INSTITUTO TECNOLOGICO

DE TAPACHULA

PROGRAMA EDUCATIVO
ING. ELECTROMECANICA

ASIGNATURA
ELECTRONICA DE POTENCIA

DOCENTE
ING. CAROLINA ANTONIO VELAZQUEZ

TRABAJO
UNIDAD 2
TRANSISTORES

ESTUDIANTES
KEVIN ANDRES PAEZ SALINAS
N CONTROL
14510568

ISRAEL FRANCKY ALEGRIA CASTILLEJOS

N CONTROL
14510490

7MO SEMESTRE GRUPO N

 INDICE

INTRODUCCION .................................................................................................... 4
OBJETIVOS ............................................................................................................ 5
OBJETIVOS GENERALES .................................................................................. 5
OBJETIVOS ESPECIFICOS................................................................................ 5
TRANSISTORES .................................................................................................... 6
Rectificador controlado de silicio (SCR) ................................................................ 14
Parmetros del SCR. ......................................................................................... 16
Funcionamiento bsico del SCR........................................................................ 16
Operacin controlada del rectificador controlado de silicio ................................ 17
Aplicaciones del SCR ........................................................................................ 18
UJT (El transistor de Unijuntura) ........................................................................... 20
Aplicaciones del UJT ......................................................................................... 23
Triac ...................................................................................................................... 25
Funcionamiento del Triac................................................................................... 25
Aplicaciones Comunes ...................................................................................... 27
Parmetros Caractersticos ............................................................................... 28
Diac ....................................................................................................................... 30
Aplicaciones....................................................................................................... 31
CONCLUSION ...................................................................................................... 33
REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS ...................................................................... 34

2
 INDICE DE FIGURAS
Figura 1 Transistor - El tamao de un transistor guarda relacin con la potencia
que es capaz de manejar. ....................................................................................... 6
Figura 2 Tabla de Para metros ................................................................................ 8
Figura 3 Diagrama PV ........................................................................................... 10
Figura 4 Diagrama de Tiempos ............................................................................. 11
Figura 5 Ecuacin de Relaciones de Tiempo ........................................................ 11
Figura 6 parmetros a medir ................................................................................. 12
Figura 7 Regiones de Paralizacin ........................................................................ 13
Figura 8 Smbolo del tiristor................................................................................... 14
Figura 9 Tiristor. .................................................................................................... 15
Figura 10 SCR....................................................................................................... 15
Figura 11 Circuito Equivalente SCR ...................................................................... 16
Figura 12 Arreglos de SCR ................................................................................... 18
Figura 13 El transistor de Unijuntura ..................................................................... 20
Figura 14 Circuito Equivalente de UJT .................................................................. 21
Figura 15 Curva Caracterstica de un UJT ............................................................ 22
Figura 16 Generados de pulsos en diente de sierra mediante UJT ...................... 23
Figura 17 Control de velocidad de un motor mediante SCR y UJT ....................... 24
Figura 18 A1: Anodo 1, A2: Anodo 2, G: Compuerta ............................................ 25
Figura 19 Circulacin de la corriente ..................................................................... 26
Figura 20 Variaciones del Triac ............................................................................. 27
Figura 21 Smbolo de las terminales ..................................................................... 30
Figura 22 Cuadrantes de la corriente .................................................................... 30
Figura 23 Circuito empleando Diac ....................................................................... 32

3
 INTRODUCCION
Dentro de los dispositivos electrnicos de potencia, podemos citar: los diodos y
transistores de potencia, el tiristor, as como otros derivados de stos, tales como
los triac, diac, conmutador unilateral o SUS, transistor uniunin o UJT, el transistor
uniunin programable o PUT y el diodo Shockley.

Existen tiristores de caractersticas especiales como los fototiristores, los tiristores

de doble puerta y el tiristor bloqueable por puerta (GTO).

Lo ms importante a considerar de estos dispositivos, es la curva caracterstica

que nos relaciona la intensidad que los atraviesa con la cada de tensin entre los
electrodos principales.

El componente bsico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes

requisitos:

Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo)

y otro de baja impedancia (conduccin).
Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequea
potencia.
Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando
est en estado de bloqueo, con pequeas cadas de tensin entre sus
electrodos, cuando est en estado de conduccin. Ambas condiciones lo
capacitan para controlar grandes potencias.
Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.

El ltimo requisito se traduce en que a mayor frecuencia de funcionamiento habr

una mayor disipacin de potencia. Por tanto, la potencia disipada depende de la
frecuencia.

4
 OBJETIVOS

OBJETIVOS GENERALES

Conocer el funcionamiento de los SCR, UJT, TRIAC, DIAC.

OBJETIVOS ESPECIFICOS
Conocer sus aplicaciones en componentes para electrnica as como
conocer su documentacin.

5
 TRANSISTORES
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para entregar
una seal de salida en respuesta a una seal de entrada. Cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la
contraccin en ingls de transfer resistor (resistor de transferencia).
Actualmente se encuentra prcticamente en todos los aparatos electrnicos de
uso diario tales como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes
de cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos
celulares, aunque casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.

Figura 1 Transistor - El tamao de un transistor guarda relacin con la potencia que es capaz de
manejar.

El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con

materiales especficos en cantidades especficas) que forman dos uniones
bipolares: el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y
la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos
portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo
controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada.

6
En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo,32
a diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son elementos
pasivos.

De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es funcin

amplificada de la que se inyecta en el emisor, pero el transistor solo grada la
corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la base para que circule la carga por el colector, segn el tipo
de circuito que se utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre
corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor. Otros
parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor
son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base,
Potencia Mxima, disipacin de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde
se grafican los distintos parmetros tales como corriente de base, tensin Colector
Emisor, tensin Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas
(configuraciones) bsicos para utilizacin analgica de los transistores son emisor
comn, colector comn y base comn.

Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET,

MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la corriente que se inyecta en el
terminal de base para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensin
presente en el terminal de puerta y grada la conductancia del canal entre los
terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la conductancia es nula y el canal se
encuentra estrangulado, por efecto de la tensin aplicada entre Compuerta y
Fuente, es el campo elctrico presente en el canal el responsable de impulsar los
electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la
carga conectada al Drenaje (D) ser funcin amplificada de la tensin presente
entre la compuerta y la fuente, de manera anloga al funcionamiento del triodo.

Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integracin a
gran escala disponible hoy en da; para tener una idea aproximada pueden
fabricarse varios cientos de miles de transistores interconectados, por centmetro
cuadrado y en varias capas superpuestas.

7
Transistor de Potencia

El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al de los

transistores normales, teniendo como caractersticas especiales las altas
tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a
disipar.

Existen tres tipos de transistores de potencia:

bipolar.
unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
IGBT.

Figura 2 Tabla de Para metros

El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, ms la capacidad de

carga en corriente de los transistores bipolares:

Trabaja con tensin.

Tiempos de conmutacin bajos.
Disipacin mucho mayor (como los bipolares).

8
Nos interesa que el transistor se parezca, lo ms posible, a un elemento ideal:

Pequeas fugas.
Alta potencia.
Bajos tiempos de respuesta (ton , toff), para conseguir una alta frecuencia
de funcionamiento.
Alta concentracin de intensidad por unidad de superficie del
semiconductor.
Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado ( VCE mxima
elevada).
Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ).

Una limitacin importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente

de los transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a conduccin y viceversa
no se hace instantneamente, sino que siempre hay un retardo (ton , toff). Las
causas fundamentales de estos retardos son las capacidades asociadas a las
uniones colector - base y base - emisor y los tiempos de difusin y recombinacin
de los portadores.

Principios bsicos de funcionamiento

La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el modo

de actuacin sobre el terminal de control. En el transistor bipolar hay que inyectar
una corriente de base para regular la corriente de colector, mientras que en el FET
el control se hace mediante la aplicacin de una tensin entre puerta y fuente.
Esta diferencia vienen determinada por la estructura interna de ambos
dispositivos, que son substancialmente distintas.

Es una caracterstica comn, sin embargo, el hecho de que la potencia que

consume el terminal de control (base o puerta) es siempre ms pequea que la
potencia manejada en los otros dos terminales.

9
En resumen, destacamos tres cosas fundamentales:

En un transistor bipolar IB controla la magnitud de IC.

En un FET, la tensin VGS controla la corriente ID.
En ambos casos, con una potencia pequea puede controlarse otra
bastante mayor.

Tiempos de conmutacin

Figura 3 Diagrama PV

Cuando el transistor est en saturacin o en corte las prdidas son despreciables.

Pero si tenemos en cuenta los efectos de retardo de conmutacin, al cambiar de
un estado a otro se produce un pico de potencia disipada, ya que en esos
instantes el producto IC x VCE va a tener un valor apreciable, por lo que la
potencia media de prdidas en el transistor va a ser mayor. Estas prdidas
aumentan con la frecuencia de trabajo, debido a que al aumentar sta, tambin lo
hace el nmero de veces que se produce el paso de un estado a otro.

Podremos distinguir entre tiempo de excitacin o encendido (ton) y tiempo de

apagado (toff). A su vez, cada uno de estos tiempos se puede dividir en otros dos.

Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el tiempo que transcurre desde el instante
en que se aplica la seal de entrada en el dispositivo conmutador, hasta que la
seal de salida alcanza el 10% de su valor final.

Tiempo de subida (Rise time, tr): Tiempo que emplea la seal de salida en
evolucionar entre el 10% y el 90% de su valor final.

10
 Figura 4 Diagrama de Tiempos

Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts): Tiempo que transcurre desde que
se quita la excitacin de entrada y el instante en que la seal de salida baja al 90%
de su valor final.

Tiempo de cada (Fall time, tf): Tiempo que emplea la seal de salida en
evolucionar entre el 90% y el 10% de su valor final.

Por tanto, se pueden definir las siguientes relaciones:

Figura 5 Ecuacin de Relaciones de Tiempo

11
Otros parmetros importantes

Figura 6 parmetros a medir

Corriente media: es el valor medio de la corriente que puede circular por un

terminal (ej. ICAV, corriente media por el colector).

Corriente mxima: es la mxima corriente admisible de colector (ICM) o de

drenador (IDM). Con este valor se determina la mxima disipacin de potencia del
dispositivo.

VCBO: tensin entre los terminales colector y base cuando el emisor est en
circuito abierto.

VEBO: tensin entre los terminales emisor y base con el colector en circuito
abierto.

Tensin mxima: es la mxima tensin aplicable entre dos terminales del

dispositivo (colector y emisor con la base abierta en los bipolares, drenador y
fuente en los FET).

12
Estado de saturacin: queda determinado por una cada de tensin prcticamente
constante. VCEsat entre colector y emisor en el bipolar y resistencia de
conduccin RDSon en el FET. Este valor, junto con el de corriente mxima,
determina la potencia mxima de disipacin en saturacin.

Modos de trabajo

Existen cuatro condiciones de polarizacin posibles. Dependiendo del sentido o

signo de los voltajes de polarizacin en cada una de las uniones del transistor
pueden ser:

Figura 7 Regiones de Paralizacin

Regin activa directa: Corresponde a una polarizacin directa de la unin

emisor - base y a una polarizacin inversa de la unin colector - base. Esta
es la regin de operacin normal del transistor para amplificacin.
Regin activa inversa: Corresponde a una polarizacin inversa de la unin
emisor - base y a una polarizacin directa de la unin colector - base. Esta
regin es usada raramente.
Regin de corte: Corresponde a una polarizacin inversa de ambas
uniones. La operacin en sta regin corresponde a aplicaciones de
conmutacin en el modo apagado, pues el transistor acta como un
interruptor abierto (IC 0).
Regin de saturacin: Corresponde a una polarizacin directa de ambas
uniones. La operacin en esta regin corresponde a aplicaciones de
conmutacin en el modo encendido, pues el transistor acta como un
interruptor cerrado (VCE 0).

13
Rectificador controlado de silicio (SCR)

El rectificador controlado de silicio (en ingls SCR: Silicon Controlled Rectifier) es

un tipo de tiristor formado por cuatro capas de material semiconductor con
estructura PNPN o bien NPNP. El nombre proviene de la unin de Tiratrn
(tyratron) y Transistor.

Un SCR posee tres conexiones: nodo, ctodo y gate (puerta). La puerta es la

encargada de controlar el paso de corriente entre el nodo y el ctodo. Funciona
bsicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la
corriente en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensin en la puerta
del SCR no se inicia la conduccin y en el instante en que se aplique dicha
tensin, el tiristor comienza a conducir. Trabajando en corriente alterna el SCR se
desexcita en cada alternancia o semiciclo. Trabajando en corriente continua, se
necesita un circuito de bloqueo forzado, o bien interrumpir el circuito.

Figura 8 Smbolo del tiristor.

El pulso de conmutacin ha de ser de una duracin considerable, o bien, repetitivo

si se est trabajando en corriente alterna. En este ltimo caso, segn se atrase o
adelante el pulso de disparo, se controla el punto (o la fase) en el que la corriente
pasa a la carga. Una vez arrancado, podemos anular la tensin de puerta y el
tiristor continuar conduciendo hasta que la corriente de carga disminuya por
debajo de la corriente de mantenimiento (en la prctica, cuando la onda senoidal
cruza por cero)

14
Cuando se produce una variacin brusca de tensin entre nodo y ctodo de un
tiristor, ste puede dispararse y entrar en conduccin aun sin corriente de puerta.
Por ello se da como caracterstica la tasa mxima de subida de tensin que
permite mantener bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al
condensador parsito existente entre la puerta y el nodo.

Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrnica de potencia, en el campo del

control, especialmente control de motores, debido a que puede ser usado como
interruptor de tipo electrnico.

Figura 9 Tiristor.

Tiristor tetrodo

Son tiristores con dos electrodos de disparo: puerta de nodo (anode gate) y
puerta de ctodo (cathode gate). El BRY39 es un tiristor tetrodo

Figura 10 SCR

SCR. El cable blanco es la puerta. El rojo fino sirve de referencia de la tensin de

ctodo.

15
Parmetros del SCR.
VRDM: Mximo voltaje inverso de cebado (VG = 0)
VFOM: Mximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)
IF: Mxima corriente directa permitida.
PG: Mxima disipacin de potencia entre compuerta y ctodo.
VGT-IGT: Mximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el
cebado
IH: Mnima corriente de nodo requerida para mantener cebado el SCR
dv/dt: Mxima variacin de voltaje sin producir cebado.
di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes de destruir el SCR

Funcionamiento bsico del SCR

El siguiente grfico muestra un circuito equivalente del SCR para comprender su

funcionamiento.

Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se

producen dos corrientes: IC2 = IB1.

IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de
colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a
su vez causa ms corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1.

Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido

del SCR.

Figura 11 Circuito Equivalente SCR

16
Operacin controlada del rectificador controlado de silicio

Como su nombre lo indica, el SCR es un rectificador construido con material de

silicio con una tercera terminal para efecto de control. Se escogi el silicio debido
a sus capacidades de alta temperatura y potencia.

La operacin bsica del SCR es diferente de la del diodo semiconductor de dos

capas fundamental, en que una tercera terminal, llamada compuerta, determina
cundo el rectificador conmuta del estado de circuito abierto al de circuito cerrado.
No es suficiente slo la polarizacin directa del nodo al ctodo del dispositivo. En
la regin de conduccin la resistencia dinmica el SCR es tpicamente de 0.01 a
0.1Monografias.com

La resistencia inversa es tpicamente de 100 kOhms ms. Un SCR acta a

semejanza de un interruptor. Cuando esta encendido (ON), hay una trayectoria de
flujo de corriente de baja resistencia del nodo al ctodo. Acta entonces como un
interruptor cerrado. Cuando est apagado (OFF), no puede haber flujo de corriente
del nodo al ctodo. Por tanto, acta como un interruptor abierto. Dado que es un
dispositivo de estado s1ido, la accin de conmutacin de un SCR es muy rpida.

El flujo de corriente promedio para una carga puede ser controlado colocando un
SCR en serie con la carga. Este arreglo es presentado en la figura 12. La
alimentaci6n de voltaje es comnmente una fuente de 60-Hz de CA, pero puede
ser de CD en circuitos especiales.

Si la alimentacin de voltaje es de CA, el SCR pasa una cierta parte del tiempo del
ciclo de CA en el estado ON, y el resto del tiempo en el estado OFF. Para una
fuente de 60-Hz de CA, el tiempo del ciclo es de 16.67 ms. Son estos 16.67 ms los
que se dividen entre el tiempo que est en ON y el tiempo que est en OFF. La
cantidad de tiempo que est en cada estado es controlado por el disparador.

Si una porcin pequea del tiempo est en el estado ON, la corriente promedio
que pasa a la carga es pequea. Esto es porque la corriente puede fluir de la

17
fuente, a travs del SCR, y a la carga, slo por una porcin relativamente pequea
del tiempo. Si la seal de la compuerta es cambiada para hacer que el SCR este
en ON por un periodo ms largo del tiempo, entonces la corriente de carga
promedio ser mayor. Esto es porque la corriente ahora puede fluir de la fuente, a
travs del SCR, y a la carga, por un tiempo relativamente mayor. De esta manera,
la corriente para la carga puede variarse ajustando la porcin del tiempo del ciclo
que el SCR permanece encendido.

Figura 12 Arreglos de SCR

Aplicaciones del SCR

Las aplicaciones de los tiristores se extienden desde la rectificacin de corrientes

alternas, en lugar de los diodos convencionales hasta la realizacin de
determinadas conmutaciones de baja potencia en circuitos electrnicos, pasando
por los onduladores o inversores que transforman la corriente continua en alterna.
La principal ventaja que presentan frente a los diodos cuando se les utiliza como
rectificadores es que su entrada en conduccin estar controlada por la seal de
puerta. De esta forma se podr variar la tensin continua de salida si se hace
variar el momento del disparo ya que se obtendrn diferentes ngulos de
conduccin del ciclo de la tensin o corriente alterna de entrada. Adems el tiristor
se bloquear automticamente al cambiar la alternancia de positiva a negativa ya
que en este momento empezar a recibir tensin inversa.

18
Por lo anteriormente sealado el SCR tiene una gran variedad de aplicaciones,
entre ellas estn las siguientes:

Controles de relevador.

Circuitos de retardo de tiempo.

Fuentes de alimentacin reguladas.

Interruptores estticos.

Controles de motores.

Recortadores.

Inversores.

Ciclo conversores.

Cargadores de bateras.

Circuitos de proteccin.

Controles de calefaccin.

Controles de fase.

19
 UJT (El transistor de Unijuntura)

Este dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como generador de pulsos de

disparo para SCR y TRIACs.

El UJT es un componente que posee tres terminales: dos bases y un emisor, tal
como se muestra en la siguiente figura:

Figura 13 El transistor de Unijuntura

En la figura se puede apreciar la constitucin de un UJT, que en realidad est

compuesto solamente por dos cristales. Al cristal P se le contamina con una gran
cantidad de impurezas, presentando en su estructura un nmero elevado de
huecos. Sin embargo, al cristal N se le dopa con muy pocas impurezas, por lo que
existen muy pocos electrones libres en su estructura.

Esto hace que la resistencia entre las dos bases RBB sea muy alta cuando el
diodo del emisor no conduce. Para entender mejor cmo funciona este dispositivo,
vamos a valernos del circuito equivalente de la figura siguiente:

20
 Figura 14 Circuito Equivalente de UJT

R1 y R2 equivalen a la resistencia de los tramos de cristal N comprendidos entre

los terminales de las bases. El diodo D equivale a la unin formada por los
cristales P-N entre el terminal del emisor y el cristal N.

Mientras el diodo del emisor no entre en conduccin, la resistencia entre bases es

igual a:

Si en estas condiciones aplicamos una tensin de alimentacin VBB entre las dos
bases, la tensin que aparece entre el emisor y la base ser la que corresponda
en el circuito equivalente a R1; es decir, en el divisor de tensin se cumplir que:

Si llamamos =R1/RBB, la ecuacin queda: V1 = VBB.

El trmino representa la relacin intrnseca existente entre las tensiones V 1 y

VBB.

As, por ejemplo, si un UJT posee una relacin intrnseca caracterstica igual a
0,85 y queremos determinar la tensin que aparecer entre el terminal de emisor y
la base 1 al aplicar 12V entre bases, bastar con operar de la siguiente forma:

21
Al valor de V1 se le conoce como tensin intrnseca, y es aqulla que hay que
aplicar para que el diodo comience a conducir. En nuestro ejemplo, si aplicamos
una tensin de 8V al emisor, ste no conducir, ya que en el ctodo del diodo D
existe un potencial positivo de 10,2V correspondiente a la tensin intrnseca, por lo
que dicho diodo permanecer polarizado inversamente. Sin embargo, si aplicamos
una tensin superior a 10,9V (los 10,2V de V1 ms 0,7V de la tensin de barrera
del diodo D), el diodo comenzar a conducir, producindose el disparo o
encendido del UJT. En resumen, para conseguir que el UJT entre en estado de
conduccin es necesario aplicar al emisor una tensin superior a la intrnseca.

Una vez que conseguimos que el diodo conduzca, por efecto de una tensin de
polarizacin directa del emisor respecto a la base 1, los portadores mayoritarios
del cristal P (huecos) inundan el tramo de cristal de tipo N comprendido entre el
emisor y dicha base (recordar que el cristal P est fuertemente contaminado con
impurezas y el N dbilmente). Este efecto produce una disminucin repentina de la
resistencia R1 y, con ella, una reduccin de la cada de tensin en la base 1
respecto del emisor, lo que hace que la corriente de emisor aumente
considerablemente.

Figura 15 Curva Caracterstica de un UJT

22
Mientras la corriente de emisor sea superior a la de mantenimiento (Iv), el diodo
permanecer en conduccin como si de un biestable se tratase. Esta corriente se
especifica normalmente en las hojas de caractersticas y suele ser del orden de
5mA.

En la figura, muestra el aspecto de una de las curvas caractersticas de un UJT.

Vp (punto Q1) nos indica la tensin pico que hay que aplicar al emisor para
provocar el estado de encendido del UJT (recordar que Vp = V1 + 0,7). Una vez
superada esta tensin, la corriente del emisor aumenta (se hace mayor que Ip),
provocndose el descebado del UJT cuando la corriente de mantenimiento es
inferior a la de mantenimiento Iv (punto Q2).

Aplicaciones del UJT

Una de las aplicaciones del UJT ms comn es como generador de pulsos en

diente de sierra. Estos pulsos resultan muy tiles para controlar el disparo de la
puerta de TRIACS y SCR.

En la siguiente figura, se muestra el esquema de uno de estos circuitos.

Figura 16 Generados de pulsos en diente de sierra mediante UJT

23
Su funcionamiento es como sigue: Al aplicar una tensin VCC al circuito serie R-C,
formado por la resistencia variable RS y el condensador CS, dicho condensador
comienza a cargarse. Como este condensador est conectado al emisor, cuando
se supere la tensin intrnseca, el UJT entrar en conduccin. Debido a que el
valor hmico de la resistencia R1 es muy pequeo, el condensador se descargar
rpidamente, y en el terminal de B1 aparecer un impulso de tensin. Al disminuir
la corriente de descarga del condensador, sobre el emisor del UJT, por debajo de
la de mantenimiento, ste se desceba y comienza otro nuevo ciclo de carga y
descarga del condensador. As, se consigue que en el terminal de la base 1
aparezca una seal pulsante en forma de diente de sierra, que puede utilizarse
para controlar los tiempos de disparo de un SCR o de un TRIAC. Para regular el
tiempo de disparo es suficiente con modificar el valor hmico de la resistencia
variable RS, ya que de sta depende la constante de tiempo de carga del
condensador.

En la siguiente figura, se muestra una tpica aplicacin del generador de pulsos de

diente de sierra con UJT para controlar el disparo de un SCR. Mediante este
circuito controlamos la velocidad de un motor serie (o de cualquier otro tipo de
carga: estufas, lmparas, etc) gracias a la regulacin de la corriente que realiza
sobre medio ciclo del SCR. Para controlar la velocidad del motor, basta con
modificar la frecuencia de los pulsos en dientes de sierra, lo cual se consigue
variando el valor del potencimetro RS.

Figura 17 Control de velocidad de un motor mediante SCR y UJT

24
Triac

El Triac es un dispositivo semiconductor que pertenece a la familia de los

dispositivos de control: los tiristores. El triac es en esencia la conexin de dos
tiristores en paralelo pero conectados en sentido opuesto y compartiendo la misma
compuerta. (ver imagen).

Este componente slo se utiliza en corriente alterna y al igual que el tiristor, se

dispara por la compuerta. Como el triac funciona en corriente alterna, habr una
parte de la onda que ser positiva y otra negativa.

Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposicin que formaran

dos SCR en direcciones opuestas. Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso
pierden la denominacin de nodo y ctodo) y puerta (gate). El disparo del TRIAC
se realiza aplicando una corriente al electrodo de gate/puerta.

Figura 18 A1: Anodo 1, A2: Anodo 2, G: Compuerta

Funcionamiento del Triac

La parte positiva de la onda (semiciclo positivo) pasar por el triac siempre y

cuando haya habido una seal de disparo en la compuerta, de esta manera la
corriente circular de arriba hacia abajo (pasar por el tiristor que apunta hacia
abajo), de igual manera:

25
 Figura 19 Circulacin de la corriente

La parte negativa de la onda (semiciclo negativo) pasar por el triac siempre y

cuando haya habido una seal de disparo en la compuerta, de esta manera la
corriente circular de abajo hacia arriba (pasar por el tiristor que apunta hacia
arriba). Para ambos semiciclos la seal de disparo se obtiene de la misma patilla
(la puerta o compuerta).

Lo interesante es, que se puede controlar el momento de disparo de esta patilla y

as, controlar el tiempo que cada tiristor estar en conduccin. Recordar que un
tiristor slo conduce cuando ha sido disparada (activada) la compuerta y entre sus
terminales hay un voltaje positivo de un valor mnimo para cada tiristor). Entonces,
si se controla el tiempo que cada tiristor est en conduccin, se puede controlar la
corriente que se entrega a una carga y por consiguiente la potencia que consume.

Ejemplo: Una aplicacin muy comn es el atenuador luminoso de lmparas

incandescentes (circuito de control de fase). Ver el diagrama anterior.

Dnde:

Ven: Voltaje aplicado al circuito (A.C.)

L: lmpara
P: potencimetro
C: condensador (capacitor)
R: Resistor

26
 T: Triac
A2: Anodo 2
A3: Anodo 3
G: Gate, puerta o compuerta

El triac controla el paso de la corriente alterna a la lmpara (carga), pasando

continuamente entre los estados de conduccin (cuando la corriente circula por el
triac) y el de corte (cuando la corriente no circula). Si se vara el potencimetro, se
vara el tiempo de carga de un capacitor causando que se incremente o reduzca la
diferencia de fase de la tensin de alimentacin y la que se aplica a la compuerta.

Figura 20 Variaciones del Triac

Aplicaciones Comunes

Su versatilidad lo hace ideal para el control de corriente alterna (C.A.).

Una de ellas es su utilizacin como interruptor esttico ofreciendo muchas

ventajas sobre los interruptores mecnicos convencionales y los rels.

Funciona como interruptor electrnico y tambin a pila.

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 Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas aplicaciones como atenuadores
de luz, controles de velocidad para motores elctricos, y en los sistemas de control
computarizado de muchos elementos caseros. No obstante, cuando se utiliza con
cargas inductivas como motores elctricos, se deben tomar las precauciones
necesarias para asegurarse que el TRIAC se apague correctamente al final de
cada semiciclo de la onda de Corriente alterna.

VENTAJAS

Puede conmutar las dos mitades de una onda AC

Puedes usar un solo componente para commutar ambos semiciclos

DESVENTAJAS

No dispara de manera simtrica en ambas mitades de la onda

La conmutacin aumenta el nivel de los harmnicos debido a la falta de simetra

del disparo

Mas susceptible a problemas de interferencia electromagntica debido a la falta

de simetra de disparo

Se ha de tener cuidado de asegurar que el TRIAC se apaga completamente

cuando se usa con cargas inductivas

Parmetros Caractersticos
En este captulo explicaremos cuales son los parmetros caractersticos que
definen al TRIAC y que podremos encontrar en un DataSheet. No en todos los
datasheet encontraremos todos los parmetros, pero en general estos son los mas
comunes.

Pondremos de ejemplo los valores del FKPF8N80 de Fairchild Semiconductor.

VDRM: Es el voltaje repetitivo de pico mximo que soporta el dispositivo. 800V

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VDSM: Es el voltaje repetitivo de pico mximo permitido en condiciones de pulso
que soporta el dispositivo. No proporcionada

IT(RMS): Intensidad soportada en estado de conduccin para una determinada

temperatura. 8A.

IT(AV): Intensidad media maxima soportada en estado de conduccin para una

determinada temperatura. No proporcionada

ITSM: Intensidad maxima de pico permitida por el dispositivo en condiciones de

pulso. Para TRIACs esta definida por un ciclo completo de una senoidal de
periodo 20ms.

di/dt: Es el ratio mximo de incremento de corriente durante la conmutacin. 80A

para 50Hz, 88A para 60Hz.

I2t: Para proteger el dispositivo, el fusible ha de tener una caracterstica menor

que la indicada por este parametro. VA ligada al ITSM

Tstg: Es la temperatura de almacenamiento, mientras el dispositivo no esta

funcionando. 32A2s.

IGM: Corriente pico para la puerta. 2A.

PG(AV): Disipacin de potencia de la puerta media. 0.5W

VRGM: Tension Inversa de pico soportada por la puerta. No proporcionada

VGM:Tension de pico de la puerta con respecto a COM. 10V

P: Potencia disipada media. No proporcionada

IGT: Corriente de puerta. 30mA

VGT: Tension de puerta. 1.5V

VGD: Es la tension maxima que se puede aplicar entre puerta y uno de los
terminales sin causar un encendido del dispositivo accidental. 0.2V

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 Diac

El DIAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseado para

disparar TRIACs y Tiristores (es un dispositivo disparado por tensin).

El TRIAC tiene dos terminales: MT1 y MT2. Ver el diagrama. El DIAC se comporta
como dos diodos zener conectados en serie, pero orientados en formas opuestas.
La conduccin se da cuando se ha superado el valor de tensin del zener que est
conectado en sentido opuesto.

Figura 21 Smbolo de las terminales

El DIAC normalmente no conduce, sino que tiene una pequea corriente de fuga.
La conduccin aparece cuando la tensin de disparo se alcanza.

Figura 22 Cuadrantes de la corriente

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Cuando la tensin de disparo se alcanza, la tensin en el DIAC se reduce y entra
en conduccin dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o
TRIAC. Se utiliza principalmente en aplicaciones de control de potencia mediante
control de fase. La curva caracterstica del DIAC se muestra a continuacin.

En la curva caracterstica se observa que cuando:

+V o V es menor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un

circuito abierto
+V o V es mayor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un
cortocircuito

Sus principales caractersticas son:

Tensin de disparo.

Corriente de disparo.
Tensin de simetra.
Tensin de recuperacin.
Disipacin de potencia (Los DIACs se fabrican con capacidad de disipar
potencia de 0.5 a 1 watt.)

Aplicaciones
Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la corriente
del triac, de forma que solo se aplica tensin a la carga durante una fraccin de
ciclo de la alterna. Estos sistemas se utilizan para el control de iluminacin con
intensidad variable, calefaccin elctrica con regulacin de temperatura y algunos
controles de velocidad de motores.

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 Figura 23 Circuito empleando Diac

La forma ms simple de utilizar estos controles es empleando el circuito

representado en la Figura, en que la resistencia variable R carga el condensador
C hasta que se alcanza la tensin de disparo del DIAC, producindose a travs de
l la descarga de C, cuya corriente alcanza la puerta del TRIAC y le pone en
conduccin. Este mecanismo se produce una vez en el semiciclo positivo y otra en
el negativo. El momento del disparo podr ser ajustado con el valor de R variando
como consecuencia el tiempo de conduccin del TRIAC y, por tanto, el valor de la
tensin media aplicada a la carga, obtenindose un simple pero eficaz control de
potencia.

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 CONCLUSION
Un SCR posee tres conexiones: nodo, ctodo y puerta. La puerta es la
encargada de controlar el paso de corriente entre el nodo y el ctodo. Funciona
bsicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la
corriente en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensin en la puerta
del SCR no se inicia la conduccin y en el instante en que se aplique dicha
tensin, el tiristor comienza a conducir. El pulso de disparo ha de ser de una
duracin considerable, o bien, repetitivo. Segn se atrase o adelante ste, se
controla la corriente que pasa a la carga. Una vez arrancado, podemos anular la
tensin de puerta y el tiristor continuar conduciendo hasta que la corriente de
carga disminuya por debajo de la corriente de mantenimiento. Trabajando en
corriente alterna el SCR se desexcita en cada alternancia o semiciclo. Trabajando
en corriente continua, se necesita un circuito de bloqueo forzado.

Los tiristores, en general, son dispositivos semiconductores formados por cuatro o

ms capas alternadas de materiales tipo N y P que producen, por
retroalimentacin interna, un efecto de enganche o enclavamiento, el cual los hace
extremadamente tiles en aplicaciones de conmutacin y de control de potencia.

Un tiristor es un componente cuya principal aplicacin es la de servir como

interruptor accionado elctricamente. Por lo general cuentan con tres terminales,
llamados la compuerta, el nodo y el ctodo; entre los dos ltimos se conecta el
circuito en el que ellos actuarn como interruptor, mientras que el terminal de
compuerta sirve generalmente para hacer posible la iniciacin del paso de
corriente.

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 REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS
http://proton.ucting.udg.mx/temas/circuitos/omar/Omar.htm

http://es.wikipedia.org/wiki/Rectificador_controlado_de_silicio

http://www.viasatelital.com/proyectos_electronicos/scr.htm

http://www.unicrom.com/Tut_scr.asp

http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/transistoresUJT.html

https://unicrom.com/triac-scr-control-de-potencia-en-ac/

https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_Potencia/TRIAC/Aplicaciones
_Comunes

https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_Potencia/TRIAC/Par%C3%A1
metros_Caracteristicos

https://www.ecured.cu/DIAC

https://unicrom.com/diac-diodo-disparo-bidireccional/

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