTRICAL CHARACTERISTICS (25°C Ambient Temperature unless otherwise noted) BayTs [BA 129 8 c ST CONDITIONS svmpou| — cuaracreristic | 7BAVS—} BAL? | uners |e Ve} Forward Voge OAs | LO v oat | O98 v 078 | oss | 078 v oe9 | oso | 009 v ag7 | 075 v F 060 | 068: | 060 v Osi v gf Revere Corer 0 aA 30 aA to uA wo | A so | wa BV _[_ Breakdown Vonage Ts 200 v H ‘CF Capacitance oo vases WOM 1 Te Revere Recoveny Tine 0 | RIA, Y= IS R= 100 se C= 1OpFJAN 256, 2 Th a tay sie oni, Te cry abcd apps avn piso ow ayy pean Fig. 1.3 Caracteristicaseléica dos diodos daa tensio¢ baa fuga, Fairchild BAYT3-BA 129, (Cortesia da Fairchild Camera and Instrument Corporation. )* A corrente retificada média, corrente direta do pico repetiti- vo ea corrente direta de surto de pico, apresentadas na folha de especificagbes, so definidas a seguir: 1. Corrente retificada média. Um sinal retificado de meia onda (escrito na Segao 2.8) tem um valor definido por J, = 0,318, pay A cortente média nominal é menor do que as correntes cont ruas ou direta de pico repetitiva, pois uma corrente de meia onda tera valores instantaneos muito maiores do que o valor médio, Corrente diretade pico repetitiva. Este é 0 maximo valor ins- tantineo da corrente direta repetitiva. Observe que, uma vez, possuiindo este nivel por um breve period de tempo, seu va- Jor pode ser maior do que o nivel continuo. Corrente direta de surto de pico. Em perfodos durante 0 cchaveamento, mau funcionamento e assim por diante, existi- io correntes muito atas através do dispositivo, para interva- los muito curtos de tempo (que nao s30 repetitivos). Este pa- 505 temo ognas em ings condos nesta ur do fram aduidos porque o qu se acon ma psi no laboratce, so expiants em ings, Som ase exe {es Desjase com ino gue olor aostame ao eon ene gue le econ faa vida rofisional.(N do)4 — Corrente dteta— mA Ip — Corrente reversa— 0A, Diodos Semicondutores ‘CURVAS TIPICAS DE CARACTERISTICAS ELETRICAS ‘temperatura embeate de 29C, a menor que asinlado de ours forma exsho vinta versus Connayere vimeta vexsus caPAcrrANCHA vansus cOenCUNTE De REMPURSTORA TANGKO MEERA ec 500 4 1 i * 10 i i i 19) q & é ! ayo if é 01 0,01, 7 op oa OF OF Ta Os 1) TS 30 2s 30 Teno de — von To confit eempetea— nV ‘TENSAO REVERSA VERSUS ‘CORRENTE REVERSA 9s} oon] ‘CORRENTE REVERSA VERSUS (COEFICIENTE DE TEMPERATURA sk 1] —ma 100| Ip — Corrente reversa— 0A, Iy— Corrente die Olgas 3075100 as Vp — Tensio veversa — volts 1 “yas 5095100125150 T,— Temperatura ambiente —°C ‘CORRENTE RETIFICADA MEDIA E Seer cunvs ve amogio on rortNciA Sea Oca z : : ; : i a 2 3 ot é : E § ' i i | I 0. 0 = "92530 75 100125 150175200 025 50 75 1001251S0175200 T,—Temperat ambiente —-C ra — Temperatura ambiente —°C Fig. 1.36 Caracteristicas ds diodos de lta tensio Fairchild BAYT3-BA 129. (Coresia da Flreild Camera and Insiument Corporation.) 2122 Dispositivos Fletronicos e Teoria de Circuitos Cor Fig. 1.37 Capaciincia de transi edifesdo versus polarizago wo imetro define o valor maximo e o intervalo de tempo perm tido para estes surtos no nivel de corrente. Quanto mais se toma contato com as folhas de especificagdes, mais “amigaveis” elas se tora, especialmente quando o efeito de cada pparimetro éclaramente compreendido para a aplicago sob andlse. 1.10 CAPACITANCIA DE TRANSICAO E DIFUSAO Dispositivos eletrOnicos sio inerentemente sensfveis a freqiién- cias elevadas. Muitos efeitos capacitivos de derivagao podem set ignorados para freqiiéncias menores, pois 0 valor da reatncia X, /2 mfC é muito grande (circuito-aberto equivalente). Este efeito, entretanto, nao pode ser ignorado para freqiiéncias muito altas. X, tornar-se-4 suficientemente pequeno devido ao grande valor de f, que introduz um caminho de baixa reatincia. No dio- do semicondutor p-n, existem dois efeitos capacitivos a serem considerados. Ambos os tipos de capacitincia esto presentes nas regivies de polarizagio direta e reversa, mas uma excede a outta dependendo da regido de operacio considerada Na regido de polarizacdo reversa, temos a capacitdncia da regido de transigao ou de deplecao (C,), enquanto que na regido de polaricagao direta, temos a capacitincia de difusdo (C,) ou de acumulagéo. Lemibre-se de que a equagao biisica para a capaciténcia de um capacitor de placas paralelas € definida por C = eAVd, onde € € a pemnissividade do dielétrico (isolante) entre as placas de rea A, ¢- paradas por uma distincia d, Na regido de polatizagao reversa existe ‘uma regio de deplegao (livre de portadores) que se comporta essen- cialmente como um isolante entre as camadas de carga opostas. Uma vex que a largura de deplegio (d) aumentaré com a elevagao do po- tencial de polarizacao reverso, a capacitincia de transigdo resultante ddiminuird, conforme a Fig. 1.37. O fato de a capacitincia depender do potencial de polarizagao reverso empregado tem aplicacio em alguns sistemas eletronicos. De fato, no Cap. 20, um diodo ser in- troduzido com operagao totalmente dependente deste fendmeno, rout Gel. Fig. 1.38 toclusis do eleto du cspacitincia de tansigao ou difusdo no diodo semicondutor aplcada para um diodo de sii. Embora o efeito descrito acima também esteja presente na re- gio de polarizaco direta, ele ¢ ofuscado pelo efeito da capaci- tancia diretamente dependente da taxa em que a carga é injetada para as regides fora da regio de deplecdo. Em outras palavras, depende diretamente da corrente resultante do diodo. Niveis al- tos de corrente resultam em nfveis altos de capacitincia de difu- sio. Contudo niveis altos de corrente geram niveis reduzidos de resisténcia associada (a ser demonstrado breverente), € a cons- tante de tempo resultante (r= RC), que € muito importante em aplicagbes de alta velocidade, ndo se torna excessiva (5s efeitos capacitivos descritos acima sao representados por ‘um capacitor em paralelo com 0 diodo ideal, conforme mostra- do na Fig. 1.38. Para aplicagoes de baixa ou média frequéncia (exceto alta poténcia), entretanto, o capacitor nfo é normalmen- te inclufdo no simbolo que representa o diodo. 1.11 TEMPO DE REESTABELECIMENTO REVERSO Existem certos tipos de dados normalmente apresentados nas folhas de especificagées do diodo, fornecidas pelos fabrican- tes. Um parmetro ainda nao considerado € o tempo de reesta- belecimento reverso, denotado por 1. No estado de polari 0 direta, foi mostrado anteriormente que existe grande quan- {idade de elétrons do material tipo n avangando em diregao a0 ‘material tipo p e um grande niimero de buracos no tipo n — uma exigéncia para condugio. Os elétrons no tipo p e buracos avan- sgando em diregio ao material tipo n estabelecem um grande ni- mero de portadores minoritérios em cada material. Se a tensio aplicada fosse invertida para estabelecer uma situacZo de pola- rizagdo reversa, gostariamos de ver o diodo mudar instantanea- menie do estado de conducio para o estado de niio-conducao, Contudo, devido ao grande nimero de portadores minoritétios em cada material, o comportamento do diodo serd invertido con- forme mostrado na Fig. 1.39, e ficard neste nivel mensuravel no periodo de tempo f, (tempo de armazenamento) exigido para 0s portadores minoritérios voltarem a seu estado de portador majoritario no material oposto. Em resumo, o diodo mante 4 no estado de curto-circuito com uma corrente Ihoeru determi- nada pelos pardmetros do circuito. Eventualmente, quando esta fase de armazenamento tiver pasado, a corrente seré reduzida ao nivel associado com o estado de ndo-condugao. Este segun- do periodo de tempo é denotado por f, (intervalo de transicao). © tempo de reestabelecimenio reverso é a soma destes doisMudanga de estado (on off) exigi para ez Resposta deseada | pipe Fig. 1.39 Detinigo do tempo de reestabelecimento reves intervalos: 1, = 1, + t, Naturalmente, trata-se de uma impor- tante consideragtio nas aplicagdes de chaveamento de alta ve~ locidade. A maioria dos diodos de chaveamento disponiveis comercialmente tem um f,, na faixa de poucos nanossegundos até 1 ps. Entretanto ha elementos disponiveis com um 1,, de apenas poucas centenas de picossegundos (10-"). 1.12 NOTACAO DO DIODO SEMICONDUTOR ‘A notagdio mais freqiientemente utilizads para diodos semicon- dutores é fornecida na Fig. 140, Para grande parte dos diodos, a marcagdo de ur ponto ou trago, conforme mostrado na Fig. 1.40, aparece na extremidade do catodo. A terminologia anodo ¢ cato- {do éremanescente da notagio do tubo de vacuo. O anodo refere- se ao potencial mais alto ou positivo, eo catodo refere-se ao ter- minal de potencial mais baixo ou negativo. Esta combinacio de niveis de polarizagio resulta na condigd0 de polarizacao direta ou “ligada’ para 0 diodo. Alguns diodos semicondutores dispo- niveis comercialmente aparecem na Fig. 1.41. Alguns detalhes da construgo dos dispositivos, tais como os mostrados na Fig. 1.41, so fornecidos nos Caps. 12 e 20 1.13. VERIFICACAO DO DIODO A condigdo de um diodo semicondutor pode ser determinada rapidamente, utilizando-se (1) um medidor com display digital (MDD) com uma fungdo de teste do diodo, (2) a fungdo de ohmimetro de um multimetro, ou (3) um tragador de curva. | " 23 Diodos Semnicondutores Funcio de Teste do Diodo ‘Um medidor com display digital, com a alternativa de teste do diodo, aparece na Fig. 142. Observe o pequeno simbolo de dio- do como opeo, abaixo do seletor de fungdes/escala. Quando 0 seletoré colocado nesta posigio,¢ ligado como mostrado a Fig. 1143a, 0 diodo deve estar no estado “ligado” eo display forne 1 uma indicagio de tensio de polarizacio direa, tal como 0,67 V (para Si), O medidor tem uma fonte de corrente constantein- tema (em torno de 2. mA) que definiré o nivel de tensdo, como indicado na Fig. 1.43b. Uma indicagao OL realizando as cone~ xGes mostradas na Fig, 1 43a revela um diodo defeituoso aberto. Se as pontas de teste do medidor forem invertidas, uma indica- gio OL deve resultar, devido & equivaléncia de circuito-aberto para o diodo. Em geral, portanto, uma indicagao OL em ambus, as diregdes constitui uma indicagao de um diodo aberto ou de~ feituoso, Verificacao através do Ohmimetro Na Segao 1.7 encontramos que a resistencia de polarizao dire- ta de um diodo semicondutor € bem pequena comparada a0 ni vel encontrado para a polarizagao reversa. Logo, se medirmos a resisténcia de um diodo usando as conexdes indicadas na Fig 14a, podemos esperar um valor elativamente baixo. A indica- do resultante do ohmimetro seré fungi da corrente estabeleci- da através do diodo, pela bateria interna (geralmente 1,5 V) do ‘medidor. Quanto maior a corrente, menor 0 valor da resisténcia, Para asituagao de polarizagio reversa, a leitura deve ser bem alta, exigindo uma escala para medida de alta resistencia no medidor, conforme indicado na Fig. |.44b. Uma leitura de resistencia ele- ‘vada em ambas as diregbes indica obviamente um comportamento de circuito aberto (dispositive defeituoso), enquanto uma leitura de resisténcia muito baixa em ambas as diregOes iré indicar um dispositive provavelmente em curto-circuito. Tracador de Curva O tragador de curva da Fig. 1.45 pode apresentar as curvas ca- racteristicas de um grande nimero de dispositivos, incluindo 0 diodo semicondutor. Conectando-se corretamente 0 diodo no painel de teste, no centro da base da unidade. ¢ ajustando-se os controles, o display da Fig. 1.46 pode ser obtido. Observe que a escala vertical € | mAVdiy, resultando nos niveis indicados. Para o eixo horizontal, a escala é 100 mV/div, resultando nos niveis de tensio indicados. Para um nivel de 2 mA, como foi definido para um MDD, a tensiio resultante seria em tomo de | | (ow Kete ‘ I | Fig. L40 Notagio de diodo semicondutr.24 Dispositivos Fletronicos ¢ Teoria de Circuitos ) Fig. 1.1 Varios tpos de diodos de jungio (a) Coresia da Motorola Ine. ¢(b) €(e) Cortes da Intemational Reetifier Corporation.) 625 mV = 0,625 V. Embora o instrumento pareca inicialmen- te bem complexo, 0 manual de instrugdo e algum manuseio revelario que os resultados desejados podem muitas vezes ser Fg, 142 Medidor de display digital com capacidade de veriicar 0 estado do iodo. (Cortesia da Computrenies Technology In.) obtidos sem uma quantidade excessiva de esforgo e tempo. O mesmo instrumento aparecera em mais de uma ocasitio nos capitulos a seguir, & medida que investigarmos as caracteristi- cas dos varios dispositivos. 1.14 DIODOS ZENER A regio Zener da Fig. 1.47 foi discutida com alguns detalhes na Seco 1.6. A curva cai de uma forma quase vertical para um potencial de polarizacio reverso denotado por VO fato de a curva cair abaixo ¢ se distanciar do eixo horizontal, em vez. de para cima para a regio V, positiva, revela que a corrente na te~ ‘giZ0 Zener tem uma direg20 oposta aquela de um diodo polari- zado diretamente, Esta regio de caracteristica tinica ¢ empregada no projeto de iodo Zener cujo simbolo grafico aparece na Fig. 1.48a. Ambos (08 diodos, semicondutor e Zener, sio apresentados lado a lado na Fig. 1.48, para garantirem que 0 sentido de condugio de cada ‘Ip(ma) pos reat elSntcine| | tat | |e naan : a A Fig. 148 Verficagio do diodo no estado de polarizaso dire(Onmimeto) relaivamente Dato pass ane wttgn| | BR +t yt - Rrelatiramente ato ont ont ‘co ay ht » Fig. 144 Teste do diodo com um ohmimetro um foi muito bem compreendido, juntamente com a polaridade ida da tensio aplicada, Para 0 diodo semicondutor, no esta do “ligado” ir fluir uma corrente no sentido da seta. Para o dio- do Zener, o sentido de condugao é oposto ao da seta do simbolo, como salientado na introduc desta seco, Observe ainda que as polatidades de V, e V, silo as mesmas, e obtidas consideran- do-se que cada elemento é um elemento resistivo. A localizagao da regio Zener pode ser controlada variando- se 0s niveis de dopagem. Um aumento na dopagem, produzindo lum aumento no numero de impurezas adicionais, diminuiré o potencial Zener, Diodos Zener sio disponiveis, apresentando potenciais Zener de 1,8 a 200 V, com poténcia maxima de a 50 W, Devido a suas caracteristicas de temperatura e de corren- tc, osilfcio é geralmente utilizado na fabricagio de diodos Zener: O circuito completo equivalente do diodo Zener na regito Zener inclui uma pequena resistencia dinamica, e uma bateria de de valor igual ao potencial Zener, como mostrado na Fig. 1.49, ara todas as aplicagSes a seguir, contudo, devemos assumir como Fig. 148 Tragador de curva. (Coresia da Tektronix, Ine.) Diodas Semicondutores 25 10m T ma ma sma] ama 7 | fn { a ] anal 04 See WY IV O2v ON OAV OAV OV DTV OV OpY YY Fig. 1-46 Resposta do tagadr de curva para dodo de silico 14007 primeira aproximagtio que os resistores externos so muito mai- ‘ores em valor do que o resistor Zener equivalente, e que 0 circui- to equivalente € apenas aquele indicado na Fig. 1.49b. ‘Uma ampliagio da regidio Zener é dada na Fig. 1.50, permi- tindo a descrigio dos dados do diodo Zener que aparecem no Quadro 1.4 para um diodo IN961, Fairchild, 500-mW, 20%. 0 termo “nominal” associado com V, indica que ele € um valor médio tipico. Uma vez que este é um diodo 20%, aceita-se que o potencial Zener varie da maneira 10 V + 20%, ou de 8 a 12 V, para esta faixa de aplicagdo. Também disponiveis so os diodos de 10 a 5%, com as mesmias especificagdes. A corrente de teste _é a corrente definida pelo nivel de poténcia de +, ¢ Z,,€ a impedineia dinémica para este nivel de corrente. A impedancia ‘mixima ocorre para a corrente de joelho /,,. A corrente de satu- ratio reversa é fornecida para um nivel de potencial particular ¢ Jn €a.corrente maxima para as unidades cuja toleriincia é de 20%. (O coeficiente de temperatura reflete a variagdo percentual de V, com a temperatura, Ele € definido pela equacio PC (112) ig, 147 Andlise dae26 Dispositivos Eletronicos e Teoria de Circultos, ill "Ye Th ve! vo) 25 mA = Lox o © Fig. 1.48 Sentido de conde: a) diodo Zener: (by die semicondutor, ae | a — toy 320 3 | © Fie 149 Ci qlee Zr comple) roxna F150 Caceres deed ee Fai N36) QUADRO 1.4 Caracteristicas Eletricas (temperatura ambiente 25°C, a menos que outra seja observada) Vottagem Inpedincia —Impedancia Corrente Corrente Zener Corrente indica’ da Curva’ —-Reversa Tensto de Reguladora Coeficiente de Nominal de Teste. Maina = Mésima’—=« Maxima Teste=—=—-Méxima’ Temperatura Tipo v, I, Zyeml, — Zaetg —Lem¥, Vy ly Tipico Jedec Vy __ tm) "may ay (ky we) IN961 10 ns 8s. yoo 025 10 12 2 +0072 200 Impeddncia dintmica, Z,— (0) 1 M2or 00501 051 510 $0100 102 QF 1 2 8 1020 50 100 Corrente Zener, 1p —(0A) Corrente Zener, fp — (OA) Fig. 181 Caractristcas eléricas de um diodo Zener Fairculd $00 mW, (Cortesiada Fairchild » ‘Camera and Instrument Corporation)onde AV, é a variagio resultante no potencial Zener devido 2 ‘variacdo na temperatura, Observe na Fig. 1.51a que 0 coeficien te de temperatura pode ser positivo, negativo, ou até mesmo zero para diferentes niveis de tensdo Zener, Um valor positivo signi- fica aumento V, com um aumento na temperatura, enquanto um valor negativo resulta em decréscimo no valor de V, com aumento na temperatura. Os niveis 24-V, 68-V e 3,6-V referem-se aos trés diodos Zener que apresentam estes valores nominais dentro da familia de Zeners do 1N961. A curva para o Zener IN961 10 V situa-se obviamente entre as curvas dos dispositivos 6,8 Ve 24 V. Voltando a Eq, (1.12), Ty € a temperatura na qual V, é obtido (normalmente temperatura ambiente — 25°C) e T, 6 0 novo va- lor. O Exemplo 1.3 demonstrard o uso da Eq. (1.12), EXEMPLO 1.3 Determine a tensdo nominal de um diodo Zener Fairchild 1N961 do Quadro 14, em uma temperatura de 100°C. Solucao Da Eq. 1.12, Vz AY, T, ~ To) 2 = op ) A substituigo dos valores no Quadro 1.4 leva a (0.07210 V) AV, = Lovrc — 25°C) foot 25°C) = (0.007275) =0,54V € devido a0 coeficiente de temperatura positive, o novo poten- cial Zener, definido por V', é Vp = Vz + 0,54 V = 10,54 {A variagdo da impedancia dinamica (fundamentalmente, sua resisténcia em série) com a corrente aparece na Fig. 1.15. No- vamente, o Zener 10 V aparece entre os Zeners 6,8 V e 24 V. Observe que quanto mais intensa a corrente (ou quanto mais vertical a elevagio na Fig. 1.47), menor o valor da resisténcia, Observe também que & medida que vocé se desloca para abaixo do joetho da curva, a resistencia aumenta a niveis significativos. ‘A identificagio dos terminais e o encapsulamento para alguns diodos Zener aparecem na Fig. 1.52. A Fig. 1.53 € uma fotogra- fia real de varios dispositivos Zener. Observe que seu aspecto Fig. 1.2 Ideniicaglo dos terminais do Zener simolos. 27 Diodlos Semicondutores Fig. 1.3 Diodos Zener. (Contesia da Siemens Corporation.) muito semelhante ao diodo semicondutor. Algumas freas de aplicagio para o diodo Zener serdo examinadas no Cap. 2 1.15 DIODOS EMISSORES DE LUZ O uso crescente de displays digitais em calculadoras, rel6gios e todas as formas de instrumentaco contribuiu para o grande in- teresse atuall em estruturas que emitem luz quando devidamente polarizadas. Os dois tipos de uso comum, hoje em dia, que rea- lizam esta fungdo so os diodos emissores de luz (LED) ¢ 0 display de cristal liquido (LCD). Uma vez que 0 LED faz parte dda familia dos dispositivos de jungdo p-n, ¢ estaré em alguns dos circuitos dos proximos capitulos, ele sera introduzido neste ca~ pitulo, O display LCD descrito no Cap. 20. ‘Como o nome indica, o diodo emissor de luz (LED) é um diodo {que emite luz visfvel quando energizado. Em qualquer junga0 p-n polarizada diretamente, existe, dentro da estrutura e proximo prin- Bl (+) ¢ ) Fig. 1.62 Denominasdes do PSpice para «entrada do diodo no programa, na anilise de um eireuito, A especificacdo de um diodo em um circuito apresenta duas componentes. A primeira determina a localizacio ¢ 0 nome do modelo, ¢ a outra inclui os parimetros referidos acima, O for- ‘mato para definir a localizagao e 0 nome do modelo do diodo, para 0 diodo da Fig. 1.62 € o seguinte: DL nome do modelo Observe que um diodo é especificado pela letra maiiscula D no comego da linha, seguido pelo rotulo aplicado a0 diodo no esquema. A seqiiéncia de nés (pontos de conexio para 0 diodo) define o potencial em cada né ¢ a diregio de condugio do diodo da Fig. 1.62. Em outras palavras, a condugao € do né positivo para on6 negativo. O nome do modelo € 0 nome atribuido a descri- 40 do parimetro a seguir. O mesmo nome pode ser aplicado a Outros diodos no circuito, tais como D2, D3, e assim por diante Os parimetros so especificados usando-se uma expresso MODEL, que apresenta 0 seguinte formato para o diodo: nome 6, MODEL DI. DUS =2E-15) modelo nome do _especificagies do parémetro modelo A especificagao comeca com a entrada, MODEL, seguida pelo nome do modelo, como mostrado na descrigdo da localiza- ‘sao, e a letra maitiscula D para indicar que se trata de um diodo, AAs especificagdes do parimetro aparecem dentro de parénteses ‘e devem usar a notago recomendada pelo manual do PSpice. A corrente de saturago reversa ¢ listada como IS e tem o valor de 2X 10°" A. Este valor foi escolhido porque resulta em uma ten- io de diodo em tomo de 0,7 V, para niveis de corrente de diodo tipicamente encontrados nas aplicagdes discutidas do Cap. 2 Desta maneira, 0 computador e a andlise feita a mo apresenta- Flo resultados relativamente préximos. Embora s6 um pardme- tro tena sido especificado na listagem acima, a lista pode incluir todos 0s 10 mencionados no manual, Para todas as declarag&es, introduzidas acima, € muito importante seguir 0 formato como foi mostrado. A auséncia de um ponto antes de MODEL, ou a auséncia da letra D na mesma linha, invalidaré completamente a entrada, PSpice para Windows Quando se utiliza a verso do PSpice para Windows, 0 usuétio desenha o esquema do circuito na tela, em vez de defini-lo linha por linha usando nés de referéncia. Uma fonte para cada elemento deve, portanto, estar disponivel para permitir colocé-los na tela. Primeiro, deve-se criar uma tela esquemitica (seguindo um pro- cedimento que 0 ususrio deve conhecer), na qual seleciona-se a ‘opcao Draw a partir da barra de menu. Uma vez selecionada, parecer uma lista de opgdes onde se escolhe Get New Part,34 Dispositivos Eletrdnicos ¢ Teoria de Cireuitos ‘Uma caixa de didlogo aparecerd; selecione Browse que resulta- 4 na caixa de didlogo Get Part. Fscolha a biblioteca eval.sIb a partir da lista de bibliotecas, e entio role a lista Part até achar DIN4148. Quando clicado, Deseription revelaré que se trata de uum diodo. Clique OK e o simbolo do diodo iré aparecer na tela esquemitica. Depois de mover 0 diodo para a posicio desejada, tum clique adicional iri fixar 0 diodo e adicionar as designagdes D1 e DIN4148. Clicando-se 0 botdo direito do mouse, compl tamos a seqtléncia de entrada do diodo. Se os pardimetros do di cdo tiverem que ser modificados, basta clicar uma vez (e somente uma) no simbolo do diodo e entio clicar na opgio Edit da barra dde menu, Selecione Model e depois Edit Instance Model (uma vez que desejamos ajustar parimetros apenas para uma tinica aplicagio), aparecendo enti a caixa de didlogo Model Editor ‘com os parimetros do diodo. Na caixa de dilogo podem ser fei tasalteragdes no modelo do diodo para a aplicagio corrente, Sem a tela para visualizar, pode ser um tanto dificil acompanhar € compreender procedimento descrito acima. O melhor seria estabelecer 0 modelo a ser analisado, montar a tela e realizar as ‘operagées na ordem indicada, Sera apresentado no préximo ca- lo um circuito real, que nos auxiliard no processo de revisao. PROBLEMAS § 1.2 Diodo Ideal 1. Desereva com suas préprias palavraso significado da palavraide~ «al aplicada a um dispositivo ou sistema. Descteva com suas préprias palavras as caracteristicas do diodo ideal e como elas determinam os estados ligado e deslizado do ispositivo Isto descreva por que o curto-citeuitoecireuito-aber- to equivalente sao adequados. 3. Qual é4 diferenga importante entre as caractersticas de uma cha- ve simples as de um diodo ideal? § 1.3 Materiais Semicondutores 4, Com suas palavras, defina semicondutor, resistividade, resis cia bulk e resistencia 6lonica de contato. 5. (a) Usando 0 Quadro 1.1, determine a resistencia de uma amos- tra de silieio apresentando uma drea de 1 em? e um comp mento de 3 em. Repita letra (a) se ocomprimento for de | em ea drea4 em, (©) Repita a letra (a) se 0 comprimento for de 8 em e a rea 0.5 (@)_Repita a letra (a) para o cobre e compare os resultados. 6. Esboce aesirutura atémica do cobre e discuta por que ele é um bom ccondutor e de que forma sua estrutura 6 diferente da do germanioe do silico. 7. Defina, com suas palavras, um material intrinseco, um coeficiente de temperatura negativo e ligago covalente. 8, Pesquise e liste trés materiais que apresentem um coeficiente de temperatura negativo e rés que possuam um coeficiente de tem= peratura positive, ) § 14 Niveis de Energia 9. Qual é a energia em joules necesséria para mover uma curva de GC através de uma diferenga de potencial de 3 V? 10, Se48 eV de energia é necessério para mover uma carga através de ‘uma diferenga de potencial de 12 V, determine a carga envolvida 11. Pesquise e determine o nivel de E, para GaP e ZnS, dois materiais semicondutores wilizados na prtiea, Além diss, determine onome de cada material 21 2. 23 24. 25, 26 28. 29. 30. 31. 32. tt § 1.5 Materiais Extrinsecos — Tipos ne p Desereva a diferenga entre os materiais semicondutores tipo n & tipo p. Descreva a diferenca entre as impurezas doadoras ¢ aceitadoras Desereva a diferenga entre portadores majoritirio ¢ minoritiio. Esboce a estrutura atémica do silicioe insira uma impureza com= posta de arsénico, como demonstrado para o silicio na Fig. 1.9 Repita o Problema 15, mas insira agora uma impureza composta de indio, Pesquise e encontre uma outra explicagio para o fluxo de lacuna versus elétron, Usando ambas as descrigdes, apresente com suas palavras 0 processo da conduco de buraco, § 1.6 Diodo Semicondutor Desereva com suas palavras as condigdes estabelecidas pelas situ agbes de polarizagio direta e reversa em um diodo de jung30 p-n, fe como afetam a corrente resultante. [Descrevao que voeé sabe dos estados de polarizagio diretae reversa do diodo de jungao p-n. Isto €, tente lembrar-se de qual potencial {positivo ou negativo) éaplicado a um determinado terminal Usando a Eq, (1.4), determine a corrente de diodo a 20°C para um dodo de silicio com J, = 50 nA e uma polarizagao direta aplicada de 06 V. Repita o Problems 20 para T = 100°C (ponto de ebuligéo da 6gua). Assuma que /, aumentou para 5,0 1A. (a) Usando a Eq. (1.4), determine a corrente de diodo a 20°C para tum diodo de slfeio com /, = 0,1 A em um potencial de po- larizagao reversa de ~10'V. resultado & esperado? Por qué? Trace a fungi y = e*, com x de 0 a5. Qual é o valor de y = e*emx = 0? Baseado nos resultados da letra (b), por que o fator ~1 6 m= pportante na Ea, (1.4)? [Na regiao de polarizaglo reversa, a corrente de saturagio de um iodo de silfcio gira em torno de 0,1 wa (T = 20°C). Determine seu valor aproximado se a temperatura for aumentada para 40°C. ‘Compare as caracteristicas de um diodo de slicioc de germénio, © ‘determine qual vocé prefere para a maioria das aplicagdes prati- cas, Fornega detalhes, Consulte uma lista do fabricante, e compare as caracteristicas de um diodo de germanio e de silicio e que apre- sentem especificagbes semelhantes. Determine a queda de tensio direta através do diodo cujas caracte- risticas aparecem na Fig, 1.24, em temperaturas de ~75°C, 25°C, 100°C e 200°C, e uma corrente de 10 mA. Para cada temperatura, determine o nivel da corrente de saturagio. Compare as situagbes cextremas, e comente baseado na razao dos resultados obtidos para as dus situagdes. w) a @) © § LT Niveis de Resistencia Determine a resisténcia estética ou de do diodo da Fig. 1.19 para ‘uma corrente direta de 2 mA. Repita o Problema 26 para uma corrente direta de 15 mA compa eos resultados, Determine a resistncia estitica ou de do diodo da Fig. 1.19 para ‘uma tensdo reversa de —10 V. Seu valor € préximo ao resultado determinado para uma tensio reversa de ~30 V? (a) Determine a resistencia dinmica (ac) do diodo da Fig. para uma corrente direta de 10 mA, usando a Eg. (1.6). (b). Determine a resisténcia dindmica (ac) do diodo da Fig. para uma corrente deta de 10 mA, usando a Eq. (1.7). (©). Compare as solugses das letra (a) © (0). Calcule a resisténcia de ¢ ac para o diodo da Fig. 1.29 em uma, corrente de 10 mA, e compare os resultados. Usando a Eq, (1.6), determine aresisténcia ac para as correntes de I mA e 15 mA, do diodo da Fig. 1.29. Compare as solugdes ¢ de- 129 1.29fi 33. 34, 35, 36, 37. 938, 8 46, 41. 48, 49, senvolva uma conclusio geral que relacione a resistencia ac e os niveis erescentes de corrente de diodo. Usando a Eq, (1.7), determine a resisténcia ac para as corentes 1 mA e 15 mA. do diodo da Fig. 1.19. Modifique a equagao, se ne- ‘cessro, para njveis reduzidos dacorrente de diodo. Compare com {9s resultados obtidos no Problema 32. Determine a resisténcia ac média para 0 diodo da Fig. 1.19, paraa regio entre 0,6¢ 0.9 V. Determine a resistencia ac para 0 diodo da Fig. 1.19 em 0.75 Ve ‘compare com a resistencia ac média obtida no Problema 34, § 1.8 Circuitos Equivalentes de Diodo Encontre 0 circuito equivalente linear para o diodo da Fig. 1.19. Use um segmento de reta que intercepte o eixo horizontal em 0,7 Vee que melhor aproxime a curva para a regio acima de 0,7 V. Repita o Problema 36 para o diodo da Fig. 1.29. § 1.9 Folhas de Especificagao do Diodo Trace J, versus V, usando escala lineares para o diodo Fairchild di Fig. 1.36, Observe que o grtico apresentado emprega log para ‘oeixo vertical (escalas log sao abordadas nas Segbes 11.2 € 113). Comente sobre a variagio no nivel de capacitincia com aumento no potencial de polarizaco reverso para o diodo BAY73. A corrente de saturagio reversa do diodo BAYT3 varia significat- ‘Vamente em amplitude para potenciais de polarizagio reversos na faixa de ~25 Va ~100 V? Para o diodo da Fig. 1.36, determine o nivel de /, temperatura ambiente (25°C) e para o ponto de ebuligao da égua (100°C). A mudanga é signficativa? O nivel quase dobra para cada 10°C de ‘aumento na temperatura? Para o diodo da Fig. 1-36, determine a resisténcia ac (dinémica) ‘maxima para uma corrente deta de 0.1 mA, 1,5 mA.e20 mA. Com- pare os niveis¢ comente se os esultados confirmam as conclusdes ‘obtidas nas segGes anteriores deste capitulo, Usando as caracteristicas apresentadas na Fig. 1.36, determine os niveis de dissipagio de poténcia maxima para o diodo & tempera- ‘ura ambiente (25°C) ea 100°C. Assumindo que V, permanece fixo ‘em 0,7 V, como o valor méximo de , vasiou entre os dois niveis, de temperatura? Usando as curvas caracteristicas apresentadas na Fig. 1.36, deter mine a temperatura na qual a corrente de diodo teri SO% do seu valor & temperatura ambiente (25°C), § 1.10 Capacitancia de Transigao e Difusto (a) Referindo-se Fig. 1.37, determine a capacitincia de transi «0 para poténcias de polarizagao reversas de ~25 Ve ~ 10 \V. Determine a razdo entre a variaglo do valor de capacitin- cia e a variagdo na tensio. Repita a letra (a) para poténcias de polerizagio reversas de =10 Ve =I V. Determine a razdo entre a variagao do valor dda capacitincia e a variagdo no valor da tensdo. ‘Compare as razOes determinadas nas letras (a) (b). Baseado nisto, conelua qual faixa de operago permite maior aplica- fo na pratica? Referindo-se a Fig. 1.37, determine a capacitancia de difusdo para 000,25 V. Desereva com suas proprias palavras qual a diferenga entre as capacitincias de difusdo e transi ‘Determine a reatineia apresentada por um diodo, descrito pela curva cearacterstca da Fig. 1.37, para um potencial direto de 0,2 V e para ‘um potencal reverso de ~30 V, sea feqéncia aplicada for de 6 MH i) © § 1.11 Tempo de Reestabelecimento Reverso Esboce a forma de onda para a corrente i do circuit da Fig. 1.63, se , = 21,€0 tempo de reestabelecimento reverso total é de 9 ns. 35 Diodos Semicondutores — >} % loka Fig, 1.63 Problema 49. § 1.14 Diodos Zener '50, As seguintes caracteristicas so especificadas para um diodo Zener fem particular: V,= 29 V, V, = 168V, J, = 10mA, f,=20 pAe. 1,,= 40 mA. Esboce a curva caracterfstica da manera exposta na Fig. 1.50, [Em que temperatura o diodo Zener Fairchild IN961 10-V apresen- tard uma tensdo nominal de 10,75 V? (Sugestdo: Observe o dado ‘no Quadro 1.4.) 52, Determine o coeficiente de temperatura de um diodo Zener de 5 V {estimado em 25°C), se a tensdo nominal cai para 4.8 V em uma temperatura de 100°C, ‘Usando as curvas da Fig. 1.51a, que valor para o coeficiente de temperatura voce esperaria para um diodo de 20 V? Repita para um diodo de 5 V. Assuma uma escala linear entre os niveis de ten- ‘io nominal e um nfvel de corrente de 0,1 mA. Determine a impedincia dindmica para 0 diodo de 24 V com 1, 10 mA da Fig. 1.51b. Observe que € uma escala log. ‘Compare os niveis de impedincia dindmica para 0 diodo 24 V da Fig. 1.51b com os niveis de corrente de 0,2 mA, 1 mA e 10 mA. ‘Como os resultados influem no aspecto da curvacaracterstica nesta regio? 31. 3 34, ss. § 1.15 Diodos Emissores de Luz 56, Referindo-se Fig. 1.55e, 0 que parece ser um valor apropriado de V, para este dispositivo? Compare ao valor obtido de V, para 0 si- ligio e germanio. ‘Usando a informagio fornecida na Fig. 1,55, determine a tensdo direta através do diodo se a intensidade luminosa relativa for de 15. °58.(a) 3 Qual é o aumento percentual na eficiéncia relativa do dispo: sitivo da Fig. 1.55, se a cosrente de pico for aumentada de 5 para 10 mA? Repita a letra (a) quando varia de 30 para 35 mA (o mesmo ‘aumento na corrente). Compare o aumento percentual das letras (a) ¢(b). Em que ponto da curva voo8 apontaria um pequeno ganho devido a lum aumento na corrente de pico? Referindo-se & Fig. 1.55h, determine a corrente de pico mé- xima toleravel se 0 periodo de duraco do pulso for de I ms, 1 freqléncia de 300 Hz e a corrente de maxima tolerivel de 20mA. Repita a letra (a) para uma frequléncia de 100 He, Sea intensidade luminosa em um deslocamento angular de 0° for de 3,0 med para o dispositivo da Fig. 1.55, em que én- gulo sera 0.75 med? ara que fingulo a redugio da intensidade luminosa é maior do que 50%” "61. Esboce a curva de redueo de cortente para a corrente direta mé= dia do LED vermelho de alta eficigncia da Fig. 1.55 versus a tem- peratura. (Observe os valores maximos absolutes.) ) © #59.(@) o) 60. (a) © “beragio: Os aerscs indica os problemas mas iesCAPITULO Aplicacgées do Diodo 2.1 INTRODUCAO A construgio, as caracteristicas € 0s modelos de diodos semicondutores foram introduzidos no Cap. 1. O objetivo inici- al deste capitulo € desenvolver conhecimento suficiente do fun- cionamento do diodo em vérias configuragoes, utilizando mode- Jos apropriados para cada tipo de aplicagdo. Ao final do capitu- lo, o padrio fundamental de comportamento de diodos em cir- cuitos de e ac deve estar perfeitamente compreendido. Os con- ceitos aprendidos neste capitulo terio importincia significativa nos capitulos seguintes. Por exemplo, diodos sao freqientemen- te empregados na descrigio da fabricagdo de transistores ¢ na andlise, nos dominios de e ac, de circuitos que empregam tran- sistores. ‘0 contetido deste capitulo iré revelar um lado interessante € muito positivo do estudo de reas como dispositivos e sistemas cletrénicos —uma vez entendido o comportamento basico de um dispositivo, sua fungdo e resposta podem ser determinadas para uma variedade infinita de configuragdes. A faixa de aplicagdo nio tem limites, ainda que as caracteristicas e modelos permanegam (0s mesmos. A anilise desenvolvida serd desde a que emprega a caracteristica real do diodo até a que utiliza modelos aproxima- dos quase que exclusivamente. Toma-se importante que 0 papel © a resposta de varios elementos em um sistema eletrOnico se- jam entendidos sem que se tenha que recorrer continuamente & procedimentos mateméticos extensos. Isto € realizado pelo pro- cesso de aproximagao, o qual pode exigir muita habilidade. Embora os resultados obtidos utilizando as caracteristicas reais possam ser um pouco diferentes daqueles obtidos pela utiliza- 80 de varias aproximacées, tenha em mente que as préprias caracteristicas fomnecidas por uma folha de especiticagdes podem ser ligeiramente diversas das caracteristicas do dispositivo na prética. Em outras palavras, as caracteristicas de um diodo semicondutor IN4001 podem variar de um elemento para outro ‘em um mesmo lote. A variago pode ser pequena, mas ser qua- se sempre suficiente para validar a aproximagio empregada na andlise. Considere também 0s outros elementos do circuito: 0 resistor com valor nominal de 100.0 é exatamente de 100.02 A tensao aplicada é exatamente de 10 V, ou talvez de 10,08 V? ‘Todas estas tolerncias contribuem para a crenga geral de que uma resposta determinada por meio de um conjunto apropriado de aproximagdes pode normalmente ser “tio precisa” quanto aque- St me Ja que emprega todas as caracteristicas. Neste livro, a énfase € direcionada ao desenvolvimento de um conhecimento suficien- te de um dispositivo, através do uso de aproximagées apropria~ das, evitando, assim, um nivel desnecessério de complexidade ‘matemiética, Detalhes suficientes serio normalmente fornecidos, entretanto, para permitirem uma andlise matemaética detalhada, se desejada, 2.2 ANALISE POR RETA DE CARGA ‘A carga aplicada tera normalmente um impacto importante no pponto ou regio de operacio de um dispositivo. Se a andlise for feita de maneira gréfica, uma reta poder ser desenhada sobre a ‘curva caracteristica do dispositivo, representando a carga apli- cada, A intersegio da reta de carga com a curva caracteristica determinara o ponto de operagao do sistema. Tal andlise é cha- mada, por motivos Sbvios, andlise por reta de carga, Embora a maioria dos circuitos com diodos analisados neste capitulo nlio empregue a abordagem da reta de carga, a técnica é freqile mente utilizada nos capitulos subseqllentes, e esta introdugao presenta a aplicaco mais simples do método. Permite ainda uma validagao da técnica aproximada, descrita ao longo de todo restante deste capitulo. Considere 0 circuito da Fig. 2.1a, empregando um diodo que tem as caracteristicas da Fig. 2.1b. Nesta Fig. 2.1, note que a “pressio” estabelecida pela bateria tenta forgar uma corrente atra~ vvés do circuito no sentido horério. O fato de esta corrente ¢ 0 sentido de condugao do diodo estarem “casados” revela que © diodo esta no estado “ligado” ¢ a condugao foi estabelecida, A polaridade resultante através do diodo sera como mostrada ¢ © primeiro quadrante (V, € J, positivo) da Fig. 2.1b serd a regitio de interesse para polatizacao direta. ‘Aplicando a lei das tenses de Kirchhoff no circuito em série da Fig. 2.1, resulta em E-Vp~Ve=0 I ow + lok an As duas varidveis da Eq, (2.1) (V, ¢ Z,) siio as mesmas re~ presentadas pelos eixos coordenados da Fig. 2.1b, que mostraceo by >t BPE yet + + a RIV @ Joma) ° Vo) © Fig, 2.1 Configuragio série do dodo: (a circuit; (b) curva carutristica. ‘a curva caracteristica do diodo. Esta semelhanga permite tra- ‘gar graficamente a Eq, (2.1) sobre a curva caracteristica da Fig, 2.1b. AS intersegGes da reta de carga com a curva caracteristica do 4diodo podem ser facilmente determinadas empregando-se 0 fato ‘de que, em qualquer ponto do eixo horizontal, /, = 0 Ae de que, ‘em qualquer ponto do eixo vertical, V, = 0 V. Se atribuirmos V,, = 0 V na Eq, (2.1) € solucioné-la para I, temos o valor de /, no eixo vertical. Portanto, como V, = OV. a Bq, (2.1) torma-se am 0 Aplicacses do Diodo 37. E=Vo +R =0V+ bk Z) : Io* Rluyeov oo como mostrado na Fig. 2.2. Se arribuirmos 1, = 0.A na Eq, 2.1), ¢ solucioné-la para V,, temos 0 valor de V, no eixo horizontal Portanto, com /, = 0A, A Eq, (21) toma-se como mostrado E=Vp+IoR Vp + (0 AR 23) na Fig. 2.2. Uma linha reta tragada entre os dois pontos definiré areta de carga, desenhada na Fig. 2.2. Modifique o valor de R (a carga) e a intersegdo com 0 exo vertical modificar-se-&. O re~ sultado ser uma mudanga na inclinagao da reta de carga e um ponto de interseco diferente entre a reta de carga e a curva ca- racteristica do dispositivo. “Temos agora uma reta de carga definida pelo sistema e uma curva caracteristica definida pelo dispositivo. O ponto de inter- seciio entre as duas curvas representa o ponto de operacdo para este circuito, Desenhando simplesmente uma linha vertical até 0 eixo horizontal, a tensio do diodo Vp, pode ser determinada, cenquanto que uma linha horizontal do ponto de intersegao até o cixo vertical fomecerd o valor de Ip. A corrente I, é, na verda- de, a corrente que circula em toda a configuracao série na Fig. 2.1a. O ponto de operagio & normalmente chamado ponto quiescente (abreviado “pt Q”) para refletir suas qualidades de “imobilidade, inércia”, assim definidas para um circuito dc. A solugdo obtida pela intersecdo das duas curvas é a mesma {que seria obtida por uma solugio matemitica simultanea das Eas. Q.1)e (1.4) [1, = fet" = 1], Uma vez que acurva para um iodo possui caracteristicas ndo-lineares, a matemética envolvi- dda exigiria a utilizagao de téenicas nio-lineares que estao além dda necessidade e alcance deste livro. A andlise por reta de carga descrita acima fornece uma solugo com um minimo de esforgo ¢ prové uma descrigio “pictorial” do motivo pelo qual os valo- res da solugio para V,, € Ip, foram obtidos. Os préximos dois exemplos demonstrardo técnieas introduzidas acima e revelario 2 facilidade relativa com a qual a reta de carga pode ser determi- nada utilizando as Eqs. (2.2) e (2.3) e Yo= Elon Bama earners (Gps) Reta de carga (creito) Yo Fig, 2.2 Desenhando a reta de carga e determinando o ponte de opera,38 Dispositivos EletrOnicos e Teoria de Circuitos + wm = =e to + RQ1ED Vy YW) ® Fig. 23 (a Circuito: EXEMPLO 2.1 ara a configuragio série do diodo da Fig. 2.3a, e empregando as caracteristicas do diodo da Fig. 2.3b, determine: (@ Va, © In, OV. Solucao 10V ©) By 2.2): dp Riv-ov 1k Eq. 2.3): Vp = Bly-na = 10V ‘A reta de carga resultante aparece na Fig. 2.4. A intersegao entre areta de carga e a curva caracteristica define 0 ponto Q como Ip, = 9,25mA valor de V, € certamente uma estimativa, ¢ a preciso de 1, & limitada pela escala escolhida, Maior preciso exigiria um dia ‘grama muito maior e seria, provavelmente, impraticével. (9,25 mA)(T KO) = 9,25 V 0 V— 0,78 V= 9,22 V J ) caractristicas. A diferenga nos resultados é devida a preciso com a qual o gré- fico pode ser lido. Idealmente, os resultados obtidos em ambos (0s métodos deveria ser os mesmos. EXEMPLO 2.2 Repita a andlise do Exemplo 2.1 com R = 2 k0. Solucio ov a 2): Ip = Se = Sms Ora Riv-ov 2KO Eq. (2.3): Vo = Ely,-oa = 10V Avreta de carga resultante aparece na Fig. 2.5. Note que, quanto ‘maior o valor da carga, menor € a inclinagdo da reta e menor a corrente do diodo. O ponto @ resultante € definido por Vp, = 0,7 V Jo, = 456 mA. 4,6 mA)(2 KA) = 9.2 V 1WV-07V=93V (b) Ve com Ve Ink tye Hw Fig. 2.4 Solugio para o Exemplo 21.2 So7v Aplicagdes do Diodo 39) Fig. 25 Solugo do Exemplo 22. A diferenga nos valores é novamente devida & preciso com que © grafico pode ser lido. Certamente, entretanto, os resultados fornecem um valor esperado para a tensio V,. Como visto nos exemplos acima, a reta de carga é determinada unicamente pela configuracio empregada, enquanto que a curva caracteristica é definida pelo dispositivo escolhido. Se adotarmos agora 0 modelo aproximado para o diodo e nao alterarmos a confi- ‘guragao do sistema, a neta de carga serd exatamente a mesma obti- dda nos exemplos acima, Na realidade, os préximos dois exemplos repetem a andlise dos Exemplos 2.1 e 2.2, utilizando 0 modelo aproximado, permitindo, assim, uma comparacao dos resultados. EXEMPLO 2.3 Repita Exemplo 2.1, utilizando 0 modelo equivalente aprox mado para 0 diodo semicondutor de silicio. Solugao 2.6 com as mesmas inter~ segdes definidas no Exemplo 2.1. A curva caracteristica do cir- ccuito equivalente aproximado para o diodo também foi tragada no mesmo grafico. O ponto Q resultante: orgs 2s Sgt OTV Voy Ing 25 mA, (0s resultados obtidos no Exemplo 2.3 sdo extremamente inte- ressantes. O valorde Zp, € exatamente 0 mesmo obtido no Exem- plo 2.1, utlizando uma curva caracteristica muito mais ficil de desenhar do que a da Fig. 2.4. O valor de V, = 0,7 V € bastante diferente de 0,78 V do Exemplo 2.1; entretanto, se compararmos As outrastensdes do circuito, slo certamente valores aproximados.. EXEMPLO 2.4 Repita o Exemplo 2.2, utilizando 0 modelo equivalente aproxi- ‘mado para o diodo semicondutor de silicio. Solugao ‘Arreta de carga é redesenhada na Fig. 2.7 com as mesmas inter- segées definidas no Exemplo 2.2. A curva caracteristica do cir- cuito equivalente aproximado para 0 diodo também foi tragada no mesmo grfico. O ponto Q resultante: Voy = 0.7V Ip, = 4,6 mA, 56 7 8 9 10 ta Fig. 246 Solugo do Exemplo 21, utlizando 0 modelo aproximado do diode40 Dispositivos Eletronicos e Teoria de Circuitos In (ma) No Exemplo 24, 0s resultados obtidos tanto para Vp, como para Tq, 0 igus aos obtidos uilizando-se as caractersticas Complcias no Exemplo 2.2. Os exemplos acima demonstraram que os niveis de corrente ¢ tensao obtidos utilizando-se o mode- To apronimado foram bem proximos dos resultados encontrados Para 0s casos em que foram empregadas as caracteristicas com- pletas Isto sugere e ser aplicad nas segdes a seguir, ue 0 uso {be aproximagdes apropriadas pode produzirsolugies que sio muito préximas & resposta real, sem se preocupar muito em re- produzir apropriadamente as caracteristicas e excolher uma es- Cala Suficientemente grande. No prximo exemplo iremos um passo adiante e substituiremos o modelo ideal. Os resultados Fevelarao as condigdes que devem ser satisfetas para se aplicar 6 modelo equivalente adequadamente. EXEMPLO 2.5 Repita o Exemplo 2.1, utilizando 0 modelo ideal do diodo. Solucao Como mostrado na Fig. 2.8, a reta de carga continua sendo a ‘mesma, entretanto a curva caracteristica do diodo ideal intercepta 227 Solugio do Exemplo 2.2, tlzande o modelo aproximado do dodo. agora a reta de carga no eixo vertical. O ponto Q é definido, por- tanto, por Vp,=0V In, = 10 mA 0s resultados geram desconfianga quanto & preciso, pois sio muito diferentes dos encontrados no Exemplo 2.1. Certamente eles fornecem alguma indicagio dos valores de tense corrente para se- rem esperados relativos aos outros valores de tenso do circuito, mas ‘esforgo adicional de simplesmente incluira queda de 0,7 V sugere que a abordagem empregada no Exemplo 2.3 € mais adequada. ‘A utilizagao do modelo ideal do diodo deve, portanto, ser servada aos casos em que a fungo de um diodo € mais impor- tante do que nfveis de tenslo que diferem em dezenas de volts, © ‘nos casos em que as tensdes aplicadas sto consideravelmente maiores do que a tensio de limiar V,. Nas proximas segoes, 0 modelo aproximado seré empregado exclusivamente, pois os niveis de tensio obtidos serdo sensiveis a variagSes proximas de V,. Nas segdes posteriores, o modelo ideal seré empregado mais amitide, uma vez que as tensdes aplicadas serdo freqiientemente ‘muito maiores que V,¢, além disso, os autores desejam assegu- rar que a fungio do diodo seja entendida clara e corretamente. HM Fg. 2.8 Solugio do Exempla 2, uilizando © modelo ideal do diodo.he 2.3. APROXIMACOES PARA O DIODO Na sego 2.2, revelamos que os resultados obtidos utitizando 0 ‘modelo equivalente aproximado eram bem préximos, se no iguais, 0s resultados encontrados utilizando todas as caracteristicas do dodo. Na verdade, se levarmos em conta todas as possfveis varia- {g0es devido a tolerdncias, temperatura, ¢ assim por diante, certa- mente poderiamos considerar uma solugdo “tao precisa” quanto a coutra, Uma vez que a utilizagao do modelo aproximado normal- mente resulta em uma redugdo de esforgo e tempo para se obter os resultados desejados, esta seréa abordagem empregada neste livro, ‘menos que se especifique o contrério, Relembre o seguinte: 0 propésito principal deste livro é desenvolver um conhe- cimento geral do comportamento, capacidades, e possiveis reas de aplicagdo de um dispositivo de tal maneira que Aplicagbes do Diodo 41 minimize a necessidade de extensos desenvolvimentos ‘mateméticos. O modelo equivalente completo introduzido no Cap. 1 nao foi empregado na andlise por reta de carga porque r,.€ tipicamente ‘muito menor do que os outros elementos em série do cicuito. Se o valor de ., for proximo aos valores dos outros elementos em série do circuito, o modelo equivalente completo pode ser apli- cado da maneira descrita na Seco 2.2. ‘Como preparo para as andlises que esto por vir, o Quadro 2.1, foi desenvolvido para recordar as caracterfsticas importantes, ‘modelos e condi¢des de aplicacao para 0s modelos ideale apro- ‘ximado do diodo. Embora o diodo de silicio seja utilizado quase que exclusivamente, devido sobretudo as suas earacteristicas de temperatura, 0 diodo de germanio € ainda utilizado, e portanto {nclufdo no Quadro 2.1. Assim como 0 diodo de si QUADRO 2.1 Modelo de Diodos Semicondutores Ideal ¢ Apresinee + ory => — a oN oay Silo 7 is (E>Vr Ror) 4w—3—- > 0 NeY -e+ + Mr = + Ip=0A- roa Germénio Pere itt J + a a aay rs To (E>VR> ra) tw -E+ +¥r = => ‘n=O Ip=0A ee » Model ideal (Sion Ge) t +ov = + Vprov = oe 7 i €>VpR >) —|-~—_iai—-_ > - SF Ve -E+ +r \ ary Tp=0 TEOA42 Dispositivos Eletronicos ¢ Teoria de Circuits —r Si a — Ge @ © Fig. 29 (a) Notagdo do modelo aproximado;(b) notw0 do modelo ideal de germiinio é considerado um circuito aberto para tensdes abai- xo de V,, Este diodo entraré no estado “ligado” quando V, = V, 03. Nilo esquega de que 0,7 V e 0,3 V nos citcuitos equivalentes no so fontes independentes de energia. Estes valores de tensfio cxistem para simplesmente nos lembrar que hé um “prego a pa- gar”, quando se liga um diodo. Um diodo isolado em uma ban- cada de laboratério nfo indicara 0,7 V ou 0,3 V se um voltimetro for colocado entre 0s seus terminais. A queda de tensio no dio- do ocorrerd quando este estiver “ligado”, ¢ indica o nfvel de ten- tio minimo necessério para que a conducio seja estabelecida. ‘Nas proximas segdes, demonstraremos 0 impacto dos mode- Jos do Quadro 2.1 na analise de configuragdes de diodo. Nas si ‘wages em que o circuito equivalente aproximado for emprega~ do, 0 simbolo do diodo aparecer como mostrado na Fig. 2.94, para os diodos de silicio e germiinio. Se as condig&es sto tais que ‘© modelo ideal do diodo pode ser empregado, 0 simbolo do dio- do seré como mostrado na Fig. 2.9b. 2.4 CONFIGURACOES SERIE DE DIODOS COM ENTRADAS DC Nesta segdo, o modelo aproximado é utilizado para investigar configuragdes série de diodos com entradas de. O assunto esta~ belecers uma base na andlise do diodo, cuja abordagem ser fei ta nas segese capitulos seguintes. O procedimento descrito pode, na verdade, ser aplicado a circuitos com uma quantidade qual- quer de diodos e em virias configuragoes. Para cada configuragio, o estado de cada diodo deve seri cialmente determinado. Quais diodos esti “ligados” e quais esto “desligados”? Uma vez definidos, 0 equivalente apropriado que se estabeleceu na Segao 2.3 pode ser substitufdo, e os parime- tros restantes do circuito determinados. Em geral, wm diodo esté no estado “ligado” sea corrente estabelecida pelas fontes & tal que sua directo esté no ‘mesmo sentido que a seta do stmbolo do diodo, e V, = 0,7 V para o silicioe V, = 0,3 V para o germanio. Fig. 2.10 Configuragio sie do diodo, Fig. 2.11 Determinando o estado do diodo da Fig. 2.10. ara cada configuragfo, substitua mentalmente os diodos por elementos resistivos e note a diregdo resultante da corrente como sendo resultado das tenses aplicadas (“pressio”), Se a diregio resultante est no mesmo sentido que a seta do sfmbolo do dio- do, a condugao serd estabelecida através do diodo, ¢ 0 disposi vo esta no estado “ligado”, A descri¢ao acima depende, € obvio, de a fonte fornecer uma tensio maior do que a tensao do limiar (V,) de cada diodo, ‘Se um diodo esté no estado “ligado”, tanto se pode conside- rar uma queda de 0,7 V através do elemento, como. circuito pode ser redesenhado com o circuito equivalente mostrado no Quadro 2.1. Normalmente, a preferéneia serd incluir a queda de 0,7-V através de cada diodo “ligado”, e desenhar uma linha através de cada diodo no estado “destigado” ou aberto. Inicialmente, entre- tanto, o método de substituigao ser4 uilizado para assegurar que as tensdes apropriadas e os niveis de corrente estao determina- dos. (Ocircuito em série da Fig. 2.10, descrito com alguns detalhes na Segio 2.2, sera utilizado para demonstrar a abordagem des- crita nos pardgrafos acima. O estado do diodo € determinado primeiro substituindo-se mentalmente o diodo por um elemento resistivo, como mostrado na Fig. 2.11. A diregao resultante de 7 ‘esti “casada” com a seta do simbolo do diodo, e que E> V0 diodo est no estado “ligado”. O circuito &, portanto, redesenhado conforme Fig. 2.12, com 0 modelo equivalente apropriado para 0 diodo de silicio diretamente polarizado. Note que a polaridade de V, corresponderia & mesma polaridade se 0 diodo fosse um elemento resistivo. A tensio resultante e os valores de corrente so os seguintes: 4) Qs) 2.6) 2.12 Substtuindo pelo modelo equivalente 0 diodo “ligado” da Fig. 2.10Aplicages do Diodo 43; iii i ! : *8, eee 213 lnvertendo © diodo da Fi iodo da Fig. 2.13 Na Fig. 2.13 0 diodo da Fig. 2.10 foi invertido. A substiui- «0 do diodo por um elemento resistivo, como mostrado na Fig. 2.14, revela que o sentido da corrente nao esté de acordo com 0 simbolo do diodo. O diode esté no estado “desligado”, resultan- do no circuito equivalente da Fig. 2.15. Como 0 circuito esta aberto, acortente do diodo €0 A, e a tensio através do resistor R E a seguinte: Ve =JaR = IpR = (0 AR = 0 0 fato de V, = 0'V faz com que se estabelega E volts através do circuito aberto, assim definido pela ei das tensdes de Kirchhoff. ‘Tena sempre em mente que, sob quaisquer circunstncias — de, ac, valores instantaneos, pulsos ete. —, a lei das tensdes de Kirchhoff deve ser satisfeita! EXEMPLO 2.6 ara a configuragiio série com diodo da Fig. 2.16, determine V,, Viel» a > == HN, + * Paey n32210 ¥ a Fig, 2:16 Circuito do Exemplo 2.6. Solucao ‘Uma vez que a tensio aplicada estabelece uma corrente no sen- tido horério, de acordo com a seta do simbolo do diodo, 0 diodo 4 no estado “ligado EXEMPLO 2.7, Repita o Exemplo 2,6 com o diodo invertido. Fig, 14 Determinando © estado do Fig. 2.18 Substituindo pelo modelo ‘equivalente 0 diodo “desligado” da Fig. 2.13 Solugao Removendo 0 diodo, descobrimos que o sentido de I € oposto & seta do simbolo do diodo, eo equivalente do diodo € circuito- aberto, nfo importando 0 modelo empregado. O resultado € 0 circuito da Fig. 2.17, onde J, = 0 A devido ao circuito-aberto. 5a tonta $y2 7 ee=on : $20.0 Fig, 2.17 Determinundo a ineépitas do Exemplo 27 que V, = 1,R, V, = (O)R = OV. A aplicagao da lei das tenses de Kirchhoff na matha produ, E-Vo-Vs Ve=E 8v Vo=E Em particular, note no Exemplo 2.7 que, apesar de alta ten- so aplicada ao diodo, ele esté no estado “desligado”. A corrente € nula, mas a tensio é significativa. Como revisdo, tenha em mente, nas andlises a seguir, o seguinte: 1, Um circuito aberto pode ter qualquer valor de tensio através de seus terminais, entretanto a corrente é sempre zero, 2. Um curto-circuito possui 0 V em seus terminais, e a corrente € limitada somente pelo circuito restante. No proximo exemplo, a notagio da Fig. 2.18 seré empregada para a tenso aplicada, Esta notacao é comumente utilizada ¢ 0 Ieitor deve tomnar-se bastante familiarizado com ela. Tal notagio € outros niveis de tensto definidos sero abordados mais tarde no Cap. 4. E=+10Vo i =-5V0 - +e I wv ae Fi 8 Nova de ate44 Dispositives Eletronicos ¢ Teoria de Circuitos EXEMPLO 2.8 Para a configurago com diodo em série da Fig. 2.19, determine Vos Vs ly + MDH [eo Si + E= OSV 12kO Vp Fig. 219 Circuito em série com iodo do Exemplo 28. Solugao Embora a “pressfo” estabelega uma corrente com o mesmo sen- tido da seta do simbolo do diodo, o valor de tensdo aplicada € insuficiente para “ligar” o diodo de silfcio. O ponto de operagao 6 mostrado na Fig. 2.20, determinando o circuito-aberto como a aproximagio adequada. Os valores de tenslo e corrente resultan- tes so, portanto, os seguintes: =0A Ve = [eR = IpR = (0 ANL2KD=OV osv e Vp = Ib Fig. 2.20 Ponto de operagio com E = 0.5 V. EXEMPLO 2.9 Determine V, ¢ [, para o circuito em série da Fig. 2.21. fattest av: ve er sox Fig, 2.21 Circuito do Exernplo 29. Solugao ‘Uma abordagem similar aquela utilizada no Exemplo 2.6 reve- lard que a corrente resultante tem 0 mesmo sentido das setas dos simbolos de ambos os diodos, resultando no circuito da Fig. 2.22, pois E= 12 V > (0,7 V +03 V) = 1 V. Note a fonte redesenhada de 12 V e a polaridade de V, através do resistor de 5,6-kQ. A tensdo resultante Vp, ~ Vr, =12V-0.7V-03V=11¥ Ey CLV. 6 KD Te To O7V 03 + E i: 560 Vy Fig. 2.22 Determinando as inegnitas do Exemplo 29. 1,96 mA EXEMPLO 2.10 Determine J, Vp, ¢ V, para 0 circuito da Fig. 2.23. +2v v, ig. 2.23 Circuito do Exemplo 2.10, Solugao A remogaio dos diodos e a determinagao do sentido da corrente re- sultante /originam 0 circuito da Fig. 2.24. O sentido da corrente do diodo de silicio esté de acordo com o seu sentido de condugio, porém 0 mesmo nfo acontece como diodo de germanio. A combi- nagdo de um curto-circuito em série com um circuito-aberto resul- ta sempre em um circuito-aberto€ J, = 0 A, conforme a Fig. 2.25, ae ono RQ56KO v, ¥* Fig. 2.24 Determinando estado dos diodos da Fig, 2.23,i 56k V, Fig. 2.25 Substiuindo pelo estado equvalente 0 diode aberto Pelo que substituiremos 0 diodo de silicio & a questo que permanece. Para a anélise a seguir neste e nos proximos ca- pitulos, lembre-se simplesmente, para o diodo real, de que, ‘quando [, = 0A, V, = 0 V (¢ vice-versa), como descrito no Cap. 1 para a situagio em que nao hé polarizagao. As condi- ‘ges descritas por J, = 0 Ae Vp, = 0 V estdo indicadas na Fig. 2.26. e Vp, = =Rv A aplicagdo da lei das tensdes de Kirchhoff no sentido horério nos dé com EXEMPLO 2.11 Determine /, V;, Vs e V, para a configuragao em série de da Fig. 2.21. Fig, 2.27 Circuito do Exemplo 2.11 Aplicagdes do Diodo 45, Solugio As fontes sdo desenhadas, e o sentido da corrente é indicado na Fig. 2.28. O diodo est conduzindo, e a notagio da Fig. 2.29 incluida para indicar este estado, Note que 0 estado “ligado” s6 6 percebido porque V, = 0,7 V ¢ inclufdo na figura. Isto elimina Yo 2,2 ko | ey Fig. 2.28 Determinand 0 estado do diodo do circuito da Fig. 227 a necessidade de redesenhar 0 circuito, ¢ evita qualquer confu- so que poderia surgir com a presenga de outra fonte. Como mencionado na introducio desta seco, este talvez seja 0 méto- do utilizado por quem ja tem uma certa intimidade na anélise de cconfiguragdes com diodo. Posteriormente, toda andlise seré fei- ta com referéneia apenas ao circuito original. Lembre-se de que ty — +07V— 5 +* 4 ¥* 22 Denciion pn y 2 um diodo reversamente polarizado pode ser indicado simples- ‘mente por uma linha através do dispositivo. ‘A corrente resultante através do circuito & p= Hit B:- Vo _1OV45SY RR: 4.7k0 + = 2,07 mA, eas tensdes so V, = IR, = (2,07 mAYG4,7 kM) = 9,73 V Vz = IRy = (2,07 mA)(2,2 kM) = 4,55 V A aplicagdo da lei das tenses de Kirchhoff a malha de safda no sentido horério resulta em Ey +V—V,=0 © V, = V2 ~ B= 4,55 V —5 V = -0,45 V (O sinal de menos indica que V, tem uma polaridade oposta a que aparece na Fig. 2.27.46 —_Dispositivos Eletronicos ¢ Teoria de Circuitos 2.5 CONFIGURACOES PARALELA E SERIE-PARALELA (Os métodos aplicados na Segtio 2.4 podem ser estendidos & and lise de configuragdes paralela e série-paralela. Para cada aplica- a0, simplesmente adapte as etapas seqiienciais utilizadas nas configuragées série com diodo. EXEMPLO 2.12 Determine V,,\. fy € Ip, para a configuragio da Fig. 2.30. youn Fig. 2.30 Circuito do Exemplo 212. Solucao Para a tensio aplicada, a “press” da fonte estabelece uma cor- rente através de cada diodo com o mesmo sentido, conforme Fig. 2.31, Como o sentido da corrente resultante esta de acordo com a seta do simbolo de cada diodo, ¢ a tensio aplicada é maior do que 0,7 V, ambos os diodos esto conduzindo. A tensio através de elementos em paralelo é sempre a mesma e V,=0,7V +i = 4 b og3ka wV-o07V 0,33 KO ‘Assumindo que os diodos possuem caracteristicas semelhantes, temos = 28,18 mA A 2818 mA _ 14 09 ma 2 2 © Exemplo 2.12 demonstrou uma razo para colocarmos, diodos em paralelo. Se a corrente' méxima nominal dos diodos da Fig. 2.30 for apenas de 20 mA, uma corrente de 28,18 mA danificaria 0 dispositivo, se cada um deles aparecesse sozinho na Fig. 2.30. Colocando-se os dois em paraleto, a corrente fica o_o limitada a um valor seguro de 14,09 mA, com a mesma tensio nos terminais. EXEMPLO 2.13 Determine a corrente / para o circuito da Fig. 2.32. L + ok Bi=20V 22k B,24V ig. 2.32 Circuito do Exemplo 2.13, Solugao Redesenhando o circuito, como mostra a Fig. 2.33, verificamos ue 0 sentido de corrente resultante & tal que 0 diodo Dy man- tém-se ligado, e 0 diodo D, desligado. A corrente resultante /é, portanto, E\~E:—Vp _ 20V~4V~0.7V i R 2,2k0 6,95 mA, Fig. 2.38 Determinando as inodgnitas par creuito do Exemplo 2.13. EXEMPLO 2.14 Determine a tensao V, para 0 circuito da Fig. 2.34. ny si Ge 22ko Fig. 2.34 Citcuto do Exemplo 2.14hh Solugao Inicialmente, poder-se-ia imaginar que atensdo aplicada faria 0s dois diodos “conduzirem”. Entretanto, se ambos estivessem “li- zgados”, a queda de 0,7 V através do diodo de silicio no estaria de acordo com a queda de 0,3 V do diodo de germanio, uma vez que a tensio através de elementos em paralelo tem que ser a mesma, Na realidade, o que ocorre é que, quando ¢ ligada, a fon- te aumenta a tensio fornecida de 0 V @ 12 V em um certo perio- do de tempo — provavelmente milissegundos. No instante em que a tensio no diodo de germanio atinge 0,3 V, este passa a “conduzir”, ¢ mantém o valor da tensio em 0,3 V. O diodo de silfcio nunca teré, portanto, a oportunidade de conduzir, ja que em seus terminais nunca haveré a tensio de 0,7 V. Por isso, 0 diodo de silicio permanece no estado de circuito-aberto como mostra a Fig. 2.35. O resultado: V,=12V-0,3V=17V v iz ig Vp 03V 22k. Fig. 2.36 Determinande ¥, parao circuit da Fig. 2.34, EXEMPLO 2.15 Determine as correntes /},f;€ Ip, para o circuito da Fig. 2.36. si qh i a3ka 1, >t Dd SED 1 Re 7 he spa Fig. 2.36 Circuito do Exemplo 2.15, Solugao ‘A tenso aplicada (pressfo) € suficiente para ligar ambos os diodos, como se percebe pelos sentidos das correntes no circuito da Fig. 2,37. Note 0 uso de uma notacao abreviada para os diodos ‘ligados”, e que a solugao € obtida por meio de técnicas aplica- das aos circuitos de série-paralelo. Aplicages do Diodo 47 t 33k. pats ay + Fig. 2.37 Determinando as inosgnitas do Bxemplo 2.15 o7v 33k A aplicagio da lei das tensdes de Kirchhoff na malha indicada, no sentido hordtio, produz 0,212 mA. -Vi t+ E- Vr, Vi © V2 = E = Vz, ~ Vr, = 20V -0,7 V 0,7 V = 18,6 V 32 mA com No n6 inferior (a), In, th=h fy b= 3,32 mA ~ 0,212 mA eb, 3,108 mA 2.6 PORTAS E/OU ‘As ferramentas de andlise esto agora a nossa disposigio, ¢ a ‘oportunidade de estudar uma configuracao utitizada em compu- tadores demonstraré a faixa de aplicagio deste dispositivo rela- tivamente simples. Nossa andlise limitar-se-A a determinar os niveis de tenso e nio incluiré uma discussdo detalhada sobre Algebra booleana ou l6gicas positiva e negativa. 0 circuito a ser analisado no Exemplo 2.16 € uma porta ‘OU para l6gica positiva. Isto significa que 0 nivel 10 V da Fig. 2.38 corresponde a “1”, segundo a algebra booleana, fenguanto que a entrada de 0 V corresponde a “0”. Uma porta OR é tal que o nivel de tensdo de safda serd 1 se uma ow ambas as entradas forem 1. A saida é 0 se ambas as entradas estive- rem no nivel 0. si ) B=10v: TD si @ ov: ve arp48 Dispositives Eletronicos e Teoria de Circuitos ‘A anilise de portas E/OU torna-se muito mais fécl, uilizan- do-se 0 equivalente aproximado de um diodo em vez do modelo ‘deal, que podemos estipular que a tensao através do diodo deve ser 0.7 V (0,3 V para Ge) para que 0 diodo de silicio “conduza”. Em geral, a melhor técnica ¢ simplesmente estabelecer um sentimento sobre o estado dos diodos, observando o sentido e a “pressaio" estabelecidos pelos potenciais aplicados. A andlise ir, centio, confirmar ou negar as afirmagdes iniciais. EXEMPLO 2.16 Determine V, para o circuito da Fig, 2.38. Solucao Inicialmente, perceba que s6 hé um potencial aplicado; 10 V no terminal 1. O terminal 2 com uma entrada de 0 V esté aterrado, como mostra o circuito redesenhado da Fig. 2.39. A Figura 2.39 “sugere” que D, talvez esteja “ligado” devido aos 10 V aplica- os, enquanto D, com seu lado “positivo” a 0 V esteja provavel- mente “desligado”. Assumindo esses estados, teremos a confi- guraglo da Fig. 2.40. + ig, 2.39 Circuito redesenhado da Fig, 2.38, ‘A proxima etapa ¢ simplesmente verificar que no hé contra- digo em nossas afirmagées. Isto 6, observe que a polaridade atra- vés de D, € suficiente para ligé-lo, e que a polaridade através de D, omantém desligado. Para D,, 0 estado “ligado” estabelece V, em V, V, = 10V ~ 0,7 V = 9,3 V. Com 9,3 V no catodo (©) de D, € 0 Vino anodo (+), D, esté definitivamente no estado “desligado”. O sentido da corrente e 0 caminho resultante de conducao vém confirmar nossa suposicdo de que D, esteja con- Fig. 2.40 Estados assumidos para os diodos Fig, 2.38. a 7/2 na Fig, 2.43, a polaridade da tensio aplicada v tal que estabelece uma “pressio no sentido indicado e liga o diodo com a polaridade indicada. Substituindo pelo curto-circuito equivalente para 0 diodo ideal, resulta no cit- cuito equivalente da Fig. 2.44, onde é bem dbvio que 0 sinal de safda é uma réplica exata do sinal da entrada. Os dois terminais definindo a tensio de saida sio conectados diretamente ao sinal de entrada, via 0 curto-circuito produzido pelo diodo. Para o periodo 7/2 — T, a polaridade da entrada v, é mostrada na Fig. 2.45, ¢ a polaridade resultante através do diodo ideal pro- dduz um estado “destigado” com um circuito-aberto como mode- loequivalente. O resultado é a auséncia de um caminho para que as cargas fluam e V, = iR = (O)R = 0 V para o periodo 7/2 — T. A entrada v,e a saida v, foram tragadas juntas na Fig. 2.46 para ‘que possa haver uma comparagao. O sinal de safda v, tem agora uma érea resultante média determinada por Vic = 0.318V en 0 processo de ser remover metade do sinal de entrada para estabelecer um nivel dc é apropriadamente denominado rerifica- (edo de meia-onda, ig, 245 Regio de nio-condugdo (112 —> 7)50 _Dispestvos Eletronicos e Teoria de Circuits, Ocfeito de se utilizar um diodo de silicio com V, = 0,7 V est ‘demonstrado na Fig. 2.47 para a regido em que o diodo € direta- mente polarizado, O sinal aplicado deve, agora, ser de no mini- mo 0,7 V para que 0 diodo possa “ligar-se". Para valores de v, ‘menores do que 0,7 V, o diodo € ainda um circuito-aberto ev, = OV, como mostra a mesma figura. Quando em condugao, a dife- renga entre v, ev, € um valor fixo de V, = 0,7 Ve v, = v, ~ Vn como mostrado na figura. O efeito na pritica ¢ a redugdo da érea cima do eixo, que naturalmente reduz 0 nivel de tensao de re~ sultante, Para situagdes onde V,, >> V,, a equagdo 2.8 pode ser aplicada para determinar o valor médio com um relativo alto grau de precisio. Va (28) Na verdade, se V,, 6 suficientemente maior do que V,, em geral ‘a Eq. 2.7 6 utilizada como uma primeira aproximagao para V,. 0.318, — Vn) +H Orv Fig. 2.47 Efsito de V, no sina reificado de meia-onda. EXEMPLO 2.18 (@) Esboce a saida v, e determine o nivel de de safda para o cir- ccuito da Fig. 2.48. (b) Repitaoo item (a) para o caso em que o diodo ideal é substituido por um diodo de siicio. (c) Repita 0s itens (a) (b) para V,, = 200 V, e compare as solugdes, utlizando as Eqs. Nes) Solugao (a) Nesta situagdo, 0 diodo conduziré durante a parte negativa ddaentrada como mostra a Fig. 2.49, v, teréa forma mostra- dda na mesma figura Vag = 0,318Vq, = ~0,318(20 V) = ~6,36 V sinal negativo indica que a polaridade da tensao de safda posta a definida na Fig. 2.48, (b) Utilizando um diodo de silicio, a saida tem a forma da Fig, 2.506 Vig = =0,318(Vq, ~ 0,7 V) = -0,318(19,3 V) = -6,14 V ‘A queda resultante no nivel de € 0,22 V, ou aproximadamente 3.5%. (©) Eq. (2.7) )318V,, = —0,318(200 V) 63,6 V Va= Fig. 2.49 Saida v, resultant para 0 cieuito do Exemplo 2.1820V-07 V=193¥ ig. 2.50 Breit de V, no sinal de sada da Fig. 249, 0,318(Vq ~ Vr) = ),318(200 V — 0,7 V) (0,318)(199,3 V) = -63,38 V {que é uma diferenga que pode certamente ser desprezada para a ‘maioria das aplicagSes. Para o item c, a diferenga e queda na “amplitude devido a V, nao seria perceptivel em um oscilosespio tipico, se uma escala adequada fosse utilizada. Eq. (2.8); Vic TPI (TPR) ‘Atensio de pico inversa (TPL) [ou TPR (tensio de pico reversa)] ‘méxima é de suma importancia no projeto de sistemas de retfi- cagdo, Lembre-se de que a tensio maxima nominal do diodo nao deve ser ultrapassada na regio de polaridade reversa, ou 0 dio- do entraré na regitio de avalanche Zener. A TPI méxima permi- tida para o retificador de meia-onda pode ser determinada da Fig. 2.51, que mostra 6 diodo reversamente polarizado da Fig. 2.43 om uma tensio aplicada méxima. Aplicando a lei das tens6es, de Kirchhoff, tama-se dbvio que a TPL maxima do diodo deve jgualar-se ou set maior do que o Valor de pico da tensio aplica- da, Portanto 29) Aplicagoes do Diodo 51 2.8 RETIFICACAO DE ONDA COMPLETA Circuito Ponte CO nivel de obtido a partir de uma entrada senoidal pode ser melho- rado 100%, utilizando-se um processo chamado retficagdo de onda completa. O circuito mais usual empregado para realizar tal fun- {20 aparece na Fig. 2.52, com seus quatro diodos em uma configu- Tago em ponte. Durante o periodo de f = O até 7/2, apolaridade do sinal de entrada est mostrada na Fig. 2.53. As polaridades resul- tantes através dos diodos ideais sfo apresentadas também na Fig, 2.53, revelando que D, e D, esto conduzindo enquanto que D, € ‘D,estio no estado “‘desligado”. O resultado é a configuraco da Fig. 2.54, com sua corrente e polaridade através de R indicadas na Fi- gura, Uma ver. que os diodos sio ideais, a tensdo na carga ¥, = Vp como mostrado na mesma figura ara a regio negativa do sinal de entrada, os diodos D, € Dy estio conduzindo, resultando na configuragao da Fig. 2.55.0 resultado importante € que a polaridade através do resistor de carga R é a mesma da Fig. 2.53, estabelecendo um segundo pul- so positivo, conforme a Fig. 2.55. Ao longo de um ciclo com- pleto, as tensdes de entrada e safda sero da forma mostrada na Fig. 2.56. ig 2.53 Circuito da Fig, 2.52 para operiodo 0 > T72 do sinal de entra v, Vn Fig. 2.54 Camino de condugo para a regio posiiva dev,52 Dispositivos Elewonicos Teoria de Circuitos Fig, 2.56 Formas de ondas dos sinais de entrada e sada para um retificador de ‘onda completa ‘Como a rea acima do eixo para um ciclo completo é agora 0 dobro da ‘rea obtida por um retificador de meia-onda, 0 nivel de foi também dobrado Vc = 248g. 2,7) = 200,318V,,) ou Va. = 0,636V,, (2.10) cosa conte Se diodos de silfcio ao invés de diodos ideais fossem em- pregados como mostra a Fig. 2.57, a aplicagao da lei das ten- sdes de Kirchhoff ao longo do caminho de condugdo result riaem —Vra Vp = 0 e Ye = v7 Vr (O valor de pico da tensdo de safda V, €, portanto, Voss Ym — Vr ara situagdes onde V,, >> 2 V,,Eq. 2.11 pode ser aplicada para © valor médio com relativo alto grau de precisio. un Vgc = 0,636(Vq, ~ 2V7) Novamente, portanto, se V,, € bem maior do que 2V,, entdo a Eq 2.10 € normalmente aplicada como uma primeira aproximago para Vj. > eg Fig. 2.57 Determinando V_ para diodos de cio na configuragio em ponte TPL A TPI exigida para cada diodo (ideal) pode ser determinada dda Fig. 2.58, obtida no pico positivo do sinal de entrada. Para 0 loop indicado, a tensdo maxima através de R é V,,€ a TPI méxi- ma é definida por { tie v, 2.12) Fig. 2.58 Determinando a TP permitida para a configuragto em ponte. Transformador com Derivacao Central (Center Tap”) Um retificador de onda completa também popular aparece na Fig. 2.59 com dois diodos somente; entretanto, neste caso, hii a ne- cessidade de um transformador com derivacao central (center tap) para que o sinal de entrada aparega em cada sectio do secundério do transformador. Durante a porgao positiva de v; aplicado a0 primério do transformador, 0 circuito se comportaré como mos- tra a Fig. 2.60. D, assume o curto-circuito equivalente, e D, 0 Fig, 2.59 Retificador de onda completa, ulizando transformador center ap.Aplicagdes do Diodo 53 Fig, 2.61 Condigies do circuito para a regido negativa dey, circuito-aberto equivalente, determinados pelas tenses no secun- dario e pelos sentidos das correntes resultantes. A tensio de sa- {da aparece como mostra a Fig. 2.60. Durante a porgo negativa do sinal de entrada, o circuito com- porta-se como mostra a Fig. 2.61, invertendo as fungdes dos diodos, mas mantendo a mesma polaridade da tensio através do resistor de carga R. O efeito observado na pritica é a mesma sa- fda mostrada na Fig. 2.56, com os mesmos niveis de. TPL circuito da Fig, 2.62 nos auxiliaré a determinar a TPI para cada diodo neste retificador de onda completa, Aplicando a ten- s 1 ig. 2.62 Determinando valor da TPL para os diodos do retificador de onda completa com transformador CT. sao méxima no secundério, e V,, sendo determinada pelo loop adjacente, resulta em TPL = Vescuntiia + Ve Vn + Vm seacsormador CT ecard onda completa e 2.13) EXEMPLO 2.19 Determine a forma de onda de saida do circuito da Fig. 2.63, ¢ calcule o nivel de na safda e a TPI exigida para cada diodo, Fg, 2.63 Circuito em ponte do Exemplo 219, Solucio 0 circuito comportar-se-d como mostra a Fig. 2.64 para a regio positiva do sinal de entrada, Redesenhando o citcuito, resulta na configuragio da Fig. 2.65, onde v, = v/20u ¥,,, = (10 V2 = '5V, como mostra a Fig. 2.65. Para a parte negativa do sinal de entrada, as fungées dos diodos serio invertidas e v, sera como mostrado na Fig. 2.66 Fig. 2.64 Circuito da Fig. 2.63 para a egido posiiva dev54 Dispositivos Eletonicos e Teoria de Circuitos 24a Fig, 2.65 Circuito redesenhado da Fig, 2.64, Fg. 2.66 Safda resultante do Exemplo 2.19. O efeito da retirada de dois diodos da configuracao em ponte foi, portanto, para reduzir o nivel de disponivel ao seguinte valor: Vac = 0,636(5 V) = 3,18 V mesmo valor disponivel de um retificador de meia-onda com o mesmo sinal de entrada, Entretanto, a TPI, assim como foi de- terminada na Fig. 2.58, é igual & maxima tensio através de R, ‘que é5 V ou metade daquela exigida para um retificador de meia- ‘onda com a mesma entrada, 2.9 CEIFADORES ‘Ha uma variedade de circuitos com diodos chamados ceifadores* {que possuem a caracteristica de “ceifar” uma porgao do sinal de © as entrada, sem distorcer o restante da forma de onda alternada. © retificador de meia-onda da Seeao 2,7 € um exemplo da forma ‘ais simples de um ceifador com diodo — um resistor e diodo. Dependendo da orientagio do diodo, a regido positiva ou nega- tiva do sinal de entrada é “ceifada”. ‘Hi duas categorias gerais de ceifadores:sériee paralelo, A confi- _guragio série € definida como aquela que tem o diodo em série coma carga, enquanto a paralela tem o diodo em um ramo paralelo acarga. Serie A resposta da configuragio série da Fig. 2.67a para varias for- ‘mas de onda é fornecida na Fig. 2.67. Embora inicialmente in- troduzido como um retificador de meia-onda (para formas de onda senoidais), nao ha limite aos tipos de sinais que podem ser aplicados a um ceifador. A inclusdo de uma fonte de, mostrada na Fig. 2.68, pode ter um efeito pronunciado na saida de um ceifador. Nossa discussdo inicial seri limitada a diodos ideais, com o efeito de V, reservado a um exemplo na conclusto. ‘Nao ha um procedimento geral para a andlise de circuitos do tipo mostrado na Fig. 2.68, mas existem algumas idéias para se ter em mente que auxiliam na busca de uma solugao. 1. Imagine um esbogo da resposta do circuito baseado na diregdo do diodo e nos niveis de tensdo aplicados. Para o circuito da Fig. 2.68, a dirego do diodo sugere que 0 sinal v, deva ser positivo para ligé-lo, Além disso, a fonte dc exi- ‘ge que a tensio 1, seja maior do que V volts para ligar o diodo. A regio negativa do sinal de entrada esté “pressionando” o diodo para o estado “desligado”, apoiado pela presenga da fonte dc. Em zgeral, portanto, podemos estar bem certos de que 0 diodo com- porta-se como um citcuito-aberto (estado “desligado”) para a regido negativa do sinal de entrada. 2, Determine a tensdo aplicada (tensdo de transigdo) que causaré a mudanga de estado do diodo. Para 0 diodo ideal, a transigo entre os estados ocorreré no OV ei, =0A. A aplicagao da condigao i, = Fig. 2.67 Cellador svi NT: Os ees cefdore sh também sonbedos como liadoes de endo (ou de coment) selores de amplitude ou cortadore.Fig. 2.68 Ceifador série com uma font de. Ocm v, = 0 para o circuito da Fig. 2.68 resulta na configuragao dda Fig. 2.69, onde se sabe que o valor de v,que causaré uma tran- igo do estado & Vv 2.14) Fig. 29 Determinando 0 lvel de tansigdo para o citelto da Fig. 2.68. Para uma tensiio de entrada maior do que V volts, 0 diodo esta no estado de curto-circuito, enquanto que para tensGes de entra- dda menores do que V volts 0 diodo se encontra no estado de cir- cuito-aberto, ou “desligado” 3. Esteja sempre ciente dos terminais e da polaridade de v,, Quando 0 diodo esta no estado de curto-circuito, tal como mostra a Fig. 2.70, a tensio de saida v, pode ser determinada, aplicando-se a lei das tensdes de Kirchhoff no sentido horério wov ¥%_ = 0 (diregao CW) (2.15) Aplicagdes do Diodo 55. Fig. 2.71 Determinando valores dev, E, portanto, possfvel que a tensfio de saida sejatragada a par- tirde pontos de v,, como demonstra a Fig. 2.71. Tenha em mente que, em um valor instanténeo de v, a entrada pode ser conside- rada uma fonte de daquele valor e 0 correspondente valor de (0 valor instantineo) da safda determinado. Por exemplo, em ¥, Vn para o circuito da Fig. 2.68, oeircuito a ser analisado apare- cena Fig. 2.72. Para V,, > Vo diodo esté no estado de curto-ci cuito, ev, = Vq— V, Como mostra a Fig, 2.71 Em y, = V, 08 diodos mudam de estado, e em vj = — Vas Y= 0V,eacurva completa para v, pode ser tragada conforme a Fig. 273, '(diodos mudam de esto) lg 2.73 Tragando v.. Fig. 2.70 Deterninando v, 4, Pode ser itil tragar o sinal de entrada acima da saida, e determinar a saida a partir de valores instantaneos da entrada. EXEMPLO 2.20 Determine a forma da onda de safda para o circuito da Fig. 2.74. Solugao ‘Acexperiéncia passada sugere que 0 diodo estaré no estado “li- gado" para a regifio positiva de v, — especialmente quando con-56 DispostvosEletronicos e Teoria de Cicuitos ig, 2:74 Ceitaor série para o Exemplo 2.20. sideramos o efeito de V = 5 V. O circuito ficaré como mostra a v, + 5 V, Substituindo i = Oem v, = 0 para os , obtemos 0 citcuito da Fig. 2.76e v, = ~5V. Fig. 2.75 v, com o diodo no estado ligado 4 0V RY eR = LR =O)R=OV Fig, 2.76 Determinandoo nivel de ansigo para o clfador da Fig. 2.74 Para v, mais negativo do que ~5 V, 0 diodo entrara no sew estado de eircuito-aberto, enquanto que para tenses maiores do, que ~5 V o diodo esti no seu estado de curto-circuito, As ten- sbes de entrada ¢ saida aparecem na Fig. 2.77 Fig, 2.77 Traandov, do Exemplo 220. Aaanilise dos circuitos ceifadores tendo como entradas ondas ‘quadradas é, na realidade, mais facil de ser realizada do que com entradas senoidais, pois apenas dois niveis sao considerados. Em ‘outras palavras, ocircuito pode ser analisado como se tivesse dois niveis de na entrada, com a saida resultante v, determinada de forma apropriada. VesVesV EXEMPLO 2.21 Repita o Exemplo 2.20 para a onda quadrada, como entrada da Fig. 2.78. 10 V (0 > T?2), o resultado € 0 circuito da Fig. 2.79.0 diodo estd no estado de curto-circuito, ¢ v, = 20V + 5 V = 25 V. Para v, = —10 V 0 resultado € o circuito da Fig. 2.80, colo- cando 0 diodo no estado “destigado” e v, = i,R = (R= OV.A tensio de saida resultante aparece na Fig. 2.81 Fig. 2.79, com v,= +20. Fg. 2.80», com v,= ~10V. Fig. 2.81 Esbogand v, para o Exemplo 2.21, Note no Exemplo 2.21 que o ceifador nao somente cortao sinal em 5 V de sua excursio total como também aumenta o nivel de em5V.Aplicagdes do Diodo 57 Fig, 2.82 Respost 20 cstador pralelo, Paralelo O circuito da Fig. 2.82.6 a mais simples das configuragdes em paralelo com diodos, com a safda resultante para os mesmos si- nais de entrada da Fig. 2.67. A andlise das configuragées em paralelo é muito semelhante & utilizada em contiguragoes série, como demonstrado no proximo exemplo. EXEMPLO 2.22 Determine v,, para 0 circuito da Fig. 2.83. Solugao A polaridade da fonte de e a dirego do diodo sugerem fortemente {que o diodo estard no estado “ligado” para a regio negativa do sinal de entrada. Para esta regio, o circuito comporta-se-4 como mostra a Fig. 2.84, onde os terminais definidos para v, exigem quey, =V=4V. Fig, 284, para a regigo nogativa de estado de transigdio pode ser determinado da Fig. 2.85, onde a condigao i, = 0 A com v, = 0 V foi imposta. O resultado € v, (ransigao) = V = 4 V. ‘Uma vez que a fonte de esta obviamente “pressionando” 0 iodo a ficar no estado de curto-circuito, atensto de entrada deve ser maior do que 4 V para 0 diodo entrar no estado “desligado”. Qualquer valor de tensdo na entrada menor do que 4 V resulta «em um diodo no estado de curto-circuito, Para o estado de circuito-aberto, 0 citeuito comporta-se como mostra a Fig. 2.86, onde v, = v,.Completando 0 tragado de v, resulta na forma de onda da Fig. 2.87. ve=0V Fig. 2.86 Determinando pura ‘rex “desligado” do dodo EV nivel de tranigfo Fig, 287 Travan v, para o Exemplo 2.2258 Dispositivos Eletronicos ¢ Teoria de Circuitos Para examinar os efeitos de V, na tensdo de safda, 0 préximo exemplo especificaré um diodo de silicio ao invés de um diodo ideal equivalente, EXEMPLO 2.23 Repita o Exemplo 2.22, utilizando um diodo de silicio com V, ary. Solugio A tensio de transigao pode ser inicialmente determinada aplican- doa condicao i, = 0 Aem v, = V, = 0,7 V,¢ obtendo o circuito da Fig. 2.88, Aplicando a lei das tensdes de Kirchhoff na malha de saida no sentido horério, concluimos que wtVp-V=0 e yEV-Vp=4V-0.7V=33V tpeeR=UR=(O)R=OV 5 + ignOA + Vv: % i oY) Fig. 2.88 Determinundo o nivel de wansigo para ocircuito da Fg. 2.83, ara tenses de entrada maiores do que 3,3 V, 0 diodo com- portar-se-d como um circuito aberto, € v, = v,. Para tenses d entrada menores do que 3,3 V, 0 diodo estaré no estado “ligado’ e resulta no circuito da Fig. 2.89, onde V-07V=33V Ceifadores em Série Simples (Diodos ideais) Positive Fig. 2.89 Determinando , para 0 diodo dda Fig. 2.83 no estado "Tigado” A forma de onda resultante na safda aparece na Fig. 2.90. Note {que oefeito de V, foi somente abaixar o nivel de transigao de 4 V para 3,3 V. Fig. 2.90 Tragandov, para o Exemplo 2.23 Nio hi diivida de que a incluso dos efeitos de V, complica a andlise de alguma forma, mas uma vez compreendida a andlise com 0 diodo ideal, o procedimento para a solugao, incluindo os efeitos de V,, nao serd dificil Sumario ‘Varios ceifadores série ¢ paralelo com a safda resultante para a entrada senoidal sio mostrados na Fig. 2.91. Em particular, note a resposta da tiltima configuragio, com a caracteristica de remo- ‘ver uma secdo positiva e uma segaio negativa, determinada pela amplitude das fontes de. NEGATIVO = =¥) Fig. 291 Citcuitosceifadores,he Ceifadores Paralelos Simples (Diodos ideais) Aplicagses do Diodo 59 Fig, 291 Circuitoscifadores (cont) 2.10 GRAMPEADORES O circuito grampeador € aquele que “grampeia” o sinal em um nfvel de diferente. O circuito deve ter um capacitor, um diodo, e um elemento resistivo, mas pode-se empregar uma fonte de independente para introduzir um deslocamento adi- ional. O valor de Re C deve ser escolhido de maneira que a constante de tempo 7 = RC seja grande o suficiente para as segurar que a tensio através do capacitor nao descarregue sig nificativamente durante 0 intervalo em que 0 diodo nao est conduzindo. Durante toda a andlise, assumiremos que 0 capacitor se carrega ou descarrega completamente durante cinco constantes de tempo. circuito da Fig. 2.92 grampearé o sinal de entrada ao nivel zero (para diodos ideais). O resistor R pode ser 0 resistor de car- ‘za ou uma combinacio paralela do resistor de carga e um resistor projetado para fornecer valor desejado de R. oy Durante 0 intervalo 0 > 72, ocircuito comportar-se-d como ‘mostra a Fig. 2.93, com o diodo no estado efetivamente “Tiga- 40", “retirando”o efeito do resistor R. A constante de tempo RC resultante€ tio pequena (R determinado pela resisténcia ineren- te do circuito) que o capacitor se carregaré a V volts muito répi- do, Durante este intervalo, a tensio de safda esté diretamente através do curto-circuito e v, = 0V. Quando a entrada chaveia para o estado ~V, 0 cireuito com- porta-se como mostra a Fig. 2.94, com 0 circuito-aberto equiva Temte para © diodo determinado pelo sinal aplicado e a tensio armazenada através do capacitor — ambos “pressionando” a corrente através do diodo do catodo para o anodo. Agora que R esté de volta ao circuito, a constante de tempo determinada pelo produto RC € suficientemente grande paraestabelecer um perio~ do de descarga 5:muito maior do que o perfodo 7/2 T,¢ pode- se assumir que o capacitor mantém sua carga e, portanto, aten- Sho (ja que V = QIC) durante este perfodo. i pet v “oT t%) ky Fig. 2.92 Grampeador. Fig. 293 Diodo“ligado" eo capacitor catregando para V volt. Fig. 294 Determinando v,comodiodo “desligado