Informe Final N2:

La Caracterstica Exponencial del Transistor Bipolar

Saul Maximo Chirinos Retuerto, Fracner Manolo Pinto Cordova,
Jean Pierre Portuguez Benancio, Yair Omar Requena Camargo, Yupanqui Pea Gerson
Universidad Nacional de Ingeniera
Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica
Laboratorio de Electrnica III (EE443-N) - 2017-II

Abstract- This document is the final report of the experience N2 mV VIN VO VB VEQ (V)
"The exponential characteristic of the bipolar transistor" with 20 15 30 5.20
experimental data and conclusions.
30 17.6 40 5.21
40 23 52 5.22
I. PRESENTE LOS CUADROS Y DATOS OBTENIDOS 50 31.2 66 5.21
CUADRO
De los datos obtenidos en el laboratorio: 75 54.2 90 5.21
III
100 112 116 5.22
Frecuencia (kHz) VOPP (mV) 125 176 140 5.22
400 88 150 216 154 5.23
430 180 200 304 180 5.25
450 672
455 984 Frecuencia (kHz) VO (mV) VB (mV)
CUADRO
470 284 F0 872 208
I
490 140 F0/2 408 208
500 112 CUADRO F0/3 88 208
520 84 IV F0/4 36 208
540 72 F0/5 24 212

mV VIN VO VB VEQ (V)

II. DETERMINE EL ANCHO DE BANDA CON LOS DATOS DEL
20 136 34 5.21 CUADRO I
30 192 48 5.21
40 256 57 5.21
50 320 70 5.21
CUADRO
75 460 94 5.22
II
100 580 112 5.22
125 656 130 5.22
150 760 156 5.23
200 888 184 5.24

El ancho de banda es 10kHz aproximadamente.

 III. GRAFIQUE. IV. COMPARE EL CUADRO IV CON LOS RESULTADOS TERICOS
OBTENIDOS POR LAS TABLAS O GRFICOS, CONSIDERAR EL
TRANSFORMADOR UTILIZADO.
A) 2I1(x)/I0(x) vs Vin/VT
Frecuencia VO VB
(kHz) (mV) (mV)
F0 872 208
F0/2 408 208
CUADRO F0/3 88 208
IV
F0/4 36 208
F0/5 24 212
Para f0:
208
1 = = = 0.208
6 1000

Entonces: 0 = 1 (0)

Entonces:(0) = 4192
B) GM(X) VS X

Conociendo , veamos la forma de V0/Vb:

0 1 6 6
= =
1 (0) (0)

Entonces, para f0/2:

0 1
= 1.96 =
2

2 = 0.51

Para f0/3:
0 1
C) 2I1(x)/I0(x) = 0.423 =
3

3 = 2.364

Para f0/4:
0 1
= 0.173 =
4

4 = 5.78

Para f0/4:
0 1
= 0.1132 =
4

4 = 8.833
 V. OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES - Con una resistencia en paralelo al generador de seales se
puede mejorar la forma sinusoidal de la tensin de salida.
Observaciones:
- Se us a la bobina roja como bobina FI.

- Se midi la tensin en la pata superior del tanque y no en

la del medio V0 ya que esta ltima presentaba mucho ruido.

- No se midi la tensin en VB ya que se presentaba mucho

ruido.

- Se coloc una resistencia de 47 en paralelo al generador

de seales.

Circuito implementado

Sintonizacin a 455KHZ
Conclusiones:

- Se pudo obtener experimentalmente el contenido armnico

de la corriente de colector del transistor bipolar.