Apostila de Eletrônica de Potência Versão 112 - 06março2017

PEA-3487 Eletrnica de Potncia I
NOTAS DE AULA
Prof. Wilson Komatsu1
Prof. Loureno Matakas Junior
Prof. Walter Kaiser
Verso 1.12 - 1 semestre/2017
OBJETIVOS DA DISCIPLINA:
Introduo aos conceitos de Eletrnica de Potncia, com nfase aos conversores comutados
pela rede de corrente alternada (CA).
O aluno dever aprender os princpios da converso CA/CC (corrente alternada para
corrente contnua) e converso CC/CA utilizando chaves eletrnicas comutadas pela rede CA,
incluindo a anlise, projeto e aplicaes das topologias mais usadas, a influncia na rede CA e suas
solues.
CONTEDO:
Dispositivos semicondutores aplicados eletrnica de potncia;
Circuitos de retificadores no controlados e controlados;
Modelamento de circuitos, caractersticas externas, formas de onda, efeitos da comutao,
equaes e influncia no sistema de CA; operao nos quatro quadrantes; limites de
funcionamento e protees;
Dimensionamento de transformadores e indutores de filtro;
Aplicaes: Sistemas de transmisso de energia em corrente contnua (HVDC), conversores para
excitao esttica, compensao esttica de reativos e reguladores de tenso CA etc.
BIBLIOGRAFIA (lista bsica):
Notas de aula;
N. Mohan, T. Undeland, W.P. Robbins. Power Electronics: Converters, Applications and Design.
John Wiley & Sons, 2003 (3rd edition);
B.M. Bird, K.G.King, D.A.G. Pedder: An Introduction to Power Electronics, John Wiley and
Sons, 1993 (2nd edition);
D.W, Hart. Introduction to Power Electronics. Prentice Hall, 1997 (1st edition);
R.W.Erickson, D.Maksimovic. Fundamentals of Power Electronics. Kluwer, 2001 (2nd edition);
M.H. Rashid. Power Electronics: Circuits, Devices and Applications. Prentice-Hall. 1993 (2nd
edition). Obs.: existe uma traduo para o portugus, da Makron Books;
T.H. Barton: Rectifiers, Cycloconverters and AC Controllers. Clarendon Press, 1994.
CRITRIO DE AVALIAO:
Critrio de aprovao: Recuperao:
0,9(P 1+ P 2) M R
M= +0,1A Critrio de aprovao: MF =
2 2
Sendo: Sendo:
P1 e P2: notas de provas de teoria; MF: mdia final;
A: nota de listas de exerccios. M: mdia obtida pelo aluno na primeira avaliao;
R: nota obtida pelo aluno na prova de recuperao.
1 Baseado em notas de aula dos Profs. Waldir P, Walter Kaiser, Loureno Matakas Jr. e Wilson Komatsu
PEA-3487 Eletrnica de Potncia I - 1 sem/2017 - Notas de aula v. 1.12- pg.1

PROGRAMA DO CURSO (tentativa):
1. Modelos e circuitos e configuraes bsicas de conversores

2. Dispositivos eletrnicos para controle de potncia
3. Retificadores polifsicos no-controlados
4. Retificadores polifsicos controlados
5. Aplicaes de eletrnica de potncia
INTRODUO: DEFINIO DE CONVERSORES ESTTICOS

Conversor Esttico uma unidade operacional constituda de semicondutores (vlvulas
eletrnicas) e sistemas de controle auxiliar, utilizada para alterar uma ou mais caractersticas de um
sistema eltrico de potncia. Pode-se alterar: nveis de tenso e corrente, frequncia e o nmero de
fases. O fluxo de potncia atravs dos conversores estticos pode ser reversvel, podendo as
entradas e sadas trocar de funo.
Fig. I.1: Nomenclatura dos processos de converso esttica de energia eltrica.

Alguns exemplos de conversores estticos so:
CA / CC / CA (ex: retificador comutado CA / CA direto (ex: controlador de CC / CC direto (ex: chopper)

pela rede) potncia CA (dimmer))
CC / CC com elo CA (ex: fonte de CA / CA direto (Ex: cicloconversor) CA / CA com elo CC (ex: inversor
alimentao chaveada) PWM)
Fig. I.2: Exemplos de conversores de energia eltrica CA / CC / CA.
Um diagrama de blocos de uma estrutura bsica do conversor comutado pela rede pode ser
ilustrado como na figura I.3:
Fig. I.3: Diagrama de blocos de uma estrutura bsica de conversor comutado pela rede.

1. MODELOS DE CIRCUITOS
1.1. Generalidades
Componentes fsicos do conversor so descritos por modelos matemticos;
Quanto mais simples o modelo:

- Mais fcil o clculo do circuito;
- Descrio mais pobre do seu funcionamento.
Escolha do modelo: Conciliao entre simplicidade de clculo (modelo simples) e descrio

adequada do funcionamento (modelo complexo).
MODELOS
Ideal (+ simples): - Simula situaes idealizadas;

Fornece ideia qualitativa de funcionamento;
Permite dimensionamento eltrico aproximado dos componentes para operao
em regime permanente.
Complexo (+ completo): - Permite anlise de transitrios;

Estudo de fenmenos secundrios que podem impor restries de
projeto;
Avaliao de eficincia (incluso de perdas);
Realizao de compatibilidade (fsica).
Por mais simples que seja o modelo, ele deve apresentar compatibilidade fsica interna.
E1 = V Soluo: E1 R1I1 = V
Mas SE E1 E2 ?
E2 = V E2 R2I2 = V
Fig. 1.1: Compatibilizao fsica da associao em paralelo de duas fontes de tenso atravs de resistncias em srie.
I1 = I Soluo: I1 G1V1 = I
Mas SE I1 I2 ?
I2 = I I2 G2V2 = I
Fig. 1.2: Compatibilizao fsica da associao em srie de duas fontes de corrente atravs de resistncias em paralelo.

Fig. 1.3: Compatibilizao fsica de duas fontes de tenso com formas de onda distintas atravs de uma impedncia Z.
Nos exemplos das figuras 1.1, 1.2 e 1.3, a simples associao dos modelos ideais, a corrente
ou tenso necessria para compatibilidade tenderiam ao infinito, o que no fisicamente possvel.
Em todos os casos acima, necessria a incluso de um elemento resistivo (resistncia interna da
bateria) ou reativo (indutor de filtro ou impedncia do transformador) de maneira conveniente na
associao.
- SOLUO DE CIRCUITOS EM ELETRNICA DE POTNCIA:
Como os circuitos de Eletrnica de Potncia usam componentes NO lineares (diodos etc.),

o circuito a ser resolvido no-linear. A soluo realizada fragmentando-se o circuito original em
uma sucesso temporal de circuitos parciais lineares, e resolver cada trecho parcial linear aplicando-
se como condies iniciais as condies finais do trecho anterior.
Por exemplo, o funcionamento de um circuito retificador pode ser descrito como uma
sucesso de transitrios (em que cada transitrio tem condies iniciais iguais s condies finais do
transitrio anterior).
importante ressaltar que nesta situao, o REGIME PERMANENTE2 deve ser definido
com uma repetio peridica da sucesso de transitrios, e deve-se enfatizar a natureza peridica do
regime permanente (ou seja, em regime permanente possvel se ter um perodo constante aonde as
condies finais do perodo anterior sero iguais aos iniciais do perodo seguinte). Vrias
caractersticas eltricas interessantes ocorrem em circuitos em regime permanente, e sero
abordadas posteriormente.
1.2. Modelos de componentes ideais
A) GERADOR (ou rede de alimentao)
Circuitos retificadores de interesse industrial geralmente so alimentados por redes trifsicas.

Para generalizar, pode-se descrever um gerador n-fsico.
2 No se deve confundir aqui REGIME PERMANENTE com regime permanente senoidal (rps), pois as formas de
onda das tenses e correntes envolvidas provavelmente no sero senoidais.

A.1 Modelo ideal:
- n geradores;
- f.e.m. puramente senoidal;
- tenses de mesma amplitude e frequncia;
- defasagem de 2/n entre geradores.
Neste caso de f.e.m. pura, sem impedncia interna, a tenso terminal

independe da corrente. No caso de curto-circuito, a corrente tende ao infinito.
Fig. 1.4: Modelo ideal de gerador n-fsico.
A.2 Modelo idealizado (simplificado):

- Zrede fornecido pela concessionria. Geralmente utiliza-se somente a
parte reativa, pois a parte resistiva tem valor comparativamente desprezvel.
- Zrede obtido do gerador de Thvenin equivalente da barra:
- determina-se a tenso na barra, obtendo-se a tenso em vazio E do
gerador;
- a impedncia na barra (Zrede) calculada com todos os geradores de
tenso em aberto e os de corrente em curto.
Fig. 1.5: Modelo idealizado de gerador com impedncia interna.
Fig. 1.6: Diagrama unifilar de um sistema de potncia (do qual se obtm o modelo da figura 1.5).
A figura 1.7 exemplifica a obteno de tenso e impedncia equivalentes vistas pela carga.
R1 R1//R2
E R2 Carga E*R2 Carga

(R1+R2)
Fig. 1.7: Exemplo de obteno de tenso e impedncia equivalentes vistas pela carga.
Neste caso, a tenso terminal da rede depende da corrente absorvida pela carga. Essa
dependncia complicada se a corrente de carga for no-senoidal, como no caso de retificadores.

Rg
I
E V
R
Fig. 1.8: Corrente no-senoidal drenada por carga com diodo.
O circuito da figura 1.8 pode ser equacionado por:
v =E sin t R g i (1.1) R
v =E sin t sin t 0 (1.4)
R R g
E
i= sin t sin t0 (1.2)
R g R v =E sin t sin t0 (1.5)
i=0 sin t 0 (1.3)
B) TRANSFORMADOR
O modelamento do transformador um exemplo da importncia do pleno entendimento das

limitaes e potencialidades de um dado modelo, seja ele ideal ou idealizado.
Para se ilustrar o problema, um circuito simples usando transformador apresentado na
figura 1.9. Qual a forma de onda da corrente i1 presente no primrio do transformador?
Fig. 1.9: Esquema eltrico de um retificador monofsico de um caminho e meia onda com carga resistiva, alimentado
por fonte senoidal atravs de um transformador.
Do circuito da figura 1.9, qual a forma da corrente do primrio esperada i1? Vrias
possibilidades so apresentadas na figura 1.10.
(a) (b) (c) (d) (e)

Fig. 1.10: Possveis formas de onda para a corrente do primrio i1 do circuito da figura 1.9. A linha horizontal no centro
das figuras representa o valor de zero ampres.
A resposta (a) muito comum, pois encontrada em muitos livros-texto de eletrnica de

potncia. Se o aluno assumir que o transformador ideal (nada foi dito a respeito no enunciado do
problema!) e aplicar as leis de Ampre e Faraday, obter a resposta (d). Se for construdo um
circuito real e medida a corrente i1, ser obtida a resposta (e).

Qual a resposta correta? Depende do modelo que est sendo usado, ou melhor, a resposta
depende do modelo do transformador que est sendo usado, com suas limitaes.
O problema da modelagem do transformador pode ser abordado com a apresentao inicial
do transformador ideal e o acrscimo de no-idealidades para que o modelo mais completo
apresente o mesmo comportamento do transformador medido no mundo real.
B.1 TRANSFORMADOR IDEAL
O transformador ideal, mostrado na figura 1.11a, consiste de duas bobinas magneticamente

acopladas com nmero de espiras Np e Ns e apresentando as seguintes caractersticas:
a) acoplamento magntico perfeito entre ambos os enrolamentos;
b) sem perdas no ncleo nem nos enrolamentos;
c) o material magntico do ncleo linear com .
ip(t) (t) is(t) ip(t) is(t)
Ns
vp(t) vs(t) vp(t) vs(t)
Np
Np Ns
(a) Circuito eltrico. (b) Modelo equivalente.
Fig. 1.11. Transformador ideal.
A relao entre uma tenso primria arbitrria vp(t) e o fluxo no ncleo (t) dada pela lei
de Faraday:
d
v p t = N p (1.6)
dt
O fluxo magntico (t) que acopla ambos os enrolamentos dado por:
t
1
t =
Npt p
v d t 0 (1.7)
0
Por exemplo, se a tenso do primrio vp(t) senoidal, o fluxo do ncleo senoidal com um
valor mdio que depende do instante de ligao t0 como mostra a equao (1.7).
Desde que o acoplamento entre enrolamentos perfeito (hiptese a), a tenso do secundrio
vs(t) obtida de (1.8):
d N
v s t =N s = s v p t (1.8)
dt N p
Note que (1.8) vale para qualquer forma de onda de tenso no primrio, incluindo tenses
contnuas.
Se a rea transversal do ncleo for S, a densidade de fluxo magntico resultante B(t) :
t
B t = (1.9)
S
Assumindo is(t) nulo, ip(t) obtido aplicando-se a lei de Ampre intensidade de campo
magntico H(t) atravs de um caminho de comprimento :
H t .
i p t = (1.10)
Np

E como:
B t
H t = (1.11)

e assumindo-se que o material do ncleo linear e sem perdas (hipteses b e c), a curva BxH uma
reta que passa pela origem. Quando (hiptese c) a curva BxH se torna uma linha vertical em
H=0. Como consequncia, ip(t) nulo para is(t)=0 e qualquer variao finita no valor de B no afeta
este valor nulo de ip(t).
Quando uma corrente de carga is(t) flui no enrolamento secundrio, de acordo com a lei de
Ampre a fora magnetomotriz total precisa ser nula pois H=0. Com isso, a corrente do primrio
pode ser calculada por:
N
i p t = s i s t (1.12)
Np
Note que (1.12) vlida para qualquer forma de onda de corrente no secundrio, incluindo
correntes contnuas.
Note ainda que as tenses dadas somente pela lei de Faraday, e as correntes dadas somente
pela lei de Ampre, so desacopladas em um transformador ideal.
De (1.8) e (1.12) pode se obter:
v p t . i p t =v s t i s t p p t = p s t (1.13)
mostrando que as potncias instantneas no primrio e no secundrio so iguais, pois este modelo
de transformador ideal no armazena nem dissipa energia.
Desta forma, o comportamento eltrico de um transformador ideal pode ser representado
pelo circuito eltrico da figura 1.11b, e pelas equaes (1.8) e (1.12). Estas equaes no dependem
da frequncia ou forma de onda e portanto so vlidas para tenses e correntes contnuas
respectivamente.
Dentre as respostas da figura 1.10, se o transformador for ideal a resposta correta ser a (d),
e neste caso o transformador transformar corrente contnua. Um erro muito comum se dizer que
um transformador, mesmo ideal, no permite transformao de corrente contnua. Mostrou-se
claramente no equacionamento acima que no existe este impedimento para o transformador ideal.
E para o transformador real? Por que a resposta certa a (e)?
Um detalhe importante que foi omitido na apresentao das alternativas da figura 1.10, que
elas representam a corrente no primrio em regime permanente, ou seja, aps o fim de um regime
transitrio de ligao, partindo provavelmente de condies iniciais nulas para tenses e correntes.
A obteno da resposta real (e), em regime permanente, deve ser feita sobre o modelo completo do
transformador, mas somente alguns componentes deste modelo so essenciais para explicar este
comportamento. O comportamento para regime permanente que explica completamente a
alternativa correta (e) apresentado a seguir.
B.2 TRANSFORMADOR REAL (modelo completo)
Fig. 1.12: Modelo completo do transformador (com ncleo saturvel) alimentando retificador de meia-onda com carga
resistiva.
O circuito da figura 1.12 substitui o transformador genrico da figura 1.9 pelo modelo
equivalente completo de transformador. Note-se que o transformador presente no centro

exatamente o transformador ideal modelado no item anterior, inclusive usando a mesma
nomenclatura de tenses (vp e vs). A corrente do secundrio ip(t) deste transformador ideal a
prpria corrente i2(t) da carga, e a corrente do primrio ip(t) se divide entre a fonte e(t) (cuja corrente
i1(t)) , a resistncia de perdas RP e a indutncia de magnetizao Lmag.
A forma de onda da corrente da carga i2(t) corresponde opo (d) da figura 1.10, uma
senoide retificada em meia-onda com valor mdio no nulo. Como o transformador deste modelo
completo ideal, a corrente do primrio ip(t) ter a mesma forma de onda do secundrio is(t) (= i2(t))
inclusive com valor mdio no nulo.
IMPORTANTE: Em regime permanente as tenses mdias sobre indutores (mesmo

saturveis) so nulas (e, de modo dual, as correntes mdias sobre capacitores tambm sero nulas).
Demonstra-se esta afirmao acima sabendo-se que no regime permanente sempre pode ser
encontrado um perodo de tempo fixo (geralmente um mltiplo ou submltiplo do perodo da rede
de CA) em que a energia de um bipolo no dissipativo (indutor ou capacitor) no incio deste perodo
igual do fim do perodo, ou seja, a variao de energia do bipolo neste perodo nula. Ou seja,
em regime permanente tal bipolo no est ganhando ou perdendo energia mdia (calculada neste
perodo de tempo fixo) ao longo do tempo.
Fig. 1.13: Detalhe do circuito da figura 1.12, aplicando-se a 2a lei de Kirchhoff para tenses mdias.
A fonte e(t) tem valor mdio de tenso E nulo. Logo, em regime permanente, aplicando-se a
2a lei de Kirchhoff com tenses mdias malha do circuito da figura 1.13, a tenso mdia na
resistncia do enrolamento primrio R1 deve ser nula, e para tanto a corrente i1(t) deve ter valor
mdio nulo. Como a corrente ip(t) tem valor mdio no nulo, o valor mdio presente em ip(t) deve
necessariamente passar somente pela indutncia de magnetizao Lmag. Com isso Lmag opera com
uma curva BxH assimtrica em relao origem, com saturao igualmente assimtrica.
Note-se que com a explicao do pargrafo anterior a importncia da resistncia srie R1
para o funcionamento do circuito da figura 1.13 essencial, ao passo que o da indutncia de
disperso L1 no, pois R1 em regime permanente pode ter tenso mdia no nula e L1 no pode.
Portanto, neste caso em particular no se pode desprezar as resistncias em srie dos enrolamentos,
levando-se em conta somente as indutncias de disperso, como usualmente feito na modelagem
de transformadores.
Para ilustrar a magnetizao e saturao assimtricas do ncleo, o circuito da figura 1.12
pode ser simulado numericamente em um programa, no caso o PSIM Demo v 6.0.
Fig. 1.14: Circuito da figura 1.12 com valores para simulao no software PSIM Demo v 6.0.

No circuito para simulao da figura 1.14, a indutncia de magnetizao saturvel
modelada com trs trechos de retas em dado quadrante, conforme mostra a figura 1.15. Nesta, a
curva BxH modelada por trechos de retas sobreposta curva real obtida experimentalmente.
Fig. 1.15: Curvas BxH experimental (em magenta) e modelada por trechos de retas (em verde) para simulao
computacional.
A simulao resultante, na figura 1.16(a), mostra a trajetria na corrente de magnetizao

imag(t) (em verde na figura), bem como as correntes de entrada i1(t) e de carga i2(t). A figura 1.16(b)
mostra o resultado experimental, comprovando que mesmo com o modelamento da curva BxH com
trechos de retas a simulao apresenta comportamento prximo ao experimental.
(a) (b)
Fig. 1.16: Corrente de magnetizao imag(t) (verde), corrente de entrada i1(t) (vermelho) e corrente de carga i2(t) (azul),
obtidas (a) por simulao computacional usando-se o PSIM Demo v 6.0 e (b) experimentalmente.
Este exemplo apresentado, embora tenha utilidade prtica restrita, demostra claramente que
um modelamento coerente imprescindvel para que o modelo resultante tenha aderncia
realidade. No caso, o comportamento a princpio estranho da corrente do primrio do transformador
pode ser completamente explicado pela presena da resistncia hmica do primrio, que desloca a
corrente de magnetizao do primrio para um valor mdio no nulo e provoca a saturao
assimtrica do ncleo do transformador. O modelo validado comparando-se seus resultados com
resultados experimentais.

C) SEMICONDUTORES
Os semicondutores e particularmente os semicondutores de potncia so essenciais aos

circuitos de eletrnica de potncia. Os principais tipos sero abordados, inicialmente como
componentes ideais, e posteriormente como componentes reais com suas limitaes fsicas.
C1) DIODO
a k i i
i
V
V V
Sem perdas Perdas de conduo e chaveamento

Tenso direta nula Tenso direta (1 a 2,5v)
Sem corrente reversa Corrente reversa (mA)
(a) Diodo ideal. (b) Diodo real.
Fig. 1.17. Diodo. Os terminais a e k so respectivamente o nodo e o catodo do diodo.
C2) TIRISTOR (ou SCR Silicon Controlled Rectifier)

um dispositivo semelhante ao diodo, mas onde pode se controlar o instante inicial de
conduo, atravs de aplicao de corrente ao terminal de gatilho (disparo). O disparo do tiristor
somente ocorre se VAK > 0 (o tiristor deve estar diretamente polarizado).
Quando a corrente principal (anodo-catodo) se anula ou se torna negativa, o dispositivo
bloqueia.
i i
a g k
i
V
V V
Sem perdas Perdas de conduo e chaveamento

Tenso direta nula Tenso direta (1 a 2,5v)
Sem corrente reversa Corrente reversa (mA)
(a) Tiristor ideal. (b) Tiristor real.
Fig. 1.18. Tiristor. Os terminais a, g e k so respectivamente o nodo, gatilho e ctodo do tiristor.
C3) TRANSISTOR (DE POTNCIA)

Os transstores de potncia mais usualmente empregados em eletrnica de potncia so o
MOSFET (canal N) e o IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), que pode ser descrito
simplificadamente como um hbrido entre um transistor bipolar (na parte de potncia) com um
MOSFET (na parte do gatilho). Transistores bipolares puros no so mais usados em aplicaes de
eletrnica de potncia devido aos seus baixos ganhos (mesmo em configuraes Darlington).

Bipolar MOSFET IGBT
Canal N
NPN
- Dispositivo controlado por tenso; - Dispositivo controlado por
- Dispositivo controlado por corrente;
- Quando na regio resistiva, exibe tenso;
- Quando saturado exibe tenso Vce
resistncia residual; - Quando saturado exibe tenso
residual;
- Apresenta baixas perdas de chaveamento; Vce residual;
- Apresenta baixas perdas de
- Diodo reverso intrnseco; - Apresenta baixas perdas de
conduo;
- Ids cresce com a corrente e a temperatura conduo;
- Vbe decresce com Ic (necessita
(no necessita equalizao em associao - Diodo reverso externo;
equalizao em associao paralela de
paralela). - Vbe decresce com Ic
dispositivos).
(necessita equalizao em
associao paralela)
(a) Transistor bipolar tipo NPN. (b) Transistor MOSFET canal N. (c) Transistor tipo IGBT.
Fig. 1.19. Comparao entre transistores de potncia.
D)CARGAS
Algumas das cargas mais comuns encontradas em conversores estticos so analisadas a
seguir:
D1) CARGA RESISTIVO INDUTIVA (RL) COM F.E.M.
Fig. 1.20 Carga do tipo resistivo indutiva (RL) com f.e.m.
A equao diferencial de malha do circuito da figura 1.20 :

di
v t =RitL E (1.14)
dt
Em regime peridico (ou permanente) os valores mdios so:
T T T
1 1 1
V =v = v t dt
T 0
I =i= it dt
T 0
V L= L di dt= TL iT i0=0
T 0 dt
(1.15a) (1.15b) (1.15c)
Como j foi dito anteriormente, a equao (1.15c) mostra que a tenso mdia no indutor L
em regime permanente igual a zero3. A equao 1.14 pode ser reescrita para valores mdios:
V =RI E (1.16)
3 Note em (1.15c) que i(T )=i (0) caracterizando o regime permanente.

D2) CARGA RESISTIVO INDUTIVA (RL), COM L MUITO ELEVADO (L )
Em Eletrnica de Potncia tem interesse particular o modelo de carga em que se faz

L , pois isto implica em i L t I praticamente constante e esta hiptese simplifica a
di L
anlise do circuito retificador. Como v L t =L (1.17), e o valor instantneo de v L t
dt
di L
finito, para L muito grande tem-se 0 . Note-se que a tenso instantnea sobre o indutor no
dt
nula v L t =L
di L
dt
0 , j que a indutncia deve suportar a diferena entre a tenso
instantnea da sada do retificador e a tenso na resistncia (que deve ser praticamente constante, j
que I praticamente constante).
Fig. 1.21: Carga tipo RL com L alimentada com tenso vret(t) da sada de um retificador.
O circuito da figura 1.21 mostra uma carga resistiva R em srie com um indutor L de valor
elevado, alimentados por uma tenso ondulada vret(t) proveniente de uma fonte trifsica retificada
em onda completa. As formas de onda da tenso retificada de entrada (vret), da resistncia (vcarga) e
da indutncia (vL) podem ser plotadas manualmente ou com o auxlio de um programa de simulao
como o PSIM Demo v 6.0 ou v 7.0.
Fig. 1.22: Formas de onda de tenses do circuito da figura 1.21 (tenso retificada de entrada (vret), da resistncia (vcarga) e
da indutncia (vL)), obtidas atravs do software PSIM Demo v 7.0. Parmetros usados para simulao: Tenso eficaz de
linha Vef=1 V, resistncia da carga R=1 , indutncia L=5 H.
A corrente de carga R tem a mesma forma de onda da sua tenso, sendo praticamente
contnua. Praticamente toda a ondulao da tenso de entrada vret cai sobre a indutncia L. A tenso
instantnea sobre o indutor vL no nula, mas tem seu valor mdio nulo em regime permanente
conforme deduzido anteriormente. Por isso, quando se consideram apenas valores mdios, sendo
L , indiferente incluir esta indutncia L na carga ou no.

D3) CARGA RC COM C
O modelo de carga RC paralelo com capacitncia muito alta ( C ) implica que a

tenso nos terminais de sada do retificador (vret) independe da corrente (iret).
Fig. 1.23: Carga tipo RC paralelo alimentado por retificador.
dv C
A corrente iret descrita por i ret t=i carga t C (1.18). Como C , ocorre
dt
dv c
0 porque iret e icarga tm valores limitados. Logo, v ret t=vcarga t =V carga =constante .
dt
Para no haver incompatibilidade fsica, a fonte CA (vrede) deve conter alguma impedncia
em srie sobre a qual caia a diferena entre o valor instantneo da tenso senoidal retificada (vrede
retificada) e a tenso na carga (Vcarga, com valor constante). Na prtica, esta impedncia a reatncia
de disperso e resistncias de transformadores e cabos em srie entre a rede e o retificador.
1.3. Princpio de Funcionamento dos Conversores
Exemplo 1: Princpio de funcionamento dos conversores comutados pela rede CA.

O simples circuito da figura 1.24 demonstra o princpio de funcionamento dos conversores
comutados pela linha CA (corrente alternada). No caso dois geradores de tenso arbitrrios v1 e v2
alimentam uma carga genrica. O gerador que tiver a tenso instantnea maior faz conduzir o diodo
correspondente e bloqueia o diodo do outro gerador, caindo sobre o diodo bloqueado a diferena
instantnea de tenso entre ambos os diodos. Este processo no depende da carga, mas sim dos
geradores, razo pela qual se diz que a comutao (transferncia de corrente de uma chave
eletrnica (diodo, neste caso) para a chave subsequente) realizada pela rede CA.
Fig. 1.24: Circuito explicativo do princpio Fig. 1.25: Formas de onda do circuito da figura 1.30 (tenses de
de funcionamento dos conversores entrada (v1) e (v2)), obtidas atravs do software PSIM Demo v 7.0.
comutados pela rede CA. Parmetros usados para simulao: Resistncia da carga R=1 .

Exemplo 2: retificador monofsico de 1 caminho controlado
Fig. 1.26: Retificador monofsico de um caminho totalmente controlado.
A figura 1.26 mostra um retificador monofsico de um caminho totalmente controlado. O

transformador monofsico tem secundrio com derivao (tap) central e marcas de polaridade
indicadas. H dois tiristores T1 e T2 controlando a conduo em ambos os semiciclos da rede CA. A
carga do tipo RL com f.e.m. de valor E. O diodo Dr chamado de diodo de retorno e se destina a
prover continuidade de corrente da carga em caso de interrupo da corrente pelo transformador,
bem como grampear a tenso retificada para valores positivos. Dr nem sempre est presente no
circuito. Algumas hipteses so adotadas:
Gerador + Transformador ideal;
Tiristores e diodo de retorno ideais sem perdas;
Tenso mdia sobre o indutor nula (caracterizando regime permanente);
Os tiristores entram em conduo somente com tenso anodo-catodo maior ou igual a zero e
aplicao de sinal de disparo em seu gatilho. Uma vez em conduo, um tiristor s desliga
quando a corrente por ele se anula ou se a sua tenso anodo-catodo fica menor que zero;
Continuidade de corrente na carga depende da relao L/R da carga e do instante de disparo dos
tiristores;
L limita a ondulao da corrente I;
L suficientemente grande, com isso I pequeno em relao ao valor mdio da corrente de
carga i carga .
As figuras seguintes mostram o comportamento da tenso e corrente de carga deste

retificador para diferentes configuraes de R, L, E e , bem como da presena ou no do diodo de
retorno Dr. realizada uma discusso sobre o efeito da relao R/L da carga sobre a continuidade
de corrente na carga na ausncia do diodo de retorno Dr e da f.e.m. de valor E.
A) Retificador com L = 0, E = 0 e = 0 (presena ou no do diodo de retorno Dr indiferente):

Neste caso o conversor atua como um retificador de onda completa, e a forma de onda de corrente
de carga idntica da tenso devido carga puramente resistiva.
Fig. 1.27: Formas de onda do circuito da figura 1.32 (tenso de carga (vcarga) e corrente de carga (icarga)), obtidas atravs
do software PSIM Demo v 7.0. Parmetros usados para simulao: Tenso de rede eficaz Vrede=1 V, resistncia da carga
R=0,5 , indutncia L=0 H, f.e.m. E=0 V, ngulo de disparo =0, com ou sem diodo de retorno Dr.

B) Retificador com L = 0, E = 0 e > 0 (presena ou no do diodo de retorno Dr indiferente):
Neste caso o conversor atua como um retificador de onda completa controlado, e a forma de onda
de corrente de carga idntica da tenso devido carga puramente resistiva.
Fig. 1.28: Formas de onda do circuito da figura 1.32 (tenso de carga (vcarga), corrente de carga (icarga), correntes nos
tiristores T1 (iT1) e T2 (iT2)), obtidas atravs do software PSIM Demo v 7.0. Parmetros usados para simulao: Tenso
de rede eficaz Vrede=1 V, resistncia da carga R=0,5 , indutncia L=0 H, f.e.m. E=0 V, ngulo de disparo =45, com
ou sem diodo de retorno Dr.
Neste caso a tenso mdia de carga pode ser calculada como:

V
1
v carga = V pico sin d =V pico

cos
[ ]
= pico ( 1+cos ) (1.19)
C1) Retificador com L 0, E = 0, 0 < < /2, com continuidade de corrente (sem diodo de
retorno Dr): Neste caso o conversor atua como um retificador de onda completa controlado, e a
forma de onda de corrente da carga no segue mais a da tenso de carga. A relao R/L da carga
tal que a corrente pela carga no se interrompe. Note-se que a tenso da carga atinge valores
negativos nos intervalos de tempo em que a indutncia L fornece energia para manter a continuidade
de corrente.
Fig. 1.29: Formas de onda do circuito da figura 1.32 (tenso de carga (vcarga), corrente de carga (icarga), tenso no indutor
L (vL), obtidas atravs do software PSIM Demo v 7.0. Parmetros usados para simulao: Tenso de rede eficaz Vrede=1
V, resistncia da carga R=0,5 , indutncia L=0,01 H, f.e.m. E=0 V, ngulo de disparo =45, sem diodo de retorno
Dr.
Neste caso a tenso mdia de carga pode ser calculada como:
+ +
2 V pico
1
v carga = V pico sin d =V pico
[
cos

= ]
( cos ) (1.20)

C2) Retificador com L 0, E = 0, 0 < < /2, com descontinuidade de corrente (sem diodo de
retorno Dr): Neste caso o conversor atua como um retificador de onda completa controlado, e a
forma de onda de corrente da carga no segue mais a da tenso de carga. A relao R/L da carga
tal que a corrente pela carga se interrompe em determinados intervalos de tempo. Note-se que a
tenso da carga atinge valores negativos nos intervalos de tempo em que a indutncia L fornece
energia para manter a continuidade de corrente, mas vai a zero quando a energia na indutncia L
acaba e a corrente pela carga zerada.
Fig. 1.30: Formas de onda do circuito da figura 1.32 (tenso de carga (vcarga), corrente de carga (icarga), tenso no indutor
L (vL), obtidas atravs do software PSIM Demo v 7.0. Parmetros usados para simulao: Tenso de rede eficaz Vrede=1
V, resistncia da carga R=0,5 , indutncia L=0,001 H, f.e.m. E=0 V, ngulo de disparo =45, sem diodo de retorno
Dr.
C3) Retificador com L 0, E = 0, = /2, com continuidade de corrente (sem diodo de retorno
Dr): Neste caso o conversor atua como um retificador de onda completa controlado, e a forma de
onda de corrente da carga no segue mais a da tenso de carga. Com este ngulo de disparo = /2
e continuidade de corrente na carga, a tenso mdia na carga nula.
Fig. 1.31: Formas de onda do circuito da figura 1.32 (tenso de carga (vcarga), corrente de carga (icarga), obtidas atravs do
software PSIM Demo v 7.0. Parmetros usados para simulao: Tenso de rede eficaz Vrede=1 V, resistncia da carga
R=0 , indutncia L=1 H, f.e.m. E=0 V, ngulo de disparo =90, sem diodo de retorno Dr. importante notar que
para este caso necessariamente a resistncia da carga deve ser nula (R=0 ) para que se tenha tenso mdia nula na
carga com corrente de carga no nula.

D1) Retificador com L 0, E < 0 e /2 < < (sem diodo de retorno Dr): Neste caso opera-se
com fora contra-eletromotriz E negativa. A operao com /2 < < s possvel em regime
permanente se houver f.e.m. com E < 0 capaz de fornecer energia indefinidamente. Nesta situao o
balano de energia mostra que a energia flui da f.e.m. E em direo ao lado CA, o que chamado de
operao em modo de inversor. Note ainda que a tenso mdia de carga negativa
v carga = E Ri carga 0 (1.21) mas a corrente mdia positiva i carga 0 .
R=0,5 , indutncia L=0,1 H, f.e.m. E= -1 V, ngulo de disparo =135, sem diodo de retorno Dr. Note-se que em
relao ao caso C3, a presena da f.e.m. garante uma tenso mdia negativa em regime, e permite a presena da
resistncia de carga R.
D2) Retificador com L 0, E > 0 e 0 < < /2 (sem diodo de retorno Dr): Neste caso opera-se
com fora contra-eletromotriz positiva.
R=0,5 , indutncia L=0,1 H, f.e.m. E=0,5 V, ngulo de disparo =45, sem diodo de retorno Dr.

E) Retificador com L 0, E = 0 e 0 < < /2 (com diodo de retorno Dr): O diodo de retorno
grampeia a tenso instantnea na carga evitando que esta fique negativa. Desta forma, a energia
armazenada no indutor flui pelo diodo de retorno para a carga, e como a tenso mdia de carga no
pode assumir valores negativos, o fluxo de potncia somente no sentido da fonte CA para a carga.
Desta forma, para ngulos de disparo /2 < < a tenso e corrente da carga assumem valores
nulos em regime.
Fig. 1.34: Formas de onda do circuito da figura 1.32 (tenso de carga (vcarga), corrente de carga (icarga), corrente do diodo
de retorno (vDr), tenso do indutor L (vL) obtidas atravs do software PSIM Demo v 7.0. Parmetros usados para
simulao: Tenso de rede eficaz Vrede=1 V, resistncia da carga R=0,5 , indutncia L=0,001 H, f.e.m. E=0 V, ngulo
de disparo =45, com diodo de retorno Dr.
O fluxo de potncia (sentido da energia) neste conversor depende do ngulo de atraso ,

bem como de outros fatores:
Para 0 /2 , o fluxo de potncia est no sentido da fonte para a carga. Neste caso os
valores mdios de tenso e corrente da carga so positivos: v carga 0 e i carga 0 . O
conversor est operando no modo de retificador;
Para /2 , o fluxo de potncia est no sentido da carga para a fonte. Neste caso a
tenso mdia na carga negativa v carga 0 mas a corrente mdia da carga continua positiva
i carga 0 . Nesta situao deve haver uma fonte de energia no lado da carga (lado CC) que
possa manter o fluxo de potncia no sentido cargafonte em regime. O conversor est
operando no modo de inversor;
Para = /2 , a tenso mdia da carga nula v carga =0 , a corrente mdia na carga
continua positiva i carga 0 mas o fluxo mdio de potncia nulo (apesar do fluxo instantneo
de energia no ser nulo, seu valor mdio em um perodo da rede CA nulo). Neste caso, como
existe corrente pela carga, a resistncia da carga necessariamente nula (R=0) para se garantir
tenso mdia nula na carga.

F) Anlise da relao L/R para continuidade de corrente na carga: Para o circuito da figura
1.26, no caso particular com somente uma carga RL (ausncia do diodo de retorno Dr e da f.e.m. E)
com os tiristores T1 e T2 acionados com um ngulo de atraso (aplicando-se portanto uma tenso
senoidal retificada v(t) sobre a carga RL), a corrente de carga pode sofrer descontinuidade de
corrente (ou seja, ela pode se anular em certo trecho) dependendo da relao L/R e do ngulo de
atraso . Esta relao pode ser deduzida literalmente:
Fig. 1.35: Carga RL alimentada com tenso v(t).

A expresso da tenso de malha da figura 1.35 fica:
di
v t =L R it =V sin t=V cos t (1.21)
dt 2
e como soluo=soluolivresoluo forada ou de regime (1.22)
R
t
soluo livre: i t =k e L (1.23)
livre 1
V L
soluo forada: i forada t = sin t onde =tg 1 (1.24)
L R
2 2 2 R
R
t
L V
obtendo-se it =k 1 e I max sin t com I max= (1.25)
2 L 2R 2
a condio inicial para se ter corrente nula em t=0 ( i0=0 ) :
R
t
it = I max [sin t sin e ] (1.26) L
a condio necessria para se ter continuidade de corrente que no instante t= se tenha

i t =i0 :
R R

I max [sinsin e ]0 (1.25) ou, sin 1e L 0 (1.27)
L
logo 0 (1.28)
L L L
tg ( ) tg tg1 = (1.29)
R R R
Pode-se substituir adequadamente os valores de L e de R em (1.29) para trs casos

particulares:
Caso 1: L=0. Neste caso, =0 o nico ngulo em que se tem continuidade de corrente;
1 L
Caso 2: R=0. Neste caso, tg para se ter continuidade de corrente;
R 2

Caso 3: L muito grande e R finito. Neste caso 2 para se ter continuidade de corrente.
Estes casos so ilustrados a seguir com o uso de simulao computacional do circuito.

F1) Caso 1: para L=0, tem-se =0 . Este resultado expressa o caso particular em que no h
elemento armazenador de energia (no caso o indutor L). Com isso, para se manter continuidade da
corrente i(t), como esta acompanha fielmente a tenso v(t), o ngulo de atraso de incio da tenso
deve ser =0 (figura 1.36). Qualquer 0 faz com que a corrente fique nula dentro do
intervalo 0 t (figura 1.37).
Fig. 1.36: Formas de onda do circuito da figura 1.35 (tenso retificada (v) e corrente (i)), obtidas atravs do software
PSIM Demo v 7.0. Parmetros usados para simulao: Tenso de pico Vpico=1 V, resistncia da carga R=1 , indutncia
L=0 H, ngulo de atraso =0.
L=0 H, ngulo de atraso =90.
F2) Caso 2: para R=0, = / 2 . Este resultado expressa o caso particular em que h somente L
como carga. Logo, em regime permanente, a corrente deve estar atrasada da tenso de / 2
radianos para se estar no limite da continuidade de corrente (ou seja, a corrente de carga atinge o

valor nulo somente nos instantes n , com n inteiro).
2

L=1 H, ngulo de atraso =90. Neste caso se est no limite da continuidade de corrente (a corrente toca em zero a
cada 180).
F3) Caso 3: para L muito grande e = / 2 , para valores de R finitos. Este caso particular
importante uma vez que em diversos circuitos de eletrnica de potncia, retificadores em particular,
a carga muitas vezes suposta do tipo RL srie com L .
v
0.5
-0.5
-1
0.003
0.0025
0.002
0.0015
0.001
0.0005
-0.000 5
499.98 499.982 499.984 499.9 86 499.988 499.99 499.992 499.994 499.996 499.998 500
Time (s)
Fig. 1.39: Formas de onda do circuito da figura 1.35 (tenso retificada de entrada (v) e corrente de entrada (i)), obtidas
atravs do software PSIM Demo v 7.0. Parmetros usados para simulao: Tenso de pico Vpico=1 V, resistncia da
carga R=1 , indutncia L=1 H, ngulo de atraso =90. Neste caso se est no limite da continuidade de corrente (a
corrente toca em zero a cada 180).
Neste caso, como a simulao usou L finito, existe ondulao de corrente mensurvel. No
decorrer do curso surge o caso com L muito grande ( L ) e nesta situao a ondulao de
corrente sobre a carga R, que tem a mesma forma de onda da tenso sobre R, tende a zero (a tenso
sobre R fica constante e igual ao valor mdio da tenso aplicada sobre a carga RL, pois em regime
permanente a tenso mdia sobre L deve ser nula ( v L =0 ).

F3) Caso 3a: para L muito grande e > / 2 , para valores de R finitos.
Fig. 1.40: Formas de onda do circuito da figura 1.35 (tenso retificada de entrada (v) e corrente de entrada (i)), obtidas
atravs do software PSIM Demo v 7.0. Parmetros usados para simulao: Tenso de pico Vpico=1 V, resistncia da
carga R=1 , indutncia L=1 H, ngulo de atraso =100. Neste caso no h mais continuidade de corrente (a corrente
se anula e continua nula em certos trechos).
Pode-se concluir que para toda a faixa de variao usual de L e de R, tem-se que a faixa de
variao de ser 0 , e que o ngulo limite para se garantir continuidade de corrente na
carga / 2 .
Exemplo 3: Controlador de potncia CA (conversor CA/CA)
Fig. 1.41: Controlador de potncia CA.
O controlador de potncia CA usado para se alimentar cargas CA a partir de fontes CA. As

chaves eletrnicas geralmente usadas so dois tiristores em ligao antiparalela para cargas de maior
potncia (da ordem de kW) ou um TRIAC4 para cargas menores (at centenas de W). O controle de
potncia conseguido atravs da variao do valor eficaz da tenso aplicada carga, realizado
usualmente por dois mtodos, o controle por ngulo de fase e o controle por ciclos inteiros.
4 TRIAC um tipo de semicondutor de potncia que pode ser modelado como dois tiristores em antiparalelo como na
figura 1.41, e que age como uma chave. Suas caractersticas sero explicadas mais adiante.

A) Controle por ngulo de fase: neste controle o ngulo de disparo dos tiristores 5 variado entre
0 para cada semiciclo. Desta forma a rea efetiva de tenso aplicada carga decresce com
o aumento de assim como seu valor mdio.
Fig. 1.42: Forma de onda da tenso da carga (vcarga) do circuito da figura 1.41, obtida atravs do software PSIM Demo v
7.0, com controle de potncia por ngulo de fase. Parmetros usados para simulao: Tenso de rede eficaz Vrede=1 V,
resistncia da carga R=1 , =60o .
O valor eficaz da tenso na carga pode ser calculado como:

1/2
( )
1/ 2
V carga =
1

(
2
2 V redeeficaz ) sin 2 d (
=V redeeficaz
2()+sin 2
2 ) (1.30)
B) Controle por ciclos inteiros (trem de pulsos): neste controle os tiristores sempre so
disparados com =0 o tanto para o semiciclo positivo como para o negativo.
Fig. 1.43: Forma de onda da tenso da carga (vcarga) do circuito da figura 1.41, obtida atravs do software PSIM Demo v
7.0, com controle de potncia por ciclos inteiros. Parmetros usados para simulao: Tenso de rede eficaz Vrede=1 V,
resistncia da carga R=1 , N=6, K=3.
A cada N ciclos inteiros da tenso da rede so aplicados K ciclos inteiros carga, com
K N . Desta forma o valor eficaz efetivo da tenso aplicada carga varia com a relao de N e
K, sendo que esta relao dada por:
V carga =V redeeficaz
K
N
(1.31)6

5 Neste caso o ngulo de disparo definido como a distncia, em graus eltricos, entre a passagem por zero da senide
de entrada CA e o instante de disparo do tiristor.
6 Note-se que em (1.31) no usada a definio usual de valor eficaz, que integra o valor em um perodo (ciclo) da
rede CA, mas a integrao feita em N perodos (ciclos) da rede CA.

1.4 VALORES MDIOS E EFICAZES, FATOR DE POTNCIA
A recordao dos conceitos de valores mdios e eficazes, bem como do conceito de fator de
potncia (este ltimo sujeitando a enganos mais sutis) essencial para a correta anlise dos circuitos
de eletrnica de potncia.
1.4.1 Valores mdios e eficazes
Seja x(t) peridica com perodo T:

T
1
Valor mdio: x = X = X mdio = x t dt (1.32)
T 0
1/ 2
( )
T
1
Valor eficaz: X eficaz = X RMS = [ x (t )] 2 dt (1.33)
T 0
CASO PRTICO:
n
Instantneo: i=i 1i 2i 3...i n= i k (1.34)
k =1
n
Valor mdio: I =i= i k (1.35)
k=1
I
Caso particular: se i 1=i 2 =i 3=...=i n Ik = (1.36)
n
Fig. 1.44: soma das correntes em um n.

2 2
( ) ( )
T n n n
1
I = = i 2k +2 i ji k (1.38)
2
Valor eficaz: ef ik dt (1.37), onde ik
T o k =1 k =1 k =1 i j<i k
2
1
Caso particular: ik, ij funes ortogonais: i i d =0 para i ji k (1.39)
2 o k j
Exemplo: sin x e cos x so funes ortogonais:
2 2
1 1
sin px sin qx d = 2 cos px cos qx d =0 para pq (1.40)
2 o 0
2
1
cos px sin qx d =0 para p , q (1.41)
2 0
n
I = I 2kef (1.42)
2
portanto, se ik forem ortogonais, ef
k=1
I ef
Caso particular: se I 1ef = I 2ef =I 3ef =...=I nef I kef = (1.43)
n
este ltimo resultado conservativo, ou seja, a favor da segurana, pois com os duplos produtos
no nulos Ikef seria menor.

Exemplos de clculo de valores mdios e eficazes:
a) valor constante
v
E
v =V eficaz =E (1.44)
t
Fig. 1.45
b) onda retangular com ciclo de trabalho
t /2
(duty-cycle) de 50% 1 1 T/2 E
v = E dt= [ E T ]0 = (1.45)
v T 0 T 2
1/2 1/ 2
( ) ( )
T /2
1 2 E2 E
E V eficaz =
T
E dt =
2
=
2
(1.46)
0
E/2
0 T/2 T 3T/2
Fig. 1.46
t/2
c) meia senoide com ciclo de trabalho (duty- 1 1

cycle) de 50% v = E sin t dt= E sin d =

T 0 2 0
v 0
E
...=
E
2 [ E
cos = (1.47)

]
2
onde T = e = t

1/2
0
T= T =2 t t
V eficaz =
1

2 0( ( E 2
sin 2
d ) =...
)
1/2
2
...=
2 2 ( [
E 2 sin 2

4 0
= ])
E
2
(1.48)
Fig. 1.47
d) onda retangular com ciclo de trabalho
(duty-cycle) de /T 1

v
v =
T 0
E dt= E (1.49)
T
1/ 2
( ) ()
1/ 2
1
E V eficaz = E 2 d = E (1.50)
T 0 T
0 T
Fig. 1.48

e) meia senide com ciclo de trabalho (duty-
cycle) de /T
v (t )= E sin t 1

2
T
2E
v = E sin t dt= E sin d =
T 0 T 0 T
v
(1.51)
1/ 2
E
( ) (
1/ 2
V eficaz =

T 0
2 2 2
E sin d = T 2 E =... )
1/ 2
0 T t t
...= ()
T

E
2
(1.52)
Fig. 1.49
T /2 T/2
f) onda triangular
v
v =
1
T

0
Et
T /2
dt +
1
T

0
( Et
T /2
+2E ) dt=.. .
([ ] )
T /2 T
E ...=
1
T
t2 E
2 T /2 ] 0
+[ 2 Et ]
T

T /2 [
e t2
T /2 2 T /2
=
E
2
(1.53)
1/2
( { ( })
T /2 T
2 2
E
0 T
Fig. 1.50
t V eficaz = 1
T 0
Et
T /2 ) dt +
t/2
( Et
T /2
+2 E ) dt =
3
(1.54)
1.4.2 Fator de potncia

potncia ativa
Definio: FP= (1.55)7
potncia aparente
Caso monofsico:
T T
1 1
v t it dt p t dt (1.56)
P T 0 T 0
FP = = =
S I ef V ef I efV ef
Note no numerador da expresso de F.P. Fig. 1.51: Fonte de tenso peridica alimentando uma
(1.56) o uso da definio de potncia ativa P (1.59). carga monofsica no linear.
Na figura 1.51 a tenso v(t) puramente senoidal mas a corrente i(t) composta por uma
corrente fundamental na frequncia de v(t) mais harmnicas mltiplas inteiras, at a n-sima
harmnica:
v t =V 1pico sin t (1.57)
it = I 1pico sin t1 I 2pico sin 2 t 2... I npico sin n tn (1.58)
E aplicando-se a definio de potncia ativa (1.59) usando-se v(t) de (1.57) e i(t) de (1.58):
T 2
1 1
P= v t i t dt= v i d (1.59)
T 0 2 0
7 A sigla do fator de potncia (FP) tambm encontrada como no ingls, PF (power factor).

2 2
1 1
P=
2 0
v ( )i ( )d = V sin ()I 1 pico sin ( +1 ) d=...
2 0 1 pico
V 1 pico I 1 pico 2
...=
2
sin( ) [ sin 1 cos +sin cos 1 ] d =... (1.60)
0
2
V 1 pico I 1 pico V I
...=
2

cos 1 sin
2 [ 2
4 0 ]
= 1 pico 1 pico cos 1
2 2
Deve ser lembrado que a integral no perodo T do produto da tenso v(t) com as correntes
harmnicas mltiplas inteiras de i(t) nulo pois a tenso e as correntes harmnicas so funes
ortogonais entre si. Reescrevendo-se (1.60):
V I
P= 1pico 1pico cos 1=V 1eficazI 1eficaz cos 1 (1.60a)
2 2
E a potncia aparente na carga :
S=V eficazI eficaz = I 1eficaz

2
I 22eficaz... I 2neficazV 1eficaz (1.61)
Aplicando-se a definio de fator de potncia:
V 1eficazI 1eficaz cos 1 I 1eficaz

F.P.= = cos 1 (1.62)
I 2
1eficaz I 2
2eficaz ...I 2
V 1eficaz
neficaz
I eficaz total
De (1.64) verifica-se que:
Para correntes no senoidais (mas tenses puramente senoidais) a expresso do fator de

potncia deduzido em (1.62) pode ser divido em:
I
Fator de distoro= 1eficaz (1.63)
I eficaz total
Fator de deslocamento= 1 (1.64)
Para correntes (e tenses) puramente senoidais, a expresso do fator de potncia reduz-se a

F . P .=cos 1 (1.65), que o fator de deslocamento definido em (1.64).
Exemplo de fator de potncia em circuitos no-lineares: Seja o retificador de meia onda e a

correspondente forma de onda de corrente na carga R da figura 1.52. De (1.50) obtm-se a tenso
eficaz em R.
(a) (b)
Fig. 1.52: Retificador de meia onda (a) e corrente na carga R (b). E=1V (valor de pico) e R=1.

A corrente de carga i(t) pode ser expressa como uma srie infinita:
it =I pico
[ 1 1

sin t
2
2 cos 2 t cos 4 t
13

35
...

cos 2n t
2n1 2n1 ] n=1, 2,... (1.66)
sendo Ipico o valor de pico da corrente de carga. Note-se de (1.66) que todas as harmnicas tm
defasagem nula em relao corrente fundamental, que tambm est em fase com a tenso.
A corrente eficaz de carga Ief foi deduzida na equao (1.48):
E 1 I
I ef = = pico (1.67)
2 R 2
A potncia ativa da carga pode ser calculada de duas maneiras:
2 E2
P=I efR= (1.68) P=V 1efI 1efcos 1 (1.69)
4R
E I pico
mas como V 1ef = (1.70), I 1ef = (1.71) e cos 1=1 , (1.68) e (1.69) ficam idnticas.
2 22
A potncia aparente na carga :
E I pico E2
S=V efI ef = = (1.72)
2 2 22R
Com isso, o fator de potncia fica:
E2
P
F.P.= =
4R 2
= =0,707... 1 (1.73)
2
S E 2
2 2 R
O resultado uma carga com fator de potncia menor que a unidade, mas com defasagem
entre tenso e fundamental da corrente nula. Neste caso, a soluo convencional para melhorar o
fator de potncia, que a adio de capacitor em paralelo com a carga, no aumenta o fator de
potncia visto pela fonte CA, pois no h defasagem a ser corrigida, e o fator de potncia reduzido
deve-se presena das harmnicas de corrente, que no caso no contribuem na potncia ativa da
carga (neste exemplo s a corrente fundamental contribui para a potncia ativa na carga). Uma
possvel soluo neste caso para melhorar o fator de potncia seria a instalao de filtros de
harmnicas, desviando as correntes harmnicas que iriam ao gerador.
Fig. 1.53: Insero de filtros de harmnicas (2 a e 4a) para melhorar o fator de potncia.

2. SEMICONDUTORES DE POTNCIA
2.1. Diodo
O diodo basicamente constitudo por uma juno PN. Existem diversos tipos de diodos
adequados para vrias aplicaes: retificao, tenso de referncia (zener), capacitncia varivel
(varicap ou varactor), dosador de radiao, GUN (transmissor), PIN (receptor).
Em aplicaes de potncia, o diodo utilizado basicamente para retificao, sendo por esta
razo chamado de DIODO RETIFICADOR.
Os diodos retificadores so classificados em:
Retificao genrica;
Rpidos (ou para chaveamento) Schottky.
A seguir a estrutura interna dos diodos de Sinal e de Potncia:
2.1.1. Diodo de sinal
Tabela 2.1: Diodo de sinal diretamente polarizado

Polarizao Diretamente Polarizado (Vac > 0)
Caractersticas Juno inundada com portadores: o silcio se torna condutor
ID
A
VAK
Figura Ilustrativa E>0,7 V
K
(Fig. 2.1)
Tabela 2.2: Diodo de sinal reversamente polarizado

Polarizao Diodo de sinal inversamente polarizado (Vac < 0)
Portadores aspirados pela fonte;
Estabelecida distribuio espacial de cargas (de mesma
polaridade da fonte) em cada lado da juno resultante da
Caractersticas formao de ons dos tomos;
Forma-se um capacitor;
Suportabilidade de tenso inversa dada pela largura
(espessura da camada espacial).
-
-------------- E
Figura Ilustrativa ++++++++++ +
+
(Fig. 2.2)

2.1.2. Diodo de Potncia
Tabela 2.3: Diodo de potncia diretamente polarizado

Polarizao Diodo de Potncia diretamente polarizado (Vac > 0)
Alta corrente juno com rea grande;
Caractersticas Regio n* inundada por grande nmero de portadores torna-
se condutora, levando introduo de queda hmica.
ID
p
A
VAK
Figura Ilustrativa n* E>0,7 V
K
(Fig. 2.3)
n* fracamente
n dopada
Tabela 2.4: Diodo de potncia reversamente polarizado

Polarizao Diodo de Potncia Inversamente polarizado (Vac < 0)
Regio n* alta resistncia, aumentando a suportabilidade de
Caractersticas
tenso (capacitor com distncia entre placas maior)
--------------
-
Figura Ilustrativa E
+
(Fig. 2.4) ++++++++++
+
Curvas Caractersticas Dos Diodos de Sinal e Potncia
IF IF Caracterstica
exponencial
A Diodo
de Caracterstica
sinal linear
VAK
K Diodo
de
potncia
IR 0,7V
VRRM 1V
VAK
Regio de
avalanche
Fig. 2.5: Curvas caractersticas de um diodo de sinal e um de potncia.

Operao na regio de avalanche:
O aumento da tenso externa negativa e o consequente aumento do campo eltrico resultante
desencadeia um mecanismo em cascata de formao de portadores (avalanche
breakdown), tornando a regio condutora (corrente reversa sobe muito);
Esse mecanismo destrutivo, pois provoca conduo localizada em certas reas da
superfcie da juno, causando aquecimento localizado em alguns pontos da pastilha,
causando a sua destruio.
Diodos de Avalanche Controlada: A ruptura ocorre no corpo e no na superfcie (juno mais

homognea). Permite conduo de correntes maiores (dentro
de certos limites) sem destruio.
Limitao da taxa de crescimento da tenso: Se a tenso inversa cresce abruptamente (campo

eltrico elevado) gera colises entre portadores na
regio de juno gerando corrente reversa elevada,
que reduz a resistncia da juno. Anlogo a um
capacitor:
dv
i=C (2.1)
dt
O fabricante especifica conjunto capacitor +
resistor para ser ligado em paralelo para
amortecer o (suavizar) dv/dt. Este conjunto RC
chamado de amortecedor ou snubber.
Nas especificaes dos diodos de potncia (assim como outros semicondutores de potncia)
devem ser levadas em conta as grandezas eltricas, trmicas e mecnicas, como visto nos itens a
seguir.
2.2. GRANDEZAS ELTRICAS
2.2.1. Regime Contnuo
Regio inversa (bloqueado):

Tenso inversa peridica mxima VRRM;
Corrente inversa com mxima temperatura de juno (TJuno) IR.
Regio direta (conduzindo):
Corrente eficaz mxima (50/60 hertz) IFRMS;
Corrente mdia (frequncia, forma de onda) IF;
Tenso de conduo VF.
2.2.2. Regime Pulsado (no repetitivo)
Corrente impulsiva mxima IFSM: o valor de pico de uma oscilao, correspondente a um

semiciclo de senoide (de 50 Hz) que, em regime, provocaria uma elevao da TJuno acima
do seu valor mximo, sendo tolerado apenas como operao de emergncia (uma nica vez
ou com intervalos de 5 a 10 segundos):
TJuno supera limite contnuo, mas no o valor mximo especificado para surto;
Deve-se operar sempre abaixo dos limites especificados para surto;
Operao prximo do limite s pode ocorrer em nmero limitado de repeties;

O ciclo de trabalho aps o surto deve ser tal que TJuno volte ao valor tem regime
contnuo;
Corrente de surto permissvel funo da temperatura da juno antes do surto.
Obs.: Existem casos em que se opera s na condio de surto. Exemplo: Bloqueio em CC (chave
esttica operando em conjunto com disjuntor)
Integral limite a corrente I 2 dt :

Valor da energia (funo da temperatura inicial e da largura do pulso) que provoca o
aquecimento da juno at sua mxima temperatura limite.
Valores tabelados:
Resistncia trmica fixa, sem dissipao:
2 2 10 ms 2 10 ms
para t < 10 ms utiliza-se I t dado= I P = I FSM (2.2);
2 2
para t de 2 a 5 ms utiliza-se valores menores
Resistncia trmica fixa, com dissipao:
para t>10ms, utiliza-se valores maiores.
2.2.3. Regime Transitrio
2.2.3.1. Conduo
A conduo do diodo pode ser representada por uma reta equivalente, com:
Resistncia diferencial rt
Limiar de conduo V(To)
Fig. 2.6: Reta equivalente de conduo do diodo.
Equacionando-se a reta equivalente, tem-se:
v T t=V T oi T t r T (2.3)
1 1 1
P=
T
v T t i T t dt=V T o i T t dtr T i T t dt
T T
2
(2.4)
P=V T o I T r T I 2 T R M S (2.5)

A equao (2.5) fornece uma estimativa de perdas de conduo. Note-se que a queda de
tenso da juno do diodo (ou limiar de conduo) V(To) relaciona-se com a corrente mdia pelo
diodo IT e a resistncia hmica da juno (ou resistncia diferencial) relaciona-se com (o quadrado
da) a corrente eficaz pelo diodo IRMS. Esta equao tambm uma maneira de se enxergar a
diferena prtica no uso de valores mdios e eficazes de corrente no dimensionamento de um
circuito.
2.2.3.2. Desligamento (turn off)
Tempo de recuperao inverso trr;
Quando o diodo se encontra em conduo e corrente direta reduzida a zero (devido ao
comportamento natural do circuito ou aplicando-se tenso inversa sobre ele) o diodo continua
conduzindo devido a portadores minoritrios armazenados na juno. Esses portadores necessitam
de um certo tempo para se recombinarem, chamado de TEMPO DE RECUPERAO INVERSO.
ta - retirada das cargas na borda da juno.

IF trr tb - retirada das cargas no interior da juno.
Valores Tabelados:
ta tb IRR =f(di/dt , iF )
dIF/dt Qrr =f(di/dt , iF )
O,25IRR Qrr 1 2Q rr
VAK Qrr I t t
2 RRM a b
t rr =
I RRM
(2.6)
IRR
Diodos de potncia normais: t rr 25us
Fig. 2.7: Corrente pelo diodo de potncia no processo de
desligamento (turn-off). Diodos de potncia rpidos:
Exemplo: No circuito da figura 1.52, modelando-se a caracterstica de conduo direta do diodo D

como no grfico da figura 2.6, calcular a potncia dissipada no diodo, com:
I=300 [A] (valor mdio de corrente pelo diodo)
VT0=1,14[V] (queda de tenso da juno)
rd=0,63 [m] (resistncia hmica do diodo a 140oC)
Relacionando-se o valor de pico da corrente pelo diodo com seu valor mdio:

1 1 I
I=
2 0
I pico sin d =
2
2 I pico= pico (2.7) (que a equao (1.49) para a corrente)

Obtendo-se o valor eficaz da corrente pelo diodo atravs do valor de pico obtido de (2.7):

2
1 1 I pico I pico (2.8) (que a equao (1.50) para a corrente)
I eficaz =
2 0
I 2pico sin2 d =
2 2
=
2
Relacionando-se o valor mdio de corrente com o eficaz:
I
I eficaz = (2.9)
2
Com isso, obtm-se o valor eficaz da corrente pelo diodo e se substitui na equao (2.5):
2
2
P=V T o I r d I T R M S =1,143000,63e-3
300
2 481,90 [W]
Este exemplo mostra os nveis de potncia dissipada que os diodos de potncia usados em
eletrnica de potncia podem atingir (e tais valores podem ser ainda maiores). necessrio o
correto equacionamento trmico dos semicondutores de potncia bem como prover meios fsicos de
retirar adequadamente o calor gerado para no se danificar estes componentes.

2.3. GRANDEZAS TRMICAS
Conforme mostrado no exemplo anterior, o semicondutor conduzindo corrente gera calor

que tem que ser retirado atravs da montagem do mesmo em dissipadores, que removem o calor
gerado. O equilbrio trmico alcanado quando o calor gerado na juno semicondutora e na
resistncia hmica do componente se iguala ao calor removido pelo dissipador.
Fig. 2.8: Curvas de potncia trmica (em watts) gerada e dissipada em funo da temperatura de juno T J.
Na figura 2.8 a temperatura cresce at o ponto de equilbrio A, aonde do qual o calor

removido igual ao gerado (ponto de equilbrio estvel). Note que o ponto de equilbrio B
instvel, pois se o calor gerado cai retorna-se ao ponto A, mas se o calor gerado sobe, a temperatura
cresce indefinidamente at a destruio do componente.
2.3.1. Regime Permanente
Pode-se modelar um anlogo eltrico em regime permanente para o fenmeno trmico, de

modo a se poder usar ferramentas de anlise de circuitos eltricos no dimensionamento trmico.
Fonte de Fonte de
tenso (E) calor (P)
U2 T2
Rel U=RelIel Rterm T=RtermPel

Iel Pterm
U1 T1
Modelo eltrico Modelo trmico

Fig. 2.9: Modelamento de um anlogo eltrico para o modelo trmico em regime permanente.
Desta forma pode-se modelar um semicondutor de potncia em regime permanente:
Fig. 2.10: Anlogo trmico para um semicondutor de potncia, em regime permanente.

Aonde:
P potncia trmica (em watts) gerada na pastilha semicondutora;
Rjc Resistncia trmica juno-carcaa (em oC/W ou K/W), dada pelo fabricante;
Rcd Resistncia trmica carcaa-dissipador (em oC/W ou K/W), dada pelo fabricante;
Rda Resistncia trmica dissipador-ambiente (em oC/W ou K/W), determinada pelas
caractersticas de acoplamento trmico entre o dissipador e seu ambiente;
Tjuno temperatura da juno, por hiptese o ponto mais quente do sistema trmico;
Tcarcaa temperatura da carcaa (encapsulamento) do semicondutor, suposta uniforme por
hiptese;
Tdissipador temperatura do dissipador, suposta uniforme por hiptese;
Ta temperatura ambiente, por hiptese o ponto mais frio do sistema trmico.
Outras hipteses assumem que a potncia total gerada no semicondutor e retirada totalmente no
dissipador por conveco, desconsiderando-se troca de calor por irradiao ou conduo do dissipador ao
ambiente.
A troca de calor pode se dar por uma superfcie do semicondutor se a carcaa for do tipo
rosca, por exemplo (neste caso geralmente no anodo), ou por ambos os lados (anodo e catodo) em
encapsulamentos do tipo disco (hockey-puck). O exemplo a seguir mostra a diferena no
desempenho no tocante temperatura final da carcaa para dissipao unilateral e bilateral,
tornando claro porque encapsulamentos tipo disco so preferidos para aplicaes de potncias mais
elevadas.
Exemplo:
a) Considerando o diodo com resfriamento de um dos lados, calcular a resistncia trmica do
dissipador ao ambiente (Rda) para que a temperatura mxima da juno seja TjMAX = 130 oC e
calcular as temperaturas no dissipador e carcaa.
Dados: A temperatura mxima da juno dada por (2.10):
P=480 [ W ] T jMAX =T a P R jc R cd R da (2.10)
Rjc=0,11 [ C / W ]
o
De onde se deduz a resistncia trmica dissipador-ambiente Rda:
Rcd =0,012 [ C / W ]
o T jMAX T a 13040
0,110,012 R da =0,065 [ C /W ]
o
R da= R jc R cd =
Ta=40 [ C ]
o P 480
A temperatura calculada no dissipador :

T dissip =R da PT amb=0,0654804071,2 [ o C ]
E na carcaa:
T carcaa =T dissip R cd P=71,20,01248077 [ o C ]
b) Calcular a temperatura na juno e dissipadores admitindo resfriamento em ambas as faces do

semicondutor, utilizando dois dissipadores (um em cada face) com a resistncia trmica calculada
no item anterior.
O circuito equivalente da figura 2.10 deve ser substitudo pelo da figura 2.11:

Fig. 2.11: Circuito equivalente com troca de calor do lado do anodo e do catodo. Note-se que a resistncia trmica Rjc
diferente entre o lado andico e catdico, devido s diferentes estruturas para cada lado.
A temperatura da juno deve ser recalculada:

R R
Tj=T ambR ja P=40 A C 48087 [ o C ] R A=0,187 , R C =0,207
R AR C
Potncia dissipada no lado andico:

RC 4800,207
P A =P = =252 [ W ]
R A R C 0,1870,207
Temperatura do lado andico:
T dissip anodico=T ambR daP A=400,06525256 [ o C ]
Potncia dissipada no lado catdico:
RA 4800,187
P C =P = =228[W ]
R AR C 0,1870,207
Temperatura do lado catdico:
T dissip catodico=T amb R daP C =400,06522855 [ o C ]
2.3.2. Operao pulsada
O modelo trmico da figura 2.10 no leva em conta o armazenamento de energia trmica nas
massas metlicas envolvidas, pois em regime permanente tal armazenamento constante e no
varia. Em operao pulsada no entanto, essa energia acumulada deve ser levada em conta, e para
isso um modelo emulando tal armazenamento deve ser realizado. Estendendo o anlogo eltrico,
so definidas capacitncias trmicas, que dependem basicamente da massa das estruturas envolvidas
(bem como dos calores especficos dos materiais dessas estruturas). Desta forma, a capacitncia
trmica da juno (Cj) necessariamente muito menor que a do dissipador (Cd) e a da carcaa (Cc)
tem valor intermedirio. Com isso as constantes de tempo das diversas estruturas (juno, carcaa,
dissipador) tambm apresentam grandes diferenas. A dificuldade de se tratar diretamente como
capacitncias esses potenciais de acumulao de calor leva ao uso do conceito de maneira indireta,
adotando-se o conceito de Impedncia Trmica Transitria (Zth).

Fig. 2.12: Modelo trmico para operao pulsada.
Impedncia trmica transitria Zth: o grfico ou andamento temporal da elevao da

temperatura na pastilha, provocada por um watt de perda na pastilha, resultante da passagem de
corrente contnua e filtrada pelo semicondutor.
T j t o
Z th t= [ C /W ] (2.11)
P
Como o fenmeno envolve acumulao de energia, o tempo t em (2.11) deve ser visto como
um intervalo de tempo de aplicao de potncia de perda na pastilha, e no como um argumento t
que retorna um valor unvoco Zth, pois desta forma no se leva em conta o estado anterior de
acumulao de energia antes da aplicao da potncia de perda P. Note-se que para t
suficientemente grande a impedncia trmica transitria se iguala numericamente com a resistncia
trmica de regime: Z th t =R th (2.12). Curvas tpicas de Zth so esboadas nas figuras 2.13 e
2.14.
Ztotal c/
dissipador
Zthjc(C/W)
dissipador
Rthja
Rthjc P
t(s)
Fig. 2.13: Esboo de grfico de impedncia trmica transitria ZthJC (juno-carcaa) e ZthJA (juno-ambiente) para
uma aplicao de potncia P constante. Aps um intervalo de tempo suficientemente grande seus valores coincidem com
os das resistncias trmicas em regime correspondentes.
Fig. 2.14: Exemplo de grfico de impedncia trmica transitria ZthJC (juno-carcaa) e funo analtica para o diodo

ABB 5SDD 33L5500 (VRRM =5500V e IF=3480A). Fonte: ABB.
Note que a funo analtica da figura 2.14 a composio de quatro constantes de tempo
cascateadas em srie, mas no a representao numrica do circuito do da figura 2.12. em que as
capacitncias trmicas tm um significado fsico relacionado com as massas e seus calores
especficos. A funo analtica da figura 2.14 obtida por interpolao numrica da curva obtida
experimentalmente e suas constantes de tempo no tm significado fsico.
Normalmente a abscissa est em escala logartmica devido s grandezas de tempos
envolvidas. Nas figuras 2.13 e 2.14, se o dissipador tivesse impedncia trmica nula (ou seja, um
dissipador com massa suficientemente grande para absorver energia sem aumentar sua temperatura
ao longo do tempo), aps um tempo suficientemente longo tem-se ZthJC = RthJC.
Geralmente so fornecidas separadamente as curvas:
ZthJC para o semicondutor, pelo seu fabricante;
ZthCA para certo tipo de carcaa e um certo tipo de dissipador especificado.
Sem generalizar, para aplicaes de pulsos de potncia inferiores a um segundo deve-se
aplicar a impedncia trmica transitria, e acima disso pode ser aplicada a resistncia trmica em
regime, mas isso depende do tipo de carcaa (massa, rea de contato trmico, contato uni ou
bilateral) e tambm das caractersticas do dissipador.
t1s T J =T AP RthJC RthCDRthCA (2.12)
t< 1s T J =T A+ P ( Z thJC + Z thCA ) (2.13)
Exemplo: Para se mostrar a aplicao do conceito de impedncia trmica transitria, a curva de

aplicao de potncia da figura 2.15, aonde dois pulsos de potncias P1 e P2 so aplicados
consecutivamente, gerada em uma juno semicondutora, que inicialmente estava com
temperatura ambiente Ta. Por hiptese o sistema trmico suposto linear, de modo a se poder
aplicar o teorema da superposio.
Fig. 2.15: Gerao de uma curva de potncia com patamares P1 e P2 em uma juno semicondutora, e sua
decomposio em degraus de potncias positivas e negativas nos instantes t1, t2 e t3.
A decomposio da curva de potncia original feita atravs de degraus de potncias

positivas e negativas que se iniciam nos mesmos instantes dos da curva original mas que se
estendem indefinidamente. Por exemplo, o patamar de potncia P1 inicia-se no instante t1 e cessa
no instante t2, quando se inicia o patamar de potncia P2. Para se representar o efeito do pulso P1
um degrau de intensidade P1 inicia-se em t1, estendendo-se indefinidamente, mas em t2 outro
degrau, este negativo mas com mesma intensidade P1 inicia-se e tambm se estende
indefinidamente, anulando o efeito do patamar P1 positivo. O mesmo feito para o patamar de
potncia P2. Desta forma a memria da energia trmica acumulada na aplicao e retirada dos
patamares de potncia, bem como seus instantes de aplicao, preservada. Assim, em qualquer
instante a partir de t1 pode-se calcular a temperatura da juno, equacionando-se para cada intervalo
de tempo como feito na tabela 2.5.

Tabela 2.5: temperatura da juno nos intervalos de tempo para a curva de potncia da figura 2.15.
Intervalo de tempo Temperatura da juno T juno no instante t
t t1 T juno =T a (2.14) (temperatura ambiente)
t1 t t2 T juno t=T aP 1Z tt 1 (2.15)
t2 t t3 T juno t=T aP 1Z tt 1 P 1Z tt 2 P 2Z tt 2 (2.16)
t t3 T juno t=T aP 1Z tt 1 P 2P 1 Z tt 2 P 2Z tt 3 (2.17)
t t3 T juno =T a (2.14) (temperatura ambiente)
As informaes de Z(t) so retiradas de grficos como os da figura 2.13 e 2.14 ou de
expresses analticas como o da figura 2.14, que interpolam a curva da impedncia trmica
transitria, e so mais convenientes para uso em computadores e calculadoras.
2.3.2.1. Aproximaes analticas para aplicao da impedncia trmica transitria em regime

permanente pulsado Mtodo dos dois pulsos
Em eletrnica de potncia as chaves semicondutoras so submetidas a regimes de corrente

pulsada como o da figura 1.52(b). Com os intervalos de tempo envolvidos (da ordem de
milissegundos) necessrio o uso da impedncia trmica transitria para se inferir as elevaes de
temperatura em regime nos semicondutores. Usando-se o mesmo raciocnio empregado na tabela
2.5 (uso do teorema da superposio) pode-se deduzir uma expresso para a temperatura de juno
no caso de um regime de pulsos retangulares de potncia.
Exemplo: obter a expresso para a temperatura da juno T juno no instante final de aplicao de
um trem de n pulsos retangulares de mesma amplitude P, largura e perodo T.
[ ]
n1 n1
Resposta: T juno =T a P Z kT Z kT (2.18)
k=0 k =0
A aplicao prtica da expresso (2.18) limitada, pois a princpio no se sabe o instante em

que o sistema trmico atingiu o regime permanente pulsado. A figura 2.16 mostra a elevao de
temperatura ao longo do tempo para uma aplicao de potncia pulsada a partir da temperatura
ambiente.
Fig. 2.16: Elevao de temperatura de juno com a aplicao de um trem de pulsos retangulares
A figura 2.16 mostra que aps certo tempo deve-se atingir um regime permanente pulsado
com uma sucesso de exponenciais de subida e de descida de temperatura na juno, e no projeto
trmico deve-se limitar o valor de pico de temperatura deste regime pulsado a nveis seguros.

Para se contornar o problema de no se saber quando se atingiu o regime permanente
pulsado, pode-se usar o mtodo dos dois pulsos. Este mtodo aproxima o trem de pulsos de potncia
de pico P, largura de pulso e perodo T por um degrau preexistente com a potncia mdia do trem
de pulsos (PM), seguido por dois pulsos. A temperatura calculada ao fim do segundo pulso.
Fig, 2.17: Mtodo dos dois pulsos.

Para o trem de pulsos retangulares, P M =P
= P (2.19) com = /T sendo o ciclo
T
de trabalho (duty-cycle), e a impedncia trmica aps longo tempo se iguala resistncia trmica
Z =R th (2.20). Equacionando:
T juno =T a + P MZ ()+ ( P P )Z (T + )PZ (T + )+ PZ (T + T )

(2.21)
T juno =T a + P [ Rth +(1)Z (T + )+ Z ( )Z (T ) ]
A expresso (2.21) aproximada e a favor da segurana, ou seja, os valores de temperatura

com ela calculados so maiores que com o mtodo exato da equao (2.18). Pode-se estender o
conceito, com mtodos de trs ou quatro pulsos.
Exemplo: Expandir o mtodo dos dois pulsos para n pulsos.
[ ]
n1 n1
Resposta: T juno =T a P R th Z n1T Z kT Z kT (2.22)
k =0 k =0
interessante compara esta expresso com a (2.18).
Exemplo: Achar a temperatura da juno pelo mtodo de dois pulsos para o trem de pulsos da
figura 2.18, com caracterstica de impedncia trmica transitria dada pela tabela 2.6.
Tabela 2.6: Impedncia trmica transitria do exemplo.

Z(t) [ C/W] 0,02
o 0,05 0,08 0,1 0,15 0,2 0,22 0,3 0,33 0,4 0,5 0,6
t [s] 10-3 10-2 10-1 1 2 6 10 50 60 100 500 1000

Dados:
o
T a=40[ C ]
R th ja =0,7[ o C /W ]
P P =350 [W ]
=10 [s ]
T =50 [s ]
Fig. 2.18: Trem de pulsos senoidais de largura e perodo T.
Na prtica aproxima-se os pulsos senoidais por ondas quadradas (retangulares) de mesma

amplitude de pulso e largura tal que a onda resultante tenha a mesma energia do pulso original. De
(1.51) e (1.53) obtm se a equivalncia entre o pulso senoidal e o retangular:
2
Valor mdio do pulso senoidal, usando (1.53): P pulso = P p (2.23)
T
Valor mdio do pulso retangular, usando (1.51): P pulso eq =P p (2.24)
T
2 2 210

P PT =P PT = = =6,37[ seg ] P pulso= 2 P p=0,127P P 44,5[W ]
T
Aplicando o mtodo dos dois pulsos (2.21):
T juno =T a + P P [ Rth + (1)Z (T + )+ Z ( )Z (T ) ]
T juno =40+ 350 [ 0,1270,7+ (10,127)( 0,33)+ 0,20,3 ] 137 0C
Apesar da aplicao da equao (2.21) necessitar a consulta de um grfico, tabela ou funo
analtica de impedncia trmica transitria, o uso de resistncia trmica em regime ( Z =R th )
em lugar da impedncia trmica transitria pode levar a erros graves:
- Utilizando P mdio e Z =R th :
T j media =T a P M R th =4044,50,7=71,15 [ o C ]
Este resultado subdimensionado, pois erradamente se espera uma elevao de temperatura
menor que a que ocorrer na prtica.
- Utilizando P pico e Z =R th :
T j pico=T a P p R th =403500,7=285[ o C ]
Este resultado superdimensionado, pois erradamente se espera uma elevao de
temperatura maior que a que ocorrer na prtica.
Exerccio: Deduzir os mtodos dos trs e quatro pulsos e recalcular o exemplo anterior para se
verificar a diferena.
Resposta:
T juno =T a P [ R th1Z 2TZ 2TZ T Z Z T ] (2.25) trs pulsos
T juno =T a P [ R th1Z 3TZ 3TZ 2T Z T Z Z 2TZ T ]
(2.26) quatro pulsos.
o
Usando o mtodo dos trs pulsos: T juno =134,0[ C ] ; usando o mtodo dos quatro pulsos:
T juno =133,5[ o C ] . A aparente maior preciso do mtodo dos quatro pulsos no justificvel
perante a complexidade de sua frmula e pelo fato destes mtodos serem aproximativos,

linearizando um problema (trmico) de natureza no linear. Note-se ainda que, como dito, o mtodo
dos dois pulsos conservativo medida que fornece valores de temperatura ligeiramente superiores
aos que apareceriam com mtodos mais precisos.
2.3.2.2. Pulsos de potncia com forma qualquer
Fig 2.19: Aproximao de um pulso de potncia por degraus equivalentes.
Pulsos de formas quaisquer podem ser aproximados conservativamente por degraus

equivalentes que respeitem as condies:
Mesma amplitude mxima;
Mesma potncia mdia.
2.3.3. Mtodos de dissipao de calor
A remoo de calor dos semicondutores de potncia baseia-se nos fenmenos de conduo,

conveco, radiao e mudana de fase (lquido para gasoso) para remover o calor:
Conduo: materiais bons condutores de calor, como alumnio e cobre, devem ser usados
nos contatos trmicos entre o encapsulamento do semicondutor e o sistema de retirada de
calor;
Conveco: a superfcie do dissipador deve ter rea suficiente para prover retirada de calor
por conveco, bem como deve haver circulao eficiente do ar aquecido, de modo natural
ou forado;
Radiao: a retirada de calor por irradiao proporcional temperatura absoluta do
dissipador (em kelvin) elevada quarta potncia (lei de Stefan-Boltzmann), rea de
irradiao e emissividade do material (menor que unidade pois o dissipador no um
corpo negro perfeito). Como as temperaturas de trabalho de um dissipador tipicamente
devem ficar abaixo de 100C, e a sua emissividade piora com o acmulo de poeira e
fuligem, a retirada de calor por irradiao limitada na prtica;
Mudana de fase: a entalpia de evaporao de um lquido de trabalho usada para se retirar
calor com eficincias bem superiores s conseguidas por conduo ou conveco.
Logo, a retirada de calor, baseada nos fenmenos acima, pode ser realizada por:
Resfriamento a ar (com fluxo natural ou forado);
Resfriamento a lquido (com fluxo de lquido forado);
Resfriamento por mudana de fase.
2.3.3.1. Resfriamento a ar
O resfriamento a ar o mtodo mais comum devido ao menor custo. Sua aplicao deve
levar em conta o ambiente a ser instalado, prevendo-se eventual entrada de poeira (inclusive
condutiva) muitas vezes presente em ambientes industriais, o que pode implicar no uso de filtros,
com os consequentes problemas de manuteno (limpeza, troca etc.). O uso de ventilao forada
melhora consideravelmente o desempenho, mas implica em desvantagens como aumento do custo,

rudo acstico, necessidade de manuteno etc.
Os fabricantes geralmente apresentam curvas caractersticas, das quais podem constar:
Rth DA P (resistncia trmica Dissipador-Ambiente versus potncia trmica) para dada
diferena de temperatura T DA entre dissipador e ambiente e dado comprimento do perfil
do dissipador (usualmente 3 ou 4 de comprimento). Com o aumento de temperatura do
dissipador diminui a resistncia trmica Dissipador-Ambiente devido ao aumento da
conveco e irradiao;
Rth DA Qar (resistncia trmica Dissipador-Ambiente versus fluxo de ar, em [m/s] ou
[m3/s]) para dada diferena de temperatura T DA entre dissipador e ambiente e dado
comprimento do perfil do dissipador (usualmente 3 ou 4 de comprimento);
Z th DA= f t , P (impedncia trmica transitria Dissipador-Ambiente em funo do
tempo de aplicao e potncia trmica) para dada diferena de temperatura T DA entre
dissipador e ambiente e dado comprimento do perfil do dissipador (usualmente 3 ou 4 de
comprimento);
Z th DA= f t , Qar (impedncia trmica transitria Dissipador-Ambiente em funo do
tempo de aplicao e fluxo de ar) para dada diferena de temperatura T DA entre
dissipador e ambiente e dado comprimento do perfil do dissipador (usualmente 3 ou 4 de
comprimento);
Curva de correo para variao da altitude de operao;
Curva de correo para diferentes valores de T DA (diferena de temperatura entre
dissipador e ambiente);
Curva de correo para diferentes valores de temperatura ambiente T A ;
Curva de correo para diferentes comprimentos do perfil do dissipador;
Indicao do acabamento do dissipador(geralmente anodizao preta) e sua emissividade;
Curva de correo para envelhecimento (depsito de poeira etc.)
Para ventilao natural, indicao de posio de montagem (vertical, horizontal)
Como o modo de apresentao das curvas e outros dados varia grandemente com cada
fabricante, desejvel se aplicar o mtodo proposto por determinado fabricante para seu produto e
comparar os resultados com um dissipador dimensionalmente semelhante de outro fabricante, neste
caso com sua outra metodologia de projeto. As figuras 2.20 e 2.21 mostram apresentaes tpicas
para dissipadores por diferentes fabricantes para diferentes produtos.

Fig. 2.20: Apresentao de dados de dissipador para transistor encapsulamento TO-220 do fabricante Wakefield.
Fig. 2.21: Apresentao de dados de dissipador para mdulos de potncia do fabricante Wakefield.

Fig. 2.22: Apresentao de dados de dissipador do fabricante HS.

2.3.3.1.1. Ventilao natural e forada - ventiladores
A resistncia trmica do dissipador com circulao natural de ar no constante com sua

temperatura. Com o aumento da potncia dissipada existe aquecimento do dissipador, melhorando-
se as caractersticas de conveco e irradiao. Como temperatura ambiente considera-se a do ar que
entra no dissipador. No caso de dois dissipadores montados em srie (sobrepostos verticalmente) o
ar de entrada do superior corresponde ao de sada do inferior, com ventilao natural.
Os grficos das figuras 2.19, 2.20 e 2.21 mostram uma grande melhora no desempenho do
dissipador com ventilao forada. A melhor troca de calor com ar forado com a maior vazo
devido atuao do ventilador contra a queda de presso que ocorre devido resistncia
aerodinmica do dissipador.
Supondo o ar como fluido incompressvel, admitindo-se um nico fluxo de ar sem fugas ou
entradas secundrias, se houver n dissipadores em paralelo, para se ter a mesma diferena de
presso P entre entrada e sada dos dissipadores a vazo necessria deve ser n vezes maior que
a de um nico dissipador. Se os n dissipadores estiverem em srie, para uma mesma vazo a queda
de presso a ser vencida ser n P . Logo, o arranjo mecnico dos dissipadores dita o requisito
principal, seja de presso, seja de vazo. Os parmetros para a escolha de um ventilador so:
Vazo;
Presso;
Rudo acstico.
(a) (b)
Fig. 2.22: Ventilador axial. O impulsor tem forma de hlice e o movimento do ar no sentido axial.
(a) (b)
Fig. 2.23: Ventilador radial. O impulsor tem forma de roda d'gua, a entrada de ar axial e a sada radial.

(a) (b)
Fig. 2.24: Ventilador semiaxial ou misto. O impulsor tem formato de hlice e a entrada de ar axial e a sada radial.
As curvas caractersticas dos ventiladores podem ser resumidas na figura 2.25, com os
parmetros adimensionais (relacionado presso) e (relacionado ao volume).
(a) (b)
Fig. 2.25: Curvas caractersticas dos ventiladores.
P v
= =
Definem-se estes coeficientes 2 (2.27) e 2 (2.28),
u D u
2 4
onde:
P : variao de presso;
: densidade do fluido;
u : rotao;
D : dimetro do impulsor;
v : vazo.
A anlise da figura 2.25(b) mostra que devido s suas caractersticas os ventiladores tm

diferentes faixas de atuao tima:

Ventilador axial:
baixa vazo e incrementos significativos de presso;
fornece grandes vazes para baixa resistncia de presso;
a inflexo na curva ocorre quando o fluxo de ar deslocado para fora.
Ventilador semiaxial:
vazo e incrementos de presso mdios.
Ventilador radial:
alta vazo e baixos incrementos de presso;
maior transferncia de energia ao fluido;
sada de ar em alta velocidade pela circunferncia do impulsor;
consegue vencer presses maiores.
No tocante s caractersticas acsticas, sobrepondo-se as curvas de variao de presso

acstica em dB(A), medidas a um metro de distncia da tomada de ar, s curvas da figura 2.25,
obtm-se a figura 2.26.
Fig.2.26: Nveis de presso sonora, em dB(A), medidas a um metro de distncia da tomada de ar, com diferentes vazes
e presses, para os ventiladores do tipo radial e axial.
Da figura 2.26 depreende-se que:

Ventilador axial: aumento significativo de rudo quando vazo excessivamente restrita.
Torna-se ruidoso quando o fluxo de ar no segue o contorno do impulsor;
Ventilador radial: sempre ruidoso.
2.3.3.2. Resfriamento a lquido
Quando os nveis de potncia a ser retirada dos semicondutores so elevados, ou quando a

densidade volumtrica de potncia do conversor alta (conversor muito compacto ou de potncia
especfica muito elevada), ou se no ambiente do conversor no podem ingressar impurezas pelo ar
(caso de conversores operando em altas tenses), o resfriamento a lquido impe-se sobre o a ar. O
lquido adotado geralmente gua destilada e deionizada para se tornar no condutiva
eletricamente, ou compostos de gua e glicis (etileno ou propileno glicol), ou leo mineral de

transformadores.
Os fabricantes geralmente apresentam curvas caractersticas, das quais podem constar:
Rth TAQ gua (resistncia trmica Trocador de calor-Ambiente versus fluxo de gua em
[l/s] ou [l/min]);
pressoQgua (perda de carga em funo do fluxo d'gua);
Z th TA = f t ,Q gua (impedncia trmica transitria Trocador de calor-Ambiente em funo
do tempo de aplicao e fluxo de gua);
Para se minimizar a resistncia trmica entre a carcaa do semicondutor e o lquido

refrigerante, deve-se usar metal com elevada condutibilidade trmica e baixo calor especfico, bem
como lquido refrigerante com calor especfico e condutibilidade trmica elevados (alm de ser bom
isolante eltrico). A tabela 2.7 mostra alguns valores de constantes trmicas de materiais
comumente usados.
Tabela 2.7: Constantes trmicas de alguns materiais.
Material Calor Especfico Condutibilidade Trmica Resistividade Trmica
o
[Joule/Kg C] [W/moC] [moC/W]
gua 4.200 0,63 1,6
Etileno glicol 2.300 0,25 4,0
leo mineral 1.900 0,16 6,3
Cobre 390 380 0,003
Alumnio 920 200 0,005
Ao 440 100 0,01
A figura 2.27 apresenta um trocador de calor com gua, e a figura 2.28 sua implementao
em um conversor.
(a) (b)
Fig. 2.27: Apresentao de dados de trocador de calor para mdulos de potncia do fabricante Semikron.

Fig. 2.28: Implementao de conversor com trocador de calor a gua para mdulos de potncia, do fabricante Semikron.
A figura 2.29 mostra trocadores de calor a gua da ABB.
Fig. 2.29: Trocadores de calor a gua da ABB.
2.3.3.3. Resfriamento por mudana de fase
A entalpia de evaporao de um fluido de trabalho usada para se extrair calor de um

semicondutor. O fluido na fase gasosa deve ser esfriado em outro ponto do sistema para que se
condense e retorne ao ponto de aplicao de calor. H dois modos de implementao:
Colocao dos semicondutores imersos no fluido. O conversor de potncia contido
em um tanque, mergulhado no fluido. O aquecimento do funcionamento normal faz o fluido
ferver e o gs sobe ao alto do tanque, aonde um trocador de calor resfria o gs, que se

condensa e volta ao fundo. Note que se a presso interna do tanque for inferior
atmosfrica, e usando-se gua como fluido de trabalho, ela muda de fase a temperaturas
inferiores a 100C;
Uso de Heat pipes (figura 2.30).
Fig. 2.30: Mecanismo de funcionamento de um heat pipe. Fonte: Wikipedia.
No heat-pipe o fluido de trabalho fica embebido em um material poroso (wick). O

aquecimento no extremo quente faz o lquido evaporar e seguir pelo centro do heat pipe at o
extremo frio, aonde se condensa no material poroso e retorna ao extremo quente por capilaridade.
Como se usa a entalpia de evaporao do fluido, pode-se conseguir condutibilidades trmicas
centenas ou milhares de vezes superiores s de uma barra de cobre de igual rea. Em operao a
temperatura ambiente, o fluido de trabalho pode ser gua, metanol, amnia etc. O custo dos heat
pipes limita seus usos a locais aonde a retirada de calor pontual ou de difcil acesso.
Fig. 2.31: Uso de heat pipe para retirada de calor de um microprocessador de notebook (notebook Dell D610). O
resfriamento do fluido realizado pelo ventilador da foto. Fonte: manual de servio Dell D610.

2.3.4. Consideraes sobre montagem mecnica dos semicondutores de potncia
Os semicondutores de potncia, devido aos altos nveis de tenso e corrente manipulados,
tm construo mecnica compatvel com as necessidades eltricas (rea e material de contato
eltrico, distncias e material de isolamento), trmicas (reas de contato trmico) e mecnicas.
2.3.4.1) Encapsulamentos tpicos de semicondutores de potncia
Fig. 2.32: Diodo com encapsulamento Fig. 2.33: Diodo com encapsulamento Fig. 2.34: Diodo com encapsulamento
do tipo rosca. Diodo Semikron SKN do tipo disco (hockey-puck). Diodo do tipo mdulo. Diodo Semikron
135F (VRRM=1200V, IAV=135A, Semikron SKN 6000 (VRRM=600 V, SKKD 162/18 (VRRM=1800V,
IRMS=260A). IAV=6000A, fora de aperto nominal IFAV=195A). Note que o mdulo
F=24.30kN). contm dois diodos.
A estrutura metlica dos semicondutores de potncia de cobre (para garantir condutividade
eltrica e trmica) niquelado (para garantir proteo qumica e mecnica do cobre) com as partes
isoladas de porcelana, resina plstica e outros materiais isolantes.
Fig. 2.35: Vista interna de tiristor Fig. 2.36: Vista interna de tiristor Fig. 2.37: Vista interna de
(SCR) com encapsulamento do tipo (SCR) com encapsulamento do tipo semicondutor com encapsulamento do
rosca. disco (hockey-puck). tipo mdulo.
Nos encapsulamentos tipo rosca e mdulo a pastilha semicondutora mantida sob presso
por meios internos, para garantir contato eltrico e trmico. Nestes casos deve-se garantir que a
fixao destes encapsulamentos feita com o conjugado correto para no se danificar as estruturas
de cobre. No encapsulamento tipo disco a pastilha semicondutora fica praticamente solta dentro do
encapsulamento, e deve ser pressionada, com uma fora de aperto uniformemente distribuda que
pode chegar a 50kN, para se estabelecer contato trmico e eltrico. Em qualquer caso,
eventualmente usa-se algum composto trmico para se melhorar o contato mecnico e a transmisso
de calor (usam-se leo de silicone e outros compostos para tanto).

Fig. 2.38. Distribuio de presso adequada e incorreta em um encapsulamento tipo disco. Extrado do Application
Note 5SYA2036-03 da ABB.
Para se garantir presso adequadamente distribuda em um encapsulamento disco, estruturas

mecnicas, conhecidas como grampos, devem ser associadas a dissipadores, que tambm agem
como contatos eltricos.
Fig. 2.39. Sistema de fixao de encapsulamento tipo disco. Note-se os trocadores de calor a liquido. Extrado do
Application Note 5SYA2036-03 da ABB.

Fig. 2.40. Detalhamento do sistema de fixao de encapsulamento tipo disco. Extrado do Application Note
5SYA2036-03 da ABB.
Na figura 2.40 os nmeros indicam:

1. Mola tipo barra. A excurso x, que proporcional fora Fm exercida, deve ser larga
em comparao com a expanso trmica (vertical) do conjunto;
2. Contato mecnico esfrico garante que a fora Fm transferida simetricamente aos
encapsulamentos mesmo com os no-paralelismos inerentes nas superfcies;
3. Pea de ao resistente (mnima deformao) garante distribuio homognea de presso;
4. Trocadores de calor com superfcies lisas e paralelas;
5. Semicondutor com encapsulamento tipo disco;
6. Suporte de ao resistente para mnima deformao;
7. Barramentos eltricos;
8. Barramentos eltricos flexveis para se evitar que foras mecnicas externas afetem a
distribuio de presso do conjunto.
Outras caractersticas mecnicas podem ser encontradas nos data sheets e application
notes dos fabricantes.

2.4. Tiristor
O nome tiristor se aplica a componentes semicondutores com trs ou mais junes PN. O
tiristor pode ter:
- 2, 3 ou 4 terminais para conexo;
- Conduzir corrente em um ou mais quadrantes da caracterstica anodo-catodo.
O membro mais difundido da famlia dos tiristores ou o SCR (Silicon Controlled Rectifier,
ou Semiconductor Controlled Rectifier), o qual, devido ao seu uso intenso, acabou tomando para si
o nome da famlia em muitas aplicaes.
2.4.1. SCR
O SCR um componente de potncia cujo comportamento eltrico semelhante ao do

diodo de potncia, exceto que na polarizao direta (tenso anodo-catodo positiva) ele s entra em
conduo com a aplicao de um pulso de corrente no terminal de gatilho. Uma vez em conduo,
s se pode deslig-lo zerando-se sua corrente externamente ou se aplicando tenso reversa (tenso
anodo catodo negativa).
Fig. 2.41: Representao do SCR e seus terminais (K- catodo; A- anodo; G- gatilho) bem como sentidos diretos de
tenso e corrente.
A caracterstica V-I do SCR dada na figura 2.42.
Fig. 2.42: Caracterstica V-I do SCR. Sentidos de tenso e corrente correspondem s da figura 2.41.

Da figura 2.41 observam-se duas regies de tenso:
- Regio reversa (VT<0): O SCR est em bloqueio reverso, e o comportamento semelhante um
diodo com polarizao inversa, conduzindo correntes da ordem de mA
at a tenso de avalanche VRBR; quando ento o SCR entra em conduo
reversa por avalanche, geralmente resultando em destruio do
componente. O fabricante fornece o valor nominal de tenso mxima
reversa VRRM (VRRM < VRBR), em uma dada temperatura de operao, para
que se opere dentro de uma margem de segurana;
- Regio direta (VT>0): Dois estados estveis (bloqueio direto e conduo direta) ligados por uma
regio instvel com caracterstica de resistncia negativa na curva VT x IT.
Regio bloqueio direto - baixas correntes (mA) com tenses elevadas;
- tenso de avalanche com gatilho aberto VDBR;
- tenso mxima direta VDRM (VDRM < VDBR), em uma
dada temperatura de operao, para que se opere o
SCR dentro de uma margem de segurana;
- para correntes de gatilho crescentes IG>0 a tenso
de avalanche cai quanto maior for IG.
Regio de resistncia negativa - regio transitria entre o bloqueio direto
e a conduo direta. A caracterstica VT x
IT nesta regio tem coeficiente negativo,
da o nome resistncia negativa.
Regio de conduo direta - altas correntes com baixas tenses. A curva
VT x IT assemelha-se ao de um diodo de
potncia;
- a corrente direta mxima IT, em valor mdio
ou eficaz a dada temperatura, para operao
segura do SCR fornecida pelo fabricante;
- corrente de travamento IL (mnima corrente IT
fluindo pelo dispositivo para iniciar sua
conduo);
- corrente de manuteno IH (mnima corrente IT
fluindo pelo dispositivo para mant-lo em
conduo) e tenso de manuteno VH (mnima
queda de tenso direta em conduo).
2.4.1.1. Princpio de funcionamento

O SCR formado por quatro camadas PNPN, conforme figura 2.43.
Fig. 2.43: Diagrama de formao do SCR em camadas PNPN. A espessura das camadas no est em escala.

No bloqueio reverso as junes P1N1 e P2N2 se encontram reversamente polarizadas. A
juno P1N1 corresponde a um transistor PNP com base em aberto e suporta a maior parte da tenso,
pois a juno P2N2, por ser fortemente dopada, suporta somente at cerca de 40V. No bloqueio
direto somente a juno N1P2 est reversamente polarizada.
Para se analisar o fenmeno de disparo do SCR e sua entrada no modo transitrio de
resistncia negativa, o modelo equivalente de dois transistores da figura 2.44 pode ser empregado.
Neste modelo o SCR convenientemente particionado (figura 2.44a) nos transistores Q1 e Q2,
respectivamente PNP e NPN (figura 2.44b).
(a) (b)
Fig. 2.24: Modelo de dois transistores do SCR.
Relembrando-se que:
IC
= (2.28)
IE
Obtm-se:
I C1 = PNPI A I Co1 (2.29)
I C2 = NPNI K I Co1 (2.30)
aonde ICo1 e ICo2 so as correntes reversas de coletor de Q1 e Q2, constitudas de eltrons gerados por
recombinao na juno base coletor. Determinando-se as correntes de anodo e catodo do SCR:
I A =I E =I C2 I C1 (2.31)
I K =I AI G (2.32)
Determina-se a corrente IA:
I Co1 I Co1 I GNPN
I A= (2.33)
1 PNP NPN
aonde PNP e NPN variam com a corrente. A condio de disparo :
PNP NPN =1 (2.34)
Obedecido (2.34), o conjunto Q1 e Q2 entra em realimentao positiva at a saturao de
Q1 e Q2, o que ocorre com um valor mnimo de corrente de travamento I T I L (2.35) (corrente
pelo SCR maior que seu latching current, conforme definido na figura 2.42). Na prtica h
requerimentos a serem cumpridos quanto ao valor e forma de onda de IG para que o disparo seja
bem sucedido, a serem abordados posteriormente.

Note-se que com bloqueio direto, sem corrente de gatilho (IG = 0) e aumentando-se a tenso
aplicada e/ou a temperatura do SCR, crescem as correntes residuais ICo1 e ICo2, e como PNP e NPN
variam em funo da corrente, pode-se atingir a condio da equao (2.34) e o SCR disparar
espontaneamente sem corrente pelo gatilho. Este tipo de disparo pode ser destrutivo para o
componente, dependendo da impedncia em srie com o SCR.
Encerrado com sucesso o processo de disparo, o SCR entra em modo de conduo direta.
Nesta altura as junes esto inundadas de portadores, caracterizando a saturao dos transistores
equivalentes. Este processo no pode ser interrompido pela cessao da corrente de gatilho IG, mas
apenas se o circuito externo ao SCR aplicar tenso reversa nele (VT < 0) ou se a corrente pelo SCR
assumir valores abaixo da corrente de manuteno IH (holding current) I A I G I H (2.36).
Estas situaes ( VT < 0 ou I A I G I H ) devem perdurar durante certo tempo para que haja
recombinao dos portadores dentro do SCR e este reassuma sua condio de bloqueio.
Como curiosidade, um SCR implementado com dois transistores PNP e NPN discretos
ligados como na figura 2.44 funcional, mas deve-se prover resistncias entre base e emissor em
ambos os transistores para se dessensibilizar o disparo do circuito.
2.4.1.2. Limitaes dinmicas

Devido s dimenses fsicas de SCRs de potncia h limitaes dinmicas que devem ser
respeitadas em sua operao, principalmente nos processos de ligao e desligamento.
dV T
2.4.1.2.1 Taxa de crescimento da tenso direta anodo-catodo
dt
Em condies transitrias, as capacitncias de juno influenciam as caractersticas do SCR.
Uma aplicao de tenso direta com gradiente elevado no SCR bloqueado provoca fluxo de
dv
correntes de deslocamento i J =C J dt (2.37) da capacitncia da juno reversamente polarizada
N1P2, aumentando ICo1 e ICo2 , podendo levar o SCR conduo espontnea (sem corrente de
gatilho). Este tipo de entrada em conduo geralmente destrutivo para o SCR pois a distribuio
de correntes na superfcie da pastilha semicondutora no uniforme, gerando se pontos quentes
(hot-spots) que acabam danificando o componente.
Fig. 2.45: Corrente de deslocamento i j pela capacitncia C j da juno N1P2 na aplicao de gradiente de tenso
dV T /dt .
Os fabricantes atenuam o efeito da aplicao de gradiente de tenso direta pela diviso do

catodo em ilhas, posteriormente ligadas entre si por uma mscara de metalizao que forma o
eletrodo do catodo.

Curto circuito nos
catodos dos emissores
pela metalizao
K G K
p
n (emissor)
n
A
Fig. 2.46: Minimizao da capacitncia de juno pela diviso do catodo em ilhas, unidas por mscara de metalizao.
O efeito dessa partio do catodo a obteno de pequenas resistncias distribudas na juno base
emissor do transistor Q2, desviando parte da corrente de deslocamento i j e reduzindo o ganho de
corrente NPN , possibilitando aumento do gradiente de tenso dV T /dt e da tenso de bloqueio
direta VDRM .
Fig. 2.47: Criao de uma resistncia equivalente RS pela partio do catodo para desvio de parte da corrente de
deslocamento i j .
2.4.1.2.2 Taxa de crescimento da corrente de catodo di T / dt

Deve-se limitar a taxa de crescimento da corrente de anodo di T /dt para se minimizar a
ocorrncia de regies com maior densidade de corrente, notadamente ao redor do gatilho. Apesar de
ser relativamente rpido, o processo de ligao do SCR no instantneo. O tempo total de ligao
ttot da ordem de unidades de s ou maior, dividido em:
t tot =t d t r t p (2.38)
Onde:
td (turn on delay time): tempo de atraso durante o qual o SCR se comporta como se ainda
estivesse bloqueado. As bases dos transistores equivalentes Q1 e Q2 esto sendo inundadas
de portadores, a corrente se concentra ao redor da regio do gatilho;
tr (turn on rise time): tempo de subida da corrente, a regio de conduo se propaga ao
redor da face do catodo. A corrente IT atinge seu valor final antes que toda a superfcie da
pastilha tenha densidade de corrente uniforme. Este tempo em que ocorre a mxima
dissipao de potncia no SCR, uma vez que esto presentes simultaneamente altos valores
de tenso e corrente;
tp (turn on plasma spreading time): mesmo com a corrente IT atingindo seu valor final os
portadores continuam se expandindo pela pastilha at que toda ela seja uniformemente
condutora. Como a taxa de expanso do plasma da ordem de vp = 0,1mm/s, o tempo total
de expanso pode chegar a centenas de s. Durante este tempo a densidade de corrente na
pastilha no uniforme. SCRs de potncia podem ter densidades de corrente na pastilha da
ordem de Jp=100A/cm2 em condies mximas permanentes (com o processo de turn-on
terminado), chegando a Jp=1000A/cm2 para condies transitrias.

Fig. 2.48: Variao da corrente iT (=iA) e da tenso vAK durante o transitrio do processo de ligao do SCR. Grfico sem
escala.
Para se evitar danos pastilha semicondutora, deve-se limitar, externamente ao SCR, a taxa de
crescimento da corrente di T /dt a valores abaixo do mximo recomendado pelos fabricantes. Um
modo se lanando mo de indutncias em srie com o componente. Essas indutncias tanto podem
ser concentradas (indutores fsicos) como tambm pode-se usar a indutncia de disperso de
barramentos e outros componentes do conversor de potncia. Quando se usam indutores fsicos para
limitao de di T /dt , pode-se empregar indutores saturveis, que apresentam indutncia mais
elevada com correntes mais baixas, mas saturam com correntes prximas nominal, minimizando a
queda de tenso sobre eles aps o transitrio de ligao.
2.4.1.2.3 Desligamento do SCR
No caso de diodos de potncia o tempo de recuperao de desligamento definido como trr

(vide figura 2.7). Em SCRs o tempo de recuperao maior, pois mesmo aps o fim da corrente
andica ainda est presente dentro da estrutura uma quantidade de portadores que provocariam uma
corrente direta semelhante corrente de gatilho se o SCR for repolarizado com vAK(t) > 0,
provocando sua reconduo mesmo sem corrente de gatilho. Portanto define-se um tempo maior, tq,
que o tempo mnimo contado da passagem por zero da corrente andica decrescente at o instante
em que a tenso direta vAK(t) > 0 pode ser reaplicada novamente. A diferena de tempo entre trr e tq
o tempo em que os portadores da juno esto se recombinando, e no se pode reaplicar tenso
vAK(t) > 0 at cerca de 60% dos portadores terem se recombinado.
Fig. 2.49: Variao da corrente iT (=iA) e da tenso vAK durante o transitrio do processo de desligamento do SCR.
Grfico sem escala.
O tempo de recuperao de capacidade de bloqueio direto tq varia entre 5s a 500s. SCRs

com tq < 25s so chamados tiristores rpidos (inverter grade thyristors) e so usados em

aplicaes em que o tempo de desligamento pequeno essencial. SCRs usados na frequncia da
rede CA so chamados tiristores de linha (converter grade thyristors ou phase control
thyristors) e apresentam tq da ordem de centenas de s. A importncia do valor de tq,
principalmente na operao dos inversores comutados pela rede CA ser abordada mais adiante.
2.4.1.3. Caractersticas do gatilho Disparo do SCR
Conforme abordado anteriormente, o disparo do SCR pode ser realizado atravs de

aplicao de tenso direta acima da tenso de avalanche, aplicao de degrau de tenso com
dV T /dt acima do crtico e aumento da temperatura de juno de modo a se elevar a corrente de
fuga (residual) e se acionar o processo de disparo. Todos estes mtodos so inapropriados para se
realizar o disparo controlado do SCR, e no devem ser empregados.
O modo de disparo convencional consiste em se aplicar pulsos de corrente adequadamente
formados no gatilho para que o SCR entre em conduo, e a corrente de gatilho deve perdurar at
que a corrente pelo SCR ultrapasse a corrente de travamento IL. O circuito de gatilho conectado
nos terminais de gatilho e de catodo, pois na juno gatilho-catodo se inicia o processo de disparo.
Note-se que deve-se controlar a corrente aplicada, e no a tenso, uma vez que a tenso de disparo
imposta pela juno gatilho-catodo8. Apesar dos SCRs maiores poderem suportar milhares de volts
de bloqueio e milhares de ampres de conduo, a juno gatilho-catodo em qualquer SCR suporta
somente tenso reversa e corrente de disparo da ordem de unidades de volts e ampres (ou menos),
devendo-se tomar cuidados para no se danificar esta juno.
As caractersticas eltricas de gatilho so apresentadas pelos fabricantes em valores
numricos e em curvas. Alguns valores fornecidos so:
VFGM, IFGM: Mximas tenso e corrente diretas aplicveis ao gatilho, em condies
transitrias;
VRGM: Mxima tenso reversa aplicvel ao gatilho;
PG: Mxima potncia dissipada na juno gatilho catodo. O valor varia de acordo com a
durao e/ou a forma de onda do pulso de corrente;
VGT, IGT: Mnimas tenso e corrente aplicveis ao gatilho que garantem o disparo do SCR.
Devem ser fornecidas a temperatura de juno e tenso VT aplicada ao SCR (a diminuio de
temperatura aumenta a corrente necessria para o disparo). Note-se que na prtica o valor de
corrente aplicada deve ser ao menos 30% a 50% maior que IGT (ou mais, dependendo da
aplicao);
VGD, IGD: Mximas tenso e corrente aplicveis ao gatilho que garantem o no-disparo do
SCR. Devem ser fornecidas a temperatura de juno e tenso VT aplicada ao SCR (o
aumento de temperatura diminui a corrente necessria para o disparo);
As curvas de tenso de gatilho em funo da corrente de gatilho so as de uma juno PN, e

so apresentadas em uma faixa que depende da temperatura de juno, condies dinmicas ou
estticas de medida, variao estatstica da juno para um dado modelo de SCR.
8 Inclusive por esta razo necessrio que a tenso em vazio do circuito de disparo seja superior da queda de tenso
de uma juno PN, pois no processo dinmico de disparo a tenso gatilho-catodo pode se elevar consideravelmente
faixa das unidades de volts, e o circuito de disparo deve ser capaz de aplicar tal nvel de tenso.

Fig. 2.50: Apresentao tpica de curva caracterstica de gatilho. SCR marca ABB modelo 5STB 18U6500 (VSM=6500V,
ITAV=1580A).
As curvas hiperblicas indicam a potncia mxima de gatilho PGM para dado tempo de
aplicao tp. A linha vertical IFGM indica a mxima corrente permissvel pelo gatilho em qualquer
condio de operao. Outras apresentaes, como a da figura 2.51, incluem indicaes de VGT,e IGT
para vrias temperaturas de juno (+125C, +25C e -40C). Nesta figura, assim como nas 2.53 e
2.54, as curvas de potncia no gatilho ficam praticamente lineares por ser o grfico bilogartmico.
Fig. 2.51: Apresentao tpica de curva caracterstica de gatilho. SCR fabricante Infineon modelo 5STB 18U6500
(VSM=8000V, ITAV=2680A).

Fig. 2.52: Apresentao tpica de curva caracterstica de gatilho. SCR fabricante ABB modelo 5STP 29H2201
(VSM=2200V, ITAV=2855A).
Fig. 2.53: Apresentao tpica de curva caracterstica de Fig. 2.54: Apresentao tpica de curva caracterstica de
gatilho. SCR fabricante Powerex modelo C391LD gatilho. SCR fabricante Mitsubishi modelo FT1500AU-
(VSM=2400V, ITAV=490A). 240 (VSM=12000V, ITAV=1500A).

Em SCRs de maior porte importante minimizar o tempo de turn-on atravs da aplicao
de um pulso de disparo com derivada de corrente inicial e pico de corrente inicial que diminuam o
tempo de espraiamento dos portadores na juno. A figura 2.55 apresenta uma forma de onda de
corrente de gatilho proposta pelo fabricante ABB para SCRs de potncia em conversores ligados
rede CA.
Fig. 2.55: Forma de onda de corrente de gatilho recomendada pelo fabricante ABB para disparo de SCRs de
conversores ligados rede CA. Ilustrao do Application Note 5SYA2034-02 June 07 da ABB.
Para que o circuito de gatilho possa disparar adequadamente o SCR em todas as possveis
condies de operao, conveniente se modelar o circuito de disparo como uma fonte de tenso
CC fixa com uma resistncia em srie, apresentando com isso uma tenso em vazio e uma corrente
em curto circuito. Tal caracterstica de curva de carga sobreposta ao grfico da figura 2.50 ou
2.52 (ou qualquer grfico que apresente os eixos em escala linear), permitindo ao projetista verificar
se a interseco da curva de carga com a caracterstica de gatilho est dentro da regio de disparo
seguro e da mxima corrente permissvel para o gatilho.
Fig. 2.56: Curvas de carga da caracterstica externa do circuito de gatilho sobrepostas s curvas caractersticas do
gatilho. Curva obtida do Application Note 5SYA2034-02 June 07 da ABB.

Na figura 2.56 o fabricante ABB sugere o uso de um circuito como o da curva (20V, 8,2)
para aplicaes normais, e o da curva (30V, 4,7) para aplicaes envolvendo altos di/dt e
associao srie ou paralelo de SCRs.
Como se projeta um circuito capaz de gerar uma forma de onda como o da figura 2.55? Tal
circuito deve atender alguns pr-requisitos:
Gerao de forma de onda de corrente de disparo atendendo os valores de derivada de
corrente, corrente de pico, durao da corrente etc. com requisitos semelhantes aos da figura 2.55;
Isolamento galvnico dos circuitos de controle de disparo: como a corrente de disparo
injetada entre os terminais de gatilho e catodo, e estes esto no potencial do conversor no qual o
SCR est instalado, h necessidade de isolamento galvnico entre o controle e o SCR. O circuito
gerador de pulso de disparo tambm pode ficar isolado do SCR (usual em conversores industriais)
ou junto a este no seu potencial (usual em conversores de muito alta tenso);
2.4.1.3.1. Caractersticas do gatilho Disparo do SCR Exemplo de clculo de circuito de

disparo com transformador de pulso para isolao galvnica.
Deve ser projetado um circuito capaz de gerar uma forma de onda como o da figura 2.57.
Ig
Igpico
Igfinal
t
ts tc
ttotal
Fig. 2.57: Corrente de gatilho requerida no exemplo. Definindo tS=Tempo de subida; tC=tempo de cauda; ttotal=tempo
total do pulso; Ipico=corrente de pico; Ifinal=corrente final.
Um possvel circuito apresentado na figura 2.58.
Fig. 2.58: Circuito de gerao de pulso de disparo proposto no exemplo. As polaridades dos enrolamentos do
transformador T1 so iguais (apontadas pelas flechas de Vp e Vs).
O circuito de disparo proposto na figura 2.58 apresenta um transformador de isolao T1

para prover isolamento galvnico entre o circuito de disparo e o SCR, que opera nos potenciais do
conversor. O princpio de funcionamento do circuito :

Quando se liga o transistor Q, o capacitor C, inicialmente descarregado, impe tenso nula
sobre R1, que praticamente curto circuitado, restando somente R2 para limitar a corrente inicial de
disparo. A reatncia de disperso de T1 dita a derivada de corrente at de atingir o valor de pico Ipico
(visto do lado primrio de T1), quando R2 limita seu valor9;
Quando o capacitor C est totalmente carregado (decorrendo o tempo de cauda TC da figura
2.57 para isso), R1 e R2 limitam a corrente ao valor Ifinal (visto do lado primrio de T1);
A abertura da chave Q ao final de ttotal no interrompe a corrente pelo primrio de T1. Esta
corrente agora passa pelos diodos DP e DZ, impondo a tenso constante (VDP+VDZ) sobre o primrio
de T1 e descarregando a energia do fluxo de T1. Nesta situao o primrio (N1) de T1 age como um
gerador de corrente, pois est com o sentido de sua tenso invertida em relao ao original. Como a
tenso sobre N1 fixa (VDP+VDZ), a corrente deste enrolamento decresce em forma de rampa;
A inverso da tenso em N1 tambm ocorre em N2, bloqueando DS e impedindo circulao
de corrente pelo secundrio;
O circuito est pronto para gerar um novo pulso de disparo quando a energia magntica em
T1 totalmente descarregada nos diodos DP e DZ, e o capacitor C descarrega totalmente em R1;
OBSERVAO IMPORTANTE: a descarga do ncleo magntico de T1 (atravs de DP e
DZ) deve ser total antes de se gerar outro pulso de disparo, ou seja, no deve haver fluxo magntico
residual, sob pena deste fluxo ir se acumulando ao longo de vrios ciclos de operao at ocorrer a
saturao do transformador, quando ento no haver variao de fluxo no ncleo e
consequentemente a tenso induzida variacional no secundrio ser nula.
Hipteses neste exemplo:

Tenso direta nos diodos DP e DS de 0,7V;
Tenso direta da juno GC do SCR de 0,7V;
Tenso nominal do diodo zener DZ de 4,7V;
Tenso de saturao do transistor Q de 0,5V;
Resistor de gatilho RG=100;
Transformador de pulso T1:
Resistncias de enrolamento nulas;
Indutncias de disperso nulas;
Corrente de magnetizao desprezvel (indutncia de
magnetizao muito grande);
N1=40 espiras;
N2=20 espiras.
Questes propostas neste exemplo (itens a) a d)):
a) determinar os valores de R1, R2 e C para:

(tS+tC)=0,1ms;
ttotal=0,5ms;
Ipico=2A;
Ifinal=0,2A.
Para facilitar os clculos refletem-se os valores do secundrio para o primrio (figura 2.59).
9 Uma parcela de R1 tambm limita Ipico, pois C j foi parcialmente carregado at o instante tS.

Fig. 2.59: Detalhe do circuito de disparo com a chave Q fechada e os componentes do secundrio refletidos ao primrio.
No fechamento de Q o capacitor C inicialmente descarregado desvia toda a corrente de R1,

restando somente R2 para limitar a corrente de pico, que deve ser Ipico=2A, ou seja IpicoP=1A refletido
para o primrio. Equacionando IpicoP:
N N
Vcc 1V Ds 1V GC V Qsat
V N2 N2 (2.39)
I picoP = eq =
R2 R2
3020,720,70,5 26,7
Substituindo os valores em (2.39): 1= = R2=26,7
R2 R2
Aps a carga total de C, R1 e R2 limitam a corrente em Ifinal=0,2A no secundrio, ou seja,
IfinalP=0,1A.
N N
Vcc 1V Ds 1V GC V Qsat
V eq N2 N2 (2.40)
I picoP = =
R 1+ R 2 R1 + R2
3021,421,40,5 26,7
e substituindo os valores em (2.40): 1= = R1=240,3
R1 +26,7 R1 +26,7
Na prtica deveria se arredondar os valores calculados de R1 e R2 para valores comerciais,
resultando em R1=240 e R2 =27. Como esse exerccio ilustrativo, esses arredondamentos no
sero realizados.
Analisa-se agora a presena e influncia do resistor de gatilho RG. RG garante uma
impedncia relativamente baixa em paralelo com a juno gatilho-catodo do SCR, minimizando a
possibilidade de ocorrncia de disparos esprios (veja que para se ter VGC= 0,7V preciso passar por
RG uma corrente I RG =0,7/100=7mA (2.41), o que um valor muito alto e improvvel de ser
gerado por rudo induzido. Note-se ainda que esta corrente I RG =7mA muito menor que
I pico=2A ou I final =200mA e a influncia de RG pode ser desprezada.
Para o clculo do capacitor C, o modelo equivalente do circuito de disparo com Q fechado
da figura 2.60 pode ser usado. Aplicando-se o teorema de Thvenin ao circuito da figura 2.60
obtm-se o circuito equivalente da figura 2.61.
Rth=R1R2/(R1+R2)
Vth C
Fig. 2.60: Modelo equivalente do circuito de disparo com Fig. 2.61: Circuito equivalente de Thvenin do circuito da
C descarregado. figura 2.60.

V th=V eq
R1
R1 + R2 [ N1 N1
= Vcc V Ds V GC V Qsat
N2 N2
R1
R 1+ R 2 ]
(2.42) e Rth =
R1R2
R1R2
(2.43)
e aplicando-se (2.42) e (2,43) obtm-se:

26,7 240,326,7
V th =26,7 =2,43V E Rth = =24,03 .
240,3+26,7 240,3+26,7
Pode se estimar que para a carga total de C decorrem trs constantes de tempo 10.
t S t C 3 =3RthC (2.44).
Logo t S t C =0,0001 324,03C C=4,16 F
b) fornecer os grficos, com cotas, de vP, vS, iP, (ou seja, grficos esboados mo com
indicaes de tempo nas abcissas e de tenses e correntes relevantes nas ordenadas)
Os grficos devem ser feitos analisando-se o circuito por partes. No caso quatro estados
diferentes podem ser distinguidos:
Transistor Q acaba de fechar, capacitor C ainda descarregado;
Transistor Q fechado, capacitor C totalmente carregado;
Transistor Q abre, transformador T1 descarregando;
Transistor Q aberto, transformador T1 totalmente descarregado.
A figura 2.62 mostra os dois estados iniciais.

Fig. 2.62: Tenses e correntes no lado primrio de T1 com transistor Q fechado.
Verifica-se que a tenso no enrolamento primrio de T1 V P =2,8 V com Q fechado.

Quando o transistor Q abre, a energia magntica de seu ncleo descarregada nos diodos DP
e DZ com tenso constante V D V D =0,74,7=5,4V (2.45), conforme figura 2.63. O
P Z
secundrio de T1 no tem corrente pois DS est reversamente polarizado. Desenham-se as formas de

onda de tenso primria vP e fluxo do transformador T1 na figura 2.64.
10 H quem aplique 5 para a carga completa do capacitor.

Fig. 2.63: Tenses e correntes no enrolamento
primrio de T1 durante a descarga do seu ncleo.
Fig. 2.64: Tenso primria vP e fluxo do transformador T1.

Da figura 2.64, deve-se determinar o tempo de descarga tX do ncleo. Note-se que quando Q
fecha, aplica-se se V P =2,8 V no primrio e quando Q abre aplica-se V P =5,4 V . O fluxo
sobe de zero at e quando Q abre muda o sentido da derivada de muda, decrescendo at zerar.
Repetindo uma observao anterior, deve-se garantir que o fluxo seja zerado para se evitar
d
acmulo de fluxo magntico que saturaria o transformador. Por Faraday: v P t =N P (1.6).
dt
Aplicando-se (2.46) nos intervalos ttotal e tX da figura 2.64 obtm-se:

Q fechado: 2,8 V =40 espiras =35 Wb
500 s
35 Wb
Q aberto: 5,4 V =40 espiras t X =259,26 s 11
tX
Outro modo de se obter o valor de tX se lembrando que em regime permanente a tenso
mdia no enrolamento NP deve ser nula, do contrria a indutncia de magnetizao de T1 estar
absorvendo ou emitindo energia ao longo do tempo; Com isso, as reas A1 e A2 da figura 2.64
devem ser iguais: v P =0 A1= A2 2.48 2,8 V500 s=5,4 Vt X t x =259,26 s
Fig. 2.65: Formas de onda de tenso do primrio vP, corrente do primrio iP, fluxo do transformador e tenso do
secundrio vS.
11 Lembrando que Wb=1 V1 s (2.47).

Note que as formas de onda (figuras 2.64 e 2.65) devem ser esboadas mo livre em papel
sem pauta, mas com cotas (valores) e linhas de chamada. o que ser exigido nas avaliaes
c) Qual a mxima frequncia em que se consegue gerar iG?

O circuito de disparo usualmente empregado em conversores ligados rede CA, e o pulso
de disparo deve ser gerado a cada 1/60s (um perodo da rede de 60Hz). Note-se que no circuito do
exemplo o pulso aplicado ao SCR dura ttotal=500s, o tempo de desmagnetizao tX=259,26s.
Deve-se lembrar que o tempo de carga do capacitor C durante a durao do pulso de
aproximadamente 3 (equao 2.44) atravs da resistncia equivalente Rth. Aps a cessao do pulso
o capacitor C descarrega-se somente em R1, pois o transistor Q est aberto. Este tempo total de
descarga aproximadamente t descargaC 3 ' =3CR1 2.49 3 ' =3240,34.16 =3ms .
Note-se que neste caso t descarga C t X , seno tX seria o tempo limitante.
A frequncia mxima em que o disparador consegue operar :
1 1
f max disparador = 2.50 f max disparador = =285,71 Hz
t total3 ' 500 s3ms
Este resultado mostra que o circuito do exemplo est apto a disparar SCRs de conversores
operando frequncia da rede (50/60Hz).
d) Para se especificar um transformador de pulso comercial, preciso fornecer o valor

v P dt . Obt-lo.
O valor de v P dt uma medida do fluxo mximo admissvel no transformador de pulso
que no o sature. No caso, v P dt deve ser maior que a rea A 1 da figura 2.64, e sua unidade
usualmente dada em Vs. Logo: v P dt A1 2.51 A1 =2,8 V500 s=1400 Vs
Deve-se buscar um transformador com v P dt maior que 1400Vs. No catlogo de
transformadores de pulso do fabricante Semikron verifica-se que o modelo SKPT 25b20/s, com
v P dt de 2000Vs, adequado para a aplicao.
Observao 1: em um projeto mais detalhado, de posse do transformador de pulso escolhido, seus
parmetros (resistncias de enrolamento, indutncia de magnetizao, indutncias de disperso)
devem ser usados. Com isso possvel, por exemplo, se calcular o tempo de subida tS, pois se
dispe das indutncias de disperso.
Observao 2: o valor de v P dt obtido no exemplo muito alto, no limite da disponibilidade
comercial usual (valores mais usuais de v P dt se encontram na faixa de 200-500Vs). Uma
soluo para se contornar este problema se aplicar um trem de pulsos com perodo de trepetio=20-
100s e duty-cycle de 50% (metade do perodo trepetio com aplicao de corrente e a outra metade
para se descarregar o ncleo) e valor de corrente de gatilho da ordem de 1,5IGT (sendo IGT a mnima
corrente aplicvel ao gatilho que garante o disparo do SCR mnima temperatura de operao).
Desta forma consegue-se uma aplicao de pulso suficientemente longa para que o SCR atinja sua
corrente de latching IL. (lembrando que o tempo necessrio para que a corrente pelo SCR atinja IL
depende da carga, e no do componente). Neste caso est se supondo que durante a parcela do
tempo trepetio em que se est descarregando o ncleo (e portanto sem corrente de gatilho) a corrente
IT pelo SCR constante ou de derivada positiva, de modo que aps certo tempo se atinge valores
superiores a IL e se estabelece conduo plena no SCR. Ainda, o circuito de disparo deve
inicialmente aplicar um pulso com valor de pico elevado (da ordem de 5IGT) e derivada de corrente
suficientemente alta (da ordem de 1-2A/s) e s em seguida se introduzir o trem de pulsos.

2.4.1.3.2. Caractersticas do gatilho Disparo do SCR Exemplos de circuito de disparo com
fibra ptica para isolao galvnica.
Em aplicaes com conversores operando com tenses eficazes CA superiores a 1kV no se

pode usar transformadores de pulso convencionais, pois estes geralmente tm tenso mxima de
isolao da ordem de 3kV, e transitrios na rede CA podem facilmente ultrapassar este valor. Sem
se lanar mo de transformadores especiais, a soluo se usar:
Circuito de disparo no potencial do SCR, ligado ao circuito de controle via fibra ptica;
SCRs disparados por luz.
Fig. 2.66: Circuito tpico de acionamento e proteo de SCR para conversores de alta tenso.
No circuito da figura 2.66 o SCR convencional para aplicao em alta tenso e corrente.
Seu disparo realizado pela eletrnica de disparo que est no potencial do SCR, sendo que os sinais
de disparo e de confirmao de conduo so isolados via fibras pticas. Quando o SCR est
desligado, um divisor resistivo de tenso alimenta a eletrnica de disparo. Um sinal de disparo via
fibra ptica gera um pulso de corrente que dispara o SCR e gera um pulso de luz de confirmao de
conduo que enviado ao controle via fibra ptica. Um reator saturvel limita a derivada de
corrente pelo SCR e um circuito com varistor (componente a ser abordado posteriormente) gera um
pulso de disparo protetivo em caso de sobretenso sobre o conjunto do SCR.
2.4.1.4. LTT (Light Triggered Thyristor)
Fig. 2.67: SCR disparado por luz (LTT - light triggered thyristor). Ilustrao do Application Note AN2006-3 V2.2
(March 2006) da Eupec/Infineon.

A figura 2.67 mostra um SCR diretamente disparado por feixe de luz (LTT - light triggered
thyristor) da Eupec, com a conexo de fibra ptica e a carcaa do SCR propositalmente aberta para
mostrar a pastilha semicondutora. O disparo de tais SCR realizado com diodos laser, com pulsos
de luz to curtos como 10s, potncia da ordem de 40mW e comprimentos de onda na faixa de 850-
1000nm (a Eupec sugere o uso dos diodos laser SPL PL90 da Osram, mas o circuito formador de
pulso que alimenta os diodos sofisticado e fora do escopo desta disciplina). Tais SCRs possuem
circuitos internos de amplificao de corrente de gate (gate amplifying structures) para amplificar
a energia relativamente limitada do pulso de luz, bem como proteo integrada com dv/dt elevados,
que dispara protetivamente o LTT em caso de dv/dt aplicado que ultrapasse o valor nominal do
componente.
Para SCRs de dimenses reduzidas, os requerimentos de corrente de pico inicial e derivada

mnima de para a corrente de disparo no so crticos, pois o processo de disparo e o espraiamento
inicial dos portadores facilitado pela pequena rea a ser abrangida. Para SCRs de potncia de altas
correntes, com grandes dimenses superficiais da pastilha semicondutora, ao problema de
distribuio de portadores se soma a alta corrente que passar pelo componente, e que inicialmente
se concentra na regio do entorno do gatilho, resultando em densidades de corrente iniciais
desiguais na pastilha, inclusive com possibilidade de danos pastilha. Soma-se ainda a necessidade
da corrente de disparo ser consideravelmente maior que a de SCRs de dimenses menores, impondo
demanda maior ao circuito de disparo. Para minimizar este problema, vrios fabricantes usam a
configurao com SCR piloto.
2.4.1.5. SCRs de potncia com SCR piloto (GAT Gate Assisted Thyristor)
Fig. 2.68: SCR com SCR piloto. Ilustraes do Application Note 5SYA2034-02 June 07 da ABB.
Fig. 2.69: SCR com SCR piloto. Vista da estrutura do SCR piloto distribuda sobre a superfcie do semicondutor.
Ilustrao do Application Note 5SYA2034-02 June 07 da ABB.
Com isso a corrente de disparo a ser gerada somente a necessria para se disparar o SCR
piloto, que se incumbe de fornecer a corrente de maior valor ao gatilho do SCR principal. Ainda
para se auxiliar o processo de ligao, a estrutura do SCR auxiliar pode ser distribuda sobre a
superfcie do SCR principal (figura 2.69), diminuindo o tempo total de ligao ttot (equao 2.38).

2.4.1.6. ASCR (Asymmetric SCR)
O ASCR um SCR sem capacidade de bloqueio reverso (a tenso reversa mxima da

ordem de dezenas de volts). Com isso ele se torna mais rpido na ligao (turn-on) e/ou no
desligamento (turn-off), bem como reduz as perdas de conduo. A baixa capacidade de bloqueio
reverso impe seu uso com um diodo ligado em antiparalelo (para garantir um caminho de
conduo de corrente na aplicao de tenso reversa) ou em srie (para suportar a tenso reversa).
2.4.1.7. BCT (Bidirectionally Controlled Thyristor)
O BCT um produto da ABB que consiste basicamente em dois tiristores ligados em

antiparalelo dentro de um mesmo encapsulamento (encapsulamento tipo disco). Com isso, em
aplicaes que exigem este tipo de ligao, como soft-starters12 e controle de potncia de cargas
por ciclos inteiros (figura 1.41), o conversor fica mais compacto.
Fig. 2.70: Desenho mecnico de BCT da ABB . Note a Fig. 2.71: Corte esquemtico de um BCT da ABB, com
presena de dois pares de fios catodo-gatilho, um para os SCRs A e B. Note a estrutura de gatilho distribuda
cada SCR. Ilustrao do Application Note 5SYA2006- (Gate A). Ilustrao do Application Note 5SYA2006-
03 Aug 07 da ABB. 03 Aug 07 da ABB.
2.4.1.8. RCT (Reverse Conducting Thyristor)
O RCT um SCR com diodo em antiparalelo incorporado estrutura da pastilha

semicondutora, portanto conduz com aplicao de tenso reversa no SCR. usado para compactar a
estrutura de conversores que necessitem de SCRs com diodos em antiparalelo. Outra vantagem
que a indutncia da ligao antiparalelo entre SCR e diodo praticamente eliminada.
2.4.1.8. GTO (Gate Turn-Off Thyristor)
O GTO um SCR com capacidade de auto-desligamento atravs da retirada de corrente pelo

terminal de gatilho. De fato, se um SCR for suficientemente pequeno, possvel desliga-lo retirando
corrente pelo gatilho. O GTO constitudo por uma associao de vrios GTOs elementares em
12 Soft-starters so circuitos eletrnicos que auxiliam a partida de motores eltricos de induo, aplicando tenso CA
recortada no motor para se diminuir o valor da corrente de partida.

paralelo na pastilha, de modo que cada um deles tem a capacidade de se bloqueado com corrente de
gatilho negativa. O problema prtico no uso de GTOs que a corrente negativa de gatilho deve ter
derivada da ordem de 100A/s para se garantir desligamento simultneo de toda a estrutura. Isto
impe indutncias de ligao do circuito de gatilho extremamente baixas, muito difceis de serem
implementadas na prtica. Alm desse requerimento de circuito de gatilho os GTOs geralmente
exigem o uso de circuitos externos (snubbers) para auxiliar os processos de ligao e
desligamento. Com o lanamento dos GCTs/IGCTs o uso de GTOs atualmente se limita reposio
em conversores existentes.
2.4.1.9. GCT (Gate Commutated Thyristor) e IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor)
GCTs e IGCTs so GTOs modificados para serem ligados e desligados com correntes de
gatilho (positivas e negativas) de derivadas de corrente extremamente elevadas (da ordem de kA/s)
sem necessidade de circuito externos auxiliares. Como a ligao entre o circuito de disparo e o SCR
deve ter indutncia muito pequena (da ordem de nH), o fabricante fornece o circuito de disparo
integrado ao componente de potncia, que tem encapsulamento do tipo disco. Os GCTs e IGCTs
podem ser fornecidos com diodo ligado em antiparalelo integrado no encapsulamento como os
RCTs, ou apresentar plena capacidade de bloqueio reverso ou capacidade limitada como nos
ASCRs. Os GCTs e IGCTs tm conexo de controle via fibra ptica. Note-se que os circuitos de
disparo devem ser convenientemente energizados para funcionamento e esto no potencial do
catodo do dispositivo. No caso dos IGCTs da ABB recomenda-se aplicar uma onda quadrada de
tenso de alimentao (15kHz, 40Vpico), atravs de um transformador de isolao que suporte a
diferena de potencial de operao. Os circuitos de disparo para essas chaves podem chegar a um
consumo da ordem da centena de watts, dependendo da corrente de carga.
Fig. 2.72: GCT simtrico da Mitsubishi GCU08BA-130. Fig. 2.73: IGCT com conduo reversa da ABB 5SHX
VDRM=VRRM=6500 V, IAV=330A, fora de aperto nominal 26L4510. VDRM=4500 V, IAV=390A (diodo integrado),
F=13kN. Note a presena de capacitores do circuito de IAV=1010A (IGCT), fora de aperto nominal F=44kN.
disparo ao redor do GCT.
2.4.2 TRIAC
O triac (TRIode for Alternating Current) uma chave controlvel bidirecional em corrente e
tenso da famlia dos tiristores. No uma associao em antiparalelo de dois SCRs, pois sua
estrutura interna distinta e possui somente um terminal de gatilho, que pode acionar o dispositivo
com corrente positiva ou negativa.
Devido s suas caractersticas, o triac empregado em controle de potncia de cargas

ligadas rede CA (50/60Hz), com potncias limitadas a unidades de kW.
Fig. 2.74: Representao esquemtica e disposio Fig. 2.75: Modos de disparo de um triac. Ilustrao do
interna de um triac. Ilustrao do Application Application Note AN1001 da Littelfuse.
Note AN1001 da Littelfuse.
Da figura 2.75, os quadrantes mais usados para disparo do triac so QI e QIII, aonde o
sentido da tenso aplicada aos terminais principais coincide com a polarizao do circuito de
gatilho. Na operao em QII a corrente de travamento (latching current IL) a mais elevada,
dificultando o funcionamento para cargas de baixa corrente, e na operao em QIV a sensibilidade
do gatilho a menor comparada com os outros trs quadrantes.
Fig. 2.76: Valores tpicos de correntes de travamento (IL) e de manuteno (IH) para um triac de 4A. Ilustrao do
Application Note AN1002 da Littelfuse.
O triac bastante popular no controle do valor eficaz de tenso em cargas ligadas rede CA
monofsica como lmpadas incandescentes e motores, usando uma topologia de circuito conhecida
como dimmer. No controle de cargas indutivas o triac convencional pode apresentar problemas
pois como a passagem por zero da corrente fica atrasada em relao passagem por zero da tenso,
e como o triac desliga quando sua corrente passa por zero, supondo o caso de corrente inicialmente
positiva, no instante em que ela passa por zero a tenso sobre o triac j est negativa, e ocorrem dois
problemas:
A interrupo abrupta da corrente provoca uma fora contra-eletromotriz da carga indutiva
sobre o triac, que pode ser danificado por sobretenso;
No desligamento do triac, se a derivada da corrente ultrapassar certo valor mximo, pode

no haver tempo suficiente para a retirada de todas as cargas acumuladas nas junes, e com a
tenso (no caso negativa) j aplicada sobre o dispositivo, este pode entrar em conduo
espontaneamente.
O primeiro problema pode ser solucionado usando-se um triac que suporte esta sobretenso
ou colocando-se um amortecedor ou snubber em paralelo com o triac. O snubber um circuito
RC srie que prov um caminho paralelo ao triac, permitindo a passagem da corrente indutiva da
carga quando o triac abre. Para resolver o segundo problema os fabricantes modificam a estrutura do
triac, separando em dois SCRs em antiparalelo compartilhando o mesmo gatilho, de modo a se
diminuir a quantidade de carga acumulada no desligamento e prevenindo o religamento espontneo.
Com tal modificao o triac no consegue mais ser disparado no QIV. Tais triacs modificados
podem receber diferentes denominaes comerciais dos fabricantes, como Alternistor Triacs da
Littelfuse/Teccor ou SNUBBERLESS Triac da ST-Microelectronics, e so usados sem circuitos
RC de amortecimento (nessa faixa de aplicao, aonde o custo crtico, a eliminao do snubber
RC uma vantagem competitiva).
2.4.3 DIAC
O diac (DIode for Alternating Current) um dispositivo com dois terminais com estrutura
interna de um transistor NPN sem acesso base. Apresenta alta impedncia at a aplicao de
tenso de avalanche (VBO break-over voltage) quando ento entra em uma regio de resistncia
negativa, limitada somente pelo circuito externo. usado em circuitos de disparo simples, e sua
mais conhecida aplicao no circuito de dimmer. Um diac tpico como o DB3 tem VBO=32V e
suporta corrente de pico mxima de 2A, mas a tenso de avalanche pode chegar a 70V em outros
modelos.
Fig. 2.77: Representao esquemtica e disposio interna de um diac. Ilustrao do Application Note AN1001 da
Littelfuse.
EXEMPLO: Circuito de Dimmer. O dimmer um circuito que recorta a forma de onda da

tenso CA aplicada em um carga, de modo a controlar o valor eficaz e consequentemente a potncia
aplicada carga. Um circuito tpico de dimmer ilustrado na figura 2.78.
O circuito da figura 2.78 tem a sequncia de funcionamento:
Com condies iniciais nulas, a tenso Vca comea o semiciclo positivo. O capacitor C1
carrega-se positivamente atravs de Rcarga, R1 e Potenciometro;
Quando a tenso em C1 atinge o valor de avalanche do DIAC (+VBO), este entra em
conduo, descarregando C1 no gatilho do TRIAC (disparo do TRIAC no quadrante QI);
O TRIAC entra em conduo, aplicando tenso Vca (semiciclo positivo) sobre Rcarga;
Quando a tenso Vca passa ao semiciclo negativo, o TRIAC cessa a conduo;
C1 comea a carregar negativamente atravs de Rcarga, R1 e Potenciometro;
Quando a tenso em C1 atinge o valor de avalanche do DIAC (-VBO), este entra em
conduo, descarregando C1 no gatilho do TRIAC (disparo do TRIAC no quadrante QIII);
O TRIAC entra em conduo, aplicando tenso Vca (semiciclo negativo) sobre Rcarga;
Quando a tenso Vca passa ao semiciclo positivo, o TRIAC cessa a conduo;
Recomea o processo do semiciclo positivo.

Fig. 2.78: Circuito elementar de controlador de potncia com diac e triac (dimmer).
Controlando-se o valor do Potenciometro varia-se o tempo at a tenso em C1 atingir o

valor VBO. Durante este tempo a tenso sobre Rcarga praticamente nula, pois seu valor hmico
muito menor que o de R1 e Potenciometro. Somente no disparo do TRIAC que aplicada tenso
plena de Vca sobre Rcarga, at a Vca trocar de sentido e bloquear o TRIAC, quando ento o ciclo
recomea.
O circuito da figura 2.78 praticamente o mesmo do da figura 1.41. A tenso tpica sobre a
carga Rcarga est na figura 1.42 e seu valor eficaz est deduzido na frmula 1.32.
2.4.3 QUADRAC
Quadrac um triac com diac incorporado internamente, e uma marca registrada da
Littelfuse/Teccor. Sua faixa de corrente vai de 4A a 15A (eficazes), com tenses de 200V a 600V
(eficazes).
Fig. 2.78: Triac integrado com diac (Quadrac). Retirado do data-sheet da Littelfuse.
2.4.4. SIDAC
O Sidac (Silicon Diode for Alternating Current) um componente com dois terminais e sem
polaridade com funcionamento anlogo ao do diac, porm suportando maiores valores de corrente
inicial de avalanche (centena de ampres) e com maiores tenses de avalanche (VBO break-over
voltage). Seu uso tpico em circuitos geradores de pulsos de tenso, por exemplo, em ignitores de
lmpadas de vapor de sdio.
Fig. 2.80: Representao esquemtica e disposio interna de um Sidac. Ilustrao do Application Note AN1001 da
Littelfuse.

Fig. 2.81: Aplicao do sidac em circuito de partida de lmpadas de vapor de sdio. Ilustrao do Application Note
HBD855/D Rev. 1, Nov2006 da On Semiconductor.
Uma das aplicaes mais comuns do sidac na gerao de pulsos de alta tenso para partida
de lmpadas de vapor de sdio. Lmpadas de vapor de sdio desligadas e frias apresentam uma
coluna de gs que deve ser rompida com a aplicao de um pulso da ordem de kV com durao de
1-20s. Isto realizado com a carga inicial dos circuitos RC das diferentes topologias da figura
2.81, e quanto a tenso no capacitor C atinge o valor de avalanche VBO ocorre a descarga atravs do
sidac e a tenso elevada atravs de um transformador ou autotransformador e aplicada lmpada.
Com isso a lmpada entra em conduo e tem sua corrente limitada atravs do indutor srie LB
(tendo a coluna de gs ionizado da lmpada caracterstica de resistncia negativa, um bipolo no
dissipativo externo deve limitar a corrente da lmpada). Em regime a tenso do capacitor C no
atinge mais o valor de avalanche VBO (h uma diviso da tenso da rede Vac entre o indutor LB e a
lmpada), no ocorrendo pulsos de disparo. Note-se que o nvel de energia necessrio para iniciar o
arco na lmpada superior ao de um diac, levando ao uso do sidac.
2.4.5. Random Phase (Non-Zero Crossing) Optically Isolated Triac Drivers - MOC30XX
A fabricante Fairchild possui a famlia de circuitos integrados MOC30XX13, que consiste

em um led acionando uma estrutura similar a um triac acionado por luz (figura 2.82).
Fig. 2.82: Disposio interna e encapsulamentos tpicos de um de um Random Phase (Non-Zero Crossing) Triac Driver. Ilustrao
do Data-sheet da famlia MOC30XX da Fairchild.
Com isso obtm-se isolamento galvnico entre o circuito de acionamento, que pode vir de
um controlador microprocessado ou similar, e o circuito de potncia, suportando nveis de tenso
at 7,5kV de pico. Ele denominado random phase ou non-zero crossing por disparar o triac
em qualquer ngulo da tenso da rede CA, bastando que haja corrente mnima pelo diodo led (na
faixa de IFT=5-30mA) para sensibilizar o triac. Uma vez acionado, o triac conduz para correntes
13 Dos quais o mais usado o integrado MOC3011M.

maiores que a de manuteno (IH>100A). Como a corrente e tenso suportados pelo triac disparado
por luz so limitados (VDRM=250-400V e ITSM=1A), ele no pode ser usado para acionar diretamente
uma carga de potncia, mas sim para acionar o gatilho de um triac de potncia, como exemplificado
na figura 2.83.
Fig. 2.83: Esquema eltrico de um exemplo de aplicao de um Random Phase (Non-Zero Crossing) Triac Driver.
Ilustrao do Application Note AN-3003 REV. 4.07 10/6/06 da Fairchild.
2.4.6. Zero Voltage Crossing Optically Isolated Triac Drivers - MOC30XX
Esta famlia de integrados14 similar apresentada no item anterior, exceto que a estrutura
do triac interno s permite o seu disparo na passagem por zero da tenso CA aplicada. O objetivo
minimizar a interferncia eletromagntica conduzida e irradiada gerada pelo chaveamento de cargas
com tenso CA diferente de zero. Por exemplo, no acionamento de uma carga puramente resistiva
perto do pico de tenso a derivada da corrente na carga elevada, rica em contedo harmnico, que
pode ser transmitido pelos fios (interferncia conduzida) ou irradiada, interferindo em equipamentos
como rdios e televisores. O pulso de disparo na regio da passagem por zero deve ter durao
suficiente para que o triac interno atinja sua corrente de atracamento.
Fig. 2.84: Esquema eltrico simplificado de um Zero Voltage Crossing Optically Isolated Triac Driver. Ilustrao do
Application Note AN-3004 REV. 4.00 5/7/02 da Fairchild.
2.4.7. PUT Programmable Unijunction Transistor
O PUT um dispositivo de quatro camadas como o SCR, mas com disparo realizado entre
anodo e gatilho, em vez de catodo e gatilho. No uma chave de potncia, mas sim um dispositivo
auxiliar usado para implementao de osciladores astveis, devido sua regio de resistncia
negativa, e temporizadores, devido baixa corrente de fuga quando em aberto.
14 Dos quais os mais usados so os integrados MOC3031M, MOC3041M, MOC3061M.

Fig. 2.85: Representao esquemtica e disposio interna de um PUT Programmable Unijunction Transistor.
Ilustrao do Handbook - Thyristor Theory and Design Considerations, On Semiconductor, (HBD855/D Rev. 1,
Nov2006).
No oscilador astvel tpico da figura 2.86, o capacitor CT do circuito RTCT carregado at

que a tenso do anodo em relao ao gatilho seja suficiente para conduzir o transistor PNP do PUT,
iniciando o processo de avalanche (regio de resistncia negativa da curva VAK versus IA) e
descarregando CT no processo. Dado o valor de tenso da fonte V1, o valor de RT mais RO deve ser
suficientemente alto para que IA seja menor que IV (corrente de vale), para que o PUT no atraque e
fique conduzindo indefinidamente, mas bloqueie aps a avalanche e descarga de CT. O PUT dito
programvel porque, ao contrrio do transistor unijuno normal, a tenso do gatilho pode ser
definida externamente (programada), no caso pelo divisor resistivo formado por R1 e R2. Com isso
a tenso de pico VP imediatamente antes do disparo do PUT ser aproximadamente
V P V AG V S (2.52), aonde VS a tenso do ponto central do divisor formado por R1 e R2. No
oscilador do exemplo a tenso sobre o resistor RO definida como a sada do circuito.
Fig. 2.86: Implementao tpica de oscilador astvel com PUT e curva de caracterstica esttica. Ilustrao do
Handbook - Thyristor Theory and Design Considerations, On Semiconductor, (HBD855/D Rev. 1, Nov2006).

2.5. PROTEO DE SEMICONDUTORES DE POTNCIA
Semicondutores de potncia, como SCRs e diodos, tm suportabilidade de tenses e

correntes elevados comparados a semicondutores de sinal, mas seus mximos valores nominais
(maximum rated values) devem ser observados sob pena de danos irreversveis ocorrerem em
fraes de segundos. As diferentes origens de sobretenses e sobrecorrentes bem como suas
solues so apresentadas a seguir.
2.5.1. Proteo contra sobretenses
Sobretenses podem ter origem interna ou externa ao semicondutor de potncia:

Interna: durante o desligamento, devido interrupo da corrente reversa provocada pela
descarga de portadores acumulados na juno;
Externa: devido a processos de chaveamento na rede CA e descargas atmosfricas:
Chaveamento de cargas indutivas;
Ligao e desligamento de transformadores em vazio;
Abertura de fusveis;
Descargas atmosfricas diretas na linha CA e induzidas por condutores prximos.
Excetuando as descargas atmosfricas, todos esses fenmenos so devidos ao chaveamento,
mais ou menos brusco, da corrente por ramos contendo indutncias. A variao brusca da corrente
sobre a indutncia gera uma fora contra-eletromotriz que se ope a esta variao de corrente, e que
pode ter valor suficientemente elevado para danificar o semicondutor de potncia ou outros
componentes associados. As solues so:
Prover um caminho alternativo para a corrente do ramo indutivo no instante do
chaveamento;
Limitar a tenso gerada atravs de dispositivos ou componentes que grampeiam a tenso
acima de certo valor. A energia relativa parcela grampeada deve ser absorvida pelo
dispositivo ou componente.
2.5.1.2. Normas e definies
Algumas normas para sobretenses e dispositivos de proteo podem ser citadas:

IEEE Std C62.41.1-2002: IEEE Guide on the Surge Environment in Low-Voltage (1000 V and
Less) AC Power Circuits
IEEE Std C62.41.2-2002: IEEE Recommended Practice on Characterization of Surges in Low-
Voltage (1000 V and Less) AC Power Circuits
IEEE Std C62.33-1988: IEEE Standard Test Specifications for Varistor Surge-Protective Devices
2.5.1.2.1. Onda Padro (Combination Wave)
A onda padro (combination wave) uma forma de onda de tenso ou corrente definida
por normas que visa a simular o efeito de uma sobretenso de origem atmosfrica bem como sua
corrente associada e definida pelas normas IEEE Std C62.41.2-2002, IEC 60060-2:1994 e IEEE
Std 4-1995. Na prtica a onda padro fornecida por um gerador especial que tem em sua sada:
- para uma carga em aberto: uma onda de tenso padro;
- para uma carga em curto: uma onda de corrente padro
A norma IEEE Std C62.41.2-2002 define a tenso de impulso padro com a forma de onda
da figura 2.87.

Fig. 2.87: Tenso de impulso padro conforme norma IEEE Std C62.41.2-2002.
A tenso de impulso padro tambm referida como onda do tipo 1.2/50s, com:
Frente de onda: 1.2s=1.67 (t90%- t30%);
Durao: 50s=tempo entre a origem virtual da onda e o instante em que sua cauda cai a 50%
do valor de pico, sendo que a origem virtual a interseco entre a reta de 90%-30% e a abscissa.
A tenso de impulso padro usada em ensaios de BIL (Basic Impulse Level) para
comprovao de isolamento de equipamentos. Por exemplo, no teste de BIL de um transformador
de distribuio de 15kV isolado a leo, a tenso de pico da onda (valor de 1 pu na figura 2.87) de
60kV segundo as normas ANSI.
A corrente de impulso padro tem a forma de onda da figura 2.88.
Fig. 2.87: Corrente de impulso padro conforme norma IEEE Std C62.41.2-2002. Fonte: catlogo Epcos EPC:48002-
74000.
A corrente de impulso padro tambm referida como onda do tipo 8/20s, com:
- Frente de onda: 8s=1.25 (t90%- t10%);
- Durao: 20s=tempo entre a origem virtual da onda e o instante em que sua cauda cai a 50% do
valor de pico, sendo que a origem virtual a interseco entre a reta de 90%-10% e a abscissa.

2.5.1.2. Amortecedores (Snubbers) RC
Consistem em associaes srie RC, geralmente colocados em paralelo com as chaves

eletrnicas (diodos ou SCRs), conforme a figura 2.89. Seu propsito limitar a sobretenso sobre a
chave em desligamento, provendo um caminho para a corrente reversa desta chave, ou limitar a taxa
de variao de tenso sobre uma chave a ser ligada conectada em antiparalelo com a chave em
desligamento. A teoria e o equacionamento destes amortecedores podem ser encontrados na
literatura, como em:
McMurray, W. Optimum Snubbers for Semiconductors, in: IEEE Conference Record of Sixth
Annual Meeting of Industry Applications Group, p.885-893, 1971.
Waldmeyer, J.; Backlund, B. Design of RC Snubbers for Phase Control Applications, ABB
Application Note No. 5SYA 2020-01, Feb. 2001.
Fig. 2.89: Configurao tpica de um amortecedor (snubber) individual colocado em paralelo com um SCR.
Para conversores ligados rede CA em 50 ou 60Hz, os valores usuais podem ser tabelados:
Tabela 2.8: Valores de R e C para amortecedores individuais (colocados em cada chave).

Fonte: Application Note AN2006-03 V2.2 March 2006 da Infineon.
Os valores indicados na tabela 2.8 devem ser usados admitindo-se que a tenso de pico
repetitiva da chave (direta ou reversa) seja 2,2 vezes maior que a tenso de pico da rede CA, e que a
tenso de curto-circuito porcentual15 de um transformador ligado na entrada do conversor do qual
a chave faz parte seja u K 4 % . Se no houver transformador em srie com o conversor, um
indutor com reatncia srie equivalente deve ser usado.
15 A tenso de curto circuito porcentual (uK) a porcentagem da tenso nominal do enrolamento de um

transformador que aplicada em um ensaio de curto-circuito gera corrente nominal neste enrolamento.

2.5.1.3. Centelhadores
Centelhadores so basicamente tubos contendo gs de composio conhecida, com eletrodos

nas extremidades. A aplicao de uma tenso acima da nominal entre os eletrodos gera uma
descarga eltrica entre os eletrodos, grampeando a tenso no valor do arco eltrico.
Fig. 2.90: Princpio bsico de construo de centelhadores com dois e trs eletrodos. Fonte: catlogo Epcos EPC:48002-
74000.
Fig. 2.91: Exemplos de centelhadores com dois eletrodos. Fonte: catlogo Epcos EPC:48002-74000.
Fig. 2.92: Exemplos de centelhadores com trs eletrodos. Fonte: catlogo Epcos EPC:48002-74000.
Nos centelhadores com trs eletrodos geralmente o terceiro eletrodo (central) ligado
terra.
A figura 2.93 mostra a corrente resultante do acionamento do centelhador. Deve-se notar
que como a tenso de arco relativamente baixa, o acionamento do centelhador em uma linha CA
praticamente curto-circuita esta linha, e se a energia pelo centelhador no for limitada externamente
(p.ex., fusvel) o centelhador pode se romper. A figura 2.94 mostra um exemplo de circuito aonde a
limitao realizada por varistores, que no exemplo grampeiam a tenso em um valor acima do
pico da tenso fase-neutro. Na ocorrncia de sobretenso entre fase (ou neutro) e terra acima de um

certo valor, o centelhador acionado proporciona um caminho para a corrente associada
sobretenso, ao passo que os varistores grampeiam a tenso fase-neutro a um certo valor.
Fig. 2.93: Efeito da corrente resultante do acionamento do centelhador. Fonte: catlogo Epcos EPC:48002-74000.
Fig. 2.94: Exemplo de circuito de proteo de linha CA com associao de centelhador e varistores. Fonte: catlogo
Epcos EPC:48002-74000.

2.5.1.4. Varistores
Varistores so dispositivos no lineares e no polarizados, que tm funcionamento similar

ao de um zener, exibindo uma tenso de avalanche (figura 2.95b). So compostos de xidos
metlicos sinterizados16, geralmente xido de zinco.
(a) (b)
Fig. 2.95: Smbolo eltrico do varistor e curva caracterstica VxI. Fonte: catlogo Epcos.
(a)
(b)
Fig. 2.96: Princpio de funcionamento do varistor e sua estrutura. Fontes: catlogos Epcos e Littelfuse.
Da figura 2.96a verifica-se que o micro-varistor essencial de xido de zinco exibe uma
tenso de avalanche de cerca de 3,5V. Com isso o crescimento do varistor em seu comprimento
aumenta sua tenso de avalanche, ao passo que seu crescimento lateral aumenta sua capacidade de
corrente, quando se associam os micro-varistores em paralelo. Com isso, a energia que um varistor
pode absorver sem ser danificado depende de seu volume.
16 A sinterizao consiste em se aglutinar uma substncia em p com alta temperatura e presso.

(a) (b)
Fig. 2.97: Varistores de baixa e mdia energias e seus encapsulamentos tpicos. Fonte: catlogo Littelfuse.
Fig. 2.98: Princpio de proteo contra sobretenso atravs de varistor. Fonte: site http://www.epcos.com.
A tabela 2.9 apresenta a terminologia usada na seleo de varistores. Note-se o emprego da

onda padro de corrente, anteriormente definida.

Tabela 2.9: Terminologia empregada na seleo de varistores. Fonte: Fonte: site
http://www.stetron.com/mov/terminology.php
Como discutido anteriormente, com o aumento do volume, e principalmente do

comprimento, varistores podem ser empregados em sistemas de potncia para proteo de
equipamentos, quando ento so geralmente denominados para-raios de xido metlico.
(a) (b)
Fig. 2.99: Varistores para sistemas de potncia. Fonte: catlogo Cooper Power Systems.

A figura 2.100 mostra que o aumento do comprimento de varistores para sistemas de
potncia conseguida pela associao srie de blocos de varistores de tamanho padronizado.
Fig. 2.100: Varistor para sistemas de potncia (345kV). Fonte: catlogo Cooper Power Systems.

2.5.2. Proteo contra sobre-correntes
2.5.2.1. Fusveis
Neste caso deve se distinguir proteo contra sobrecorrente de curta durao (curto-
circuitos) e de longa durao (sobrecargas), devendo-se, a princpio, adotar medidas de proteo
diversas para cada caso. Sobrecargas podem ser corrigidas por disjuntores corretamente ajustados,
visto que so fenmenos de durao relativamente longa, mas sobrecorrentes decorrentes de curto-
circuitos devem ser rapidamente extintas antes que as pastilhas semicondutoras sejam danificadas, o
que geralmente exige o uso de fusveis ultrarrpidos. O uso de fusveis convencionais exige que
sejam empregados semicondutores superdimensionados para que haja coordenao de proteo
adequada (o fusvel queimando antes do semicondutor).
Fig. 2.101: Construo mecnica de um fusvel ultrarrpido para semicondutores.
O fusvel ultrarrpido difere construtivamente dos convencionais pelo uso de elos fusveis
de prata que apresentam queda hmica reduzida em regime e possuem estrangulamentos em suas
sees que permitem iniciar a fuso simultaneamente em vrios pontos. O fusvel preenchido com
slica de granulometria controlada, compactada para minimizar a presena de ar no interior.
Fig. 2.102: Vista interna do fusvel ultrarrpido durante operao.

Na ocorrncia de sobrecorrente que funda os elos fusveis, a presena de indutncia em srie
com o fusvel provoca a ocorrncia de arco eltrico, que extinto pela energia de fuso da areia,
formando fulguritos. A quantidade de ar livre interno deve ser minimizada, pois provoca uma
potencialmente perigosa elevao de presso interna devido ao grande aumento de temperatura
provocado pelo arco eltrico. Construtivamente pode haver a presena de um fio piloto tensionado
por mola, que se rompe junto com os elos fusveis, acionando uma micro-chave que indica a
abertura do fusvel.
2.5.2.1.1. Critrios para dimensionamento de fusveis
Os critrios para dimensionamento de fusveis so:

Tenso nominal: A tenso nominal UN do fusvel o valor eficaz de uma tenso senoidal.
Deve ser superior tenso que gera o curto-circuito para assegurar a extino do arco
voltaico;
Corrente nominal: A corrente nominal o valor eficaz de uma corrente senoidal (45Hz a 62
Hz) que pode circular pelo fusvel continuamente sem alteraes das caractersticas do
mesmo;
Valor de I2t: o processo de interrupo pode ser dividido em dois intervalos, o intervalo de
fuso tS e o intervalo de extino do arco tL (figura 2.103).
Fig. 2.103: Comportamento da corrente pelo fusvel durante a interrupo.
O processo de fuso dos elos fusveis ocorre durante o tempo de fuso tS at o valor de
corrente IS. Durante o tempo tL ocorre a extino do arco. A integral do quadrado da corrente
no tempo total (tS + tL) corresponde energia envolvida no processo de abertura do fusvel e
deve ser inferior ao calor desenvolvido no semicondutor, ou seja:
I 2 t [ Fuso] I 2 t [ Extino doarco ] I 2 t[ Semicondutor] (2.48)

Aonde:
I 2 t [ Fuso] depende da tenso de alimentao e da corrente de curto-circuito;
I 2 t [ Extinodo arco ] depende da tenso de retorno U (fornecida pelo fabricante do
W
fusvel), do fator de potncia durante o curto-circuito e da corrente presumida ou

prospectiva IP (valor de pico da corrente de curto-circuito pelo circuito do fusvel se
no houvesse limitao, que pode chegar a IP =20IS ou mais);
I 2 t [ Semicondutor] integral limite a corrente do semicondutor, fornecida pelo
fabricante.
Tenso de interrupo: Durante o processo de extino da corrente no fusvel uma tenso de
interrupo US gerada, e pode ultrapassar consideravelmente a tenso de alimentao. A

tenso de interrupo US depende da construo do fusvel e da tenso de retorno UW,
fornecida pelo fabricante. A tenso de interrupo US aparece na forma de uma tenso de
bloqueio nos semicondutores que no fazem parte da malha de curto-circuito. Para evitar
danos a tenso de interrupo no deve ultrapassar o valor de pico da tenso reversa do
semicondutor.
Fig. 2.104: Curva tpica de US = f(UW).
2.5.2.1.2. Instalao do fusvel
Os fusveis podem ser instalados em diversos pontos do circuito, conforme a figura 2.105.
Fig. 2.105: Possveis locais de instalao de fusveis em um circuito.
2.6. ASSOCIAO DE SEMICONDUTORES DE POTNCIA
Em diversos equipamentos que utilizam semicondutores de potncia frequentemente os

nveis de tenso ou corrente nominais so superiores aos suportados por um nico componente,
suscitando a necessidade de se associar componentes em srie (para suportar tenses de bloqueio
elevadas) ou em paralelo (para suportar correntes diretas elevadas). As tolerncias de fabricao e
os processos dinmicos de ligao e desligamento impes cuidados na associao destes
componentes.
2.6.1 Associao paralela de semicondutores de potncia
Na associao paralela de semicondutores de potncia deve-se garantir a distribuio

uniforme de corrente entre os elementos da associao, dentro de determinadas tolerncias, tanto

esttica como dinamicamente. Estaticamente o problema est nos desvios entre as curvas dos
componentes em conduo direta, uma vez que os componentes em paralelo esto submetidos
mesma tenso (figura 2.106).
Fig. 2.106: Desbalano na diviso de corrente entre componentes em paralelo devido a diferenas na curva de conduo
direta. Fonte: Application Note AN2006-03 V2.2 March 2006 da Infineon.
Dinamicamente, as diferenas entre correntes de disparo, caractersticas de turn-on de

cada componente e variaes na indutncia de cada ramo da associao em paralelo podem
contribuir para diferenas de corrente, principalmente no transitrio de ligao.
A equalizao das correntes em uma associao em paralelo pode ser conseguida de vrios
modos:
Uso de componentes casados na caracterstica de conduo direta, minimizando as
diferenas durante a conduo. Deve-se atentar para que qualquer futura substituio de
componente desta associao seja feita com um novo componente de mesma caracterstica, dentro
da faixa especificada;
Colocao de resistncia em srie com cada componente da associao, de modo a
derrubar e aproximar as curvas i=f(v) de conduo direta de cada componente. Esta resistncia
srie pode ser conseguida com a simples colocao de fusveis em srie com cada ramo;
Utilizao de transformadores de acoplamento para forar a equalizao dinmica durante a
conduo (figura 2.107a). O transformador pode ser to simples como um toride de ferrite com os
ramos com polaridades opostas (figura 2.107b). Os problemas so a complexidade crescente do
transformador para mais de dois componentes em paralelo (figura 2.107c) e a dificuldade de
implementao quando os condutores dos ramos so barramentos com dimenses e rigidez
considerveis.
I I1
I2
I1 I2
I
I2
I1
(a) (b) (c)
Fig.2.107: Uso de transformadores de acoplamento para equalizao dinmica de componentes em paralelo.

Os barramentos de ligao de cada ramo devem ter resistncias e indutncias prximas.
Mecanicamente isto pode ser de difcil realizao se os barramentos tiverem comprimentos
diferentes;
No caso de SCRs em paralelo, garantir que os pulsos de gatilho sejam simultaneamente
realizados, com pulso inicial com derivada diG/dt>1A/s e corrente inicial elevada (como o
da figura 2.55). Para se levar em conta as diferenas entre as impedncias srie que cada
juno gatilho-catodo apresenta, pode ser conveniente se colocar uma resistncia em srie
com cada gatilho, principalmente se um nico secundrio de transformador de disparo
alimenta simultaneamente vrios SCRs;
Dimensionar o resistor de descarga do circuito snubber (circuito amortecedor) de forma a
limitar a corrente de pico da corrente de descarga do capacitor;
Procurar manter todos os semicondutores na mesma temperatura (p. ex., usando o mesmo
dissipador) pois com o aumento de temperatura ocorre reduo da tenso de conduo e o
componente mais aquecido tende a conduzir mais corrente.
2.6.1 Associao srie de semicondutores de potncia
Na associao srie de semicondutores de potncia deve-se garantir a distribuio uniforme

de tenso entre os elementos da associao, dentro de determinadas tolerncias, tanto esttica como
dinamicamente, quando eles se encontrarem em estado bloqueado (esttico) ou quando entrarem em
conduo (dinmico). Estaticamente o problema est nas variaes entre as tenses de cada
componente no estado de bloqueio, uma vez que os componentes em srie apresentariam a mesma
corrente de fuga mas suas impedncias de bloqueio tm variao entre si (figura 2.108).
Fig. 2.108: Desbalano na diviso esttica de tenses entre componentes em srie devido a diferenas nas correntes de
fuga individuais. Fonte: Application Note AN2006-03 V2.2 March 2006 da Infineon.
Dinamicamente, as diferenas entre cargas acumuladas dos componentes significa que no

desligamento o componente com menor carga acumulada bloquear antes, tendo que suportar uma
tenso maior. No transitrio de ligao, o componente que atrasar sua conduo tambm ter que
suportar uma tenso maior (figura 2.109).

Fig. 2.109: Desbalano na diviso dinmica de tenses entre componentes em srie durante o desligamento devido a
diferenas nas cargas acumuladas individuais. Fonte: Application Note AN2006-03 V2.2 March 2006 da Infineon.
ITOT
I1 IT1 IS1
Rs
T1
Rp
Cs
I2 IT2 IS2
Rs
T2
Rp
Cs
Emax
In ITn ISn
Rs
Tn
Rp
Cs
Fig. 2.110: Equalizao esttica e dinmica de componentes em uma associao srie.
A equalizao das tenses em uma associao em srie pode ser conseguida de vrios
modos:
Equalizao de tenso esttica, conseguida atravs de resistores RP em paralelo com cada
componente. Cada resistor RP deve conduzir uma corrente da ordem de duas a cinco vezes a
corrente de fuga nominal temperatura de operao, garantindo ento que uma distribuio esttica
de tenses equalizada. O valor de RP pode ser deduzido para o pior caso, em que somente o SCR T1
apresenta uma corrente de fuga menor que os demais portanto seria submetido a uma tenso
superior de valor E1 (os outros seriam submetidos a uma tenso En):
Da figura 2.110,
I T2 =I T3=...=I Tn =I T (2.49), I 2=I 3=...=I n= I RP (2.50) e I T1 I T (2.51)
Como I TOT =I 1 I T1 I TOT I 1 =I T1 (2.52a), e I TOT =I RP I T I TOT I RP =I T
(2.52b), tem-se I T = I T1 I T = I TOT I 1 I TOT I RP I T = I RP I 1 (2.52).

A tenso sobre T1 ser: E 1=R PI 1 (2.53), e como
I T 0 I 1I RP E 1I RPR P E 1E n como afirmado por hiptese.
A tenso de pico total da associao E MAX = E1 n1 I RPR P . Logo
E MAX = E1 n1 I 1 I T R P =E 1n1 RPI 1n1 RP I T e como R PI 1=E 1
(2.53), E MAX =nE 1n1 R P I T (2.54). Isolando a tenso sobre T1:
E MAX n1 R P I T
E 1= (2.55)
n
Onde:
EMAX: tenso mxima de pico repetitiva sobre a associao srie;
E1: mxima tenso por clula;
IT: mxima variao entre correntes residuais
Note que I T 0 , como definido na deduo acima. Se for usado o mdulo de I T ,

E n1 RP I T
a equao (2.55) fica: E 1= MAX (2.55a)
n
nE 1E MAX
Isolando o valor do resistor de equalizao esttica em (2.55a): R P (2.56)
n1 I T
Equalizao dinmica, conseguida pelos amortecedores RSCS em paralelo com cada

componente. O capacitor CS compensa a diferena entre cargas acumuladas em cada componente. O
resistor RS limita a corrente de descarga de CS quando da ligao do componente. Supondo o pior
caso, em que o SCR T1 apresenta a menor carga acumulada Q1, e portanto desligaria primeiro, sendo
submetido a sobretenso:
QQ1 Q
V =RS I = = (2.57)
CS CS
E como Q=Q2=Q3=...=QnQ1 (2.58),
ento V T1 =
1
n [
E Mb
n1 Q
CS ] (2.59), logo
n1 Q MAX
CS (2.60)
nE 1E Mb
Onde:
E1: mxima tenso por clula;
EMb: mxima tenso de pico reversa esperada no bloqueio da associao srie;
QMAX: variao mxima da carga acumulada Qrr na juno do componente.
CS
O valor de RS tambm pode ser aproximadamente calculado por RS 1,25 a 1,5
L
(2.61), aonde L a indutncia srie total do circuito.
2
E a potncia dissipada em RS calculada por P RS =E 1 c S f (2.62), aonde f a frequncia
da rede sobre a associao.

3 RETIFICADORES POLIFSICOS
Retificadores so conversores que transformam corrente alternada (CA) em corrente

contnua (CC), sendo que o fluxo de energia pode ser no sentido CA-CC (operao como
retificador) ou no sentido CC-CA (operao como inversor). Os retificadores estudados neste curso
so chamados conversores comutados pela rede CA, ou seja, usam chaves eletrnicas (diodos e
SCRs) que so desligadas pela imposio de tenso CA reversa sobre elas 17. Inicialmente sero
tratados circuitos no controlados (a diodos), seguindo-se os circuitos controlados (a SCRs).
Os circuitos retificadores polifsicos de interesse industrial possuem elevado grau de
simetria, sendo alimentados no lado CA com m geradores monofsicos caracterizados por:
Tenses senoidais de mesmo valor eficaz U (de fase);
Mesma frequncia f ;
2
Defasagem entre duas fases sucessivas de radianos;
m
Mesma impedncia interna.
Do ponto de vista de funcionamento, os circuitos dos retificadores polifsicos podem ser

divididos em:
Circuitos de um caminho (tambm conhecidos como mid-point connection);
Circuitos de dois caminhos (tambm conhecidos como bridge connection).
3.1 Circuitos retificadores de um caminho
Os circuitos retificadores de um caminho tm como caractersticas:

Todos os geradores (ou enrolamentos de transformadores) devem ter um terminal comum
entre si ligao em estrela com neutro acessvel;
Cada gerador (ou enrolamentos de transformador polifsico) contm uma vlvula 18 em srie,
sendo portanto percorrida por uma corrente unidirecional;
O lado CC (ou carga CC) ligado entre o polo neutro (ligao em comum dos geradores) e o
ctodo das vlvulas em srie, formando um polo comum positivo (figura 3.1).
Fig. 3.1: Retificador trifsico (m=3) de um caminho, no controlado, com carga RL.
17 Existem retificadores que no so comutados pela rede CA, pois usam transistores em vez de diodos ou SCRs, mas
no esto no escopo deste curso.
18 Vlvula a designao industrial comum para dispositivos como diodos e SCRs, e de suas associaes srie ou
paralelo.

As formas de onda de tenso na carga RL, tenso em uma vlvula (uD1) e correntes nos
geradores so ilustradas na figura 3.2.
ud
Udo
t
2/3
id
iD3 iD1 iD2 iD3 t
2
t
Us1-Us3
Us1-Us2
Ul12 Ul13
uD1
Fig. 3.2: Formas de onda de tenso na carga RL (ud), tenso em uma vlvula (uD1) e correntes nos geradores (iD1, iD2,iD3)
do circuito retificador trifsico de um caminho19.
Para o circuito da figura 3.1 e as correspondentes formas de onda da figura 3.,2, algumas
informaes importantes podem ser comentadas:
A tenso na carga CC formada por cabeas de senide das fases que conduzem
sequencialmente, sendo que cada cabea de senide chamada convencionalmente de
pulso da tenso retificada. Neste caso, em um perodo de 2 radianos h trs cabeas de
senide, ou seja, trs pulsos por ciclo da rede CA (p=3);
A tenso ud aplicada na carga CC uma tenso instantnea de fase com valor de pico 2U,
pois somente um gerador, ligado em estrela, conduz por vez;
A tenso reversa mxima em uma vlvula (uD1 na figura 3.2) o valor de pico da tenso de
linha CA ( U D1 max = 2 3U (3.1) no caso m=3). Isto pode ser verificado por inspeo na
figura 3.1. Note que este valor superior ao valor de pico da tenso CC retificada;
Como a carga do tipo RL com L muito grande, a ondulao i d de corrente de carga id
desprezvel, e usualmente se define o valor mdio da corrente de carga como
I d mdio=i d =I . Como i d 0 , I d eficaz=I (o valor eficaz da corrente de carga
numericamente igual a I);
2
Cada vlvula conduz por um perodo radianos. Com isso, a corrente mdia em cada
m
I
vlvula # (# varia de 1 a m) I D # mdio =i D # = (3.2), e a corrente eficaz
m
I
I D # eficaz = (3.3). A figura 3.3 indica as condues dos diodos no caso m=3;
m
19 O ndice d da tenso CC e da corrente CC uma abreviatura de direct, e o ndice D1, D2, D3 corresponde s
respectivas correntes de cada diodo.

U s1 iD1 U s1 iD1 U s1 iD1
D1 D1 D1
Us2 i D2 Us2 i D2 Us2 i D2
D2 D2 D2
Us3 i D3 Us3 i D3 Us3 i D3
D3 D3 D3
id id id
L R L R L R

Ud Ud Ud
Us1 Us2 Us3 Us1 Us2 Us3 Us1 Us2 Us3

t t t
iD1 t iD2 t iD3 iD3 t
Fig. 3.3: Conduo dos diodos e tenso CC na carga para retificador trifsico de um caminho (processo de comutao).
A comutao, ou transferncia de corrente entre fases, instantnea, e ocorre quando uma

tenso de fase fica maior que a tenso da fase anterior (figura 3.3);
A tenso mdia de carga Ud0 20pode ser calculada genericamente para um circuito m-fsico
de um caminho:

m m
m m m 2U m
2 U cos d = 2 [ sin ]m = 2 U sin m (3.4)21

U d0=
2
u d d = 2
m

m m
O resultado da equao (3.4) pode ser expresso na tabela 3.1.
Tabela 3.1: variao da relao Ud0/U em funo do nmero de fases m.

m Ud0/U
2 0,9
3 1,17
6 1,35
12 1,398
2
Conforme discutido anteriormente, o nmero m de fases corresponde ao nmero p de pulsos
20 O ndice 0 (zero) de Ud0 indica em vazio, ou seja, sem corrente de carga, apesar de circular corrente no circuito da
figura 3.1. Posteriormente ser explicado o uso deste ndice. Muitos autores usam a letra E ao invs de Ud, e a tenso
mdia de carga (em vazio) designada E0.
21 A escolha da funo cosseno para o clculo do valor mdio no arbitrria. Neste caso como o valor de pico do
cosseno tem valor conhecido (2U), e a largura do pulso (2/m) conhecida, o clculo da integral facilitado.

na tenso retificada CC. medida que aumenta o nmero de geradores, a tenso mdia retificada
Ud0 cresce em relao ao valor eficaz de fase da tenso CA, e no limite ( m ) atinge o valor
de pico da tenso CA de fase, com ondulao de tenso CC nula.
O valor mdio da corrente de carga id pode ser deduzido neste caso particular aonde a
ondulao da corrente de carga i d 0 devido a L :
2 2 2
1 1 1
P carga =
2 0
v carga i carga d =
2 0
v carga I d =I v d =I v carga =IU d0
2 0 carga
Mas Pcarga tambm pode ser calculado por:
2 2
P carga =
1

2 0
v carga ()i carga () d = (
1
2 0

di
Ri carga ()+ L carga
d )
()
i carga ()d
d i carga
E como o valor de L muito grande, 0 , logo
d
2
1
P carga =
2 0
Ri 2carga =RI 2carga eficaz =RI 2
2 U d0
Com isso IU d0 =RI i d =I = (3.5)
R
Se a ondulao de corrente i d no for desprezvel a equao (3.5) no ser vlida, pois a
tenso mdia da carga Ud0 no ser numericamente igual ao valor eficaz da tenso em R. Note-se
tambm que nesta anlise se consideram ideais as vlvulas (diodos) do retificador.
3.1.1 Exemplo: Retificador trifsico de um caminho no controlado (3F1C ou M3U22)

il1=Ip1ip3
D1
Up3
ip1 ID1
UD1
Ud
ip3 Up1 Us1
Ip2 L R
Up2 Us3
Id D2 ID2
Us2
D3 iD3
Fig. 3.4: Retificador trifsico de um caminho com transformador em ligao delta-estrela.
A figura 3.4 mostra o retificador 3F1C conectado a um transformador em ligao delta-

estrela, com a estrela obrigatoriamente ligada ao retificador devido necessidade do ponto de
conexo comum entre geradores (fases do secundrio). A carga RL tem L com valor muito elevado
e os diodos e transformador so considerados ideais. As tenses no secundrio so:
u S1 ()= 2 U cos (3.6)
2
u S2 ()= 2 U cos ( ) (3.7)
3
2
u S3 ()= 2 U cos (+ ) (3.8)
3
22 3F1C uma abreviatura para Trifsico de um caminho. A abreviatura padro IEC (International Electrotechnical
Comission) M3U, de Midpoint connection, 3 pulses, Uncontrolled (Norma IEC 60146, Semiconductor
Converters).

Aonde U a tenso eficaz de fase nos enrolamentos secundrios. importante notar que as tenses
no primrio uP1, uP2 e uP3 esto em fase com as respectivas tenses de secundrio, pois
construtivamente o transformador trifsico possui trs pernas, e em cada perna esto o enrolamento
primrio e secundrio de cada fase. Neste exemplo, por simplificao, o nmero de espiras do
enrolamento primrio o mesmo do secundrio (logo, a tenso de linha do primrio igual tenso
de fase do secundrio). Desta forma, a corrente iD1 que sai da marca de polaridade do secundrio
idntica em amplitude e em fase com a corrente iP1, que entra na marca de polaridade do primrio.
Este exemplo mostra o clculo de vrias grandezas eltricas do circuito, que permite o
dimensionamento eltrico de seus componentes (diodos e transformador).
m 3
Tenso mdia na carga: de (3.4), U d0=E o= 2 U sin = 2 U sin =1,17 U ;
m 3
U d0 1,17 U
Corrente mdia na carga: de (3.5), i d =I = = ;
R R
I I
Correntes mdia e eficaz em um diodo: de (3.2) e (3.3), I D mdio = , I D eficaz = ;
3 3
Tenso reversa mxima em um diodo: de (3.1) e pela figura 3.1, U D max= 2 3 U ;
Note-se que com a determinao dos valores de Idmdio, IDeficaz e Udmax os diodos esto
dimensionados em seus valores nominais23;
Potncia construtiva do transformador: Por conveno a potncia construtiva do
transformador a mdia aritmtica das potncias do primrio e do secundrio:
S S 2
S N= 1 (3.9), A potncia do primrio (secundrio) a soma das potncias
2
construtivas dos trs enrolamentos, ou seja, a soma dos produtos da corrente eficaz e tenso
eficaz de cada enrolamento do primrio (secundrio). Logo,
I
S N =S 1=S 2=3 U = 3U I (3.10). importante ressaltar que a potncia (construtiva)
3
do transformador dada em volt-ampres [VA], no em watts [W];
Note-se que com a especificao da potncia construtiva do transformador (na realidade os
valores eficazes de tenses e correntes no primrio e no secundrio) o transformador est
especificado em seu valor nominal24;
A razo entre a potncia construtiva SN e a potncia ativa na carga Pcarga :
P carga [ W ] u d i d 1.17U I P carga [W ]
= = =0,675 . Esta razo exatamente a
S N [VA] 3U I 3U I S N [VA]
definio de fator de potncia (1.55), e mostra que a rede eltrica enxerga o conjunto
transformador-retificador-carga com um fator de potncia menor que a unidade. De outro
S N [VA]
ponto de vista, invertendo-se a razo, tem-se =1,48 , que mostra que para uma
P carga [W ]
carga em CC que consome X [W] deve-se especificar um transformador com potncia
construtiva 1,48X [VA];
A figura 3.3 mostra que as correntes das vlvulas tm valor mdio no nulo (3.2) que
aparece no enrolamento secundrio, magnetizando o transformador assimetricamente,
conforme discusso do item 1.2B (pgina 6 destas Notas de Aula). Se o transformador fosse
23 Na prtica os diodos so especificados para compra com valores entre 50% a 100% acima dos valores nominais,
dependendo de vrios fatores, como filosofia mais ou menos conservativa de projeto e custo relativo do diodo,
comparando-se o preo do diodo nos valores nominais de corrente e tenso com preo nos valores
superdimensionados.
24 Para transformadores no usual se adotar um superdimensionamento como nas vlvulas, uma vez que
transformadores so mais robustos que vlvulas na presena de sobrecorrentes momentneas.

ideal as correntes do primrio apresentariam valor mdio no nulo, mas no caso real a
corrente do primrio fortemente distorcida para que seu valor mdio seja nulo em regime.
Uma forma de se contornar este problema se adotando a conexo dos enrolamentos
secundrios chamada zig-zag, que ser abordada mais adiante;
Devido ao relativo baixo fator de potncia e corrente mdia no nula no secundrio do
transformador, o uso prtico de retificadores trifsicos de um caminho limitado.
3.2 Circuitos retificadores de dois caminhos
Os circuitos retificadores de dois caminhos tm como caractersticas:

No obrigatrio haver um ponto de ligao em comum entre geradores;
A corrente circula sempre entre duas fases, da fase com potencial instantneo mais alto para
a fase com potencial instantneo mais baixo, ambos em relao a neutro real ou virtual;
Em cada fase a corrente circula nos dois sentidos e o valor mdio da corrente de fase nulo;
A tenso aplicada na carga corresponde instantaneamente a uma tenso de linha. Logo, a
tenso CC de carga em um retificador de dois caminhos maior que a de um retificador de
um caminho, ambos alimentados com a mesma tenso de fase CA;
Fig. 3.5: Retificador m-fsico de dois caminhos. Os m geradores, no desenhados aqui, pode estar ligados entre si em
delta ou em estrela.
Da figura 3.5, cada par de vlvulas que est ligado a uma fase (fases numeradas de 1 a m)
chamado de brao do retificador. Logo, o retificador da figura 3.5 possui m braos.
Como a tenso aplicada carga uma tenso instantnea de linha, o nmero de pulsos de
tenso p na carga CC em um ciclo da rede poder ou no ser igual ao nmero de fases m. Sero
abordados dois casos, com exemplos para ilustrao:
p=m, m par;
p=2m.
3.2.1 Exemplo: p=m, m=4
Neste exemplo o sistema quadrifsico (m=4) possui as fases 1-3 e 2-4 em oposio de 180,
conforme o diagrama fasorial da figura 3.6. Desta forma, conforme a figura 3.7, a tenso retificada
ud tem nmero de pulsos p igual ao nmero de fases m (p=m), e composta instantaneamente pela
tenso de linha, pois a cada instante h duas fases conduzindo corrente, a fase com maior tenso
instantnea fechando pela vlvula superior do brao ligado a esta fase, e a fase com a menor tenso
instantnea fechando pela vlvula inferior do brao ligado a ela. Sendo a tenso eficaz de fase U, a
tenso de pico de fase 2 U , e a tenso de pico retificada U d max =2 2 U , ou seja, o dobro
da tenso de pico de fase, justamente pela defasagem de 180 entre fases opostas.

Fig. 3.6: Retificador quadrifsico de dois caminhos e diagrama fasorial do sistema de quatro fases.
Fig. 3.7: Tenso retificada ud em um retificador quadrifsico de dois caminhos (m=4), formada a partir das tenses de
fase 1 a 4.
3.2.2 Exemplo: p=2m, m=3
Fig. 3.8: Retificador trifsico de dois caminhos e diagrama fasorial do sistema de trs fases.
Neste exemplo com o sistema trifsico (m=3), o nmero de pulsos p o dobro do nmero de
fases m. No h mais fases em 180 de oposio, logo a tenso de pico de linha no atinge o dobro
da tenso de pico de fase.

Fig. 3.9: Tenso retificada ud em um retificador trifsico de dois caminhos (m=3), formada a partir das tenses de fase 1
a 3.
Neste exemplo, a figura 3.9 mostra o sistema trifsico (m=3) com as fases 1, 2 e 3 defasadas
de 120 entre si, conforme o diagrama fasorial da figura 3.8. Desta forma, a tenso retificada ud tem
como nmero de pulsos p o dobro do nmero de fases m (p=2m), e composta instantaneamente
pela tenso de linha, pois a cada instante h duas fases conduzindo corrente, a fase com maior
tenso instantnea fechando pela vlvula superior do brao ligado a esta fase, e a fase com a menor
tenso instantnea fechando pela vlvula inferior do brao ligado a ela. Sendo a tenso eficaz de
fase U, a tenso de pico de fase 2 U , e a tenso de pico retificada U d max = 3 2U , ou
seja, neste caso no mais o dobro da tenso de pico de fase, justamente pela defasagem de 120
entre fases subsequentes.
3.2.3 Clculo do valor mdio da tenso retificada
O valor mdio da tenso retificada do lado CC do retificador (Ud0) pode ser calculado por:

p
p p
U d 0=
2
U max _ linha cos d =U max _ linhasin p (3.11)

p
Sendo que (3.11) vlida nos casos p=m (m par) e p=2m25. A figura 3.10 ilustra a
integrao em um pulso cossenoidal de largura 2 / p e valor de pico Umax_linha.
Fig. 3.10: Obteno do valor mdio Ud0 da tenso retificada ud em um retificador de dois caminhos26.
25 Em ambos os casos o que muda o valor da tenso de pico de linha Umax_linha e o nmero de pulsos p em um ciclo
da rede.
26 Para o clculo do valor mdio em um retificador de um caminho a forma de onda da tenso retificada idntica da
figura 3.10, exceto que o valor de pico da tenso seria de fase, no de linha e o nmero de pulsos p em um ciclo de
rede sempre igual ao nmero de fases m.

O valor da tenso mxima de linha pode ser calculado nos casos de m par e m mpar:
U max _ linha =2 2 U cos

2m
(3.12), para m mpar
U max _ linha =2 2 U (3.13), para m par.

Lembrando que U a tenso eficaz de fase.
3.2.4 Valor mximo da tenso de linha para m par ou mpar
Fig. 3.11: Tenso eficaz de linha para m par ou m mpar.
A figura 3.11 mostra fasorialmente a tenso eficaz de linha formada a partir das tenses
eficazes de fase, para os casos de nmero de fases m par e mpar. A tenso eficaz de fase tem valor
U em ambos os diagramas fasoriais.
3.2.5 Exemplo: Retificador trifsico de dois caminhos no controlado (3F2C ou B6U27)
O circuito do retificador trifsico de dois caminhos (figura 3.12) tambm chamado de

Ponte Trifsica, Circuito de Graetz ou Retificador de Seis Pulsos. o retificador com mais
amplo uso industrial, devido ao melhor aproveitamento das vlvulas e do transformador, comparado
com os retificadores de um caminho.
Fig. 3.12: Retificador trifsico de dois caminhos (Ponte Trifsica) com secundrio do transformador em ligao estrela.
27 3F2C uma abreviatura para Trifsico de dois caminhos. A abreviatura padro IEC (International Electrotechnical
Comission) B6U, de Bridge, 6 pulses, Uncontrolled, por se tratar de retificador com diodos.

As tenses de fase u S1 ,u S2 , u S3 defasadas entre si de 120 so descritas por
(3.6), (3.7) e (3.8), com valor eficaz de fase U.
Na figura 3.12 pode-se notar a numerao aparentemente arbitrria nas vlvulas (D1, D3, D5
nas vlvulas superiores e D4, D6, D2 nas inferiores, em vez de uma sequncia do tipo D1, D2, D3,
D4, D5, D6 no sentido horrio ou anti-horrio). No entanto, manter esta numerao importante
pois ela indica a sequncia de conduo das vlvulas, conforme a figura 3.13.
2/3
Ud0A
Us1 Us2 Us3
UAN t
UBN
Ud0B
iD iD5 iD1 iD3 iD5 t
iD iD6 iD2 iD4 iD6

2
Ud0=2Ud0A
ud D5-D6 D6-D1 D1-D2 D2-D3 D3-D4 D4-D5 D5-D6
Us1 Us2 Us3
Fig. 3.13: Tenses e correntes no retificador em ponte trifsica.
Como no exemplo 3.1.1, este exemplo mostra o clculo de vrias grandezas eltricas do
circuito, que permite o dimensionamento eltrico de seus componentes (diodos e transformador).
Tenso mdia na carga: de (3.11) e (3.12),
p

U d0=E o=U max_ linha sin =2 2 U cos
p
p
2m
sin =2 2U cos
p
6
sin =
23 6
3 6

U
Este valor mais conhecido na frmula U d0=1,35U L aonde UL a tenso eficaz de

linha, ou tambm como U d0=2,34U ;
Corrente mdia na carga:
U d0 2,34 U
De (3.5) i d =I = = ;
R R

Correntes mdia e eficaz em um diodo:
I I
De (3.2) e (3.3)28, I D mdio = , I D eficaz = ;
3 3
Tenso reversa mxima em um diodo:
De (3.1) e pela figura 3.1, U D max= 2 3 U ;
Note-se que com a determinao dos valores de Idmdio, IDeficaz e Udmax os diodos esto
dimensionados em seus valores nominais29;
Corrente de linha:
Instantaneamente, i 1 =i D1 i D4 (3.14), por inspeo na figura 3.12. Mas como
seus valores eficazes so iguais ( I D1 eficaz= I D4 eficaz ), calculando-se a corrente eficaz de
2
linha I 1 eficaz , tem-se I 1eficaz = I 2D1 eficaz I D4 eficaz I 1 eficaz= I (3.15).
3
Outra forma de se obter a corrente eficaz de linha (3.15), usando a definio de valor eficaz:
] [ ]
2
I 1 eficaz =
1

2 0
2
i 1 d =
1
2 [ 2 2
I I
3
2 2
3
=
1
2
I
2 4
3
2
= I (3.16)
3
Potncia construtiva do transformador:
S 1S 2
Por (3.8), S N = . A potncia do primrio (secundrio) a soma das potncias
2
construtivas dos trs enrolamentos, ou seja, a soma dos produtos da corrente eficaz e tenso
eficaz de cada enrolamento do primrio (secundrio). Logo,

2
S N =S 1=S 2=3I U = 6U I (3.17) (em [VA], nunca em watts [W]!!);
3
Note-se que com a especificao da potncia construtiva do transformador (na realidade os
valores eficazes de tenses e correntes no primrio e no secundrio) o transformador est
especificado em seu valor nominal;
A razo entre a potncia construtiva SN e a potncia ativa na carga Pcarga :
P carga [ W ] u d i d 3 6U I 3 P carga [W ]
= = = =0,955 . Esta razo exatamente a
S N [VA] 6U I 6U I S N [VA]
definio de fator de potncia (1.55), e mostra que a rede eltrica enxerga o conjunto
transformador-retificador-carga com um fator de potncia menor mas quase igual unidade.
S N [VA]
De outro ponto de vista, invertendo-se a razo, tem-se =1,05 , que mostra que
P carga [W ]
para uma carga em CC que consome X [W] deve-se especificar um transformador com
potncia construtiva 1,05X [VA]. Este resultado bem mais favorvel que o retificador
S N [ VA]
trifsico de um caminho, que tinha uma relao =1,48 ;
P carga [W ]
A figura 3.3 mostra que as correntes das vlvulas tm valor mdio no nulo (3.2), mas nos
enrolamentos secundrios a correntes tm valor mdio nulo, ao contrrio do retificador
trifsico de um caminho. Desta forma no h corrente assimtrica nos enrolamentos do
transformador;
28 Isto pode ser verificado por inspeo na figura 3.13. Note que o resultado idntico ao do retificador trifsico de um
caminho.
29 Note-se que os valores obtidos de Idmdio, IDeficaz e Udmax so idnticos aos do retificador trifsico de um caminho. A
diferena a presena de seis vlvulas na ponte trifsica, e a maior tenso mdia retificada Ud0 na ponte, com maior
potncia no lado CC para a ponte trifsica comparado com o retificador trifsico de um caminho.

3.2.6 Exerccios Propostos30:
1) Desenhar as correntes de linha i1, i2 e i3 da ponte trifsica (figura 3.12) e verificar a validade da
frmula (3.14);
2) Para a ponte trifsica (figura 3.12), desenhe sobre a forma de onda da corrente de linha i1 a tenso
de fase uS1 . Qual a defasagem entre ambas?
3) No clculo da potncia construtiva do transformador da ponte trifsica (B6), qual a ligao do
primrio, delta ou estrela? Isto importante para a potncia construtiva? Isto importante para a
forma de onda da corrente de linha no primrio (veja a pergunta 5)?
4) Comparar o circuito 3F2C no controlado (B6U) com o retificador 6F1C (hexafsico de um
caminho) no controlado (M6U) quanto potncia do transformador, tenses, correntes nos diodos;
5) Comparar o circuito 3F2C no controlado (B6U) com o retificador 6F1C (hexafsico de um
caminho) no controlado (M6U) da figura 3.14(a) quanto potncia do transformador, tenses e
correntes nos diodos (a figura 3.14(b) mostra a disposio dos enrolamentos no ncleo do
transformador);
(a) (b)
Fig. 3.14: Retificador hexafsico no controlado de um caminho (M6U) alimentando carga RL, e disposio dos
enrolamentos no ncleo.
6) Comparar o circuito 3F2C no controlado (B6U) com a associao srie de trs circuitos 1F2C
no controlados (B2U) para as mesmas condies de tenso e corrente na carga;
7) Analisar um circuito de 12 pulsos resultante da associao em srie de dois circuitos 3F2C
alimentados respectivamente por dois sistemas trifsicos defasados de 30 (a defasagem realizada
com dois transformadores, um em Y e o outro em YY). Analisar aqui significa desenhar o circuito
e desenhar as formas de onda de tenso CC e de correntes de linha nos secundrios e primrios, bem
como calcular a potncia construtiva dos transformadores e comparar com a potncia CC da carga.
8) Um modo de se eliminar a componente contnua dos enrolamentos de um transformador ligado a
um retificador do tipo 3F1C o uso da ligao zig-zag31, conforme a figura 3.15(a). A figura 3.15(b)
30 Desculpem, sem gabarito de resposta nesta verso de apostila...

31 Outra referncia para o transformador zig-zag est na referncia: B.M. Bird, K.G.King, D.A.G. Pedder: An
Introduction to Power Electronics, John Wiley and Sons, 1993 (2 nd edition), disponvel para consulta na Biblioteca da
Eng. Eltrica da EPUSP.

mostra a disposio dos enrolamentos no ncleo do transformador. Comparar as correntes de linha
do secundrio do retificador 3F1C com e sem esta ligao de transformador;
(b)
(a)
Fig. 3.15: Retificador no controlado de um caminho com transformador zig-zag, alimentando carga RL, e disposio
dos enrolamentos no ncleo.
3.3 Determinao do indutor de filtro
A anlise dos circuitos retificadores at este ponto considera que o indutor de filtro L da
carga CC tem valor muito elevado, o que no realizvel na prtica 32. Prope-se aqui apresentar um
mtodo simplificado de clculo do valor do indutor de filtro da carga CC, levando-se em conta as
caractersticas tpicas da tenso CC de retificadores bem como algumas hipteses simplificadoras.
Fig. 3.16: Retificador no controlado genrico alimentando carga RL.
Hipteses:
Ondulao de corrente contnua I (valor pico a pico) bem menor que o valor mdio de
corrente contnua I33;
Tenso no resistor R da carga praticamente constante e igual tenso mdia retificada Ud034.
32 Na prtica, um indutor pode ser considerado de valor muito elevado se, por exemplo, sua constante de tempo R/L
(carga RL) muito maior que o perodo da rede CA, e com isso a derivada da corrente de carga muito menor que a
derivada da tenso CA a qualquer instante. Mas mesmo com esta considerao importante se ter um mtodo de
projeto do valor do indutor, para fins de memorial de clculo.
33 Como regra prtica, o valor pico a pico de I deve ser 10% ou menos que o valor (mdio) de I.
34 Esta hiptese considera que a ondulao de tenso no resistor de carga VR=IR bem menor que a ondulao da
tenso vret da sada do retificador. Com isso praticamente toda a ondulao de tenso fica aplicada no indutor de
filtro L.

As formas de onda da tenso na sada do retificador ud=vret e da corrente contnua pela carga
id esto na figura 3.17.
Fig. 3.17: Tenso retificada ud=vret e corrente retificada id=II do circuito da figura 3.16. Grandezas fora de escala
(note que por hiptese o valor mdio I deveria ser bem maior que I).
A tenso no indutor L dada por:

di di di
v L =L = L =X L (3.18)
dt d t d
Obtm-se a expresso da ondulao de corrente I aplicando-se a hiptese de que toda a
ondulao (parcela com valor mdio nulo) da tenso retificada ud recai totalmente sobre o indutor L
(despreza-se a parcela de ondulao de tenso sobre o resistor R), sabendo-se que o pulso de tenso
retificada tem valor de pico Umax e uma funo cossenoidal. A corrente no indutor L excursiona a
amplitude I no intervalo entre -1 a +1:

1 1
1
di=
XL L
v d I= ( U max cosU d0 ) d (3.19)
X L 1
Resolvendo-se a integral da expresso (3.17), obtm-se a indutncia de filtro L:

2
L= U sin 1U d0 1 (3.20)
I max
Onde a frequncia angular da rede CA (em rad/s) e 1, expresso em radianos, o ngulo
em que a tenso instantnea retificada ud cruza o valor mdio retificado Ud0, conforme a figura 3.17.
3.3.1.Exemplos de clculo de valores de indutncias de filtro para retificadores M3U e B6U
A) Retificador trifsico de um caminho (3F1C ou M3U)

O valor do ngulo 1 obtido por inspeo da tenso retificada da figura 3.17:

3 3
2U
U
1=cos1 d0 =cos1
U max
2
2 U
=cos1
3 3
2
=0,597 radianos
sendo U a tenso eficaz de fase.

Aplicando-se (3.18) obtm-se a expresso do valor da indutncia de filtro L:
( 2 U sin 0,597 2 U 0,597) L=
2 3 3 0,192 U
L= (3.21)
I 2 I
Para U em volts, em rad/s e I em ampres, L expresso em henries (H).
B) Retificador trifsico de dois caminhos (3F2C ou B6U)

O valor do ngulo 1 obtido por inspeo da tenso retificada da figura 3.17:
1=cos
Ud0
1
U max
=cos
1
sendo U a tenso eficaz de fase.

( 3 3
2 U
32 U )
=cos
1
( 3 )=0,301 rad
Aplicando-se (3.18) obtm-se a expresso do valor da indutncia de filtro L:
2 3 3 0,045U
L= ( 3 2 U sin 0,301 2 U 0,301) L= (3.22)
I I
Para U em volts, em rad/s e I em ampres, L expresso em henries (H).
Note-se que o indutor de filtro L para a ponte trifsica (B6U) tem um valor de cerca de 25%
do indutor para o retificador trifsico de um caminho (M3U), na mesma frequncia angular da rede
e mesma tenso eficaz de fase U. Isto se deve basicamente ao aumento do nmero de pulsos em
um ciclo de rede para o circuito de dois caminhos, ou seja, a frequncia da ondulao da tenso
retificada ud maior para circuitos retificadores de dois caminhos comparado a circuitos de um
caminho. Logo, o indutor L mais efetivo nesta situao de maior frequncia, usando um valor
menor de indutncia para se ter a mesma ondulao de corrente.
3.3.2. Dimensionamento construtivo de indutores de filtro
No item anterior apresentou-se um mtodo de clculo do valor do indutor de filtro do lado

CC de um retificador. Apresenta-se neste item uma recordao de conceitos de circuitos magnticos
aplicados ao clculo de indutores para eletrnica de potncia.
Basicamente indutores de potncia podem ser divididos em:
Indutores com ncleo de ar: Indutores com ncleo de ar tm a aparente vantagem de no
sofrerem efeitos de saturao magntica do ncleo com o aumento da corrente, mas suas
desvantagens so o volume relativamente maior e a possibilidade do fluxo disperso se
concatenar com algum material ferromagntico presente na estrutura do conversor, gerando
aquecimento induzido indesejvel35;
Indutores com ncleo ferromagntico e entreferro no circuito magntico: Indutores com
ncleo ferromagntico necessitam da presena do entreferro para evitar saturao, regulagem
fina do valor da indutncia desejado, bem como deixar este valor de indutncia mais
invarivel com a corrente. Estes indutores so os mais usados em conversores de eletrnica
de potncia.
Assim como capacitores de potncia so especificados com sua capacitncia nominal C e
sua tenso de trabalho Unominal, indutores de potncia so especificados com sua indutncia nominal
L e sua corrente nominal de operao Inominal.
35 O clculo de indutores com ncleo de ar baseado em frmulas empricas que basicamente levam em conta o
encurtamento de uma bobina de comprimento infinito, bem como vrias camadas de espiras, p.ex. Tais frmulas
podem ser encontradas, por exemplo, nas apostilas do Laboratrio de Eletricidade e no sero abordadas aqui.

3.3.2.1. Indutores de filtro com ncleo ferromagntico e entreferro diretrizes de projeto
O clculo simplificado de indutores com ncleo ferromagntico e entreferro tem como

hiptese simplificadora a concentrao de energia magntica no entreferro, supondo-se a
permeabilidade do material ferromagntico muito maior que a do entreferro, ou seja,
FE AR= 0 (3.23).
lar
lFe
N b
a
I
Fig. 3.18: Desenho esquemtico de um indutor com ncleo ferromagntico, com N espiras, corrente nominal I, seo do
ncleo S=a*b, comprimento do circuito ferromagntico lfe, e espessura do entreferro lar.
O equacionamento da fora magnetomotriz do circuito magntico do indutor da figura 3.18

resulta em:
B S B S fe
N I =H fe l fe + H ar l ar = fefe fe l fe + arar ar l ar= l fe + ar l ar (3.24)36
S fe S ar fe S fe ar S ar
Como fe = ar Bar =B fe =B max (3.25) e se supe que S fe =S ar =ab=S (3.26)37,
obtm-se o nmero de espiras N:
B

l l
N = max fe ar (3.27)
I max fe 0
A energia magntica acumulada no indutor dada por:
1 1 1
E L= L I 2= 2 R total= 2 R fe Rar E L = B 2 S 2
2 2 2
1
2
l fe l
0
fe S 0 S
(3.28)
onde Rfe e Rar so as relutncias do ferro e do entreferro.

De (3.27) e (3.28) resultam os valores de N e lar,
N=

1 B l fe B l ar
I fe

ar =
LI
BS
N=
LI
BS
(3.29)
Supondo-se que FE AR= 0 (3.23),

l ar l fe L I 2 LI2
= l ar 2 0 (3.30)
ar fe B2 S B S
Outra forma de se calcular os valores de N e de L pode ser:
l l B
N I =R N I ar B S N ar (3.31), pois R fe R ar
0 S 0 I
36 A permeabilidade do entreferro ar = 0 = 410-7H/m.

37 Em (3.23) poder-se-ia usar a hiptese de que S ar=(a+l ar )(b+l ar ) para se levar em conta a disperso do
fluxo magntico no entreferro. Esta hiptese no ser aplicada aqui.

N 0 I
A equao (3.31) pode ser reescrita como l ar (3.32)
B
N2 0 S N 2
Pela definio de indutncia prpria L= (3.33), tem-se L (3.34)
R l ar
Nos desenvolvimentos acima os valores do fluxo B e da corrente I so de pico. Para ncleo
de ferrossilcio (Fe-Si) de gro orientado o valor mximo do fluxo pode chegar a Bmax=1,5Wb/m2 e
para ferrossilcio de gro no orientado, Bmax=1,1 Wb/m2.38 As perdas no ferro a 60Hz so da ordem
de Pfe1,7 W/kg para Fe-Si de gro no orientado e Pfe0,9 W/kg para Fe-Si de gro orientado. A
densidade de corrente J do fio deve estar entre J=3A/mm2 e J=10Amcm2, dependendo da
capacidade de retirada do calor gerado no enrolamento.
O ncleo deve ser escolhido para que o enrolamento, feito em um carretel, preencha
completamente a janela (rea dentro do indutor, conforme figura 3.18), e o valor do entreferro lar
no deve ser muito grande para minimizar o fluxo de espalhamento.
3.3.2.2. Exemplo de clculo de indutor
Neste exemplo deseja-se um indutor de L=15mH e Inominal=20A. Como o indutor vai operar
em CC, e supondo-se que a ondulao de corrente I seja suficientemente pequena, a corrente
nominal corresponder praticamente ao valor de pico. Inicialmente se escolhe um ncleo
arbitrariamente e se verifica preliminarmente se com este ncleo se consegue o valor desejado de
indutncia, do contrrio se busca outro ncleo para o indutor. Esta escolha de ncleo envolve certa
experincia do projetista e disponibilidade de ncleos.
O ncleo adotado foi o modelo CS-400 da Tessin (figura 3.19). Este ncleo foi usado para
os clculos iniciais e se mostrou adequado aplicao, como ser visto neste exemplo.
Fig. 3.19: Esboo do ncleo Tessin CS-400, com dimenses. Desenho fora de escala.
Da figura 3.19 tem-se as dimenses do ncleo. Note-se que a rea magntica efetiva
afetada pelo fator de empacotamento (fe=0,96) devido distncia no nula entre as lminas de Fe-
Si. Esse tipo de ncleo construdo com ferro silcio de gro orientado e chamado de ncleo C.
Para facilitar o enrolamento, foram usados dois fios de cobre em paralelo. O fio adotado foi
o 12 AWG (American Wire Gauge). De tabelas de fios magnticos (fios de cobre esmaltados
usados em enrolamentos eltricos), seu dimetro de D=2,11mm, sua corrente nominal de
In=9,90A (eficazes)39 e pela sua seo, ocupa cerca de 17,4 espiras/cm2.
Como a janela do ncleo CS-400 tem rea A janela =8,53,50,8=23,8 cm2 , sendo 0,8 o
38 Lembrando que 1 Wb/m2 = 1 T = 1 (V.s)/m2 = 1 N/(A.m) (um weber por metro quadrado igual a um tesla, que
igual a um volt vezes segundo por metro quadrado, e igual a um newton por ampre metro). Um tesla corresponde
a 10.000 gauss.
39 Lembre-se: qual o valor eficaz de uma corrente contnua?

fator de desconto devido aos cantos arredondados, o nmero mximo de espiras terico de
N 1=23,817,4=414 espiras. Arredondando para N2 = 400 espiras, e sabendo-se que dois fios em
paralelo conduzem a corrente total, tem-se na verdade N3 = 200 espiras (o ndice abaixo do n de
espiras N somente indica que ainda no se atingiu o Nreal). De posse das dimenses (e material) do
ncleo e do nmero de espiras N3 pode-se calcular a indutncia mxima que se pode obter com este
ncleo e este nmero de espiras. De (3.31):
l
N I =R N I ar B S
0 S
l B l ar1,5 T
N ar 200 espiras20 A= l ar =3,35 mm
0 I 4 107 H / m
Este entreferro proporciona um fluxo de B = 1,5 T, que est aproximadamente no joelho da
curva de magnetizao para chapa de Fe-Si de gro orientado de espessura 0,3 mm usado nesse
ncleo. De (3.34):
2
SN 4 10713,721042002
L max 0 = =20,59 mH
l ar 3,35103
Logo, a mxima indutncia nestas condies maior que o resultado desejado (L=15 mH).
Um aumento de entreferro ou diminuio do nmero de espiras levar indutncia nominal.
Mantendo-se lar = 3,35mm e B = 1,5 T deve-se diminuir o nmero de espiras, usando-se (3.33),
l L
para: N = ar =170,7 espiras
0 S
Esse ncleo proporciona uma margem de segurana de erro de clculo e no fica
superdimensionado (janela muito maior que rea ocupado pelo enrolamento).
Observao Importante: Se fosse desejada uma derivao (tap) para se ter mais de um
valor de indutncia, deve ser lembrado que a indutncia proporcional ao quadrado do nmero de
espiras (3.31). Por exemplo, dados uma indutncia L para N espiras, para se ter a metade da
indutncia (L/2) a derivao deve ter N espiras:
N2
L= N = LR
R
L N ' 2
2
=
R
L
2
N ' = R=
LR N
=
2 2
Note-se que como o circuito magntico idntico, a relutncia preservada!
Implementao: A partir dos clculos iniciais partiu-se para a implementao do indutor.
Bobinas: no se pode enrolar os fios diretamente sobre o ncleo, por problemas de

implementao (uso de enroladeira) e isolamento eltrico entre enrolamentos e ncleo magntico.
Nesse caso adotou-se chapa de PVC de 2,1mm de espessura pela facilidade de corte e
soldagem (colagem) Na verdade o PVC no material adequado, pois amolece com temperaturas
relativamente baixas (~ 100C). O ideal seria usar chapas de fibra de vidro por exemplo. Foram
construdos 2 carretis, cujas dimenses esto na figura 3.20.

Fig. 3.20: Esboo dos carretis usados. As dimenses indicadas so internas e no esto em escala.
Qual o nmero de espiras teoricamente possvel neste carretel? Considerando o dimetro do

fio 12AWG ( D=2,11mm), os 13mm de altura permitem 6 camadas, e a largura de 78mm permite
36 fios por camada. Isto resulta em 6836=216 espiras neste carretel. Mas este clculo no
realistam devido a vrios fatores:
a) isolamento entre camadas: usando papel Kraft de 0,1 mm entre camadas perde-se altura:
Fig. 3.21: Perda de espao devido a folga do enrolamento e isolamento entre camadas.
b) virtualmente impossvel fazer uma dobra exata de 90 na espira:
Fig. 3.22: Perda de espao devido impossibilidade de dobra perfeita de 90 no fio.
c) para se fazer n espiras em uma camada necessita-se de (n+1) fios em paralelo:
Fig. 3.23: Perda de espao devido presena de (n+1) fios em uma camada de n espiras.
d) no se consegue um enrolamento com os fios firmemente encostados uns nos outros,

mesmo com uma tenso razovel na bobinadeira.
Como resultado prtico se conseguiu 5 camadas de 34 espiras = 170 espiras. Do total

terico, houve uma perda:
170 espiras
=0,787=78,7 %
216 espiras
Deve-se recalcular o entreferro (3.34) com esse nmero final de espiras:
0SN 2 4 10713,72104170
l ar = = =3,31 mm
L 15103
Para se ter uma induo mxima de Bmax=1,5T, a corrente mxima deve ser (3.31):
l B 3,311031,5
I max= ar = =23,24 A (valor de pico!)
N 0 1704 107
Note-se que h duas bobinas de N = 170 espiras em paralelo (figura 3.23):
Fig. 3.24: Esboo da configurao das bobinas do indutor e distribuio das correntes nas duas bobinas.
Os entreferros foram feitos com chapas de fenolite de 0,5mm. O material do entreferro deve
ser obviamente no ferromagntico, no condutor de eletricidade e relativamente rgido para no
sofrer compresso excessiva quando o ncleo for fechado. claro que neste caso o entreferro total
lar dividido entre os dois entreferros formados na separao dos ncleos (figura 3.25).
Fig. 3.25: O entreferro total lar dividido entre os dois entreferros resultantes da separao dos ncleos.
O ncleo fixado com o uso de uma abraadeira metlica, preferivelmente de ao inox no

magntico, ou fita de lato ou bronze.

Fig. 3.26: Abraadeira metlica no magntica fixa o ncleo C e os entreferros. Os carretis, no desenhados aqui, no
usam fixao adicional.
Medidas experimentais:
O indutor construdo deve ser aferido e ajustado, atravs da mudana da espessura do

entreferro, para se obter corretamente o valor nominal.
Que instrumentao usar para a medida de indutncia?
A soluo cmoda utilizar uma ponte RLC, de preferncia auto ajustvel. No entanto, isto
apresenta uma srie de desvantagens:
a) A frequncia nominal destas pontes de 1kHz, modificando o fator de mrito Q medido,
bem como a resistncia hmica do enrolamento;
b) Deve-se testar com a corrente nominal para se ter fluxo magntico B nominal.
Uma soluo melhor obtida a 60 Hz com um variac (auto transformador ajustvel),
ampermetro, voltmetro e wattmetro:
Fig. 3.27: Ensaio da medida da indutncia do indutor construdo. Voltmetro e ampermetro da figura podem representar
bobinas voltimtricas e amperimtricas de um wattmetro. A corrente de ensaio deve ser a nominal (em valor eficaz).
Nestas condies pode-se obter um simples modelo RL srie, onde a reatncia indutiva ser
significativamente maior que a resistncia hmica do enrolamento. Note-se que a medida da
resistncia hmica com multmetro no acurada pois:
a) A resistncia do enrolamento baixa, logo as pontas do multmetro acrescentam um erro
razovel. Nestes casos sempre melhor injetar corrente CC de valor razovel (nominal), se medir a
tenso nos terminais do indutor e calcular o valor da resistncia com a corrente e tenso obtidas.
b) A medida realizada em CC difere significativamente da realizada em CA devido ao efeito
pelicular e ao efeito de proximidade:

Efeito Pelicular: A densidade de corrente J no condutor em Efeito
corrente alternada no uniforme, variando com uma funo do tipo: Proximidade:
os condutores em
=5032,9
Onde:

rf
[cm] (3.35) paralelo transportando
a mesma corrente I no
mesmo sentido tendem
profundidade de penetrao: at este ponto se concentra 63,2%
a repelir as cargas,
da corrente

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Apostila de Eletrônica de Potência Versão 112 - 06março2017

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PEA-3487 Eletrnica de Potncia I

PEA-3487 Eletrnica de Potncia I - 1 sem/2017 - Notas de aula v. 1.12- pg.1

1. Modelos e circuitos e configuraes bsicas de conversores

INTRODUO: DEFINIO DE CONVERSORES ESTTICOS

Fig. I.1: Nomenclatura dos processos de converso esttica de energia eltrica.

CA / CC / CA (ex: retificador comutado CA / CA direto (ex: controlador de CC / CC direto (ex: chopper)

PEA-3487 Eletrnica de Potncia I - 1 sem/2017 - Notas de aula v. 1.12- pg.2

Quanto mais simples o modelo:

Escolha do modelo: Conciliao entre simplicidade de clculo (modelo simples) e descrio

Ideal (+ simples): - Simula situaes idealizadas;

Complexo (+ completo): - Permite anlise de transitrios;

PEA-3487 Eletrnica de Potncia I - 1 sem/2017 - Notas de aula v. 1.12- pg.3

- SOLUO DE CIRCUITOS EM ELETRNICA DE POTNCIA:

Como os circuitos de Eletrnica de Potncia usam componentes NO lineares (diodos etc.),

1.2. Modelos de componentes ideais

A) GERADOR (ou rede de alimentao)

Circuitos retificadores de interesse industrial geralmente so alimentados por redes trifsicas.

PEA-3487 Eletrnica de Potncia I - 1 sem/2017 - Notas de aula v. 1.12- pg.4

Neste caso de f.e.m. pura, sem impedncia interna, a tenso terminal

Fig. 1.4: Modelo ideal de gerador n-fsico.

A.2 Modelo idealizado (simplificado):

Fig. 1.5: Modelo idealizado de gerador com impedncia interna.

E R2 Carga E*R2 Carga

PEA-3487 Eletrnica de Potncia I - 1 sem/2017 - Notas de aula v. 1.12- pg.5

Fig. 1.8: Corrente no-senoidal drenada por carga com diodo.

O circuito da figura 1.8 pode ser equacionado por:

O modelamento do transformador um exemplo da importncia do pleno entendimento das

(a) (b) (c) (d) (e)

A resposta (a) muito comum, pois encontrada em muitos livros-texto de eletrnica de

PEA-3487 Eletrnica de Potncia I - 1 sem/2017 - Notas de aula v. 1.12- pg.6

B.1 TRANSFORMADOR IDEAL

O transformador ideal, mostrado na figura 1.11a, consiste de duas bobinas magneticamente

ip(t) (t) is(t) ip(t) is(t)

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B.2 TRANSFORMADOR REAL (modelo completo)

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IMPORTANTE: Em regime permanente as tenses mdias sobre indutores (mesmo

PEA-3487 Eletrnica de Potncia I - 1 sem/2017 - Notas de aula v. 1.12- pg.9

A simulao resultante, na figura 1.16(a), mostra a trajetria na corrente de magnetizao

PEA-3487 Eletrnica de Potncia I - 1 sem/2017 - Notas de aula v. 1.12- pg.10

Os semicondutores e particularmente os semicondutores de potncia so essenciais aos

Sem perdas Perdas de conduo e chaveamento

Fig. 1.17. Diodo. Os terminais a e k so respectivamente o nodo e o catodo do diodo.

C2) TIRISTOR (ou SCR Silicon Controlled Rectifier)

Sem perdas Perdas de conduo e chaveamento

Fig. 1.18. Tiristor. Os terminais a, g e k so respectivamente o nodo, gatilho e ctodo do tiristor.

C3) TRANSISTOR (DE POTNCIA)

PEA-3487 Eletrnica de Potncia I - 1 sem/2017 - Notas de aula v. 1.12- pg.11

Fig. 1.19. Comparao entre transistores de potncia.

D1) CARGA RESISTIVO INDUTIVA (RL) COM F.E.M.

Fig. 1.20 Carga do tipo resistivo indutiva (RL) com f.e.m.

A equao diferencial de malha do circuito da figura 1.20 :

3 Note em (1.15c) que i(T )=i (0) caracterizando o regime permanente.

PEA-3487 Eletrnica de Potncia I - 1 sem/2017 - Notas de aula v. 1.12- pg.12

Em Eletrnica de Potncia tem interesse particular o modelo de carga em que se faz

PEA-3487 Eletrnica de Potncia I - 1 sem/2017 - Notas de aula v. 1.12- pg.13

O modelo de carga RC paralelo com capacitncia muito alta ( C ) implica que a

Fig. 1.23: Carga tipo RC paralelo alimentado por retificador.

1.3. Princpio de Funcionamento dos Conversores

Exemplo 1: Princpio de funcionamento dos conversores comutados pela rede CA.

PEA-3487 Eletrnica de Potncia I - 1 sem/2017 - Notas de aula v. 1.12- pg.14

Fig. 1.26: Retificador monofsico de um caminho totalmente controlado.