Actividad VI.

64 Determinacin de la banda de
energa prohibida de semiconductores

Objetivo
Estudio de semiconductores mediante experimentos de transmisin ptica y
transporte elctrico. Determinacin de la naturaleza de la banda prohibida y del valor de la
brecha de energa.

Introduccin
Una caracterstica notable de algunos materiales es que tienen una alta resistividad
elctrica y, en contraste con los que se observa en los metales, esta resistividad decrece
con la temperatura. Aunque el comportamiento de estos materiales, llamados
semiconductores, era conocido desde haca mucho tiempo, no se lo comprendi totalmente
hasta el desarrollo de la teora de bandas de un slido, alrededor de 1930. En el marco de
esta teora, un semiconductor es un slido cuyos electrones se distribuyen en dos bandas
de energa separadas por una brecha (gap) de energa prohibida.[1,2] La banda inferior
corresponde a los estados de los electrones que participan de la unin de los tomos
generalmente covalente- y se le llama banda de valencia. En la banda superior se
encuentran los electrones que participan de las corrientes elctricas y es llamada banda de
conduccin. Si un semiconductor puro estuviese a temperatura absoluta nula (T = 0) todos
los orbitales de su banda de valencia estaran ocupados y todos los de la banda de
conduccin estaran vacos. En una situacin de este tipo no puede circular corriente
elctrica, por tanto a T = 0 el semiconductor sera un aislante.

A temperaturas distintas de cero la conductividad de un semiconductor no es nula

debido a la presencia de electrones en la banda de conduccin y de agujeros en la banda de
valencia. Esto puede lograrse mediante dos mecanismos. Uno de ellos es por la excitacin
de electrones de la banda de valencia hacia la banda de conduccin. Esta excitacin existe
siempre a T 0 por el movimiento trmico de los portadores de carga, o puede lograrse
externamente, por ejemplo, mediante la irradiacin con fotones que entreguen la energa
suficiente para superar la banda de energa prohibida. En cualquiera de estos procesos se
crean pares de portadores de carga: electrones (negativos, n) y huecos (positivos, p).

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 Otra manera de lograr conductividad no nula es por la agregado de impurezas en el
material. Si por un proceso de dopaje se introduce en un material semiconductor algn
tipo de tomo trivalente (usualmente indio o aluminio), los tres electrones da valencia se
unen covalentemente con el material y dejan un agujero o hueco en el cuarto enlace. En
esta situacin hablamos de un superconductor tipo p. Si la impureza es tal que aporta cinco
electrones (usualmente se usa arsnico), cuatro de los cuales se unen mientras que el
restante electrn queda libre para moverse en la banda de conduccin, lo que tenemos es
un semiconductor tipo n.

En los siguientes proyectos se estudian semiconductores mediante experimentos de

transmisin ptica y mediciones de caractersticas corriente-voltaje de junturas
semiconductores. El objetivo es analizar la naturaleza de las transiciones electrnicas de
un semiconductor y determinar el ancho de la banda de energa prohibida Eg.

Proyecto 1.- Absorcin ptica de un semiconductor

Equipamiento recomendado: Muestras de Si, Ge y GaAs. Un espectro-fotmetro para

medir el coeficiente de transmisin ptico de un material.

Una manera de estudiar el comportamiento de un superconductor consiste en hacerle

incidir fotones de energa conocida que exciten electrones desde estados de menor energa
hasta estados de mayor energa superando la banda de energa prohibida, de ancho Eg.
Para esto puede usarse un sistema de medicin de transmisin ptica con el que se mide el
coeficiente de transmisin de una muestra fina semiconductora.[3] El dispositivo se conoce
con el nombre de espectro-fotmetro y por lo general est disponible en muchos
laboratorios de qumica universitarios.

El principio de la medicin consiste en incidir radiacin monocromtica sobre la

muestra semiconductora. Para esto, el espectro-fotmetro contiene un monocromador para
filtrar luz de longitud de onda bien definidas. Cuando la energa de los fotones incidentes

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sea tal que favorece la excitacin de electrones, se observa un cambio en la respuesta de la
transmisin de radiacin en funcin de la longitud de onda.

Las muestras semiconductoras (por ejemplo: Si, Ge, GaAs) deben ser finas para
aumentar la sensibilidad de las mediciones. Para esto las muestras deben prepararse
cortndolas de un bloque con una sierra de diamante y afinndolas hasta que tengan un
espesor no mayor de 0.5 mm. Esto ltimo puede conseguirse puliendo la muestra con
abrasivos y realizando una terminacin superficial ms fina.

Si incide luz monocromtica de longitud de onda e intensidad I0 sobre una muestra

de espesor x, emerge una intensidad transmitida I. Se define el coeficiente de transmisin
T = I / I0, relacionado con el coeficiente de absorcin ptica por:[3]

(1 R) 2 exp(x)
T= (64.1)
1 R 2 exp(2x)

donde R es el coeficiente de reflexin ptico en la interfase aire-semiconductor.

El mecanismo predominante de la absorcin proviene de las transiciones

electrnicas desde la banda de valencia a la banda de conduccin cruzando la banda de
energa prohibida de ancho Eg. Si el semiconductor es de gap directo, es decir, si un fotn
incidente solo crea un par electrn-hueco, el coeficiente de absorcin est dado por:[3,4]

= A( E E g )1 / 2 (64.2)

donde A es una constante dependiente del material y E es la energa del fotn incidente y
la relacin vale en la aproximacin de bandas parablicas, es decir, si la energa de la
banda puede expresarse como E(p) p2, donde p es el momento. En cambio, si hay un
apartamiento de este comportamiento lo que puede ocurrir si hay impurezas o por efecto
de la temperatura el coeficiente se expresa como:

= B exp( E / E 0 ) (64.3)

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donde B es una constante y E0 mide el apartamiento de la forma parablica. Por otro lado,
si el semiconductor es de gap indirecto, para que se realice la transmisin electrnica debe
involucrarse un fonn de energa Ep para conservar el momento, ya sea absorbindolo o
emitindolo. En este caso el coeficiente se expresa como:

= a + e (64.4)

donde a describe la absorcin con absorcin de un fonn y e la absorcin con emisin

de un fonn:

a = C ( E Eg + E p )2 , E > Eg E p (64.5.a)

e = D( E Eg E p ) 2 , E > Eg + E p (64.5.b)

C y D son constantes que dependen del material y la temperatura.

Por lo tanto, si se mide el coeficiente de transmisin T en funcin de la energa del

fotn incidente y de la Ec. (64.1) se obtiene el coeficiente , a partir de la dependencia de
este coeficiente con la energa puede deducirse la naturaleza de la banda de energa
prohibida, es decir, si el gap es directo o indirecto, obtenerse el valor de Eg y estudiar,
segn el caso, la energa del fonn involucrado en la transicin ptica.

!"Prepare la muestra semiconductora, tratando de afinarla hasta obtener un

espesor no mayor que medio milmetro.

!"Usando el espectro-fotmetro obtenga la curva de transmisin T en funcin

de la longitud de onda de la radiacin incidente . Para esto, elija
adecuadamente el rango de variacin de la longitud de onda de la radiacin
incidente y el paso de la variacin, de manera de obtener un nmero
razonable de puntos. Qu puede decir de la absorcin ptica de la muestra
usada para las distintas longitudes de onda de la radiacin incidente?

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 Realice una determinacin preliminar del valor de Eg observando dnde hay
un cambio considerable de la transmisin ptica.

!"Usando los valores T(E) y el espesor de la muestra x obtenga el coeficiente

de absorcin (E). De la Ec. (64.1) puede deducirse que:[3]

1 (1 R ) + 4T 2 R 2 (1 R) 2
4

= ln (64.6)
x 2TR 2

Suponga que el coeficiente de reflexin R es independiente de la energa y

obtenga su valor de la curva T(E) en la regin donde la muestra se comporta
como un medio transparente a la radiacin incidente, es decir, cuando =
0. En este caso, la Ec. (64.1) se reduce a T = (1 R) / (1 + R), de donde
puede evaluar R.

#"
Represente grficamente el coeficiente de absorcin en funcin de
la energa E en escala lineal y semilogartmica en el eje vertical.
#"
Analice estos datos usando las Ecs. (64.2) a (64.5) y discuta la
naturaleza de la banda prohibida del semiconductor que estudia y si es
de gap directo o indirecto.[3] Para este anlisis represente tambin 1/2
en funcin de E y analice la dependencia observada en los distintos
rangos de energa.[3]
#"
Obtenga de los grficos el valor de Eg del semiconductor en estudio
con su incertidumbre.

!"Si el semiconductor que estudi es de gap indirecto, obtenga tambin la

energa del fonn involucrado en la transicin ptica Ep. Consulte tablas de
datos del semiconductor en estudio y compare sus determinaciones con los
valores aceptados para estas magnitudes.

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Proyecto 2.- Determinacin de Eg del Si y del Ge por medio de
mediciones elctricas

Equipamiento recomendado: Diodos de Si (1N4001 o equivalente) y de Ge (1N34A

o equivalente). Fuente de corriente hasta 100 mA y un voltmetro o un sistema de
adquisicin de datos por computadora. Un termmetro que mida desde temperatura de
nitrgeno lquido hasta ambiente.

Se tiene una juntura o unin cuando el dopaje de un semiconductor tiene una

dependencia espacial. Una juntura p-n tiene una variacin abrupta de dopaje en una
direccin, con una parte dopada con material p y la otra con material n.[1]

La caracterstica corriente-voltaje de una juntura est dada por:

eV
I = I 0 exp( ) 1 (64.7)
kT

donde e es la carga del electrn (e = 1.6 x 10-19 C), V es el voltaje en Volt, es un factor
de idealidad cuyo valor vara dependiendo de la juntura, k es la constante de Boltzmann
(k = 8.617 x 10-5 eV.K-1), y T es la temperatura en Kelvin. El factor de idealidad tiene en
cuenta otros fenmenos fsicos presentes, como efectos de superficie, recombinacin,
efecto tnel, etc. El factor I0 se denomina corriente inversa de saturacin del sistema p-n, y
depende de la temperatura segn:

E g (T )

kT
I 0 = BT 3 e (64.8)

donde Eg(T) es el valor del gap de energa dependiente de la temperatura y B es una

constante que depende de las densidades de portadores n y p, y de sus caminos libre
medio. En el caso en que eV >> kT, la Ec.(64.7) puede aproximarse por:

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 eV
kT
I = I0 e (64.9)

El objetivo de este proyecto es determinar el valor del gap de energa de algunos

semiconductores por medio de experimentos de transporte elctrico en una juntura p-n,
midiendo para esto las caractersticas I-V a distintas temperaturas. De las Ecs. (64.7) y
(64.8) puede verse que si se miden curvas I-V a diferentes temperaturas puede
determinarse el valor de Eg.

Los diodos constituyen las junturas semiconductoras ms comunes y se fabrican

uniendo un semiconductor tipo p con uno tipo n. Los diodos de Silicio (1N4001 o
equivalente) y de Germanio (1N34A o equivalente) son adecuados para estos
experimentos.[4-7]

El circuito para determinar la caracterstica I-V de un diodo se muestra

esquemticamente en la Fig. 64.1.

Figura 64.1 Circuito para obtener curvas I-V de un diodo.

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 El diodo tiene que estar ubicado en un portamuestras al que se pueda variar la
temperatura entre, por ejemplo, la temperatura de nitrgeno lquido y la temperatura
ambiente. Para esto puede usarse el mtodo descripto en la Actividad VI.62, colocando el
portamuestras en el extremo de un cao de acero inoxidable que se introduzca en un
termo con nitrgeno lquido. El portamuestras tiene que tener un termmetro para medir
la temperatura. Puede usarse un RDT calibrado (Pt-100 u otro) o una termocupla, que
midan en el rango entre 77 K (nitrgeno lquido) y temperatura ambiente.

!"Obtenga caractristicas I-V de los diodos a distintas temperaturas. Para ello

puede variar la corriente aplicada I (entre 0 y 100 mA) y medir el voltaje V, o
bien variar el voltaje y medir la corriente resultante, tratando, en cualquier caso,
de cubrir el mayor margen de valores posibles de estas magnitudes.

#"
Represente grficamente I en funcin de V para cada temperatura.
Represente tambin ln(I) en funcin de V. Note que, si valen las
condiciones que llevan a la Ec. (64.9), esta ltima representacin se
linealiza segn:

eV
ln( I ) = ln( I 0 ) + (64.10)
kT

Analice sus grficos y determine el intervalo de temperatura donde puede

usar la aproximacin dada por la Ec. (64.9) para describir sus datos
experimentales. Represente grficamente ln(I) en funcin de e/kT y a
partir de este grfico determine el mejor valor del armetro .

#"
Obtenga tambin ln(I0) en funcin de la temperatura. De la Ec. (64.8)
puede verse que

Eg (T )
ln( I 0 ) = ln( B) + 3 ln(T ) (64.11)
kT

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 Represente ln(I0) en funcin de la inversa de la temperatura o en funcin de
(kT)1. A bajas temperaturas la dependencia en temperatura de Eg puede
representarse como:[1]

Eg (T) = Eg(0) - T (64.12)

donde Eg(0) es el valor del gap a T = 0, y es una constante positiva.

Obtenga el valor de Eg(0) y compare el valor que obtiene para el Si y el Ge
con los valores aceptados a T = 0:[1]

Eg (Si) = 1.17 eV Eg (Ge) = 0.75 eV

Analice el apartamiento de la linealidad del grfico de ln(I0) en funcin de

T1 (o en funcin de 1/kT) por efecto del trmino ln(T).

Bibliografa

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