INFORME DE LABORATORIO ACERCA DEL TRANSISTOR

MOSFET
Universidad Nacional de Chimborazo
Facultad de Ingeniera en Electrnica y Telecomunicaciones.
V.E Andrade, Miembro de grupo, IEEE, A.P Paucar Miembro de grupo, IEEE, B.L Rodrguez, Miembro de grupo,
IEEE
Abstracto: Los transistores Mosfet constituyen un Semiconductor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect
elemento fundamental en multitud de aplicaciones los Transistor, MOSFET) se debe a la constitucin del propio
problemas que vienen presentando los transistores transistor.
bipolares o BJT, como son la corriente que soportan y la
dependencia de la temperatura a la que se ven sometidos,
unas veces por su emplazamiento, otras por un mal
trazado y la ms evidente, el efecto llamado de avalancha.
Estas evidencias, han llevado a que se sustituyan por otros
transistores ms avanzados, hasta la llegada de los
MOSFET.

Las ventajas que presentan este tipo de transistor, han

llevado a que ocupen un lugar importante dentro de la Ilustracin 1 Transistor Mosfet
industria, desplazando a los BJT a otros fines. Los
MOSFET de potencia son muy populares para LA ESTRUCTURA MOS.
aplicaciones de baja tensin, baja potencia y conmutacin
La estructura MOS est compuesta de dos terminales y tres
resistiva en altas frecuencias, como fuentes de
capas: Un Substrato de silicio, puro o poco dopado p o n,
alimentacin conmutadas, motores sin escobillas y
sobre el cual se genera una capa de Oxido de Silicio (SiO2)
aplicaciones como robtica, CNC y electrodomsticos
que, posee caractersticas dielctricas o aislantes, lo que
presenta una alta impedancia de entrada. Por ltimo, sobre
esta capa, se coloca una capa de Metal (Aluminio o
I. PALABRAS CLAVES
polisilicio), que posee caractersticas conductoras. En la parte
Mosfet, Polarizacin. inferior se coloca un contacto hmico, en contacto con la
capsula, como se ve en la figura.
II. INTRODUCCIN
Este es un transistor cuyo funcionamiento no se basa en
uniones PN, como el transistor bipolar, ya que en ste, el
movimiento de carga se produce exclusivamente por la
existencia de campos elctricos en el interior del dispositivo.
Este tipo de transistores se conocen como, efecto de campo
JFET (del ingls, Juntion Field Effect Transistor).

El transistor MOSFET, como veremos, est basado en la Ilustracin 2 Estructura MOS

estructura MOS. En los MOSFET de enriquecimiento, una
diferencia de tensin entre el electrodo de la Puerta y el
substrato induce un canal conductor entre los contactos de
Drenador y Surtidor, gracias al efecto de campo. El
trmino enriquecimiento hace referencia al incremento de la
conductividad elctrica debido a un aumento de la cantidad
de portadores de carga en la regin correspondiente al canal,
que tambin es conocida como la zona de inversin.
III. FUNDAMENTOS TERICOS
Transistor Mosfet
Un MOSFET es un dispositivo semiconductor utilizado para
la conmutacin y amplificacin de seales. El nombre
completo, Transistor de Efecto de Campo de Metal-xido-
La estructura MOS, acta como un condensador de placas
paralelas en el que G y B son las placas y el xido, el aislante.
De este modo, cuando VGB=0, la carga acumulada es cero y
la distribucin de portadores es aleatoria y se corresponde al
estado de equilibrio en el semiconductor.
Cuando VGB>0, aparece un campo elctrico entre los
terminales de Puerta y substrato. La regin
semiconductora p responde creando una regin de
empobrecimiento de cargas libres p+ (zona de deplexin), al
igual que ocurriera en la regin P de una unin PN cuando
estaba polarizada negativamente. Esta regin de iones
negativos, se incrementa con VGB.
Al llegar a la regin de VGB, los iones presentes en la zona muy rica en electrones, denominada canal N, que permite el
semiconductora de empobrecimiento, no pueden compensar paso de corriente de la Fuente al Drenador.
el campo elctrico y se provoca la acumulacin de cargas
Cuanto mayor sea la tensin de Puerta (Gate) mayor ser el
negativas libres (e) atrados por el terminal positivo. Se dice
campo elctrico y, por tanto, la carga en el canal. Una vez
entonces que la estructura ha pasado de estar en inversin
creado el canal, la corriente se origina, aplicando una tensin
dbil a inversin fuerte.
positiva en el Drenador (Drain) respecto a la tensin de la
El proceso de inversin se identifica con el cambio de Fuente (Source).
polaridad del substrato, debajo de la regin de Puerta.
En un MOSFET tipo P, el funcionamiento es a la inversa, ya
En inversin fuerte, se forma as un CANAL de e libres, en
que los portadores son huecos (cargas de valor positivas, el
las proximidades del terminal de Puerta (Gate) y de
mdulo de la carga del electrn). En este caso, para que exista
huecos p+ en el extremo de la Puerta.
conduccin el campo elctrico perpendicular a la superficie
La intensidad de Puerta IG, es cero puesto que, en continua debe tener sentido opuesto al del MOSFET tipo N, por lo que
se comporta como un condensador (GB). Por lo tanto, la tensin aplicada ha de ser negativa. Ahora, los huecos son
podemos decir que, la impedancia desde la Puerta al substrato atrados hacia la superficie bajo la capa de xido, y los
es prcticamente infinita e IG=0 siempre en esttica. electrones repelidos hacia el sustrato. Si la superficie es muy
Bsicamente, la estructura MOS permite crear una densidad rica en huecos se forma el canal P. Cuanto ms negativa sea
de portadores libres suficiente para sustentar una corriente la tensin de puerta mayor puede ser la corriente (ms huecos
elctrica. en el canal P), corriente que se establece al aplicar al terminal
de Drenador una tensin negativa respecto al terminal de
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO DE CANAL N.
Fuente. La corriente tiene sentido opuesto a la de un
Bajo el terminal de Puerta existe una capa de xido (SiO2) MOSFET tipo N.
que impide prcticamente el paso de corriente a su travs; por
lo que, el control de puerta se establece en forma de tensin.
La calidad y estabilidad con que es posible fabricar estas finas
capas de xido es la principal causa del xito alcanzado con
este transistor, siendo actualmente el dispositivo ms
utilizado.

Adems, este transistor ocupa un menor volumen que el BJT,

lo que permite una mayor densidad de integracin.
Comencemos con la estructura bsica del MOSFET, seguido
de sus smbolos.

Se trata de una estructura MOS, de cuatro terminales, en la

que el substrato semiconductor es de tipo p poco dopado. A
ambos lados de la interfase Oxido-Semiconductor se han
practicado difusiones de material n, fuertemente dopado (n+).

Ilustracin 3 Estructura MOSFET de canal N

Ilustracin 4 Funcionamiento MOSFET

Cuando se aplica una tensin positiva al terminal de puerta de
un MOSFET de tipo N, se crea un campo elctrico bajo la
capa de xido que incide perpendicularmente sobre la
superficie del semiconductor P. Este campo, atrae a
los electrones hacia la superficie, bajo la capa de xido,
repeliendo los huecos hacia el sustrato. Si el campo elctrico
es muy intenso se logra crear en dicha superficie una regin
Si con tensin de Puerta nula no existe canal, el transistor se
denomina de acumulacin; y de vaciamiento en caso
contrario. Mientras que la tensin de Puerta a partir de la cual
se produce canal, se conoce como tensin umbral, VT. El
terminal de sustrato sirve para controlar la tensin umbral del
transistor, y normalmente su tensin es la misma que la de la
Fuente.
El transistor MOS es simtrico: los terminales de Fuente y
Drenador son intercambiables entre s. En el MOSFET tipo N
el terminal de mayor tensin acta de Drenador (recoge los
electrones), siendo el de menor tensin en el tipo P (recoge
los huecos). A modo de resumen, la figura anterior, muestra
el funcionamiento de un transistor MOS tipo N de
enriquecimiento.
El smbolo ms utilizado para su representacin a nivel de
circuito se muestra en la figura siguiente. La flecha en el
terminal de Fuente (Gate) nos informa sobre el sentido de la
corriente.
Ilustracin 5 Simbologia MOSFET
En la estructura MOS de la siguiente figura, aparecen diversas
fuentes de tensin polarizando los distintos terminales: VGS,
VDS. Los terminales de substrato (B) y Fuente (S) se han
conectado a GND. De este modo, VSB=0 (tensin Surtidor-
sustrato=0) , se dice que no existe efecto substrato.
Ilustracin 6 Estructura MOS polarizada
Segn los valores que tome la tensin VGS, se pueden
considerar tres casos:
1) VGS=0. Esta condicin implica que VGS=0, puesto que
VSB=0. En estas condiciones, no existe efecto campo y no se
crea el canal de e, debajo de la Puerta. Las dos estructuras
PN se encuentran cortadas (B al terminal ms negativo) y
aisladas. IDS=0 aproximadamente, pues se alimenta de las
intensidades inversas de saturacin.
2) La tensin VGS>0, se crea la zona de empobrecimiento o
deplexin en el canal. Se genera una carga elctrica
negativa e en el canal, debido a los iones negativos de la red
cristalina (similar al de una unin PN polarizada en la regin
inversa), dando lugar a la situacin de inversin dbil
anteriormente citada. La aplicacin de un campo elctrico
lateral VDS>0, no puede generar corriente elctrica IDS.
3) La tensin VGS>>0, da lugar a la inversin del canal y
genera una poblacin de e libres, debajo del xido de Puerta
y p+ al fondo del substrato. Se forma el CANAL N o canal de
electrones, entre el Drenador y la Fuente (tipo n+) que,
modifica las caractersticas elctricas originales del sustrato.
Estos electrones, son cargas libres, de modo que, en presencia
de un campo elctrico lateral, podran verse acelerados hacia
Drenador o Surtidor. Sin embargo, existe un valor mnimo de
VGS para que el nmero de electrones, sea suficiente para
alimentar esa corriente, es VT, denominada TENSIN
UMBRAL (en algunos tratados se denomina VTH).
Por lo tanto, se pueden diferenciar dos zonas de operacin
para valores de VGS positivos:
Si VGS< VT la intensidad IDS=0 (en realidad slo es
aproximadamente cero) y decimos que el transistor opera
en inversin dbil. En ella, las corrientes son muy pequeas y
su utilizacin se enmarca en contextos de muy bajo consumo
de potencia. Se considerar que la corriente es siempre cero.
De otro lado;
Si VGS>=VT, entonces IDS es distinto de cero, si VDS es
no nulo. Se dice que el transistor opera en inversin fuerte.
Cuanto mayor sea el valor de VGS, mayor ser la
concentracin de cargas libres en el canal y por tanto, ser
superior la corriente IDS.
REGIONES DE OPERACIN.
Cuando ya existe canal inducido y VDS va aumentando, el
canal se contrae en el lado del Drenador, ya que la diferencia
de potencial Puerta-canal es en ese punto, ms baja y la zona
de transicin ms ancha. Es decir, siempre que exista canal
estaremos en regin hmica y el dispositivo presentar baja
resistencia.
Ilustracin 7 Regiones de Operacin
La operacin de un transistor MOSFET se puede dividir en
tres regiones de operacin diferentes, dependiendo de las
tensiones en sus terminales. Para un transistor MOSFET N de
enriquecimiento se tienen las siguientes regiones: regin de
corte, regin hmica y regin de saturacin.
REGIN DE CORTE.
El transistor estar en esta regin, cuando VGS < Vt. En estas
condiciones el transistor MOSFET, equivale elctricamente a
un circuito abierto, entre los terminales del Drenador-
Surtidor. De acuerdo con el modelo bsico del transistor, en
esta regin, el dispositivo se encuentra apagado. No hay
conduccin entre Drenador y Surtidor, de modo que el
MOSFET se comporta como un interruptor abierto.
REGIN HMICA.
Cuando un MOSFET est polarizado en la regin hmica, el
valor de RDS (on) viene dado por la expresin:
VDS (on) = ID(on) x RDS(on)
En casi todas las hojas de datos, asocian el valor de RDS(on) a
una corriente de Drenaje (ID) especfica y el voltaje Puerta-
Surtidor.
As mismo, el transistor estar en la regin hmica, cual, impide el paso de corriente de Puerta, tanto para
cuando VGS > Vt y VDS < ( VGS Vt ).
El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada
entre el Drenador y Surtidor. El valor de esta resistencia vara
dependiendo del valor que tenga la tensin entre la Puerta y
el Surtidor (VGS).
REGIN DE SATURACIN.
El transistor MOSFET entra en esta zona de funcionamiento
cuando la tensin entre el Drenador y el Surtidor (VDS)
supera un valor fijo denominado tensin de saturacin (Vds
sat) Drenador-Surtidor; este valor viene determinado en las
hojas caractersticas proporcionadas por el fabricante. En esta
zona, el MOSFET mantiene constante su corriente de
Drenador (ID), independientemente del valor de tensin que
haya entre el Drenador y el Surtidor (VDS). Por lo tanto, el
transistor equivale a un generador de corriente continua de
valor ID.
Es decir; el MOSFET estar en esta regin, cuando VGS >
Vt y VDS > ( VGS Vt ).
Cuando la tensin entre Drenador y Fuente supera cierto
lmite, el canal de conduccin, bajo la Puerta sufre un
estrangulamiento en las cercanas del Drenador y desaparece.
La corriente entre Fuente y Drenador no se interrumpe, es
debido al campo elctrico entre ambos, pero se hace
independiente de la diferencia de potencial entre ambos
terminales.
Ilustracin 8 Funcionamiento MOSFET
En la ilustracin anterior, la parte casi vertical corresponde a
la zona hmica, y la parte casi horizontal corresponde a la
zona activa. El MOSFET de enriquecimiento, puede
funcionar en cualquiera de ellas. En otras palabras, puede
actuar como una resistencia o como una fuente de corriente.
El uso principal est en la zona hmica.
REGIN DE RUPTURA.
Esta zona apenas se utiliza porque el transistor MOSFET
pierde sus propiedades semiconductoras y se puede llegar a
romper el componente fsico. La palabra ruptura hace
referencia a que se rompe la unin semiconductora de la parte
del terminal del drenador.
Mxima Tensin Puerta-Fuente. La delgada capa de
dixido de silicio en el MOSFET funciona como aislante, el
tensiones de Puerta negativas como positivas. Muchos
MOSFET estn protegidos con diodos zener internos, en
paralelo con la Puerta y la Fuente. La tensin del zener, es
menor que la tensin Puerta-Fuente que soporta el MOSFET
VGS(Max).
Zona hmica. El MOSFET es un dispositivo de
conmutacin, por lo que evitaremos, en lo posible, polarizarlo
en la zona activa. La tensin de entrada tpica tomar un valor
bajo o alto. La tensin baja es 0 V, y la tensin alta es
VGS(on), especificado en hojas de caractersticas.
Drenador-Fuente en resistencia. Cuando un MOSFET de
enriquecimiento se polariza en la zona activa, es equivalente
a una resistencia de RDS(on), especificada en hojas de
caractersticas. En la curva caracterstica existe un punto
Qtest en la zona hmica. En este punto, ID(on) y
VDS(on) estn determinados, con los cuales se calcula
RDS(on).
POLARIZACIN DE MOSFET.
Los circuitos de polarizacin tpicos para MOSFET
enriquecido, son similares al circuito de polarizacin utilizada
para JFET. La principal diferencia entre ambos es el hecho de
que el MOSFET de enriquecimiento tpico slo permite
puntos de funcionamiento con valor positivo de VGS para
canal n y valor negativo de VGS para el canal p. Para tener
un valor positivo de VGS de canal n y el valor negativo de
VGS de canal p, es adecuado un circuito de auto polarizacin.
Por lo tanto hablamos de recorte de realimentacin y circuito
divisor de tensin para mejorar el tipo MOSFET.
REALIMENTACIN, CIRCUITO DE
POLARIZACIN.
La siguiente figura, muestra el circuito de polarizacin con
realimentacin tpico para MOSFET canal n de
enriquecimiento.
Ilustracin 9 Polarizacin MOSFET
 VI. RESULTADOS
Para el anlisis en corriente continua, podemos reemplazar el Datos Obtenidos
condensador de acoplamiento por circuitos abiertos y tambin
reemplazar el resistor RG por su equivalente en corto circuito, DATOS FIJOS
ya que IG = 0. IS 3,21 mA VDS 2,76 V
ID 3,37 mA VGS 0,57 V
La ilustracin, tambin muestra, el circuito simplificado, para IG 0 VGD 2,39 V
el anlisis con recorte de realimentacin CC. Como los
terminales de Drenaje y Puerta estn en cortocircuito. Tabla 2. Datos Obtenidos

IV. MATERIALES UTILIZADOS VGS VDS(V) ID

tem Cantidad Material Descripcin -0,5 0,72 mA
0 -1 8,4 mA
1 1 Transistor 304
Mosfet -2 9,7 mA
2 Resistores Conjunto de -3 10,2 mA
Tabla 3. Datos Obtenidos
resistencias a
partir del rango
VGS VDS ID
de K
-0,5 3,5 mA
-1 -1 5,4 mA
3 1 Potencimetro 10k
-2 5,01 nA
Tabla 1. Materiales para la prctica -3 5,3 mA
Tabla 4. Datos Obtenidos
V. PROCEDIMIENTO
1.) Implemente la configuracin con MOSFET Y VGS VDS(V) ID
determine las corrientes y voltajes necesarios para -0,5 8 A
-2 -1 1,05 mA
el trazo de su grfica.
-2 1,81 mA
-3 2,09 nA
Tabla 5. Datos Obtenidos

VGS VDS(V) ID
-0,5 0,40 A
-3 -1 1,03 A
-2 1,89 A
-3 25,75 A
Tabla 6. Datos Obtenidos
Tabla 7. Datos Obtenidos
Ilustracin 10 Circuito Montado
VGS VDS(V) ID
-0,5 10 nA
-4 -1 23 nA
-2 29 mA
-3 30 nA

VGS ID IDSS VDS

0 10,54 mA 10,54 mA -16 mV
-1 5,31 mA 5,35 mA -7 mV
-2 2,07 mA 2,07 mA -1,0 V
-3 24 A 24 A -125 nV
Ilustracin 11 Circuito Simulado en Proteus -4 30 mA 30 mA -310 nV
Tabla 8. Datos Obtenidos
Nota: los datos correspondientes se encuentran en el
tem de resultados
 Circuito de polarizacin con FET con divisor de
tensin.
IX. CONCLUSIONES
El Mosfet gracias a su gran velocidad de conmutacin
presenta una gran versatilidad de trabajo; est puede
reemplazar dispositivos como el jfet.
Los MOS se emplean para tratar seales de muy baja
potencia esto es una gran ventaja ya que pueden ser
utilizados en una gran gama de aplicaciones
Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una
tensin positiva se debe aplicar en la compuerta. As los
electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje
(Drain) son atrados a la compuerta (Gate) y pasan por el
canal P entre ellos.
Gracias a la delgada capa de xido que hay entre
compuerta y el semiconductor, no hay corriente por
compuerta. La corriente que circula entre drenaje
fuente es controlada por la tensin aplicada a
compuerta
Con los resultados obtenidos en el laboratorio pudimos
graficar los diversos parmetros de un MOSFET y ver la
manera en la que cada una de ellas se comporta.
IX. BIBLIOGRAFA
Libro Electrnica Bsica, Suares Espinas, Ediccion 1,
2009.
Sistemas Digitales, Ronald Tocci.
http://www.national.com - datasheet del transistor npn y
pnp
Anlisis de Circuitos en Ingeniera, Willian Hayt,
Editorial Mc Graw Hill, Edicin sptima, 2007.
SEDRA, Adel; SMITH, Kenneth. Circuitos
Microelectrnicos. 5 Ed. McGraw HIll. Mexico 2006
Datasheet Amplificador LM741
X. BIOGRAFIA
Mi nombre es Valeria Andrade nac
el 20 de Abril del ao 1997 en la
ciudad de Riobamba, mis estudios
es colares los realice en la Unidad
Educativa Nuestra Seora de Ftima
posteriormente culmine mis
estudios secundarios en el ao 2015
en la Unidad Educativa Isabel de
Godin en el cual obtuve el ttulo de
bachiller tcnico en Contabilidad actualmente estoy
cursando el cuarto semestre de la carrera de Ingeniera
Electrnica Y telecomunicaciones en la Universidad
Nacional de Chimborazo.
Mi nombre es Boris nac el 11 de Agosto
de 1996. Realice mis estudios
secundarios en la Unidad Educativa Jos
Peralta obteniendo el ttulo de bachiller
en ciencias en el ao 2014. En la
actualidad sigo forjando mis estudios en
la Universidad Nacional de Chimborazo.
Entre mis intereses est cultivar una
mentalidad objetiva y centrada en los
propsitos planteados.
Nac en la cuidad de Riobamba provincia
de Chimborazo termine mis estudios de
primaria en la escuela San Cristbal
empec mis estudios secundarios el
ITES Carlos Cisneros y actualmente
sigo mis estudios en la carrera de
Electrnica y Telecomunicaciones en la
la
Universidad Nacional de Chimborazo,
la
mi visin a futuro es graduarme en esta
y
carrera y posteriormente seguir estudiando para obtener
la
una maestra o un PhD para mediante esto contribuir con el
avance tecnolgico en nuestro pas.