a) Analizar y sealar las caractersticas elctricas y electrnicas del Transistor

BJT, en base a las hojas de datos de los diodos.

El transistor de unin bipolar es uno de los dispositivos que son fruto de la tecnologa en
semiconductores (basada en uniones PN y dopaje) y es uno de los tipos de transistores mas
usados en la actualidad. Un transistor posee tres terminales (base, colector y emisor) las cuales
se muestran en la ilustracin de la representacin esquemtica de un transistor PNP y NPN
respectivamente.

b) Explicar brevemente los tipos de transistores que operan como amplificadores y

como conmutadores
Cuando un amplificador realiza la funcin de elevar la seal que ha sido aplicada a su entrada,
se dice que ha producido una determinada ganancia. Se puede decir que la ganancia de un
amplificador es la relacin que existe entre el valor de la seal obtenida a la salida y el de la
entrada. Dependiendo de la magnitud elctrica que estemos tratando, se pueden observar tres
tipos de ganancia: ganancia en tensin, ganancia en corriente y ganancia en potencia.

Aplicar los transistores no se limita nicamente a la amplificacin de seales. A travs de un

diseo adecuado pueden utilizarse como un interruptor para computadora y para aplicaciones
de control. Puede emplearse como un inversor en los circuitos lgicos de las computadoras.

Observe la figura donde el voltaje de salida Vc es opuesto al que se aplic sobre la base o a la
terminal de entrada. Tambin obsrvese la ausencia de una fuente de dc conectada al circuito
de la base. La nica fuente de dc est conectada al colector o lado de la salida, y para las
aplicaciones de computadoras normalmente es igual a la magnitud del nivel "alto" de la seal
aplicada, en este caso 5 V.
El diseo ideal para el proceso de inversin requiere que el punto de operacin conmute de
corte a la saturacin, pero a lo largo de la recta de carga. Para estos propsitos se asumir que
Ic = Iceo = 0 mA cuando IB = 0 A (una excelente aproximacin de acuerdo con las mejoras de
las tcnicas de fabricacin).

Cuando Vi = 5 V, el transistor se encontrar "encendido" y el diseo debe asegurar que la red

est saturada totalmente por un nivel de IB mayor asociado con la curva IB, que aparece cerca
del nivel de saturacin. El nivel de saturacin para la corriente del colector y para el circuito
est definido por: ICsat = Vcc/ Rc

c) Explicar las diferencias internas y de polarizacin de los transistores NPN y

PNP

Una corriente en la base del transistor permite una corriente mucho mayor a travs de los
cables del emisor y del colector. NPN y PNPs son exactamente iguales en su funcin:
proporcionan la capacidad de la amplificacin y / o de la conmutacin.

Tan tcnicamente, alcanzan y hacen la misma cosa exacta.

Cmo difieren es cmo la energa se debe asignar a los pernos terminales para que
proporcionen esta amplificacin o traspuesta. Dado que se construyen internamente de
manera muy diferente, corriente y voltaje deben ser asignados de manera diferente para que
puedan trabajar. Un transistor NPN recibe voltaje positivo al terminal de colector y voltaje
positivo al terminal de base para un funcionamiento correcto. Un PNP transistor recibe un
voltaje positivo al terminal emisor y un voltaje negativo en el terminal base (o, ms bien, un
voltaje ms negativo o ms bajo que el suministrado en el terminal del emisor).

d) Sealar y explicar los diferentes tipos de transistores que se usan para baja
frecuencia, alta frecuencia, baja potencia y alta potencia, sus principales
aplicaciones, etc.

El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al de los transistores

normales, teniendo como caractersticas especiales las altas tensiones e intensidades que
tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.

Los FET' tienen una gran variedad de usos, su velocidad a frecuencias de microondas no es
muy alta, por lo cual se utilizan en frecuencias relativamente menores que los BJTS. Por otro
lado, los transistores de efecto de campo poseen en general menor figura de ruido a altas
frecuencias lo que los hace candidatos para ciertas aplicaciones.
e) Analizar y efectuar el clculo del siguiente circuito. Hallar y graficar Vce vs. Ic recta
de carga (Si conoce algn programa simulador, verifique resultados)