COLECTORES FOTOVOLTAICOS

Consumo electricidad en el Per: 1 270 kWh/habitante ao (2013)

Consumo electricidad en latino amrica:

90,3% de la poblacin peruana tiene servicio elctrico, 70% de la rural

A nivel mundial ms de mil millones de personas no tienen acceso a la electricidad, en Amrica

Latina y Caribe 30 millones (debemos adicionar 16GW) y en el Per 3 millones.

Ventaja de los paneles fotovoltaicos:

-PFV son modulares (se puede ajustar a la potencia requerida)

-Convierten la radiacin directa y difusa pueden ser montados fijos.

-Requieren mantenimiento no especializado y mnimo

-La vida til es de ms de 20 aos.

-No tienen efecto ecolgico negativo

RESEA DE LA TECNOLOGIA FOTOVOLTAICA

Fenmeno fotovoltaico fue observado en 1839 y primer aparato construido en 1873.

Efecto fotovoltaico en celdas electrolticas por Becquerel en 1839 y el descubrimiento de la

fotoconductividad del selenio por Willoceceghby Smith en 1873

En 1905 con Einstein se tuvo una explicacin satisfactoria.

En dcada del 50 se fabrican celdas con eficiencia del de 14%.

CONVERSION FOTOELECTRICA

Efecto FOTOELECTRICO: descubierto por Hertz en 1887 consiste en un desprendimiento de

electrones de la superficie de los metales al chocar con dicha superficie fotones de suficiente
energa, dando lugar a una corriente elctrica denominada fotoelctrica.

Un fotn es un cuanto de luz con energa:

= =

h: constante de Planck
: frecuencia de la luz
C : velocidad de la luz
: longitud de onda de la luz

BANDAS DE ENERGIA
EL ATOMO DE SILICIO

En ltima etapa 4 electrones (de valencia)

Silicio en forma cristalina

La unin de los electrones en la red Si

Enlace covalente (en total 4 enlaces en forma tetraedral)

Para romper un enlace es decir separar un electrn se necesita una energa de Eg = 1,1 eV

La luz visible (0,4-0.8 m) es absorbida por Si, infrarrojo no es absorbida (Si es transparente
para el infrarrojo)

LA CONDUCTIVIDAD ELCTRICA

Los conductores son elementos qumicos puros como el boro, selenio, arsnico y galio.

La luz est formada por entidades fsicas llamadas fotones que tienen propiedades de los
corpsculos materiales, los cuales son capaces de interactuar con los electrones de los cuerpos
sobre los que inciden.

La conductividad elctrica de un semiconductor puede ser controlada incorporando al

semiconductor impurezas, es decir otros tomos. Unas pocas partes por milln de tomos por
ejemplo fosforo, boro en un semiconductor de silicio no solamente cambian fuertemente la
magnitud de su conductividad, sino tambin los mecanismos de los mismos.

Existen dos tipos de semiconductores: n y p

Tipo n se les puede forzar mediante la adicin de pequeas cantidades de impurezas

apropiadas a tomar un exceso de electrones en determinadas posiciones.

Tipo p, tienen un defecto de electrones o en exceso de huecos (lugares vacos dejados por los
electrones al emigrar estos a otras posiciones) El silicio puede ser dopado, algunos tomos de
silicio son reemplazados por tomos de Arsnico, Galio, Fosforo o Boro.

BANDAS DE ENERGA EN UN SEMICONDUCTOR TIPO N

Tenemos muy pocos tomos de impurezas (+5) en comparacin con los tomos normales de
Silicio (+4).

Como se impurifica muy poco, los tomos de +5 estn muy alejados y no se influyen entre s,
pudiendo tener electrones de tomos diferentes la misma energa y por lo tanto estn todos al
mismo nivel. Esa energa que tienen se llama "Energa del tomo Donador" (ED).

En cuanto se le d una pequea energa los electrones suben a la BC y se convierten en libres.

Tambin se da la generacin trmica (generacin de pares hueco-electrn), pero lo que ms

ocurre es debido a las impurezas y muy poco por generacin trmica, por lo que
despreciaremos esta ltima.

BANDAS DE ENERGA EN UN SEMICONDUCTOR TIPO P

En este caso las impurezas son tomos de +3, y como en el caso anterior hay muy pocos y
estn muy alejados por lo que los electrones de tomos diferentes estn al mismo nivel
energtico. Esa energa es la "Energa del tomo Aceptor" (EA).

A 300 K o ms, el electrn cercano a EA sube desde la BV y deja un hueco en la BV mientras

que la EA se llena de electrones. Se sigue dando generacin trmica tambin, pero como antes
es despreciable.
UNION p-n

Al ponerse en contacto un cuerpo cristalino semiconductor tipo n con otro tipo p, se crea una
unin p-n, la cual posee propiedades especiales.

Tanto el semiconductor n (exceso de electrones) como el semiconductor tipo p (exceso de

huecos) tienden a difundirse a travs de la superficie comn de separacin, penetrando un
poco al otro lado de dicha frontera. Como cada semiconductor es globalmente un cuerpo
elctricamente elctricamente neutro esta difusin de electrones y huecos, debido a una
diferente concentracin de unos y otros en cada lado de la superficie har que el
semiconductor tipo n se cargue negativamente y el semiconductor tipo p se cargue
positivamente, establecindose una diferencia de potencial de algunas dcimas de voltio, lo
cual da lugar a un campo elctrico que restablece el equilibrio, evitndose que contine el
flujo de portadores de carga.

Sin embargo, si incide luz sobre la zona de unin, los fotones de la misma liberaran electrones
adicionales y al mismo tiempo dejaran huecos en su lugar. Estos pares electrn hueco por
efecto del campo elctrico adquieren movimiento (energa) y pueden ser recogidos, mediante
un conductor, aparece una corriente elctrica. Notemos que la energa elctrica proviene de
los fotones de la luz, por lo que la corriente cesa en cuanto esta se suprime.

Zona p y n antes de unirse:

Instante inicial en que se juntan. Instante cero, todava no ha habido difusin:

Los electrones pasan de derecha a izquierda y se recombinan con los huecos.

Cruzan y se recombinan los que estn al lado de la unin. Se empieza a crear una diferencia de
potencial entre una parte y otra, esta diferencia de potencial aumenta hasta que se establezca
el equilibrio (Si a 0.7 V, Ge a 0.3 V).

En las Bandas de Energa ocurre lo siguiente: Un electrn va de n a p y luego en p baja de BC a

BV.

Al recombinarse, la energa que hay desde el nivel que tena al que est el hueco al que ha
saltado la tiene que saltar y la suelta en forma de calor (un diodo se suele calentar) o tambin
en forma de radiacin que puede ser visible (Led) o no.

Esto contina hasta que se llega a 0.7 V y se llega al equilibrio.

Y se ha creado una diferencia de potencial o anchura de banda (W).

Equilibrio

Al llegar a 0.7 V las bandas se han desplazado. Han subido hasta que el nivel inferior de p este
al mismo nivel que el nivel superior de n.

Y se mantendrn en esa posicin a no ser que se rompa el equilibrio. En este equilibrio no

puede difundirse ningn electrn, no hay difusin ni recombinacin si no se rompe el
equilibrio.

Polarizacin Directa

Ahora romperemos el equilibrio poniendo una pila.

Suben las bandas de energa de la zona n y coinciden algunas con la de la zona p, y ya puede
haber difusin y recombinacin.

Entonces pasan los electrones, se recombinan, etc...Ahora la pila les obliga.

El electrn cruza la W y va pegando saltos de hueco en hueco formando una malla cerrada.
Polarizacin Inversa

Otra forma de romper el equilibrio es con la Polarizacin Inversa, que se da poniendo la pila al
revs que en el caso anterior.

Al poner la pila de esa forma aumenta el W porque la pila atrae a los huecos y los electrones.

Y se ensancha la W hasta igualarse la barrera de potencial al valor de la pila externa. En este

ejemplo se llegar al nuevo equilibrio al llegar esa barrera de potencial al valor de 5 V.
Las bandas de energa de la zona n bajan respecto a la zona p, y no hay corriente.

METALURGIA DEL SILICIO

LINGOTE POLICRISTALINO

LINGOTE MONOCRISTALINO

TECNICAS DE LA MANUFACTURA DE UNA OBLEA

 MONOCRISTALINO POLICRISTALINO

CIRCUITO EQUIVALENTE DE UNA CELDA

BANDAS DE ENERGIA

En un semiconductor los tomos ocupan posiciones fijas en una red. Los electrones ms
externos, denominados de valencia, se encuentran ms dbilmente ligados a los ncleos que
el resto. Dentro del semiconductor, estos electrones ocupan orbitales compartidos por cada
par de tomos, formando lo que se llama un enlace covalente. Cuando uno de estos electrones
consigue la suficiente energa como para romper el enlace, puede separarse del ncleo y
moverse libremente por el semiconductor. En este caso, adems, el electrn deja un "hueco"
en el enlace covalente que puede ser ocupado por otro electrn de un ncleo vecino, de modo
que el hueco tambin puede desplazarse por el material, como si se tratara de una partcula
cargada positivamente. El material comienza as a presentar una pequea conductividad.
Banda de valencia, banda de conduccin y energa del gap
La diferencia de energa entre el estado "ligado" y el estado "libre" del electrn se denomina
energa del gap, y es caracterstica del semiconductor del que se trate. La representacin de las
energas disponibles para el electrn en el semiconductor se denomina diagrama de bandas. La
banda de valencia est formada por las posibles energas que pueden tener los electrones (o
huecos) en el estado ligado, mientras que la de conduccin representa las energas del estado
libre.

Los semiconductores pueden doparse para incrementar su conductividad y generar

propiedades interesantes como las responsables del funcionamiento de las clulas solares.
Cuando se dopa un semiconductor con un material que contiene un electrn de valencia ms
por tomo que el material original, se tiene un semiconductor tipo n. El tomo intruso se une
mediante enlaces covalentes a sus vecinos, dejando el electrn sobrante libre en la banda de
conduccin. En un semiconductor tipo n, por tanto, hay una gran cantidad de electrones como
portadores de carga, y por eso a estos se les denomina portadores de carga mayoritarios.

Por el contrario, si la impureza es de un material que contenga un electrn menos en la banda

de valencia del material, se introducen huecos adicionales en la banda de valencia del
semiconductor, que permiten tambin la conduccin de carga elctrica. En este caso
tendremos un semiconductor tipo p y los portadores de carga mayoritarios sern los huecos.

Descripcin molecular de una separacin de banda

 NIVEL DE FERMI

ESTRUCTURA DEL SILICIO

 DOPADO n DOPADO p

Diagrama de energa del silicio dopado n

a)Absorcin de luz
La unin p-n se genera poniendo en contacto un semiconductor tipo n con un semiconductor
tipo p. En el semiconductor tipo n, hay una gran cantidad de electrones libres en la banda de
conduccin, y unos iones positivos del tomo dopante que se introdujo en el material, que
estn fijos en la red. En el semiconductor tipo p, por el contrario, tenemos una gran cantidad
de huecos libres en la banda de valencia, y unos iones negativos fijos en la red, del material
utilizado como dopante. Al poner ambos materiales en contacto, los electrones se mueven de
la zona n a la zona p, donde la concentracin de electrones es mucho menor, por difusin. Del
mismo modo los huecos se difunden a la zona n. La difusin mueve los portadores de carga
mayoritarios al lado opuesto de la unin
Al iluminar la clula solar, los fotones que llegan al material con energa mayor a la energa del
gap, pueden ser absorbidos, generando un par electrn-hueco. Si el par se ha generado en la
zona n del material, contribuir con un electrn ms a los portadores de carga mayoritarios, y
con un hueco ms a los portadores de carga minoritarios. Pero estos ltimos no son estables
en la zona n, pues tienen una alta probabilidad de encontrarse con un electrn y
recombinarse, de modo que se perdera el par generado y no habra conversin elctrica. Sin
embargo, si el hueco consigue llegar lo suficientemente cerca de la unin, el campo elctrico lo
arrastrar a la zona p, donde se convertir en un portador de carga mayoritario y podr
contribuir a la corriente elctrica.

Del mismo modo, un par generado en la zona p del material, contribuir a la corriente elctrica
generada si el electrn consigue llegar cerca de la unin antes de recombinarse, y puede ser
arrastrado hacia la zona n.
Mientras la clula est iluminada, aumenta la concentracin de electrones en la zona n del
material (por generacin de pares electrn-hueco en esta zona, y por arrastre los electrones
desde la zona p). Si conectamos externamente los dos lados de la clula, estos electrones
adicionales pueden salir de la clula a travs del contacto metlico de la zona n, formando una
corriente elctrica, que se denomina fotogenerada. Los electrones vuelven a entrar en el
dispositivo por el contacto metlico de la zona p, donde se recombinan inmediatamente con
los huecos, que son los portadores mayoritarios en esa zona.

OPERACIN DE UNA CELDA SOLAR

CELDA SIN RADIACION SOLAR

MODULARIDAD

De una celda solar a un arreglo

CELDA MODULO ARREGLO

CURVA I-V DE UNA CELDA SOLAR

CONEXIN EN SERIE

Corriente en celdas en Amperios A

 Voltaje en celdas en voltios V

CONEXIN EN PARALELO

Corriente en celdas en amperios A

Voltaje en celdas en voltios V

MODULO
MODULO EN SERIE Y PARALELO

SOMBREADO DE CELDA
DIODO COMO BYPASS

FACTOR DE RELLENO FF

CARACTERISTICA I-V FACTOR DE RELLENO

=

=

EFICIENCIA

ESPECTRO A AM15
ANGULO Y ORIENTACION EN EL HEMISFERIO NORTE

INVERSORES

SISTEMA FOTOVOLTAICO AUTONOMO

SISTEMA FOTOVOLTAICO CONECTADO A RED

SISTEMAS FOTOVOLTAICOS HIBRIDOS

TOPOLOGIAS DE IMPLEMENTACION

CARACTERISTICAS DE UN INVERSOR SOLAR

BATERIAS

TIPOS DE BATERIAS

PRIMARIAS: Bateras Zinc Carbn, bateras alcalinas

SECUNDARIAS: Bateras Acido-Plomo, Bateras ion litio

HIDRURO METALICO DE NICKEL

NICKEL CADMIO

ION LITIO

POLIMEROS Y ION DE LITIO

FLUJO REDOX

BATERIAS ACIDO PLOMO

RANGO DE DIVERSAS BATERIAS

COSTO VS PRODUCCION