LABORATORIO DE ANALOGICA II

TEMA : Simetria Complementaria

DOCENTE : Ruelas Alvarado Saul

FACULTAD : Ingeniera Electrnica

y Mecatrnica

INTEGRANTES :

AULA :

HORARIO :

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REALIZACION :

FECHA DE
ENTREGA :
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INTRODUCCION

Un amplificador recibe una seal de algn transductor de capacitacin o de

cualquier otra fuente de entrada y proporciona una versin ms grande de
la seal a cierto dispositivo de salida o a otra etapa de amplificacin.
Un amplificador de voltaje amplificacin de voltaje principalmente para
incrementar voltaje de la seal de entrada, Por otro lado, los amplificadores
de gran seal o de potencia, proporcionan principalmente potencia
suficiente a una carga de salida para activar una bocina o algn otro
dispositivo.
Es decir un amplificador de potencia es aquel que, aparte de suministrar
una mayor tensin, suministran tambin una mayor corriente (
amplificacin de tensin, corriente y de potencia).
En este tema nicamente vamos a entrar en los amplificadores de
potencia clase b, que son los que nos interesan.

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OBJETIVOS

Comprobar prcticamente con la ayuda del generador de funciones y

un osciloscopio como nuestro circuito amplificador puede alcanzar
mxima excursin sin distorsin variando el voltaje Vcc.

Comprobar el funcionamiento del amplificador operacional LM741

para poder analizar la amplificacin de la seal producida por el
generador de funciones.

Usar transistores para demostrar los diferentes tipos de ganancia que

tienen dependiendo de la forma como estn conectados.

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MARCO TEORICO

SIMETRIA COMPLEMENTARIA

Como los transistores de juntura se fabrican en tipos PNP y NPN, pueden

usarse ambos en los circuitos de simetra complementaria para obtener
todas las ventajas de los amplificadores push-pull convencionales, sumadas
a las que surgen del acoplamiento directo.

Se denomina transistores complementarios a un par de transistores tipo

PNP y NPN cuyas caractersticas de ganancia, potencia, etc., sean iguales o
muy similares.

Estos transistores pueden conectarse en serie siempre que se respete el

sentido de conduccin de cada uno de ellos. En la misma figura se observa
que el colector del transistor NPN est conectado al potencial positivo de la
fuente de alimentacin mientras que el colector del transistor PNP est
conectado al potencial negativo (masa) de la misma.

Esta disposicin permite realizar un amplificador clase B de un modo

sencillo.

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El circuito bsico se muestra en la fig. 6. La resistencia de carga, en este

caso el parlante, se conecta desde el punto de unin de ambos transistores a
una batera de 6 V, igual a la mitad de la tensin de la fuente (12 V). La
seal alterna de entrada est superpuesta, a su vez, a una tensin continua
de 6 V.

Cuando la seal alterna toma valores positivos, la base del transistor TR1
es ms positiva que el emisor y puede circular corriente. En cambio, el
diodo base-emisor del transistor TR2 queda polarizado en sentido inverso
(base ms positiva que su emisor en un transistor PNP).

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Esto significa que durante el medio ciclo positivo conduce solamente el

transistor TR1.

Analizando detalladamente el circuito, se ve que se trata de un amplificador

del tipo seguidor-emisivo (colector a masa): la tensin de salida es de la
misma fase y amplitud que la tensin de entrada.

La tensin total de alimentacin es el resultado de la tensin de la fuente

principal (+12 V) y la tensin opuesta de la batera de +6 V.

Esto implica que en realidad el circuito est alimentado por la diferencia

entre ambas, que tambin es de 6 V.

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Durante el semiciclo negativo la situacin se invierte.

La base de TR1 es menos positiva que el emisor y el transistor queda

bloqueado. En cambio, el diodo base-emisor de TR2 se polariza en sentido
de conduccin (base menos positiva que emisor en un transistor PNP) y el
transistor conduce.

Tambin en este caso nos encontramos con un seguidor emisivo, con la

caracterstica particular que ahora la fuente de alimentacin es la batera de
+6 V (la fuente principal est desconectada, pues TR1 es un circuito
abierto).

Como puede observarse, el circuito es totalmente simtrico ya que ambos

transistores funcionan en iguales condiciones de alimentacin y ambos son
seguidores emisivos.

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La diferencia radica en que las corrientes de colector

circularn en sentido opuesto por el parlante, reproduciendo el ciclo

completo de la seal de entrada.

Se puede reemplazar la batera de 6 V por un capacitor electroltico de alto

valor

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Cuando no hay tensin alterna (seal), las bases se encuentran a un

potencial de 6 V. Como son seguidores emisivos, ambos emisores tendern
a tomar el mismo potencial de 6 V, y el capacitor se cargar a esta tensin.

Al aplicarse una seal, el capacitor recibir carga al conducir TR1 y se

descargar al conducir TR2. Si el capacitor es suficientemente grande, su
carga promedio ser en consecuencia prcticamente constante y la tensin
entre sus extremos no variar, cumpliendo la funcin de la batera vista
anteriormente:

PREPOLARIZACIN DE BASE
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El diodo base-emisor de los transistores reales presenta una fuerte

alinealidad al comienzo de la conduccin. Aplicando tensiones pequeas el
diodo prcticamente no conduce. Recin comienza a hacerlo cuando se
supera un cierto valor (VBO) que es de 200 mV en los transistores de
germanio y de 700 mV en los de silicio.

Debido a esto existe una zona alrededor del eje cerode la seal en la cual
ninguno de los dos transistores conduce, lo que acarrea una deformacin
conocida como distorsin por cruce (fig 12)

Se evita esta distorsin superponiendo a la seal que recibe cada transistor,

una pequea tensin positiva del mismo orden que VBO.
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La figura muestra la etapa de salida acompaada de un transistor que acta

como excitador, fijando simultneamente las tensiones de polarizacin
requeridas.

La corriente de colector Ic del transistor TR3 produce las cadas de tensin

indicadas. Un aumento de Rp hace que la tensin de prepolarizacin de las
bases sea mayor y por lo tanto ambos transistores conducirn ms, an
estando sin seal. Lo contrario ocurre si Rp es de un valor menor.

Por este camino puede reducirse el efecto de las variaciones de temperatura

sobre el comportamiento de los transistores de salida.

Si se coloca un resistor NTC en paralelo con Rp, los aumentos de

temperatura que tienden a hacer aumentar la corriente de reposo de los
transistores actuar tambin disminuyendo el valor de la resistencia de

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polarizacin, haciendo que ambos efectos se neutralicen. Esto se mejora

an ms agregando resistores de valor pequeo en serie con los emisores,
como se hace para polarizar las etapas de audio de bajo nivel.

La seal que llega a la base de TR3 modula la corriente de colector,

apareciendo as una tensin alterna superpuesta a la tensin continua de
polarizacin.

Es importante notar que toda la tensin de salida sobre la carga debe estar
presente en base de los transistores TR1 y TR2 (seguidores emisores). En
consecuencia, el transistor TR3 debe ser capaz de entregar altos niveles de
tensin en colector. Estos lmites son fciles de prever.

Si TR1 conduce a pleno (valor pico de la seal), la carga queda conectada

entre la fuente y el capacitor cargado. Entre sus extremos aparece una
tensin de +6 V.

Cuando
conduce a pleno TR2, sobre la carga queda aplicada toda la tensin del
capacitor, que tambin es de 6 V pero con sentido opuesto.

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En estas condiciones de mxima conduccin ambos transistores equivalen a

un cortocircuito.

Sumando los efectos de TR1 y TR2, sobre el parlante aparecer una seal
cuyo pico de tensin positivo ser 6V, y su pico de tensin negativo ser
6V.

Estos valores extremos se alcanzan cuando el emisor de TR1 toma un

potencial de 12 V, fig 14a y cuando el emisor de TR2 llega a un potencial
de 0 V, potencial de masa.

Como se trata de dos seguidores emisivos, las bases debern tener a su vez
12 V y 0 V, respectivamente, o sea que el transistor TR3 debe entregar una

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seal que oscile entre 12 V y 0 V: la seal de salida es de igual amplitud

que la seal en colector de TR3.

Es simple conseguir que la tensin de colector de TR3 sea prcticamente 0

V: basta con que este transistor llegue al punto de saturacin (equivalente a
un cortocircuito a masa) para que esta condicin se cumpla. En cambio,
para que el colector llegue a tener 12 V, el transistor TR3 debe estar
bloqueado (circuito abierto) impidiendo que circule corriente por Rc de
manera que no exista cada de potencial sobre el mismo.

Esto no se consigue totalmente ya que por el resistor Rc circula la corriente

de base TR1; por lo tanto, esta base alcanza una tensin mxima
ligeramente inferior a 12 V. El problema no es muy grave si se admite una
pequea reduccin en la potencia de salida, pero puede ser solucionado
modificando el circuito.

Un camino para obtener que la tensin de base de TR1 sea 12 V es

aumentar la tensin de alimentacin del transistor TR3.

EXPERIMENTO

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Mediciones en DC:
Poner: Vg = 0
Mida la tensin en el punto E respecto a tierra:
VE = -15.8mV

Mida la tensin en el punto B respecto a tierra:

VB = -0.597 V

Mida la tensin en el pin 2 del 741:

V2 = -1.5V
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Mida la tensin en el pin 3 del 741:

V3 = 0V

Aplique la seal de entrada Vg con frecuencia de 1 KHz, Aumente Vg

hasta que se obtenga mxima excursin simtrica en la salida.
Anote los valores pico:
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Vg =6.12V

Vsalida = 9.4V

NOTA: La lnea rosa significa la salida en B y la lnea azul en E aqu se

nota que se obtuvo la mxima excursin de ambas seales.

Con el nivel de Vg del paso 3 mida la respuesta en frecuencia del circuito:

100 HZ
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500 HZ

1KHZ

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2 KHZ

5 KHZ

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10 KHZ

20 KHZ

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30 KHZ

50 KHZ

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70 KHZ

100 KHZ

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Desconecte el resistor R4, de 10 K, del punto E y conectelo al punto B

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Reduzca Vg para obtener en la salida 3 Voltios pico

Vpico=6.2V/2 = 3.1 V
Dibuje la forma de onda de salida.

Dibuje la forma de onda en el punto B.

SIMULACION
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Mediciones en DC:
Poner: Vg = 0

Mida la tensin en el punto E respecto a tierra:

Mida la tensin en el punto B respecto a tierra:

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Mida la tensin en el pin 2 del 741:

Mida la tensin en el pin 3 del 741:

Aplique la seal de entrada Vg con frecuencia de 1 KHz, Aumente

Vg hasta que se obtenga mxima excursin simtrica en la salida.
Anote los valores pico:
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Dibuje las formas de onda en los puntos B y E

Con el nivel de Vg del paso 3 mida la respuesta en frecuencia del

circuit

100 HZ

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500 HZ

1KHZ

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2 KHZ

5 KHZ

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10 KHZ

20 KHZ

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30 KHZ

50 KHZ

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70 KHZ

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100 KHZ

Desconecte el resistor R4, de 10 K, del punto E y conctelo al

punto B .Reduzca Vg para obtener en la salida 3 Voltios pico

Dibuje la forma de onda de salida.

Dibuje la forma de onda en el punto B.

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CALCULOS TEORICOS

Mediciones en DC:

Poner: Vg = 0

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Donde se cumple :

() ( ) = 0

() = ( )

() = ( ) = 0

Tomando en cuenta estas ecuaciones (V3=V2):

La corriente (I3=I2=0):

3 2 2
= +
(10//1) 1 10

Hallando (Ve) y (VB). Para (V2=1.5mv, V3=0)

0 1.5 1.5
= +
(10//1) 1 10

1.5 1.5
=
1 10

= 16.5

Del circuito:

= +

= 0.7 + 0.016 = 0.68

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CUESTIONARIO

3. Por qu las tensiones en los pines 2 y 3 del operacional tienden a

ser iguales?

Vamos a suponer que V- > V+ , entonces Vo -. Pero al aplicar esta

tensin muy negativa al terminal inversor, hacemos que esta tensin
decrezca hasta que no se d la desigualdad V- > V+ . Anlogamente si V+
> V- , entonces Vo + y ello conduce a que V- crezca. Por tanto, la
situacin de equilibrio consiste en la igualdad de tensiones: V- = V+ .

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4. Por qu la tensin de seal de salida est en fase con la

entrada?

Cuando la seal llega a ambos transistores se conoce como simetra

complementaria, primero se activa el transistor NPN para el semiciclo
positivo estando en dase con la entrada y para el semiciclo negativo el
transistor PNP formando una onda sinodal amplificada en la salida.

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5. Haga el grafico de la respuesta en frecuencia de la ganancia y

explique Por qu tiene la forma medida?

Podemos ver como la magnitud en la frecuencia tiene una baja y una subida
mas alta, con la ayuda de la funcin bode ene l Matlab podemos obtener
la magnitud y la phase en el dominio de la frecuencia en la cual la
funcinz es la entrada en la cual la amplitud es de 2.9V (Vp)y el periodo
es 972uS y la funcin y es la salida en la cual la amplitud es 3.1(Vp) y el
periodo es 244uS.

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OBSERVACIONES

Este tipo de amplificador cuando la polarizacin de dc deja

al transistor casi apagado de manera que el transistor se enciende
cuando a este se le aplica una seal en ac. Es decir que le transistor
conducir corriente solamente para una mitad de ciclo de la seal.

Ahora para obtener una seal de ciclo completo cuando se utiliza

dos transistores y lograr que cada uno de ellos conduzca
durante medios ciclos opuestos, y al tener esta operacin combinada
se obtiene un ciclo completo de seal de salida.

Tambin podemos observar que aplicando una seal sencilla de

entrada a la base de ambos transistores, que son de tipo opuesto,
conducirn en medios ciclos opuestos de la entrada. El transistor npn
se polarizara para conducir por el medio ciclo positivo de la seal,
con un medio ciclo de seal resultante a travs de la carga. Durante
el medio ciclo negativo de la seal, el transistor pnp se polarizara
para conducir cuando la entrada se vuelva negativa.

En el osciloscopio se puede visualizar una distorsin de cruce se

refiere al hecho de que durante la transicin de la seal de positiva a
negativa (o viceversa) existe una cierta no linealidad en la seal de
salida.

RECOMENDACIONES
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Se recomienda comprobar la conexin correcta de todos los

dispositivos no olvidar cortocircuitar la entrada del generador de
funciones para la primera parte del informe, de esta manera evitamos
el calentamiento de la resistencia Rl=220.

Con la ayuda de un segundo canal en el osciloscopio medir la seal

que sale del generador de funciones de esta manera podemos
traslapar la seal que sale del amplificador y ver el momento exacto
en que llega a la mxima excursin sin distorsin.

Tomar en cuenta la correcta conexin de los transistores

2N222(NPN) y 2N3906(PNP) ya que la mala conexin de estos
dispositivos no permitir el buen funcionamiento de nuestro circuito.

REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS

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Amplificador de Simetra Complementaria.[Fecha de Consulta:7 de

Octubre del 2015]

Disponible en:

http://reocities.com/Paris/Villa/4896/capit4/simetr.htm

Etapa de Simetra Complementaria.[Fecha de Consulta:7 de Octubre

del 2015]

Disponible en:

http://www.huarpe.com/electronica1/capitulo3/html/p1.html

Michael M. Cirovic. Electrnica Fundamental: Dispositivos,

Circuitos y Sistemas. Reverte, 1979. 241 pp.

ISBN 9788429130140

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