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ELECTRNICA GENERAL

Practica N 1
DIODOS SEMICONDUCTORES

1. OBJETIVOS:

Objetivo General
Aprender el funcionamiento y comportamiento del diodo semiconductor

Objetivos Especficos

Identificar el nodo y el ctodo y probar un diodo semiconductor realizando


una prueba de resistencia directa-inversa usando un hmetro.
Comprobar el comportamiento del diodo en polarizacin directa.
Comprobar el comportamiento del diodo en polarizacin inversa.

2. MATERIALES:

Material y/o equipo Cantidad Figura

Fuentes de 1
alimentacin
de 5V a 15V
/ 1A.

Multmetro

1
2 Diodos
1N4007 y
un diodo de
germanio

1
1 resistencia
de 2,2 K,
1 K, 5,6
K.

VOM (digital o 1
analogico)
3. MARCO TERICO.

DIODO
En la actualidad, casi la totalidad de los equipos y dispositivos electrnicos que
utilizamos cotidianamente incluyen en sus circuitos varios tipos diferentes de
semiconductores de estado slido, entre los que se encuentran los diodos,
elementos imprescindibles para que todos esos equipos puedan funcionar. Sin
embargo, antes del uso masivo de esos pequeos elementos tal como lo
conocemos hoy en da, durante la primera mitad y principios de la segunda
mitad del siglo pasado era muy comn emplear vlvulas electrnicas de vaco
en los circuitos electrnicos analgicos de radios, televisores y otros dispositivos
domsticos e industriales.

Hoy en da las mismas funciones de rectificacin y deteccin de corrientes


alternas, as como muchas otras funciones ms, se realizan empleando diodos
semiconductores de estado slido, fabricados en su mayora a partir del cristal de
silicio (Si).

Estos semiconductores de uso tan comn en la actualidad, poseen la ventaja


sobre las antiguas vlvulas termoinicas de tener un tamao muchsimo ms
pequeo, poseer muy poco peso, no requerir del calentamiento del ctodo para
que se efecte la emisin electrnica y tener un costo de fabricacin y precio de
venta al usuario muchsimo ms bajo.

En resumen el Diodo es un componente electrnico que permite el paso de la


corriente en un solo sentido. La flecha de la representacin simblica muestra la
direccin en la que fluye la corriente.

TEORIA DEL SEMICONDUCTOR


El silicio y el germanio son los dos elementos utilizados en la electrnica para
desarrollarse ambos tienen en su ltimo nivel de energa cuatro electrones por
ello se llaman elementos tetravalentes.

CRISTALES
Es la combinacin de los tomos de silicio o de germanio para formar un slido
de configuracin ordenada, de modo que en su rbita de valencia logren formar
el nivel completo es decir 8 electrones (en el caso del silicio). A la fuerza que
une los tomos unidos entre s se le llama enlace covalente. Para que esto se
cumpla a un tomo de silicio se asocia con otros cuatro tomos de silicio,
logrando la estabilidad requerida en su nivel de valencia, pero compartiendo sus
electrones.
BANDAS DE ENERGIA
La combinacin de los tomos en un cristal origina que la rbita de un electrn
quede influida por las cargas de muchos tomos adyacentes. Es as que los
electrones de la primera orbita tendr cada uno un nivel de energa. Todos los
niveles de energa de los electrones de la primera orbita forman una banda, igual
ocurrir con la segunda y la de valencia.

HUECOS Y ELECTRONES DE VALENCIA

Cuando se produce una energa externa un electrn de valencia es lanzado a un


nivel superior de energa. En el sitio donde se encontraba este electrn queda un
espacio al que se le llama hueco. Estos huecos se consideran positivos y
producen su propia corriente.

Un diodo semiconductor se hace de materiales que son conductores parciales,


generalmente silicio o germanio, A este tipo de material se lo suele llamar unin
PN.

4. PROCEDIMIENTO

1.- Prender los equipos tanto la fuente de voltaje, como el multmetro.


2.- Ajustar la fuente de poder el voltaje deseado, en este caso a 9 V
3.-Girar la perilla de intensidad un poco para dar corriente al circuito
4.- Armar el circuito en el protoboard de acuerdo al preparatorio, ya sea con
diodos polarizados directa, inversa, en serie o en paralelo
5.- Conectar las bananas en las ranuras de la fuente y los lagartos a cada uno de
los lados del circuito
6.- Aplastar el botn output para que la fuente energice el circuito
7.- Conectar las bananas en las ranuras del multmetro y de acuerdo a la funcin
que se desee se escoge si se desea medir voltaje, intensidad, o resistencia
8.- Anotar los resultados.
DIODO DE POLARIZACION DIRECTA

R E VD VR IR ID
(kW) (V) (V) (V) (mA) (mA)
Valor
2,1654 9,007 0,65 8,34 3,85 3,85
Medido
Valor
2,2 9 0,7 8,3 3,77 3,77
Calculado

DIODO EN POLARIZACION INVERSA

R E VD VR IR ID
(kW) (V) (V) (V) (mA) (mA)
Valor
2,1654 9,007 9 0 0 0
Medido
Valor
2,2 9 9 0 0 0
Calculado
DIODOS EN CONFIGURACION SERIE

R E VD1 VD2 VR IR ID
(kW) (V) (V) (V) (V) (mA) (mA)
Valor medido 5,58 9 0,6154 0,632 7,74 1,412 1,412
Valor calculado 5,6 9 0,7 0,7 7,6 1,382 1,382

DIODOS EN CONFIGURACION SERIE D1 INVERTIDO

R E VD1 VD2 VR IR ID
(kW) (V) (V) (V) (V) (mA) (mA)
Valor medido 5,58 9 8,71 0 0 0 0
Valor calculado 5,6 9 9 0 0 0 0
CONFIGURACION DE DIODOS EN PARALELO

R E VD1 VD2 VR IR ID1 ID2


(kW) (V) (V) (V) (V) (mA) (mA) (mA)
Valor medido 1 9 9 9 0 0 0 0
Valor calculado 1 9 9 9 0 0 0 0

CONFIGURACION DE DIODOS EN PARALELO

R E VD1 VD2 VR IR ID1 ID2


(kW) (V) (V) (V) (V) (mA) (mA) (mA)
Valor medido 1 9 0,689 0,637 8,37 8,438 0,683 0,55
Valor calculado 1 9 0,7 0,7 0,7 8,3 4,15 4,15

CONCLUSIONES

Los valores de voltaje de los diodos ideales son muy aproximados a los valores
reales.
Los valores de voltaje de los diodos ideales no son todos iguales, depende de la
fabricacin de los diodos.
Los diodos en polarizacin directa se comportan como fuentes, mientras que en
polarizacin inversa se comportan como corto circuitos, aunque dejan pasar una
pequea cantidad de corriente.
La intensidad de un circuito en serie con diodos en polarizacin directa se
mantiene sin embargo el valor es mayor al calculado, esto se debe a la
fabricacin de los diodos.
La intensidad de un circuito en serie con diodos en polarizacin inversa es cero
ya que un diodo polarizado inversamente se comporta como circuito abierto y no
deja pasar corriente; mientras que en el diodo en polarizacin directa no cae todo
el voltaje de la fuente, sino que disminuye un poco.
El voltaje de un circuito en paralelo con diodos en polarizacin inversa se
mantiene sin embargo al estar inversamente polarizados no dejan pasar
corriente, y por tanto se quedan con el voltaje de la fuente que es de 9V.
El voltaje de un circuito en paralelo con diodos en polarizacin directa se
mantiene sin embargo el voltaje que cae en los diodos es un poco menor al ideal.
La intensidad de un diodo en polarizacin directa es muy diferente en valor
calculado y medido, ya que en valor calculado tomamos como que los diodos
son idnticos en todas sus caractersticas, por ende el valor de la corriente se
divide en cada diodo por igual, en cambio en el real no sucede as ya que en los
diodos pasa solo una fraccin del total de intensidad.

BIBLIOGRAFIA

http://comunidad.udistrital.edu.co/jruiz/files/2012/08/Pr%C3%A1ctica-1-del-
DIODOS.pdf

https://fimecursos.wikispaces.com/file/view/Lab+01.pdf

http://es.slideshare.net/MarxSimpson/practica-uno-caracteristicasdeldiodo