Electrnica de Potencia Camin 830E AC

Capitulo 6

El IGBT

6.1 Smbolo y principio de funcionamiento

Significado de IGBT

El transistor bipolar de puerta aislada (Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo desarrollado a partir de la
tecnologa de los transistores bipolares y los de efecto campo.

IGBT, ficha de jockey (hockey puck) de Westcode mostrando celdas

Su aplicacin es principalmente para el control de velocidad de motores elctricos a travs de los dispositivos
llamados convertidores de potencia.

Ubicacin de los IGBTs

En los camiones se les encuentra en los Inversores (24 IGBTs) y Choppers (4 IGBTs) de los 830E-AC, 930E-4.

Gabinete de potencia del camin 930E-4

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IGBT positivo con el mdulo de disparo y placa conectora, camin 930E-4

El tipo de encapsulado que se encuentra en los camiones es similar a un bloque que en realidad corresponde a
varios IGBTs conectados en paralelo a dos barras.

Dos terminales Gate-Emitter (Puerta Emisor) se conectan al mdulo de disparo que se observa en la foto de la
izquierda mostrada arriba.

Diferencia entre los IGBTS del camin

La diferencia en los inversores y choppers es por la posicin en el circuito por lo que se requiere una placa
conectora distinta hacia las barras. Los transistores IGBTs y los drivers son iguales.

Izq. IGBT negativo con el mdulo de disparo y placa conectora, camin 930E-4.

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Componentes del gabinete de control, camin 830E AC

Terminales del IGBT

Los terminales son designados tomando una combinacin de las designaciones de los transistores bipolares y los
de efecto campo. El encapsulado de los IGBTs puede ser tambin del tipo Press Pack similar a los GTOs o
Tiristores de potencia.

Encapsulado de un IGBT simple y uno de sus smbolo

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Funcionamiento de los IGBTs

Los IGBTs se emplean como interruptores controlados es decir en corte o saturacin a semejanza de los
transistores bipolares.

Un circuito simple de aplicacin como el mostrado, permite apreciar la semejanza con la conexin del transistor
bipolar como interruptor, aunque el IGBT presenta caractersticas peculiares que requieren considerarse en el
mdulo de disparo.

IGBT controlando carga inductiva como interruptor

Se aprecian condensadores que representan capacidades como la del circuito GE, inevitable por la estructura del
dispositivo y la capacitancia GC llamada tambin capacitancia Miller de menor efecto.

Funcin del diodo en paralelo con el IGBT

Este diodo es denominado de regeneracin y es indispensable cuando los IGBTs operan con carga inductiva.
Permiten la circulacin de corriente en sentido inverso al que normalmente permiten los IGBTs.

Este diodo suele venir integrado dentro del encapsulado del IGBT como es el caso de los empleados en el camin
830E AC y 930E-4.

IGBT con diodo de regeneracin

Cuando se produce el estado regenerativo de los motores de traccin AC, el voltaje inverso que percibe el IGBT es
el del diodo de potencia en conduccin evitando su deterioro. El transistor puede soportar el voltaje inverso entre
sus terminales CE.

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Constitucin del IGBT

Los IGBTs estn construidos con gran cantidad de chips conectados en paralelo, en la siguiente figura se aprecian
los diversos IGBTs y el diodo de potencia incorporado.

IGBT FZ800R33KF1 de EUPEC

Toda la estructura debe conectarse a un disipador para evitar el deterioro del dispositivo por exceso de temperatura
en las junturas.

Estructura de capas

Junturas son las uniones de los diferentes materiales semiconductores. En el esquema de capas del IGBT se
observa que est constituido por materiales mas dopados que otros (n+, p+).

Este tipo de dopado como en los diodos de potencia permite al dispositivo soportar mayores voltajes CE. La
estructura del IGBT ocasiona la aparicin de resistencias y un transistor denominados parsitos, inevitables por la
tecnologa que se posee en este momento.

Estructura de capas y circuito equivalente del IGBT

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Funcionamiento del circuito equivalente

La estructura representa el transistor MOSFET del circuito de gate que es gobernado por voltaje y el transistor PNP
del circuito CE con sus bajas prdidas en conduccin.

El transistor parsito representa una caracterstica responsable de la condicin latching (caracterstica de

basculador o biestable) del IGBT.

IGBT de 3300V y 1200A

Un circuito de disparo para IGBT

El IGBT debe cesar de conducir al dejarse de aplicar voltaje positivo en el circuito de disparo.

Circuito de disparo del IGBT

Sin embargo se aplica un voltaje negativo al circuito de gate para mejorar la inmunidad del IGBT a las variaciones
rpidas de voltaje CE (dv/dt) producidas por ruido o perturbaciones de la red y reducir las prdidas durante el
apagado.

Para un funcionamiento eficiente debe alimentarse el circuito de gate con +15V para asegurar una saturacin
completa y una limitada corriente de cortocircuito.

Circuito de disparo del IGBT

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El circuito de disparo de los IGBTs tiene las siguientes caractersticas:

a) Requiere menos energa por lo que la fuente de alimentacin es ms pequea. La tecnologa MOSFET del
IGBT no requiere mayor consumo de energa.

b) El mdulo de disparo tiene dos entradas: la de alimentacin y la fibra ptica con las seales de control y
feedback

Circuito del mdulo de disparo del IGBT, camin 930E-4

Los cables sealados con las flechas corresponden a la fibra ptica, la alimentacin y a la conexin con el IGBT.

Modulo de disparo o fase, camin 930E-4

6.2 Curva caracterstica

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Descripcin de las curvas caractersticas del IGBT

La curva es bastante parecida a la del transistor bipolar, recurdese que cuando se opera como interruptor el IGBT
oscila entre el estado de corte y saturacin.

Caracterstica de salida (IC VCE ) de un IGBT

Notamos que el IGBT tiene un limitado voltaje CE y que el modelo hbrido con diodo en antiparalelo tiene un menor
voltaje inverso. Adems se observa tambin la relacin lineal entre corriente de colector y voltaje CE.

Caracterstica de transferencia de un IGBT

6.3 Caractersticas tcnicas

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Caractersticas tcnicas del IGBT

Si observamos las caractersticas bsicas para un IGBT comercial encontraremos que son solo dos: el voltaje CE y
la corriente colector.

Esquema de conexiones del IGBT BSM 100 GAL 120 DN2

Caractersticas tcnicas bsicas de un IGBT

Tambin existen otras caractersticas importantes para la seleccin:

a) Maximun ratings
b) Static characteristics
c) AC characteristics
d) Switching characteristics
e) Free-wheel diode
f) Chopper diode

6.4 Prueba del IGBT

Prueba de un IGBT de camin

La prueba con un multimetro digital del IGBT del camin se hace con la escala de semiconductores.

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Prueba del IGBT con multimetro

No debe superarse los 20V aplicados entre CE, lo que es imposible con un DMM pero si con un Meghmetro que no
debe emplearse nunca.
Si colocamos los terminales del DMM como se indican debern obtenerse los resultados de la tabla.

COLECTOR EMISOR RESULTADO

+ Positivo -Negativo OL
-Negativo +Positivo 0,3V-0,8V

Reconocimiento de los terminales del IGBT

Los terminales estn marcados sobre el mismo IGBT. La posicin de los terminales sobre la placa conectora para
los dos tipos de mdulo del camin son mostrados a continuacin.

Terminales emisor a los extremos, dos de colector al medio

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Terminales emisor sobre la placa blanca y de colector en el extremo derecho

Precauciones durante la medicin

Debe evitarse hacer contacto con los dedos los terminales del IGBT pues cargas estticas pueden daar la
estructura interna del dispositivo.

En el caso del camin este problema desaparece estando sobre la estructura metlica del vehculo, pero de todas
maneras debe evitarse el contacto.

En taller deber emplearse alfombras y pulseras antiestticas para proceder a la manipulacin.

Advertencia de no tocar para el mdulo IGBT

Falla mas comn en los IGBTs

La ms comn es el cruce de Colector-Emisor. En caso de que est abierto este circuito, no ser posible detectarlo
con multimetro.

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Deficiencia de la prueba con multimetro

Deber emplearse un mtodo que considere la desconexin de los circuitos de gate en funcionamiento para
comparar el resultado con el software.

Puede ocurrir que se cruce o abra el diodo de potencia regenerativo, estos casos son detectables por el multimetro.
Es necesario emplear medios mas tcnicos para la evaluacin podra implementarse un circuito donde se haga
funcionar el dispositivo o emplear un probador especializado.

El diodo de potencia de los IGBTs de camin se encuentra integrado con el transistor.

Significado del Led encendido cuando se retira uno de los cables de fibra ptica del mdulo de disparo

Corresponde al feedback para indicar al procesador el buen funcionamiento del mdulo de disparo del IGBT (solo
debe colocarse la chapa en ON).

Cable de alimentacin del mdulo de disparo, camin 930E-4

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Retiro del conector de alimentacin del mdulo de disparo cuando est funcionando el camin

Si el camin est detenido y el motor encendido puede desconectarse la alimentacin de los circuitos que deseamos
observar su funcionamiento y confrontar con el software lo que estamos provocando. El otro caso con el camin en
marcha es atpico para una prueba.

Conector de alimentacin del mdulo de disparo

Futuro despus de los IGBTs

La tecnologa IGBT fue patentada en 1982 por Hans Beck y Carl Wheatley con el nombre de Power Mosfet with an
Anode Region.

La segunda generacin de IGBTs ha mejorado los problemas de latching pasando en el ao 2000 a ser el
dispositivo mas usado en aplicaciones de electrnica de potencia.

Mdulos de fase del camin 930E-4

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Aun se est desarrollando la tecnologa ICGT pues estos dispositivos son una mejora de los GTOs y pueden
soportar mayores tensiones inversas as como manejar grandes intensidades de corriente.

Gabinete de control, camin 830E-AC. (J. Varas )

Tienen por puntos dbiles el circuito de disparo necesario y componentes adicionales para su buen funcionamiento.

Pensamos que la tendencia ser definitivamente en direccin hacia los IGBT que puedan manejar mayores
corrientes y voltajes o el desarrollo de nuevos materiales en busca del interruptor perfecto.

Gabinetes, camin 930E-4

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