UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CENTRO DEL PER

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

TRANSISTOR IGBT
 NDICE

pgina
NDICE 1
OBJETIVOS 2
INTRODUCCIN 3
1. DEFINICIN
4
2. SMBOLO 4
3. CONDICIONES DE TRABAJO
4
4. ESTRUCTURA INTERNA DE UN IGBT
5
5. CIRCUITO EQUIVALENTE
6
6. CURVA CARACTERISTICA DEL IGBT
7
7. FUNCIONAMIENTO 8
8. LATCH UP 8
9. ESPECIFICACIONES
9
10. ESTADO DE CONDUCCIN
13
11. CARACTERISTICAS DE APAGADO
15
12. PRDIDAS POR CONMUTACIN
16
13. APLICACIONES DE LOS IGBT
18
CONCLUSIONES 21
BIBLIOGRAFA
22

1
 OBJETIVOS

1. Comprende el funcionamiento de los transistores IGBT de potencia.

2. Conocer las: caractersticas estticas, caractersticas dinmicas, evaluacin

de las prdidas, aplicaciones generales

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 INTRODUCCIN

Los Transistores bipolares de Compuerta Aislada, conocidos por la sigla

IGBT de su nombre en ingls Insulated Gate Bipolar Transistor, por ser dispositivos
basados en dos tipos de portadores ofrecen superiores caractersticas de
conduccin, manteniendo una performance equivalente a los MOSFETs en cuanto
a simplicidad de uso y soporte de picos de corriente. Su velocidad de conmutacin,
si bien es tericamente inferior a la de los MOSFETs, mediante nuevas tecnologas
de fabricacin puede llevarse a valores comparables.
Adicionalmente, los IGBT son potencialmente ms econmicos por presentar
una densidad de integracin superior a implementaciones equivalentes con
MOSFETs. A igualdad de potencia, los IGBT requieren solo un 40 % del rea
necesaria para la fabricacin de una estructura MOSFET.
El transistor bipolar de puerta aislada IGBT, es un dispositivo semiconductor
que generalmente se aplica como inter-ruptor controlado en circuitos de electrnica
de potencia. Este dispositivo posee las caractersticas de las seales de puerta de
los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de
saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada
de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito
de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de
conduccin son como las del BJT.
Los transistores IGBT han permitido desarrollar, en particular los variadores
de frecuencia, as como en las aplicaciones en mquinas elctricas y convertidores
de potencia que nos acompaan cada da y por todas partes, sin que seamos
particularmente conscientes de eso como es el caso de un automvil, tren, metro,
autobs, avin, barco, ascensor, electrodomstico, televisin, domtica, etc.

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 EL TRANSISTOR IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
1. DEFINICIN:
Combina las ventajas de los BJT y los MOSFET. Este dispositivo posee la
caracterstica de las seales de puerta de los transistores de efecto campo con la
capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacin del transistor bipolar

Son dispositivos controlados por voltaje, tienen una resistencia de conduccin

muy baja y una elevada velocidad de conmutacin y tensin de ruptura.

Posee una alta impedancia de entrada, igual que los MOSFET, y bajas prdidas
de conduccin en estado activo como los BJT.
2. SMBOLO:
Es un componente de tres terminales que se denominan GATE (G) o puerta,
COLECTOR (C) y EMISOR (E) y su smbolo corresponde a la siguiente gura:

a) Smbolo del IGBT como BJT

b) Smbolo del IGBT como MOSFET

3. CONDICIONES DE TRABAJO:
Generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de
electrnica de potencia.
Bajo ciclo de trabajo
Baja frecuencia (< 20 Khz)
Aplicaciones de alta tensin (>1000V)
Alta potencia (>5 kW)

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4. ESTRUCTURA INTERNA DE UN IGBT:
En la siguiente imagen se muestra la estructura interna de un transistor
MOSFET:

La estructura interna de un IGBT es similar a la del MOSFET, se diferencia

en que al IGBT se aade un sustrato P bajo el sustrato N.

Estructura interna donde se observa la circulacin de la corriente en estado de

conduccin

5
 A excepcin de la capa P+, el IGBT casi idntico al MOSFET. La capa N+ es
el emisor en la parte superior y la capa P+ es el colector en la parte inferior. El IGBT
tiene un transistor parasito que est comprendido de cuatro capas NPNP en su
estructura.
Algunos IGBTs son fabricados sin la capa N+ llamados non-punch (NPT)
IGBTs, mientras que los fabricados con dicha capa son llamados punch-through
(PT) IGBTs. La presencia de esta capa puede mejorar significativamente el
rendimiento del dispositivo si el nivel de dopaje y el espesor de la capa son elegidos
apropiadamente.
A pesar de las similitudes fsicas, la operacin de un IGBT es ms cercana a
la del BJT que a la del MOSFET. Esto debido a que la capa de drenaje P+ es la
responsable inyectar los portadores necesarios a la regin N- y la modulacin de la
conductividad resultante.

5. CIRCUITO EQUIVALENTE:
Su comportamiento es ms cercano al de un BJT que al de un MOSFET,
debido a que tal substrato se encarga de colocar los portadores minoritarios en la
regin n. Un IGBT est fabricado con cuatro capas alternadas PNPN y se puede
enganchar como un tiristor.
EL IGBT se controla por voltaje como un MOSFET. Posee menores prdidas
de conmutacin y conduccin. Por su parte, comparte varias caractersticas de los
MOSFET: facilidad de excitacin de compuerta, corriente pico, capacidad y
resistencia. Un IGBT es ms rpido que un BJT, pero su velocidad de conmutacin
es menor a la presentada en los MOSFET.

Estructura interna donde se

observa la resistencia de
arrastre y la de dispersin de
sustrato.

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 La estructura microelectrnica que se describe en la figura anterior, es
bastante compleja es por ello que se describe en base a su esquema equivalente.

6. CURVA CARACTERSTICA DEL IGBT:

Curva Caracterstica esttica de un transistor IGBT de canal N

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7. FUNCIONAMIENTO:

Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa

que no existe ningn voltaje aplicado al gate. Cuando la tensin en el GATE
es inferior a la tensin de umbral, la configuracin del MOSFET permanece
apagada; del mismo modo la salida del transistor PNP permanecer apagada.
Si un voltaje VGS es aplicado al gate, el IGBT enciende inmediatamente, la
corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va desde el valor de bloqueo
hasta cero EL IGBT requiere un valor lmite VGS(TH) para el estado de cambio
de encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de
este valor el voltaje VDS cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje
de estado de encendido se mantiene bajo, el gate debe tener un voltaje arriba
de 15 V, y la corriente iD se autolimita.
EL IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la
terminal gate. La transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo
puede tomar apenas 2 micro segundos, por lo que la frecuencia de
conmutacin puede estar en el rango de los 50 kHz. [4]
A partir del circuito equivalente, la cada de voltaje a travs del IGBT es la
suma de dos componentes: una cada en el diodo a travs de la unin PN y
la cada de tensin en el MOSFET. La cada de tensin a travs del MOSFET
es sensible a la tensin de control en el GATE. Para las corrientes que estn
cerca de su valor nominal, un incremento del voltaje en el GATE causa una
reduccin de voltaje del colector al emisor y un aumento significativo en la
capacidad de pico de corriente. Esto se debe a que, dentro de su rango de
operacin, la ganancia del PNP incrementa con la corriente y un incremento
en el voltaje en el GATE provoca un aumento en la corriente del canal, por
tanto, una reduccin en la cada de voltaje a travs del PNP.
La influencia de voltaje en el GATE sobre la cada de voltaje y la capacidad
del pico de la corriente, depende en gran medida de las especificaciones de
diseo del dispositivo.

8. LATCH UP

Los huecos son inducidos a la regin N- desde el colector P+. Gran parte de
estos desaparecen por la recombinacin de electrones que vienen del canal del
MOSFET. Los dems huecos son atrados por la carga negativa de los electrones
hacia la regin de la capa de inversin, pasando lateralmente por la capa P y
desarrollando una cada de tensin en la resistencia hmica del cuerpo. Este voltaje

8
tiende a polarizar la unin N+P y si es lo suficientemente grande, ocurrir una
inyeccin de electrones desde el emisor dentro del cuerpo de la regin y el transistor
NPN se prendera. Si esto ocurre, tanto los transistores NPN como el PNP se
encendern y por tanto el tiristor compuesto por estos transistores se adherirn y
se producir la condicin latch up. Si esta condicin no termina rpidamente, el
IGBT se destruir por la excesiva disipacin de potencia

El transistor superior PNP est formado por una capa de inyeccin P+ como el
emisor, la capa de drenaje de tipo n como la base y la capa p como el colector.

Si la corriente de salida es lo suficientemente grande, la cada de tensin a

travs de la resistencia puede polarizar el transistor NPN e iniciar el proceso latch
up en la estructura del tiristor PNPN. Cuando el latch up del GATE del IGBT se
pierda, el dispositivo se destruye debido a la perdida de potencia. Un esfuerzo en el
desarrollo de los IGBT ha sido la prevencin del latch up del tiristor parasitario
mediante un cebado.

9. ESPECIFICACIONES (FP):

9.1. Mximos absolutos (FP)

Indican valores mximos que no deben ser superados bajo ninguna

circunstancia en la operacin del dispositivo.
IC: Corriente Continua de Colector. Mxima corriente continua de colector
especificada a una temperatura de cpsula determinada, que asegura no
superar la mxima temperatura de operacin de la juntura.

ICM: Corriente Pulsante de Colector. Mximo valor instantneo soportado por la

corriente de colector, dentro de las especificaciones de operacin pulsante.

VCE: Tensin Colector Emisor. Mxima tensin que puede soportar el dispositivo
en sentido directo en condicin de corte.

VGE: Tensin Compuerta Emisor. Mxima tensin de compuerta. Dado que la

tensin de ruptura del dielctrico es del orden de los 80 V, el valor especificado
en los manuales es generalmente 20 V para limitar la corriente en condiciones
de falla y asegurar la confiabilidad en el tiempo del dispositivo.

ILM: Corriente de Cargas Inductivas. Valor de corriente que puede ser

conmutado en forma repetitiva cuando la carga se encuentra constituida por una
inductancia en paralelo con un diodo de conmutacin libre. Este valor garantiza
una zona SOAR de operacin pulsante rectangular, donde el dispositivo soporta

9
 simultneamente alta tensin y alta corriente. La ILM se especifica a 150C y
80% de la tensin mxima.
PD: Mxima Disipacin de Potencia. Mxima disipacin en el dispositivo para no
exceder la mxima temperatura de juntura.

Tj: Mxima Temperatura de Juntura. Mxima temperatura de operacin del

dispositivo. Generalmente se comercializan para su operacin en el rango de
55C a +150C.
9.2. Caractersticas Elctricas (FP)

BVCES: Tensin de Ruptura Colector Emisor. Mnimo valor de ruptura

garantizado. Presenta un coeficiente positivo de temperatura del orden de los
0,63V/C.
BVECS: Tensin de Ruptura Emisor Colector. Mxima tensin emisor colector
soportada por el dispositivo. Los IGBT se encuentran normalmente sometidos
a este tipo de tensiones al cortarse, debido a la existencia de inductancias
parsitas en el circuito del diodo en paralelo.

Al cortarse uno de los IGBT, la corriente de carga se transfiere al diodo en

paralelo con el IGBT complementario. La di/dt de apagado en la inductancia

parsita en serie con el diodo genera el pico de tensin inversa sobre el

dispositivo. Este valor es generalmente de 10V pero puede verse incrementado
frente a elevadas di/dt o layouts incorrectos.
VCE(on): Tensin Colector Emisor de Saturacin. Informacin presentada en
forma de distintas grficas de esta tensin en funcin de la corriente de colector
y para dfistintas temperaturas de operacin. Su conocimientoe es indispensable
para el clculo de las prdidas de conduccin.

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VGE(th): Tensin de umbral. Valor de la tensin de gate a la cual comienza a
circular corriente de colector. Presenta un coeficiente negativo con la
temperatura del orden de los 11mV/C.

ICES: Corriente de colector con tensin de gate nula. Parmetro que establece
el valor superior de la corriente de prdida para una temperatura y tensin
colector emisor.
9.3 Caractersticas de Conmutacin (FP):

Qg: Caracterstica de carga de gate. Esta informacin es til para mensurar los
requerimientos del circuito excitador y estimar sus prdidas. Por ser el IGBT un
dispositivo de portadores mayoritarios y minoritarios, esta informacin no puede
ser utilizada para el clculo de los tiempos de conmutacin como se la utiliza en
los MOSFETs.

td(on), tr, td(off) y tf: Tiempos de conmutacin. Los tiempos de conmutacin y el

circuito de ensayo se indican en la figura. Sus definiciones son las siguientes:

td(on): tiempo de retardo de encendido, medido entre el 10% de la tensin de

gate y el 10% de la corriente de colector.

tr: tiempo de crecimiento, medido entre el 10% y el 90% de la corriente de

colector td(off): tiempo de retardo de apagado, medido entre el 90% de la
tensin de gate y el 90% de la corriente de colector.

11
tf: tiempo de cada, medido entre el 90% y el 10% de la corriente de colector.

Eon, Eoff, Ets: Energa de conmutacin. Prdidas producidas en el IGBT al

conmutar de acuerdo a las siguientes definiciones y segn se indica en la figura
anterior:

Eon: Energa disipada a partir que la corriente de colector alcanza el 5% hasta

que la tensin decrece al 5%.

Eoff: Energa disipada en el perodo que comienza al alcanzarse el 5% de la

tensin de colector y durante un lapso de 5 useg.
Ets: Suma de las energas de encendido y de apagado.

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 LE: Inductancia Interna de Emisor. Inductancia del encapsulado que afecta el
tiempo de encendido en forma proporcional a la di/dt de la corriente de colector.
Valores de di/dt de 1000A/useg producen cadas en esta inductancia superiores
a los 7V.
Ciee, Coee y Cree: Capacidades interelectodos. La capacidad de salida Coee
presenta la tpica dependencia de la tensin inversa de las junturas pn. La
capacidad inversa Cree es tambin fuertemente proporcional en forma inversa
a la tensin, pero segn una ley mas compleja que en el caso anterior. La
capacidad de entrada Ciee, suma de las dos capacidades restantes, presenta un
menor grado de dependencia de la tensin dado que la componente debida a
la capacidad compuerta-emisor es la mas importante y es independiente de la
tensin.

Tiempo de corto circuito. Define el tiempo durante el cual el IGBT puede ser
cortocircuitado en condiciones especificadas sin destruirse.

10. ESTADO DE CONDUCCIN:

Las superiores caractersticas de conduccin presentadas por los IGBT son

su principal ventaja frente a los MOSFET. Como se desprende del circuito
equivalente de un IGBT, su cada directa se encuentra constituida por la suma
de dos trminos: la cada directa de una juntura pn y la producida sobre el
MOSFET de excitacin. En consecuencia, al contrario de un MOSFET, un IGBT
nunca presenta una cada directa inferior a la de una juntura directamente
polarizada, independientemente de la corriente que conduzca. En cuanto a los
dos trminos que constituyen la tensin de conduccin, la cada sobre el
MOSFET de excitacin, comparte la caracterstica comn a todo MOSFET de
baja tensin dada por su dependencia de la tensin de excitacin de gate. Esta
situacin se ve reflejada en la figura, donde para valores de corriente prximos
a la nominal, un incremento en la polarizacin de gate reduce la cada colector
emisor del IGBT. Este efecto no se encuentra presente en los MOSFETs de
potencia de alta tensin, donde la caida directa es independiente de la tensin
de gate.

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 Con respecto al transistor pnp, la etapa de salida del IGBT es del tipo pseudo-
Darlington. En consecuencia este transistor nunca se encuentra completamente
saturado y su cada directa es superior a la correspondiente a un dispositivo que se
encuentre fuertemente saturado. Sin embargo el fuerte impacto de la conduccin
por dos tipos de portadores en la cada directa en el estado de conduccin puede
apreciarse en la figura, donde se comparan las caractersticas de conduccin de un
IGBT y un MOSFET de del mismo tamao de pastilla.

Esta figura refleja la primera y radical diferencia entre ambos dispositivos.

Mientras un MOSFET como el de la figura, conduciendo una corriente del orden

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de los 10A, puede presentar una cada directa de 10 a 25V segn su
temperatura de operacin, el IGBT equivalente presenta una cada inferior a los
2V.

En segundo lugar, la significativa dependencia de la temperatura presente en

los MOSFETs es mnima en los IGBT. La suficiente para permitir el reparto
equitativo de corriente en dispositivos operando en paralelo a valores elevados
de corriente y en condiciones estticas. Puede observarse que la influencia de
la temperatura en la tensin directa difiere segn el valor de la corriente. Este
efecto es debido a que la parte de la cada debida a la juntura pn presenta un
coeficiente negativo a bajas corrientes y positivo a valores elevados mientras
que el coeficiente de variacin de tensin correspondiente al trmino debido al
MOSFET es siempre positivo.

Finalmente, adems de reducirse la cada directa y su coeficiente de

variacin con la temperatura, en el IGBT prcticamente tambin se elimina la
dependencia de la tensin de operacin del dispositivo como se indica en la
tabla siguiente. El incremento de la tensin de ruptura soportada por los distintos
IGBT de una familia de dispositivos no se refleja en un incremento significativo
de su cada directa. Por el contrario en los MOSFETs se ve reflejado el aumento
de la Ron cada vez que el dispositivo debe ser fabricado para soportar mayores
tensiones de ruptura.

11. CARACTERSTICAS DE APAGADO

La mayor limitacin en la conmutacin de un IGBT se produce en su apagado

y radica en el tiempo de vida de los portadores en la zona n que constituye la
base del transistor pnp.

Como esta base no se encuentra accesible, es imposible la utilizacin de un

circuito de excitacin para mejorar la conmutacin. Como paliativo de este
inconveniente debe recordarse que como el transistor pnp se encuentra
operando en modo pseudo-Darlington, no hay tiempo de almacenamiento y el
toff resultante es mucho menor que el de un dispoistivo equivalente operando
en saturacin. Sin embargo, la velocidad de operacin de un IGBT es
insuficiente para aplicaciones de conmutacin en alta frecuencia.
15
 Como consecuencia adicional, las cargas almacenadas en la base son las
causantes de la caracterstica cola o tail en la forma de onda de apagado de
la corriente de colector de un IGBT. Cuando el canal del MOSFET deja de
conducir, se interrumpe la corriente de electrones y la corriente del IGBT

decrece rpidamente al nivel de la corriente por recombinacin de huecos al

comienzo de la cola como se indica en la figura. Esta cola incrementa las
prdidas de apagado y hace necesario incrementar el tiempo muerto entre los
perodos de conduccin de dos dispositivos en configuracin de medio puente.

12. PRDIDAS POR CONMUTACIN:

Los tiempos de conmutacin definidos provn informacin til para

establecer los tiempos muertos apropiados entre el encendido y subsecuente
apagado del elemento complementario en una configuracin semipuente, as
como los mximos y mnimos anchos de los pulsos de control. Sin embargo no
puden ser utilizados en el clculo de las prdidas de conmutacin,
fundamentalmente por el fenmeno de cola en la corriente de apagado, por la
que una parte significativa de la energa total sea disipada cuando la corriente
se encuentra por debajo del 10% de su valor mximo. Adems la forma como
la tensin de cada se modifica no se encuentra caracterizada dentro del
parmetro de toff.

Para compensar la falta de los datos requeridos para el apropiado clculo de

las prdidas, los fabricantes provn informacin como las de la figura. Mediante

16
 estas grficas, las prdidas totales de conmutacin, Ets, pueden ser calculadas
sin depender de las formas de onda de corriente y tensin de conmutacin.

13. APLICACIONES DE LOS IGBT:

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 Los IGBT acumulan la mayor parte del mercado de componentes de potencia
para aplicaciones de media y alta tensin, no slo por su capacidad de potencia
sino tambin porque son tan rpidos que la frecuencia de los impulsos que generan
son imperceptibles por el odo humano.

Otro ejemplo curioso de aplicacin de esta tecnologa es su utilizacin para

activar o desactivar los pxeles en las pantallas tctiles de nueva generacin,
sistemas de iluminacin de edificios o centrales de conmutacin telefnica.

Estos dispositivos semiconductores de potencia se utilizan en convertidores

CC/CA, en maquinaria, robots industriales, compresores de equipos de aire
acondicionado, equipos de fabricacin de semiconductores, unidades de control de
motores en automviles y vehculos elctricos hbridos, equipos de soldadura.

13.1 Aplicaciones de IGBT en control por modos deslizantes:

El control en modo deslizante (VSC) aplicado a sistemas de estructura

variable (VSS) fue introducido en los aos 50 en la antigua Unin Sovitica por
Emelyanov y otros colaboradores. Segn la definicin de Sira-Ramrez [Sira-
Ramirez, 1988] una superficie en el espacio de estado de un sistema dinmico
representa una relacin entre las variables de estado que describen el
comportamiento del sistema. Si ste es forzado a evolucionar sobre esta superficie,
las relaciones estticas de la dinmica resultante quedan determinadas por los
parmetros y ecuaciones que definen la superficie.

La teora de sistemas de Control por Modo Deslizante (CMD) representa una

parte fundamental de la teora de sistemas no lineales. Esta teora consiste en el
empleo de acciones de control conmutadas o discontinuas sobre una o varias
superficies de conmutacin. Uno de los principales inconvenientes asociados a la
tcnica de CMD es la intensa actividad que debe ejercer la seal de control, lo que
resulta en la presencia de oscilaciones de alta frecuencia.
Caso particular: Seales de referencia peridicas con valor medio nulo

En el caso de poseer una seal de referencia con valor medio nulo, la tensin
de salida deber adquirir polaridad positiva y negativa en rgimen deslizante. En el
apartado anterior se mostr que cuando nicamente se utiliza un interruptor
bidireccional en corriente existen inconvenientes, determinados por las
inecuaciones que ofrecen la existencia de rgimen deslizante, para garantizar el
deslizamiento cuando la tensin adquiere polaridad opuesta a la tensin de entrada.

18
 Recurdese, por otra parte, que en el convertidor Boost el dominio de existencia
de rgimen deslizante impona v>E, por lo que al invertir la polaridad de la tensin
de entrada se conseguirn dos zonas de existencia de rgimen deslizante sin
interseccin entre ellas, lo que implica que no podr lograrse seguimiento de seal
con valor medio nulo mediante control en modo de deslizamiento en este
convertidor.

Una solucin, ampliamente utilizada, que permite abordar esta problemtica

consiste en variar la polaridad de la fuente de entrada adecuadamente mediante la
utilizacin de un puente completo de interruptores. La figura 2.4 muestra un
esquema circuital de un puente completo implementado con interruptores IGBT,
mientras que la ley de conmutacin, denominada de dos estados, viene dada segn
la tabla 2.9. Para ello, se define la variable s que indicar la polaridad de dicha
fuente, de este modo cuando e=l la fuente de entrada tiene polaridad positiva y
cuando e= -l la fuente de entrada adquiere polaridad negativa.

13.2 Aplicacin del IGBT en PWM:

La Modulacin por Ancho de Pulso (PWM) es un sistema de control para los

inversores con el cual se obtiene una onda de salida de notables caractersticas y
elevada prestacin, con reducido contenido armnico y segn sea la aplicacin se
puede optar por una salida de parmetros fijos o variables:
Variacin de la tensin de salida.
Variacin de la frecuencia.
Variacin a relacin constante Tensin Frecuencia.

19
 El circuito de potencia es el puente, en este caso monofsico, normalmente
implementado con transistores MOS o IGBT, debido a que en general trabaja con
una frecuencia de conmutacin del orden de los 15 KHz. Segn la aplicacin, en
PWM se lo utiliza entre 1KHz y 40 KHz y de hecho los elementos operan en
conmutacin.

Las altas frecuencias de conmutacin son deseables para motores de

corriente alterna, ya que permiten la operacin del equipo con una corriente en el
estator prcticamente senoidoal y un rpido control de corriente para un alto
rendimiento dinmico. Adems el ruido puede ser reducido a una frecuencia del
orden de los 20Khz.

Recientemente los BJT y los MOSFETs han sido cmodamente usados para
esto, pero como una tercera posible alternativa los IGBT han emergido
recientemente. IBGT ofrece baja resistencia y requiere poca energa para la
activacin.

20
 CONCLUSIONES

1. El Transistor IGBT implementa caractersticas de los BJT y de los MOSFET,

que generalmente se usan para sistemas de potencia con capacidad de
conmutacin o switcheo de 20Khz. Es posible aplicar grandes voltajes de
ms de 1000V. Por lo que puede reemplazar a los BJT y a los Mosfet en
algunas aplicaciones por mayor frecuencia de conmutacin, para soportar
mayor voltaje.

2. Los fabricantes especifican informacin y parmetros como los valores

mximos absolutos de corriente, tensin, potencia disipada y temperatura
que no deben ser excedidas para garantizar el buen funcionamiento del
transistor. Asimismo, nos brindan parmetros como los tiempos de
conmutacin, de retardo de encendido, de crecimiento, de cada y la energa
requerida en estas; tambin el valor de las inductancias y capacitancias
dentro del transistor.

3. Actualmente el uso de los transistores IGBT es muy extenso como por

ejemplo en: pantallas tctiles, sistemas de iluminacin, conmutacin
telefnica, convertidores CC/CA, control de motores de automviles, equipos
de soldadura, etc.

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 BIBLIOGRAFA

1. Nachez Antonio, (2004), Dispositivos de Potencia, Caractersticas de

Conmutacin de Diodos Semiconductores, Transistores de Potencia,
MOSFET e IGBT, Argentina: Universidad Nacional de Rosario.

2. Domingo Biel Sol, (1999), Control en modo deslizante aplicado a la

generacin de seal en convertidores conmutados DC/DC, Espaa:
Universidad Politcnica de Catalua.

3. Colaboradores de Wikipedia, (2017), Transistor IGBT, Wikipedia, La

enciclopedia libre. https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_IGBT.

4. Uriguen Peralta Cristian Fernando, Caractersticas de los IGBTs y

dispositivos de activacin.

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