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CAPTULO 3
En la Figura 24 se representa un diodo que se polariza con dos fuentes de alimentacin, una
genera una diferencia de potencial constante entre sus extremos y la otra una diferencia de
potencial variable con el tiempo y de media cero. Las fluctuaciones de tensin generadas por esta
fuente son, por hiptesis, muy pequeas. Si se polarizara el diodo slo con la primera fuente, la
corriente que circulara sera la dada por la caracterstica esttica (ver Figura 25). Sin embargo, al
existir el segundo generador, la corriente flucta con el tiempo alrededor de este valor de equilibrio.
El modelo de pequea seal del diodo permite calcular estas fluctuaciones.
Figura 24: Superposicin de una pequea seal a la tensin de polarizacin del diodo.
conveniente hacer un cambio de ejes coordenados cuyo origen coincide con el punto de
polarizacin (ver Figura 25). Si las fluctuaciones son de amplitud pequea no se comete un error
apreciable si en vez de considerar la curva caracterstica se toma la recta tangente a ella en el punto
de polarizacin. En definitiva, lo que se obtiene es una relacin lineal entre la componente
fluctuante de corriente y la componente fluctuante de la tensin de polarizacin, por lo que el
modelo de pequea seal del diodo es una conductancia, g, de valor la pendiente de la curva
caracterstica en el punto de polarizacin (resistencia de valor 1/g).
di D Io eVD / VT I
g= | v =VD = D
dv D D VT VT
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donde ID y VD son la corriente y tensin en el punto de polarizacin del diodo (valor de corriente y
tensin del diodo si la fuente alterna de pequea seal se anula). La aproximacin que se hace en la
ecuacin anterior es vlida si el diodo est fuertemente polarizado en directa ( eVD / VT >> 1 ). La
corriente gv representa la corriente fluctuante que atraviesa el dispositivo, cuya conductividad es g,
debido a los cambios de tensin en torno al punto de polarizacin.
3.2.1 Modelo en
El resto de componentes del circuito corresponden con lo que fsicamente ocurre en las
dos uniones y en la regin activa de la base. Entre los nodos B'-E y B'-C' nos encontramos las
uniones de emisor y colector, respectivamente. Por tanto, las ramas elctricas equivalentes se
corresponden con los modelos de pequea seal de un diodo, es decir, un condensador y una
resistencia en paralelo. En la regin activa de funcionamiento, la unin de emisor est polarizada en
directa y la unin de colector en inversa. Por tanto, rb'e es mucho menor que rb'c'. Un valor tpico
para la primera es 1K y para la segunda decenas de M. Sin embargo, Cb'e ser mucho ms
grande que Cb'c' ya que el exceso de portadores de la base se carga y descarga en mayor medida a
travs de la unin del emisor17.
17
En la unin de emisor, polarizada en directa, tiene gran peso la capacidad de difusin. Mientras, en la unin de
colector, polarizada en inversa, la capacidad de difusin es mucho menor.
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Al variar la tensin vb'e, vara la corriente a travs de la unin de emisor, que por efecto
transistor llega hasta el colector. Por ello es necesario una fuente de corriente entre el colector
(nodo C') y el emisor que dependa de la tensin Vb'e. El parmetro gm, que tiene dimensiones de
1 , se llama transconductancia y es el parmetro ms importante cuando se utiliza el transistor
como amplificador. Por ltimo, como se observa en la caracterstica de salida en emisor comn
(Figura 22.(a)), por efecto Early, en regin activa, al variar la tensin VCE aumenta levemente la
corriente de colector. Este efecto se puede modelar mediante una resistencia rc'e entre colector y
emisor. Un valor tpico de esta resistencia es 100K.
Las resistencias rbb' y rc'c' son muy pequeas y pueden considerarse como cortocircuitos.
Consideraremos que las tensiones variarn con una frecuencia suficientemente baja para
que los condensadores se comporten como circuitos abiertos. Este hecho no tendr ninguna
influencia en el resultado final que obtengamos.
cuando ste esta cortocircuitado con el emisor. Teniendo en cuenta que las variables de pequea
seal son pequeos incrementos entorno el punto de polarizacin, el cociente anterior se puede
expresar mediante
iC di
gm = = C vCE es cons tan te
v BE dv BE
IC
gm =
VT
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En este apartado y en lo sucesivo se ha asumido el siguiente convenio: las variables de pequea seal se denotan por
la letra y el subndice minscula (Ej: ic, vbe, ... ), las variables globales o de gran seal con la letra en minscula y los
subndices en mayscula (Ej: vCE, iE, ... ) y los puntos de polarizacin con todo en mayscula (Ej: IC, IB, ... )
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v BE = v BE (i B , vCE )
iC = iC (i B , vCE )
v BE v
v BE v BE ( I B , VCE ) + (i B I B ) + BE (v CE VCE )
i B vCE
i i
iC iC (i B , vCE ) + C (i B I B ) + C (v CE VCE )
i B vCE
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v BE v VT v BE v VT
hie = |Q be |vce =0 hre = |Q be |ib =0
i B ib IC vCE vce VA
iC ic iC i IC
h fe = |Q |vce =0 hoe = |Q c |ib =0
i B ib vCE vce VA
En las definiciones de los parmetros h dadas en la Ecuacin 42 , la letra Q indica que las
derivadas parciales se evalan en el punto de polarizacin, es decir, iB=IB y vCE=VCE. Ntese
adems que las derivadas pueden aproximarse por el cociente de las variables de pequea seal y
que las condicin de considerar constante la variable de gran seal (implcita en la definicin de
derivada parcial) es equivalente a anular la correspondiente variable de pequea seal (Ej.: vCE es
constante equivale a que vce=0). El conjunto de ecuaciones dado por la Ecuacin 41 es equivalente
al circuito de la Figura 30. Valores tpicos son: hie=1K, hre=10-4, hfe=100 y h-1oe=80K.
Los parmetros de pequea seal dependen fuertemente del punto de polarizacin del
dispositivo. Expresiones aproximadas son:
IC VT
gm rb 'e '
VT IC
VA VA
rb 'c ' rc 'e '
IC IC
A modo de ejemplo obtengamos los parmetros hie y hfe en funcin de los parmetros del
modelo en . De la Ecuacin 42 se observa que hie=vbe/ib cuando vce=0. Si cortocircuitamos la
salida del modelo en y consideramos que rb'c es un circuito abierto, el circuito restante queda
como en la Figura 31. Por tanto, hie=(vbe / ib)=r b'b+r b'e. Aplicando la definicin de hfe obtenemos:
hfe =ic/ib}=gmvb'e /ib= gmibr b'e/ib=gmr b'e
Vcc
R1 Rc C
C
Q1
Vo RL
Vi R2
Amplificador
Figura 32
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-5 V -10 V
Rb Rc C
C
Q1
Vo RL
Vi
Figura 33
Vcc
Rc2 C
Vs(mV)
Rb1 Rc1
Q2 1
C
Rs
1 2 3 4
Q1
Vo (t)
-1
Vs Vi Rb2
-2
Figura 34
4) Suponiendo que los condensadores del amplificador de la Figura 35 se han diseado para que se
comporten como cortocircuitos a las frecuencias de trabajo, hallar:
a. El valor de la resistencia Rb2, sabiendo que la tensin de colector de polarizacin es
VC = 5 V.
b. Dibujar el modelo de pequea seal del amplificador.
v
c. Obtener los parmetros AvO = o , Ri, Ro.
vi CA
d. Modificar el circuito para conseguir duplicar la ganancia sin variar el punto de
polarizacin del transistor.
e. Modificar el circuito para conseguir elevar la tensin de polarizacin VO sin variar
la ganancia del amplificador.
Datos: VBEact = VBEsat = 0.7 V, VCEsat = 0.2 V, = 100, hie = 1K, Rb1 = 10 K, RC = 3 K, Re1 =
100, Re2 = 50, Vcc = 10 V
Vcc
Rc
Rb2 C
C
Q1
Re2 Vo
Vi C
Rb1
Re1
Figura 35
Vcc
Rc
9R C
C Ir
Q1
Vo
Vi R Re
C
Figura 36
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Resultados:
1)
a) VBE = 0.7 V, VCE = 5 V, IB = 50 A, IC = 5 mA
b) hfe = 100, hie = 0,5 K, (hoe)-1 = 10 K
-1
Vi R1//2 hie hfeib hoe RC vo RL
c)
d) vo
Av = = 95,3
vi
vo
e) AvO = = 182 , Ri =0,483 K, Ro =0,91 K
vi CA
f) vo
Av = = 95,3
vi
10
9
vCE(t) vCE(t)
5 5
4
vO(t) vO(t)
-4
Apd. f -5 Apd. g
g)
2)
a) VEB = 0.7 V, VEC = 5.7 V, IB = 43 A, IC = 4.3 mA
b) hfe = 100, hie = 0,58 K
Vi Rb hie hfeib RC vo RL
c)
vo
d) Av = = 86.2
vi
3)
a) RC1 = 63 K
b) RC1 = 104 K
ib1 C1=B2 ib2 C2
B1
E1 E1=E2 E2
c)
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vo
d) AvO = = 10000 , Ri =1 K, Ro =0,88 K
vi CA
9.36 9.36
vO(t) vO(t)
4.68 4.68
1 2 3 4 (t) 1 2 3 4 (t)
e) Apd. a Apd. b
4)
a) Rb2 = 81 K
ib
hie hfeib
vi R1//2 RC vo
RE1
b)
vo
c) AvO = = 30 , Ri =5 K, Ro =3 K
vi CA
d) Cambiando el condensador de Re2 a Re1.
e) Opciones:
Aumentar Rb2 => ib baja => ic baja => Vo sube
Disminuir Rb1 => ib baja => ic baja => Vo sube
Aumentar Re2 => ic baja => Vo sube
5)
a) VB = 1 V, VE = 0.3 V, VC = 7 V
b) R = 330
ib
c)
vo
d) Av = = 100
vi
e) V = pequea seal + componente continua
Vi = 5 + K sen(t )
VB = 1 + K sen(t )
VE = 0.3 + 0
VC = 7 100K sen(t )