ELECTRNICA FSICA

1 Traballos a realizar
1.1 Simulacin con SimWindows

Para realizar este bloque de prcticas empregarase o programa SimWindows que se pode descargar de
http://www.simwindows.com/. Non precisa de instalacin, soamente hai que descomprimir o ficheiro
descargado e executar no sistema escollido.

Neste bloque de prcticas analizarase o comportamento dun semiconductor en equilibrio e fora do

equilibrio. Todos os resultados obtidos a partir do simulador compararanse co obtido segundo os modelos
vistos en teora. Calcularanse co simulador e cos modelos analticos de teora as concentracin de
electrns e ocos, a concentracin intrnseca, o potencial elctrico, o campo elctrico, as distancias
relativas entre as bandas de enerxa e corrente elctrica nas seguintes configuracins:

Semiconductor en equilibrio
1. Peza de Si de 2 m sen dopar a 300 K.
2. Peza de Si de 2 m con dopado Na = a,b x 1016 cm-3a 300 K.
3. Peza de Si de 2 m con dopado Nd = a,b x 1016 cm-3a 300 K.
4. Peza de Si de 2 m con dopado Na = a,b x 1016 cm-3 e Nd = a,b x 1016 cm-3a 300 K.
Semiconductor con gradente de temperatura
1. Peza de Si de 2 m intrnseco en contacto con dous focos a 300 K e 600 K nos seus
extremos.
2. Peza de Si de 2 m con dopado Na = a,b x 1016 cm-3 en contacto con dous focos a 300 K
e 600 K nos seus extremos.
Semiconductor baixo tensin elctrica
1. Peza de Si de 2 m con un dopado Na = a,b x 1016 cm-3 e unha diferencia de tensin
entre os seus de 4V.

Os valores indicados como a,b sustituirnse polas das ltimas cifras do DNI. Por exemplo, se o teu DNI
42523452A o dopado na configuracin 2 ser Na = 5,2 x 1016 cm-3

Ao final deste documento, no apndice A, mostrase como se debe de presentar a memoria, e no apndice
B, unha serie de comentarios tiles para o emprego do simulador SimWindows.

1.2 Medida e simulacin da resposta elctrica dunha clula solar

Nesta practica medirase e simularase a resposta elctrica dunha clula solar de silicio policristalino. As
medidas experimentais vanse realizar no laboratorio de instrumentacin do Bloque IV da Ampliacin.
Seguirase o guin adxunto no Apndice C onde se explican as medidas a realizar e as cuestins que se
debern responder cando se realice a memoria, sempre razoando as respostas dende o punto de vista do
funcionamento interno dunha clula solar. Na memoria debe incluirse os parametros do ficheiro de
entrada do simulador PC1D.

Unha vez realizada as medidas anlise experimental dos paneis solares, realizarase un exercicio de
enxeara inversa para determinar a estrutura interna das clulas solares empregadas no laboratorio.
Para isto empregarase dous mtodos, considerarase que a clula solar unha unin PN de silicio:

O simulador de dispositivos PC1D, http://www.pveducation.org/pvcdrom/welcome-to-

pvcdrom/pc1d, que est dispoible en https://www.engineering.unsw.edu.au/energy-
engineering/research/software-data-links/pc1d-software-for-modelling-a-solar-cell, para tratar de
atopar unha estrutura que tea a mesma resposta elctrica que a clula solar do laboratorio.
A aproximacin de valeiramento para a unin PN a teora vista sobre clulas solares

Gua de prcticas de Electrnica Fsica - Pxina 1 de 5

1.3 Simulacin de estructuras MOS e o transistor MOSFET

Nesta ltima prctica realizarase unha busqueda e testeo de diferentes utilidades dispoibles na
plataforma NanoHUB para a simulacin de estruturas MOS e do transistor MOSFET. Para isto deberase
facer o rexistro como usuario da plataforma NanoHUB https://www.nanohub.org e a continuacin facer
unha bsqueda das diferentes ferramentas de que dispn esta plataforma. Na memoria da prctica
deberase mostrar unha breve descricin das distintas ferramentas atopadas e os resultados do testeo de
polo menos unha ferramenta para o capacitor MOS e outra para o transistor MOSFET.

2 Memorias das prcticas

As memorias das prcticas son INDIVIDUAIS, cada un entregar a sa memoria cos seus
comentarios e conclusins. Entregarase unha memoria por cada un dos traballos a realizar,
que ten que denominarse cos datos do alumno co modelo seguinte onde n e o numero de
prctica NOME_APELIDOS_Pract_n.pdf.
As memorias dos traballos seguirn o formato da revista New Journal of Physics do Institute
of Physics. Podense consultar artgos desta revista en http://iopscience.iop.org/1367-2630.
Non se pode modificar este formato. As instrucins co formato requirido pdense atopar na
web da revista no enlace Submit an article e no documento Recomendaciones generales
sobre las memorias do campus virtual.
As datas lmite para entregar as memorias iranse indicando ao longo do curso para
adecuarse a finalizacin da revisin da teora necesaria para a realizacin destas.
Cada entrega constituir un so artigo no que se incluirn con todos os seus elementos:
Ttulo do artigo, informacin do autor e resumo (abstract) das prcticas mostradas.
Seccin con unha introducin breve explicando as prcticas e a sa motivacin.
Seccin coas medidas experimentais e resultados obtidos.
Conclusins extraidas respondendo a todas as preguntas formuladas no guin.
Referencias coa literatura empregada para a realizacin da prctica.
Cada artigo/memoria ter como mximo 6 pxinas e entregarnse en formato PDF.

Os clculos tericos includos seguindo os diferentes modelos de teora debern mostrar na memoria
a expresin (formula) empregada xa sexa do material de teora ou do formulario facilitado. No caso
de empregar expresins recollidas doutras fontes haber que indicar a sa orixe (referencialas) e
explicalas brevemente.

3 Avaliacin das prcticas

Para a avaliacin das prcticas terase en conta os seguintes criterios:
Memoria de prcticas: 70%
Actitude e desenvolvemento no laboratorio: 30%
A copia/plagio de cq. informacin da memoria supor un suspenso automtico na materia.

Apendice A Notas sobre memoria 1.1

Para a memoria 1.1 ocuparase obrigatoriamente unha tboa deste tipo para resumir
conxuntamente os resultados numricos de todas as configuracins en equilibrio.

Gua de prcticas de Electrnica Fsica - Pxina 2 de 5

 Tboa 1 : Resultados para as diferentes configuracins en equilibrio

Na Nd n p ni EC - E V EF - E V EI E V V E J
[cm-3] [cm-3] [cm-3] -3
[cm ] [cm ] [eV]
-3
[eV] [eV] [V] [V/cm] [mA/cm2]
T
e

r
i
c
o
S
i
m
u
l
a
d
o

Nota: Si se queren omitir da tboa os valores nulos, debese indicar no texto que son 0.

Para as situacins no equilibrio agrupar tamn os diagramas de bandas nunha figura.

Dbense facer de novo os diagramas en folla de clculo ou similares, non copiar pantalla.
Poer lendas, indicando que nivel cada cor.

Para os casos con gradiente de temperatura, resumir nunha tboa os resultados numricos
calculados e simulados para os extremos do semicondutor con e sen dopado. Logo mostrar
os grficos das variables que se piden, e interpretar os resultados.

Apndice B - Notas sobre o SimWindows

As lias que comezan con # son comentarios.

O simulador non distingue maisculas de minsculas nos comandos.

Gua de prcticas de Electrnica Fsica - Pxina 3 de 5

 NON escribir espazos antes ou despois dos caracteres '=' e ','
Os comandos deben de comezar sempre na primeira columna do ficheiro.

Comandos de SimWindows

Grid length= nmero de grid points nunha rexin

Points o size= espaciado entre grid points
Structure material=Si length=2.0
Indica material, fichero .prn (tiene Silicio y GaAs)
doping length=lonxitude de dopado Na=concentracin de aceptores
doping length= lonxitude de dopado Nd=concentracin de donadores

Exemplo de ficheiro de entrada para un diodo

#comentario. Ficheiro de entrada diode.dev
grid length=20.00 points=2000

structure material=si length=20.0

doping length=10 Na=1.0e14

doping length=10 Nd=1.0e14

Apendice C Medida da resposta elctrica dun panel solar.

Se conectamos unha clula solar a unha resistencia de carga (consumidor), a tensin que cae na
clula e a corrente que circula por ela pasan a tomar uns valores concretos. Nesta prctica bscase
simular a resposta dun panel solar no laboratorio, cando a este se lle conectan diferentes
consumidores.

Para isto, construiremos o experimento mostrado na figura 1. Onde se conectan os catro paneis
dispoibles en serie e a carga (mdulo de medicin consumidor como resistencia reguladora) aos
extremos. Conectarase un multmetro para medir a intensidade que circula polo panel e outro para
medir a tensin que cae no panel.

Figura 1: Montaxe experimental para a medida da curva caracterstica dun panel

solar.
Gua de prcticas de Electrnica Fsica - Pxina 4 de 5
Realizaranse das series de medidas con diferentes intensidades de iluminacin: unha no nivel 10 e
outra no nivel 8 do regulador do foco de luz. Para recoller os datos xirarase a resistencia variable
lentamente e tomaranse os datos necesarios de tensin e corrente para logo poder representar
adecuadamente a resposta elctrica do sistema.

A continuacin analizarase a potencia mxima que pode proporcionar o panel. Para isto buscarase o
punto de mxima transferencia de potencia entre o panel e a carga. Empregaranse os datos xa
tomados para presentar a potencia (P=VI) proporcionada en cada punto I-V medido. Estes datos I-V
e a potencia presentaranse graficamente para a sa anlise.

Por ltimo analizarase o rendemento ou eficiencia do panel solar. Este parmetro informa de canta
da radiacin que chega ao panel se converte en corrente elctrica e unha medida da calidade do
panel co cal estase a traballar. O rendemento defnese como

= Potencia emitida / Potencia recibida

A potencia emitida e a potencia mxima xerada polo panel e a potencia recibida. A potencia recibida
medirase empregando un fotometro que informa da potencia recibida por unidade de area nun
determinado punto do espazo.

Cuestins a responder nesta prctica:

Que diferencias ou similudes se observan entre as das series de datos tomadas con
diferentes grados de iluminacin?
Que sucedera se en lugar de conectar as catro clulas en serie so se empregrase unha,
das ou tres clulas para facer as medidas? Tomar algns datos relevantes para demostrar
as medidas.
Que sucedera se algnha das celulas deixase de recibir luz debido a sombras ou
suciedade? Como se podera resolver este problema?
E se a luz non incidise perpendicularmente no panel cambia a resposta elctrica? Cal a
orientacin optima dos paneis en Santiago de Compostela.
adecuado o foco empregado para iluminar o panel? Cambiara a resposta elctrica se os
paneis estivesen iluminados polo sol?
Cal a potencia mxima que proporciona este panel? Con que carga se produce a
mxima transferencia de potencia? Depende da intensidade de luz?
Que rendemento se obten dos paneis empregados? aceptable o valor obtido? Se non o
que valor se resultara aceptable?

Gua de prcticas de Electrnica Fsica - Pxina 5 de 5