08-04-2016

Materiais Electrnicos
COMPONENTES ELETRNICOS
ESCOLA SUPERIOR TECNICA
PASSIVOS ACTIVOS
DEPARTAMENTO ENG ENHARIAS
Curso de Licenciatura em Engenharia de Electrnica
RESISTOR INDUTOR CAPACITOR DISPOSITIVOS ELETRNICOS

MATERIAIS E COMPONENTES DIODOS TRANSISTORES SENSORES

ELECTRNICOS
Rectificador Especiais Bipolar Especiais Temperatura Pressao

DISPO SITIVO S ELETR NICO S Velocidade

Zener FET
(DIO DO S)
CIRCUITOS DE AMPLIFICAO
CIRCUITOS DE CHAVEAMENTO
Docente: Eng. Edigar Macie CIRCUITOS DE OSCILAO
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Circuitos Integrados (CIs) [ LINEARES e DIGITAIS ]

SEMICONDUTORES SEMICONDUTORES
Os materiais que permitem o f luxo de O silcio o material mais comum usado para construir
electres so chamados dispositiv os semicondutores.
condutores (por exemplo, ouro, prata,
cobre, etc.). Si o principal in gredie nte de areia e estima-se que uma milh a
cbico de gua do mar contm 15.000 toneladas de Si.
Materiais que bl oquei am o f luxo dos
electres so chamados Si f iado e acrescida em uma estrutura cristalina e cortada em
isoladores (por exemplo, de borracha, pastilhas para f azer dispositiv os eletrnicos.
de v idro, Tef lon, mica, etc.).

Materiais cuja condutiv idade cai entre

os de condutores e isolantes so
chamados semicondutores.

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SEMICONDUTORES
Os tomos em uma pastilha de silcio puro contm quatro
electres em rbita externa (chamada electres de v alncia).
O germnio um outro material semicondutor com quatro
electres de v alncia.
Na estrutura de rede cristalina de Si, os electres de v alncia
de cada tomo de Si so trancado em ligaes cov alentes com
os electres de v alncia de quatro tomos v izinhos de Si.
SEMICONDUTORES
- Na sua f orma pura, as pastilhas de Si no contm quaisquer
portadores de carga liv res.
- Uma tenso aplicada atrav s da pastilha de Si puro no
produzir f luxo de electres atrav s da pastilha.
- Uma pastilha de Si puro age como um isolante.
A f im de tornar os dispositivos semicondutores teis, materiais
tais como o f sf oro (P) e boro (B) so adiciona dos a Si par a
alterar a condutiv idade do Si.

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SEMICONDUTORES
Silcio do Tipo N
Impurezas pentav alentes como f sf oro, arsnio, antimnio e
bismuto tm 5 electres de v alncia.
Quando a imp ure za de f sf oro adicionada a Si, todas as
quatro v alncias de cada tomo de f sf oro so trancadas em
ligao cov alente com electres de valncia de quatro tomos
v izinhos de Si.
No entanto, o quinto electro de v alncia do tomo de f sf oro
no encontra um electro de ligao e assim permanece liv re
para f lutuar. Quando uma tenso a plicada atrav s da mistura
de silcio e f sf oro, electres liv res migram para o polo positiv o
de tenso.
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SEMICONDUTORES
Silcio do Tipo P
Impurezas triv alentes, por exemplo, boro, alumnio, indio, glio
tm 3 electres v alncia.
Quando o bor o adicionad o ao Si, trs electres de v alncia
de cada tomo de boro so trancados em ligao cov alente
com electres de v alncia dos trs tomos v izinhos de Si.
No entanto, um lugar v ago "buraco" criado dentro da ligao
cov alente entre um tomo de boro e um tomo v izinho de Si.
Os f uros so considerados portadores de carga positiv a.
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SEMICONDUTORES
Silcio do Tipo P
As impurezas trivalentes so referidos como impurezas
receptoras. O buraco de tomo de boro aponta (vai) para o
terminal negativo.
Os electres de pontos vizinhos do tomo de silcio em
direco terminal positivo.
A electres a partir de tomo de silcio vizinho cai dentro
do tomo de boro enchendo o furo no tomo de boro e a
criao de um "novo buraco no tomo de silcio.
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SEMICONDUTORES
Silcio do Tipo N
Quando o f sforo adicionado a Si para produzir o ef eito
ref erido, dizemos que o Si dopado com f sforo. A mistura
resultante chamada de silcio tipo N (N: silcio portador de
carga negativ a).
As impurezas pentav alentes so ref eridas como impurezas
doadoras. 08-04-2016
SEMICONDUTORES
Silcio do Tipo P
Quando uma tenso aplica da atrav s da mistura de silcio-
boro, um f uro mov e-se para o extremidade negativ a de tenso
enquanto um electro v izinha preenche o seu lugar.
Quando boro adicionado Si para produ zir o ef eito ref erido,
dizemos que o S i dopa do com boro. A mistura resultante
chamado de silcio do tipo P (P: portador de carga positiv a
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silcio).
DIODOS SEMICONDUTOR
O diodo semicondutor um dispositivo electrnico feito de
silcio ou germnio que tem como funo transformar
corrente alternada em corrente contnua.
Diodo permite que a corrente passe em uma nica direco.
Um diodo de silcio de juno-PN formada com a unio do
tipo N e do tipo P.
O lado P chamado lado do nodo e do lado N chamado
ctodo.
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DIODOS SEMICONDUTOR DIODOS SEMICONDUTOR

Quando o nodo e o ctodo de um diodo de juno PN so FUNCIONAMENTO
ligados a uma voltagem externa de tal modo que o potencial
Quando um di odo es t ligado a
no nodo maior do que o potencial no ctodo, o diodo uma bateria, conforme a figura ao
dito ser polarizado directamente. lado os electr es do lado N e as
lacunas do lado P so for ados a
irem em direc o ao c entro pel o
campo elc trico fornecido pel a
bateria.
Em Uma corrente do dodo polarizado directamente
Os el ectres e burac os c ombinam
deixada a fluir atravs do dispositivo. fazendo c om que o a c orrente
pass e atravs o diodo. Quando um
Quando o potencial no nodo menor do que o potencial no diodo disposta dess e modo, iss o
dito estar pol arizado
ctodo, o diodo dito para ser polarizao inversa. Em uma directamente ( porta aberta)
A corrente em um diodo de polarizao inversa bloqueada.
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DIODOS SEMICONDUTOR DIODOS SEMICONDUTORES

Normal mente, para di odos de silcio, necess ria uma tens o aplicada Existem v rios tipos de diodos, cada um construdo para um
de 0.6V ou superior, caso contrrio, o diodo no ir conduzir. tipo especf ico de aplicao:
Diodos retif icadores
Este recurso til na formao de um interruptor sensvel tenso.
Diodos retif icadores de av alanche
Caractersticas I-V para diodos de silcio e germnio mostrado abaixo. Diodos de ref erncia de tenso, ou tipo Zener
Diodos de capacitncia v ariv el
Diodos tipo Schottky
LED
ETC..

N P
K A K A

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DIODOS RETIFICADORES DIODOS RETIFICADORES DE AVALANCHE

Suportam altas correntes em polarizao direta, de 1A Suportam altas correntes em polarizao direta, de 1A
at cerca de 1000A. at cerca de 1000A.
Tenso de ruptura de 50V a 5000V. Tenso de ruptura de 50V a 5000V.
No podem entrar em conduo rev ersa. Podem entrar em conduo rev ersa por perodos curtos
Dissipam alta potncia. de tempo.
So f abricados com baixas concentraes de So f abricados com baixas concentraes de impurezas,
impurezas, N e P. n e p, e com lminas espessas.

I I

V V

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Diodos de referncia de tenso ou Zener DIODOS ESPECIAIS

Diodo PIN
Trabalham polarizados inv ersamente, em ruptura. A regi o I tem baixa
Correntes mximas de 1A a 10A. condutiv idade(alta resistncia).
Tenso de ruptura de entre 3V e 200V. Masv ir a se tornar uma regio de
So f abricados com camadas de mdia concentraes de elev ada condutiv idade sob
impurezas. polarizao direta.

I
Em polarizao rev ersa praticamente
no conduz, of erecendo uma alta Age como resistor
controlado pela corrente,
K A tenso de ruptura, da ordem de
atua como limitador em
centenas de v olts atuando como um circuitos ou como atenuador
V
capacitor. em microondas.

Em polarizao direta comporta-se

como uma resistncia v ariv el de
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baixo v alor.

DIODOS ESPECIAIS DIODOS ESPECIAIS

Dispositivos GUNN IMPATT (Impact Avalanche and Transit Time)
Consiste de um cristal homogneo de arsenieto de glio sem Trabalhando em f requncias da ordem de 300GHz, tem um
a juno PN, no sendo polarizado como os demais diodos desempenho superior aos dispositiv os GUNN, porm com
dev ido a ausncia da juno. tenses elev adas, da ordem de uma centena de v olts.

Basicamente f ormado por uma regio N, sobre uma base
cristalina. O ef eito GUNN foi apresentado em 1964 e ref ere-se
a circulao de zonas de campo elctrico de v alor elev ado,
chamados de domnios, que se mov imentam atrav s do
cristal, quando o dispositiv o conv enientemente polarizado.
Os domnios so agrupamentos de electres entre nodo e
ctodo, resultando num ciclo de pulsos de corrente de
transio, determinado pela Iargura da camada N. O v alor da
tenso aplicada, tambm tem inf luncia no ciclo de domnios.
O dispositiv o utilizado na gerao d e oscilaes em torno de
40GHz. 08-04-2016
A tenso aplicada de modo rev erso f az com que o diodo
trabalhe na ru ptura, resultando numa corr ente de av alanche.
So dispositiv os de quatro camadas, sendo uma P e outra N,
f ortemente dopadas, uma N intermediria e uma camada
intrnseca. A regio de depleo f ormada com a regio N e a
camada intrnseca.
Dev ido a alta tenso rev ersa, a dissipao de potncia muito
elev ada.
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DIODOS ESPECIAIS DIODOS ESPECIAIS

TRAPPAT (Trapped Plasma Avalanche Triggered
Transit
So diodos IMPATT, que requerem altssimos campos
eltricos aplicados quando usados com correntes externas
conv enientes, a ionizao se estende por toda a regio de
depleo, ento ser desenv olv ido um plasma e portadores.
DIODO TUNNEL (ou ESAKI)
Para correntes cujos v alores esto compreendidos entre Iv e
Ip, podemos obter o mesmo v alor de corrente para 3
dif erentes v alores de tenso aplicada. Esta caracterstica de
v alores mltiplos f az com que o diodo-tnel seja til em
circuitos de pulso digitais.
Outra aplicao como chav e, operando em v elocidade muito
altas, como o tunelamento ocorre v elocidade da luz.

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DIODOS ESPECIAIS DIODOS ESPECIAIS

DIODO TUNNEL (ou ESAKI)
Vantagens: baixo custo, baixo rudo, simplicidade de
f abricao, alta v elocidade(o tempo de chav eamento da
ordem de Nanossegundos ), imunidade ao meio ambiente e
baixa potncia.
Desvantagens: baixa v ariao na tenso de sada e o f acto
de ser um dispositiv o com dois terminais, com isso no existe
isolao entre a entrada e a sada, prov ocando assim srias
dif iculdades em projectos de circuitos.
DIODO SCHOTTKY
Tambm chamado de diodo HCT (Hot carrier Diode.),
muito utilizado na f abricao de circuitos integrados.
Quando em polarizao directa, essa dif erena prov oca, o
aparecimento de uma corre nte no sentido do semicondutor
para o metal. Em polariza o rev ersa o aumento da barreira
de potencial impede a conduo de corrente.
Dev ido a ausncia de portadores minoritrios, a resposta do
SCHOTTKY muito rpida podendo trabalhar em
frequncias da ordem de 70GHz.
A tenso de incio de conduo de pende d os materiais
escolhidos na f abricao do diodo, podendo v ariar de 0,25 a
0,75v olts.

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DIODOS ESPECIAIS DIODOS ESPECIAIS

DIODO SCHOTTKY DIODO VARICAP (VARACTOR)
Os VARICAPS so diodos optimizados
para trabalharem em polari zao
rev ersa, apresentando maiores
v ariaes de capacitncia, em f uno
do potencial rev erso aplicado.

Para baixas f requncias so f abricados

com silcio, sendo usado a arsenieto de
glio para f requncias mais elev adas.

A f igura a seguir mostra o

comportamento da capacitncia em
f uno da polarizao e o smbolo do
diodo v aricap.
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DIODOS ESPECIAIS DIODOS ESPECIAIS

LIGHT EMITTING DIODE (LED)
A intensidade da luz produzida pelo Led
diretamente proporcional corrente que f lui
atrav s dele.
O catodo (+) do Led pode ser identif icado
pelo terminal da bandeira que se encontra
dentro do encapsulamento plstico e
costuma ser o terminal mais longo do Led.
FOTODIODO
A incidncia de energia luminosa numa
juno PN libera eltrons da camada de
v alncia para a camada de conduo.
A corrente rev ersa de um diodo dev ido a
mov imentao de portadores minoritri os
que surgem em ambos os lados da juno.

Num f otodiodo, a corrente rev ersa

A cor da lu z emitida depen de do material
controlada atrav s da incidncia da luz na
utilizado no cristal e tambm do nvel de
juno, atrav s de encapsulamentos
dopagem.
especiais.
Os LEDs suportam no mximo 2V / 20 mA.
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DIODOS ESPECIAIS
OPTOACOPLADOR ELETRONICO FOTOACOPLADOR)
Existem div ersos tipos de f otoacopladores. O mais simples
utiliza um diodo emissor de luz (LED) e um f otodiodo num
mesmo encapsulamento.
A passagem de corrente no LED, produz radiao
inf rav ermelha, que absorv ida pelo f otodiodo, produ zindo
corrente. O acoplador tico tem como caracterstica principal
proporcionar a isolao entre dois circuitos.
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DIODOS ESPECIAIS
DIODO DE CONTATO DE PONTO
Uma pequena h aste de metal pressiona da contra uma
regio do tipo N. Por um processo de f uso criada no
ponto de contacto uma regio do tipo P.
A utilizao desse dispositiv o grande em circuitos de
f requncia elev ada, porm com baixos nv eis de potncia. A
f igura a seguir, mostra um diodo de contacto de ponto.
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