UNIVERSIDAD TCNICA DEL NORTE

FACULTAD DE INGENIERIA EN CIENCIAS APLICADAS

CARRERA DE INGENIERA EN SISTEMAS
COMPUTACIONALES

NOMBRE: Yesenia Coyago FECHA: 22/10/2017

CURSO: Tercero CISIC TEMA: Teora de bandas de energa

TAREA DE ELECTRNICA

1. En breve palabras explica a qu se refiere la teora de bandas de energa

para enlace qumicos en solidos metlicos.

La teora de bandas permite explicar la conduccin de electricidad en los

metales. En estos materiales las bandas de valencia (la ltima completamente
ocupada por electrones a baja temperatura) y de conduccin (la primera
completamente vaca a baja temperatura) se cruzan, permitiendo que los
electrones en estados de valencia se muevan como si fueran libres saltando a
estados de conduccin.

2. Explica los conceptos de banda de conduccin y banda de valencia, segn

la teora de bandas de energa.

La banda de valencia se encuentra ocupado por electrones en el cero absoluto.

En los elementos que son considerados como semiconductores y aislantes se
tiene una banda prohibida por encima de la banda de valencia.

La banda de conduccin est por encima de la banda de valencia, permite a los

electrones sufrir aceleraciones por la presencia de un campo elctrico externo y,
por tanto, permite la presencia de corrientes elctricas.

3. A qu se llama la banda prohibida en la teora de bandas?

La banda prohibida es la diferencia de energa entre la parte superior de la banda

de valencia y la parte inferior de la banda de conduccin. Est presente en
aislantes y semiconductores.

4. Explica el concepto de la unidad electrn-volt.

Es la energa cintica adquirida por un solo electrn cuando se mueve a travs

de un potencial elctrico de 1 V
5. Calcula la equivalencia en unidades de electrn-volt para una energa de
185.6 joules.

186 joule = 1.160920183535 x 10+21 electrn-voltio

6. Qu valores en eV puede tener la banda prohibida en un material

dielctrico?

La banda prohibida tiene un ancho de aproximadamente, 10 eV

7. Cuantos electrones tiene la capa de valencia de un semiconductor?

Todos los semiconductores tienen alrededor de 4 electrones de valencia.

8. Describe los conceptos de material extrnseco y material intrnseco en

semiconductores.

El ms utilizado es el Silicio, seguido del germanio y, menos, el azufre. Los

cristales puros de estos elementos se consideran semiconductores intrnsecos y
en ellos se genera una corriente elctrica doble cundo se someten a un
diferencial elctrico.

Los semiconductores extrnsecos se obtienen mediante un proceso conocido

como dopaje y que consiste en la introduccin de impurezas (dopantes) de forma
controlada en semiconductores intrnsecos. En funcin del dopante utilizado se
puede obtener semiconductores tipo P (positivos) o semiconductores tipo N
(negativos)

9. Explica los conceptos de material semiconductor tipo p y material tipo n.

Semiconductor tipo P: se emplean elementos trivalentes (3 electrones de

valencia) como el Boro (B), Indio (In) o Galio (Ga) como dopantes. Puesto que
no aportan los 4 electrones necesarios para establecer los 4 enlaces covalentes,
en la red cristalina stos tomos presentarn un defecto de electrones (para
formar los 4 enlaces covalentes). De esa manera se originan huecos que aceptan
el paso de electrones que no pertenecen a la red cristalina. As, al material tipo
P tambin se le denomina donador de huecos (o aceptador de electrones).

Semiconductor tipo N: Se emplean como impurezas elementos pentavalentes

(con 5 electrones de valencia) como el Fsforo (P), el Arsnico (As) o el
Antimonio (Sb). El donante aporta electrones en exceso, los cuales al no
encontrarse enlazados, se movern fcilmente por la red cristalina aumentando
su conductividad. De ese modo, el material tipo N se denomina tambin donador
de electrones.
10. Investigue en qu consiste el fenmeno de recombinacin.

El proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer
desde el estado energtico correspondiente en la banda de conduccin a un
hueco en la banda de valencia, liberando as energa. Este fenmeno se conoce
como "recombinacin". A una determinada temperatura, las velocidades de
creacin de pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que la
concentracin global de electrones y huecos permanece constante