01-08 Transistores BJT

Unidad 7. El Transistor BJT.
Mario Barberà / Valentin Huélamo Página 1/27

SISTEMAS DE TELEFONIA
UNIDAD 7 TEMA 1
EL TRANSISITOR BJT
1. DEFINICIÓN
2. DESCRIPCIÓN
◦ Estructura física
◦ Tipos de transistor bipolar
3. FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR

◦ Fundamentos físicos del efecto transistor
➢ Corriente y tensiones
➢ Principales parámetros comerciales
➢ Relaciones más importantes. Parámetros α y β
◦ Configuraciones de trabajo de un transistor.
➢ Base común
➢ Emisor común
➢ Colector común
◦ Recta de carga y Punto de trabajo
◦ Regiones de funcionamiento
➢ Saturación
➢ Corte
➢ Activa
◦ Otros aspectos del funcionamiento del BJT
➢ Fenómenos de avalancha y perforación
➢ Consideraciones sobre potencia
4. CURVAS CARACTERÍSTICAS
◦ Característica VBE – IB
◦ Característica VCE - IC
5. POLARIZACION DE UN TRANSISTOR
◦ Polarización por resistencia de base
◦ Polarización por resistencia de base y emisor
◦ Polarización por divisor de tensión en la base
6. ENCAPSULADO DE LOS TRANSISITORES
7. IDENTIFICACIÓN DEL TIPO DE TRANSISTOR
8. EJERCICIOS
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EL TRANSISTOR
1. DEFINICIÓN
El Transistor bipolar (BJT), fue inventado en 1948 por John Bardeen y Walter H. Brattain y
William Shockley. Son llamados así porque conducen utilizando tanto portadores mayoritarios como
portadores minoritarios.
La palabra Transistor viene de Transfer Resistor o resistencia de transferencia, es un elemento
que se comporta como una resistencia variable que depende de una señal eléctrica de control,
entonces al cambiar el valor de la señal de control cambia la cantidad de corriente que pasa por el
transistor.
Es decir, un transistor es un dispositivo semiconductor que controla la regulación de una corriente
grande mediante una segunda señal de mucha menor intensidad
Figura 1. Comportamiento de un transistor.
Hay dos clases principales de transistores: Bipolares (BJT) y de efecto de campo (FET). En los
transistores BJT la señal de control es una corriente y en los FET es un voltaje.
Clases de transistores:
NPN
BIPOLAR
PNP
FET Canal N
Corriente Canal P
Enriquecimiento Canal N
TRANSISTOR
(Enhancement) Canal P
FET MOSFET
Empobrecimiento Canal N
(Depletion) Canal P
FET
VMOS, MOS doble compuerta, etc
Especiales
En todo transistor se cumple, respecto a tensiones y corrientes, lo siguiente:
VCE = VCB + VBE en un NPN IE = IB + IC

VEC = VEB + VBC en un PNP
Además, como un parámetro muy importante, tenemos que:

β (beta o hfe) = IC / IB
Y es la ganancia de corriente colector-base cuando la resistencia de carga es nula.
Figura 2. Símbolo y forma del transistor bipolar.

2. DESCRIPCIÓN
2.1. Estructura
El transistor bipolar es un dispositivo formado por tres regiones semiconductoras, entre las cuales
se forman unas uniones (uniones PN). En la figura 3, observamos el aspecto útil para análisis de un
transistor bipolar. Siempre se ha de cumplir que el dopaje de las regiones sea alterno, es decir, si el
emisor es tipo P, entonces la base será tipo N y el colector tipo P. Esta estructura da lugar a un
transistor bipolar tipo PNP. Si el emisor es tipo N, entonces la base será P y el colector N, dando lugar
a un transistor bipolar tipo NPN.
Figura 3. Estructura de un Transistor bipolar.
El transistor se fabrica sobre un substrato de silicio, en el cual se difunden impurezas, de forma

que se obtengan las tres regiones antes mencionadas. En la figura 4, vemos el aspecto típico de un
transistor bipolar real. Sobre una base n (substrato que actúa como colector), se difunden regiones p
y n+, en las que se ponen los contactos de emisor y base.
Figura 4. Estructura real de un Transistor.
Es de señalar que las dimensiones reales del dispositivo son muy importantes para el correcto
funcionamiento del mismo. En la figura 5, se pretende dar una idea de las relaciones de tamaño que
deben existir entre las tres regiones para que el dispositivo cumpla su misión.
De esta forma quedan formadas tres regiones:
• El Emisor ha de ser una región muy dopada (de ahí la indicación p+). Cuanto más dopaje
tenga el emisor, mayor cantidad de portadores podrá aportar a la corriente. Es la fuente de
portadores mayoritarios que han de ser inyectados en la base con la polarización adecuada.
• La Base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca recombinación en
la misma, y prácticamente toda la corriente que proviene de emisor pase a colector, como
veremos más adelante. Además, si la base no es estrecha, el dispositivo puede no
comportarse como un transistor, y trabajar como si de dos diodos en oposición se tratase.
• El Colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Es el encargado de recoger los
portadores inyectados por el emisor en la base.
Figura 5. Dimensiones de un Transistor bipolar.

2.2. Tipos de transistores bipolares
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente en cada
caso, lo indica la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de transistor.
 NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren
a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de
los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del electrón es
mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y
velocidades de operación.
Figura 6. Estructura y símbolo de un transistor NPN
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre
dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente aplicada a la base en configuración emisor-
común es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la dirección
en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.
 PNP
El otro tipo de transistor bipolar de juntura es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las
cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en
día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las
circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas
de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y el
emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica
externa. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor
circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en que la
corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.
Figura 7. Estructura y símbolo de un transistor PNP

3. FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISITOR BIPOLAR
3.2. Fundamentos físicos del efecto transistor

El transistor bipolar basa su funcionamiento en el control de la corriente que circula entre el emisor
y el colector del mismo, mediante la corriente de base. Un transistor se puede considerar como un
diodo en directo (unión emisor-base) por el que circula una corriente elevada, y un diodo en inversa
(unión base-colector), por el que, en principio, no debería circular corriente, pero que actúa como una
estructura que recoge gran parte de la corriente que circula por emisor-base.
En la figura 8, se puede ver lo que sucede. Se dispone de dos diodos, uno polarizado en directa
(diodo A) y otro en inversa (diodo B). Mientras que la corriente por A es elevada (I A), la corriente por B
es muy pequeña (IB). Si se unen ambos diodos, y se consigue que la zona de unión (lo que
llamaremos base del transistor) sea muy estrecha, entonces toda esa corriente que circulaba por A
(IA), va a quedar absorbida por el campo existente en el diodo B. De esta forma entre el emisor y el
colector circula una gran corriente, mientras que por la base una corriente muy pequeña. El control se
produce mediante este terminal de base porque, si se corta la corriente por la base ya no existe
polarización de un diodo en inversa y otro en directa, y por tanto no circula corriente.
Figura 8. Efecto transistor
 Corrientes y tensiones
Para el análisis de las distintas corrientes que aparecen en un transistor vamos a considerar un
transistor de tipo PNP, que polarizamos tal y como aparece en la figura 9. Este tipo de polarización
será el usado cuando el transistor trabaje en región activa, como se verá en los siguientes apartados.
La unión emisor-base queda polarizada como una unión en directa, y la unión colector-base como
una unión en inversa.
Figura 9. Polarización
En la figura 10 se muestran las principales corrientes (de electrones y huecos) que aparecen en el
transistor tras aplicar la polarización indicada en la figura 9. Se puede observar lo siguiente:
Figura 10. Corrientes en un TRT.

• Entre el emisor y la base aparece una corriente (IEp+ IEn) debido a que la unión está en
polarizada directamente.
• El efecto transistor provoca que la mayor parte de la corriente anterior NO circule por la
base, sino que siga hacia el emisor (ICp)
• Entre el colector y la base circula una corriente mínima por estar polarizada en inversa (ICn
más una parte ínfima de ICp)
• Por la base realmente circula una pequeña corriente del emisor, más otra de colector, más
la corriente de recombinación de base (IEn + ICn + IBr)
A partir de lo anterior podemos obtener algunas ecuaciones básicas como son las siguientes:
IE + IB + IC = 0 (I)
Esta ecuación viene impuesta por la propia estructura del circuito, es decir, el transistor es un
nodo con tres entradas o salidas, por tanto la suma de las corrientes que entran o salen al mismo ha
de ser cero.
Cada una de las corrientes del transistor se puede poner en función de sus componentes de la
siguiente forma:
IE = IEn + IEp
IC = ICn + ICp
IB = IEn + ICn + IBr
 Relaciones más importantes. Parámetros α y β

En un transistor bipolar uno de los aspectos más interesantes para su análisis y uso es el conocer
las relaciones existentes entre sus tres corrientes (IE, IB e IC). En la ecuación anterior tenemos una
primera relación. Otras relaciones se pueden obtener definiendo una serie de parámetros
dependientes de la estructura del propio transistor.
Definimos los parámetros α y β (de continua) como la relación existente entre la corriente de
colector y la de emisor, o la de emisor y la de base, es decir:
Operando podemos relacionar ambos parámetros de la siguiente forma:
En general el parámetro α será muy próximo a la unidad (la corriente de emisor será similar a la de
colector) y el parámetro β tendrá un valor elevado (normalmente > 100).
A partir de las ecuaciones anteriores se puede obtener una más que es útil cuando se trabaja con
pequeñas corrientes de polarización, en las que el efecto de la corriente inversa que circula entre
colector y base puede no ser despreciable:
En esta ecuación se ha denominado IC0 a la corriente inversa de saturación de la unión colector-

base, la cual, en general se puede aproximar por ICn, y corresponde a la corriente que circularía por
dicha unión polarizada en inversa si se deja al aire el terminal de emisor.
3.3. Principales parámetros comerciales

De entre los numerosos datos que suministran los fabricantes de componentes electrónicos, con
respecto a los transistores cabe destacar los siguientes:
• Tensión máxima en entre colector-emisor, colector-base y emisor-base (V CEO, VCBO y
VEBO): son las tensiones máximas que se puede someter a los terminales del transistor. Ten-
siones mayores pueden provocar una ruptura en inversa y la destrucción del transistor.
• Corriente continua máxima de colector, ICmáx: es la corriente máxima que puede circular
por el colector sin que el transistor sufra ningún daño.
• Tensiones de saturación VCE (sat), VBE (sat): son las tensiones que aparecen entre los termina-
les en la región de saturación.
• Ganancia de corriente (AI) en DC (DC Current Gain): es la relación entre la corriente de sa-
lida del transistor y la de entrada. Se suele especificar la ganancia para varios puntos de ope-
ración, incluso pueden ser suministradas las gráficas de la ganancia en función de la corriente
de colector.
Se puede decir que es el factor por el que un transistor multiplica la corriente de entrada.
• Ganancia de tensión (AV): es la relación entre la tensión de salida y la de entrada.
• Ganancia de potencia (AP) es la relación entre la potencia de salida y la de entrada.
• Potencia máxima disipable (Total Device Dissipation): PD = VCE x IC + VBE x IB, es la poten-
cia máxima que puede disipar el transistor sin sufrir ningún daño.
3.4. Tipos de montajes

Un transistor es un dispositivo con tres terminales. Por esta razón, la forma de analizar su
comportamiento en un circuito es analizarlo como un cuadripolo (dispositivo con dos terminales de
entrada y dos de salida, figura 11).
Figura 11. Cuadripolo.
Uno de los terminales del transistor deberá ser común a las mallas de entrada y de salida.
Las tres configuraciones típicas que se puede realizar con transistores son: Base común, Emisor
común y Colector común. Cada una de ellas con características especiales que las hacen mejor para
cierto tipo de aplicación.
El terminal que da nombre al montaje es el que se conecta comúnmente a la entrada y a la salida.
 Base común
En este montaje, la base se encuentra conectada a la entrada y a la salida.
Figura 12. Configuración base común.
En este montaje se cumple:

IE = IC + IB.
Como la IB es muy pequeña comparada con al IC, podemos despreciar la primera y hacer la
siguiente aproximación:
IE ≈ IC
Las características más importantes en este tipo de montaje son las siguientes:
a) Impedancia.
• Impedancia de entrada: baja, ya que esta formada por la resistencia interna de la
unión emisor (rE), y como esta unión esta polarizada directamente, su resistencia interna
es baja, y por lo tanto, también lo será la impedancia de entrada.
• Impedancia de salida: alta, ya que esta formada por la resistencia interna de la
unión colector (rC), y como esta unión esta polarizada inversamente, su resistencia
interna es alta, y por lo tanto, también lo será la impedancia de salida.
b) Ganancia de corriente: se representa por la letra griega (α), y sabemos que la ganancia
de corriente es el cociente entre la corriente de salida (IC) y la de entrada (IE). por esta
razón:
IC
α= ; Como IE ≈ IC; α = 1
IE
Se puede asegurar que:

▪ El montaje en base común no amplifica corrientes.
▪ La corriente de salida (IC) depende de la entrada (IE).

▪ La corriente de colector es independiente de la tensión base-colector.
c) Ganancia de tensión: la tensión de entrada corresponde a la tensión base-emisor (VBE) y
la de salida es igual a la tensión base-colector (VBC). Esto supone que:
Donde:
rc = resistencia interna de la unión colector.
rE= resistencia interna de la unión emisor.
Teniendo en cuenta que la rC es grande, debido a la polarización inversa de la unión de
emisor, que la rE es pequeña, porque la unión de emisor está polarizada directamente, y
que:
La ganancia de tensión tendrá un valor elevado e igual a:
d) Ganancia de potencia: Considerando todo lo visto hasta ahora y como se sabe que:
Si sustituimos adecuadamente en la expresión anterior, nos queda:
Si la ganancia de tensión es grande, se deduce que la de potencia también tiene que serlo.
Figura 13. Curva característica de un montaje B.C.
Las aplicaciones principales de este tipo de montaje son: adaptadores de baja-alta impedancia,
amplificadores de radiofrecuencia, etc.
 Emisor común
La señal de entrada se encuentra entre base-emisor y la salida entre colector-emisor. Es el más
flexible y el más utilizado, los fabricantes suelen proporcionar los parámetros en este tipo de
configuración.
Figura 14. Configuración base común.
En la gráfica de la figura 15 pueden apreciarse las curvas características de salida de la conexión

emisor común, que estudian la variación de la corriente de colector en función de la tensión colector
emisor, para unas determinadas intensidades de base.
Figura 15. Curva característica de un montaje E.C.
En este montaje se cumple:

IE = IC + IB
Del mismo modo que en la configuración anterior, la intensidad de emisor es aproximadamente
igual a la de colector, porque la intensidad de base es despreciable.
IE ≈ I C
a. Impedancia
• Impedancia de entrada: pequeña, ya que esta formada por la resistencia
interna de la unión base (rB) y como esta unión esta polarizada directamente
(resistencia pequeña).
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Impedancia de salida: alta, ya que esta formada por la resistencia interna
de la unión colector (rC) y la de emisor (rE), y tiene un valor grande porque está
polarizada inversamente.
b. Ganancia de corriente: se representa como β. En algunos manuales viene
expresada como hFE. Viene dada por el cociente entre la intensidad de colector y la de
base.
IC
β=
IB
Como la corriente de colector es grande, comparada con la base, se puede asegurar que β
es elevada.
c. Ganancia de tensión: si aplicamos la formula general de la ganancia de tensión (la
tensión de salida es la de colector –emisor, y la de entrada es la base –emisor)
VCE
AV =
VBE
Esta ganancia suele ser elevada, pues la tensión de salida es mucho más elevada que la
de entrada (VBE ≈ 0,7).
d. Ganancia de potencia: podemos asegurar que la ganancia de potencia en este
montaje es elevada, debido a que tanto la tensión como la intensidad de salida tienen un
valor elevado.
VCE x IC VCE
AV = = xβ
VBE x IB VBE
Las aplicaciones principales de este tipo de montaje son: osciladores, amplificadores de baja
frecuencia, inversor lógico, etc.
 Colector común
La señal de entrada se encuentra entre base-colector y la salida entre emisor- colector.
Figura 16. Configuración colector común.

a. Impedancia
• Impedancia de entrada: grande, ya que esta formada por la resistencia
interna de la unión base-colector que está polarizada inversamente.
• Impedancia de salida: pequeña, ya que esta formada por la resistencia
interna de la unión emisor (rE), que está polarizada directamente (resistencia
pequeña).
b. Ganancia de corriente: se representa como Υ, y viene dada por el cociente entre la
intensidad de emisor y la de base.
IE
Υ=
IB
El valor de Υ es elevado ya que la corriente de emisor es muy grande, comparada 11/27
con la
de base.
El coeficiente Υ representa la ganancia de corriente en colector común y es
aproximadamente igual a β (ganancia de corriente en emisor común).
c. Ganancia de tensión: la tensión de entrada es 0,7 V mayor que la de salida. Por lo
tanto en un colector común la ganancia de tensión es aproximadamente la unidad.
Esta configuración recibe el nombre de seguidor de emisor, pues aun aumento de la
señal de entrada, le corresponde un aumento de la señal de salida, y al contrario, a una
disminución de la señal de entrada, le corresponde una disminución de la señal de salida).
d. Ganancia de potencia: como sabemos que la ganancia de corriente es elevada y la
de tensión pequeña, podemos asegurar que la ganancia de potencia de un colector común
es de termino medio.
Una de las aplicaciones principales de este tipo de montaje es en los adaptadores de baja-alta
impedancia.
Resumen de las principales características de los tres montajes:
Montaje B.C E.C. C.C
Ganancia en corriente Alta Alta Alta
Ganancia en tensión Alta Alta <1

Ganancia de potencia Alta Media
Impedancia de entrada Baja Media ≈ 1K Alta
Impedancia de salida Alta Media (30 – 50 k) Baja
Desfase No 180º No
Corriente de fugas ICBO Muy pequeña Muy elevada -
3.5. Recta de carga y Punto de trabajo

 Recta de carga
La recta de carga de un transistor, refleja todos los posibles puntos de funcionamiento que
pueden darse para unos valores determinados de RC y tensión de alimentación (VCC).
En un transistor que forma parte de un circuito, la recta de carga estudia la relación en todo
momento entre la tensión colector-emisor (VCE), la corriente de colector (lC) y la de base (IB).
Según la figura 17, los puntos P1 y P2 delimitan la llamada recta de carga.
Figura 17. Recta de carga de un

transistor.
Los puntos característicos de la recta de carga son: 12/27
a. Punto P1.
En este punto el transistor no conduce, la resistencia interna tiene un valor infinito y la
intensidad de base es nula (lB = 0). Por lo tanto, lC ≈ ICEO
En la práctica, Ic se suele despreciar, por ello lC ≈ 0. Como la VRC = RC x IC, la tensión por la
resistencia de colector también será nula.
Al sustituir estos resultados en la fórmula: VCC = VRC + VCE, se obtiene que el punto P1 de la
recta de carga viene caracterizado por el siguiente valor de tensión: VCE = VCC. Se trata de la
VCE máxima.
En esta situación se dice que el transistor está en corte.
b. Punto P2.
Este es el punto de la máxima conducción del transistor. La resistencia interna es
prácticamente nula. En esta situación la VCE ≈ 0, como puede verse en la figura 17. Si este
valor se sustituye en la formula anterior (VCC = VRC + VCE), se obtiene que VCC = RC x lC. Si de
esta ecuación se aísla la lC, se obtiene:
Esta lC es la máxima que circula por el transistor. En esta situación se dice que
el transistor está en saturación.
Entre estos dos puntos están todos los posibles valores que pueden adoptar las magnitudes
que influyen en el funcionamiento de un circuito con transistores.
c. Punto P3.
Cabe mencionar otro punto característico, que es el central P3. Sus características se
obtienen a partir de la ecuación VCC = VRC + VCE:
 Punto de trabajo
Se denomina punto de trabajo o de reposo (Q) de un transistor a un punto de la recta de carga
que determina el valor de la tensión de colector-emisor (VCEQ) y de las corrientes de colector y base
(ICQ y IBQ), en cualquier transistor que forme parte de un circuito.
La posición del punto de trabajo o de reposo del transistor depende de las tensiones y circuitos de
polarización empleados.
El punto de trabajo de un transistor en un circuito variará cuando cambie alguno de los elementos
de los que depende. Estos elementos pueden ser bien internos al propio dispositivo (Tensiones o
corrientes, características), bien externos, como por ejemplo variaciones en las resistencias,
alimentaciones,...
En la figura 18, podemos ver el efecto de la variación de la resistencia de colector sobre el punto
de funcionamiento del transistor. Es evidente que si dicha resistencia disminuye, tendremos un
incremento en la corriente de colector (IC) para la misma tensión colector-emisor (VCE), luego se
claramente que la variación de un componente afecta directamente a la posición del punto de trabajo,
el cual con una resistencia RC1 se encuentra en Q1 y con otra resistencia menor (RC2) pasa a ser Q2
Figura 18. Variación del punto de trabajo

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Siempre está situado en la recta de carga y dentro de alguna curva, especificando una cierta
corriente de colector IC y una determinada tensión colector-emisor VCE.
Ejemplo 1
Traza la recta de carga de un transistor de β = 100 que forma parte del montaje que se muestra
en la siguiente figura 19. Indica en una gráfica como la de la figura 17 los valores de sus puntos
extremos y calcula el punto medio de trabajo.
Datos: VCC = 12 V; VBB = 0,7 V; R = 10 K
Fig. 19. Circuito de transistor en carga.

a. Punto P1
El transistor no conduce (resistencia interna infinita). La tensión colector-emisor se obtendrá a
partir de la recta de carga:
VCC = RC x IC + VCE
Como en dicho punto lC = ICEO ≈ 0 e IB = 0
RC x IC = 0
Por tanto:
VCC = VCE = 12 V
b. Punto P2
En este punto la resistencia interna es 0 y, por tanto, VCE ≈ 0 V. De esta forma, si aislamos la
corriente de colector de la ecuación correspondiente a la recta de carga, se obtiene:
La corriente deberá ser:
c. Punto P3
El punto medio de la recta de carga (P3) viene caracterizado por:
La corriente de colector será:
La corriente de base será:
En resumen, los valores correspondientes a cada punto son:
Punto P1 Punto P2 Punto P3

VCE = 12 V VCE = 0 V VCE = 6 V
IC = ICEO IC = 1,2 mA VRC = 6 V
IB = 0 IB = 12 μA IC = 0,6 mA
IB = 6 μA
La grafica de resultados se puede ver en la siguiente figura 20:

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Figura 20. Valores del ejemplo 1.
3.6. Zonas de funcionamiento de un transistor

En función de las tensiones que se apliquen a cada uno de los tres terminales del transistor
podemos conseguir que éste entre en una región u otra de funcionamiento. Por regiones de
funcionamiento entendemos valores de corrientes y tensiones en el transistor, que cumplen unas
relaciones determinadas dependiendo de la región en la que se encuentre.
En función de la zona en donde trabaje el transistor, diremos que está saturado, bloqueado o
activo. Así pues, el transistor tiene 3 zonas de funcionamiento:
• Zona de saturación (trabaja como circuito cerrado).
• Zona de corte (trabaja como circuito abierto).
• Zona de activa (trabaja como amplificador).
Figura 21. Zonas de funcionamiento de un transistor.
 Saturación
La zona de saturación ocupa el espacio entre la línea de saturación y el eje vertical (IC).
En esta región las tensiones de colector-emisor son muy pequeñas, prácticamente nulas y
despreciables a efectos de cálculos. Por el contrario, las corrientes de colector y de base son
máximas (por supuesto, inferiores a las de destrucción del transistor).
IC = IE = I máxima
En esta zona corresponde a la máxima conducción del transistor. Los valores de las
intensidades de colector y de base son:
VCC IC
IC = y la IB ≥
RC β
A efectos prácticos, el transistor en saturación se comporta como un cortocircuito o un

interruptor cerrado, ya que deja pasar toda la corriente. La caída de tensión entre colector-emisor
es despreciable.
EJEMPLO 2: En el circuito de la figura 22 calcular VBE, VBC y VCE así como las corrientes I15/27
B, IC e
IE cuando EB = 15 y 20 V. La ganancia de corriente del transistor es βF = 100.
SOLUCIÓN: En este caso la tensión aplicada a la base con respecto al emisor es claramente
superior a la aplicada al colector. Por lo tanto el transistor está operando en la región de
saturación. Sustituyendo el modelo correspondiente en el circuito original se tiene que:
Figura 22. Circuito ejemplo 2.
En la tabla siguiente se presentan los resultados numéricos para los casos indicados en el
enunciado del problema:
IB IC IE VBE VCE VBC

EB = 5 V 143 A 10 mA 10,14 mA 0,7 V 0 0,7 V
EB = 7 V 193 A 10 mA 10,19 mA 0,7 V 0 0,7 V
Tabla resultados ejemplo 2.
La corriente IC se mantiene constante en 10 mA, pese a las variaciones de IB, puesto que la
tensión VCE es ahora constante. Nótese además que en ambos casos se cumple que IC es menor
que el producto FIB.
En el caso en el que RC sea una bombilla, los resultados obtenidos muestran que ahora la
intensidad luminosa será ahora constante, luego se ha perdido la capacidad de regular, y el
dispositivo se comporta ahora como un interruptor cerrado.
 Corte
La zona de bloqueo o corte se sitúa entre la curva de ICEO (IB ≈ 0) y el eje de abscisas (VCE).
En esta zona la tensión de colector-emisor es prácticamente igual a la de alimentación (VCC). La
corriente de colector es igual a la de fugas (ICEO) y la de base es nula.
Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente por sus terminales. A efectos de
cálculo, diremos que el transistor está en corte cuando se cumple la condición: IE = 0 ó IE < 0, (Esta
última condición indica que la corriente por el emisor lleva sentido contrario al que llevaría en
funcionamiento normal).
Es decir, un transistor esta en corte cuando:
IC = IE = 0
La potencia disipada en este caso también es pequeña debido a las corrientes extremadamente
bajas.
Por lo tanto, un transistor en bloqueo se comporta como un circuito abierto, ya que no deja
pasar corriente. Toda la tensión de alimentación cae entre sus extremos de colector y emisor.
Para polarizar el transistor en corte basta con no polarizar en directa la unión base-emisor del
mismo, es decir, basta con que VBE = 0
EJEMPLO 3: Calcular las tensiones VBE, VBC y VCE así como las corrientes IB, IC e IE del circuito
de la figura 23, cuando EB = 0 V.
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Figura 23: Circuito del ejemplo 3.
SOLUCIÓN, ejemplo 3: La base del transistor está conectada a la fuente a través de una
resistencia RB. Puesto que la diferencia de potencial entre los extremos del generador es nula, no
puede polarizarse la unión BE en directa, por lo que el transistor está en corte, es decir:
VBE = 0 x IB = 0 x IC = 0 x IE = 0
VCE = EC – RC x IC = 10 V
VBC = VBE - VCE = 0 - 10 = - 10 V
 Activa
La zona activa comprende todo el espacio entre las dos regiones de bloqueo y saturación.
En esta zona, el punto de trabajo puede ocupar muchas posiciones y, por tanto, los valores de
tensión colector-emisor, corriente de colector y de base pueden ser muy variados.
La potencia disipada en el transistor depende del valor de la corriente de colector y de la tensión
colector-emisor.
La región activa es la normal de funcionamiento del transistor. Existen corrientes en todos sus
terminales y se cumple que la tensión de alimentación se reparte entre la resistencia de carga y la
unión colector-emisor. El valor de estos voltajes dependerá de la situación del punto de trabajo
(Q).
Esta región es la mas importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un
amplificador. En general, y a efectos de cálculo, se considera que se verifica lo siguiente:
VBE = VΥ
IC = β x IB
La operación en región activa normal, se da cuando la unión BE se polariza en directa y la BC
en inversa. Los tres puntos característicos de esta región de operación son:
1) Corriente de colector no nula: conducción a través de la unión BC pese a que está
polarizada en inversa.
2) La corriente de base es muy inferior a la de colector.
3) La corriente de colector es proporcional a la corriente de base.
EJEMPLO 4: En el circuito de la figura 23, calcular VBE, VBC y VCE así como las corrientes IB, IC e
IE cuando EB = 5 V y cuando EB = 7 V. La ganancia de corriente del transistor es βF = 100.
SOLUCIÓN ejemplo 4: Al aplicar una diferencia de potencial positiva (> 0,7) a la base se
polariza la unión BE en directa. Además, si EB, es inferior a la de la fuente conectada al colector, la
tensión de colector será superior a la de la base, con lo que la unión BC estará polarizada en
inversa. Se dan, por lo tanto, las condiciones necesarias para la operación en RAN, con lo que se
verifica aproximadamente que:
VBE = 0, 7 V
IC = βF x IB
Estas dos ecuaciones pueden introducirse en el circuito empleando el modelo equivalente:
17/27
Figura 24. Análisis del transistor en región activa normal.
El análisis del circuito permite añadir dos ecuaciones nuevas para el cálculo de IB, IC y VCE:
EB = RB x IB + VBE
EC = RC x IC + VCE
De la primera expresión se obtiene IB:
Teniendo en cuenta que:
IC = βF x IB
Finalmente:
En la tabla siguiente se adjuntan los resultados numéricos de los dos casos requeridos en el
enunciado:
IB IC IE VBE VCE VBC

EB = 5 V 43 A 4,3 mA 4,343 mA 0,7 V 5,7 V -5V
EB = 7 V 63 A 6,3 mA 6,363 mA 0,7 V 3,7 V -3V
Tabla resultados ejemplo 4.
Los resultados obtenidos en el ejemplo 4 sugieren los siguientes comentarios:

• La tensión VBC obtenida en ambos casos es negativa, lo que significa
que la polarización de la unión BC es inversa. Como además la corriente de la base es
positiva queda comprobado que el transistor está operando en RAN.
• La corriente IE tiene un valor muy cercano al de IC. En la práctica,
sería difícil de detectar la diferencia entre ambas mediante aparatos de medida
convencionales. Por ello, en ocasiones se realiza la aproximación IC = IE.
• Una variación de corriente en la base de tan sólo 20 A provoca una
variación en la tensión VCE de 2 V. Este es el principio de la amplificación analógica de
señales.
Ahora nos centremos en la evolución de VCE. Cuando el transistor está en corte VCE = 0 V. En la
región activa normal, a medida que aumenta EB disminuye VCE. Este resultado es lógico, puesto
que IC es directamente proporcional a EB. Como VCE = EC - RC x IC, al aumentar el término negativo
disminuye el valor de la resta. Gráficamente puede representarse este hecho como en la figura 25:
18/27
Figura 25. Evolución de las tensiones y corrientes en el ejemplo 4.
Si RC fuera una bombilla, en el caso A estaría apagada, mientras que en los casos B y C
proporcionaría luz. Evidentemente, en el caso C la intensidad de la luz será mayor que en el B,
puesto que la tensión aplicada es mayor. Aquí se pone de manifiesto claramente el funcionamiento
del transistor como resistencia variable, ya que el comportamiento entre C y E es similar al de un
potenciómetro: modificando la señal de control convenientemente podemos variar la tensión de
alimentación de la bombilla entre 0 y 10 V.
A modo de recapitulación, la siguiente figura 26, muestra la evolución global de IC con respecto
a EB, donde se puede apreciar el paso del transistor por las tres regiones de operación.
Figura 26. Gráfica EB frente a IC.

En resumen:
Cuando el transistor está en bloqueo o saturación, se dice que trabaja en conmutación y cuando
está en activa, el transistor actúa como amplificador o regulador.
En la siguiente tabla se recoge un resumen de las características principales de las tres zonas de
funcionamiento del transistor con montaje en emisor común.
Saturación Corte Activa

VCE ≈0 ≈ VCC Variable
VRC ≈ VCC ≈0 Variable
IC Máxima = ICEO ≈ 0 Variable
IB Variable =0 Variable
VBE ≈ 0,8v < 0,7v ≈ 0,7v
Tabla. Características de las zonas de funcionamiento de un transistor.
3.7. Otros aspectos del funcionamiento del BJT

 Fenómenos de avalancha y perfo-
ración
El transistor bipolar, como cualquier dispositivo en cuya estructura existan uniones PN polariza-
das, tiene unas limitaciones físicas de funcionamiento debidas a los fenómenos de avalancha que
se pueden producir al aplicar tensiones elevadas a las uniones. Concretamente en un transistor bi-
polar se puede producir la destrucción del dispositivo mediante dos mecanismos de ruptura diferen-
tes:
◊ Ruptura por entrar en avalancha alguna de las uniones. Si se aplica
tensión inversa elevada a las uniones PN del transistor puede ocurrir que alguna entre en
avalancha. La unión base-emisor es especialmente sensible a la aplicación de tensiones 19/27
ele-
vadas debido a su alto dopaje.
◊ Ruptura por perforación de base. En el apartado anterior se ha habla-
do de la disminución de la anchura de la base debido a la tensión inversa aplicada a la unión
colector-base. Puede ocurrir que las tensiones aplicadas sean tan grandes que desaparezca
completamente la anchura de la base del transistor (es decir, que WB = 0). Este caso se de-
nomina perforación de la base, y se produce la destrucción del transistor al circular una co-
rriente muy elevada entre emisor y colector. En la figura 27, observamos el fenómeno de per-
foración de base.
Figura 27. Perforación de base
 Consideraciones sobre potencia

Otro motivo por el que se puede destruir un transistor bipolar es la potencia máxima que es ca-
paz de disipar. En general se puede hablar de potencia en régimen continuo y potencia en régimen
alterno. En este cuaderno sólo se considerará el régimen continuo, o de polarización del transistor
bipolar.
La potencia disipada por cualquier componente viene dada por la ecuación:
P=VxI
A un transistor en funcionamiento normal se le aplican diversas tensiones (VCE, VBE, VCB) y es
atravesado por varias corrientes (IC, IB e IE). Por lo tanto, también se produce una disipación de po-
tencia, concretamente entre las uniones de emisor y colector.
La potencia disipada en sus uniones se expresa como:
PBE = VBE x IE (en la unión emisor)
PBC = VCE x IC (en la unión colector)
En el caso particular de un transistor bipolar, consideramos que la potencia que disipa viene
dada por la corriente de colector multiplicada por la tensión que colector-emisor, es decir:
P = VCE x IC
El producto de la corriente de colector por la tensión colector-emisor indica la potencia disipada
por el dispositivo. Los fabricantes incluyen en los manuales los valores de potencia máxima disipa-
ble (PTOTAL), en función del tipo de transistor (de su fabricación, de la temperatura ambiente, caracte-
rísticas y encapsulado).
La potencia máxima que puede disipar un transistor se puede representar en unos ejes de coor-
denadas, obteniendo la hipérbola de máxima disipación del dispositivo.
Figura 28.Curva de potencia máxima disipable en un transistor.
4. CURVAS CARACTERÍSTICAS
Las curvas describen el comportamiento de los transistores, pero como estos no se comportan
todos de igual manera, éstas varían según el tipo de transistor, y, si bien difieren de un tipo a otro, son
muy semejantes en la forma.
También es importante conocer los valores máximo, mínimo y típico de las características más 20/27
importantes, para poder emplear, en los cálculos, el valor que resultare más desfavorable a fin de
asegurarnos que el funcionamiento estará dentro de lo estipulado.
Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis parámetros para
determinar el estado eléctrico del mismo: tres tensiones y tres corrientes. Aplicando las leyes básicas
de resolución de circuitos pueden presentarse dos ecuaciones:
IB + IC +IE = 0
VBE = VCE + VBC
Por ello, los parámetros independientes se reducen a cuatro. En un circuito determinado y bajo la
acción de unas excitaciones especificas, existirán unos valores de estos cuatro parámetros que
caracterizan el estado del transistor. Dicho cuarteto se denomina punto de operación (Q).
Las curvas características más empleadas en la práctica son las que relacionan VBE con IB y VCE
con IC e IB. Con frecuencia, estas curvas son facilitadas por los fabricantes.
4.2. Característica V BE - I B (Entrada)

La función que asocia la VBE con IB es la característica de un diodo, y puede aplicarse todo lo
dicho cuando se estudió aquél.
La curva representada en la figura 29 sigue la expresión:
Figura 29. Característica IB-VBE.
4.3. Característica V CE - I C (Salida)

Según lo explicado hasta ahora, la característica VCE - IC debería ser la siguiente:
Figura 30. Característica VCE -IC ideal.
Idealmente, en la RAN la corriente de colector depende exclusivamente de la de base, a través

de la relación IC = βF x IB. Por lo tanto, en el plano VCE -IC, la representación estará formada por
rectas horizontales (independientes de VCE) para los diversos valores de IB (en este caso se ha
representado el ejemplo para (βF =100). Evidentemente, no se dibujan más que unos valores de IB
para no emborronar el gráfico. Para IB = 0, la corriente de colector también debe ser nula. La región
de corte está representada por el eje de abscisas. Por contra, para VCE = 0, el transistor entra en
saturación, luego esta región queda representada por el eje de ordenadas.
Hasta aquí se presenta la característica ideal, pero como era de esperar, la realidad es un poco
más compleja (Figura 31):
21/27
Figura 31. Característica VCE -IC - real.
Las diferencias son claras:

• En la RAN la corriente de colector no es totalmente independiente de
la tensión colector-emisor. Para valores altos de la corriente cobra importancia la
resistencia interna del transistor.
• La región de saturación no aparece bruscamente para VCE = 0, sino
que hay una transición creciente. Típicamente se suele considerar una tensión de
saturación comprendida entre 0,1 V y 0,3 V.
5. POLARIZACION DE UN TRANSISTOR
Para conseguir que el punto de trabajo de un transistor se situé en un determinado lugar de la
recta de carga, se utiliza unos circuitos denominados de polarización.
Polarizar un transistor implica conseguir que las corrientes y tensiones continuas que aparecen en
el mismo queden fijadas a unos valores previamente decididos. Es posible polarizar el transistor en
zona activa, en saturación o en corte, cambiando las tensiones y componentes del circuito en el que
se engloba. En este apartado se abordará la polarización del transistor mediante una red de resisten-
cias.
Supongamos que se quiere polarizar un transistor bipolar en zona activa. Se ha de conseguir que
sus tensiones y corrientes cumplan las condiciones de estar en activa: VBE = 0,7 V, VCE > 0,2 V. Una
primera opción sería usar un circuito como el de la figura 32. Podemos ver cómo conseguimos polari-
zar la unión base-emisor mediante una resistencia (R) conectada a alimentación. Por la base del tran-
sistor circulará una corriente igual a (VCC - VBE) / R, y en colector-emisor tendremos:
VCE = VCC > VCESAT.
Figura 32. Polarización de un transistor bipolar en zona activa.
Este primer circuito tiene dos inconvenientes:

• Por un lado que el transistor nunca se podría polarizar en saturación, pues no
se puede conseguir que VCE = 0,2 V siendo VBE = 0,7 V.
• Por otro lado la excesiva disipación.
5.2. Polarización por resistencia de base

Un circuito con el que se puede conseguir polarizar al transistor en las tres regiones de funciona-
miento es el de la figura 33. Vemos que en este caso la tensión colector-emisor depende directa-
mente de la corriente de base (VCE = VCC – β x IB x RC), y dicha corriente se fija actuando sobre la re-
sistencia de base RB (IB = (VCC - VBE) / RB).
22/27
Figura 33. Circuito polarización de base.
Los valores de las resistencias vienen dados a partir de las siguientes expresiones:
Despejando adecuadamente obtenemos:

VCC = RC x IC + VCE
Los valores de las corrientes de colector y base y de la tensión colector-emisor dependen del
punto de trabajo (VCEQ, lBQ, ICQ)
Este tipo de polarización se utiliza en circuitos que trabajan en conmutación, no siendo
aconsejable su uso en transistores a los que se desea trabajen en la zona activa.
EJEMPLO 5
Si en el circuito de la figura 33 la resistencia de base es de 100 K y la de colector 3K3 y el
transistor tiene una β = 100, ¿cuál es la intensidad de colector?
Si cambiamos el transistor por otro que tiene una β = 40, ¿qué le ocurre a la intensidad de
colector? Supongamos que la tensión de alimentación es de 10 V.
• En el caso del transistor de β = 100, tenemos:
VCC = RB x IB + 0, 7 V
I0 = 103 x IC + 0, 7
• En el caso del transistor de β = 40, tenemos:
Podemos observar cómo este circuito no estabiliza

eficazmente frente a variaciones de la β del
transistor, pues la lC ha variado considerablemente de valor.
EJEMPLO 6
Calcula el valor que deben tener las resistencias del circuito de la figura 33, para que un transistor
con una β mínima de 40 trabaje en la zona de saturación, si se alimenta a 12 V y circula una
corriente de colector de 6 mA.
En la zona de saturación deberá cumplir que la VCE = 0, por lo tanto de la ecuación:
VCC = RC x IC + VCE, de deduce que:
VCC = VRC = RC x IC = 12 V
Si despejamos la RC:
Al despejar la R3 de la ecua- ción, obtenemos:

Esta resistencia se puede redondear hacia abajo, para asegurar que la corriente de base sea23/27
más
alta de la calculada y el transistor esté en saturación. En caso podríamos escoger 75 KΩ.
5.3. Polarización por divisor de tensión en la base

Cuando se pretende que la polarización sea estable (es decir, que no varíe con factores exter-
nos), se usan redes de polarización más complejas, que fijan la tensión en base, como por ejemplo
la que aparece en la figura 34, denominada polarización por división de tensión. Las resistencias
R1 y R2 forman un divisor de tensión, lo cual le da el nombre a la configuración. Este tipo de polariza-
ción es uno de los más idóneos y el mejor para trabajar en la zona activa del transistor.
Figura 34. Polarización por división de tensión
En este circuito se cumple que:

VB = VBE + VRE
Si despejamos la tensión entre base y emisor:
VBE = VB - VRE
Si la β es mayor que la estimada, además del aumento de la corriente de colector y de la tensión
en la resistencia RC, también crece el voltaje en la RE.
Como la VB es constante y la caída tensión en la resistencia de emisor ha subido, la VBE tiene que
disminuir.
Por tanto, la corriente de base decrece, también la conductividad del transistor y, por consiguien-
te, la corriente de colector. De este modo se compensa su aumento inicial.
Además podemos observar cómo la lC es independiente de la β, pues:
Las resistencias de base se calculan a partir de las siguientes expresiones:
El valor de RE pasa a ser:
En la práctica la tensión en la resistencia de emisor se fija entre 0,7 y 1 V. El motivo es conseguir

un equilibrio entre la regulación y las pérdidas en amplificación.
Estos montajes son los más empleados por su gran estabilidad.
EJEMPLO 7
En un transistor BD137 (β ≥ 40), polarizado con divisor de tensión con resistencia de emisor,
alimentado a 15 V, ¿qué valor deben tener ras resistencias de polarización para que trabaje en el
punto central de la recta de carga con una IC de 5 mA?
En este circuito se debe cumplir que;
VCC = VRC + VCE + VRE
Como el punto de trabajo debe estar en el centro: 24/27
Si fijamos la 1 V:
VRC = VCC - VCE - VRE = 15 V – 7,5 V – 1 V = 6,5 V
VRC = RC x IC
Se despeja la RC y se obtiene:
Como se sabe, el BD 137 tiene una β mínima de 40.
Para el cálculo de las resistencias de base, hay que tener en cuenta que por la superior circula 10
veces la corriente de base, y, por la inferior, 9 veces.
La RE se calcula a partir de:
5.4. Polarización por realimentación de emisor

La finalidad de la polarización con realimentación de emisor es anular las variaciones de “βCC“ello
equivale a que RE sea muco mayor que "RB / βCC”. No obstante, en los circuitos prácticos "RE" no
puede ser lo suficientemente grande para anular los efectos de “βCC“sin que provoque la saturación
del transistor. En los diseños típicos, lo que sucede es que la polarización con realimentación de
emisor es casi tan sensible a los cambios en “βCC“como la polarización en base. Por ejemplo la
figura 35, muestra un circuito con realimentación de emisor, y su recta de carga para continua con
los puntos de trabajo para dos ganancias de corriente distintas. Como se pede ver, una variación 3:1
en la ganancia de corriente produce gran variación en la corriente de colector.
14,9 mA
βcc = 300
9,33 mA
βcc = 100
3,25 mA
VCE
+ 15 V
Figura 35. Polarización por realimentación de emisor
5.5. Polarización por realimentación de colector

La polarización con realimentación de colector ofrece una variable sobre la polarización con
realimentación de emisor: el transistor se puede saturar. A medida que se disminuye la resistencia
de base, el circuito de trabajo se desplaza hacia el punto de saturación sobre la realimentación de
carga para continua. Sin embargo, nunca puede llegar a la saturación aunque la resistencia de base
se haga muy pequeña.
25/27
El punto Q habitualmente se coloca cerca de la parte central de la recta de carga para continua,
esto requiere que:
RB = βCC x RC
La forma más fácil de comprobarlo es sustituyendo el valor en la ecuación. Este cambio da una
corriente de colector que es aproximadamente la mitad del valor de saturación.
La polarización con realimentación de colector es más eficaz que la polarización con
realimentación de emisor. Aunque el circuito sigue siendo sensible a los cambios experimentados
por βCC. Tiene a su favor la simplicidad y una mejor respuesta en frecuencia. En la figura 36, se
observa un circuito polarizado con realimentación de colector, junto con su recta carga de para
continua y los puntos de trabajo para dos ganancias de corrientes diferentes.
IC
15 mA
βCC= 300
8,58 mA
4,77 mA βCC= 100
VCE
15 V
Figura 36. Polarización por realimentación de colector.
Como se puede ver en dicha figura, una variación 3:1 en la ganancia de corriente produce menos
variación en la corriente de colector que la que permite la polarización con realimentación de emisor.
6. ENCAPSULADO DE LOS TRANSISTORES MÁS

POPULARES
Los encapsulados en los transistores dependen de la función que realicen y la potencia que
disipen, así nos encontramos con que los transistores de pequeña señal tienen un encapsulado de
plástico, normalmente son los más pequeños ( TO- 18, TO-39, TO-92, TO-226 ... ); los de mediana
potencia, son algo mayores y tienen en la parte trasera una chapa metálica que sirve para evacuar el
calor disipado convenientemente refrigerado mediante radiador (TO-220, TO-218, TO-247...) ; los de
gran potencia, son los que poseen una mayor dimensión siendo el encapsulado enteramente
metálico. Esto, favorece, en gran medida, la evacuación del calor a través del mismo y un radiador
(TO-3, TO-66, TO-123, TO-213...).
Cada transistor tiene impreso en el cuerpo del mismo, el tipo de transistor que es, siendo así muy
fácil poder encontrar sus características técnicas en un manual como el ECG o NTE. En estos
manuales también se pueden encontrar transistores de características similares o muy parecidas a
los que se los llama "equivalentes"
Entre los encapsulados están: (hay más)
• El TO-92: Este transistor pequeño es muy utilizado para la amplificación de pequeñas
señales. La asignación de patitas (emisor - base - colector) no está estandarizado, por lo que
es necesario a veces recurrir a los manuales de equivalencias para obtener estos datos.
• El TO-18: Es un poco más grande que el encapsulado TO-92, pero es metálico. En la
carcasa hay un pequeño saliente que indica que la patita más cercana es el emisor. Para saber
la configuración de patitas es necesario a veces recurrir a los manuales de equivalencias.
• El TO-39: tiene le mismo aspecto que es TO-92, pero es mas grande. Al igual que el anterior
tiene una saliente que indica la cercanía del emisor, pero también tiene la patita del colector
pegado a la carcasa, para efectos de disipación de calor. (Ver el gráfico en la parte inferior de
la página).
• El TO-126: Se utiliza mucho en aplicaciones de pequeña a mediana potencia. Puede o no
utilizar disipador dependiendo de la aplicación en se este utilizando. Se fija al disipador por
medio de un tornillo aislado en el centro del transistor. Se debe utilizar una mica aislante.
• 26/27
El TO-220: Se utiliza en aplicaciones en que se deba de disipar potencia algo menor que con
el transistor TO-3, y al igual que el TO-126 debe utilizar una mica aislante si va a utilizar
disipador, fijado por un tornillo debidamente aislado.
• El TO-3: este encapsulado se utiliza en transistores de gran potencia. Como se puede ver en
el gráfico es de gran tamaño debido a que tiene que disipar bastante calor. Está fabricado de
metal y es muy normal ponerle un "disipador" para liberar la energía que este genera en calor.
Este disipador no tiene un contacto directo con el cuerpo del transistor, pues este estaría
conectado directamente con el colector del transistor. Para evitar el contacto se pone una mica
para que sirva de aislante y a la vez de buen conductor térmico. El disipador de fija al transistor
con ayuda de tornillos adecuadamente aislados que se introducen el los orificios que estos
tienen. (Ver figura)
En el transistor con encapsulado TO-3 el colector esta directamente conectado al cuerpo del
mismo (carcasa), pudiendo verse que sólo tiene dos pines o patitas. Estas patitas no están en
el centro del transistor sino que ligeramente a un lado y si se pone el transistor como se
muestra en la figura, al lado izquierdo estará el emisor y la derecha la base.
TO-18 TO-39 TO-92
TO-126 TO-3P TO-220AB
TO-220AC TO-247AC TO-3
SOT-223
Figura 37. Encapsulado de algunos transistores.

27/27
7. COMO PROBAR UN TRANSISTOR
Para probar transistores hay que analizar un circuito equivalente de éste, en el que se puede
utilizar lo aprendido al probar diodos. Ver la siguiente figura:
Figura 26. Comprobación de un transistor.
Se ve que los circuitos equivalentes de los transistores bipolares NPN y PNP están compuestos
por diodos y se sigue la misma técnica que probar diodos comunes.
La prueba se realiza entre el terminal de la base (B) y el terminal E y C. Los métodos a seguir en
el transistor NPN y PNP son opuestos.
Al igual que con el diodo, si uno de estos "diodos del equivalentes del transistor" no funcionan
cono se espera hay que cambiar el transistor.
Nota: Aunque este método es muy confiable (99 % de los casos), hay casos en que, por las
características del diodo o el transistor, esto no se cumple. Para efectos prácticos se sugiere tomarlo
como confiable en un 100%
8. EJERCICIOS

01-08 Transistores BJT

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01-08 Transistores BJT

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Unidad 7. El Transistor BJT.

Mario Barberà / Valentin Huélamo Página 1/27

3. FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR

6. ENCAPSULADO DE LOS TRANSISITORES

7. IDENTIFICACIÓN DEL TIPO DE TRANSISTOR

Figura 1. Comportamiento de un transistor.

En todo transistor se cumple, respecto a tensiones y corrientes, lo siguiente:

VCE = VCB + VBE en un NPN IE = IB + IC

Además, como un parámetro muy importante, tenemos que:

Figura 2. Símbolo y forma del transistor bipolar.

Figura 3. Estructura de un Transistor bipolar.

El transistor se fabrica sobre un substrato de silicio, en el cual se difunden impurezas, de forma

Figura 4. Estructura real de un Transistor.

Figura 5. Dimensiones de un Transistor bipolar.

Figura 6. Estructura y símbolo de un transistor NPN

Figura 7. Estructura y símbolo de un transistor PNP

3.2. Fundamentos físicos del efecto transistor

Figura 8. Efecto transistor

Figura 10. Corrientes en un TRT.

 Relaciones más importantes. Parámetros α y β

Operando podemos relacionar ambos parámetros de la siguiente forma:

En esta ecuación se ha denominado IC0 a la corriente inversa de saturación de la unión colector-

3.3. Principales parámetros comerciales

• Ganancia de tensión (AV): es la relación entre la tensión de salida y la de entrada.

• Ganancia de potencia (AP) es la relación entre la potencia de salida y la de entrada.

3.4. Tipos de montajes

Figura 11. Cuadripolo.

Figura 12. Configuración base común.

En este montaje se cumple:

Se puede asegurar que:

▪ La corriente de salida (IC) depende de la entrada (IE).

La ganancia de tensión tendrá un valor elevado e igual a:

Si sustituimos adecuadamente en la expresión anterior, nos queda:

Figura 13. Curva característica de un montaje B.C.

Figura 14. Configuración base común.

En la gráfica de la figura 15 pueden apreciarse las curvas características de salida de la conexión

Figura 15. Curva característica de un montaje E.C.

En este montaje se cumple:

Figura 16. Configuración colector común.

Resumen de las principales características de los tres montajes:

Montaje B.C E.C. C.C

Ganancia en corriente Alta Alta Alta

Ganancia en tensión Alta Alta <1

Impedancia de entrada Baja Media ≈ 1K Alta

Impedancia de salida Alta Media (30 – 50 k) Baja

Corriente de fugas ICBO Muy pequeña Muy elevada -

3.5. Recta de carga y Punto de trabajo

Figura 17. Recta de carga de un

Figura 18. Variación del punto de trabajo

Fig. 19. Circuito de transistor en carga.

La corriente deberá ser:

La corriente de colector será:

La corriente de base será:

En resumen, los valores correspondientes a cada punto son:

Punto P1 Punto P2 Punto P3

La grafica de resultados se puede ver en la siguiente figura 20:

Figura 20. Valores del ejemplo 1.

3.6. Zonas de funcionamiento de un transistor

Figura 21. Zonas de funcionamiento de un transistor.

A efectos prácticos, el transistor en saturación se comporta como un cortocircuito o un

Figura 22. Circuito ejemplo 2.

IB IC IE VBE VCE VBC