QM5 Statistics

Universit degli Studi di Udine
Corso di laurea in Fisica Computazionale
Corso di Fisica Moderna
Sara Padovani
Sara Padovani Fisica Moderna 2009/2010 1

1. Particelle identiche e spin

2. Statistica classica (Maxwell-Boltzmann)
3. Statistiche quantistiche (Fermi-Dirac e Bose-Einstein)
4. Gas di fotoni (applicazione della statistica di Bose-Einstein)
5. Gas di elettroni-metalli (applicazione della statistica di Fermi-Dirac)
6. Teoria delle bande per i solidi (cenni)
7. Fisica dei semiconduttori

Particelle identiche
Supponiamo di avere due particelle identiche in una scatola.

In Meccanica Classica: possiamo pensare di seguire il moto di ogni particella e
individuarne la traiettoria, senza disturbare il sistema.
In Meccanica Quantistica non esiste il concetto di traiettoria, che presuppone

la conoscenza simultanea della posizione e della velocit delle particelle.
Supponiamo di considerare due particelle del tutto identiche, e di determinare
con elevata precisione la loro posizione ad un certo istante t , trovando due
posizioni r1 e r2 . Supponiamo di ripetere la misura ad un successivo istante t,
trovando delle posizioni r1 e r2 . Siamo in grado di dire se la particella in 1 era
quella che si trovava in r1 , oppure viceversa? La risposta NO.

Principio di indistinguibilit
Questo un principio generale che prende il nome di:
PRINCIPIO DI INDISTINGUIBILIT
dato un sistema contenente N particelle fra loro identiche, impossibile che una
misura dia risultati diversi se si immagina di scambiare fra loro due particelle
In altre parole, il sistema deve essere simmetrico rispetto a tutte le permutazioni

possibili.

Principio di indistinguibilit
Il principio di indistinguibilit per le particelle identiche deve sempre

essere tenuto presente nelle trattazioni di MQ, in particolare nella forma in
cui scrivere la funzione donda di una particella.
La funzione donda che descrive il sistema deve essere insensibile allo

scambio di due particelle.
Sia
a ,b (r1 , r2 , t ) = (r1 , r2 , t )
la funzione donda che descrive il sistema costituito da due particelle
identiche non interagenti , tale per cui allistante t
la particella a si trova nella posizione r1
la particella b nella posizione r2

Sistema costituito da due particelle identiche
Un sistema costituito da due particelle pu essere descritto dalla funzione

donda:
(r1 , r2 , t )
che soddisfa allequazione di Schrdinger:

ih = H
t
con H hamiltoniano del sistema:
2 2
h h
H = 12 22 + U (r1 , r2 , t )
2m1 2m2

La probabilit di trovare la particella 1 nellelemento di volume d3r1, e la

particella 2 nellelemento d3r2 definita dal modulo quadro della funzione
donda:
2
dw (r1 , r2 , t ) d 3 r1d 3 r2
che va normalizzato su tutto il volume
2
(r1 , r2 , t ) d 3 r1d 3 r2 = 1

SOLUZIONE DELLEQUAZIONE STAZIONARIA
Se lenergia potenziale U non dipende dal tempo, possibile risolvere

lEquazione di Schrdinger con il metodo della separazione delle variabili,
ponendo:
iEt
(r1 , r2 , t ) = (r1 , r2 )e h
In tal caso la funzione donda (r1 , r2 ) dipende solo dalle coordinate

spaziali e soddisfa allEquazione di Schrdinger stazionaria:
h2 2 h2 2
1 (r1 , r2 ) 2 (r1 , r2 ) + U (r1 , r2 ) (r1 , r2 ) = E (r1 , r2 )
2m1 2 m2

Se E lenergia totale del sistema, esistono due funzioni che possono

soddisfare al vincolo E = Ea+Eb
a ,b (r1 , r2 ) = a (r1 )b (r2 ) A
b ,a (r1 , r2 ) = b (r1 )a (r2 ) B
La MQ mi fornisce gli strumenti per costruire una funzione donda che descrive
lo stato di un sistema costituito da particelle identiche senza specificare quale
particella sta in uno stato e quale nellaltro.

Operatore di scambio
Definiamo loperatore di scambio P che inverte la posizione delle particelle:
P (r1 , r2 ) = (r2 , r1 )
Applicando loperatore P due volte, si deve riottiene la situazione iniziale ossia:
P 2 (r1 , r2 ) = P (r2 , r1 ) = (r1 , r2 )

Quindi:
P2 ha autovalore 1
P ha autovalori 1
Significa che esistono due tipologie di funzioni donda che possono descrivere
il sistema:
(r2 , r1 ) = + (r1 , r2 ) Simmetrica
(r2 , r1 ) = (r1 , r2 ) Antisimmetrica

Se E lenergia totale del sistema, esistono due funzioni che possono

soddisfare al vincolo E = Ea+Eb
a ,b (r1 , r2 ) = a (r1 )b (r2 ) A
b ,a (r1 , r2 ) = b (r1 )a (r2 ) B
Ci sono due funzioni donda che descrivono un sistema costituito dalla

combinazione lineare degli stati A e B :
(r1 , r2 ) = A(a (r1 )b (r2 ) b (r1 )a (r2 ))
Esistono due tipologie di particelle!!!

Bosoni e fermioni
Sistema a due particelle
Particelle con spin

Funzione simmetrica BOSONI
intero
+ = S (r1 , r2 ) = AS (a (r1 )b (r2 ) + b (r1 )a (r2 ))
= A (r1 , r2 ) = AA (a (r1 )b (r2 ) b (r1 )a (r2 ))
Particelle con spin

Funzione antisimmetrica FERMIONI
semi- intero

Fermioni identici
Ritorniamo alla funzione antisimmetrica che descrive due fermioni:
= A (r1 , r2 ) = AA (a (r1 )b (r2 ) b (r1 )a (r2 ))
Supponiamo di avere due fermioni identici, ovvero che
a (r1 ) = b (r1 )
a (r2 ) = b (r2 )
Si ha che
A (r1 , r2 ) = AA (a (r1 )b (r2 ) b (r1 )a (r2 )) = 0

2
A (r1 , r2 ) = 0
due fermioni identici, non possono occupare lo stesso stato quantico

Principio di esclusione di Pauli

Formulato nel 1925 dichiara che:
due fermioni identici, non possono occupare lo stesso stato

quantico.
E' il principio di esclusione di Pauli che permette ad un oggetto di non

dissolversi nelle vostre mani, dato che ogni fermione occupa uno spazio
vitale che non pu spartire.

Bosoni e fermioni
La funzione donda totale pu essere espressa come il prodotto di una

funzione spaziale e una di spin
Funzione donda totale = (funzione spaziale) (funzione di spin)
= Yl m ( , ) ( spin )
La parte spaziale descrive il

E una funzione
moto orbitale di una
simmetrica per spin paralleli
particella rispetto allaltra ed
antisimmetrica per spin antiparalleli
e rappresentata dalle
armoniche sferiche Ylm( ,
)
BOSONI: e entrambe simmetriche o antisimmetriche
simmetrica
FERMIONI: o viceversa
antisimmetrica

Bosoni e fermioni
Particelle con spin

intero
+ = S (r1 , r2 ) = AS (a (r1 )b (r2 ) + b (r1 )a (r2 ))
= A (r1 , r2 ) = AA (a (r1 )b (r2 ) b (r1 )a (r2 ))

Particelle con spin
semi- intero
FERMIONI: funzione donda anti-simmetrica per inversione spaziale. Non

possono quindi coesistere nello stesso stato (al pi possono esistere due
fermioni nello stesso stato energetico, ma con spin opposto)
BOSONI: funzione donda simmetrica per inversione spaziale. Come
conseguenza di questo fatto possono coesistere nello stesso stato anche in
numero molto grande.

Modello standard: bosoni e fermioni
Nel modello standard fermioni e bosoni sono le due categorie di particelle

fondamentali: i quanti di materia e i quanti di forza.
FERMIONI (quanti di materia) corrispondono alle particelle che costituiscono la

materia (nuclei, atomi, molecole) cio i quark (di cui sono formati i protoni e i
neutroni, costituenti del nucleo atomico), l'elettrone e il neutrino, pi altre repliche
dello stesso tipo di particelle (con le stesse interazioni) ma molto pi pesanti e
quindi instabili.
BOSONI (quanti di forza): particelle che, nella concezione duale onda-
corpuscolo della MQ, sono i portatori delle forze fondamentali che si esercitano
tra le particelle elementari e che quindi ne determinano le interazioni.
l'elettromagnetica fotone
FORZE debole bosoni W e Z
FONDAMENTALI forte gluoni
gravitazionale gravitone

Modello standard: bosoni e fermioni
Nel modello standard fermioni e bosoni sono le due categorie di particelle

fondamantali: i quanti di materia e i quanti di forza.


Lo spin

Nel suo famoso articolo del 1925, in cui enunci il principio di

esclusione, Wolfgang Pauli introdusse per la prima volta
quattro numeri quantici per descrivere compiutamente lo
stato degli elettroni all'interno degli orbitali atomici.
Il quarto numero quantico introdotto da Pauli era lo "spin",
momento angolare intrinseco associato alla particella.
Dal punto di vista sperimentale, nel frattempo, i tempi erano maturi per
l'osservazione degli effetti di tale ipotesi.


2. Meccancia statistica classica (Maxwell-Boltzmann)

Meccanica statistica
La meccanica statistica un ramo della fisica che studia il comportamento e

le propriet medie di sistemi costituiti da un numero molto grande di particelle:
lo strumento di queste analisi sono i metodi e le tecniche della statistica,
applicati alla descrizione del moto delle particelle.
Si sviluppata nel corso del XIX secolo principalmente per merito del fisico
inglese James Clerk Maxwell, del fisico austriaco Ludwig Boltzmann e del
fisico matematico statunitense J. Willard Gibbs. Convinti che la materia fosse
costituita da un gran numero di particelle minuscole (atomi e molecole) in
costante movimento, questi scienziati erano consapevoli del fatto che la
determinazione del moto di ogni singola particella, in base all'applicazione della
meccanica newtoniana, fosse un procedimento impraticabile.
Maxwell, Boltzmann e Gibbs svilupparono metodi statistici che permettessero
di descrivere la dinamica delle singole particelle in termini di valori medi delle
variabili microscopiche, e di dedurre da questi le caratteristiche
termodinamiche macroscopiche dei sistemi.

Meccanica statistica quantistica
Negli anni Venti la meccanica statistica venne riformulata, al fine di includere i

nuovi principi della teoria quantistica. La natura delle particelle infatti, cos
come viene intesa dalla teoria quantistica, diversa da quella tipica della teoria
classica, basata sui principi della dinamica di Newton. Due particelle classiche
sono teoricamente distinguibili, (possono essere distinte apponendo a ciascuna
un'etichetta di riconoscimento) le particelle quantistiche sono del tutto
indistinguibili.
La nuova teoria di fisica richiese una ridefinizione generale dei principi della
meccanica statistica: inoltre, fu necessario utilizzare due diversi metodi statistici
per descrivere le propriet fisiche di sistemi di particelle quantistiche. Per la
descrizione statistica di sistemi di particelle dotate di spin semi-intero
(fermioni) si richiedeva la statistica di Fermi-Dirac, mentre per sistemi di
particelle dotate di spin intero (i bosoni) era necessaria la statistica di Bose-
Einstein.

Meccanica statistica classica: Maxwell e Boltzmann
Statistica classica:
La statistica di Maxwell-BoItzmann stata ricavata nell'ambito dello studio della
teoria cinetica dei gas, nella quale si assume che le molecole interagiscono tra
di loro molto debolmente e solo durante le collisioni: si possono quindi
trascurare tutti gli altri tipi di forze possibili.
Sistema chiuso di N particelle distinguibili debolmente interagenti
C. Maxwell
L. Boltzmann
Statistica di Maxwell-Boltzmann
IPOTESI:
1. Sistema chiuso
2. Particelle distinguibili
3. Interazioni deboli particelle non-interagenti
4. N=cost. E=cost.
5. Tutti i parametri rilevanti (volume, ...) che determinano gli stati del sistema
sono costanti.
6. Si conoscono gli stati di particella singola 1, 2, ... S e
le loro energie 1, 2, ...
1 2 3 ... S N
i =1
i =N
1 2 3 S Vincoli
S
N1 N2 N3 NS

i =1
i Ni = E

1 2 3 ... S N
i =1
i =N
1 2 3 S Vincoli
S
N1 N2 N3 NS

i =1
i Ni = E
Ho realizzato una ripartizione detta MACROSTATO
Questa ripartizione pu essere fatta in un certo numero di MODI o MICROSTATI (W)

In quanti modi posso

realizzare questa
ripartizione?

Voglio determinare:
1. Il numero di modi W associato ad una certa ripartizione (macrostato)
Tutti i modi (microstati) che rispettano i vincoli sono equiprobabili

IP Lo stato di equilibrio del sistema quello pi probabile, cio quello che pu
essere realizzato col massimo numero di modi possibili (principio di massima
verosimiglianza)
2. La distribuzione statistica n(E) che descrive il sistema allequilibrio

termico

Numero di modi: sistema con numero finito di stati
Possibilit di mettere N1 particelle nello stato 1 ordinatamente
N!
W = N ( N 1)( N 2)K ( N ( N1 1)) =
'
1
(N N1 )!
ciascuna di queste pu essere ottenuta con N1! differenti permutazioni delle
particelle quindi le possibilit distinte sono
N! N Coefficiente
W1 = =
N1!( N N1 )! N1 binomiale
Lo stato 2 potr essere occupato W2 =

( N N1 )!
nel numero di modi: N 2 !( N N1 N 2 )!
S
1
W = W1 W2 K WS si ottiene W = N !
i =1 N i !
Numero di modi


Distribuzione pi probabile
Applichiamo ora il PRINCIPIO DI MASSIMA VEROSIMIGLIANZA:
un sistema fisico reale le particelle tenderanno a disporsi secondo la

configurazione che prevede il numero massimo possibile di modi W
Questo significa che per un sistema fisico reale lequazione di W sar

massimizzata da una particolare configurazione delle partizioni N1, ..., NS.
Ricordiamo che non tutte le configurazioni delle partizioni sono ammesse, ma
solo quelle che rispettano i vincoli di esclusione introdotti prima.
Inoltre ipotizziamo che allequilibro termodinamico il sistema nella sua

configurazione pi probabile.

Distribuzione pi probabile: Metodo dei moltiplicatori di Lagrange
Per la risoluzione di un problema di massimizzazione vincolata si pu applicare

il metodo dei moltiplicatori di Lagrange che riduce lanalisi ad una
massimizzazione semplice di una funzione in Ni.
Tale metodo consiste nel massimizzare la funzione:
S S
L( N 1 , K, N s , , ) = ln W N i N i N i E
i =1 i =1
La condizione necessaria per avere un estremo che le derivate parziali si
annullino:
L L L
=0 =0 =0
N i

S S
L( N 1 , K , N s , , ) = ln W N i N i N i E
i =1 i =1
La condizione necessaria per avere un estremo che le derivate parziali si
annullino:
S
L

=0 N
i =1
i =N

S
L

=0
i =1
i Ni = E
L ln W
=0 i = 0
N i N i
Fornisce i valori N1, ..., NS per la distribuzione pi probabile

Formula di Stirling
ln N! N ln(N ) N

S s s
1
W = N ! ln W = ln N ! ln N i ! ln W = ln N i !
i =1 N i ! i =1 i =1
Formula di Stirling ln N! N ln(N ) N

s
ln W ln N i N i
i =1
Distribuzione
1 ln W
N i = i i = 0
e e N i

Numero di modi: caso generale
La situazione reale, per, comporta generalmente un numero molto grande di

stati che avranno occupazione medio bassa.
Si suddivide l energia in intervalli E abbastanza grandi da contenere un
numero gi (degenerazione) sufficientemente grande di stati x aventi energie
i1, i2, i3,
Tale che sia
E <<Ei gi >> 1 Ni>> 1
Avr quindi una ripartizione delle

particelle nei vari intervalli,
caratterizzata dalle Ni e tale per cui
N i =N

I modi per disporre N1 particelle nel primo intervallo sono
N N!
W1 = =
N1 N1!( N N1 )!
Ma le N1 particelle possono essere messe nei g1 stati, quindi avr g1
possibilit per la prima, g1 per la seconda ecc...
In totale avr quindi possibilit diverse di sistemazione
N1 N!
W1 = g1
N1!( N N1 )!
Numero di modi
S N
gi i
W = W1 W2 K WS si ottiene W = N !
i =1 N i !

Distribuzione pi probabile: caso generale
g Ni
S
W = N !
i =1 N i !
s s
ln W = ln N + N i ln g i ln N i !
i =1 i =1
s s
gi s
ln W ln g i N i ln N i N i = ln N i
i =1 i =1 i =1 Ni
Distribuzione
gi ln W
N i = E i = 0
e e N i

Distribuzione pi probabile: caso generale
La distribuzione pi probabile, che risulta essere:
gi
N i = i
e e
Fattore di
Ni 1 Boltzmann
ni = = i
numero medio di gi e e
particelle per stato
Distribuzione di Maxwell- Bollzmann
valida per particelle classiche distinguibili

Funzione di partizione
Al fine di determinare i parametri e si definisce la funzione di partizione Z

ed si esprime il numero medio di particelle per stato ni in funzione di Z:
gi
N i = i N = N i = g i e e i =e g i e i
e e stati stati stati
Z = g i e i
N
stati
e =
Z
= ln Z ln N

Descriviamo lenergia media per particella termini della funzione di partizione:
N Z
Ni = g i e i Z = g i e i = g i i e i
Z stati stati
N N Z ln Z
E = i Ni = g e i i
i
= = N
stati Z stati Z
E ln Z Energia media
= = per particella
N

Distribuzione pi probabile: distribuzione continua di stati
Nel caso in cui lo spettro di energia di particella singola possa essere

considerato continuo, e ci avviene quando il volume grande:
numero di particelle che

g g ( )
N i = ii N ( )d = E d popolano i livelli compresi
e e e e nellintervallo e +d
numero medio di
Ni 1 N ( ) 1
ni = = i n( ) = = E particelle che occupano
gi e e g ( ) e e un singolo stato

Distribuzione continua di stati

Z = g i e i Z = g ( )e d
stati 0
ds
Se la densit degli stati definita come: g (E ) =
dE
Ni 1 N i
ni = = i dn = e e ds = e g ( )d
a i
gi e e Z
Numero medio di particelle per stato
N N
ni = g i e i dn = g ( )e i d
Z Z

Calcolo di e
ln Z
= = ln Z ln N

Energia media Per il calcolo dei parametri e necessario procedere

per particella al calcolo della funzione di partizione Z.

N
Z = g ( )e
d dn = g ( )e i d
0
Z
Calcolo densit degli stati per un sistema classico

Densit degli stati
Numero di stati nel volume infinitesimo
dello spazio delle fasi
ds * = Cdxdydzdp x dp y dp z
Integrando su tutto il volume occupato dal gas
ds = CVdp x dp y dp z = CV 4p 2 dp
p2
Energia delle particelle libere E=
2m
2 dp
ds = CV 4p = CVg ( p) dE
dE
3 1
g ( ) = ds / d = 2CV (2m ) V 2 2

Densit degli stati

Calcolo della funzione di partizione
Nota la densit degli stati:
3 1 1
g ( ) = 2C (2m ) 2 V 2
= BV 2
Calcolo la funzione di partizione:
Z = g ( )e 3 2
d Z = g ( )e
d = BV 2
0 0
2
3 3
Z = (2m ) 2 CV 2

Calcolo di e
3 3
Z = (2m ) CV 2 2
V 3 3
= ln Z ln N = ln (2m ) C 2
2
N
ln Z
=
1
Teoria cinetica del =
gas ideale KT
3
= KT
2


Distribuzione di Maxwell-Boltzmann
1 V 3 3
= = ln (2m ) C 2
2
KT N
3 1 1
g ( ) = 2CV (2m ) V 2 2
= BV 2
Numero medio di particelle per stato dn = g ( )e e i d
1 dn
Funzione di distribuzione f ( ) =
N d
Distribuzione di 2 3 1
Maxwell-Boltzmann f MB ( ) = (KT ) 2 2
e KT


Distribuzione di Maxwell-Boltzmann a varie temperature
2 3 1
f MB ( ) = (KT ) 2 2
e KT


Distribuzione di Maxwell delle velocit
2 3 1
f MB ( ) = (KT ) 2 2
e KT

1 2 2 d
= mv v= F (v)dv = f ( (v )) dv
2 m dv
3
Distribuzione di m 2 2 mv2 2 KT
Maxwell delle velocit F (v ) = 4 v e
2KT

3
m 2 2 mv2 2 KT
F (v ) = 4 v e
2KT
v 2 = v 2 F (v )dv
1 2 3
mv = KT
2 2


La statistica di Maxwell-Boltzmann fornisce delle buone previsioni sul

comportamento di un gas in condizioni normali (pressione atmosferica: P = 1 atm;
temperatura ambiente: T = 300 K).
Ma molti fenomeni risultano comunque del tutto incomprensibili dal punto di vista
della fisica classica, tra cui ricordiamo:
1. Calore specifico dei solidi a basse temperature

2. Emissione corpo nero (legge di Rayleigh/Jeans)

Calore specifico
E
Calore specifico a volume costante CV = = NA
T V T V
3 3
Gas monoatomico = KT CV = R
2 2
Una mole di solido

(Gli atomi vengono trattati come oscillatori = 3KT CV = 3R
tridimensionali)

Calore specifico a basse temperature
Secondo la fisica classica, il calore specifico deve rimanere finito anche allo
zero assoluto. Questo fatto per in contrasto con l'esperienza: infatti il calore
specifico decresce man mano che ci si avvicina allo zero assoluto (la cosa fu
predetta da Nerst nel 1916 ed il processo, allora ancora ignoto, secondo cui il
calore specifico decresce lo chiam degenerazione del gas, mentre un gas a
temperature vicine allo zero assoluto venne chiamato degenere).
Calore specifico CV del

rame in funzione della
temperatura

Radiazione di corpo nero
Legge di Rayleigh/Jeans
Uno degli insuccessi della teoria classica ondulatoria il calcolo della
radiazione emessa da un corpo nero.
Raileigh e Jeans descrissero la distribuzione di intensit I delle onde emesse
in funzione della lunghezza donda , modellando la radiazione di corpo nero
come quella proveniente da un insieme di oscillatori che possono emettere ed
assorbire radiazione ad ogni frequenza:
dI KT
= 2c 4
d
Il calcolo di Rayleigh e Jeans
riproduce i dati sperimentali solo per
grandi , per piccole la formula
errata
CATASTROFE ULTRAVIOLETTA

Lezione 2
1. Statistiche quantistiche
Fermi-Dirac
Bose-Einstein
2. Gas di Fermi

Meccanica statistica classica

!

"


Distribuzione di Maxwell-Boltzmann a varie temperature
Maxwell e Boltzmann svilupparono metodi statistici per descrivere la dinamica delle singole
particelle in termini di valori medi delle variabili microscopiche, e di dedurre da questi le
caratteristiche termodinamiche macroscopiche dei sistemi.
2 3 1
f MB ( ) = (KT ) 2 e 2 KT

La statistica di Maxwell-Boltzmann fornisce
delle buone previsioni sul comportamento di
un gas in condizioni normali (pressione
atmosferica: P = 1 atm; temperatura ambiente:
T = 300 K).

#$

PRINCIPIO DI INDISTINGUIBILIT
dato un sistema contenente N particelle fra loro identiche, impossibile che
una misura dia risultati diversi se si immagina di scambiare fra loro due
particelle
Il sistema deve essere simmetrico rispetto a tutte le permutazioni possibili.

%

&

'

!

!

"
"
Particelle con spin

intero
+ = S (r1 , r2 ) = AS (a (r1 )b (r2 ) + b (r1 )a (r2 ))

= A (r1 , r2 ) = AA (a (r1 )b (r2 ) b (r1 )a (r2 ))
Particelle con spin

semi- intero
PRINCIPIO DI ESCLUSIONE DI PAULI

due fermioni identici, non possono occupare lo stesso stato quantico.

Statistiche quantistiche
A. Einstein
E. Fermi
S. N. Bose
P. Dirac

Abbiamo determinato:
Il numero di modi W (MICROSTATI) associato ad una certa configurazione
(MACROSTATO)
S N
gi i
W = N !
i =1 N i !
La distribuzione statistica n(E) che descrive il sistema allequilibrio termico
Ni 1
ni = = i
gi e e
Tutti i modi (microstati) che rispettano i vincoli sono equiprobabili

Lo stato di equilibrio del sistema quello pi probabile, cio quello che pu
essere realizzato col massimo numero di modi possibili
Ipotesi
1. Sistema chiuso
2. Interazioni deboli particelle non-interagenti
3. N=cost. E=cost.
4. Tutti i parametri rilevanti (volume, ...) che determinano gli stati del sistema
sono costanti.
5. Si conoscono gli stati di particella singola 1, 2, ... s e le loro energie 1, 2, ...
6. Particelle indistinguibili (c solo un modo di mettere Ni particelle nello stato i)
7. Particelle dipendenti (se la particella 1 si trova nello stato g1, altera la
probabilit che 2 si trovi in g2)
1 2 3 ...
N
i =1
i =N
Vincoli
1 2 3
N1 N2 N3
i =1
i Ni = E

Statistiche
Esempio: 2 particelle in 3 stati
N
Maxwell-Boltzmann: il numero di modi W
S
gi i 32
W = N ! = 2! = 9
associato ad una certa configurazione
i =1 N i ! 2!

Particelle
9 modi
distinguibili

Bosoni 6 modi

Fermioni 3 modi


Statistiche
La situazione reale, per, comporta generalmente un numero molto grande di

stati che avranno occupazione medio bassa.
Si suddivide l energia in intervalli E abbastanza grandi da contenere un
numero gi (degenerazione) sufficientemente grande di stati x aventi energie
i1, i2, i3,
Tale che sia
E <<Ei gi >> 1 Ni>> 1
Avr quindi una ripartizione delle

particelle nei vari intervalli,
caratterizzata dalle Ni e tale per cui
N i =N

Particelle indistinguibili: FERMIONI
gi stati
Ni fermioni
gi- Ni stati vuoti p1 p2 p3 p4 p5
I gi stati possono essere occupati in gi! modi diversi

Per ciascuno di questi modi vi sono (gi-Ni) stati liberi che possono essere
realizzati in (gi-Ni)! modi diversi indistinguibili
Anche gli Ni! modi di scegliere gli stati occupati sono equivalenti perch le
particelle sono indistinguibili
gi !
Wi =
N i !(g i N i )!
gi !
In totale i modi possibili sono: W =
N i !( g i N i )!

Particelle indistinguibili: BOSONI
gi stati
Ni bosoni
gi- 1 setti mobili
Descrizione della configurazione:

combinazione di Ni+ (gi-1) oggetti
Il numero di disposizioni possibili di particelle e setti :
[ (
Wi ' = N i + g i 1 ! )]
Di queste Ni! rappresentano diverse disposizioni delle particelle (indistinguibili) e
(gi-1)! sono le disposizioni dei setti (che non comportano modifiche al sistema)
[N + (g
i i ]
1) !
W =
[N + (g
i i )]
1 !
Wi =
N i !(g i 1)! N i !( g i 1)!

Particelle indistinguibili: sistema diluito
IPOTESI: Ni<<gi e particelle indistinguibili

Particelle indipendenti
L occupazione di uno stato non modifica significativamente il numero di stati

disponibili, quindi possibilit di mettere Ni particelle nello stato i
ordinatamente: ' N
Wi = g i g i K g i = g i i
ciascuna di queste pu essere ottenuta in Ni! modi diversi, cambiano lordine

delle particelle. Poich le particelle sono indistinguibili tutti questi modi sono
fisicamente identici, ed il numero di configurazioni fisicamente differenti :
STATI IDENTICI
Ni
g
Wi ' = i
Ni!
g Ni
In totale i modi possibili sono: W =
Ni!

Particelle indistinguibili: sistema diluito
gi !
Fermioni W =
N i !( g i N i )!
Bosoni W =
[N + (g
i i )]
1 !
N i !( g i 1)!

Confronto dei risultati
Numero di modi W associato ad una certa configurazione
Particelle distinguibili g Ni
S
MAXWELL-BOLTZMANN
W = N !
i =1 N i !
Particelle indistinguibili gi !
Fermioni W =
FERMI-DIRAC N i !( g i N i )!
g Ni
W =
Ni!
Particelle indistinguibili
Bosoni W =
[N + (g
i i ]
1)!
Sistema
BOSE-EINSTEIN N i !( g i 1)! diluito

Per la risoluzione di un problema di massimizzazione vincolata si pu applicare

il metodo dei moltiplicatori di Lagrange che riduce lanalisi ad una
massimizzazione semplice di una funzione in Ni.
Ragioniamo come se le variabili N1, ..., NS siano continue e non discrete.

Calcoliamo il massimo della funzione lnW, invece che di W per il seguente
motivo:
ln W 1 W
=
N i W N i
i massimi di W, sono anche i massimi di lnW essendo W>0.

Quindi invece di cercare il massimo di W, calcoliamo il massimo per la funzione
lnW.
Utilizzamo lapprossimazione di Stirling, nellipotesi Ni>>1.

S S
L( N 1 , K, N s , , ) = ln W N i N i N i E
i =1 i =1
La condizione necessaria per avere un estremo (massimo) che le derivate
parziali si annullino:
S
L

=0 N
i =1
i =N
S
L

=0
i =1
i Ni = E
ln W Fornisce i valori N1, ...,

L E = 0
=0 NS per la distribuzione
N i N i pi probabile

Statistica di Fermi-Dirac
Stirling
gi ! gi
W = ln W ln 1N i
N i !( g i N i )! Ni
Distribuzione
Ni 1 ln W
ni = = i E = 0
gi e e + 1 N i


Statistica di Bose-Einstein
Stirling
W =
[N + (g
i i ]
1)! gi
ln W ln

+ 1N i
N i !( g i 1)! Ni
Distribuzione
Ni 1 ln W
ni = = i E = 0
gi e e 1 N i


Confronto dei risultati
g Ni
S
Ni 1
W = N ! ni = = i
i =1 N i ! gi e e
gi ! Ni 1
W = ni = = i
N i !( g i N i )! gi e e + 1
W =
[N + (g
i i 1 ! )] ni =
Ni 1
= i
N i !(g i 1)! gi e e 1

Distribuzione di Fermi-Dirac
F ENERGIA
DI FERMI
1
f FD ( ) = F
e kT
+1
Landamento di questa distribuzione molto particolare:
Il termine esponenziale ha limiti diversi per T 0 a seconda che
lenegia sia maggiore o minore dellenergia di Fermi:
1 < F

f FD ( ) =
0 > F

Per = F fFD = 1/2

Effetti della temperatura sulla distribuzione di Fermi-Dirac
F ENERGIA
DI FERMI
1
f FD ( ) = F
e kT
+1
T=0 T>0
Allontanandosi dalla condizione T=0 la cassetta si smussa

1
f MB ( ) = F
kT
e
1
f FD ( ) = F
e kT
+1
La distribuzione di Maxwell-Boltzmann un caso limite di quella di Fermi-

Dirac per energie molto alte, se tuttavia lenergia cala, per i fermioni la
probabilit di occupazione di uno stato su un livello energetico a energia
E segue una via diversa e per energie pari a EF, detta Energia di Fermi,
vale .

Confronto:Fermi-Dirac e Maxwell-Boltzmann
1 1
f MB ( ) = F
f FD ( ) = F
e kT
e kT
+1
La distribuzione di Maxwell-Boltzmann prevede che a basse temperature

sia lo stato a minore energia ad essere popolato sempre pi in proporzione
ai livelli eccitati
MOLECOLE FERMIONI
Nel caso dei fermioni, esiste un valore
T=0 T=0
massimo di popolazione (al max la
generazione dei livelli)
E
Nel limite di T 0, le particelle riempiranno E=EF
tutti i livelli ad energia minima
compatibilmente col principio di
esclusione, fino al livello EF
E=0

T=0 T=bassa T=alta
E
E=EF
E=0
Livelli energetici e energia di Fermi

Confronto tra le statistiche

!"
#

#

"
1 1 1
f MB ( ) = F
f FD ( ) = F f BE ( ) = F
e kT
e kT
+1 e kT
1
E -> 0 (cio per T -> 0 ma T
0)
GAS DI BOSONI: si origina una

condensazione del gas stesso, cio, i
bosoni costituenti il gas tendono ad
occupare tutti lo stesso stato energetico
(E = E0)
GAS DI FERMIONI: un solo fermione si

trover nello stato a cui compete
energia zero, tutti gli altri andranno ad
occupare stati ad energia superiore fino
a che non siano esauriti i fermioni stessi
(livello energetico EF).

Distribuzione di Bose-Einstein
1
f BE ( ) = F
e kT
1
Il significato fisico della distribuzione per i BOSONI completamente
differente di quella per i FERMIONI non esiste alcun vincolo superiore
alloccupazione di un qualunque livello energetico
MOLECOLE BOSONI FERMIONI

T=0 T=0 T=0
E
E=EF
E=0

Gas di Fermi
E. Fermi
P. Dirac

Gas di Fermi
Densit degli stati: N particelle indistinguibili in una scatola cubica
Si abbiano N particelle in una scatola di volume V=L3.
All interno della scatola il potenziale nullo e lequazione di Schrdinger
indipendente dal tempo di ogni particella :
h 2 2 2
2 + 2 + 2 (r ) = E (r )
2m x y z
La funzione donda normalizzata al volume V fattorizzabile e risulta essere:
n1 n2 n3
k (r ) = Asen x sen y sen z
L L L
Con ni interi positivi. Questa unonda stazionaria.
n1 n 2 n3
con k1 = k2 = k3 = n = 0,1,2 K
L L L
Gas di Fermi
Densit degli stati: N particelle in una scatola cubica
Essendo:
h2 2
E= k
2m
I valori di energia sono:
2
h 2
2
E= 2
(
2 2 2 2
n1 + n2 + n3 = E0 n1 + n2 + n3
2m L
) ( )

Gas di Fermi
N particelle in una scatola cubica: densit degli stati
Nel guscio sferico di spessore dk si trovano dS
stati, la densit degli stati definita come:
dS
g (E ) =
dE
2
dS V k h2 2
g (k ) = = E= k
dk 2 2m
2 3
1 2m 2 1 2
g (E ) = 2 VE
2 h

Gas di Fermi
Densit degli stati

Gas di Fermi
Calcolo della funzione di partizione
Nota la densit degli stati:

2 3
1 2m 2 1 2 1
g ( ) = 2 V = BV 2
2 h
Calcolo la funzione di partizione:
Z = g ( )e 3 2
d Z = g ( )e
d = BV 2
0 0
2
3
m 2 32
Z = 2
V
2h

Gas di Fermi
Calcolo di e
1 3
3 2
m 2 32
Z = BV 2 Z = 2
V
2 2h
V m 32 3
= ln Z ln N = ln 2
N 2h 2

1
=
KT non lo dimostriamo...

Gas di Fermi
2 3
1 2m 2 1 2 1
g ( ) = 2 V = BV 2
2 h
1
Numero medio di particelle per stato dn = g (E ) E EF
dE
e KT
+1
1 dn
Funzione di distribuzione f (E ) =
N dE
Distribuzione V 2m 3 E 1/ 2
di Fermi-Dirac f (E) = 2
8 h 3 e E EF KT + 1

Gas di fotoni
A. Einstein
S. N. Bose

Gas di Fotoni
Studio del gas di fotoni come applicazione della statistica di Bose-Einstein.
Consideriamo un volume di spazio nel quale onde elettromagnetiche sono in
equilibrio termico con le pareti del contenitore.
I fotoni, trattati come particelle quantistiche, rappresentano onde elettromagnetiche
e per soddisfare le condizioni al contorno con le pareti devono venire associate
con onde che si annullano ai bordi.
Le condizioni di quantizzazione periodica per il numero donda k sono:
n1 n 2 n3
k1 = k2 = k3 =
L L L
Quindi essendo p = hk e E = cp
h hc
p=
2L
(n
2
1 + n22 + n32 ) E=
2L
(n
2
1 + n22 + n32 )
Gas di Fotoni
Densit degli stati
Ci interessa la densit degli stati g(E)=ds/dE.
Consideriamo lo spazio 3D con coordinate n1, n2 e n3,
raggio n, ed elemento di volume sferico 4 n2dn. Ci si
limita ad un ottante di sfera, e si considerano 2 modi di
polarizzazione distinti:
ds 1
g (n)dn = dn = 2 4n 2 dn
dn 8
dn hc hc
g ( E ) = g (n( E )) E= n dE = dn
dE 2L 2L
8L3 2
g (E) = 3 3 E
hc

Gas di Fotoni
Distribuzione di Bose-Einstein
8L3 2
g (E) = 3 3 E
hc
1
Numero medio di particelle per stato dn = g (E ) E
dE
e KT
1
1 dn
Funzione di distribuzione f (E ) =
N dE
Distribuzione
di Bose-
8L3 E 2
f (E) = 3 3 E
Einstein h c e KT 1

Legge di Rayleigh/Jeans
Uno degli insuccessi della teoria classica ondulatoria il calcolo della
radiazione emessa da un corpo nero.
Rayleigh e Jeans descrissero la distribuzione di intensit I delle onde emesse
in funzione della lunghezza donda , modellando la radiazione di corpo nero
come quella proveniente da un insieme di oscillatori che possono emettere ed
assorbire radiazione ad ogni frequenza:
dI KT
= 2c 4
d
Il calcolo di Rayleigh e Jeans
riproduce i dati sperimentali solo per
grandi , per piccole la formula
errata
CATASTROFE ULTRAVIOLETTA

Legge di Planck
Nel 1900 Planck propose una teoria della radiazione di corpo nero che
riproduceva i dati sperimentali a tutte le lunghezze donde.
La legge di radiazione postulata da Planck :

dI 1 hc
= 2c 5 hc
d e KT 1

Legge di Planck
dI 1 hc dI 8 h 3
= 2c 4 hc = 3 h
d e KT 1 d c e KT 1
Partendo dalla legge di radiazione postulata da Planck si trova:
Alte lunghezze donda (h<<KT) dI 8KT

= 2
Legge di Rayleigh-Jeans d c3
dI 3 8h KB
h
Basse lunghezze donda (h>>KT)
= e
Legge di Wien d c 3

Legge di Planck
Il problema era quello di giustificare la legge di Planck.

Fu Einstein a rendersi conto che Planck aveva introdotto un nuovo concetto
nella fisica: il quanto di luce.
Oscillatori armonici classici = KT

dI 8KT
Legge di Rayleigh-Jeans = 2
d c3
h
Oscillatori armonici quantistici = h
e KT
1
dI 8 h 3
Legge di Planck = 3 h
d c e KB 1

Legge di Planck
8L3 E 2
Distribuzione di Bose-Einstein f (E) = 3 3 E
h c e KT 1
U ( ) = dnE / V
8 h 3
Legge di Planck u ( ) = 3 h
c e KB 1
Abbiamo dunque ricavato il modello di quantizzazione della radiazione
elettromagnetica, che in eccellente accordo con gli spettri di emissione
osservati per un corpo nero in equilibrio termico.
Inoltre, la legge di Planck ora pienamente giustificata da una trattazione
statistica nella quale i fotoni sono descritti in termini della quantistica bosonica.


2. Statistica classica (Maxwell-Boltzmann)

Metalli Circa i tre quarti degli elementi chimici conosciuti sono metalli.
IA
IIA IIIA IVA VA VIA
IIIB IVB VB VIB VIIB VIIIB IB IIB
La linea rossa divide i metalli dai non metalli
Alcalini METALLI Gas nobili

Terre rare
Alcalino terrosi Alogeni
Altri metalli
Transizione Non metalli

Metalli
Metalli con elettroni di valenza in orbitali s e p
Gli elettroni pi esterni di un atomo che sono coinvolti in un legame sono
chiamati elettroni di valenza. Gli elettroni del nocciolo non vengono coinvolti
nel legame. Il numero degli elettroni di valenza eguale al numero del gruppo.
ALCALINI
Gruppo IA
1 elettrone di valenza in un orbitale s
ALCALINO-TERROSI
Gruppo IIA
2 elettroni di valenza in un orbitale s
Gruppo IIIA
2 elettroni di valenza in un orbitale s,
1 in orbitale p

Metalli
Metalli con elettroni di valenza in orbitali s e p
Gruppo IVA
2 in orbitale p
Gruppo VA
3 in orbitale p
Gruppo VIA
4 in orbitale p

Metalli
Metalli di transizione
La pi numerosa famiglia di metalli quella degli elementi di transizione,

comprendente 33 membri; in essa gli elettroni di valenza sono disposti
secondo regole non semplici negli orbitali d ed s. La famiglia stata suddivisa
in otto gruppi.
Gruppi: IB-VIIIB
Lantanidi e attinidi
Gli elettroni di valenza in questi metalli sono disposti secondo regole

complicate negli orbitali f e s.

Strutture cristalline
14 Reticoli

Metalli

Metalli
Il 90% dei metalli presenta struttura:
cubica a corpo centrato
esagonale compatta
cubica a facce centrate

Metalli
Sono strutture ad alto impacchettamento

Metalli
Il legame metallico
I metalli sono caratterizzati da un alta conducibilit elettrica ed in un metallo un
gran numero di elettroni (in genere 1 o 2 per atomo) libero di muoversi
liberamente (elettroni di conduzione).
Il legame metallico dovuto alla nuvola
di elettroni liberi e presenta energie di
legame modeste rispetto a gli altri legami
(ionico, covalente) quindi po essere
considerato un legame debole.
I metalli hanno bassa energia di
ionizzazione (quantit di energia
necessaria per strappare un elettrone a
un atomo neutro) quindi i loro elettroni
esterni sono attratti debolmente dai
rispettivi nuclei, e se ne separano
facilmente.

Gas di elettroni liberi: modello di Drude

Secondo Drude tutti gli elettroni di
valenza diventano conduttori di
elettricit e sono chiamati elettroni di
conduzione.

Assunzioni del modello di Drude

!

!
" #
%&

' ()!*

3
m 2 2 mv 2 2 KT
F (v ) = 4 ve
2KT


,

" - !.
#
La teorica classica di Drude non spiega:

capacit termica
cammino libero medio elettronico l = v

Gas di elettroni liberi: modello di Sommerfeld
/ /

.! 0
' ()!*

! .!
Assunzioni del modello di Sommerfeld

!

!
" #
%&


F ENERGIA DI FERMI
1
Distribuzione di Fermi-Dirac f FD ( ) = F
e kT
+1
Il termine esponenziale ha limiti diversi per T 0 a seconda che

lenegia sia > o < dell energia di Fermi:
1 < F

f FD ( ) =
0 > F
Per = F, allora fFD=1/2

T=0 T>0
Allontanandosi dalla condizione T=0 la cassetta si smussa

Si definisce temperatura di Fermi TF EF/ k.
T = TF T >> TF
Quando T >> TF, fFD tende a diventare un esponenziale decadente.

1
f MB ( ) = F
kT
e
1
f FD ( ) = F
e kT
+1
La distribuzione di Maxwell-Boltzmann un caso limite di quella di Fermi-

Dirac per energie molto alte, se tuttavia lenergia cala, per i fermioni la
probabilit di occupazione di uno stato su un livello energetico a energia
E segue una via diversa e per energie pari a EF, detta Energia di Fermi,
vale .

Confronto:Fermi-Dirac e Maxwell-Boltzmann
1 1
f MB ( ) = F
f FD ( ) = F
e kT
e kT
+1
La distribuzione di Maxwell-Boltzmann prevede che a basse temperature

sia lo stato a minore energia ad essere popolato sempre pi in proporzione
ai livelli eccitati
MOLECOLE FERMIONI
Nel caso dei fermioni, esiste un valore
T=0 T=0
massimo di popolazione (al max la
generazione dei livelli)
E
Nel limite di T 0, le particelle riempiranno E=EF
tutti i livelli ad energia minima
compatibilmente col principio di
esclusione, fino al livello EF
E=0

T=0 T=bassa T=alta
E
E=EF
E=0
Livelli energetici e energia di Fermi

Buca di potenziale infinita: 1 dimensione
123
Buca di potenziale infinita: 1 dimensione

Buca di potenziale infinita: 2 dimensioni
125
Densit degli stati: N elettroni in una scatola cubica
Si abbiano N elettroni in una scatola di volume V=L3.
All interno della scatola il potenziale nullo e lequazione di Schrdinger
indipendente dal tempo di ogni particella :
h 2 2 2
2 + 2 + 2 k (r ) = k k (r )
2m x y z
La funzione donda normalizzata al volume V fattorizzabile e risulta essere:

Si abbiano N elettroni in una scatola di volume V=L3.
1
8 2 n n n
k (r ) = sen 1 x sen 2 y sen 3 z
V L L L
Con ni interi positivi. Questa unonda stazionaria.

Funzioni donda che soddisfino alle condizioni periodiche agli estremi:
k ( x, y , z ) = k ( x + L , y , z )
Ugualmente per y e z.
Le funzioni donda che soddisfano allequazione di Schrdinger stazionaria,
alla normalizzazione sul volume e alle condizioni di periodicit sono onde
piane della forma: 1
1 2 ik r
k (r ) = e
V
2n
Con k = n = 0,1,2 K
L

h2 2 h2 2
I valori di energia sono: =
2m
k =
2m
(
k x + k y2 + k z2 )
2
Lampiezza del vettore donda k legato alla lunghezza donda: k=

Nello stato fondamentale di un sistema ad N kz
elettroni liberi gli stati occupati possono essere
rappresentati come punti allinterno di una sfera
nello spazio k. Lenergia sulla superficie della
sfera detta energia di Fermi:
kF
h2 2
F = kF
2m kx ky

Energia di Fermi
2n
k =
L 4 3
k F
3 V 3
2 3
= 2
kF = N
2 3

L
2 1
h 3 N
2 2 3 3 N
2 3
F = k F =
2m V V

1 2 1
3 N
2 3
h 3 N
2 2 3
hk F h 3 N
2 3
k F = F = vF = =
V 2m V m m V
F
TF =
K

Nel guscio sferico di spessore dk si trovano dS
stati, la densit degli stati definita come:
dS h2 2
g (E ) = E= k
dE 2m
2
dS V k
g (k ) = =
dk 2
Densit degli stati per lelettrone libero
3
V 2m 2 1 2
g ( ) = 2 2
2 h

Densit degli stati

Densit degli stati
3
V 2m 2 1 2
Densit degli stati per lelettrone libero g ( ) = 2 2
2 h
KT
Densit di stati pieni ad

una temperatura finita T
f ( , T )g ( )
Stati pieni a T=0

Capacit termica
Il modello di Drude non spiga la capacit termica dei metalli.
E
CV = = N A
T V T V
La meccanica statistica classica
prevede che una particella libera 3
CV = K
puntiforme abbia capacit termica 2
Secondo Drude tutti gli elettroni di valenza diventano conduttori di elettricit
Quindi per un metallo con N atomi 3

CV = NK
(1 elettrone di valenza) 2
Sperimentalmente il contributo elettronico a temperatura ambiente non pi
dell 1% di questo valore !!!

Capacit termica
Modello di Sommerfeld: non tutti gli elettroni per riscaldamento dallo zero
assoluto acquistano unenergia KT. Solo quegli elettroni che appartengono
a stati entro lintervallo di energia KT rispetto al livello di Fermi vengono
eccitati termicamente.
Se N il numero totale di elettroni, soltanto una frazione dellordine di T/TF
pu essere eccitata termicamente alla temperatura T
Ciascuno di questi NT/TF elettroni ha
unenergia dellordine di KT:
NT Energia termica
Eel KT totale degli
TF elettroni
Eel T
Cel = NK
T TF
Capacit termica TF 2-6 104 k
Ricaviamo espressione per la capacit
termica valida a basse temperature KT << KTF = EF

Eel f f
Cel =
T
=
T 0
Eg ( E ) fdE =
0
Eg ( E )
T
dE g ( E F
)
0
E
T
dE
1 2
Cel = g (E F )KT
3
3
V 2m 2 1 2
g ( ) = 2 2
2 h 1 2 T
2 C el = NK
h 3 N
2 2 3 2 TF
F =
2m V

Capacit termica sperimentale
A temperature inferiori alla temperatura di Fermi la capacit termica a volume

costante nei metalli segue la relazione:
C = C el + C ret = T + AT 3
Contributo reticolare
Contributo elettronico
predomina a basse
temperature

Capacit termica: risultati sperimentali
1 2 T m 2 N 0 K 2
C el = NK = T
3 (
TF h 2 3 2 N / V 32
)
f
C
C = C el + C ret = T + AT 3 = + CT 2
T
Si usa introdurre una massa efficacie dellelettrone di valenza mte*
sper mte* e- valenza - e- valenza

Correzione dovuta a interazione: e- valenza - reticolo
f m
e- valenza - fonone

Capacit termica: risultati sperimentali
sper mte*

f m

Fononi
In una vibrazione reticolare lenergia quantizzata.

Il quanto di energia associato allonda elastica il FONONE, in analogia col
fotone, quanto di energia delle onde elettromagnetiche.
Il fonone interagisce con altre particelle e campi come se avesse un momento
p = hK

Conduzione: effetto del campo elettrico
Impulso di un elettrone libero
p = hk E=0
In un campo elettrico E la forza F che
agisce sullelettrone
dp dk
F= =h = eE
dt dt
In assenza di collisioni la sfera di Fermi
risulta traslata (dopo dt) di:
E 0
dt
dk = F
h
Conduzione: effetto del campo elettrico
Quando la forza applicata viene tolta i processi di collisione (degli elettroni con
impurezze, imperfezioni reticolari e fononi) tendono a riportare il sistema nel
suo stato stazionario.
Se il tempo di collisione , lo spostamento della sfera di Fermi all equilibrio

dk = F
h
Conduzione: legge di Ohm
Questo spostamento contribuisce a ciascun F e

elettrone ad un incremento della velocit:
dv = = E
m m
Se vi sono n elettroni per unit di volume, la e2

densit di corrente elettrica : j = nedv = n E
m
La relazione per j ha la forma della legge di e2

Ohm, e la conduttivit elettrica:
j = E =n
m
1 m
La resistivit elettrica : = =
ne 2

Libero cammino medio elettronico
m
Tempo di rilassamento =
e2n
ove n la densit degli elettroni di conduzione
Il libero cammino medio l = vF

Libero cammino medio elettronico: confronto modello di Drude

e modello di Sommerfeld
e2 m
Legge di Ohm: =n = 1014 s
m e2n
Drude: Maxwell-Boltwmann
1 2 3
mv = KT v 10 7 cms 1 l = v 10 A&
2 2
Sommerfeld: Fermi-Dirac
1 2
mv = E F v F 108 cms 1 l = vF 100 A&
2
A temperatura ambiente per il rame
2 10 14 s l 3 10 8 m = 300 A&
Resistivit elettrica sperimentale
La resistivit elettrica calcolata secondo il
1
m
= = 2
modello ad elettroni liberi: ne
La resistivit elettrica: = L + i Scattering degli elettroni

da impurezze
Agitazione termica del Basse temperature
reticolo
Alte temperature
Resistivit residua i

Resistivit elettrica sperimentale
L T T >>
La resistivit elettrica: = L + i
L T 5 T <<

Conduttivit termica
La conduttivit termica K di un solido definita come:
T
Q=K
x
Ove Q il flusso di energia termica (energia trasmessa in unit di area e tempo).

Il processo di conduttivit termica pu essere descritto mediante un processo di
urti. Si trova dalla teoria cinetica dei gas che la conduttivit termica pu essere
espressa mediante la capacit termica C, la velocit media delle particelle v e il
libero cammino medio l, dalla seguente relazione:
1
K = Cvl
3

Conduttivit termica
1
K = Cvl
3
Utilizzando le relazioni ricavate nel modello ad elettroni liberi di Sommerfeld:
1 2 T 1 2 F
Cel = NK F = mvF TF = vF l =
3 TF 2 K
Si ottiene che il contributo elettronico alla conduttivit termica :
2 nK 2T
K el =
3m
In generale, nei solidi la conduttivit termica somma di un contributo
elettronico ed uno fononico:
K = K el + K fon
Nei metalli a temperatura ambiente il contributo dominante quello
elettronico.

Legge di Widemann-Franz
La legge di Widemann-Franz stabilisce che per i metalli il rapporto tra

conduttivit termica ed elettrica direttamente proporzionale alla
temperatura, con valori della costante di proporzionalit indipendenti dal
metallo stesso.
e2 2 nK 2T
=n K=
m 3m
Legge di K 2 K2
Widemann-Franz = 2
T = LT
3 e Numero di Lorentz
2.54 10-8 W /K
2
L non dipende ne da m ne da n!!!

Legge di Widemann-Franz: conferme sperimentali
Legge di K 2 K2
Widemann-Franz = 2
T = LT
3 e Numero di Lorentz
2.54 10-8 W /K
2
SUCCESSO MODELLO ELETTRONI LIBERI

Modello ad elettroni liberi
Modello di Drude Modello di Sommerfeld
Distribuzione di Distribuzione di
Maxwell-Boltzmann Fermi-Dirac
e2 m 14 e2 m
Legge di Ohm =n = 10 s =n = 1014 s
m e2n m e2n
OK OK
1 2 3 1 2
mv = KT v 107 cms 1 mv = EF vF 108 cms 1
Libero cammino 2 2 2
medio elettronico
l = v 10 A& OK
l = vF 100 A&
3 1 T
Capacit termica Cel = NK C el = 2 NK
2 2 TF
OK
Legge di K 3 K2 K 2 K2
Widemann-Franz
= 2
T = 2
T
2 e 3 e
OK OK


Limiti del modello ad elettroni liberi
Il modello a elettroni liberi molto semplice, ma funziona molto bene per

diversi metalli, ad es. gli alcalini, Mg, Al, ecc. nei quali la sovrapposizione fra i
vari livelli molto alta.
Tuttavia, in altri casi, nei quali la sovrapposizione meno ampia, il modello
non sufficiente.
Inoltre, il modello non spiega perch alcuni elementi chimici cristallizzano in

modo da diventare buoni conduttori di elettricit, mentre altri diventano isolanti,
altri ancora semiconduttori, con propriet elettriche che variano notevolmente a
seconda della temperatura
Si deve, allora, passare ad un modello pi complesso che tiene conto della

interazione degli elettroni con gli ioni che formano la struttura cristallina e
che rappresentano una successione regolare di buche di potenziale.

Metalli, isolanti e semiconduttori
Resistivit e conduttivit elettrica
La conduttivit e la resistivit elettrica a

temperatura ambiente sono molto
differenti per le tre tipologie di solidi:


Metalli, isolanti e semiconduttori
Resistivit elettrica
Come variano la resistivit con la temperatura?
Metalli: Gli elettroni sono liberi di muoversi. La conducibilit diminuisce con
la temperatura.
Semiconduttori. Allo zero assoluto non c conducibilit elettrica e la
conducibilit cresce con la temperatura.
Isolanti: Conducibilit zero in un ampio intervallo di temperature.

Bande di energia
Supponiamo di avere N atomi identici

isolati: presentano livelli energetici con la
stessa energia
Ma mano che si avvicinano gli atomi, un

particolare livello energetico dellatomo
isolato si scinde in N livelli energetici
differenti
Nel caso di un solido i livelli energetici sono

cos vicini che appaiono come un continuo:
si crea una banda di energia.

Bande di energia

Modello a bande di energia
Elettrone non libero, ma soggetto ad un potenziale periodico dovuto

agli ioni che formano la struttura cristallina e che rappresentano una
successione regolare di buche di potenziale
Il modo pi semplice per studiare il moto

in un potenziale periodico consiste nel
sostituire il potenziale reale con una
sequenza regolare di buche quadrate
(Potenziale di Kroning e Penney). b a
Le soluzioni dellequazione di Schrdinger per un potenziale periodico ,

ovviamente, pi complessa di quella del modello a elettroni liberi.

Le soluzioni delleq. di Schrdinger per un

potenziale periodico , ovviamente, pi
complessa di quella del modello a elettroni
liberi.
b a
Lampiezza dellonda non pi costante ma periodica in x, come il potenziale,

per cui la forma non pi
(x) = Aeikx ma (x) = uk(x) eikx Teorema di Bloch
con uk(x) funzione periodica: uk(x) = uk(x + a)= uk(x + na)
per cui la funzione donda totale
(x,t) = uk(x)e(ikx-it)
En(k)= En(k+K)

Teorema di Bloch
En(k)= En(k+K)
E una funzione continua e periodica in k.

La periodicit in k comporta lapertura dei gap.
Le bande permesse sono separate da intervalli di energia vietati (bande vietate o

band gaps). Cio (in quella direzione) lelettrone non pu propagarsi con quelle energie.
Bande di energia
Le bande possono essere ampiamente distanti tra di loro, vicine o addirittura
sovrapposte: la loro configurazione che determina le propriet elettriche
dei solidi.
SODIO METALLICO SEMICONDUTTORE

Bande di energia
Gli elettroni nei solidi sono disposti in bande di energia, separate da

regioni nelle quali non sono permessi stati elettronici (intervalli proibiti).

Bande di energia: metallo
La banda di valenza parzialmente piena e/o comunque si sovrappone

alla banda di conduzione.
Gli elettroni possono occupare facilmente uno qualsiasi dei livelli e quindi
ritrovarsi associati ad un qualsiasi atomo.
Questa abbondanza di portatori liberi di muoversi fa dei metalli degli ottimi
conduttori di corrente.

Bande di energia: metallo
T>0
EC,V
EF Banda di
Funzione valenza
di Fermi parzialmente
E=0 piena

!


Bande di energia: isolante
La banda di valenza, completamente piena,
molto distante dalla banda di conduzione. Affinch
un elettrone riesca a passare dalla BDV alla BDC
necessario fornire una energia almeno pari al gap.
Questa energia, negli isolanti, ben maggiore della
energia termica degli elettroni, per cui la transizione
altamente improbabile.
In termini di legami, gli atomi sono interessati da
legami tanto forti che difficilmente vengono rotti per
mettere in libert un elettrone che possa trasportare
corrente.
Nella banda di valenza piena non possibile la
conduzione perch gli elettroni possono solo
scambiarsi tra di loro le posizioni ma non dare luogo
ad un flusso netto di carica.
Un ottimo isolante, molto usato nella realizzazione di
dispositivi elettronici, lossido di silicio, SiO2, il cui gap
vale Eg=8eV.

Bande di energia: isolante
Banda di
conduzione
T>0 vuota
EC
Egap
EF
Funzione
di Fermi Banda di
EV
valenza
piena

#$%& '(

!

)*)

Bande di energia: semiconduttore
La banda di valenza e di conduzione

sono abbastanza vicine (0.2<EG<2eV) per
cui non impensabile fornire ad un elettrone
di valenza una quantit di energia che gli
permetta di raggiungere la conduzione.
I semiconduttori hanno principalmente
legami covalenti. Nella rappresentazione a
legami, questo equivale a dire che il legame
covalente pu, con relativa facilit, venire
spezzato ed il suo elettrone diventare libero
e quindi capace di condurre corrente.

T>0 Banda di
conduzione
parzialmente piena
EC
Funzione Egap EF
di Fermi
EVBanda di valenza
parziamente
piena

+

#,& '(

!



Semiconduttori
IA VIIIA
IIA IIIA IVA VA VIA VIIA

1 H He

2 Li Be B C N O F Ne

IIIB IVB VB VIB VIIB VIIIB IB IIB
3 Na Mg Al Si P S Cl Ar

4 K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se Br Kr
5 Rb Sr Y Zr Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb Te I Xe

6 Cs Ba Hf Ta W Re Os Ir Pt Au Hg Tl Pb Bi Po At Rn

7 Fr Ra

Lantanidi
La Ce Pr Nd PmSm Eu Gd Tb Dy Ho Er Tm Yb Lu
Attinidi
Ac Th Pa U Np Pu AmCm Bk Cf Es FmMd No Lr
I materiali semiconduttori appartengono alle colonne IV (Si, Ge), III-V (GaAs, InP,
GaN, InSb), II-VI (CdSe, CdTe), IV-VI (PbS, PbSe).
I semiconduttori hanno una struttura cristallina, con legami (completamente o

parzialmente) covalenti tra gli atomi
Semiconduttori
Configurazioni elettroniche

Semiconduttori
Struttura cristallina
I semiconduttori di maggiore interesse hanno una

struttura tipo cubico a facce centrate (fcc).
La base e formata da due atomi, uno a (000), laltro
ad a/4 (111)
La struttura reale puo essere pensata come formata
da due reticoli fcc interpenetrati.
Se i due atomi della base sono uguali si parla di
struttura del diamante, se sono diversi di struttura a
zincoblenda.
(1/4,1/4,1/4)
(0,0,0) (0,0,0)
BASE

Semiconduttori
1. Semiconduttri elementari
Struttura
Si, Ge Diamante
2. Semiconduttori binari
Struttura
InP, GaAs Zincoblenda

Semiconduttori
Alcuni importanti semiconduttori hanno una struttura esagonale compatta

(hcp), corrispondente a 3 layer successivi di sfere ad alto impaccamento nelle
posizioni A, B, A.
La base e formata da due atomi.
Struttura wurzite

Semiconduttori
Silicio
Ogni atomo di Si si lega con altri 4 atomi
La disposizione spaziale perfettamente simmetrica con gli atomi ai vertici di
un tetraedro
Tetraedri contigui si legano a formare il cristallo mediante legami covalenti
In 1 cm3 di silicio ci sono 51022 atomi

Semiconduttori
Altri semiconduttori
Germanio (Ge)
Composti binari dei gruppi III-V:
GaAs, InP, GaN,
Composti ternari o quaternari:
GaAlAs, AlInGAP, InGaN,
Composti binari dei gruppi II-VI:
CdTe, CdSe,

La banda di valenza e di conduzione

sono abbastanza vicine (0.2<EG<2eV)
per possibile di pensare di fornire ad un
elettrone di valenza una quantit di
energia che gli permetta di raggiungere
la conduzione.

Bande di energia
ASSORBIMENTO EMISSIONE SPONTANEA
E2
E1
Un elettrone in BDV assorbe un fotone L'emissione spontanea rappresenta il

viene eccitato in BDC. processo inverso allassorbimento: si
Affinch questo avvenga necessario manifesta quando lelettrone dalla BDC
che l'energia del fotone h sia si riporta alla BDV emettendo un fotone
maggiore o uguale alla differenza di di energia pari a
energia tra i due livelli energetici
coinvolti nella transizione h = E2 E1 = E gap
h E2 E1 = E gap
Semiconduttore a gap diretto
Nel caso di un semiconduttore a band-gap diretto il massimo

dell'energia nella banda di valenza ed il minimo in quella di
conduzione si presentano per lo stesso valore del vettore d'onda k.
Nei semiconduttori a gap diretto, un elettrone nella banda di
conduzione pu subire una transizione energetica verso un livello
vuoto della banda di valenza, emettendo un fotone, senza che
siano necessari cambiamenti del vettore d'onda.

Semiconduttore a gap indiretto
Nel caso di gap indiretto invece, (Si o Ge), la transizione di un

elettrone tra la banda di conduzione e quella di valenza deve
coinvolgere anche una variazione del vettore d'onda. In altre parole,
la transizione pu avvenire solo se si verifica anche una interazione
con una unit quantica che descrive l'oscillazione meccanica, ovvero
un fonone del cristallo. Questo, ovviamente, riduce la probabilit delle
transizioni indirette phonon-assisted transition.

Propriet ottiche
Solo i materiali a gap diretto permettono di realizzare dispositivi per applicazioni
fotoniche (laser, LED, ) efficienti, essendo la probabilit di transizioni
elettroniche estremamente elevata.
Semiconduttori a
gap diretto
tipicamente
impiegati sono
GaAs, InP, InAs,
InGaAs, InGaAsP.

Semiconduttori
Band gap dei principali semiconduttori

T>0 Banda di
conduzione
parzialmente piena
EC
Funzione Egap EF
di Fermi
EVBanda di valenza
parziamente
piena

!" #$

%

&


Legge dellazione di massa
Vogliamo dapprima determinare il numero di elettroni eccitati nella banda
di conduzione ad una certa temperatura T.
1
Distribuzione di Fermi : f FD ( ) =
e kT
+1
con livello di Fermi.
Alle temperature di interesse: -

>> KT
(KT=25meV a T ambiente)

f e ( ) e kT
Descrive la probabilit che uno stato di

conduzione elettronico sia occupato

Densit degli stati
Densit degli stati
3
V 2m 2 1 2
Densit degli stati per lelettrone libero g ( ) = 2 2
2 h
KT
Densit di stati pieni ad

una temperatura finita T
f ( , T )g ( )
Stati pieni a T=0

h 2k 2
Energia di un elettrone in banda di conduzione: = EG +
2me
Il numero di stati (per unit di volume) con energia tra e +d:
3
1 2m 2 1
De ( )d = 2 2 e ( EG ) 2 d
2 h
Il numero di elettroni in banda di conduzione per

unit di volume sono:
3 EG
2me KT 2
n = f e ( )De ( )d = 2 2 e kT
EG h


Funzione di distribuzione per le lacune f h ( ) = 1 f e ( ) e kT
h 2k 2
Energia di una lacuna in banda di valenza: k =
2mh
Il numero di stati (per unit di volume) con energia tra e +d delle lacune
in cima alla banda di valenza:
3
1 2mh 2 1
De ( )d = 2 2 ( ) 2 d
2 h
Il numero di lacune in banda di valenza per unit di
volume sono:
0 3
2mh KT 2 kT
p = f h ( )Dh ( )d = 2 2 e
h
Moltiplicando le espressioni ricavate per n e p, concentrazioni di elettroni in

BDC e di lacune in BDV, si ottiene la relazione di equilibrio:
3 Eg
2KT 3
np = 4 2 (me mh ) 2 e kT
h
Valida sotto lunica ipotesi che la distanza tra il livello di Fermi e i limiti di
entrambe le bande sia >> KT (KT=25meV a T ambiente)
Si osservi che np:

non dipende dalla presenza o meno di impurezze nel semiconduttore
non dipende da

Concentrazione dei portatori intrinseci
Semiconduttore intrinseco (puro): n= p
Leccitazione termica di un elettrone di BDC lascia dietro di se una lacuna.

3 Eg
2KT 2 3
ni = pi = 2 2 (memh ) 4 e 2kT
h
Inoltre, uguagliando le espressioni
3 3 EG
2mh KT 2
2me KT 2
p = 2 2 e kT
n = 2 2 e kT
h h
si ottiene
3
2
mh 2 kTg
E
1 3 mh
e kT
= e = E g + KT ln
me 2 4 me

Semiconduttore intrinseco (puro):
n= p
1 3 mh
= E g + KT ln
2 4 me
EF Egap
1
Se mh=me allora = Eg
2

Il silicio
In un cristallo puro di silicio n= p
A temperatura ambiente
n = p =1.41010 portatori/cm3
Valore che va confrontato con la densit di atomi di silicio: 51022 atomi/cm3
Stima di ni a 300K:
3/ 2 3/ 2
m*c2k T Egap / 2kBT 0,2 0,5 106 3 102 (eV )2 1.1 / 23102
ni = 2 B
2
e 2

e
2 (hc) 6 (2 10 7 eVm)2
( 16 2 )
3 / 2 18
10 m e 1010cm3
da confrontarsi con 1023 cm-3 per i conduttori

Mobilit regione intrinseca
v
La mobilit definita come: =
E
La conducibilit elettrica: = ne e + pe h
e e e h
Quindi: e = h =
me mh
Sperimentalmente si osserva che la mobilit nei semiconduttori piu alta

che nei metalli

Semiconduttore intrinseco ed estrinseco
Se un semiconduttore non contiene impurezze, che ne modifichino le propriet

elettriche, viene detto si dice intrinseco
E si trova che:
la concentrazione di portatori intrinseci fortemente dipendente dalla
temperatura
3 3 EG
2mh KT 2
2me KT 2
p = 2 2 e kT
n = 2 2 e kT
h h
la concentrazione dei portatori a temperatura ambiente non cos alta da

poterli considerare dei buoni conduttori.
n = p 1010 portatori/cm3
Nei Metalli (1023 portatori/cm3)

Semiconduttore intrinseco ed estrinseco
Al fine di migliorare le propriet di conduzione di un semiconduttore si

introducono delle opportune impurezze chimiche droganti.
Un semiconduttore drogato viene detto estrinseco.
La loro concentrazione del drogante sempre di molti ordini di grandezza

inferiore a quella degli atomi del semiconduttore (1022 cm-3).
Le concentrazioni di drogante vanno da 1013 a 1018 cm-3.
Per concentrazioni inferiori a 1013 le impurezze non hanno effetti sul

comportamento elettrico del materiale, a concentrazioni superiori a 1018 si
comincia a modificare la natura del materiale.

Semiconduttore estrinseco
Un atomo estraneo al reticolo pu collocarsi in due posizioni:

Sostituzionale: prende il posto di un atomo del reticolo;
Interstiziale: si mette al centro (di solito) della cella formata dagli
atomi del reticolo.
Laggiunta volontaria di impurezze al semiconduttore viene denominata

DROGAGGIO, e il drogaggio viene effettuato con impurezze
sostituzionali.
Consideriamo il caso tipico del SILICIO, elemento

del gruppo IV, con quattro elettroni di valenza.
Il Si cristallizza nella struttura del diamante ed ogni
atomo forma quattro legami covalenti uno con
ciascuno dei suoi primi quattro vicini.

Semiconduttore di tipo n
Consideriamo di drogare un elemento tetravalente (gruppo IV, Si, Ge) con un
elemento pentavalente (gruppo V, P, As, Sb).
Un atomo del gruppo V ha 5 elettroni di valenza: essendo sostituzionale,
utilizza 4 elettroni per formare i 4 legami dellatomo di silicio del quale ha
preso il posto, e il quinto elettrone non legato.
Donore
drogaggio tipo n
con un atomo
pentavalente (fosforo)
Visto che questi atomi donano il loro elettrone al semiconduttore si dicono

DONORI e il semiconduttore si dice di tipo n
Lelettrone donato deve avere unenergia superiore a quelli che formano il
legame (e stanno nella banda di valenza), ma inferiore a quella degli elettroni
liberi nella banda di conduzione. Quindi, deve cadere nel gap!

Semiconduttore di tipo n
Lelettrone in eccesso si muove in un potenziale che deriva dallo ione di

impurezza, pari a e
r
dove la costante dielettrica del mezzo (=12 per il Si).
Il fattore di 1/ tiene conto dellattenuazione della forza coulombiana tra le
cariche ed dovuto alla polarizzazione elettronica del mezzo.
Energia di legame dei donori pu essere utilizzando la teoria di Bohr per
latomo didrogeno, tenendo in considerazione la costante dielettrica del
mezzo
e4m e 4 m*
En = 2 2 En = 2 2 2
2h n 2 h n
Con raggio di Bohr h 2 n 2

rn =
e 4 m*

Semiconduttore drogati di tipo n
Se il suo livello (ED) molto vicino a CB, baster lagitazione termica a

ionizzarlo, promuovendo lelettrone in banda di conduzione.
Il numero di donori per unit di volume [cm3] detta densit di donori, ND
[atomi/cm3].
EF donore
livello del
donore drogaggio tipo n
con un atomo
pentavalente (fosforo)

Semiconduttore drogati di tipo p
Le stesse considerazioni possono essere effettuate per il drogaggio con
elementi del gruppo III (B, Al, Ga e In).
In questo caso in un legame manca un elettrone (c una lacuna). Se il relativo
livello energetico di poco superiore a VB sar facile che un elettrone della
banda di valenza salti nella buca, lasciandone una in banda di valenza.
Queste impurezze che catturano elettroni donando buche, si dicono
accettori e il semiconduttore si dice di tipo p.
accettore
livello
dellaccettore
drogaggio tipo
p con un
EF atomo trivalente
(Al)

Semiconduttori drogati
Energie di ionizzazione
Le energie di ionizzazione per donori ed accettori sono le stesse.
Il modello di Bohr modificato valido quantitativamente sia per lacune che per
elettroni.
T=300K KT =25 meV: a temperatura ambiente accettori e donori

giocano un ruolo importante per la conduttivit

Semiconduttore drogato
In un volume di semiconduttore drogato uniformemente la carica globale

nulla (condizione di neutralit della carica) perch il drogante ionizzato
compensato dal suo portatore.
Supponendo i droganti completamente ionizzati (ipotesi valida a temperatura
ambiente):
le cariche positive presenti sono pari alla somma delle lacune, p, e degli ioni
degli atomi donori ND
le cariche negative invece sono pari alla somma degli elettroni liberi, n, e
degli atomi accettori NA
La condizione di neutralit di carica si traduce in:
q( p + N D n N A ) = 0 p n = N A ND

2
Ricordando la legge di azione di massa np = ni
p n = N A ND
2
N A ND N A ND 2
p= + + ni
2 2
2
ND N A ND N A 2
n= + + ni
2 2
Questa coppia di equazioni permette di ricavare, nota la quantit di drogante,

la concentrazione dei portatori maggioritari e minoritari effettivamente
disponibili. Si ritrova che p e n dipendono da:
- la quantit netta di drogante, |NA-ND|;
- la concentrazione di portatori intrinseci, ni
Se il materiale drogato in modo significativo con un ben definito elemento
| N A N D |> ni
2
ni
Semiconduttore tipo p N A >> N D p NA n
NA
2
ni
Semiconduttore tipo n N D >> N A n ND p
ND
La densit di portatori maggioritari corrisponde praticamente alla densit

di drogante, e la densit dei portatori minoritari segue la legge di azione di
massa.
Nella pratica costruttiva dei dispositivi elettronici si quasi sempre in questa
situazione, essendo i livelli di drogaggio normalmente utilizzati pari a 1014-1018
[atomi/cm3] contro un valore di ni=1.41010 [atomi/cm3]

Semiconduttore drogato: conducibilit
con un drogaggio di tipo n, la conducibilit dovuta praticamente
solo alla densit Nd dei donori
n = nd e e
p = na e h
con un drogaggio di tipo p, la conducibilit dovuta praticamente

solo alla densit Na degli accettori


Semiconduttore drogato: livello di Fermi
Allo zero assoluto tutte le impurezze sono neutre

(non ionizzate).
Quindi tutti i livelli di donore sono pieni e, per

definizione, il livello di Fermi deve stare allo
stesso livello o sopra allultimo livello
occupato. Esso, perci, star tra ED e CB.
Per gli accettori avviene il simmetrico. Allo zero

assoluto EF sta tra il livello accettore e VB.
Al crescere della temperatura il livello di

Fermi si porta alla met del gap.
A temperature non troppo alte, il livello di

Fermi star sempre nel gap, ma vicino alla
banda di conduzione nel tipo n, vicino alla
banda di valenza nel tipo p

Giunzione pn
Dallunione di un semiconduttore di tipo N e uno di tipo P nasce la cos detta

giunzione PN. Per diffusione, le lacune presenti nel cristallo P tendono a
spostarsi in quello N, e viceversa gli elettroni: in prossimit della giunzione si
forma cos un sottile strato isolante chiamato regione di svuotamento.
Le giunzioni PN sono comunemente usate come diodi: interruttori elettronici
che permettono un flusso di corrente in una direzione ma non in quella
opposta. Nel caso del diodo, applicando una polarizzazione diretta ai capi
della giunzione si osserva il passaggio della corrente.

Giunzione pn
I due livelli di Fermi non coincidono.

Se ora li portiamo a contatto il livello di Fermi del sistema deve divenire unico,
cio ci sar un travaso di elettroni dalla regione dove EF pi alto (n) a quello
dove pi basso (p). Viceversa per le lacune, che andranno da p a n.
Per cui allinterfaccia si formano due zone ove sono presenti solo cariche fisse
(ioni) e non portatori liberi. Tale zona di larghezza do si chiama zona svuotata
o di carica spaziale.

Giunzione pn

Giunzione pn
Polarizzazione diretta
Applicando una d.d.p. positiva al semiconduttore di tipo P le lacune vengono
respinte, e si dirigono verso la zona di svuotamento. Analogamente fanno gli
elettroni nel semiconduttore N. La zona di svuotamento si assottiglia, fino a
che, in corrispondenza di una tensione di soglia Vs, si riempie completamente
ed una corrente comincia a scorrere nel diodo.

Giunzione pn
Polarizzazione inversa
Se invece la differenza di potenziale positiva viene applicata al semiconduttore
N, allora elettroni e lacune si allontanano ulteriormente dalla zona di
svuotamento, che si ispessisce: il diodo rimane isolante, a meno di una
piccola corrente detta corrente oscura.

Giunzione pn
Curva caratteristica
La curva caratteristica di un diodo descritta dalla seguente relazione:
eV
I = I 0 e KT 1

la quantit I0 corrisponde alla corrente che si ottiene per una forte

polarizzazione inversa: la corrente oscura del diodo. E dellordine del mA
la presenza del fattore KT mostra come la conduzione del diodo sia un
fenomeno dipendente dalla temperatura: se T aumenta, lesponenziale
diminuisce, e quindi la corrente aumenta: infatti cresce il numero dei
portatori in grado di staccarsi dal reticolo. A temperatura ambiente,
KT/e=1/40 Volt
il coefficente dipende dalle caratteristiche del materiale: nel diodo al
silicio, vale circa 2.

Giunzione pn
Curva caratteristica
eV
Lespressione completa della corrente di un diodo :
I = I0 e KT
1

V > 0 (p+, n-) =

polarizzazione diretta
V < 0 (p-, n+) =

polarizzazione inversa

Diodi
Diodi emettitori di luce (LED - Light Emitting diode)

E gap = h


Diodi
Diodi emettitori di luce (LED - Light Emitting diode)
AlInGaP AlInGaN
Rosso-giallo Verde-blu
E gap = h
Diodi
Celle fotovoltaiche
"

#$%

&


Diodi
Celle fotovoltaiche
Il principio di funzionamento su cui si
basa una cella fotovoltaica leffetto
fotoelettrico.
Lassorbimento della radiazione solare

SILICIO
strettamente legato al semiconduttore. Ogni
semiconduttore assorbe una specifica parte
Efficienza 10-17%
dello spettro solare in dipendenza dallenergy
gap.
CELLE MULTIGIUNZIONE AD ALTA EFFICIENZA

I semiconduttori pi utilizzati sono: InGaP, GaAs, Ge Fonte CESI

Sara Padovani
Centro Ricerche Plast-optica S.p.A.

Via J. Linussio 1, Amaro (UD)
sara.padovani@crp.crf.it
0433 487 522

QM5 Statistics

Enviado por

Dados do documento

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

QM5 Statistics

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Universit degli Studi di Udine

Corso di laurea in Fisica Computazionale

Corso di Fisica Moderna

Sara Padovani Fisica Moderna 2009/2010 1

1. Particelle identiche e spin

Sara Padovani Fisica Moderna 2009/2010 2

Supponiamo di avere due particelle identiche in una scatola.

In Meccanica Quantistica non esiste il concetto di traiettoria, che presuppone

Sara Padovani Fisica Moderna 2009/2010 3

Questo un principio generale che prende il nome di:

In altre parole, il sistema deve essere simmetrico rispetto a tutte le permutazioni

Sara Padovani Fisica Moderna 2009/2010 4

Il principio di indistinguibilit per le particelle identiche deve sempre

La funzione donda che descrive il sistema deve essere insensibile allo

Sara Padovani Fisica Moderna 2009/2010 5

Un sistema costituito da due particelle pu essere descritto dalla funzione

che soddisfa allequazione di Schrdinger:

Sara Padovani Fisica Moderna 2009/2010 6

La probabilit di trovare la particella 1 nellelemento di volume d3r1, e la

che va normalizzato su tutto il volume

Sara Padovani Fisica Moderna 2009/2010 7

SOLUZIONE DELLEQUAZIONE STAZIONARIA

Se lenergia potenziale U non dipende dal tempo, possibile risolvere

In tal caso la funzione donda (r1 , r2 ) dipende solo dalle coordinate

Sara Padovani Fisica Moderna 2009/2010 8

SOLUZIONE DELLEQUAZIONE STAZIONARIA

Se E lenergia totale del sistema, esistono due funzioni che possono

a ,b (r1 , r2 ) = a (r1 )b (r2 ) A

b ,a (r1 , r2 ) = b (r1 )a (r2 ) B

Sara Padovani Fisica Moderna 2009/2010 9

Definiamo loperatore di scambio P che inverte la posizione delle particelle:

P 2 (r1 , r2 ) = P (r2 , r1 ) = (r1 , r2 )

Sara Padovani Fisica Moderna 2009/2010 10

SOLUZIONE DELLEQUAZIONE STAZIONARIA

Se E lenergia totale del sistema, esistono due funzioni che possono

a ,b (r1 , r2 ) = a (r1 )b (r2 ) A

b ,a (r1 , r2 ) = b (r1 )a (r2 ) B

Ci sono due funzioni donda che descrivono un sistema costituito dalla

(r1 , r2 ) = A(a (r1 )b (r2 ) b (r1 )a (r2 ))

Esistono due tipologie di particelle!!!

Sara Padovani Fisica Moderna 2009/2010 11

Particelle con spin

+ = S (r1 , r2 ) = AS (a (r1 )b (r2 ) + b (r1 )a (r2 ))

= A (r1 , r2 ) = AA (a (r1 )b (r2 ) b (r1 )a (r2 ))

Particelle con spin

Sara Padovani Fisica Moderna 2009/2010 12

Ritorniamo alla funzione antisimmetrica che descrive due fermioni:

= A (r1 , r2 ) = AA (a (r1 )b (r2 ) b (r1 )a (r2 ))

Supponiamo di avere due fermioni identici, ovvero che

A (r1 , r2 ) = AA (a (r1 )b (r2 ) b (r1 )a (r2 )) = 0

Sara Padovani Fisica Moderna 2009/2010 13

Formulato nel 1925 dichiara che:

due fermioni identici, non possono occupare lo stesso stato

E' il principio di esclusione di Pauli che permette ad un oggetto di non

Sara Padovani Fisica Moderna 2009/2010 14

La funzione donda totale pu essere espressa come il prodotto di una

Funzione donda totale = (funzione spaziale) (funzione di spin)

La parte spaziale descrive il

BOSONI: e entrambe simmetriche o antisimmetriche

Sara Padovani Fisica Moderna 2009/2010 15

Particelle con spin

+ = S (r1 , r2 ) = AS (a (r1 )b (r2 ) + b (r1 )a (r2 ))

= A (r1 , r2 ) = AA (a (r1 )b (r2 ) b (r1 )a (r2 ))

FERMIONI: funzione donda anti-simmetrica per inversione spaziale. Non