UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS

Faculdade de Engenharia Eltrica e de Computao

Departamento de Sistemas e Controle de Energia

Eletrnica de Potncia
para Gerao, Transmisso
e Distribuio
de Energia Eltrica

Jos Antenor Pomilio

Com contribuies de:

Helmo Kelis Morales Paredes
Sigmar Maurer Deckmann

Julho de 2013
 Apresentao

Este texto foi elaborado em funo da disciplina "Eletrnica de Potncia para Gerao,
Transmisso e Distribuio de Energia Eltrica", ministrada nos cursos de ps-graduao em
Engenharia Eltrica na Faculdade de Engenharia Eltrica e de Computao da Universidade
Estadual de Campinas. O texto contm trechos de apostilas produzidas pelo Prof. Sigmar
Maurer Deckmann, utilizadas na disciplina Condicionamento de Energia Eltrica e
Dispositivos FACTS. O captulo sobre Teorias de Potncia Eltrica de autoria do Prof.
Helmo K. Morales Paredes (UNESP). Este um material que deve sofrer constantes
atualizaes, em funo da evoluo tecnolgica na rea da Eletrnica de Potncia, alm do
que o prprio texto pode ainda conter erros, para os quais pedimos a colaborao dos
estudantes e profissionais que eventualmente fizerem uso do mesmo, no sentido de enviarem
ao autor uma comunicao sobre as falhas detectadas. Os resultados experimentais includos
no texto referem-se a trabalhos executados pelo autor, juntamente com estudantes e outros
pesquisadores e foram motivo de publicaes em congressos e revistas, conforme indicado
nas referncias bibliogrficas. Imagens obtidas de outras fontes esto indicadas.

Campinas, 22 de julho de 2013

Jos Antenor Pomilio

Jos Antenor Pomilio Engenheiro Eletricista, Mestre e Doutor em

Engenharia Eltrica pela Universidade Estadual de Campinas - UNICAMP
(1983, 1986 e 1991, respectivamente). Professor Titular junto Faculdade
de Engenharia Eltrica e de Computao da UNICAMP, onde atua desde
1984. Participou do Grupo de Eletrnica de Potncia do Laboratrio
Nacional de Luz Sncrotron (CNPq) entre 1988 e 1993, sendo chefe do
Grupo entre 1988 e 1991. Realizou estgios de ps-doutoramento junto ao
Departamento de Engenharia Eltrica da Universidade de Pdua (1993/1994)
e ao Departamento de Engenharia Industrial da Terceira Universidade de
Roma (2003), ambas na Itlia. Foi Liaison da IEEE Power Electronics
Society para a Regio 9 (Amrica Latina) em 1998/1999. Foi membro do
Comit de Administrao da IEEE Power Electronics Society no trinio
2000/2002. Foi editor da Revista Eletrnica de Potncia (SOBRAEP) em
1999-2000 e 2005. Atualmente editor associado das revistas IEEE Trans.
on Power Electronics, Advances in Power Electronics e Controle &
Automao (SBA). Foi presidente da Associao Brasileira de Eletrnica de
Potncia SOBRAEP (2000-2002). membro do Conselho Deliberativo da
SOBRAEP e do IFAC Technical Committee on Power and Energy Systems.

ii
 Contedo

ELETRNICA DE POTNCIA NO SISTEMA DE ENERGIA ELTRICA

ENERGIA ELTRICA E FONTES RENOVVEIS

TOPOLOGIAS BSICAS DE CONVERSORES CC-CC

CONVERSORES CA-CC RETIFICADORES

CONVERSORES CC/CA INVERSORES

ELETRNICA DE POTNCIA NO SISTEMA DE TRANSMISSO: DISPOSITIVOS

FACTS

TEORIAS DE POTNCIA ELTRICA

FILTROS HARMNICOS PASSIVOS E ATIVOS

PRINCPIOS DE REDES INTELIGENTES

iii
Eletrnica de Potncia para Gerao, Transmisso e Distribuio de Energia Eltrica J. A. Pomilio

ELETRNICA DE POTNCIA EM SISTEMA DE ENERGIA ELTRICA

Este curso faz uma apresentao das aplicaes eletrnicas de potncia no sistema eltrico.
Inicialmente tem-se um breve histrico da produo e utilizao industrial da eletricidade,
indicando-se o surgimento e a evoluo do que hoje chamada Eletrnica de Potncia.
Na sequncia se faz uma exposio das principais fontes e acumuladores de energia que
necessitam de conversores eletrnicos para permitir seu aproveitamento. Tais fontes esto
diretamente relacionadas gerao de energia de forma renovvel e limpa e se constituem em
elementos determinantes para a consolidao de uma matriz de energia eltrica menos danosa ao
meio ambiente.
Os captulos seguintes apresentam os conversores eletrnicos de potncia utilizados na
conexo das fontes ao sistema eltrico.
A seguir so apresentadas as aplicaes no sistema de transmisso de energia, que do
sustentao tecnologia FACTS (Flexible AC Transmission Systems). Tais dispositivos
transformam o sistema de transmisso de um elemento passivo do sistema para um elemento
ativo, no sentido de que se torna possvel atuar sobre o mesmo para controlar o fluxo de potncia
entre fontes e para as cargas.
Uma reviso e um aprofundamento das teorias de potncia eltrica so apresentados. Tal
discusso de grande importncia, especialmente em situaes que fogem das condies idias do
sistema, ou seja, quando se tm desequilbrios e distores. Nesses casos as teorias convencionais
no so capazes de produzir resultados consistentes com os fenmenos fsicos associados.
Ao discutir os aspectos de distribuio, so abordadas aplicaes relacionadas com
qualidade da energia e introduzida a tecnologia de redes inteligentes (smart-grids), que associam
fontes distribudas de energia, controle descentralizado, comunicaes, etc.
Os sistemas eletromecnicos usados no incio da eletrificao, que continuaram em uso (e
ainda o so, em alguma escala) so incapazes de dar ao sistema eltrico um comportamento
dinmico adequado s necessidades modernas. Apenas com o advento da Eletrnica de Potncia
na dcada de 60 do sculo passado e sua contnua evoluo desde ento que tem se tornado
possvel atuar, praticamente em tempo real, sobre grandes quantidades de energia, em qualquer
estgio, desde sua gerao at seu aproveitamento.
A figura 1, bem como outras imagens, utilizadas em campanhas publicitrias da empresa
Pirelli, ilustra a idia de que a potncia, sem controle, no tem utilidade. A domesticao da
energia e, em especial, da eletricidade, so fatores determinantes para as transformaes que tm
ocorrido na humanidade nos ltimos trs sculos.
A importncia da Eletrnica de Potncia nesse contexto que essa tecnologia a que
permite implementar estratgias de controle eficazes na produo, transporte e uso final da energia
eltrica.
Embora limitada pela capacidade de bloqueio de tenso e de conduo de corrente dos
dispositivos semicondutores (diodos, transistores e tiristores), na atualidade j possvel construir
conversores com capacidade para alguns MVA. Tem-se a expectativa de, com evolues nos
materiais utilizados para a construo destes dispositivos, ampliar em pelo menos uma ordem de
grandeza estes valores, o que dar ainda maior capacidade de processamento de energia aos
conversores.

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Eletrnica de Potncia para Gerao, Transmisso e Distribuio de Energia Eltrica J. A. Pomilio

Figura 1 Pea publicitria da Pirelli (1998)

http://www.pirelli.com/corporate/en/company/brand/advertising/98-99-camp/default.html#.TxxK66Xy-MQ

Uma breve histria da eletricidade industrial e da eletrnica de potncia

As foras da natureza, desde o incio da civilizao, foram utilizadas para realizar trabalhos
que facilitassem a atividade humana. Fosse a fora das guas, dos ventos ou animal, a tecnologia
evoluiu no sentido de tornar possvel ao Homem o aproveitamento controlado dessa energia.
A energia elica, como sabido, sazonal e um aproveitamento perene possvel apenas em
poucas localidades. J a energia hidrulica, embora tambm sofra sazonalidades, est disponvel
de modo muito mais regular. Por essa razo, as instalaes industriais (como moinhos e serrarias),
instalavam-se ao lado dos cursos dgua. A inveno da mquina a vapor, no sculo XVIII, pela
primeira vez tornou possvel a instalao das instalaes industriais em locais distantes dos cursos
dgua.

Figura 2 Exemplos de aproveitamento de energia (imagens Microsoft).

Seja com mquinas elicas, hidrulicas ou a vapor, a transmisso da energia se fazia de

forma mecnica, por meio de eixos, roldanas, engrenagens, etc., como ilustra a figura 3. O
controle independente de cada tipo de maquinrio era, assim, de maior complexidade e limitado

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Eletrnica de Potncia para Gerao, Transmisso e Distribuio de Energia Eltrica J. A. Pomilio

em termos de flexibilidade de aplicaes. Em outras palavras, a energia mecnica no se constitui

em um bom vetor energtico, ou seja, difcil de ser levada de um local a outro e conveniente
transformada.

Figura 3 Transmisso mecnica de fora motriz: trao animal, roda dgua e mquina a vapor

Possivelmente a grande vantagem da eletricidade sobre outras formas de energia seja

exatamente sua portabilidade e facilidade de transformao. Ou seja, muito fcil levar energia
eltrica de um local a outro e tambm transform-la em movimento, em luz, em calor, etc. Nesse
contexto, considera-se que a eletricidade , atualmente, o melhor vetor energtico. Por outro lado,
sofre de uma grande limitao, que a impossibilidade de armazenagem direta de eletricidade em
quantidades significativas.

A eletricidade
A eletricidade, como tema de investigao cientfica remonta ao sculo XVIII. A produo
de eletricidade, ao longo de quase todo o sculo XIX provinha essencialmente de reaes
eletroqumicas, fontes de Corrente Contnua (CC), graas s descobertas de Alessandro Volta em
1800.

http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor 3
Eletrnica de Potncia para Gerao, Transmisso e Distribuio de Energia Eltrica J. A. Pomilio

As pesquisas durante a primeira metade do sculo XIX resultaram nas descobertas das leis
fundamentais do eletromagnetismo. As descobertas de Michael Faraday e Joseph Henry, de forma
autnoma, em 1831, fazendo a vinculao dos fenmenos eltricos aos magnticos abriram as
portas para outras formas de produo de energia eltrica, em maior quantidade e, portanto,
aplicao produtiva da eletricidade.

Faraday Henry

Poucos anos depois, conhecida a propriedade de campos eletromagnticos interagirem

entre si, produzindo ao mecnica, comearam os desenvolvimentos dos motores eltricos1.
O desenvolvimento dos motores CC comea em 1832, com William Sturgeon. Seguiram-
se os desenvolvimentos realizados por Emily and Thomas Davenport em 1837, levando a um
motor CC com comutador. No havia, no entanto, suprimento de energia adequado para estes
dispositivos.

Figura 4 Bateria de Volta

http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/5/54/VoltaBattery.JPG/450px-VoltaBattery.JPG

1
http://en.wikipedia.org/wiki/Electric_motor

http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor 4
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Em 1856 Werner Siemens desenvolveu uma mquina eletromecnica, qual denominou

dnamo, com objetivo de substituir as baterias eletroqumicas nos sistemas telegrficos2. Em
1867 ele aperfeioou o invento com a introduo de um sistema de auto-excitao, tendo
enunciado o princpio de reversibilidade, ou seja, que a mesma mquina poderia atuar como
gerador ou motor.
Em 1869, Zenobe Gramme patenteia o dnamo (gerador CC), aproveitando o princpio de
auto-excitao explicitado por Siemens e a inveno dos anis coletores criado por Antonio
Pacinotti em 1865. Ao conectar duas destas mquinas em paralelo, sendo que apenas uma era
acionada mecanicamente, observou que uma delas passara a rodar e desenvolver torque em seu
eixo, ou seja, atuava como motor. Assim, usando uma mesma estrutura construtiva de mquina
eltrica, criou uma verso prxima ao atual motor CC. Tinha-se, assim a possibilidade de gerar
eletricidade em quantidades adequadas para seu uso industrial. A produo industrial do dnamo
de Gramme se inicia em 1871. Mais do que isso, a experincia de Gramme demonstrou ser
possvel transmitir energia eltrica atravs de fios condutores, ou seja, tornava-se possvel que a
fonte de energia e as cargas no mais estivessem no mesmo local.
Durante a dcada de 80 do sculo XIX, impulsionado pelos trabalhos e investimentos de
Thomas Edison, amplia-se a produo e o aproveitamento da eletricidade em sua forma CC. A
transmisso da energia se dava em distncias relativamente curtas, uma vez que o nvel de tenso
era reduzido (110 V) por razes de segurana.
O aumento da demanda por eletricidade e a necessidade de aumentar a distncia de
transmisso apontavam para a elevao da tenso, o que encontrava severas limitaes em termos
de isolao dos condutores e proteo dos usurios.

Figura 5 Dnamo de Siemens3 (esq.) e de Gramme (dir)4 e dnamo de seis polos5 patenteado por
Ren Thury em 1883 (abaixo).

2
Massimo Guarnieri, The Beginning of Electric Energy Transmission: part One, IEEE Industrial Electronics
Magazine, March 2013. http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6482228
3
http://www.siemens.com/history/en/news/1057_dynamoelectric_principles.htm

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Eletrnica de Potncia para Gerao, Transmisso e Distribuio de Energia Eltrica J. A. Pomilio

Ao mesmo tempo, avanavam estudos para o uso de corrente alternada. Em 1881 Gaulard
e Gibbs construram um dispositivo que pode ser considerado um transformador primitivo, com
ncleo aberto, que permitia obter tenso CA de sada isolada da tenso aplicada na entrada.
Denominaram esse dispositivo de gerador secundrio, o qual foi inicialmente usado para
alimentao de lmpadas de arco.
A gerao de tenso CA era feita pelos dnamos, sem uso do comutador, coletando a
tenso por meio de anis diretamente na bobina do rotor.
Em 1884 Gaulard constri uma linha de transmisso CA de 34 km de extenso, 2 kV, 130
Hz. Seus geradores secundrios tiveram os enrolamentos de entrada conectados em srie e as
asadas, isoladas, alimentavam as cargas no nvel adequado de tenso.
Nesse mesmo ano Galileo Ferraris desenvolveu estudos sobre o dispositivo de Gaulard e
identificou a existncia de defasagem entre tenso e corrente, definindo potncia ativa e fator de
potncia. Em 1885, o mesmo Ferraris produziu um campo girante a partir de duas tenses
defasadas, sendo considerado, juntamente com Tesla, inventor do motor de induo.
Ainda em 1885, Ott Blthy construiu esse dispositivo com um ncleo fechado,
denominando-o de transformador. A inveno do transformador permitiu, por meio do ajuste
das relaes de espiras, a efetivao do conceito de transmisso de energia em CA, com diversos
transformadores alimentados por uma mesma fonte de tenso e com secundrios independentes.

Figura 6 Gerador secundrio de Gaulard e Gibbs6 (esq.) e Transformador de Blthy7 (dir)

Em 1888, Nikola Tesla inventa o motor de induo. As vantagens do uso de CA para

transmisso e distribuio de energia eltrica fizeram desta tecnologia a responsvel pela
formidvel expanso da eletrificao a partir do final do sculo XIX.

4
http://www.hbci.com/~wenonah/history/img/ed10.jpg
5
http://commons.wikimedia.org/wiki/File:Rene_Thury_six_pole_dynamo.jpg
6
http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/1/15/DMM_18206_Verteiltransformator_Gaulard_und_Gibbs.jpg
7
http://en.wikipedia.org/wiki/File:DBZ_trafo.jpg

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O funcionamento dos motores CA em velocidade constante, no entanto, impedia seu uso

em aplicaes que exigiam alterao na velocidade, como em veculos (trens, bondes, etc.) ou
alguns processos industriais, como laminadoras. Nestas aplicaes, o motor CC mantinha seu
predomnio, exigindo o fornecimento de energia em corrente contnua, em potncias relativamente
elevadas.
Os sistemas de transmisso de energia em CC assumiram valores compatveis com as
aplicaes de transporte: 600 V em uso urbano (bondes), 1,5 kV em uso ferrovirio (vias
isoladas). Alguns sistemas de transmisso com tenso mais elevada foram testados no final do
sculo XIX, fazendo uso de associaes srie de geradores e de cargas. As limitaes tcnicas de
tal soluo, combinadas com a rpida implantao de sistemas CA, manteve linhas de alimentao
CC limitadas aos sistemas de transporte.

Figura 7 Nikola Tesla, seu motor de induo8 e ilustrao no pedido de patente9

8
http://www.sciencemuseum.org.uk/images/object_images/535x535/10323393.jpg
9
http://twinkle_toes_engineering.home.comcast.net/~twinkle_toes_engineering/tesla_patent_381968.gif

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Figura 8 Bonde eltrico em Campinas 10 e controle reosttico de velocidade.

O incio da eletrnica
No incio do sculo XX, a partir de experimentos realizados por Edison, que introduziu um
eletrodo com potencial positivo em sua lmpada de filamento para evitar que houvesse deposio
de material no bulbo, Ambrose Fleming 11 identificou a capacidade de este dispositivo atuar como
retificador. Ou seja, converter uma alimentao CA em CC. Uma vez que a produo de
eletricidade se faz em CA, essa inveno possibilitou o processamento da energia eltrica de
forma a se adequar s cargas CC.
Foram tambm desenvolvidos outros dispositivos retificadores, como as vlvulas a arco de
mercrio 12, mais adequadas a aplicaes de potncia elevada, devido maior capacidade de
conduo de corrente devido ao plasma criado pelo arco. Seu uso permitiu substituir os grupos
motores-geradores para produo de corrente contnua. Necessria aos sistemas de trao 13.
Nos anos 20 do sculo passado surgiu a Thyratron 14, que no um dispositivo vcuo,
uma vez que seu interior ocupado por algum gs, responsvel por ampliar a quantidade de ons e,
em conseqncia, a capacidade de conduo de corrente. Seu comportamento o de um
interruptor que acionado por um terminal de disparo.
Com este dispositivo foi possvel aprimorar os processos alimentados em CC pois se
tornou vivel o ajuste do valor da tenso e/ou corrente por meio de uma retificao controlada.

10
A CCTLF inaugurou seu sistema de bondes eltricos com bitola mtrica em 24 de junho de 1912. O carto postal
mostra o veculo 38 na Avenida Andrade Neves em 1920. http://www.skyscrapercity.com/showthread.php?t=470828
11
http://www.radio-electronics.com/info/radio_history/valve/hov.php
12
http://en.wikipedia.org/wiki/Mercury_arc_valve
13
Frank Dittmann, The development of power electronics in Europe, acessvel em
www.ieeeghn.org/wiki/images/a/a7/DITTMANN.pdf
14
http://en.wikipedia.org/wiki/Thyratron

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Figura 9 Ambrose Fleming e Diodo vcuo criado por Fleming 15

Figura 10 Thyratron a vapor de mercrio, utilizada at 1950 16

Eem 1925 fora registrada uma patente (concedida em 1930 a Julius Edgard Lilienfeld,
reproduzida a seguir) que se referia a um mtodo e um dispositivo para controlar o fluxo de uma
corrente eltrica entre dois terminais de um slido condutor. Tal patente, que pode ser
considerada a precursora do que viriam a ser os Transistores de Efeito de Campo, no entanto, no
redundou em um componente prtico, uma vez que no havia, ento, tecnologia que permitisse a
construo dos dispositivos. Isto se modificou a partir do final da dcada de 40, quando a
tecnologia dos semicondutores permitiu a realizao de tal dispositivo.

15
http://www.r-type.org/pics/aag0010.jpg
16
http://commons.wikimedia.org/wiki/File:Thyratron-Mercure.JPG

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Julius Edgard Lilenfeld e desenhos de sua patente do que viria a ser, dcadas depois, um FET17

Pedido de patente de dispositivo que aprtesenta o princpio de funcionamento dos transistores de

efeito de campo.

17
M. Guarnieri, Trailblazers in Solid-State Electronics, IEEE Industrial Electronics Magazine, December 2011, pp.

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Da eletrnica de estado slido Eletrnica de Potncia

Em 194718, John Bardeen e Walter Brattain, que trabalhavam na Bell Telephone
Laboratories, estudavam o comportamento de eltrons na interface entre um metal e um
semicondutor. Ao fazer dois contatos muito prximos um do outro, criaram um dispositivo de trs
terminais com capacidade de amplificao. Bardeen e Brattain receberam o Prmio Nobel de
Fsica de 1956, juntamente com William Shockley, "por suas pesquisas em semicondutores e
descoberta do efeito transistor". Shockley tinha desenvolvido um transistor de juno, que foi
construdo em camadas finas de diferentes tipos de material semicondutor.
Esta inveno resultou um enorme esforo de pesquisa em dispositivos eletrnicos de
estado slido. Ao longo dos anos 50 19 os trabalhos se concentraram na substituio do Germnio
pelo Silcio como elemento sobre o qual se construir os dispositivos semicondutores. As
propriedades do Silcio so muito superiores s do Germnio (no que tange realizao de tais
dispositivos), permitindo obter maior capacidade de bloqueio de tenso e de conduo de corrente.
Os primeiros transistores tinham como aplicao principal a amplificao de sinais.
Embora muito mais eficientes do ponto de vista energtico em comparao com as vlvulas, a
aplicao em potncias elevadas no era possvel.

Figura 11 Reproduo do primeiro transistor

http://blog.makezine.com/HR-1stTransistor.jpg

O alto rendimento exigido no processamento da energia eltrica faz com que os

dispositivos atuem como interruptor quando, idealmente, no dissipam potncia, pois apresentam
ou tenso nula (quando conduzem) ou corrente nula (quando abertos). A transio de um estado a
outro, idealmente, deve ser instantnea.
O primeiro dispositivo de estado slido, que marca o nascimento do campo tecnolgico a
que denominamos Eletrnica de Potncia o SCR (Retificador Controlado de Silcio),
denominao dada pela General Electric, em 1958 20 21. Trata-se de um dispositivo que tem o

18
http://nobelprize.org/educational/physics/transistor/history/
19
http://www.ti.com/corp/docs/company/history/timeline/popup.htm
20
Wilson, T.G. The Evolution of Power Electronics, IEEE Transactions on Power Electronics,
Volume: 15 Issue:3, May 2000, page(s): 439 - 446

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mesmo comportamento biestvel da thyratron. Por tal razo, a denominao que se estabeleceu
para o componente Tiristor.
O domnio sobre os processos de purificao do silcio, aliado ao aprofundamento dos
conhecimentos sobre os fenmenos da fsica do estado slido e dos processos microeletrnicos
permitiu, ao longo dos anos 60 e 70 o aumento na capacidade de controle de potncia dos
tiristores, atingindo valores na faixa de MVA.

Publicidade do primeiro SCR (Tiristor) pela GE22 e dispositivos modernos

No houve, nesta fase, novas aplicaes, mas principalmente a substituio de outros

dispositivos pelos tiristores, com ganhos de rendimento e de desempenho, principalmente como
retificador (conversor CA-CC) no acionamento de motores CC.
Em sistemas com alimentao CC, como em trens e trleibus, o uso dos tiristores enfrentou
dificuldades, dada a incapacidade de este dispositivo ser desligado por ao do terminal de
comando (gate). Foram desenvolvidas estratgias para possibilitar tal tipo de aplicao. So do
incio dos anos 60 os circuitos de comutao idealizados por William McMurray 23 que permitiam
o uso do tiristor em CC, bem como a obteno de uma sada CA a partir da entrada CC. Tais
inversores permitiriam a substituio de motores CA por motores de induo em aplicaes de
velocidade varivel. A complexidade dos circuitos e os problemas de confiabilidade restringiram
fortemente as aplicaes destes circuitos. A primeira aplicao ferroviria no Japo ocorreu em
1969, com o controle do enrolamento de campo (por meio de conversor CC-CC) dos motores CC
de trao. O uso de motor de induo nesta aplicao ocorreu em 1982. No Brasil, a modernizao
dos transportes aconteceu a partir dos sistemas metrovirios no final dos anos 70.
As tcnicas de comutao forada de tiristores caram em desuso nos anos 80, com o
desenvolvimento do GTO (Gate Turn-Off thyristor), que permitia tanto o disparo quando o
bloqueio controlado. Os GTOs dominaram at o final do sculo XX as aplicaes de trao com
alimentao CC, sejam com motores CC ou motores CA.

21
Masao Yano, Shigeru Abe, Eiichi Ohno, History of Power Electronics for Motor Drives in Japan, acessvel em
www.ieeeghn.org/wiki/images/4/49/Yano2.pdf
22
https://sites.google.com/site/transistorhistory/Home/us-semiconductor-manufacturers/general-electric-history
23
W. McMurray, SCR Inverter Commutated by an Auxiliary Impulse, IEEE Trans. on Communication and
Electronics, Vol. 83, p.824, 1964.

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Transportes eletrificados modernos tipicamente usam motores CA acionados por inversores.

Outro campo que se beneficiou do desenvolvimento dos tiristores foi o sistema de

transmisso de energia eltrica por meio de linhas em corrente contnua de alta tenso, envolvendo
retificadores e inversores. A instalao do sistema CC para trazer energia da parte paraguaia de
Itaipu (gerada em 50 Hz) at o sudeste do Brasil (onde se converte em 60 Hz) ocorreu nos anos
80. Ainda na rea do sistema eltrico, surgiram dispositivos de compensao, como os reatores
controlados a tiristor (RCT) ou o TCSC (Thyristor Controled Series Compensator), instalado no
incio deste sculo na interligao dos sistemas norte (Tucuru) ao sistema sul 24.

Figura 12 Conjunto de tiristores formando uma vlvula no sistema retificador de Itaipu

http://www04.abb.com/global/gad/gad02007.nsf/Images/5824B8312CF6E9C5C1256EBD00523B4F/$File/L36541_7
20.jpg

O elevado ganho de rendimento obtido com os tiristores, em comparao com as solues

anteriores no veio acompanhado de aumento na densidade de potncia dos conversores, uma vez
que os dispositivos continuavam a operar em 50/60 Hz. A disponibilidade de transistores com
capacidade de comutar na faixa de dezenas ou centenas de kHz tornou possvel uma grande
reduo no volume dos transformadores, indutores e capacitores utilizados nos conversores,
minimizando o espao requerido pelas fontes de alimentao dos equipamentos.

24
C. Gama, L. ngquist, G. Ingestrm, and M. Noroozian, Commissioning and operative experience of TCSC for
damping power oscillation in the Brazilian north-south interconnection, in Proc. CIGRE Session 2000, Paper 14-104,
Paris, France, 2000.

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Ao longo dos anos 60 e 70 as aplicaes eletrnicas, principalmente na rea de

computao, cresceram vertiginosamente. O suprimento de energia para sistemas espaciais,
computadores, bem como para uso residencial e comercial, como reatores para lmpadas
fluorescentes e televisores, exigiam solues mais eficientes, leves e compactas. Nesta direo,
houve grande evoluo dos transitores, no mais para operar como amplificador (na regio ativa)
mas para funcionar como interruptor.
Diferentemente dos tiristores que, por seu modo de funcionamento se adequam
alimentao CA, os transistores tm sua melhor aplicao a partir de fontes CC. Ao
desenvolvimento dos transistores bipolares de potncia somou-se a evoluo dos transistores de
efeito de campo, principalmente o MOSFET (Metal-Oxide Silicon Field Effect Transistor),
resultando, no final dos anos 80 no surgimento do IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Em
nveis crescentes de tenso e corrente, permitindo alimentar cargas na faixa de MVA, as fontes
chaveadas e os inversores (conversores alimentados em CC) tiveram um enorme desenvolvimento
em termos de desempenho e confiabilidade.

Estrutura interna e moderno dispositivo (Semikron)

O sucesso dos inversores, ao permitir o controle de velocidade dos motores de induo, a

partir dos anos 90, praticamente eliminou o uso dos motores CC de escovas. certo que ainda
existem muitas aplicaes com tais motores, mas os processos de troca de equipamentos sempre
apresentam vantagens para o uso dos motores CA associados aos inversores.

Fontes chaveadas e ballasts eletrnicos para lmpadas fluorescentes

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Outras estruturas de motores, como o motor de relutncia varivel, os motores de passo, os

motores CC sem escovas (DC brushless) necessitam de um conversor eletrnico para seu
funcionamento. Conjuga-se, deste modo o desenvolvimento dos sistemas de acionamento ao de
eletrnica de potncia de maneira irreversvel.
O direcionamento atual da Eletrnica de Potncia tem sido em busca de processos de
aproveitamento de energia mais ecologicamente adequados. Os usos de energia fotovoltaica,
elica, do hidrognio, carecem de um processamento eletrnico para sua adequao s cargas.
Apesar dos imensos progressos da microeletrnica (j tendo se tornado nanoeletrnica), do
ponto de vista dos dispositivos de potncia, aparentemente se est no limite da capacidade do
silcio em termos de bloqueio de tenso e de conduo de corrente. A quebra dos atuais limites
destas grandezas, que permitiria ampliar as aplicaes, parece depender do desenvolvimento de
novos materiais semicondutores, como carbetos de silcio, ou nitreto de glio, capazes de ampliar
o campo eltrico suportvel, diminuir perdas, facilitar o fluxo do calor interno, etc. 25. Quem sabe,
daqui a uns 10 anos tenha-se um novo e importante captulo nessa histria.

Figura 13 Sem Eletrnica de Potncia no se aproveitam adequadamente as fontes limpas e

renovveis de energia. http://keetsa.com/blog/wp-content/uploads/2009/02/solar-wind-power.jpg
V
(k V )

12
SCR 1 2 k V /1 .5 k A

10

8
6 .5 k V /
0 .6 k A 6 .5 k V /4 .2 k A
6 6 k V /6 k A
G T O /IG C T 4 .8 k V /5 k A
4
2 .5 k V /1 .8 k A
2 1 . 7 k V / 3 .6 k A

IG B T
0 1 2 3 4 5 6 I( k A )

Figura 14 Limites de capacidade de componentes semicondutores de potncia. (B. Wu, 2005)

25
MOHAN, UNDERLAND, ROBBINS Power Electronics: Converters, Applications and Design, 2nd edition, John
Wiley, 1994.

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Materiais Emergentes
Embora existam alguns diodos realizados com outros materiais (Arseneto de Glio e
Carbeto de Silcio, etc.), o silcio atualmente praticamente o nico material utilizado para a
fabricao de componentes semicondutores de potncia. Isto se deve ao fato de que se tem
tecnologia para fazer o crescimento de monocristais de silcio com pureza e em dimetro
suficientes, o que ainda no possvel para outros materiais.
Existem, no entanto, outros materiais com propriedades superiores, em relao ao silcio,
mas que ainda no so produzidos em dimenses e grau de pureza necessrios fabricao de
componentes de potncia.
Arseneto de Glio (GaAs) um destes materiais. Por possuir um maior gap de energia,
sempre em relao ao silcio, dispositivos construdos a partir deste material apresentam menor
corrente de fuga e, assim, poderiam operar em temperaturas mais elevadas. Uma vez que a
mobilidade dos portadores muito maior no GaAs, tem-se um componente com menor resistncia
de conduo, especialmente nos dispositivos com conduo por portadores majoritrios
(MOSFET). Alm disso, por apresentar uma maior intensidade de campo eltrico de ruptura, ele
poderia suportar maiores tenses.
A Tabela I mostra propriedades de diversos materiais a partir dos quais se pode,
potencialmente, produzir dispositivos semicondutores de potncia.
Carbetos de Silcio so materiais sobre os quais se fazem intensas pesquisas. O gap de
energia maior que o dobro do Si, permitindo operao em temperaturas elevadas.
Adicionalmente apresenta elevada condutividade trmica (que baixa para GaAs), facilitando a
dissipao do calor produzido no interior do semicondutor. Sua principal vantagem em relao
tanto ao Si quanto ao GaAs a intensidade de campo eltrico de ruptura, que aumentada em uma
ordem de grandeza.
Outro material de interesse potencial o diamante. Apresenta, dentre todos estes materiais,
o maior gap de energia, a maior condutividade trmica e a maior intensidade de campo eltrico,
alm de elevada mobilidade de portadores.
Outra anlise pode ser feita comparando o impacto dos parmetros mostrados na Tabela I
sobre algumas caractersticas de componentes (hipotticos) construdos com os novos materiais.
As tabelas II a IV mostram as variaes de alguns parmetros. Tomem-se os valores do Si como
referncia. Estas informaes foram obtidas em Mohan, Robbins e Undeland (1994).

Tabela 1.I Propriedades de materias semicondutores

Propriedade Si GaAs 3C-SiC 6H-SiC Diamante

Gap de energia a 300K (eV) 1,12 1,43 2,2 2,9 5,5

Condutividade trmica (W/cm.C) 1,5 0,5 5,0 5,0 20
Mobilidade a 300K (cm2/V.s) 1400 8500 1000 600 2200
Campo eltrico mximo (V/cm) 3.105 4.105 4.106 4.106 1.107
Temperatura de fuso (C) 1415 1238 Sublima Sublima Muda de fase
>> 1800 >>1800 2200*
* Diamante grafite

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Nota-se (tabela II) que as resistncias da regio de deriva so fortemente influenciadas

pelos materiais. Estes valores so determinados considerando as grandezas indicadas na Tabela I.
A resistncia de um componente de diamante teria, assim, um valor cerca de 30000 vezes menor
do que se tem hoje num componente de Si. O impacto sobre a reduo das perdas de conduo
bvio.
Na tabela III tem-se, para um dispositivo que deve suportar 1 kV, as necessidades de
dopagem e o comprimento da regio de deriva. Nota-se tambm aqui que os novos materiais
permitiro uma reduo drstica no comprimento dos dispositivos, implicando numa menor
quantidade de material, embora isso no necessariamente tenha impacto sobro o custo. Um
dispositivo de diamante seria, em princpio, capaz de suportar 1 kV com uma dopagem elevada na
regio de deriva e num comprimento de apenas 2 m, ou seja, 50 vezes menos que um
componente equivalente de Si.
Na tabela IV tem-se expressa a reduo no tempo de vida dos portadores no interior da
regio de deriva. Este parmetro tem implicaes sobre a velocidade de comutao dos
dispositivos, sendo, assim, espervel que componentes de diamante, sejam algumas ordens de
grandeza mais rpidos que os atuais componentes de Si.

Tabela II Resistncia hmica da regio de deriva

Material Si GaAs SiC Diamante
Resistncia relativa 1 6,4.10-2 9,6.10-3 3,7.10-5

Tabela III Dopagem e comprimento da regio de deriva necessrio para uma juno abrupta
suportar 1 kV
Material Si GaAs SiC Diamante
-3 14 14 16
Dopagem (cm ) 1,3.10 5,7.10 1,1.10 1,5.1017
Comprimento (m) 100 50 10 2

Tabela IV Tempo de vida de portador (na regio de deriva) para uma juno pn com ruptura de
1000 V
Material Si GaAs SiC Diamante
Tempo de vida 1,2 s 0,11 s 40 ns 7 ns

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