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11.1 Introducción
11.5 Estabilidad
11.7 Ruido
11.9 Anexos
11.11 Bibliografía
11. Diseño de Amplificadores de Microondas
11.1 Introducción
Figura 11.1: Parámetros S del transistor ATF-34143 (Low Noise Pseudomorphic HEMT) en
condiciones de polarización VDS = 3V, IDS = 20mA, para distintas frecuencias.
1
Datasheet del ATF-34143 y esquemático del LNA del SRT disponibles en http://web.haystack.mit.edu/SRT/
La ganancia, estabilidad, adaptación de impedancia y VSWR a la entrada y
salida de un amplificador, pueden ser expresadas en ecuaciones en función de los
parámetros S. En general los parámetros S nos dan toda la información que
necesitamos para el diseño, sin embargo no nos dicen nada acerca del ruido del
dispositivo. Como veremos más adelante, el ruido se puede caracterizar por un
conjunto de parámetros también suministrados por el fabricante del dispositivo,
medidos en varias condiciones de polarización y en un amplio rango de frecuencias.
Figura 11.2: Parámetros de ruido del transistor ATF-34143 (Low Noise Pseudomorphic HEMT) en
condiciones de polarización VDS = 3V, IDS = 20mA, para distintas frecuencias.
Es importante notar que existen muchos compromisos o trade offs entre estos
objetivos de diseño. Por ejemplo, en el diseño de amplificadores de bajo ruido es
necesario sacrificar ganancia y VSWR a la entrada a cambio de una figura de ruido
aceptable (más adelante definiremos figura de ruido).
Las especificaciones de diseño están todas interrelacionadas lo cual hace el
problema casi inmanejable sin el uso de una estrategia de optimización computacional,
dado que cada requerimiento impone restricciones sobre los otros, y las ecuaciones
que definen estas restricciones no son sencillas. Por esta razón la visualización de las
restricciones en una carta de Smith facilita enormemente la comprensión del conflicto
entre los requerimientos.
Zs Red
sin pérdidas
Zin ZL
Vs
Figura 11.3: Red lineal de dos puertos sin pérdidas conectada a una fuente y una carga
En el esquema de la figura 11.3 se muestra una red lineal de dos puertos sin
pérdidas, conectada a una fuente de voltaje con una impedancia de fuente
Z s = Rs + jX s , y una carga de impedancia Z L = RL + jX L . La impedancia mirando a la
red desde el lado de la fuente es Z in = Rin + jX in . La potencia que entra a la red está
dada por
2
1 1 Vs
Pin = | I |2 Rin = Rin (11.1)
2 2 Z s + Z in
Vs
donde I = .
Z S + Z in
2 2
1 Vs 1 Vs
Pava Pin max = Rin = (11.2)
2 Rs + Rin 2 4 Rs
2 2
1 Vs 1 Vs 4 Rs Rin 4 Rs Rin
Pin = Rin = ⋅ = Pava ⋅
2 Z s + Z in 2 4 Rs Z s + Z in Z s + Z in
⇔ Pin = M ⋅ Pava (11.3)
4 Rs Rin
donde M (11.4)
Z s + Z in
PL = M L Pava , L
Como la red es sin pérdidas, por definición la potencia que entra a la red se
traspasa completamente a la carga, ie, Pin = PL . Además se puede demostrar2 que la
potencia disponible de la fuente es igual a la potencia disponible entregada por la red a
la carga, ie, Pava = Pava , L . Luego para una red lineal pasiva sin pérdidas se tiene que el
factor de desadaptación es el mismo a la entrada y a la salida, ie, se conserva
( M = M L ).
M = M1 = M 2 = ⋅ ⋅ ⋅ = M L (11.5b)
2
Véase [1], cáp. 5, sección 5.7, págs. 335-336.
Zs Red
s in pérdidas
M M1 M2 ML ZL
Vs
Figura 11.4: Conexión en cascada de varias redes sin pérdidas entre la fuente y la carga
Zs
Ms ML
Gp ZL
Vs
PL
i) Ganancia de potencia: G p
Pin
PL
ii) Ganancia de transductor: G
Pava , s
Pava , L
iii) Ganancia de potencia disponible: Ga
Pava , s
3
Más adelante veremos que solo se puede usar adaptación de impedancias conjugadas cuando el dispositivo
es absolutamente estable.
11.3.1 VSWR, coeficiente de reflexión y factor de desadaptación en
amplificadores multietapa
Se puede demostrar que Pin ,1 = (1− | Γ |2 ) Pinc , lo que nos entrega la siguiente
ecuación que relaciona el factor de desadaptación con el coeficiente de reflexión:
M s = 1− | Γ |2 (11.6)
1+ | Γ | 1 + 1 − M s
VSWR1 = = (11.7)
1− | Γ | 1 − 1 − M s
Notar que el factor de desadaptación a la entrada y a la salida de las mallas de
adaptación es el mismo, esto porque las suponemos sin pérdidas.4 Luego la razón de
onda estacionaria VSWR1 también depende del grado de desadaptación entre Zs y
Z in .
Entonces, el diseño de la malla 1 además de definir un M s que produzca una
figura de ruido óptima, al mismo tiempo debe mantener las restricciones de VSWR a la
entrada y la estabilidad del amplificador con una ganancia aceptable según los
requerimientos. Más adelante veremos este problema en detalle.
4
Más adelante veremos que en la práctica siempre se tratan de minimizar las pérdidas resistivas en las mallas
de adaptación porque contribuyen con ruido termal al sistema.
11.4 Ganancia en función de los parámetros de Scattering
V2+ Z L − 1 V1+ Z s − 1
ΓL = y Γs =
V2− Z L + 1 V1− Z s + 1
V2− S22 − ∆Γ s
Γ out = (11.13)
V2+ 1 − S11Γ s
4 Rs Rin 4 Rout RL
Ms = y ML = .
| Z s + Zin |2 | Z out + Z L |2
PL =
1
2 { } *
Re VL I L , donde VL = V2− (1 + Γ L ) e I L = YcV2− (1 − Γ L )
Pin =
1
2 { } *
Re Vin I in , donde Vin = V1+ (1 + Γ in ) e I in = YcV1+ (1 − Γ in )
1
PL = Yc | V2− |2 (1− | Γ L |2 ) (11.16)
2
1
Pin = Yc | V1+ |2 (1− | Γ in |2 ) (11.17)
2
(1 − Γ L ) S 21
2 2
P
Gp = L = (11.18)
Pin 1 − S11 + Γ L ( S 22 2 − ∆ 2 ) − 2 Re {Γ L ( S 22 − ∆S11* )}
2 2
(1 − Γ L )(1 − Γ s ) S 21
2 2 2
P
G= L = (11.19)
Pava , s (1 − S 22 Γ L )(1 − S11Γ s ) − S12 S 21Γ s Γ L 2
5
La derivación completa de las expresiones de ganancia se encuentra en [1], cáp. 10, sección 10.5, págs. 730-
733.
11.5 Estabilidad
Notar que si los coeficientes de reflexión mirando hacia los puertos del
amplificador son de módulo mayor que uno, entonces las partes reales de las
impedancias de entrada y salida del dispositivo tendrán parte real negativa. Por
ejemplo, si en el amplificador de la figura 11.7 se tiene que Z in = − Rin + jX in , entonces:
1/ 2
Z in − Z c ⎡ ( Rin − Z c ) 2 + X in2 ⎤
| Γ in |= =⎢ ⎥ >1
Z in + Z c ⎣ ( Rin + Z c ) 2 + X in2 ⎦
Luego una condición necesaria para la estabilidad absoluta del dispositivo a una
frecuencia dada es que las resistencias de entrada y salida (ie, Rin = Re {Z in } y
Rout = Re {Z out } ) sean positivas. El caso límite se da cuando la impedancias son
reactivas puras, ie, Z in = jX in ( ⇔ | Γ in |= 1 ) y Z out = jX out ( ⇔ | Γ out |= 1 ).
6
Notar que ahora ya no es válida la hipótesis de que la ganancia del dispositivo es unilateral. Esto equivale a
decir que existe un coeficiente de transmisión de la salida a la entrada (que puede ser no nulo) y corresponde
al parámetro de Scattering S12 .
11.5.2 Adaptación de impedancias y estabilidad
S11 − ∆Γ L
Γ*s = Γ in = (11.20a)
1 − S 22 Γ L
*
S 22 − ∆*Γ*S
Γ L = Γ*out = (11.20b)
1 − S11* Γ*s
1
Γ sM = ⎡⎣ A1 ± ( A12 − 4 | B1 |2 ) 1/ 2 ⎤⎦ (11.21a)
2 B1
1
Γ LM = ⎡ A2 ± ( A22 − 4 | B2 |2 ) 1/ 2 ⎤⎦ (11.21b)
2 B2 ⎣
donde
A1 = 1+ | S11 |2 − | S22 |2 − | ∆ |2
A2 = 1+ | S22 |2 − | S11 |2 − | ∆ |2
B1 = S11 − ∆S 22
*
B2 = S22 − ∆S11*
Ahora hay que ver cuales son las soluciones del sistema (11.20) que producen
| Γ sM |< 1 y | Γ LM |< 1 . Para esto notamos que si Ai2 − 4 | Bi |2 < 0 (i=1,2), entonces
1 1
Γ sM = ⎡⎣ A1 ± j (4 | B1 |2 − A12 ) 1/ 2 ⎤⎦ y Γ LM = ⎡⎣ A2 ± j (4 | B2 |2 − A22 ) 1/ 2 ⎤⎦ , y además se
2 B1 2 B2
cumple que | Γ sM |=| Γ LM |= 1 . 7
7
Este caso corresponde a impedancias reactivas puras, ie, con parte resistiva nula. Además G p = G = 0 , ie,
la potencia incidente en los puertos del amplificador “rebota” totalmente.
Asumiendo la condición (11.22) se puede demostrar a partir de (11.21) que las
soluciones que permiten | Γ sM |< 1 y | Γ LM |< 1 se obtienen eligiendo el signo negativo
cuando Ai > 0 y eligiendo el signo positivo cuando Ai < 0 en (11.21).8
1− | S11 |2 − | S 22 |2 + | ∆ |2
donde se define el parámetro K .
2 | S12 S 21 |
S 21
G p = G = Gmax = ( K − K 2 −1) (11.23)
S12
S 21
donde el factor se llama figura de mérito del dispositivo.
S12
S21
GMSG = (11.24)
S12
8
Se puede demostrar que para un dispositivo absolutamente estable se cumple que Ai > 0 (i=1,2), ie, la
solución estable se obtiene tomando el signo negativo. Véase [1], cáp. 10, sección 10.6, pág. 743.
9
Más adelante veremos bajo que condiciones esta condición también una condición suficiente para la
estabilidad absoluta.
11.5.3 Círculos de estabilidad
S11 − ∆Γ L
| Γin |= <1 para todo | Γ L |< 1 (11.25a)
1 − S22 Γ L
S22 − ∆Γ s
| Γ out |= <1 para todo | Γ s |< 1 (11.25b)
1 − S11Γ s
La idea es encontrar las regiones de los planos Γ L y Γ s que satisfacen | Γin |< 1
y | Γout |< 1 respectivamente. Para esto notamos que el límite entre valores estables e
inestables de Γ L será el círculo en el plano Γ L que tiene correspondencia con el
circulo unitario en el plano Γ in . Para Γ s es completamente análogo.
La correspondencia entre estos círculos se hace más fácil notando que las
relaciones Γin = Γin ( Γ L ) y Γout = Γout ( Γ s ) son transformaciones bilineales complejas.11
S11∆* − S22*
| S12 S 21 |
Γ LC = RLC = (11.27)
| ∆ |2 − | S22 |2 | ∆ |2 − | S 22 |2
10
Corresponden al caso particular cuando Z L = Z c (ie, Γ L = 0 ) y Z s = Z c (ie, Γ s = 0 ).
11
Véase anexo 11.9.1.
Análogamente se obtienen Γ sC y RsC :
Los casos (1) y (2) anteriores dan origen a los siguientes únicos dos casos de
estabilidad absoluta, cuando el origen Γ L = 0 es estable:
• Caso 1 absolutamente estable: (K>1, | S11 |< 1 , | S12 S 21 |< 1− | S11 |2 ) es condición
suficiente para estabilidad absoluta.
• Caso 2 absolutamente estable: (K>1, | S11 |< 1 ) es condición suficiente para
estabilidad absoluta.
Γ s en forma totalmente
Por otro lado, analizando la estabilidad en el plano
análoga se obtienen las condiciones suficientes de estabilidad absoluta (K>1, | S 22 |< 1 ,
| S12 S 21 |< 1− | S 22 |2 ) y ( K > 1 , | S11 |< 1 ).
1− | S11 |2 − | S 22 |2 + | ∆ |2
K= >1 (11.29a)
2 | S12 S21 |
12
Véase [1], cáp. 10, sección 10.6, págs. 737-740
Sumando (11.29d) y (11.29e) y utilizando K > 1 se puede demostrar que
| ∆ |2 −1
K > 1+ (11.30)
2 | S12 S 21 |
Esta última condición resume las últimas dos condiciones de estabilidad. Luego,
mirando esta desigualdad es claro que si | ∆ |< 1 entonces la condición K > 1 es
suficiente si | S11 |< 1 y | S22 |< 1 . En la práctica la mayoría de los dispositivos satisfacen
| ∆ |< 1 , luego tenemos que las condiciones suficientes13 para estabilidad absoluta son:
K >1 (11.31a)
| S11 |< 1 (11.31b)
| S22 |< 1 (11.31c)
13
Asumiendo que el dispositivo satisface | ∆ |< 1 , como en la gran mayoría de los casos.
14
Véase [2].
11.6 Círculos de ganancia constante
(1 − Γ L Γ*L ) | S21 |2
Gp =
1− | S11 |2 +Γ L Γ*L (| S22 |2 − | ∆ |2 ) − Γ L ( S22 − ∆S11* ) − Γ*L ( S22
*
− ∆* S11 )
g p G p / | S12 |2 (11.32)
1 − Γ L Γ*L
⇔ gp =
1− | S11 |2 +Γ L Γ*L (| S 22 |2 − | ∆ |2 ) − Γ L ( S 22 − ∆S11* ) − Γ*L ( S 22
*
− ∆* S11 )
g p ( S22 − ∆S11* ) *
g p ( S 22 − ∆* S11 ) (1− | S11 |2 ) g p − 1
Γ LΓ − Γ L
*
−Γ *
+ (11.33)
(| S22 |2 − | ∆ |2 ) g p + 1 (| S22 |2 − | ∆ |2 ) g p + 1 (| S22 |2 − | ∆ |2 ) g p + 1
L L
| Z − Z 0 |2 = R 2 ⇔ ZZ * − ZZ 0* − Z * Z 0 + ( Z 0 Z 0* − R 2 ) = 0 (11.34)
| Γ L − Γ Lg |= RLg (11.35)
donde
*
g p ( S22 − ∆* S11 )
Γ Lg =
(| S22 |2 − | ∆ |2 ) g p + 1
S11∆* − S22*
lim Γ Lg ( g p ) = Γ Lc = lim Γ Lg ( g p ) = 0
g p →∞ | ∆ |2 − | S22 |2 g p →0
y
| S12 S21 | lim RLg ( g p ) = 1
lim RLg ( g p ) = RLc = g p →0
g p →∞ | ∆ |2 − | S22 |2
15
Recordar que para dispositivos absolutamente estables la máxima ganancia de potencia está dada por
| S21 |
G p max = ( K − K 2 − 1) y ocurre cuando las impedancias están adaptadas conjugadas.
| S12 |
Figura 11.9: Círculos de ganancia de potencia constante para un dispositivo absolutamente
estable, cuando el círculo de estabilidad cae fuera de la carta de Smith.
cercanía con el círculo de figura de ruido constante (que contiene valores de Γ s ) nos
permite visualizar que tan cercanos podemos diseñar los valores de Γ s y Γ in . Luego,
*
S11 − ∆Γ L
Γ in =
1 − S 22 Γ L
∆*Γ*L − S11*
⇔ Γ = * *
*
S22 Γ L − 1
in
2
RLg S22 ∆* + ( S22Γ Lg − 1)( S11* − ∆*Γ*Lg )
Γ *
=
| RLg S 22 |2 − | S22 Γ Lg − 1|2
in ,c
T
1
en (t ) = lim
T →∞ 2T ∫ e (t )dt = 0
−T
n (11.36)
T
1
C (τ ) = en (t )en (t + τ ) = lim
T →∞ 2T ∫ e (t )e (t + τ )dt
−T
n n
∞
S n (ω ) = ℑ{C (τ )} = ∫ C (τ )e
− jωτ
dτ
−∞
La relación inversa es
∞
1
C (τ ) = ℑ−1 {S n (ω )} = ∫S (ω )e jωτ d ω
2π
n
−∞
Dado que asumimos en (t ) como ruido blanco, entonces se tiene que la densidad
espectral de potencia es constante. Luego la función de correlación está dada por
C (τ ) = C0δ (τ ) (11.37)
16
Notar que para τ = 0 la función de correlación es igual a la potencia promedio asociada al ruido, ie,
C (0) = en2 (t ) .
La densidad espectral de potencia para el ruido termal o de Johnson en (t ) en
una resistencia R está dada por la fórmula de Nyquist:
la resistencia.
Equivalentemente si se modela el ruido con una fuente de corriente en paralelo
in (t ) = en (t ) / R la densidad espectral de potencia está dada por
4kT
Si (ω ) = ω≥0 (11.39)
R
Una red lineal de dos puertos con ruido puede modelar como una red de dos
puertos sin ruido con dos fuentes equivalentes de ruido a la entrada representando las
fuentes internas de ruido. Se usa una fuente de voltaje en (t ) en serie y una fuente de
corriente in (t ) en paralelo como se muestra en la figura 11.10. Se necesitan dos
fuentes de ruido para poder representar los ruidos equivalentes en corto circuito y en
circuito abierto a la entrada de la red. Estas dos fuentes de ruido no son
completamente independientes17 y en general existe una correlación cruzada no nula
entre en (t ) y in (t ) , ie, existe una densidad espectral de potencia cruzada no nula.
Luego la potencia total del ruido a la entrada de la red no es la suma simple de las
contribuciones de las fuentes de ruido.
Se (ω ) = 4kTRe (11.40a)
Si (ω ) = 4kTGi (11.40b)
S x (ω ) = 2 [ S xr (ω ) + jS xi (ω )] = 4kT (γ r + jγ i ) (11.40c)
17
En general no son estadísticamente independientes, ie, están correlacionadas.
Los parámetros Re , Gi y γ = γ r + jγ i se definen como la resistencia,
conductancia e impedancia compleja de ruido equivalentes respectivamente. De esta
forma tenemos que para describir completamente una red de dos puertos con ruido se
necesitan 4 parámetros ( Re , Gi , γ r , γ i ).
( En + I n Z s )( En* + I n* Z s* )
Pin ,n =| I in ,n |2 Rin =
| Z s + Z in |2
| En |2 Rin | I n |2 | Z s |2 Rin ( EI * Z s* + E * IZ s ) Rin
⇔ Pin ,n = + +
| Z s + Z in |2 | Z s + Z in |2 | Z s + Z in |2
T
1
C x (τ ) = in (t )en (t + τ ) = lim
T →∞ 2T ∫ i (t )e (t + τ )dt
−T
n n (11.42)
∞
S x (ω ) = S xr (ω ) + jS xi (ω ) = ℑ{C x (τ )} = ∫ C (τ )e
x
− jωτ
dτ (11.43)
−∞
Como Cx (τ ) es función real, a partir de la ecuación anterior notamos que
S x ( −ω ) = S x* (ω ) .18 Luego concluimos que S xr (ω ) es función par y S xi (ω ) es función
impar de ω (ie, S x ( −ω ) = S x (ω ) = S xr (ω ) − jS xi (ω ) ).
*
Para calcular la potencia del ruido que entra a la red en una banda de
frecuencia ∆f centrada en ω hacemos
| En |2 = Se (ω )∆f
| I n |2 = Si (ω )∆f
En I n* = S x (ω )∆f
M M ⎧ ( S (ω ) + jS xi (ω ) ) ( Rs − jX s ) Rin ∆f ⎫
Pin ,n = Se (ω )∆f + Si (ω )∆f + 4 Re ⎨ xr ⎬
4 Rs 4Gs ⎩ | Z s + Z in |2 ⎭
⎛ M M 4 ( S xr (ω ) Rs + S xi (ω ) X s ) ⎞
⇔ Pin ,n = ⎜ Se (ω ) + Si (ω ) + Rin ⎟ ∆f
⎝ 4 Rs 4Gs | Z s + Z in |2
⎠
⎛ M M ⎛ X ⎞ ⎞
⇔ Pin ,n = ⎜ Se (ω ) + Si (ω ) + ⎜ S xr (ω ) + s S xi (ω ) ⎟ M ⎟ ∆f (11.44)
⎜ 4Gs ⎝ ⎟
⎝ 4 Rs Rs ⎠ ⎠
De aquí se tiene que la densidad espectral de potencia del ruido que entra a la
red está dada por19
⎛
Pin ,n M M ⎛ X ⎞ ⎞
Sin ,n (ω ) = = ⎜ Se (ω ) + Si (ω ) + ⎜ S xr (ω ) + s S xi (ω ) ⎟ M ⎟ (11.45)
∆f ⎜ 4Gs ⎝ ⎟
⎝ 4 Rs Rs ⎠ ⎠
⎛ M M ⎛ X ⎞ ⎞
S (ω ) = ⎜ Se (ω ) + Si (ω ) + ⎜ S xr (ω ) + s S xi (ω ) ⎟ M ⎟ G p (ω ) (11.46)
⎜ 4Gs ⎝ ⎟
⎝ 4 Rs Rs ⎠ ⎠
18
Para demostrarlo basta con notar que al ser Cx (τ ) real, al tomar el conjugado a la integral en (11.43) es lo
mismo que reemplazar ω por −ω .
19
No incluye el ruido termal generado por la parte resistiva de la impedancia de fuente Zs .
Para calcular la potencia del ruido total entregada a la carga se integra
dω
S (ω )df = S (ω ) en todo el rango positivo de frecuencias:
2π
∞
dω
Pn ,out = ∫ S (ω )
0
2π
donde Sin , Nin , Sout y Nout son las potencias de entrada de la señal, de entrada de
ruido, de salida de la señal y de salida de ruido.
donde Pin , n es la potencia de ruido total que entra a la red generada por las fuentes
equivalentes de ruido y Pn , Rs es la potencia de ruido termal que entra a la red
generada por la parte resistiva de Zs .
Para calcular F primero expresamos Pin , n en función de la temperatura
reemplazando las densidades espectrales en la ecuación (11.44) por la respectiva
fórmula de Nyquist:
⎛ M M ⎛ X ⎞ ⎞
Pin ,n = ⎜ 4kTRe + 4kTGi + 2kT ⎜ γ r + s γ i ⎟ M ⎟ ∆f
⎜ Rs ⎠ ⎟⎠
⎝ 4 Rs 4Gs ⎝
Re G ⎛ X ⎞
⇔ Pin ,n = kT ∆f M + kT ∆f i M + 2kT ∆f ⎜ γ r + s γ i ⎟ M (11.49)
Rs Gs ⎝ Rs ⎠
Pin ,n Re Gi ⎛ X ⎞
F = 1+ = 1+ + + 2⎜γ r + s γi ⎟ (11.51)
Pin , Rs Rs Gs ⎝ Rs ⎠
20
Aunque la expresión de F no depende de ∆f , en la realidad ocurre que si el ancho de banda de un
amplificador está sobredimensionado entonces la razón señal a ruido a la entrada se deteriora.
En la figura 11.13 se muestra una curva típica de figura de ruido versus
corriente de polarización I D , a 2 GHz para dos voltajes distintos. Notar que a mayor
voltaje drain-source la curva se desplaza hacia arriba, ie, aumenta el ruido.
Figura 11.13: Figura de ruido versus corriente ID , a 2 GHz con VDS de 3V y 4V.
Curva típica del transistor ATF-34143 (Low Noise Pseudomorphic HEMT).
Fm = Mín F ( Rs , X s , Re , Gi , γ r , γ i )
Rs , X s
∂F
1/ 2
⎫ ⎛ Re γ i2 ⎞
=0⎪ Rm = ⎜ − 2 ⎟
∂Rs ⎪ ⎝ Gi Gi ⎠
⎬ ⇒
∂F γi
= 0⎪ Xm = −
∂X s ⎪⎭ Gi
Gi
F = Fm + ⎡ ( Rs − Rm ) 2 + ( X s − X m ) 2 ⎤⎦ (11.52)
Rs ⎣
21
Véase [1], cáp. 10, sección 10.9, pág. 769.
11.7.5 Círculos de Figura de Ruido constante
Z s − Zc ⎛ 1 + Γs ⎞
Γs = ⇔ Z s = Zc ⎜ ⎟ (11.54)
Z s + Zc ⎝ 1 − Γs ⎠
Análogamente,
Zm − Zc ⎛ 1 + Γm ⎞
Γm = ⇔ Z m = Zc ⎜ ⎟ (11.55)
Zm + Zc ⎝ 1 − Γm ⎠
| Γ s − Γ m |2
F − Fm = 4GI (11.56)
|1 − Γ m |2 (1− | Γ s |2 )
| Γ s − Γ m |2
F − Fm = 4 RN (11.57)
|1 + Γ m |2 (1− | Γ s |2 )
( F − Fm ) |1 − Γ m |2 | Γ s − Γ m |2
=
4GI 1− | Γ s |2
( Fi − Fm ) |1 − Γ m |2 ( Fi − Fm ) |1 + Γ m |2
Ni ( Fi ) =
4GI 4 RI
Γ*m Γm Γ Γ* N 2 + Ni − Ni Γ m Γ*m
Γ s Γ*s − Γ s − Γ*s + m m2 − i =0 (11.59)
1 + Ni 1 + Ni (1 + Ni ) 1 + Ni
2
Γ s − Γ sf = R 2f (11.60)
Γm
Γ sf =
1 + Ni
N i2 + N i (1− | Γ m |2 )
Rf =
1 + Ni
22
| Z − Z 0 |2 = R 2 ⇔ ZZ * − ZZ 0* − Z * Z 0 + ( Z 0 Z 0* − R 2 ) = 0
11.7.6 Figura de Ruido para etapas en cascada
M2 M3
F = F1 + ( F2 − 1) + ( F3 − 1) + ... (11.63)
M 1G p1 M 1G p1G p 2
⇔ Te = FT (11.64)
23
Véase [1], cáp. 10, sección 10.11, pág. 781.
(2) Dado que el dispositivo es absolutamente estable, se evalúa si es posible usar
adaptación de impedancias conjugadas a la entrada y la salida manteniendo al
mismo tiempo una figura de ruido y ganancia aceptables. Se calcula Γ sM dado
por (11.21a) y luego se evalúa F usando (11.56) o (11.57) y la ganancia de
potencia usando (11.23). Si F y la ganancia son aceptables se termina. En la
práctica la figura de ruido resultante cuando se adaptan las impedancias no es
buena y se necesita un cierto grado de desajuste de impedancias y una
ganancia menor para lograr una figura de ruido aceptable. Si no se cumplen las
restricciones de diseño usando adaptación de impedancias conjugadas,
entonces seguir con el paso (3).
mejor valor de VSWR a la entrada. Este proceso se repite hasta el menor valor
aceptable de g p , y si con el mínimo valor de ganancia aceptable no se logran
valores de VSWR aceptables, entonces la única alternativa es aceptar una figura
de ruido F > Fm , como se explica en (4).
24
Recordar que un círculo de ganancia constante es un círculo con valores de Γ L , y este círculo se relaciona
a través de una transformación bilineal con un círculo con valores de Γ in como se vio en la sección 11.6.
*
El valor de Γ L que maximiza la función objetivo es aquel que corresponde al valor de Γ in más cercano
25 *
son aquellos que están en la línea que une el centro del círculo de figura de
ruido constante con el centro del círculo de Γ in , ie, los puntos que quedan más
*
cercanos entre sí. Se puede demostrar26 que estos dos valores óptimos están
dados por:
Γ*in ,c − Γ sf Γ sf − Γ*in ,c
Γs = Rf Γ =
*
Rin
| Γ*in ,c − Γ sf | | Γ sf − Γ*in ,c |
in
(6) Aquí el análisis es similar a (4) pero teniendo cuidado con la estabilidad, ie,
hay que verificar en cada paso que los coeficientes de reflexión sean estables,
usando los círculos de estabilidad correspondientes.
26
Es fácil ver que estos valores corresponden al vector unitario que apunta desde el centro de un círculo al
otro, multiplicado por el radio del correspondiente círculo.
11.8.1 Diseño de amplificadores de dos etapas
Fm
FO = w1M 3 ( Γ 'out , Γ 'L ) + w2
F
donde w1 y w2 son los pesos asignados en la función objetivo. Dado que se quiere
maximizar la función objetivo, para incluir la figura de ruido se elije el término Fm / F
porque crece a medida que F disminuye y el factor Fm se agrega para hacer
comparables los ordenes de magnitud del primer y segundo término en FO.
El procedimiento se basa en buscar el mejor valor de Γ L en un círculo de
ganancia constante g p dado, tal que maximice la función objetivo.
11.9 Anexos
⇔ ( Z − Z o )( Z * − Z 0* ) = R 2
⇔ ZZ * − ZZ 0* − Z * Z 0 + ( Z 0 Z 0* − R 2 ) = 0 (A.1)
AZ + B
W= ( AD − BC ≠ 0) (A.2)
CZ + D
⎛ AZ + B ⎞ ⎛ A Z + B ⎞
* * *
⎜ ⎟⎜ * * * ⎟
− ρ2 = 0
⎝ CZ + D ⎠⎝ C Z + D ⎠
( ρ 2CD* − AB* ) * ( ρ C D − A B)
2 * *
| B |2 − ρ 2 | D |2
⇔ ZZ * − Z − Z + =0 (A.3)
| A |2 − ρ 2 | C |2 | A |2 − ρ 2 | C |2 | A |2 − ρ 2 | C |2
ρ 2C * D − A* B
Z0 = (A.4)
| A |2 − ρ 2 | C |2
ρ | AD − BC |
R= (A.5)
| A |2 − ρ 2 | C |2
27
La transformación se dice bilineal porque se puede reescribir de la forma AZW + BZ + CW + D = 0
que es lineal para Z y para W, ie, es bilineal en Z y W. También se llama transformación racional lineal o
transformación de Möbius.
En general, si el círculo en el planoW está centrado en W0 ≠ 0 entonces de
forma análoga se obtiene el correspondiente círculo en el plano Z :
| W − W0 |2 = ρ 2
AZ + B
2
⇔ − W0 = ρ 2
CZ + D
( A − CW0 ) Z + ( B − DW0 )
2
⇔ = ρ2
CZ + D
A'Z + B '
2
⇔ = ρ2 (A.6)
C 'Z + D'
Referencias
[1] Collin R., “Foundations for microwave engineering” ,McGraw-Hill,2° edición, 1992
[2] Macciarella G., “Design criteria for multistage microwave amplifiers with match
requirements at input and output”, IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques,
MTT-41, 1294–98, Aug. 1993.
Recursos computacionales
http://www.ampsa.com/
2. Agilent Technologies
Agilent EEsof EDA is the leading supplier of Electronic Design Automation (EDA)
software for high-frequency system, circuit, and modeling applications. Agilent EEsof
EDA products include Advanced Design System EDA software, which is available in a
wide range of affordable, design-focused configurations; RF Design Environment, for
large-scale RF/mixed-signal IC design in the Cadence environment; and IC-CAP device
modeling software and systems.
http://eesof.tm.agilent.com/
Sitios de interés
http://cfa-www.harvard.edu/~epedrett/msc/msc.html
http://www.circuitsage.com/
http://tonnesoftware.com/
http://www.odyseus.nildram.co.uk/RFIC_Circuits_Files/MOS_CS_LNA.pdf
http://www.qsl.net/pa2dw/
11.11 Bibliografía
Misra D., “Radio- Frequency and Microwave communication circuits analysis and
design” John Wiley & Sons, 2001.
Chang K., Bahl I., Fair V.,”RF and Microwave Circuit and Component design for
Wireless Systems”, John Wiley &Sons , 2002.
Maas S., “The RF and Microwave Circuit Design Cookbook”, Artech House, 1998.
Gonzales G., “Microwave Transistor Amplifiers Analysis and Design”, 2nd Edition,
Prentice Hall, Englewood, Cliffs, NJ, 1997.