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Objetivos:
General:
Especficos:
Resumen:
Las prdidas existentes en los semiconductores son consideradas potencias disipadas en forma
de calor. Las prdidas en los dispositivos activos como transistores se pueden clasificar en:
estticas, y dinmicas. Si las necesidades del circuito sobrepasan la capacidad mxima del
dispositivo es necesario utilizar semiconductores conectados en serie o en paralelo segn el
caso. Cuando el voltaje o la corriente de un sistema elctrico tienen deformaciones con respecto
a la forma de onda senoidal, se dice que la seal est distorsionada.
Abstract:
The losses in the semiconductors are considered dissipated powers in the form of heat. The losses
in the active devices as transistors can be classified in: static, and dynamic. If the needs of the
circuit exceed the maximum capacity of the device it is necessary to use semiconductors connected
in series or parallel depending on the case. When the voltage or current of an electrical system has
deformations with respect to the sinusoidal waveform, the signal is said to be distorted.
Desarrollo:
PRDIDAS ESTATICAS
En estado ON un dispositivo real se puede modelar por una cada de tensin directa o umbral Ud
y una resistencia directa Rd. Las prdidas para una corriente Id pueden ser considerables y son:
= . + . 2 (1)
En estado OFF se presenta una corriente de fuga Ii(valor que se puede tomar como cero en la
mayora de los casos) y el dispositivo bloque una diferencia de potencial dada Ui, la prdida
fundamental es el producto Ui * Ii si bien en la mayora de los dispositivos es de magnitud muy
inferior a la prdida en estado ON y puede ser despreciada.
PRDIDAS DINMICAS
. .
= . ( . + . 2 ) + (2)
Como puede observarse para reducir prdidas son deseables valores reducidos de cada de
tensin y resistencia en conduccin, por una parte, y del tiempo de conmutacin ts por otra.
Al conectar en serie dos dispositivos se trata de poder realizar un convertidor en el que soporten
tensiones mayores que las que soporta un solo dispositivo como se muestra en la figura 2
Optimo: deberan soportar el doble de lo que soportan cada uno de ellos.
Problema: reparto desigual de las cadas de tensin entre los dos dispositivos (aunque
sean del mismo fabricante y de la misma serie)
Se pueden elegir R1 y R2 de tal forma que el par SCR1-R1 y el par SCR2-R2 tengan la curva
caracterstica compuesta muy parecida a la figura 3
Problemas:
DISTORSIN ARMNICA
Este tema es profundo y complejo, pero bsicamente las armnicas son seales de tensin o
corriente con una frecuencia, que es un mltiplo entero de la fundamental; stas se suman a la
onda fundamental y la distorsionan generando con ello una "distorsin armnica"
La distorsin armnica suele producirse al accionar equipos con ncleo magntico saturado
y ciertos convertidores estticos como; rectificadores, fuentes conmutadas y otras cargas no
lineales.
Incluso algunos equipos de proteccin elctrica pueden contribuir a la generacin de
armnicos en la lnea.
Filtros pasivos
Transformadores de aislamiento
Soluciones activas
Tablero elctrico compuesto con filtros R-L-C
Conclusiones
Recomendaciones:
Bibliografa:
[1] Rashid, H., (1995). Electrnica de Potencia, Circuitos, Dispositivos y Aplicaciones. Mxico:
PRENTICE HALL HISPANOAMERICANA, S.A.
[2] http://personal.telefonica.terra.es/web/jqc/C6-0607-r01.pdf
[3] Klein P.T, Elements of Power Electronics Oxford University Press, 1998
[4] http://construyasuvideorockola.com/recomend3.php