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Circuito de Comando com UJT

Nikolas Libert

Aula 9
Manuteno de Sistemas Eletrnicos Industriais ET54A
Tecnologia em Automao Industrial
Transistor Unijuno (UJT)

Transistor Unijuno (UJT)

Barra de semicondutor tipo N com uma ilha tipo P.


Possui 3 terminais: Duas bases e um emissor.
Tambm chamado de transistor de dupla base.
B2 Base 2

B2
E
E P N Emissor
Emissor
B1

B1 Base 1

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Transistor Unijuno (UJT)
B2
Circuito Equivalente B2

Rb2
0,7 V
B2 E E P N
E vRb1 vBB
vBB
vEE

Rb1
vEE
B1
B1
B1

A juno E-B1 funciona como um diodo, que s


conduzir se vEE for maior que 0,7 V + vRb1.
Se o diodo no estiver conduzindo (no corte), a regio
de semicondutor N, entre B1 e B2, se comporta como
um resistor de valor RBB = Rb1 + Rb2.

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Transistor Unijuno (UJT)
B2
No corte, a tenso vRb1

Rb2
E
0,7 V dada por:
vRb1 vBB
v BBR b 1
v Rb1 =
Rb1
vEE =v BB
Rb 1+ Rb 2
B1
Rb 1
=
Rb 1+ Rb 2

O termo (ta) chamado de razo intrnseca de


disparo, sendo um parmetro de fabricao do UJT.
O valor de costuma estar entre 0,4 e 0,9.

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Transistor Unijuno (UJT)

Quando a tenso no emissor atinge vP, o diodo interno


entra em conduo e a resistncia entre E e B 1 se
torna baixa. B2
VE
Resistncia
Corte Negativa
VP Saturao
E

v P =v BB+0,7
B1
O UJT volta ao corte quando
o diodo deixa de estar VV
diretamente polarizado. IE
IV
Tenso entre E e B1 inferior a vV.

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Transistor Unijuno (UJT)

Parmetros do UJT.
IP: corrente no incio do disparo.
IV: corrente de vale.
: razo intrnseca de disparo.
RBB0: resistncia entre bases.
Ex.: UJT 2N2646
Min. Max.
IP - 5 A
IV 4 mA -
0,56 0,75
RBB0 4,7 k 9,1 k

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Oscilador de Relaxao

Oscilador de Relaxao

vBB

Principal aplicao do UJT.

RB2
R
Operao na regio de resistncia
negativa. vRB1
C
Circuito base para disparo de

RB1
tiristores.

No confundir RB1(RB2) com Rb1(Rb2).

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Oscilador de Relaxao

Oscilador de Relaxao
vBB
RB2 d estabilidade trmica ao
vBB UJT.

RB2
Normalmente RB2 e RB1 so
RB2

R
R

pequenos, comparados com

Rb2
0,7 V
Rb1 e Rb2.
vx
vRB1 No corte:
C
C Rb1
v BB( R b 1 + R B 1 )
RB1

vRB1
v x=
( R b1 + R B 1 + R b 2 + R B 2 )
RB1

v BBRb 1
=v BB
( Rb 1+ Rb 2)

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Oscilador de Relaxao

Etapa 1

vBB
Inicialmente o capacitor est descarregado e o
diodo cortado.
RB2

O capacitor se carrega por meio do resistor R e


R

sua tenso tende a vBB.


Rb2

0,7 V
vC
vx vC
vBB
C
Rb1

vRB1
RB1

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Oscilador de Relaxao

Etapa 2

vBB
Antes da tenso no capacitor chegar a vBB, o
limiar vP atingido e o UJT entra em conduo.
RB2
R

Rb2

0,7 V
vC
vx vC
vBB
C
vP
vRB1
RB1

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Oscilador de Relaxao

Etapa 3
O capacitor comea a ser descarregado por
vBB
meio do diodo.
Com a conduo do diodo, a resistncia Rb1
fica muito pequena (como a resistncia interna
RB2

de um diodo).
R

A descarga rpida pois RB1 pequeno.


Rb2


0,7 V
vC
vx vC
C
vP
vRB1
RB1

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Oscilador de Relaxao

Etapa 4

vBB
Quando a tenso no capacitor atinge o limiar de
vale vV, o UJT corta.
RB2

O capacitor volta a se carregar por meio do


R

resistor R.
Rb2

0,7 V
vC
vx vC
C
Rb1

vP
vRB1
RB1

vV
t

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Oscilador de Relaxao

Oscilador de Relaxao
vC
vBB vP
O circuito gera um sinal pulsante.
No ponto vRB1, havero pulsos
RB2

estreitos de tenso apenas nos vV


momentos em que o UJT conduz t

C
vRB1 (descarga do capacitor). vRB1

Os pulsos em vRB1 podem ser


RB1


utilizados para disparo de um
tiristor.
t

O perodo de oscilao dado por: T =RCln


( )
1
1

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Disparo de Tiristor com UJT

Disparo de Tiristor com UJT

O UJT pode gerar o trem de pulsos necessrio para


disparo de um Tiristor.
vBB
RB2
R

RL

C
RB1

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Disparo de Tiristor com UJT

Clculo de RB2
Alguns fabricantes aconselham um valor de RB2 igual a
15 % de RBB.
Outros fornecem equaes:
vBB
10000
RB 2
v BB

RB2
R
RL
(para 2N2646 e 2N2647)

C
0,4R BB (1)R B 1

RB1
RB 2 +
V BB
(para 2N1671 e 2N2160)

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Disparo de Tiristor com UJT

Clculo de RB1
Enquanto o capacitor se carrega e o UJT est no corte,
haver uma tenso sobre RB1.
Essa tenso dada pelo divisor resistivo de RB1, RB2 e
RBB, e deve ser menor que a tenso de disparo da
porta do tiristor (vGT). vBB

Caso contrrio, o tiristor poder

RB2
R
RL
disparar na hora errada.

R B 1v BB C
v GT

RB1
R B 1 + R B 2 + R BBmin

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Disparo de Tiristor com UJT

Clculo de R.
O resistor R um dos responsveis pela frequncia de
oscilao, mas sua resistncia deve estar numa faixa
dada por:
v P =v BB+0,7
v BBv P v BBvV
R
IP IV vBB

A tenso de saturao entre

RB2
R
RL
emissor e base1, vEB1(sat), pode
ser utilizada como aproximao
para vV. C

RB1
IP, IV, e vEB1(sat) so fornecidos
no datasheet.

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Disparo de Tiristor com UJT

Clculo de C.
Conhecendo-se a faixa de valores aceitveis para o
resistor R, pode ser escolhida uma combinao de R e
C que gere a frequncia de oscilao desejada:
vBB

T =RCln ( )
1

RB2
1

R
RL

1
f= C
T

RB1
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Disparo de Tiristor com UJT

Exemplo. Projete um oscilador para disparo de um


TIC106D, com um UJT 2N2646. Dados: f=500 Hz,
vBB=20 V, vGT (pior caso) = 0,2 V, vEB1(sat) = 2,5 V.
RB2?
vBB
RB1?
R e C?

RB2

R
RL

RB1
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Oscilador com UJT Sincronizado com a Rede

Oscilador com UJT Sincronizado com a


Rede

Para que o UJT possa ser utilizado para disparo de


tiristores, importante o sincronismo com a rede.
Alimentao do circuito RZ

com diodo zener.

RB2
R
+

- C

RB1
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Oscilador com UJT Sincronizado com a Rede

No semiciclo positivo da rede eltrica, o diodo zener


limita a tenso da rede em vBB, alimentando o circuito
oscilador.
No semiciclo negativo, o diodo conduz, colocando em
curto a entrada do oscilador e descarregando C.
como se o oscilador estivesse desligado.
vE RZ
vBB

RB2
R
vC + vBB
t
vE
vRB1
- C

RB1
t

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Oscilador com UJT Sincronizado com a Rede

No lugar do resistor R pode ser inserido um


potencimetro para controle do ngulo de disparo.
O primeiro pulso gerado o que efetivamente
disparar o tiristor.
A adio de uma ponte retificadora antes do zener
possibilitaria o disparo nos dois semiciclos.
vE RZ
vBB

RB2
R
vC + vBB
t
vE
vRB1
- C

RB1
t

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Transistor de Unijuno Programvel (PUT)

Transistor de Unijuno Programvel


(PUT)

Dispositivos que desempenham o mesmo papel do


UJT.
Principais diferenas com relao ao UJT:
Tenso de disparo controlvel.
Maior rapidez e sensibilidade.
Em temporizadores de perodo longo o desempenho
do PUT superior (menor corrente de pico no disparo).

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Transistor de Unijuno Programvel (PUT)

Dispositivo formado por 4 camadas, semelhante a um


SCR.
Difere com relao ao ponto de ligao do terminal de
gatilho.
A (nodo)

A
P G
G (porta)
N
P
N K

K (ctodo)

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Transistor de Unijuno Programvel (PUT)

Modelo Equivalente
A A

P P A

G N G N N T1 G
P P P T2

N N
K
K K

+ +
0,7 0
+ - -
0,3 T1 T1
Condio para conduo: -
vA > vG + 0,7 T2 T2
+
0,7
-
PUT Conduzindo PUT Cortado

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Transistor de Unijuno Programvel (PUT)

Circuito de Polarizao

RL
G
Rth
RB2
vE A
vTh
RL
G vBB
A Thvenin
vE K
RB1

K
R B 1+ RB 2
RTh=R B 1 || R B 2=
R B 1+ RB 2
v BBR B 1
v Th=
RB 1 + RB 2

RB 1
Por analogia, podemos dizer que v Th=v BB , onde =
RB 1 + RB 2

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Transistor de Unijuno Programvel (PUT)

Circuito de Polarizao A
RL v Th=v BB
G T1 G
A Rth
vE vTh
T2

K
K

Considerando que T1 esteja cortado.


No flui corrente nem na base, nem no coletor de T1.

A queda de tenso entre base e emissor praticamente zero (menor que

0,7 V). Logo, VE = VTh


No entra corrente na base de T2.

T2 tambm corta.

O PUT s conduzir se o valor de VE for elevado a um valor vP dado por


v P =v Th +0,7=v BB+0,7
O PUT funciona como um UJT onde o parmetro pode ser
determinado por resistores externos.
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Referncias

ALBUQUERQUE, Rmulo Oliveira. Utilizando


Eletrnica com AO, SCR, TRIAC, UJT, PUT, CI 555,
LDR, LED, FET e IGBT, 2 Edio, rica, So Paulo,
2013.
de ALMEIDA, J. L. A. Dispositivos Semicondutores:
Tiristores Controle de Potncia em CC e CA, 12
Edio, rica, So Paulo, 2010

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