ESCUELA SUPERIOR POLITECNICA DEL CHIMBORAZO

FACULTAD DE INFORMATICA Y ELECTRNICA

ESCUELA DE INGENIERA EN ELECTRNICA DE TELECOMUNICACIONES Y
REDES
ELECTRNICA I

NOMBRE: MAURICIO TOBAR CDIGO: 638 CURSO: QUINTO B

TEMA: Caractersticas de los semiconductores extrnsecos de tipo n y tipo p.

OBJETIVO
Estudiar las caractersticas de los semiconductores extrnsecos de tipo n y tipo p, y que tipo de
dispositivos electrnicos se pueden construir con estos tipos de materiales.

MARCO TEORICO
MATERIALES EXTRNSECOS: MATERIALES TIPO N Y TIPO P

El Germanio, el Silicio y el Arsnico de galio comparten un enlace covalente similar, se puede ampliar
fcilmente el anlisis para incluir el uso de otros materiales en el proceso de fabricacin. Las
caractersticas de un material semiconductor se pueden modificar de manera significativa con la adicin
de tomos de impureza especficos al material semiconductor relativamente puro. Estas impurezas,
aunque slo se agregan en 1 parte en 10 millones, pueden alterar la estructura de las bandas lo suficiente
para cambiar del todo las propiedades elctricas del material.

Un material semiconductor que ha sido sometido al proceso de dopado se conoce como material
extrnseco. Hay dos materiales extrnsecos de inmensurable importancia en la fabricacin de dispositivos
semiconductores: materiales tipo n y tipo p.

MATERIAL TIPO N

Tanto los materiales tipo n como los tipo p se forman agregando un nmero predeterminado de tomos de
impureza a una base de silicio. Un material tipo n se crea introduciendo elementos de impureza que
contienen cinco electrones de valencia (pentavalentes), como el antimonio, el arsnico y el fsforo. El
efecto de tales elementos de impureza se indica en la figura (con antimonio como la impureza en una base
de silicio):

Observe que los cuatros enlaces covalentes permanecen. Existe, sin embargo, un quinto electrn adicional
debido al tomo de impureza, el cual no est asociado con cualquier enlace covalente particular. Este
electrn restante, enlazado de manera poco firme a su tomo padre (antimonio), est en cierto modo libre
para moverse dentro del material tipo n recin formado, puesto que el tomo de impureza insertado ha
donado un electrn relativamente libre a la estructura.

Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se conocen como tomos donadores. Es
importante tener en cuenta que aun cuando un gran nmero de portadores libres se ha establecido en el
material tipo n, sigue siendo elctricamente neutro puesto que de manera ideal el nmero de protones de
carga positiva en los ncleos sigue siendo igual al de los electrones de carga negativa libres y en rbita en
la estructura.
PROCESO DE DOPADO

El proceso de dopado en la conductividad relativa se puede describir mejor utilizando el diagrama de

bandas de energa de la figura.

Observe que un nivel de energa discreto (llamado nivel donador) aparece en la banda prohibida con una
Eg significativamente menor que la del material intrnseco. Los electrones libres creados por la impureza
agregada se establecen en este nivel de energa y absorben con menos dificultad una cantidad suficiente
de energa trmica para moverse en la banda de conduccin a temperatura ambiente. El resultado es que a
temperatura ambiente, hay un gran nmero de portadores (electrones) en el nivel de conduccin y la
conductividad del material se incrementa de manera significativa.

MATERIAL TIPO P

El material tipo p se forma dopando un cristal de germanio o silicio puro con tomos de impureza que
tienen tres electrones de valencia. Los elementos ms utilizados para este propsito son boro, galio e
indio. El efecto de uno de estos elementos, el boro, en una base de silicio se indica en la figura:

Observe que ahora el nmero de electrones es insuficiente para completar las bandas covalentes de la
estructura recin formada. El vaco resultante se llama hueco y se denota con un pequeo crculo o un
signo ms, para indicar la ausencia de una carga positiva. Por lo tanto, el vaco resultante aceptar con
facilidad un electrn libre: Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se llaman tomos
aceptores. El material tipo p es elctricamente neutro por las mismas razones descritas para el material
tipo n.

FLUJO DE ELECTRONES CONTRA FLUJOS DE HUECOS

El efecto del hueco en la conduccin se muestra en la siguiente figura. Si un electrn de valencia adquiere
suficiente energa cintica para romper su enlace covalente y llenar el vaco creado por un hueco,
entonces se crear un vaco o hueco en la banda covalente que cedi el electrn. Existe, por consiguiente,
una transferencia de huecos hacia la izquierda y de electrones hacia la derecha, como se muestra en la
siguiente figura. La direccin que se utilizar se utilizar en este texto es la del flujo convencional, la cual
est indicada por la direccin del flujo de huecos.
PORTADORES MAYORITARIOS
Y MINORITARIOS

En el estado intrnseco, el nmero de electrones libres en Ge o Si se debe slo a los electrones en la banda
de

valencia que adquirieron suficiente energa de fuentes trmicas o luminosas para romper la banda
covalente o a las impurezas que no pudieron ser eliminadas. Los vacos que quedan en la estructura de
enlace covalente representan una fuente muy limitada de huecos. En un material tipo n, el nmero de
huecos no cambia significativamente con respecto a este nivel intrnseco. El resultado neto, por
consiguiente, es que el nmero de electrones sobrepasa por mucho al de huecos, por lo tanto En un
material tipo n (Figura a) el electrn se llama portador mayoritario y el hueco portador minoritario.

En el material tipo p el nmero de huecos excede por mucho al de electrones, como se muestra en la
figura b. Por lo tanto en un material tipo p, el hueco es el portador mayoritario y el electrn el minoritario.
Cuando el quinto electrn de un tomo donador abandona el tomo padre, el tomo que queda adquiere
una carga positiva neta: de ah el signo ms en la representacin de in donador. Por las mismas razones,
el signo menos aparece en el in aceptor.

DIODO SEMICONDUCTOR

Con la disposicin de los materiales tanto de tipo n como tipo p podemos construir nuestro primer
dispositivo electrnico de estado slido. El diodo semiconductor, con aplicaciones demasiado numerosas
de mencionar, se crea uniendo un material tipo n a un material tipo p, la unin de un material con un
portador mayoritario de electrones a uno con un portador mayoritario de huecos.

CONCLUSIONES
Los materiales semiconductores pueden ser alternadas significativamente por la adicin de
ciertos tomos de impureza a un material semiconductor relativamente puro.
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto
tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres
(en este caso negativas o electrones).
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto
tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres
(en este caso positivos o huecos).
El diodo semiconductor se crea uniendo un material de tipo n a un material tipo p, es decir con la
unin de un material con un portador mayoritario de electrones a uno con un portador
mayoritario de huecos.

REFERENCIAS
ROBERT L. BOYLESTAD, Electrnica: Teora de circuitos y dispositivos electrnicos, Dcima
edicin, Mxico, 2009.