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Parmetros hbridos:
determinacin grfica y
ecuaciones de conversin
(exactas y aproximadas) A
A.1 DETERMINACIN GRFICA DE LOS PARMETROS h
Utilizando derivadas parciales (clculo) se puede demostrar que la magnitud de los parmetros
h para el circuito equivalente de seal pequea del transistor en la regin de operacin para la
configuracin en emisor comn se puede calcular aplicando las siguientes ecuaciones:*
`
0vi 0vbe vbe
hie = = (ohms) (A.1)
0ii 0ib ib VCE = constante
`
0vi 0vbe vbe
hre = = (sin unidades) (A.2)
0vo 0vce vce IB = constante
`
0io 0ic ic
hfe = = (sin unidades) (A.3)
0ii 0ib ib VCE = constante
`
0io 0ic ic
hoe = = (siemens) (A.4)
0vo 0vce vce IB = constante
En cada caso, el smbolo se refiere a un pequeo cambio en esa cantidad alrededor del pun-
to de operacin quiescente. Es decir, los parmetros h se determinan en la regin de operacin
por la seal aplicada de modo que el circuito equivalente ser el ms preciso disponible. Los va-
lores constantes de VCE e IB en cada caso se refieren a una condicin que se debe cumplir cuan-
do los parmetros se determinan a partir de las caractersticas del transistor. Para las configura-
ciones en base comn y en emisor comn, la ecuacin correcta se obtiene sustituyendo
simplemente los valores apropiados de vi, vo, ii e io.
Los parmetros hie y hre se determinan a partir de las caractersticas de entrada o de base,
mientras que los parmetros hfe y hoe se obtienen a partir de las caractersticas de salida o de
colector. Como hfe en general es el parmetro de mayor inters, analizaremos primeramente pa-
ra este parmetro las operaciones implicadas con ecuaciones, como las ecuaciones (A.1) a (A.4).
El primer paso para determinar cualquiera de los cuatro parmetros hbridos es localizar el
* La derivada parcial viii proporciona una lectura del cambio instantneo en vi debido a un cambio instantneo en ii.
869
870 APNDICE A
Recta de carga
(constante)
Punto Q
FIG. A.1
Determinacin de hfe.
punto de operacin quiescente como se indica en la figura A.1. En la ecuacin (A.3) la condicin
VCE = constante requiere que los cambios en la corriente de base y en la corriente de colector
ocurran a lo largo de la lnea recta vertical trazada a travs del punto Q que representa un volta-
je fijo de colector a emisor. La ecuacin (A.3), por tanto, requiere que un pequeo cambio en la
corriente de colector se divida entre el cambio correspondiente en la corriente de base. Para una
precisin mxima, estos cambios debern hacerse lo ms pequeos posible.
En la figura A.1, el cambio de ib se elige para que abarque de IB1 a IB2 a lo largo de la lnea
recta perpendicular trazada en VCE. El cambio correspondiente de ic se encuentra luego al trazar
las lneas horizontales desde las intersecciones de IB1 y IB2 con VCE = constante hasta el eje
vertical. Lo que falta es sustituir los cambios resultantes de ib e ic en la ecuacin (A.3). Es decir,
12.7 - 1.72 mA
` `
ic
120 - 102 mA VCE = 8.4 V
hfe = =
ib VCE = constante
10-3
= = 100
10 * 10-6
En la figura A.2 se traza una lnea recta tangente a la curva IB a travs del punto Q para estable-
cer una lnea IB constante como lo requiere la ecuacin (A.4) para hoe. Luego se selecciona un
cambio de vCE y el cambio correspondiente de iC se determina al trazar las lneas horizontales al
eje vertical en las intersecciones sobre la lnea constante IB. Sustituyendo en la ecuacin (A.4),
obtenemos
Punto Q
(constante)
FIG. A.2
Determinacin de hoe.
12.2 - 2.12 mA APNDICE A 871
` `
ic
110 - 72 V IB = +15 mA
hoe = =
vce IB = constante
0.1 * 10-3
= = 33 MA/V 33 : 10-6 S 33 MS
3
Para determinar los parmetros hie y hre, primero se debe localizar el punto Q en la curva de
caractersticas de entrada o de base como se indica en la figura A.3. Para hie, se traza una lnea
tangente a la curva VCE 8.4 V a travs del punto Q para establecer una lnea VCE constante
como lo requiere la ecuacin (A.1). Luego se selecciona un pequeo cambio en vbe y de ese
modo se obtiene un cambio de ib. Sustituyendo en la ecuacin (A.1), obtenemos
1733 - 7182 mV
` `
vbe
120 - 102 mA VCE = 8.4 V
hie = =
ib VCE = constante
15 * 10-3
= = 1.5 k
10 * 10-6
(constante)
Punto Q
FIG. A.3
Determinacin de hie.
El ltimo parmetro, hre, se encuentra trazando primero una lnea horizontal a travs del punto
Q en IB 15 mA. La opcin natural es seleccionar entonces un cambio de vCE y hallar el cam-
bio resultante en vBE como se muestra en la figura A.4.
Sustituyendo en la ecuacin (A.2), obtenemos
1733 - 7252 mV
`
vbe 8 * 10-3
= 4 : 104
120 - 02 V
hre = = =
vce IB = constante 20
Para el transistor cuyas caractersticas aparecen en las figuras A.1 a A.4, el circuito equiva-
lente de seal pequea hbrido resultante se muestra en la figura A.5.
Como ya antes lo mencionamos, los parmetros hbridos para las configuraciones en base
comn y en colector comn se determinan utilizando las mismas ecuaciones bsicas con las va-
riables y caractersticas apropiadas.
La tabla A.1 incluye los valores parmetros tpicos en cada una de las configuraciones de
la amplia variedad de transistores disponibles. El signo menos indica que en la ecuacin (A.3)
a medida que se incrementa la magnitud de una cantidad dentro del cambio seleccionado, la
magnitud de la otra se reduce.
872 APNDICE A
Punto Q
(constante)
FIG. A.4
Determinacin de hre.
FIG. A.5
Circuito equivalente hbrido completo para un transistor
cuyas caractersticas aparecen en las figuras A.1 a A.4.
TABLA A.1
Valores de parmetros tpicos para las configuraciones de transistores CE, CC y CB
Parmetro CE CC CB
hi 1 k 1 k 20
hr 2.5 * 10-4 1 3.0 * 10-4
hf 50 -50 - 0.98
ho 25 mA/V 25 mA/V 0.5 mA/V
1>ho 40 k 40 k 2 M
A.2 ECUACIONES DE CONVERSIN EXACTAS APNDICE A 873
hob
11 + hf b211 - hrb2 + hob hib
hoe = = hoc
1 + hf b
11 + hf b211 - hrb2 + hob hib
hrc = = 1 - hre
= - 11 + hfe2
hrb - 1
11 + hf b211 - hrb2 + hob hib
hfc =
hob
11 + hf b211 - hrb2 + hob hib
hoc = = hoe
= ca b - a b d
Vm 2 Vm 2 1>2
2 p
= Vm c a b - a b d
1 2 1 2 1>2
2 p
875
876 APNDICE B Para la seal rectificada de onda completa
Vr 1rms2 = 3V 21rms2 - V 2cd41>2
= ca b - a b d
2
Vm 2Vm 2 1>2
12 p
= Vm a - 2b
1 4 1>2
2 p
Vr 1p-p2 =
IcdT2
(B.4)
C
Basados en la forma de onda triangular que aparece en la figura B.1,
Vr 1p-p2
Vr 1rms2 = (B.5)
2 13
(obtenida mediante clculos no mostrados).
vo
Vr (p-p)
Vr (rms) =
2 3 Forma de onda
triangular
aproximada
Vr (p-p)
Vm
Vcd
t
T1 T2
T
T 4
2
FIG. B.1
Voltaje de rizo triangular aproximado para un filtro de capacitor.
FIG. B.2
Voltaje de rizo.
Utilizando los detalles de la forma de onda de la figura B.1 se obtiene APNDICE B 877
Vr 1p-p2 Vm
=
T1 T>4
Vr 1p-p21T>42
T1 =
Vm
T T Vr 1p-p21T>42 2TVm - Vr 1p-p2T
Asimismo, T2 = - T1 = - =
2 2 Vm 4Vm
2Vm - Vr 1p-p2 T
T2 = (B.6)
Vm 4
Como la ecuacin (B.3) se puede escribir como
2Vm - Vr 1p-p2
Vcd =
2
podemos combinar la ltima ecuacin con la ecuacin (B.6) para obtener
Vcd T
T2 =
Vm 2
la cual, insertada en la ecuacin (B.4), da
Vr 1p-p2 = a b
Icd Vcd T
C Vm 2
1
T =
f
Vr 1p-p2 =
Icd Vcd
(B.7)
2 fC Vm
Combinando las ecuaciones (B.5) y (B.7), resolvemos para Vr (rms):
Vr 1p-p2
Vr 1rms2 =
Icd Vcd
= (B.8)
213 4 13 f C Vm
Vm
= 1 + 13r (B.9)
Vcd
La ecuacin (B.9) es vlida tanto para circuitos rectificadores con filtro de capacitor de media
onda como de onda completa y su grfica aparece en la figura B.3. Como un ejemplo, con rizo
de 5% el voltaje de cd es Vcd 0.92Vm o dentro del 10% del voltaje pico, mientras que con 20% de
rizo el voltaje de cd se reduce a slo 0.74Vm, el cual es ms que el 25% menos que el valor
pico. Observe que Vcd se encuentra dentro del 10% de Vm con rizo menor que 6.5%. Esta canti-
dad de rizo representa el lmite de la condicin de carga ligera.
878 APNDICE B Vcd /Vm =
1
1+ 3r
1.000
0.900
0.800
Vm Vcd
%r
0.700 Vcd Vm
0.5 1.009 0.991
1.0 1.017 0.983
2.0 1.035 0.967
0.600 2.5 1.043 0.958
3.5 1.060 0.943
5.0 1.087 0.920
7.5 1.130 0.885
10.0 1.173 0.852
15.0 1.260 0.794
20.0 1.346 0.743
25.0 1.433 0.698
0 5 10 15 20 25 %r
Carga ligera
(< 6.5%)
FIG. B.3
Grfica de Vcd/Vm como una funcin de %r.
Vr 1rms2 r
= (B.10)
Vm 1 + 13r
Vr 1rms2 Vr 1rms2
= r 1carga ligera2
Vm Vcd
y podemos utilizar Vr(rms)/Vm r para un rizo 6.5%
APNDICE B 879
Carga ligera
Carga ligera
(<6.5%)
FIG. B.4
Grfica de Vr(rms)Vm como una funcin de %r.
1 - 13r
y u1 = sen-1 (B.11)
1 + 13r
donde u1 es el ngulo al cual se inicia la conduccin.
Cuando la corriente se hace cero despus de que se cargan la impedancia en paralelo RL y C,
podemos determinar que
u2 = p - tan-1 vRLC
Podemos obtener una expresin para vRLC como sigue:
Vr 1rms2 1Icd>413 fC21Vcd>Vm2 Vcd>RL 1
r = = =
Vcd Vcd 4 13fC Vm
2p a b
1
Vcd>Vm 1 + 13r
= =
413fCRL 4 13vCRL
880 APNDICE B 2p 0.907
4 13 11 + 13r2r r 11 + 13r2
de modo que vRLC = =
0.907
(B.12)
11 + 13r2r
u2 = p - tan-1
1media onda2
360
= (B.13)
u
En la figura B.5 se da una grfica de IpIcd como una funcin del rizo para operacin tanto de
media onda como de onda completa.
Ip /Icd
Onda completa Media onda
20 40
Ipico
c Icd Onda
%r
%r
2 1 Media onda completa
15 30 0.5 10.79 33.36 16.68
1.0 15.32 25.30 11.75
2.0 21.74 16.56 8.28
2.5 24.33 14.80 7.40
3.5 28.84 12.48 6.24
10 20 5.0 34.51 10.43 5.22
7.5 42.32 8.51 4.25
10.0 48.89 7.36 3.68
15.0 59.96 6.00 3.00
20.0 69.40 5.19 2.59
5 10 25.0 77.84 4.62 2.31
0
0 5 10 15 20 25 %r
1 3r 0.907
1 = sen 1 2 = tan1 c = 2 1
1+ 3r r (1 + 3 r)
FIG. B.5
Grfica de IpIcd contra %r para una operacin de media onda
y onda completa.
Apndice
Grficas y tablas
C
TABLA C.1
Alfabeto griego
881
882 APNDICE C TABLA C.2
Valores estndar de resistores comerciales
TABLA C.3
Valores de capacitores tpicos
pF MF
10 100 1000 10,000 0.10 1.0 10 100 1000
12 120 1200
15 150 1500 15,000 0.15 1.5 18 180 1800
22 220 2200 22,000 0.22 2.2 22 220 2200
27 270 2700
33 330 3300 33,000 0.33 3.3 33 330 3300
39 390 3900
47 470 4700 47,000 0.47 4.7 47 470 4700
56 560 5600
68 680 6800 68,000 0.68 6.8
82 820 8200
Apndice
Soluciones a problemas
impares seleccionados
D
Captulo 1
5. 6.40 * 10-19 C
15. 7.197 mA
17. (a) 0.1 mA
19. 0.4 mA
21.75C: 1.1 V, 0.01 pA; 25C: 0.85 V, 1 pA; 125C: 1.1 V, 105 A
25. 325
27. - 10 V: 100 M; -30 V: 300 M
29. Rcd = 76 , rd = 3
31. 1 mA: 52 ; 15 mA: 1.73
33. 22.5
35. rd = 4
37. 0 V: 3.3 pF; 0.25 V: 9 pF
39. 0.2 V: 7.3 pF; -20 V: 0.9 pF
45. 0.1 mA: 700 ; 1.5 mA: 70 ; 20 mA: 6
47. 104C
49. 129.17C
51. 20 V: 0.06 %/C; 5 V: -0.025%/C
53. 0.3 mA: 400 ; 1 mA: 95 ; 10 mA: 13
55. 2.3 V
57. (a) 75 (b) 40
Captulo 2
1. (a) IDQ M 21.5 mA, VDQ M 0.92 V, VR = 7.08 V (b) IDQ M 22.2 mA, VDQ = 0.7 V,
VR = 7.3 V (c) IDQ = 24.24 mA, VDQ = 0 V, VR = 8 V
3. R = 0.62 k
5. (a) I = 0 mA (b) I = 0.965 A (c) I = 1 A
7. (a) Vo = 9.5 V (b) Vo = 7 V
9. (a) Vo1 = 11.3 V, Vo2 = 0.3 V (b) Vo1 = - 9 V, Vo2 = - 6.6 V
11. (a) Vo = 9.7 V, I = 9.7 mA (b) Vo = 14.6 V, I = 0.553 mA
13. Vo = 6.2 V, ID = 1.55 mA
15. Vo = 9.3 V
17. Vo = 10 V
19. Vo = - 0.7 V
21. Vo = 4.7 V
883
884 APNDICE D 23. vi: Vm = 6.98 V; vd: positivo mximo = 0.7 V, pico negativo = - 6.98 V; id: pulso
positivo de 2.85 mA
25. Pulso positivo, pico = 155.56 V, Vcd = 49.47 V
27. (a) IDmx = 20 mA (b) Imx = 36.71 mA (c) ID = 18.36 mA
(d) ID = 36.71 mA 7 IDmx = 20 mA
29. Forma de onda rectificada completa, pico = - 100 V; PIV = 100 V
31. Forma de onda rectificada completa, pico = 56.67 V; Vcd = 36.04 V
33. (a) Pulso positivo de 3.28 V (b) Pulso positivo de 14.3 V
35. (a) Recortado a 4.7 V (b) Recorte positivo a 0.7 V, pico negativo de 12 V
37. (a) Excursin de 0 V a 40 V (b) Excursin de 5 V a 35 V
39. (a) 28 ms (b) 56 : 1 (c) Excursin de 1.3 V a 21.3 V
41. Red de la figura 2.179 con la batera invertida
43. (a) Rs = 20 , VZ = 12 V (b) PZmx = 2.4 W
45. Rs = 0.5 k, IZM = 40 mA
47. Vo = 339.36 V
Captulo 3
3. Polarizado en directa y en inversa
9. IC = 7.921 mA, IB = 79.21 mA
11. VCB = 1 V: VBE = 800 mV
VCB = 10 V: VBE = 770 mV
VCB = 20 V: VBE = 750 mV
Slo ligeramente
13. (a) IC M 4.5 mA (b) IC M 4.5 mA (c) Despreciable (d) IC = IE
15. (a) IC = 3.992 mA (b) a = 0.993 (c) IE = 2 mA
17. Av = 50
21. (a) b cd = 117.65 (b) acd = 0.992 (c) ICEO = 0.3 mA (d) ICBO = 2.4 mA
23. (a) b cd = 83.75 (b) b cd = 170 (c) b cd = 113.33
25. b cd = 116, acd = 0.991, IE = 2.93 mA
31. IC = ICmx, VCB = 5 V
VCB = VCBmx, IC = 2 mA
IC = 4 mA, VCB = 7.5 V
VCB = 10 V, IC = 3 mA
33. IC = ICmx, VCE = 3.125 V
VCE = VCEmx, IC = 20.83 mA
IC = 100 mA, VCE = 6.25 V
VCE = 20 V, IC = 31.25 mA
35. hFE : IC = 0.1 mA, hFE 43
IC = 10 mA, hFE 98
hfe : IC = 0.1 mA, hfe 72
IC = 10 mA, hfe 160
37. IC = 1 mA, hfe 120
IC = 10 mA, hfe 160
39. (a) b ca = 190 (b) b cd = 201.7 (c) b ca = 200 (d) b cd = 230.77 (f) S
Captulo 4
1. (a) IBQ = 32.55 mA (b) ICQ = 2.93 mA (c) VCEQ = 8.09 V (d) VC = 8.09 V
(e) VB = 0.7 V (f) VE = 0 V
3. (a) IC = 3.98 mA (b) VCC = 15.96 V (c) b = 199 (d) RB = 763 k
5. (b) RB = 812 k (c) ICQ = 3.4 mA, VCEQ = 10.75 V (d) b cd = 136 (e) a = 0.992
(f) ICsat = 7 mA (h) PD = 36.55 mW (i) Ps = 71.92 mW ( j) PR = 35.37 mW
7. (a) RC = 2.2 k (b) RE = 1.2 k (c) RB = 356 k (d) VCE = 5.2 V (e) VB = 3.1 V
9. ICsat = 5.13 mA
11. (a) IC = 2.93 mA, VCE = 8.09 V (b) IC = 4.39 mA, VCE = 4.15 V
(c) %IC = 49.83%, %VCE = 48.70% (d) IC = 2.92 mA, VCE = 8.61 V
(e) IC = 3.93 mA, VCE = 4.67 V (f) %IC = 34.59%, %VCE = 46.76%
13. (a) IC = 1.28 mA (b) VE = 1.54 V (c) VB = 2.24 V (d) R1 = 39.4 k
15. ICsat = 3.49 mA
17. (a) IC = 2.28 mA (b) VCE = 8.2 V (c) IB = 19.02 mA (d) VE M 2.28 V APNDICE D 885
(e) VB = 2.98 V Mtodo aproximado vlido
19. (a) RC = 2.4 k, RE = 0.8 k (b) VE = 4 V (c) VB = 4.7 V (d) R2 = 5.84 k
(e) b cd = 129.8 (f) 103.84 k 7 58.4 k (comprobaciones)
21. I. (a) IC = 2.43 mA, VCE = 7.55 V (b) IC = 2.33 mA, VCE = 7.98 V
(c) Mtodo aproximado: %IC = 0%, %VCE = 0%
Mtodo exacto: %IC = 2.19%, %VCE = 2.68%
(d) %IC = 2.19% vs. 49.83% para el problema 11, %VCE = 2.68% vs. 49.70%
para el problema 11 (e) La configuracin de divisor de voltaje es menos sensible
II. %IC y %VCE son muy pequeos
23. (a) IC = 2.01 mA (b) VC = 17.54 V (c) VE = 3.02 V (d) VCE = 14.52 V
25. VC de 5.88 V a 8.31 V
27. (a) IB = 23.78 mA, IE = 2.88 mA, VE = - 2.54 V
29. (a) IE = 3.32 mA (b) VC = 4.02 V (c) VCE = 4.72 V
31. (a) IB = 13.04 mA (b) IC = 2.56 mA (c) b = 196.32 (d) VCE = 8V
33. RB = 430 k, RC = 1.6 k, RE = 390
35. RE = 1.1 k, RC = 1.6 k, R1 = 51 k, R2 = 15 k
37. I = 2 mA
39. I = 4.6 mA
41. IC 2.216 mA, VC 4.69 V, VCE VC
43. IE 2.212 mA, VC 3.37 V
45. RC = 0.625 k, RB = 44.79 k
51. (a) VC 18 V (b) VCE se reduce
(c) VE se incrementa (d) VE 0.06 V
(e) abierto en el circuito de la base
53. (a) S(ICO) = 78.1 (b) S(VBE) = - 1.512 * 10-4 S (c) S(b) = 21.37 * 10-6 A
(d) IC = 1.33 mA
55. (a) S(ICO) = 83.69 (b) S(VBE) = - 1.477 * 10 - 4 S (c) S(b) = 4.83 * 10-6 A
(d) IC = 1.087 mA
57. (a) S(ICO) = 91, IC = 0.892 mA; S(VBE) = - 1.92 * 10-4 S, IC = 0.0384 mA;
S(b) = 32.56 * 10-6 A, IC = 0.7326 mA (b) S(ICO) = 11.08, IC = 0.109 mA;
S(VBE) = - 1.27 * 10-3 S, IC = 0.254 mA; S(b) = 2.41 * 10-6 A,
IC = 0.048 mA (c) La configuracin de divisor de voltaje es ms estable
Captulo 5
1. (a) 0 (b) Recorte (c) 80.4%
3. 1 kHz: XC = 15.92 ; 100 kHz: XC = 0.1592 ; S, mejor a 100 kHz
5. (a) 20 (b) 0.588 V (c) 58.8 (d) q (e) 0.98 (f) 10 mA
7. (a) 1.04 k (b) 24.69 mA (c) 77.67 (d) - 89.6
9. (a) Zi = 497.47 , Zo = 2.2 k (b) Av = - 264.74 (c) Zi = 497.47 , Zo = 1.98 k
(d) Av = - 238.27, Ai = 53.88
11. (a) IB = 23.85 mA, IE = 2.41 mA, re = 10.79 , IC = 2.38 mA (b) Zi = 1.08 k,
Zo = 4.3 k (c) Av = - 398.52 (d) Av = - 348.47
13. re = 20.625 , VCC = 30.68 V
15. (a) re = 5.34 (b) Zi = 118.37 k, Zo = 2.2 k (c) Av = - 1.81
(d) Zi = 105.95 k, Zo = 2.2 k, Av = - 1.81
17. (a) re = 5.34 (b) Zi = 746.17 , Zo = 2.2 k (c) Av = - 411.99
(d) Zi = 746.17 , Zo = 1.98 k, Av = - 370.79
19. (a) re = 8.72 , bre = 959.2 (b) Zi = 142.25 k, Zo = 8.69
21. (a) IB = 4.61 mA, IC = 0.922 mA (b) re = 28.05 (c) Zi = 7.03 k,
Zo = 27.66 (d) Av = 0.986
23. Av = 163.2
25. RC = 1.6 k, RF = 33.59 k, VCC = 5.28 V
27. (a) Zi = 0.62 k, Zo = 1.66 k (b) Av = - 209.82
29. Ai = 100
31. Ai = 125.76
33. Ai = 0.9868 1
35. Ai = 72.27
886 APNDICE D 37. (a) AvNL = - 326.22; RL = 4.7 k, AvL = - 191.65; RL = 2.2 k, AvL = - 130.49;
RL = 0.5 k, AvL = - 42.92 (b) sin cambio
39. (a) AvNL = - 557.36, Zi = 616.52 , Zo = 4.3 k (c) AvL = - 214.98, AvS = - 81.91
(d) Ais = 49.04 (e) AvS = - 120.12 (f) AvS = - 118.67 (g) sin cambio
41. (a) AvNL = - 226.4; RL = 4.7 k, AvL = - 154.2; RL = 2.2 k, AvL = - 113.2;
RL = 0.5 k, AvL = - 41.93 (b) no se ve afectado
43. (a) AvNL = 0.983, Zi = 9.89 k, Zo = 20.19 (c) AvL = 0.976, AvS = 0.92
(d) AvL = 0.976, AvS = 0.886 (e) sin ningn efecto (f) Av = 0.979, AvS = 0.923
45. (a) Av1 = - 97.67, Av2 = - 189 (b) Av = 18.46 * 103, AvS = 11.54 * 103
(c) Ai1 = 97.67, Ai2 = 70 (d) AiT = 6.84 * 103 (e) sin ningn efecto (f) sin ningn efecto
(d) en fase
47. VB = 3.08 V, VE = 2.38 V, IE IC = 1.59 mA, VC = 6.89 V
49. VB1 = 4.4 V, VB2 = 11.48 V, VC2 = 14.45 V
51. Vo = - 1.86 V
53. Av = 0.997 1
55. VB1 = 4.48 V, VC2 = 5.58 V, IC = 104.2 mA
57. re = 21.67 , bre = 2.6 k
63. 4.2%
65. 4.86%
67. (a) 8.31 (b) hfe = 60, hie = 498.6 (c) Zi = 497.47 , Zo = 2.2 k
(d) Av = - 264.74, Ai = 60 (e) Zi = 497.47 , Zo = 2.09 k
(f) Av = - 250.90, Ai = 56.73
69. (a) Zi = 9.38 , Zo = 2.7 k (b) Av = 283.43, Ai = - 1
(c) a = 0.992, b = 124, re = 9.45 , ro = 1 M
71. (a) 814.21 (b) - 357.68 (c) 132.43 (d) 2.14 k
75. (a) 75% (b) 70%
77. (a) hoe = 200 ms (b) 8.6 k
79. (a) hfe (b) hoe (c) hoe 30 mS hasta 0.1 mS (d) a medio intervalo
81. (a) No saturado (b) R2 no conectada a la base
Captulo 6
3. (a) VDS M 1.4 V (b) rd = 233.33 (c) VDS M 1.6 V (d) rd = 533.33
(e) VDS M 1.4 V (f) rd = 933.33 (g) rd = 414.81 (h) rd = 933.2
(i) En general, s
11. (a) ID = 9 mA (b) ID = 1.653 mA (c) ID = 0 mA (d) ID = 0 mA
15. IDSS = 12 mA
17. VDS = 25 V, ID = 4.8 mA
ID = 10 mA, VDS = 12 V
ID = 7 mA, VDS = 17.14 V
19. S
21. ID = 4 mA (correspondencia exacta)
29. IDSS = 11.11 mA
31. VDS = 25 V
35. VT = 2 V, k = 5.31 * 10-4
ID = 5.31 * 10-4 1VGS - 2 V22
37. VGS = 27.36 V
Captulo 7
1. (c) IDQ M 4.7 mA, VDSQ = 6.36 V (d) IDQ M 4.69 mA, VDSQ = 6.37 V
3. (a) ID = 3.125 mA (b) VDS = 9 V (c) VGG = 1.5 V
5. VD = 18 V
7. IDQ M 2.6 mA, VGS = - 1.95 V
9. (a) IDQ = 3.33 mA (b) VGSQ M - 1.7 V (c) IDSS = 10.06 mA (d) VD = 11.34 V
(e) VDS = 9.64 V
11. VS = 1.4 V
13. (a) IDQ M 5.8 mA, VGSQ M - 0.85 V, IDQq, VGSQp (b) 216
15. (a) IDQ = 2.7 mA, VGSQ = - 2 V (b) VDS = 8.12 V, VS = 2 V
17. (a) IDQ = 4 mA (b) VDQ = VDSQ = 4.8 V (c) Ps = 48 mW, PD = 19.2 mW APNDICE D 887
19. (a) IDQ = 9 mA, VGSQ = 0.5 V (b) VDS = 7.69 V, VS = - 0.5 V
21. (a) IDQ = 5 mA, VGSQ = 6 V (b) VD = 13 V, VS = 3.75 V
23. (a) VB = VG = 3.2 V (b) VE = 2.5 V (c) IE = 2.08 mA, IC = 2.08 mA, ID = 2.08 mA
(d) IB = 20.8 mA (e) VC = 5.67 V, VS = 5.67 V, VD = 11.42 V (f) VCE = 3.17 V
(g) VDS = 5.75 V
25. RS = 2.4 k, RD = 6.2 k, R2 = 4.3 M
27. (a) JFET en saturacin (b) El JFET no conduce (c) cortocircuito del drenaje a la compuerta
29. circuito abierto entre el circuito divisor de voltaje y la compuerta del JFET.
31. (a) IDQ = 4.4 mA, VGSQ = - 7.25 V (b) VDS = - 7.25 V (c) VD = - 7.2 V
33. m = 0.533, M = 0 (a) VGS = - 1.96 V, IDQ = 2.7 mA (d) VDS = 11.93 V,
VD = 13.95 V, VS = 2.03 V, VG = 0 V
35. m = 0.4545, M = 0.303 (a) IDQ = 2.76 mA, VGSQ = - 2.04 V
(b) VDS = 7.86 V, VS = 2.07 V
Captulo 8
1. 6 mS
3. 8.75 mA
5. 12.5 mA
7. 2.4 mS
9. 40 k, - 180
11. (a) 4 mS (b) 2.8 mS (c) 2.8 mS (d) 2 mS (e) 2 mS
13. (a) 0.75 mS (b) 100 k
15. gm = 5.6 mS, rd = 66.7 k
17. Zi = 10 M, Zo = 1.72 k, Av = - 5.375
19. Zi = 10 M, Zo = 2.83 k, Av = - 8.49
21. Zi = 1 M, Zo = 730 , Av = - 2.19
23. Zi = 9.7 M, Zo = 1.96 k, Vo = - 214.4 mV
25. Zi = 9.7 M, Zo = 1.82 k, Vo = 198.8 mV
27. Zi = 356.3 , Zo = 3.3 k, Vo = 0.706 mV
29. Zi = 275.5 , Zo = 2.2 k, Av = 5.79
31. Zi = 10 M, Zo = 506.4 , Av = 0.745
33. 11.73 mV
35. Zi = 10 M, Zo = 1.68 k, Av = - 9.07
37. Zi = 9 M, Zo = 242.1 , Av = 0.816
39. Zi = 1.73 M, Zo = 2.15 k, Av = - 4.77
41. 203 mV
43. - 3.51 mV
45. RS = 180 , RD = 2 k
Captulo 9
1. (a) 3, 1.699, -0.151 (b) 6.908, 3.912, -0.347 (c) Los resultados difieren en 2.3
3. (a) Igual: 13.98 (b) Igual: -13.01 (c) Igual: 0.699
5. GdBm = 43.98 dBm
7. GdB = 67.96 dB
9. (a) GdB = 69.83 dB (b) Gv = 82.83 dB (c) Ri = 2 k (d) Vo = 1385.64 V
11.(a) Av = 1> 21 + 11950.43 Hz>f 22 (b) 100 Hz: Av = 0.051
1 kHz: Av = 0.456
2 kHz: Av = 0.716
5 kHz: Av = 0.932
10 kHz: Av = 0.982
(c) f1 = 1950.43 Hz
13. (a) 10 kHz (b) 1 kHz (c) 5 kHz (d) 100 kHz
15. (a) re = 28.48 (b) Avmedio = - 72.91 (c) Zi = 2.455 k (d) AvS = - 54.68
(e) fLS = 103.4 Hz, fLC = 38.05 Hz, fLE = 235.79 Hz (f) f1 M fLE
888 APNDICE D 17. (a) re = 30.23 (b) Avmedio M 0.983 (c) Zi = 21.13 k (d) Avs medio M 0.955
(e) fLS = 71.92 Hz, fLC = 193.16 Hz (f) f1 M fLC: f1 M 210 Hz 1PSpice2
19. (a) VGSQ = - 2.45 V, IDQ = 2.1 mA (b) gmo = 2 mS, gm = 1.18 mS (c) Avmedio = - 2
(d) Zi = 1 M (e) Avs M Av = - 2 (f) fLG = 1.59 Hz, fLC = 4.91 Hz,
fLS = 32.04 Hz (g) f1 M 32 Hz
21. (a) VGSQ = - 2.55 V, IDQ = 3.3 mA (b) gmo = 3.33 mS, gm = 1.91 mS
(c) Avmedio = - 4.39 (d) Zi = 51.94 k (e) AvS medio = - 4.27
(f) fLG = 2.98 Hz, fLC = 2.46 Hz, fLS = 41 Hz (g) f1 M fLS = 41 Hz
Zi considerablemente menor, pero an bastante mayor que Rsig como para producir un
efecto mnimo en Avs; Zi reducido, sin embargo, puede elevar el nivel de fLG
23. (a) fH1 M 293 kHz, fHo = 3.22 MHz (b) fb = 8.03 MHz, fT = 883.3 MHz
25. (a) fH1 M 584 MHz, fHo = 2.93 MHz (b) fb = 5.01 MHz, fT = 400.8 MHz
27. (a) gmo = 3.33 mS, gm = 1.91 mS (b) Avmedia = - 4.39, AvS media = - 4.27
(c) fHi = 1.84 MHz, fHo = 3.68 MHz
29. f2 = 1.09 MHz
31. (a) v = 12.73 * 10-3 3sen 2p1100 * 1032t + 3 sen 2p1300 * 10 2 +
1 3
1
5 sen 2p1500 * 1032t + 17 sen 2p1700 * 1032t + 19 sen 2p1900 * 1032t4
(b) BW = 500 kHz (c) fLo M 3.53 kHz
Captulo 10
1. Vo = - 18.75 V
3. Vi = - 40 mV
5. Vo = - 9.3 V
7. Vo vara de 5.5 V a 10.5 V
9. Vo = - 3.39 V
11. Vo = 0.5 V
13. V2 = - 2 V, V3 = 4.2 V
15. Vo = 6.4 V
17. IIB
+
= 22 nA, IIB-
= 18 nA
19. ACL = 80
21. Vo1compensacin2 = 105 mV
23. CMRR = 75.56 dB
Captulo 11
1. Vo = - 175 mV, rms
3. Vo = 412 mV
7. Vo = - 2.5 V
11. IL = 6 mA
13. Io = 0.5 mA
15. fOH = 1.45 kHz
17. fOL = 318.3 Hz, fOH = 397.9 Hz
Captulo 12
1. Pi = 10.4 W, Po = 640 mW
3. Po = 2.1 W
5. R1efectiva2 = 2.5 k
7. a = 44.7
9. %h = 37%
13. (a) Pi mxima = 49.7 W (b) Po mxima = 39.06 W (c) % Mximo = 78.5%
17. (a) Pi = 27 W (b) Po = 8 W (c) %h = 29.6% (d) P2Q = 19 W
19. %D2 = 14.3%, %D3 = 4.8%, %D4 = 2.4%
21. %D2 = 6.8%
23. PD = 25 W
25. PD = 3 W
Captulo 13 APNDICE D 889
9. Vo = 13 V
13. Periodo = 204.8 ms
17. fo = 60 kHz
19. C = 133 pF
21. C1 = 300 pF
Captulo 14
1. Af = - 9.95
3. Af = - 14.3, Rif = 31.5 k, Rof = 2.4 k
5. Sin realimentacin: Av = - 303.2, Zi = 1.18 k, Zo = 4.7 k
Con realimentacin: Aif = - 3.82, Zif = 45.8 k
7. fo = 4.2 kHz
9. fo = 1.05 MHz
11. fo = 159.2 kHz
Captulo 15
1. Factor de rizo 0.028
3. Voltaje de rizo 24.2 V
5. Vr = 1.2 V
7. Vr = 0.6 V rms, Vcd = 17 V
9. Vr = 0.12 V rms
11. Vm = 13.7 V
13. %r = 7.2%
15. %r = 8.3%, %r = 3.1%
17. Vr = 0.325 V rms
19. Vo = 7.6 V, IZ = 3.66 mA
21. Vo = 24.6 V
25. Icd = 225 mA
27. Vo = 9.9 V
Captulo 16
3. 33.25 mA
5. 95C
7. (a) CT = 41.85 pF (b) k M 71 * 10 - 12
9. Mayor, Tr 16.73 13
11. T1 = 50C
13. Q( - 1 V) 82, Q ( -10 V) 5000; Q (- 10 V)/Q(-1 V) = 60.98;
BW (Q = - 1 V) = 121.95 kHz, BW (Q = - 10 V) = 2000 Hz
19. IT = 5 mA, VT = 60 mV; IT = 2.8 mA, VT = 900 mV
21. fp M 2228 Hz
23. (a) 3750 : 7500 (b) M 8400 (c) BW = 4200
25. (a) Silicio (b) Naranja
27. (a) M 0.9 /fc (b) M 380 /fc (c) M 78 k/fc Regin de baja iluminacin
29. Vi = 21 V
31. A medida que fc se incrementa, tr y td se reducen exponencialmente
33. (a) f M 5 mW (b) 2.27 lm
35. f = 3.44 mW
41. Niveles bajos
45. R M 20 k
47. R1termistor2 = 90
Captulo 17
5. (a) S (b) No (c) No (d) S, no
11. (a) M 0.7 mW/cm2 (b) 82.35%
890 APNDICE D 17. (a) RB2 = 1.08 k (b) RBB = 3.08 k (c) VRB = 13 V (d) VP = 13.7 V
19. IB = 25 mA, IC = 1 mA
21. (a) Para temperaturas decrecientes, 0.53%/C (b) S
23. IC>IF = 0.44 Relativamente eficiente
25. (a) IC 3 mA (b) R : t M 2.3 : 1
27. Zp = 87 k, ZV = 181.8; un grado
29. (a) S, 8.18 V (b) R 6 2 k (c) R = 1.82 k
NDICE
892
Dispositivos Generador M
de dos terminales, 801 de onda cuadrada, 112-113 Malla de enganche de fase (PLL), 727
pnpn, 831 de ruido aleatorio, 337-339 Margen
Distorsin armnica, 694 Germanio, 2-7, 42 de fase, 754
DMM, 36, 152-153 Grfica de ganancia, 754
Dopado, 5, 7-9, 38 de Bode, 553 Materiales
Duplicador, 101-102 de fase, 548 extrnsecos, 7-10
de voltaje, 101-102 semilogartmica, 33-34, 541-542 intrnsecos, 3-5
Grficas en dB, 547 semiconductores, 2-19
E enlace covalente, 3-5
Ecuacin de Shockley, 13-19, 376-382 H extrnsecos, 7-10
Efectos Hojas de especificaciones, 32-35, 44-45, 147-151, germanio, 2-7
de la temperatura, 5-6, 18-19, 32-35, 212-213 382-384 hueco, 9
de un amplificador de mltiples etapas, BJT, 147-151 intrnsecos, 3-5
582-583 diodos, 32-35 movilidad relativa, 5
Eficiencia, 46 JFET, 382-384 niveles de energa, 5-7
de conversin, 247 LED, 44-45 portador mayoritario, 9-13
Electrn, 3-4 Hueco, 9 portador minoritario, 9-13
volt, 7 tipo n, 7-19
Electrones I tipo p, 7-19
de valencia, 3-7 Impedancia Mathcad, 50, 52-55, 64-65, 265-266, 380-382,
libres, 4, 8 de entrada con realimentacin, 743 421, 488-489, 545, 554-555
Electronics Work Bench (EWB), Multisim, 737 de salida con realimentacin, 744 Medidor de pantalla digital, 36, 152-153
Emisores infrarrojos (IR), 818 Indicador de nivel de voltaje, 227 MESFET, 369, 402-405,413
Enlace covalente, 3-5 Inductor, 106-107, 212 caractersticas, 403
Entrada Infrarrojo, 42 construccin, 402-403
doble, 595 Integrador, 612 operacin, 403
sencilla, 594 Intensidad luminosa axial, 44-45 smbolos, 403
Equivalente de Thvenin, 286-287, 334-335 Interruptor, 221-222 Mtodos de los sistemas de dos puertos, 286-291
Escala logartmica, 33-34, 54 1-542 controlado de silicio, 839 Mezclador de audio, 333-335, 516-517
de apagado por compuerta, 841 Micrfono, 336-337
Espejo de corriente, 200-202, 226-227
de transistor, 221-222 Milivoltmetro
Estabilizacin, 212-220
esttico en serie, 836
de ca, 652
Inversor, 402-403
F de cd, 652
Ion aceptor, 9
Factor Modelo
de amplificacin de Bohr, 3-4
J de Giacoletto, 574-575
de base comn, en cortocircuito, 137 JFET
de corriente directa de emisor comn, 142 pi hbrido, 248, 329-330, 574-575
anlisis re, 248, 251-254, 257-259, 330-345
de estabilidad, 163, 173-174, 203-211 en alta frecuencia, 579-582
Filtro, 338 Modelos equivalentes. Vea DIODOS; BJT; JFET;
en baja frecuencia, 565-570
de capacitor, 776 MOSFET
de ca, 472-537
pasoaltas, 657 de cd, 412-471 MOSFET, tipo empobrecimiento, 386-391,
pasobajas, 655 por computadora, 380-381, 406-407, 428-432, 439, 445-446, 497-498
pasobanda, 658 462-465, 523-529, 565-570, 581-582 canal p, 445-446
RC, 779 aplicaciones, 450-461, 514-522 caractersticas, 388-389
Filtros activos, 655 canal n, 370-374 configuracin del divisor de voltaje,
Fleming, J.A., 131 capacitancia de efecto Miller, 579 429-431,497-498
Flujo configuracin construccin, 386-387
convencional, 9 en compuerta comn, 493-497 de autopolarizacin, 431-432
de electrones, 9 de polarizacin fija, 413-417, 480-482, controlador de relevador, 460-461
Fotodiodos, 813 523-525 efectos de Rs y RL, 508-511
Fotones, 3-4, 41-42 construccin, 370 hojas de especificaciones, 391
Fototransistores, 856 de cpsula, 383 identificacin de las terminales, 401
Frecuencia diseo, 442-444, 503-505 modelo equivalente, 497
de ruptura, 546-547, 572 efectos de Rs y RL, 508-511 operacin, 387-389
fundamental, 584 en cascada, 511-513 smbolos, 400
Frecuencias frecuencias de ruptura, 579-580 solucin de fallas, 514
banda de, 546-547 impedancia de entrada, 478 tabla de resumen, 439
de corte, 225-226, 546-547 redes de combinacin, 439-442 MOSFET, tipo mejoramiento, 386, 392-399,
de esquina, 546-547 trazador de curvas, 384-385 433-438, 498-505
de mediana potencia, 546-547 anlisis por computadora, 463-464
Fuente de corriente K canal p, 445-446
constante, 222-223, 603 Kilby, Jack St. Clair, 2 caractersticas, 392-396
controlada por corriente, 650 de transferencia, 395-396
controlada por voltaje, 650 L CMOS, 401
Fuente de voltaje LCD, 4 configuracin
controlada por corriente, 650 LED, 7, 41-48, 69, 72-73, 93, 110-111,227 de realimentacin del drenaje, 499-502
controlada por voltaje, 64 brechas de energa, 43-44 por medio del divisor de voltaje, 436-438,
Fuente luminosa modulada por sonido, candela, 44-45 502-503
339-341 caractersticas, 44-45 construccin, 392
Fuentes construccin, 42-43 diseo, 444
controladas, 649 eficacia, 46 efectos de RS y RL, 508-511
de alimentacin, 773 espectro de frecuencia, 42-44 hojas de especificaciones, 397-398
Funcin exponencial, 13-15 fotones, 41-42 identificacin de terminales, 398
intensidad luminosa axial, 44-45 manejo, 399
G longitud de onda, 42-44 modelo equivalente, 498-499
GaAs, 2-19, 42-48, 369 candelapie, 44-45 operacin, 392-393
Ganancia Lenguaje, 50 polarizacin de realimentacin, 433-436
de corriente, 281-282 Logaritmo comn, 539-545 smbolos, 396-397
de magnitud constante, 609 Logaritmos, 538-545 solucin de fallas, 514
de realimentacin, 742 naturales, 539 tabla de resumen, 439
unitaria, 609 Longitud de onda, 42-44 VMOS, 400-401
893
Movilidad relativa, 5 Recorte, 108-109 Sensor de voltaje, 841
Multmetro digital, 36, 15 2-153 Rectificacin, 33, 103-106, 340 Serie de Fourier, 583-585
Multiplicador de ganancia constante, 641 de media onda, 76-79, 83 Shockley, William Bradford, 376
Multisim, 50-52, 119-121, 231-232, 350-352, de onda completa, 79-82 Silicio, 2-19, 42
464-465, 528-529, 568-570 Rectificadores, 33, 76-83 Sistema
controlados de silicio (SCR), 832 de alarma con un CCS, 223-224
N Red de fibra ptica, 458-460
Neutrones, 3-4 de conmutacin silenciosa, 517-520 de iluminacin de emergencia, 839
Niveles de fuente de corriente, 202-204 detector de movimiento, 521-522
de energa, 5-7 de temporizacin, 457-458 Software, 50-55
de resistencia, 21-27 Redes Solucin de fallas, 332-333, 444-445,
de voltaje de referencia, 111-112 de conmutacin, 206-210 BJT, 210-212, 332-333
Normalizacin, 45, 150-151, 548 de corrimiento de fase, 520-521 JFET, 444-445, 513-514
Ncleo, 3-4 Regin Sujetadores, 89-92
activa, 134-135, 140, 162 Suma de voltajes, 645
O de corte, 134-135, 140-141, 147, 162-164, Superposicin, 248, 334-335
Octava, 551 200-202
Ohl, Russell, 20 de empobrecimiento, 10-13, 132-133, T
Ohmmetro, 36-37, 152-153 388 Tablas de resumen
Operacin de operacin, 146-147 amplificadores con transistor BJT con carga
de amplificador clase B, 684, 687 de ruptura de avalancha, 16 incluidos los efectos de R, 288-289
de un CI temporizador, 721 Zener, 16-19 amplificadores con transistor BJT sin carga,
de un oscilador, 755 Regulacin de voltaje 287
de una unidad comparadora, 712 en derivacin, 785 regulacin de conmutacin, 787
en modo comn, 596, 602, 627 en serie, 781 transistores de efecto de campo, 404
en modo diferencial, 626 Regulador, 95-100, 103, 112-113 Zi, Zo y Av para varias configuraciones de
encendido/apagado de nMOS, 604 de carga de bateras, 837 FET, 506-508
encendido/apagado de pMOS, 604 de voltaje Termistores, 825
inestable, 721 ajustable, 791 Tetravalente, 3
monoestable, 724 de CI, 788 Tiempo
Oscilador Reguladores de voltaje, 781 de almacenamiento, 31, 209
Colpitts, 760 Rejilla de control, 131 de descenso, 209
controlado por voltaje, 725 Relacin de fase, configuracin de levantamiento, 209
de cristal, 763, 765 de polarizacin de emisor, 262 de recuperacin en inversa, 31
de corrimiento de fase, 756 de realimentacin de cd del colector, 280 Tierra virtual, 609
de CI, 758 de realimentacin del colector, 275 Tipos de conexin de realimentacin, 741
con FET, 757 del divisor de voltaje, 260 Transconductancia, 473477
con transistor, 758 en base comn, 273 Transformacin
de monounin, 766 en emisor comn, 259 de corriente, 678
de puente de Wien, 759 en emisor seguidor, 270 de impedancia, 678
de relajacin, 854, 863 Relacin de vueltas, 103 de voltaje, 678
Hartley, 761 Relevador, 106-107 Transformador, 81-82, 101-105
de enclavamiento, 844 con derivacin central, 81-82
P Resistencia Transistor
Pantallas de cristal lquido, 819 de ca, 23-26, 33, 35 BJT npn, 132
Par de realimentacin, 307-310 de ca promedio, 26-30 pnp, 132-154, 203-204
Parmetro de cd, 21-23 de efecto de campo. Vea JFET; MOSFET
de admitancia de salida de circuito abierto, de contacto, 15, 25-26 de unin. Vea JFET
256 de cuerpo, 15, 25-26 regulacin de voltaje, 774
de relacin de voltaje de transferencia inverso dinmica, 23-26 semiconductor de xido metlico. Vea
de circuito abierto, 256 Resistor controlado por voltaje, 374, MOSFET
Pentavalente, 3, 7 450-453 semiconductor metlico. Vea MESFET
Polarizacin, 10-13, 161-245, 412-471 Respaldo de batera controlado, 110 voltaje de rizo, 774
Polarizacin de cd Respuesta en alta frecuencia de monounin, 848
de realimentacin de voltaje, 183-190 BJT, 572-578 programable, 860
BJT, 161-245 JFET, 579-582 Transistor de punto de contacto, 131-132
JFET, 412-471 Resta de voltajes, 646 Trazador de curvas, 37, 151-152, 384-385
Portador(es) Realimentacin Triac, 847
mayoritario, 9-13, 132-133 de corriente en serie, 749 Triodo, 131
minoritario, 9-13, 132-133 de voltaje Triplicador, 102-103
libres, 10-13 en derivacin, 742, 751 de voltaje, 102-103
Potencial de ionizacin, 3 en serie, 742 Trivalente, 3, 8
Preamplificador, 336-337 Ross, Dr. Ian, 369 Tubo de vaco, 131
Probador de transistores, 152 Ruido
Producto de ganancia por ancho de banda, 576 blanco, 337-339 V
Prueba, 36-37, 151-153 de disparo, 338-339 Valor nominal de PIV, 16, 79, 81-82
BJT, 151-153 de Johnson, 336-338 Velocidad de razn de cambio, 619
de onda cuadrada, 583-586 fluctuante, 338-339 VMOS, 400-401
diodos, 36-37 rosa, 337-338 Voltaje
PRV, 16, 79, 81-82 Ruptura Zener, 16-19 de rodilla, 17, 28-30
PSpice, 50-51, 114-119, 156-158, 230-232, de ruptura inverso, 16-19,46
343-350, 406-407, 462-464, 523-528, S inverso pico, 16,79, 8 1-82
558-562, 567-568, 578, 581-582 Salida doble, 595 trmico, 13
Saturacin, 134-135, 146, 162-164, 166-167, Voltmetro, 455-457
R 174, 182, 186, 206 207, 225
Rechazo en modo comn, 597, 628 SCR, 340-341
Recortadores, 82-89 activado por luz, 842
en paralelo, 86-89 Seguidor
en serie, 83-86 de voltaje, 648
unitario, 610
894