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PROBLEMAS DE ELECTRNICA
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Ejercicio 5
Expresar en funcin de v1 para los casos v1 > O y v1 < O para los siguientes circuitos.
Suponga que el diodo es ideal y que l?i = JS . Representar la forma de onda de la salida
v 0 para una seal de entrada vi = 100 sen wt de baja frecuencia en ambos casos.
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Ejercicio 1
En el circuito de la figura 1.1 los diodos de GaAs DI, D2 y D3 son iguales y sus caractersticas 1-V pueden
aproximarse por e l modelo lineal por tramos de la figura 1.2. El conmutador puede estar en una de las dos
posiciones sealadas como A y B. Determine:
a) La corriente ID que atraviesa los diodos con el conmutador en la posicin A {0,8 p.)
b) La corriente ID que atraviesa los diodos con el conmutador en B si Rp =O {0,8 p.)
c) La corriente ID que atraviesa los diodos con el conmutador en B si Rp = 1O Q (0,4 p.)
Suponga siempre estado estacionario.
DATOS: Vcc = 10 V; Ip = 5 mA; R = 3 kQ; R2 = 2 kQ; VrCF 1 V.
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Figura 1.1
Figura 1.2
NOTA: Por un generador de corriente en circuito abierto no circula corriente.
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FEBRERO 1999
Ejercicio 1
Juponiendo que la caracterstica 1-V de los diodos Zener Z 1 y Z 2 es la representada en la figura 1.1 y que la
caracterstica 1-V del diodo D 1 es la de la figura 1.2, se pide, para el circuito de la figura 1.3, :
a) Calcular Im y Vo1 (0,5 p.)
b) Sabiendo que el diodo Z 1 est ON, deducir el estado de Z2 (1,0 p.)
e) Calcular In (0,5 p.)
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SEPTIEMBRE 1997
Ejercicio 1
La caracterstica I-V aproximada del diodo Zener del circuito de la figura 1.1 se muestra en la
figura 1.2. En esta figura se indica que existe una cierta corriente Umax) que, en caso de hacerse ms
negativa, provocara la destruccin del Zener. Sabiendo que se pue.de_ modificar la resistencia Rs
(resistencia variable), se pide:
a) Calcular el valor de la resistencia Rs que hace que el Zener se encuentre en el punto l de la curva de la
figura l.2. (0,3 p)
b) Cul es la tensin ms negativa que puede existir en bomas del Zener sin que se destruya? (0,5 p)
e) La resistencia Rs vara hasta que el Zener alcanza el punto 2 de la curva de la figura 1.2. Sin obtener ese
valor de Rs, calcular el valor de h.. (0,4 p)
d) Calcular ahora el valor de Rs que hace posible que el Zener alcance el punto 2 de la figura 1.2. (0,5 p)
e) El valor de Rs calculado en el apartado d), es mximo o mnimo para que el Zener funcione sin peligro
de deterioro? Por qu? (Razone en 2 3 lneas su respuesta) (0,3 p)
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Ejercicio 1. En la figura 1.1 se presenta un circuito recortador utilizado para limitar el valor de la tensin
l salida, v0 . Se aproxima el funcionamiento del diodo con un modelo lineal por tramos con una
resistencia en directa, RrO D., una tensin umbral, Vy=0,5 V, y una tensin de disrupcin, Vz=oo .
a) Calcule y represente la funcin de transferencia vo=f(v1) en este caso. (1 p).
b) Represente la seal a la salida vo(t) si la seal a la entrada, v(t), es la seal triangular de la figura 1.2.
(0,5 p).
e) Si se refina el modelo del diodo considerando el valor de Rr20 O, calcule la nueva expresin de la
funcin de transferencia vo=f(v1) (1 p).
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FEBRERO 2003
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Ejercicio 1. Polarizando en directa un diodo de unin pn en el laboratorio, se han obtenido dos puntos significativos de su
curva IV: A (10 mA, 600 mV), B (20 IDA, 700 mV). Se ha verificado tambin que en inversa V2>20 V y r~oo.
Se pide:
a) Encontrar los parmetros Vr y R(tensin de codo y resistencia en directa) del modelo lineal por tramos que se ajusta a
r~ D,* ~- t
. los dos puntos medidos (0,7 p.)
Con dos diodos iguales que el anterior se construye un circuito !imitador de Vycomo el de la figura l.
R
b) Escribir las ecuaciones de la
,,~5 ..enwt(V) funcin de transferencia v0 =f(v1)
de este circuito y representarlas
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Figura 1
e) Dibujar la forma de la tensin de salida en funcin del tiempo, calculando los valores de amplitud (0,8 p.)
DATOS: vr=SsenM(Volts); k'5{=25xl0-3 V; R=lkD.
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JUNIO 2007
Ejercicio l.
Para el circuito recortador de la figura 1.1, se pide:
a) Calcular y dibujar la funcin de transferencia v0 = f (v1) :
b) Dibujr.l sefial de salida v0 (t) para la seal de entrada v1 (t) de la figura 1.2, suponiendo que los efectos
capacitivos asociados al diodo son despreciables.
c) Modelando el diodo en dinmica como un diodo en esttica en paralelo con un condensador de valor
C = 2 pF, escriba la ecuacin diferencial que rige el comportamiento del circuito inmediatamente despus
de la transicin en t = 1Oms. Tenga en cuenta el estado de conduccin, o no, del diodo en ese tramo.
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Figura L i Figura. l .2
DATOS:
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DIODO EN ESTTJCA: Modelo lineal por tramos con tensin de codo V, =O, ?V.
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SEPTIEMBRE 2002
Ejercicio l. El circuito de la figura 1.1 es un circuito regulador de tensin. Los cinco diodos son idnticos y se
pueden modelar con la ecuacin de Shockley.
a) Calcule el valor de R para que la tensin a la salida Vosea de 3 V cuando VF5 V. (0,9 p)
Se quiere mejorar el circuito regulador sustituyendo los diodos por un diodo especial para este tipo de
aplicaciones, un diodo zner que modelamos con el modelo lineal por tramos de la figura 1.2.
b) Dibuje el nuevo circuito, colocando adecuadamente el zner, y compruebe que la tensin Vo=3 V para VF5 V.
(O,Sp)
e) Calcule para este circuito la variacin de la tensin de salida respecto a su valor nominal cuando la tensin de
entrada Vj aumenta +o,5V sobre el valor nominal de 5V. (0,8 p)
NOTA: D los valores de resistencia con precisin de ohmio y los de tensin con precisin de mV cuando sea
necesario.
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DATOS:
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Modelo de Shockley
Io==l0- 12 A; Vi=0,025 V
I=Io(exp V/Vi-1)
Diodozner
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Vz=2,98 V; rz=0,75 n
Figura 1.1 Figura 1.2
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JUNIO 2006
Ejercicio l. El circuito de la figura 1 se halla a una temperatura tal que V,= 0,029 V. Los dos diodos zner son
iguales y poseen una caracterstica 1-V gobernada por la ecuacin de Shockley 1 = 10 ( exp ~~ -1) hasta que entran
/ /
en disrupcin, en cuyo caso la tensin queda fija e igual a la tensin zner. Se pide que calcule la tensin y la
corriente en cada diodo. con el criterio de signos indicado en el dibujo cuando Vccvale:
a) 5,7 V (1,3 p)
b) 6,3 V (1,2 p)
DI D2
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Figura 1
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JUNIO 1995
Ejercicio 2
Este ejercicio trata de estudiar el funcionamiento del transistor de la figura 1 para distintos valores
de ,la tensin Vi. Para s_implificar el anlisis se supondr que la caracterstica de entrada del transistor
ls(ViE) no depend.e de la tensin VcE y puede representarse por la caracterstica de un diodo con V=0,7 V
'
y R =O n como se ilustra e~ la Fig. 2. Adems, se supondr que el transistor est caracterizado por
/J=l 00, fco=p Y VCE.sac=D V t) po..re.V.:.olO ~ .w_" t:At.t.uv.:ctJ1.!.lo.. ct.t scJu.n:x.u..~ ct.d. ctioc1...D ( y; es O es L'd...t.oJ)
Calcular los valores de le. h, 18 y VCE. V8 E. V8 c para V=O V; 5 V y 12 V Trasladar Jos resultados a
la tabla adjunta. 12'11
~ 1'o>'\lf ~ ip\.-o .es ~q,u..o.l. ~ ~ ~ \A.i.\_o_ p~ ~.\ad.O.
+12 v -= ~ "t~erra.. .
0,6 kQ
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figura 1 figura 2
Vi (VJ fc (mA) h (mA) f a (mA) VcE (V) VaE (V) Vac (Vl
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Ejercicio 2. Se pretende comparar diferentes modelos del BIT en ~ (ver nota) en el clculo del punto de trabajo del
circuito de la figura 2. Sin necesidad de comprobar g'ue el BIT opera en activa, se le pide: .
a} Calcular VBE. Io. VCE e l e utilizando el modelo lineal por tramos bsico (0.5 p.)
b) Idem a) utilizando el modelo lineal por tramos avanzado (1 p.)
e) Utilizando el modelo de Ebers-Moll aproximado para activa, no es posible alcanzar una solucin por
resolucin analitica. Deducir la ecuacin con / e como nica incgnita que se obtiene con este modelo (1 p.)
+--V:-
1e = p( 1 VcEJ 18 V8E = V,e + r,J 8
Modelo de Ebers - Moll aproximado en activa
1e = /JI B 1B= 1o e~ ;E )
Figura2
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f'"' E ercicio 2. Los tres transistores bipolares del circuito de la figura 2 son idnticos, y para este ejercicio se pueden
eterizar por un modelo lineal por tramos. Se sabe que I~ est en saturac in. .
a) De los cuatro estados posibles del transi~tor, (activa dire~ta, saturacin, corte y activa inversa), qeduzca en
cul de e llos se encuentra T 1. (0,5 p.)
b) Calcule el rango de valores de R 0 para e l que T 3 est en activa. Si no resolvi el apartado a), suponga el
transistor T 1 en corte . (1 p .)
e) Para Ro= 60 n el transistor T 3 est en saturacin y se m ide una cada de tensin en sus bomas de 0,7 V.
Calcu le los valores de las corrientes IC2 e ICJ . Compruebe que T 2 y T 3 estn en saturacin. (1 p .)
vcc DATOS:
t .. Vcc=5 V
RA=l,7 KQ
' .l . R 8 =0,4 KQ
RA ~ lc1 i f RB Rc=6 KQ
L~T, Re
De los transistores:
,8=100
JE3 Rn
Vr1F VBl,{ON)=O, 7
VcEsa1=0,2V
' ACn\/A
1 01 '2.EC.""\"P\
- 1'- V~c.
F igura 2
/ =-
o..) VBc..1 \Jc..e. z. =- Vcr soJ -=- -d,
- 1 -
~ 1 i =ce.e \f \. o.porto.d.a! :i )
I~ vw ~'i\ti
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h..L UJ'i"\E
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u
V
Ro
~
L(Vc.c-2\Jc.f',~t )C. f?:>-1-") -( \rc..c-Vc.t",So.\- -Vat:) l S-t '1). J >
'
u
v
J
u
.....;
\MeU.~s c_~c.A.o-Y\
:t.c.. =
J
~ T.c.3,= -:te._.: q 1~ L\ mA v
:ta = -:t.~ 3 =I ~~ + ":l.:Q.:::
v
=:te:,--+ J:c-= \\ '~ ~mA
+
Ve.e.
~ L ~I~i. L21
ulM...Oo
[-1 l
J
Ejercicio 2. El conjunto de tres transistores bipolares Tl, T2 y T3 acoplados segn muestra la figura 2.1 funciona
como el transistor npn equivalente representado en la figura 2.2. Se lepide calcular:
a) El parmetro f3 del transistor equivalente, definidb como el cociente lc/18 de las corrientes indicadas en la
figura 2.2 cuando Tl, T2 y T3 operan en activa (0,9 p) '
b) La mnima tensin VCE en el transistor equivale~te para la que Tl, T2 y T3 operan en activa con 18 > O.
Considere para este apartado el modelo lineal por tramos para los transistores (0,7 p)
e) El valor de V8 E2-V8 E 1 cuando Tl, T2 y T3 operan en activa. Considere para este apartado el modelo de
Ebers-Moll para los transistores en activa, y exprese <:<l resultado con tres cifras si~ificativas (0,9 p)
e
Y tac tlc
+
+
B ----1 \/ce.
E
Figura 2.1 Figura 2.2
DATOS: V,= 25 mV
Para todos los BJT: ,8=10, !VAi .-..+oo
o Modelo lineal por tramos: VrE ~ 0,7 V, !VCE..rnrl ~ 0,2 V
o Modelo de Ebers-Moll para activa: l e = f318 , Is =lo exp (1V8EVVJ
(G\.,) No&
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\V C..t.1 ~a\-\ :::: o' i
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1 \q; ~dql
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u
,.
V-&EL- V~1
Vt.
V
u
JUNIO 2007
Ejercicio 3. ,
El dispositivo de dos terminales de la figura est formado por un transistor bipolar npn y otro pnp cuyos parmetros
del modelo de Ebers Moll iEsJcsF y aR
son idnticos.
a) La tensin v Al en funcin de v Al exclusivamente.
b) La tensin v8 en funcin de i exclusivamente ..
c) La ecuacin caracterstica i en funcin de v.
VA1 t LG\ +
+
jE2 ~
+
1 Vset
. - V
+ Va
jE1
t Vse.1.
~ l
"I.C.. .. VA2
+
>f \J-=-V&-VAt-VA2.
j(- Vrr z. = ~c~l
..
>...) 1hr~ ~:
(b)
p .Q.o \-0..u.~ , lo s L\ e w.et. u.: OVlV:J d..1.. e ~es - t<Y\ o\\ ~ d..Qi.,L
{I": LG-\- Csl. - "IE~.,R('JP>) - o(_-:Ics J l \J.p.) + "IE~ .J L\Js) - dr< I.c_s _rtlJAJ ~
X l \VA}= _l \ 2. - ~ F )
21c..s e'F()(e - ~)
2.IcsCo<fcx.e-1)
+
+
. ..
DATOS: Ice= 100 mA.
. Para el diodo: D ""Is exp (vr/VJ
Para los BJT:,8= 100; V, = 25 mV, lo = 1 pA, VCE.SAr= O V.
: En activa: ic"" f3 is , is "" 10 exp (VsEIVJ Ll.,lAA cLL tas e.e cJ.L E~~ -fYY\Otl m. a&ivu.)
(Cl.)
lb) El- ~~se. s;a.tJ...\t;CL '(:nro. \cE ""VcE,~t.-= O V t) yeuA.Q)S ..(!).). -el MWfu
\o'!. - \ 10
e eiove-J ~ = o
\JD/i
~-:ID"' :x:.se Vt
* \ b -VD - \j~ =o
... ' . ,.
' . 1
\iol~
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1vt.. = ~e- Q_ = 3.cc-~ ~Io I~ e\J012v'-'--'
1 -p-iA3:. <ju.S-l\.h.u'r U!)
Gl.R'VuS: .1.c.c, ~. Io, ve- .
, .. ,
. ; ,
SEPTIEMBRE 2003
Ejercicio 2. Se pretende utilizar un BIT real para una aplicacin en la que operar con altas corrientes. Como
consecuencia de ello, el efecto de la resistencia parsita asociada a la regin semiconductora del colector (que es la
regin menos dopada) no es despreciable. Este efecto puede estudiarse con el circuito equivalente de la figura 2, en
la que se muestra un BJT convencional con una resistencia en el terminal de colector. A este conjunto (BJT
convencional + resistencia de colector) se le denominar BJT de alta corriente. Como se puede ver el BJT de alta
corriente es un dispositivo de 3 terminales.
a) Exprese la ecuacin caracterstica le = l e (Is, VcE) de esttica del BJT de alta corriente cuando el BJT
convencional est funcionando en activa. Exprese esta ecuacin caracterstica en funcin de los parmetros Rs,
/30 y VA (0,9 p.).
b) En el plano fe, Vc E de las curvas caractersticas de salida del BJT de alta corriente, represente la regin en la que
el BJT convencional opera en activa (0,8 p.).
e) Calcule el parmetro de pequea seal ro= (oic l fJvcEY 1 del BJT de alta corriente en el punto de trabajo Is= 20
mA suponiendo que el BJT convencional est en activa. (0,8 p.).
C'
+
Is
----.
B -------1
E
Figura 2
DATOS:
. Rs= 2 .Q.
Para el BJT convencional la ecuacin en activa y esttica teniendo en cuenta el efecto Early es J :::
e
R
1-'o
(i J1
+ VCE
V
A
s
bJ !:,jT ACX\\JA :
f/~'/ffe~/;/~%
. 2- -J
JUNIO 2002
0 :~ 111: e
todos los transistores operan en activa, calcule:
= =
a) La corriente IREF suponiendo VEn2 VEB4 0,6V (0,7 p.) 1.ol R1
b) El valor de la resistencia R1 para que la corriente 10 sea 5 veces -t / "" ~/Vll\.GS
menor que IREF Desprecie las corrientes de base respecto a las \tt.M \ttiz. ~ o..
dems del circuito. (1 p.)
~.
e) Las tensiones V E81 , V EBi. V EBJ y V EB4 con tres cifras
significativas, considerando que para todos los transistores
!0 i
V
Da.ros. -- - - - - - - - - - - - - - - - - .
* 'Tucl0S ..Q.Q.s, ~\)\ .QU o.__c__Y\ JO
1-
3,_c-= n. e ~1 ~c:U.l0 cU. tb.ecs- ~ol\
- 0-fYl> X y:nro... Cl..U:.t\.<l...
~2 :
\ ~+ :ioe, ;. vp_,_ )14- v~ =o 1
---
-= \001 CO _{L ]
,.
. . '
' '
1
SEPTIEMBRE 1997
Ejercicio 2
Con el circuito de la figura, que contiene un BJT en saturacin, se desea analizar la influencia de las
aproximaciones de las tensiones en el clculo de las corrientes. Para ello se va a realizar un clculo
ms preciso de las tensiones y corrientes del BJT mediante un proceso iterativo. Si se aplica al
circuito una tensin v 1 = 10 V, se pide:
a) Obtener un valor aproximado de JE e l e. Para ello suponga VeE = O,l V y VBE = 0, 6V.
b) Utilizando las ecuaciones de Ebers-Moll y los valores de 1E e 1e obtenidos en el apartado a),
calcular unos nuevos valores de VCE y VBE .
c) Con los valores de VBE y VCE calculados en el apartado b) obtener unos nuevos valores de 1E e
le .
d) Cunto difieren, en tanto por ciento, los valores de JE e l e en los apartados a) y c)?
DATOS:
Del circuito:
Re l
le
+
Rs=Rc= l kD
Vcc = 15 V
v1 = 10 V
Del BJT:
\Jce: hs= 10-13 A
-
IB V~-
-=-
r
le
aF= 0,99
aR = 0,1
les= 9,9.10- 13 A
Figura2 Vr= 25 mV
. .
SCuQu'.,OY'.IJ d.L Gbe.,~ - mol\ .
~ ~
~S e
x
( \J~t- \
V e - 1J
V~
1- o{ 2 :;te:.{ e , vr - ?
\Jf:C
V~
A
y
l e ; o(.F-:I=ts. (e V't: - 1 J - :Ic:.~ ( e Ve - l J l
!
X
X =
y= == \0 1 \:> mA
e()
l.)
*
lo...J -u .;: \\.,\' qo rn~
Ic:' ~ \ \...\ 1 \1.. yY\ 14 1 ~le.= ~1 _ I:c.. = do 2.. rnA
.:l:t: . 1 00
I..~ - X = = - o \Co %
1
/sir:; -
JUNIO 1998 ~
Ejercicio 2
n el circuit de la figura 2 el voltmetro ideal V mide la tensin entre los terminales de colector y base del
transistor bipolar pnp. Se le pide:
a) Indicar la regin de funcionamiento del transistor. (0,5 p.)
b) Obtener mediante el modelo de Ebers-Moll la tensin medida por el voltmetro. Exprese dicha tensin
en voJtios con tres cifras decimales. (1 p.)
e) Calcular el valor de la corriente de colector l e y su sentido. (0,5 p.)
Figura 2
I.c.
f\f6: Vo 1~ 'fy\..L-tto l ctt._o__Q -
~
-:r. e.
:~ l~ ( I'
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Vtoe.
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7 - . .\:t e
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I c. "" T'E:s o<'F (e'i..EJ:.
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\/~ = Vc..b l . ,. . [a'c:: Le- ::. ~ .:tu l J
( l) J, :te?
u
JUNIO 2003
e) Suponga ahora, que donde antes se midi la tensin V8 c se coloca ahora un generador de tensin
continua de 650 m V con el positivo en el terminal de base del transistor. Calcule la corriente de
colector, con precisin hasta el mA, e indique su sentido (0,5 p.).
.. .
1
Vcc
Fig. 2
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(
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O = 'f< Ic..s. (e Ve_ -!. ) - 1..c s (e v""c/vf;"- !. )
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D<Fl"S.:: o<.e }c.S
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J
JUNIO 1997
Ejercicio 2
_ _ un laboratorio de homologacin de dispositivos se desea conocer algunos parmetros de un transistor
bipolar recin fabricado. Para ello, se habilita el circuito de la Figura en el que el conmutador C conecta
simultneamente las dos posiciones 1 o las dos posiciones 2. Si se conoce por otros medios el parmetro
aF=0,9 calcular:
a) El parmetro f ES si el conmutador est en la posicin 1 y
el ampermetro A registra una corriente de 106 A. (0,7 p)
b) El parmetro les cuando el conmutador est en la posicin
+ 2, si la tensin medida por el voltmetro V, es 0,58 V. (1 p.)
1 2 c) El parmero R (0,3 p.) -= \/t
Datos: Vp = 0,60 V,
-----V,
kT/e~0 , 025 el voltmetro V y el
ampermetro A son ideales, (resistencia interna del
ampermetro nula y del voltmetro infinita)
(CL)
- - +V -
V&= o V
V~E-=- - Vp
lA :o - Ie:
~ Ies= -1A
e -v'YVt- !
Ic ~ _} - ( vg.c
V\~ . l..E ~ e Vbt/\Jt- \
1.. ; - I.c. s l e I vt A ') ='\
r Vf'/V't ,
Ics = o{fIE.S \e - 1.. 1
=
,
OD\ . .AO
-CD
2A
e V/\A; - ! >
.._)
u
u
v
v
.. ~
v
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V
.. .. . v
.. .
..
, ..
V
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u
v
J
..
V
'.
,
u
v
u
FEBRERO 1997
PROBLEMA 3. Los tres transistores MOST de las figuras 3 .1-3 .3 son transistores de acumulacin.
Cuando funcionan en rgimen de saturacin, su corriente de drenador viene dada por la ecuacin
I 0 = k(yGs - Vr f donde 1Vr1= 2 Y y k = 2 mA v 2 . Advierta que hay transistores de canal n y de
canalp
a) Para cada circuito, determinar si el transistor se encuentra funcionando en corte, en la regin
gradual o en la regin de saturacin (1 p.)
b) Para el (o los) transistores que se encuentren funcionando en la regin de saturacin, calcular la
corriente de drenador ID y la tensin drenador fuente VDs indicando claramente su signo (1 p.)
V /)/) = - l 5V VDD = l 5Y
(l...)
(.\)
R5= 0,5kQ
Vc;c = 3V
01-----1 N ffJ ..
~55 = -15V
Figura 3.1 Figura 3.2 Figura 3.3
Ic
Yt. =-2V
NPN
\!t: = 2..V
. ( 2.)
E:S . \Jos
\ma.,U.02)
..;.-gs r 0 + \J~"' o) 'J
.VC:S= \/(\(\-\J~~ = ~\0+\S" =SV'>'vt:;~
1.
Io=== \,.( ( V'=ls.-V\ )l.= 2M ( 5-2)1 " \<?mA \Jt>s==-\Js.s- Q.~lD = +1~-
...
Qig11<..1~en~ G:>V
..: ,'
. .
(. t.) ..I. D =\ ~ m A. ( .et...L-Cl.Cl e.u ..Q. 1 A-cc:w. ?-\ \ hJ \ )
VD.S: (o V
.. .. u
\
. .(
\
\
1
1
.... - ...
,
. . ..
FEBRERO 2002
. , de k3 Y vT3 en funcin
a) Calcular la expres10n . d, p )k2, Vn Y Vn para que las caractersticas V-1 de los
. de( ki,
componentes de las figuras 3.1 y 3 .2 sean I ent1cas 2 .
b) Cunto vale! si V= Vn + Vn? (O,S p.).
_ ___, I+
D ~ J: c 1 ~
T1 \J DSJ
\/en. -
Figura 3.1 Figura 3.2
e,us c.wu.a s "-<..LA- ""1m:irn ui..ui lo, I< \ Ve,, o- v..-~ 1 po.rn. edJ..u.P\. .,: <ar
~ \l Vi-o .w. ~ cU. ciA.l>os rJ..L ' ' ':l 1. , "'""' <l.U'> ~ ~
O..UU.o f) ~( ~ \.& ~E\ .e.~-lau 12.u.. )ATu~~ pon;&.. Porur u.s.a.c ero.
..exprcY'\~.
I. eu..t.MGS { V1Yi.: = Veis .: J.o.urvuH ~ CPw> P'1> bar <!A-'-' \Jos ? V,,,., Se>
\Jos,~o1 = V (is - \h
Pccm. \z.. ~ IDi.. = k-z.. ( VLsi.-V7z.J z.= \.<, ( VS2- VTL Jz.= "I (2..)
J
J
v
._)
' ;
J
J
J
v
1t>?,, -<:,' ( ~4>&-Vr;,) 2 = I v
.. V
\ V
Vqs~ = v o~t:. == V
V
o .. .. ._)
u
\.)
v
\.)
V
.
FEBRERO 2000
j ercicio 3. Para una determinada aplicacin en que se de~e~ duplicar la capacidad de conduccin de
.Tiente del transistor MOS de canal n, se ha decidido conectar otro transistor similar en paralelo, como
muestra la Figura 3. En el caso ideal en que ambos transistores fueran idnticos, el dispositivo conjunto que
forman se comportara como un nico transistor equivalente de parmetro K igual al doble del de los
transistores individuales, y de la misma tensin umbral.
No obstante, se ha detectado que las tensiones umbrales de ambos transistores son diferentes, lo que
le aparta del funcionamiento ideal indicado, como pretende ilustrar este ejercicio. A pesar de ello, el
dispositivo .
. conjunto se comporta como un MOSFET de canal nen cuanto a que .tiene VTy ~ps,SA T ~
DI _..
Ioi ., !p Obteher razonadamente para el dispositivo conjunto:
fr=- --- - 11 Ioi. a) Su tensin umbra'! VT(0,8 p.)
b) La tensin VDs..SATPW Ves = 3 V (0,8 p.) . ~
~ \/1>5 e) La ex]!>rsin de fa caracterstica ID =A-Ves) .~ara ~aturacin
~ -. Mz Vpsz. (activa), es decir, M1 y M 2 en saturacin (0,9 p.)
'VC,i-.1- -
DATOS: K = K1 = 1 mAIV 2 , Vn = 1 V, Vn = 2 V,
s En saturacin lo = K(Ves-VT)2
Figura 3
ll 'V 6S:. \J M >\ = \J &S2.
~ 'VDS .:: \h::S..\ "'" \J DS 2.
J
\J te; 1 so.\ QS l.a. ~in 0n p<.M IA ...Q.a. t.u._oj 0 can LLU.V -eu,\A!A te). -0.L
0r~ , 9-\ VLC S.Q, ~ ~ .-to.. VDs- ~ VD~, scrt- .
:::l.J:>\ Io
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.. v
u
lA-LU.SG-~0 ~ la>~ CWS IT\S -Q,S-\fu -U.t.. ~<M-urO..UOn
u
U)IY\ \\..\..\A,Tu Y.Jq-o. .e.u }G.. .ht\ a. t.Lchl .( Con ~ \...LU..O ilt!
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..Q.l L.or\\ ULLt-u ~o..r ..Qo. ~, ~ Ql() ~~usa.._ t.( em) u
u
u
v
~ ~\.: \JD~1 = \l:y;,so\ 1.o: "L\I ~ v...G~ ~s m' .QQ.. ~r\'Y\e~,
. ('('.XX e{ ~ QO\B.. \J :t>.S- """!l' \ " _\LJJ..-
\ 1 I
~ \j bSt- =IJ:l)S-L = \Jl>S",Sa:\ l.::. 3 "\l dJ..\{TY\O~ ~ \-\...\ U.O.. .Q,u:;UQ..d..O .Q.l.,L~ J
~x~, ~ a U>Y\{u..,u.V.O ~_o. u.o e~-\ ~
QLL ~Q~ / CULLlQ;Q -t\ ?- .J_o <2~ ) U
.::::: V<
Ejercicio 3.
Para el circuito de la figura 3.1: .
a) Calcule
, la corriente:ia" en funcin de las seales
satracin. (0,9 p.).
.
.. de entrada. v 1 y v2. Suponga que todos los FET estn en
Para el circuito de la figura 3.'2:
b) Calcule la relacin valv1 suponiendo que los FET estn en saturacin (0,7 p.).
e) Sabiendo que los FET no entran en regin gradual, en qu rango de valores de va los FET operan en
saturacin? (0,9 p.).
DATOS: R = 1 kO
Ambos FET son NORMAL-ON (de deplexin), con K = 1 rnA/V 2 ; 1Vr I= 1 V
NOTA: No se necesita el valor de Voo para resolver el ejercicio.
ia R
---. R
va
V --4
Fig: 3.1 Fig. 3.2 .
t 1
,. I t t
{ (l.,)
\o
V
e;::;. )\( ( \~_ - \/A_ ' /_Vi -+ 2 v,) (lyJ\) , \.,_1. - \Al '"2\h' 2 \ l
~ ~ 2_\\t,_-\/A \-2-) .\ ~l{V2-V;.+2.)
- \.e
V
"* Vo = CoR
( ~cr \\ ().U..UU-\ o
*V4S\ =V ~S/,:::: \) S d..t a.lc,u.ua. f'orl\'Y\CA )
~\Jo+ Vc;,.s-V~ :=O ~ \Js = V.i-Va J
u
( C) \A , \'2.- ~ 'SP.. W e.AUCN -
NOS. o.iou. ~ ~oc;. ~~ ~ -.U..t>..()J..l -e.u l(J'U~ ' lu..oA,o ~ ~ ...
IYYL.a s ~ ~r ~s ttM.. cu'. Ci ~ Q.Ll corU. ( eu.tia.dA)
Vs Vs
D i io
1 Circuito
~
de
carga s
i.c>1 t D
L.NP..L.., p
Vs.qi.
-\-
Si ln
..
G
-
-i ~.~ i:~. ~"".- 1\JT11
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2
v:r:.
+ .l y~~
~Q\ - ~\di -=
*
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\.J<;.. 01.= \Js- v~
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~ \J ~s. i ?'. \J-\\ ~ \J 1. ""> V-r
..:. \J tt; 1 '::> \, DS, Sot ..\
.
'
~ ~~a.Q..Q le)
c;U, \.::iv..\ OJ..LLOS. 1O lC C.10. <(. D \o ~ Q_Q. ::t. Of\O. Q.1..
1s':A \.J~ C1
,_c y~ .e ~QVJ,._0$. u...\\:u tau... do
oa.ro i: =o
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::r.~. R i.
J:= 2 1 Coz mA
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Q.L,l. J:= 0 1 't rY"\~ \A.O l.UJ.)J-.-~ l_a._ COvt(:Ll~
W.eJJ,,t G5' \;\,<(VD -e.u Uo ) ~ p:::lO. I -=- L.' Ce 2- m A 1 U z. ~ O>... ..u.JJ.-p L2.. \ O. (.Oyc\ 1 o'~
~ .Qu,ti QdJ)_ . 'P-:Y\ 1 y{)\o IAO..:j ~ f\__
'\U".lca CM-U Q..Q.._
l
Lu...u...y:JlR: VD~22 vr:E/So.t" -(
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r
JUNIO 2002
Ejercicio 2.
a) Calcule la corriente JA suponiendo que T 1 est en saturacin, Tz en activa y que VA = 2 V (1 p.)
b) Si VA$; VT, cul es el estado de T 2? (0,5 p.)
e) Existe algn valor de VA que hace que T 2 entre en saturacin, y en
ese caso cul es? (Suponga T 1 en la regin lineal, en la que se
comporta como una resistencia controlada por la tensin puerta-
fuente) (1 p.)
DATOS:
(o..)
T~ =SA1\J'2-AUJ , Vc..=-2V
T = ACTIVA
T~:!5P.\
j:-_ p.. :=. 1"..c... 4- 1.D = ~.l.~~ "In= ~ 3:.'D + lD = ( ~ + \ J J:.D -'
VA
- (~4')\.<l'y,e:\S-\/T)i..= \~+!.J ~(V!\ - V)i.=
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SEPTIEMBRE 2003
Ejercicio 4. En el circuito de la figura 4 los transistores Ql y Q2 son MOST de acumulacin en tanto que el Q3
es de deplexin. Se supone que todos operan en la regin de saturacin.
De estos transistores se conoce adems que:
- Ql y Q2 son iguales y su ecuacin de transferencia es 10 = 100 (Vcs-4/, donde 10 se expresa en mA y Ves
en voltios.
- Q3 responde a la ecuacin de transferencia lo= l 00 (Vcs+2)2 , donde fo se expresa en mA. y Ves en
voltios.
Se pide:
a) El valor de Vos2 (1 p.).
b) El valor de /DI (1 p.).
e) Compruebe si el transistor Q3 esta realmente en saturacin. (0,5 p.)
(S).( 'd ~ : rnc~. ~C.\Jm\J.
CAN~L N
1-<: 1 --l,.
Vr-,-==- -2 y
VI>~ i.
(b) ~= bo( Y?s_:-L\) 1.= \ool Vi>si.- '-\ ') 2 ==\en( Co-1..nz. = \..\oo fY'l f\
\tD~
Ejercicio 3. El circuito de la figura 3.1 utilza un transistor JFET con una tensin umbral 1Vr1=7 V
a) Calcular la tensin V05 (1,4 p.).
b) El parmetro Ioss puede expresarse como K(ZIL) . Si la longitud del canal, L, se redujera a la mitad, en
qu regin trabajara el JFET si la tensin umbral fuera la misma?. (0,6 p.)
'
DATOS
R0 =7 ko
.. .
Ioss = 1 mA
En saturacin el JFET
cumple la expresin:
V 55 = 10 V.
= "lt>
7
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P31
( b)
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V
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V
SEPTIEMBRE 1996,
..
Ejercicio 4. En el circuito de la figura 4.1, calcular:
\11
= h~ = 200 ..?'
=- he(kO) = 0.025/IB 0 (mA)
v,
vBE = o.7.V-
c;, e~-+ 00 c:__cnc'B.lSP.
V~<P = Q,2 V -es o-e aco
p\O
FIG . 4.1
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JUNIO 2002
,,..:, ~ k.'CA.Clar o...t.. c..cM e.u..\e ~ ~ de ..4.u.h'n
Ejercicio 3. Para el amplificador seguidor de emisor de la figura:
a) Calcule el ptmto de polariz.aci6n (VCE, le), comprobando que el transistor est nactiva. (0,5 P)
b) Dibuje el circuito equivalente para la pequefia seal. Considere que en pequclia sefial la fuente de corriente se
comporta como una resistencia de valor Re.,=100 kn. (0,5 p.)
e) Calcule la ganancia de tensin de pequefia seftal vt!v1 (0,5 p.) . , . . .
d) Halle el margen dinmico a la salida, que viene dado por la mxima amplitud de la sefial sinusoidal v0 a partir de
la cual el transistor deja de fimcionar en .activa. (1 p.)
' DATOS: 1
+Vce
Vcc =5 V, R8 = 462 kn
Io=l mA, Ri = 1 kn
/3 = 200, VaE = VrE = 0,7 V, VceSAr ~ 0,2 V,
Vr = k1/e = 0,025 V 1
~c.o-.ddfuno: .
V
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SEPTIEMBRE 2003
Ejercicio 3. El circuito de la fi~ra 3 p; esent? un amplificadof con dos tapas' en cascada, la primera en colector
comn y la segunda en emisor comn, separadas en el dibujo por la ~aya discontinua. Un anlisis aproximado ,del
circuito de polarizacin ha dado los siguientes valores de cb-ntinua: jc1;::::;fEJ=l mA; /C2;::::;fn=l mA; VcEJ=S,7 V;
Vcn=l ,4 V. Se pretende realizar un anlisis parcial del circuito de pequ~a seal, abordando ~l problera etapa por
etapa. . , .
1
a) Dibujar el circuito equivalente de pequea seal de la segunda etapa, dando el valor de ros parmetros del
. circuito equivalente de pequea se~al del BJT (~,5 p). 1 .
'b) Calcular, para la segunda etapa,' la resistencia de entrada Rn2 y la ganancia de tensin vJ v0 1 (0;5 p).
e) Indicar el margen dinmico a la salida .asociado aHran.sisior T2 (0,5 p).
d) Dibujar el circuito equivalente de pequ~a seal de la primera etapa, sustituyendo la segunda por su R p 2 y dando
el valor de los parmetros de pequa seal (0,5 p). ' '
.
e) Calcular la ganancia de tensin de la primera etapa v01/v y la ganancia de tensin total vJ v (0,5 p).
~
. DATOS
ll e.~ 2Q. ~~ R1=Rr100 kQ
RE1=4,3 kQ
Rn=3,6 kQ
,. t. 1 R.1 ,R e
Rc=RL=4kQ
oL Vcc= IOV
...... Vo c~"oo
e lt>\
"'~lw\
"
61
Para ambos transistores
61. -
RL Vr=0,025 V
v. 1
Vyt:=0,7 V
YcEva1=0 ,2 V
Rz RE} RE2
1 c- fr=lOO
ro~co ...
-
Figura 3
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( C\.)
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1
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V
~.- -2... =-o ' "'* Ve ::az..v 1 .
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V
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V
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Nl.UJ..-0 E\ ~ .:.\o 1 t- S~b, - Vt> 1
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r111
Vol
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r
JUNIO 1996
..
PROBLEMA 4.- En el amplificador de la figura 6
a ) Calcular el punto de trabajo del transistor bipolar
. 1 (I BC.)> I Cl) > VCEQ ) . (0,5 p.)
b) Dibujar el circuito equiv alente en pequea seal
sabiendo que h" = rn; h. = ~; h 0 ; 1 = r0 = oo (0,5 p.)
e) Calcular la impedancia (Z,,) de entrada del
amplifca?or. (0,5p.)
d) Calcular la ganancia en tensin Ay=. v) vg (0,5 p.)
+
Datos '
R 1 = 600 KQ Rg = 1Q
R2 = 1, 2 MQ RE] = 3 KQ
Re = 5 KQ h.te = Rf-' = l 00
RL = 20 KQ -VBE "' = O, 6 V
RE l = 400 n .~ce= 12 V
Fig. 6
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P35
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(b)
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Pcr o)-A~r OJ.: ..\-lLL~~ <~ 1.) ~ V).~ 'i-il'\ vi~ Ye =- -2:.;Y\ \.-~ vx
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V
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SEPTIEMBRE 2004
Ejercicio 3.
Para el circuito amplificador con BJT's de la figura 3 se le pide calcular:
a) La corriente de polarizacin/. Suponga que los dos transistores operan en activa (0,8 p.)
b) El valor de fa resistencia RL para el que Vi= O. Compruebe la hiptesis sobre el estado de los transistores (0,7 p.)
Vcc
Re
-Vcc
Figura 3
DATOS:
Vi= 25 mV, Vcc = 5 V, Rs= 475 kQ, Re= 700 Q
Para T 1 (npn): /31 = 100, VA1 ~ oo, VEl= 0,5 V, VcEsar1 = 0,2 V
Para Tz (pnp): fh. = 50, VA2 ~ oo, V,vE2 = 0,7 V, VEcsat2 = 0,2 V
Ejercicio 3.
Para el circuito amplificador con BJT's de la figura 3 se le pide calcular:
a) La corriente de polarizacin Ir. Suponga que los dos transistores operan en activa (0,8 p.)
b) El valor de la resistencia RL para el que VL =O. Compruebe la hiptesis sobre el estado de los transistores (0,7 p.)
-Vcc
Figura 3
DATOS:
V,= 25 mV, Vcc = 5 V, RB= 475 kQ, Re= 700 Q
Para T 1 (npn): /31 = 100, VA1-+ oo, VyEl = 0,5 V, VcEsatl = 0,2 V
Para T1 (pnp): /Ji= 50, VA2-+ ), VrE2 = 0,7 V, VEcsat2 = 0,2 V
1'1r~ ~ ..):<v~,
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l~; : ~\/(e, \ vc'f'4 4 'Y'~E,,. - \/Ce -=-o ~;> Vcg:-_1~-?'fe- V~ ">
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~+Yif) <Rt t ylj~
/
J
JUNIO 2005
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Ejercicio 2. Para el amplificador en base comn de la figura 2 se sabe que el transistor est en activa. Un anUsis aproximado
el circuito de polarizacin da los valores /c= l mA y VCE= 2 V , que son los que tomaremos como base para el anlisis de
pequea seal que se propone. 1 '
a) Dibuje el circuito de pequea seftal, indicando el valor del parmetro r" (0,8 p.) ....
b) Calcule la ganancia de corriente iJ ig. (0,8 p.)
e) Calcule el margen dinmico de la seal v0 a la salida, definida como la mxima amplitud de la tensin simtrica a la
.
salida v0 que asegura que el transistor ni se corta ni se satura. (0,9 p.)
DATOS: ,8= 100: Vi: =0. 7V: V0 ,"m =0.2 V: V, = 0 .025 V: Y;-.-+o:
Vcc = l O V; R 1 = 6,3 k.rt ; R2 = 3,7 kQ; RE= 3 kQ; Re = R = 5 kfL :. -+ a:,
Vcc
Vcc
e
_d e, Va
-
-
Figura 2
f, c.
e~) \.\:>
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-{..~o ~ ::VT\=~\~
Q, ~
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.s 2.'S t.<.-Lj
~'l. = 2\ .
- - - L. V
v
V
V
v
. N~ E: ~';- (lo+ '6~b= Le.:=~~-'" \S-T1~'b= -\lo::~~,,. -\lo\i~\ ~~ J
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l.e. :. ~ ; _ \ lo r -n
\'2.e- -
~e.
':
= ~.'.;.\00 ~
vs~s H~oo +&~2n -== ~
( (..) MO.l'CW-U: cli~~ Vp c:lA. Ve
r.'\ VQ
+- ve.e. - Vt> ::. a
~U2..c..//2t-)
+Vcc=l2V
~ rc1c10 4. La seal alterna de pequea amplitud, es
V,
DATOS
Para ambos transistores:
r" = hie = 1,25 kQ; r0 = h 0 e-\ = oo; /J= he = 100.
R
\ la frecuencia de la seal los condensadores pueden tratar~e como .
cortocircuitos
- Vcc=- l 2V
Figura 4 .
lo...) pa.~'v\:> ~
\.\.\,\ t.c.Yh>cla.u..i~ St-1 (
r-----------a ve . .. .
>j) Cf
Re
v~ 'R r11f J1be ~~bp
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.
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Cd) d ~?
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lo= .
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Vec.1= L\l O V
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'vc.2.
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-Ve.e..
~ibi ~ ilo2.
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~;.\, ~;b.
'E 1 2-
' 01'!.
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~ = Vc...c -Tu(Q.s; 4- "\Cl D) = Jo - (o'~-\ ! ) 6 L\ 'q = l...\' 2.x \l "> 2..'C.Ofl \1 V
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JUNIO 2006
Ejercicio 2. La disrupcin entre drenador y puerta en un JFET puede modelarse como un JFET en el que no
hubiera ninguna disrupcin junto con un diodo zner entre drenador y puerta, tal corno se indica en el interior de la
zona de puntos de la figura 2. En el circuito de la figura se conoce el valor de /=l mA y VDs=5 V.
Para ese punto de polarizacin existen dos posibles valores de VGs, uno (VGsi) en el que el diodo zener no est en
disrupcin, y otro (VGsz) en el que s lo est. Se pide:
DATOS:
. r,.' .. ... t
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1
'1
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1: R'
1
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JUNIO 2007
Ejercicio 2.
La.figura muestra un circuito amplificador en fuente comn realizado con .~l transistor MOS de deplexin
(normalmente ON) I' polarizado con una fuente de corriente I DD que se puede suponer ideal a todos los
efectos. En pequea seal y frecuencias medias, el conjunto de dos terminales formado por el transistor T;
(MOST de acumulacin o no"!lalmente OFF) y la resistencia Ri se comporta como una resistencia
equivalente REQUIV.
Se le pide calcular:
a) El valor VL e IL, verificando que los transistores operan en saturacin.
b) El valor de REQUJV = v1 I i1
. c) E.I valor de la transi~pedancia y1 / ig de pequea seal y frecuencias medias del circuito.
DATOS:
V0; = 20V,IDD = 5mA,R1 =IOkQ,Ri=125Q
Para ambos MOSFET:
iD = k( ves - VT )2 en saturacin.
IVnl=IVT2i=IV,k1 =k2 =lmAIV 2
l~
V_ + V
777
VL
-:1f- .IL = '"3..DZ.. =\A(@- \/-1..J '2..
/ 2]
- -A:~ t.t~M= 2. ~-):1
' ~
L-1...a WlS va.U le.~ \A...O
VL=\Jl1S.2.
u: Vi .e.u. e.\ ' Z. V
\J ,s.-2. -=- VL.- J:oz \?2 : '6- \...\ m . IZ.'i> = 2. 1 ~ V ~\JOS, so..\-z... di< l.
' -
~ \ \ ~ T2--= S-A\\J QAC,\CN
~~t
.----.----a Yi
+ <{fn'L VC:f.1
..
-
9mi :: d~' l
. J\./qs-2 . ~ - o\J~si
'
=_C>..,..v._,~_v_tl<;._i_-\k
_1_l-) 1
Q
= Z'-"~\J~-Si- Vr"LJ \ =
Q
. -.
.---+-- V.,t
~ \r.l '"" -<jl'V"l,\Jfl~I ~V
* ~3 = V~s;i le.
Ejercicio 5
El circuito de la figura 5 muestra un amplificador diferencial realizado con transistores bipolares
npn, polarizado con una fuente de corriente ideal. Calcule:
a) Los valores de tensin continua en los nodos E, O y P, si R 1 = R 2 . (0,7p)
b) Idem a) si R 1 = R 2 /2_ (0,7p)
e) El factor de rechazo al modo comn (CMRR) del amplificad~r en decibelios (dB) para la situacin del
apartado a), es decir R1 = R1, si el parmetro de pequea seal r 0 de los dos transistores es r 0 = 30 kQ
en el punto de trabajo. (0,6p)
DATOS:
..
Vcc= 10 V
R2 = 6kQ ..
Vr= 25 mV R1
De la fuente de corriente: p o Yo .
...
Icc=2mA
Requivalente~ 00
. \
l 1
De ambos transistores,
en el punto de trabajo:
VsE ~VrE = 0,7 V
J3 = he = 100
r 0 = hoe-l = 30 kQ
Ve.e.
Vc_c..
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JUNIO 2007
Ejercicio 4. .
En el amplificador diferencial de la figura la fuente corriente es ideal, es decir, su resistencia equivalente en
pequea seal es infinita. Pese a ello, el factor de rechazo al modo comn (CMRR) del circuito no es infinito
debido al efecto Early de los transistores. Se pide:
a) Analizar el circuito en continua, calculando l e y VeE de los dos transistores. Desprecie el Efecto Early
slo en este apartado.
V
b) Calcular la ganancia en modo comn y pequea seal A =- 0 para vil = V; 2 =::= v;c
vic
V
e) Calcular la ganancia en modo diferencial y pequea seal Ad =- 0 para vil = -v; 2 =vid 12 .
V;d
d) Calcular el factor de rechazo al modo comn en 'dB. '
DATOS:
Re =lOkQ;Vee =15V;l0 =2mA.
,B = 100;V1 E :=O, 7V;VA = 50V;Ve = 0,025V.
VCC6.
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P44
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SEPTIEMBRE 1996
DATOS:
Vcc = 15 V; Re = 10 k.O;
Rg = 600 .O; lo = 2 mA;
kT/e = 0,025 V
Transistores:
VsE = 0,7 V; /J= he ~ 100;
r" = hie = /J.(kT/e)llc; r-i = hoe =O
FIG. 5.1
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Ejercicio 3. En el circuito de la figura 3, calcule:
a) La corriente de polarizacin ID (0.5 p.)
b) La ganancia en modo diferencial v0 J/vu (I p.)
c) La ganancia en modo comn v0 /v;1 (I p.)
DA'fOS
R= 1 kQ; 10 =2 mA
Req= 1 MQ (resistencia equivalente de la fuente de corriente ! 0
en alterna)
Los transistores Ml y M2 son iguales, trabajan en saturacin y
los valores de sus parmetros de circuitp equivalente en TT77
pequea seal son: gm=2 mS, l/r0 =0 Figura 3
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FEBRERO 2001
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SEPTIEMBRE 2001 A.0.IDE~L
Ejercicio 4. La figura 4.1 muestra un circuito receptor de COil)unicaciones pticas, que utiliza un amplificador
,racional (AO)' para amplificar la fotocorriente generada por un fotodiodo en inversa, que aparece representado
. _.no un generador de corriente 10 El margen dinmico de la tensin de salida del AO est limitado por las tensiones
~e alimentacin, como ::;; indica en la figura 4 .'?. Considerando que la~ dems caractersticJ.s c!~l AO so.n ideales, ~~
le pide
a) Expresar 10 en funcin de la cuando el AO opera en rgimen lineal (el tramo vertical de la figura 4.2) (1,0 p.)
b) Calcular el valor de la para el que el AO se satura con valor +Vcc (0,6 p.)
c) Expresar 10 en funcin de la cuando el AO opera en rgimen saturado con valor +Vcc (0,9 p.)
l V~
(o..) I~ = :t_ = o <~u.,.pte)
A.o . :L~ : L-l l"-$A L
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V
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FEBRERO 2004
A.O.IDEAL
jercicio 4. El circuito de la figura 4 tiene un amplificador operacional ideal que est alimentado a Vcc= 10 Vy
-Vcc=-1 O V. Se pide:
a) Calcular el valor de la componente continua de la tensin de salida, V0 . (1 p)
b) Cakular el valor de la componente alterna de la tensin de salida v;(t). (0.5 p)
c) Teniendo en cuenta las tensiones de alimentacin del amplificador operacional, representar la forma de la
tensin a la salida del circuito va(t)=Vo+v0 (t). (0.5 p)
d) Calcular el margen dinmico de la seal de entrada en alterna vg(t) para que el amplificador operacional no
entre en saturacin a Vcc- (0.5 p)
''
R DATOS:
R1=R1=2 kQ; Rg=5 kn; R.rlO kn;
vg=3 cos(cvt) V; Vc=lV.
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-Vcc
I ,r ~ I
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Figura'4
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P49
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JUNIO 1996
PROBLEMA 5.- El Amplificador Operacional (A. O) del circuito de la Fig .7 tiene impedancia de entrada
inita. Suponiendo que la salida v 0 depende de la diferencia de las entt:,as (v+ - v _) como indica la Fig.8 ,
La.tcular:
a) La relacin v 0 /v 1 suponiendo el A . O. no saturado (v.=v_) (0.7 p)
b) El valor mximo y mnimo de v 1 para mantener el A O no saturado . El A. O se satura cuando la tensin
de salida v 0 adquiere el valor Ycc o -Ycc (0.6 p)
Suponga ahora que Ja dependencia de la salida v 0 respecto a la diferencia de las entradas v+-v_, es como muestra
la Fig. 9.
e) Suponiendo que se mantiene la impedancia de entrada infinita, calcular la dependencia de v 0 respecto de v 1
en funcin de v 0 FF y de vrFF suponiendo el A .O. no saturado . El AO no est saturado cuando se cumple:
-Ycc < Yo< Y cc (0,7 p.)
Datos R 1 = R 1 = R 3 = lkf2; Vcc = 12 V
A.o. eEAL
A .o . I.D (.AL
R
y R2
( v ..-v_)
Y o FF (v ...-v_)
-----1 - Vcc
(a.)
Vo/v1 A.o . \ DEAL ~L-1"'-BAL t.:t+-= :t_: o
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Nu.d.D 1
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P50
V+ = Vr
- \J _ = [~ /(et:.-+~'-)) Ve
I J 1
SEPTIEMBRE 2002 A.o . ~EAL
Ejercicio 4 El amplificador operacional de la figura 4.1 es ideal excepto en su tensin de offeet, que es distinta de
cero, y en su ganancia, que no es infinita. Como consecuencia, el voltaje de salida del AO en rgimen lineal (no
saturado) se puede modelar como vo =A (V+ - v_) + Vuff
a) Calcular el valor de vo' cuando vj =O (1,2 p.)
b) Calcular el valor de v1 para el que va= O. (1,3 p.)
DATOS:
Rz
Vo
Figura 4.1
'Vo
v-+-v-
(cA.)
V-r= O\J
V- - \Jo
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P51
vot=t-=( e~+~\)- A~ V-:s.
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JUNIO 2000
Ejercicio 3:
el circuito de la figura 3 el amplificador operacional no est saturado y la tensin v1 :'.". O
a) Calcule la tensin de salida vo en funcin de V suponiendo que el MOSFET de acumulacin est
trabajando en saturacin. (1 p.)
b) Calcular el rango de valores de Vo para los que el MOSFET est en conduccin (1 p.)
e) Calcular el rango de valores de vo para los que el MOSFET est en saturacin (0,5 p.)
Figura 3
( b) mas 1 =CCNt>Jec\;;..L.t" 1 (
e s. E.'r -=r
..J.
Ca2\'t.)
~ \J us. =- Ve .
Ejercicio 1. El fotodiodo del circuito de la figura 1.1 se puede .modelar mediante el circuito equivalente de la
figura 1.2. En oscuridad desde mucho tiempo atrs, recibe a partir de t = O una iluminacin tal que produce una
corriente fotogenerada constante Ir= 10 A como muestra la figura I .3. Se pide:
a) Calcular la tensin de salida en estado estacionario en oscuridad (t < O) y en iluminacin (t ~ oo) (1,0 p.)
b) Expresar la variacin de la tensin de salida en funcin .del tiempo t para t > O (l;O p.)
e) Calcular el tiempo de conmutacin tlH que se define como el que tarda la tensin de salida en alcanzar el 90 %
' .
de su yalor final desde que se establece la iluminacin (0,5 p.)
=
DATOS: VcC'= 5 V; R = 100 kn; ln(lO) 2,3; el diodo en inversa (vD::; Vr= 0,7 V) e~ rgimen transitorio equivale
a una capacidad de valor C1 = 1O pF y en estado estacionario a un circuito abierto, siempre en paralelo con la fuente
de corriente proporcional a la iluminacin.
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Ejercicio 4. El fotodiodo D del circuito de la Figura 4.1, presenta en inversa una capacidad parsita entre sus terminales
::; = 10 nF. El circuito equivalente del diodo incluyendo la fotogeneracin y la capacidad parsita se muestra en la Figura 4.2.
Por tanto, el fotodiodo iluminado se puede modelar como un diodo ' Convencional en paralelo con una fuente de corriente
constante de valbr i y en paralelo con un 'condensador de valor C. , . .
Para t<O; el fotodiodo no est iluminado. A partir de t =O recibe una iluminacin c.onstante que genera una foto corriente
i = 1 mA. Se pide:
a) Calcular la tensin de salida v0 con e diodo en oscuridad (t:::; O) (0,7 p.)
b) Calcular la tensin de salida v0 cuando el diodo lleve mucho tiempo iluminado (t---* ro) (Q,7 p.)
e) Calcular cunto tiempo despus del comienzo de la iluminacin (t) la tensin de salida alcnza su valor final (0,8 p.)
e
LUZ=t
DATOS: R = 100 kQ; Vcc = 5 V Modelo lineal por tra~os del diodo: Vr= O
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A~ .4-t.lu. M.OS ~~
Ejercicio 5
~ conmutador de la figura 5.1, tras mucho tiempo en la posicin A, pasa en t =O a la posicin B. Se pide:
1 Calcular el voltaje y la corriente del diodo justo antes del cambio de posicin del conmutador (en t =o-) (0,4
p.)
b) Lo mismo, justo despus del cambio (en t= o+) (0,4 p.)
c) Lo mismo, mucho tiempo despus del arribio (cuando t ~ <;0) (0,4 p.)
d) Calcular el tiempo toN que tarda el diodo ep ponerse en directa (vD ::O: Vr) desde que cambia la posicin del
conmutador (0,8 p.)
NOTA: Por un generador de corriente en circuito abierto no circula corriente.
A B
~
Las ecuaciones del diodo en rgimen dinmico pueden
aproximarse linealmente por tramos como:
I +Vcc .
lv
.
VD _-::;, Vr => l D :::: CJ
> . _
dvD
--;;-
VD - Vr dv D
Figura 5.1 VD - Vr => 1D = + CD
RF dt
DATOS: Vcc= 5 V; R= 1 kQ; lec= 1 mA
Diodo: Vr = 0,7 V; RF = 5 Q; CJ= 0,5 nF; CD= 0,5 F;
. -)?.
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V
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-::k:c-= Co d\Jr:>Lt)
dv~~l ~ ~l
V
Ejercicio 4.
El circuito de la figura 4.1 , utilizado para desplazar el nivel de continua de la seal de entrada, se excita
con el pulso dibujado en la figura 4.2. .. .
. .
a) Calcule el valor de la tensin en bomas de la :capacidad ve y la tensin de salida v 0 para el estado
estacionario en el intervalo t < O (0,5 p.).
b) En t =O se produce la transicin y v1 pasa a valer -5 V. Indique el valor de la tensin de salida v 0 y el
estado del diodo en el instante t =O+ (0,5 p.).
e) Obtenga la ecuacin diferencial que rige la evolucin de ve en el intervalo O < t < T, y calcule la
expresin de vo(t) en ese caso (1 p.).
d) En t=T la tensin a la entrada vuelve a cambiar al valor VF. Si T = 1 ms, indique el valor de la tensin
de salida Voy el estado del diodo en el instante t = T (0,5 p.).
Ve
+
1
e 1 :
V
DATOS:
C = 100 F; R= 100 !:f:.VF= 7 V; VR = 5 V
Para el diodo:
Modelo con tensin de codo Vy = 0,5 V y resistencia en directa rF = H1.
Efectos capacitivos internos despreciables
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JUNIO 2006
. Ejercici ~.El circuito de la figura 4.1 consta de un transistor MOSFET de acumulacin y una resistencia de
carga RD La tensin ele entrada V; se representa en la figura 4 .2. Calcular:
a) El valor de la tensin de salid~ para t=O, v.0 (0), y para t-+oo, v 0 (t~) (0,7 _p) .
: . .
b) La expresin de Ja tensin de salida, v0(t), para t>T (0,9 p)
c) Si la resistencia de carga RD se sustituye por una carga activa, como muestra el circuito de Ja figura 4.3,
vuelva a calcular el valor de Ja tensin de salida para t=O, v 0 (0) (0,9 p)
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Figura 4.3
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EBAS
Problemas
adicionales
Ejercicio l.
En el circuito de la figura 1 los cuatro diodos, Di, D2, D3 y D4 son iguales. El generador Va es de tensin
continua.
a) Para Va= O V, diga, razonando la respuesta, en qu estado se encuentra cada uno de los diodos.
Calcule la corriente por las resistencias Ri. R 2 y R1 . (1 p)
b) Para Va = 7 V demuestre que los diodos D 1 y D4 estn en OFF. Calcule el valor de la tensin de
salida, V0, y la corriente por la resistencia R1 (1 p)
c) Para VG = -7 V explique cul ser el estado de cada uno de los diodos. (0,5 p)
ON
I OFF"
-Vcc
Va-~ .-. Vn
?<" "' '
.-- - .-._.,.______-._
,.,_.,.___ V
+
Vo-1 r~ 2\ v}2
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V.o?Vp
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+
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Di_:ou -:::i rl)"' qL/by >O Vk
D3 ;;olJ ~ I.o3 "" q4tr >o v6k
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o~ =off =0 VD{< V/.{ ::) V01 = (Vo+ ~)- VG ,,.. (4,6r;+q:)- 1 = - 1f~ < ~ :01i Vk_
DL/=OPF 0 Vo11 < Vrl{ ::;) ~'I"' ~ - (VG-Vn) = 4,&5'"-(7-01~) =-1ls < ,}- =ql v6k
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D2 "OFF =) ~ < /Yl ~ ~b"' (V6 +V11 ) - V0 = (-? +o,1)-(-f./,6)) = - J,bS- < ~ =q-=t vOk
03 =oP=' ~ V03 < \1),3 ~ Va3 = VG - ( Vo - Va-q) -:: - -: -(- ~(~ - q+) =: -1,6S" < I} = cr.:t 15k
2
FEBRERO 2007
Ejercicio 2.
El circuito de la figura 1 representa un amplificador CMOS. Los dos transistores M1 y M2 son normal OFF.
Se pide:
sduro..c,(r.
a) Calcular /Dl,JD2 y V"o (en continua) y los parmetros del circuito equiv~ente en pequea seal, gm y r0 ~
para cada transistor. Compruebe que ambos transistores trabajan en@ Para el anlisis de polarizacin
tome VA -700, pero no use esta aproximacin para ningn otro clculo. (lp)
b) Dibujar el circuito equivalente en pequea seal y calcular la ganancia de tensin, Av =v0 /V;. (1,5p)
vt>D
DATOS:
VDD=5V; ~=2,5 V; R=312,5 kn
M2 iADSFET
IH f405FfT
tJ../;uw, CM?{ p VI.CU+, co.no.l /[,.
Xrii A- .11ri..
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V;D1 > v,,Ds..t f Vs/)/ : VAO - ~ = s-- 21 r =2, s- > Vso.1<.f =2 ~k Vos2 > Yciss"'t 9 ~52 "' V0 "' 2S :> ~5s..f "' 2 v;k
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1 1
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R +ro-- t;,.,_
4
FEBRERO 2007
Ejercicio ~ -
a) Para t <O, diga el estado en el que se encuentran los diodos D 1 y DLED y el transistor. Calcule. la
corriente de colector del transistor, ic , la corriente a travs del diodo, iLED, y la tensin en los bomas
del condensador v0 (0,9p)
b) Para t-+oo, diga el estado en el que se encuentran los diodos D 1 y~ y el transistor. Calcule la
corriente de colector del transistor, ic , la corriente a travs del diodo, iLED, y la tensin en los bornes
del condensador v0 (0,9p)
c) Calcule la variacin d~ la tensin en el condensador para t>O, v0 (t). (0,7p)
Va
DATOS:
Vcc =5 V; Re =2kn; RB =500 Q;
R=l,8k; C=IO nF
:rl>l
Ra
V
5V Diodo LED: Modelo lineal por tramllos::r1>2
R
re r~uro. z
con V,,LED = 1, 2 V
Transistor Bipolar:
V,,E =0, 7 V; VCEsar =0,2 V; ,8=100
lfz Vo.z
i.
~-l=v~
0 F1 uro-,
"-------------------------
')
Circuk t%.-i t<o(i'o-).~it>)VI estCA.L-1or0.fo. V =O
r l/Y
fi'B
,,
~.? 1.11'1~ tiJsl5 : f1tflr1s.for" evi 5Cflf~OY1 1 D.f ,, DAJ j Dt@ e., OFF
~-F1
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tI.c
Re .+
r----vw Vce
,, _I_ vat:
V; l -
Po-r fo.,,,,, ' DIED ; OFF ~ Viiu-o .( V,e =) Vpts.!l = o, q < ..f, 2 V6k aj J t..t.f) IM OFF]
6
FEBRERO 2007
Ejercicio 3.
El circuito convertidor tensin-corriente de la Figura 1 est formado por un par diferencial con dos transis-
tores idnticos que trabajan en activa. Se pide:
a) Calcular las corrientes de los colectores lc 1 e lc 2 en continua y los parmetros r.n-I y rtr 2 del modelo
equivalente para pequea seal de los transistores T1 y T2 respectivamente. (O,Sp)
b) Dibujar el circuito equivalente en pequea seal del circuito completo (no utilice el teorema de
Bartlett). (lp)
c) Sobre el circuito anterior, calcular la resistencia de entrada del circuito en modo diferencial,
ln == :vrJI i =(v1 -v2 )/ i~do la seal alterna en modo comn ve =0. (lp)
. es dec.r
1~e DATOS:
Transistor:
P=lOO;. J/;=25 mV.
l'
__,.
-V.ce
b)
lf,-
'
~
l\,tr1 rr
f-~
p~ ~r Re. 'T2
mi
(1+~)ib1 ~ J (f+~)ii,2
f?s Re;
Ejercicio 5
desean conocer las limitaciones del Amplificador Diferencial representado en la figura 5, en lo que
_~specta a algunos valores de diseo.
Vvv
DATOS:
Rv VDn= 10 V; Rn = 10 kQ
Fuente de corriente: lo=l mA; VcE,sa; = 0,2 V
o
L_ Vvv Transistores NMOST idnticos: Vr= 1 V
( VfN
Caracterstica 1-V en saturacin:
ID= 1c(Vas - Vr) 2
con K = 0,125 mNV2
-Vss
Figura 5
Se quiere disear el amplificador para que funcione correctamente en un cierto rango de tensin de entrada
comn (VJN = Vnv; VnvMIN s v!N s VIN.MAX ).
a) Calcular el valor de la tensin continua en el nodo O cuando el Amplificador Diferencial funciona
correctamente. (0,2 p.)
_) Expresar exclusivamente en funcin de la variable Vm la tensin continua en el nodo S cuando el
Amplificador Diferencial funciona correctamente. (0,3 p.)
e) Para un cierto valor de VIN= VINMIN, alguno(s) de los componentes del circuito se sita(n) en el lmite de
su funcionamiento deseado. De qu componente(s) se trata? En qu lmite se halla(n)? (0,5 p.)
d) Calcular el valor de Vss para que VJN.1v1nv= -5 V. (0,5 p.)
e) Para un cierto valor de Vm= Vnv.MAX, alguno(s) de los componentes del circuito se sita(n) en el lmite de
su funcionamiento deseado. De qu componente(s) se trata? En qu lmite se halla(n)? (0,5 p.)
";) rv;;-
~
= v,,, -IJ?o , v., -; R, =}O ~ i )O:SvJ
j" :v-e TD1 =IDz = qs /t1 f1
"'U
v;.= J. ~s
bJ ), k. fET /v~ro.n oorrec~Tu ~
r;s:- / ~5 = 3 (de wJr VGs>VT)
r, = k V.,- Vr( )
2.
_, o,s- =O,l> (v.,- l )' -) !{;, = ~ vci!k + 1 d/Jii -d = ~ r
& o.rifu; cTu ~s -i=.bil,,, .~ ~ AAr/416 _Es
e_..., TD 2 jp,,r vN'c.oo~ le t/, ~ frW/Si/iftfJ, ,~i, J ~oli 5:
VGs "VG-~ "'ViN-Vs ='/ Vs: V,N-~s ~\ Vs= VIAJ-3]
cj. p.:;..,.l.. ~J c1rtvrlt:i l/JM~~ c,,r.-ecf~_ hf F'E1; ~ ~Jo.e r g, Sc..wc.c.hn ~
l1is~ {,Ss.oT =) l{:; "?Ves-~ -) Va\) Viu-\-V. => /J ~ Vo+VT =S+:i = bV =) Vt>J ~tv t01J,..,11.
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Va~ V'.:e,o.i => Vc-V ~tla..t -) V5 -(-V.,..,)? Vecsa.-t ~) Vw-3 +tlss lfc&.:t '""':::i l!IJ 3' 9-VsstVCE',,,.t =.J
.-j V'1~ 3-Vss+0,2 ~_.) VJN ~ ~2-Vss ~) 1V,t-lmm=3,1--Vss] f1~.~ fJ1..f1t fc.sloll:AJ ck o..cbit>-Jim.:A{~J..)
j so.fvro...cir,.
10
SEPTIEMBRE 1999
Ejercicio 4. Er este ejercicio se propone el estudio de un Amplificador Operacional real con etapa de
entrada asimtrica, ganancia finita e impedancia de salida no nula. Su circuito equivalente se ha
representado en la figura 4.1.
R(l+s)
V+ VA
R(l-&)
r<11
0 -}-.------;; 1
[ 1?0 ~Rs ]=)\ R'o ..son
2(f
/?{)-!)
~'~ RDH)
12.l Ac =- \lo.: ?
7 \!c '
IDD=5V~RD=7k.U;Jo= l mA
Transistores iguales: k = l mA.V-2; Fr= l V; f'A-+ "'-'
Las fuentes de cmTiente continua son ideales
Figura 4
') 'lo~
Im.=Ya :1,.,A
b) 1.' Ate?
D Vc. __,. _______
~:f ~-~:!--.---
oh" 2k (V.w VT):: z..r.(2-1). 2mZ
~,,,=ZVkip -= 21(4T::: 2tt1lf
) ftcro Ca~v [
____ ...,....,,
v'"
14
JUNIO 1997
Ejercicio 5.-
:i Fig. 5.1 muestra un circuito comparador utilizado para excitar un diodo LED. Mientras la seal de
entrada v1 puede variar de forma continua con el tiempo, la seal de salida v0 slo puede tomar dos
valores ..
DATOS
Vcc= lOV
r-~-e y0 R =3KQ, R2=1K, R3=1KQ.
A.O ideal sin efectos capacitivos.
+
V"-' Diodo aproximado por tramos rectos con:
lvD r=IOQ, lfy=0.6V,
Capacidad de despoblacin (vD < Vy) =lOpF
Fig.5.1 Capacidad de difusin (vn < Vy)=O F
5
j v'o '.
5
. - 7
C) lo.
5
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15
d) ({:;)
fcrc_ .._______., ~ =-Vc 1 D=CJFF
@
vf]
<@
~J
t
VD
EDO
"T7T'
-t
16
, JUNIO 1999
Ejercicio 3. En el circuito de la figura 3.1 los dos MOSFET de canal n (MI y M2) son iguales. Lo
mismo ocurre con los dos MOSFET de canal p (M3 Y M4). Los cuatro son normalmente off (acumulacin)
y 1 Vr 1 es el mi.smo para los catro. Suponiendo que los cuatro MOSFET estn trabajando en saturacin .
(su ecuacin es la que se indica en la figura 3.2), detennine:
a) La expresin de i2 en funcin de i1 a partir de las ecuaciones que imponen M3 y M4 (0,5 p)
b) La expresin de vo en funcin de v1 y v2 (no es un anlisis de pequea seal), es decir, exprese v0 =
fiy1,v2) (0,5 p)
e) La expresin de vo en funcin de VD y ve, vo = g(vD, ve), siendo vn=v1-v2 y vc=(v 1+v2)/2 (0,5 p)
d) A partir de la expresin anterior (vo = g(vn, ve)) y haciendo el desarrollo en serie en tomo al punto
vD=Vo, vc=Vc, calcular la seal alterna v en funcin de las seales alternas vd y Ve, suponiendo que la
amplitud de las seales alternas vd y Ve es suficientemente pequea como para en el desarrollo en serie
se puedan despreciar los trminos de las derivadas de orden 2 o mayor. v0 , VD y ve se pueden
descomponer como sigue: vo=Vo+v, vn=Vn+vd, vc=Vc+vc donde Vo,VD y Ve son seales continuas y
adems Vo=g(Vn,Vc). (1 p)
+ Vss
D s
~ ~
ii
- Vss
Figura 3.1 Figura 3.2
l.?=~1
~ , J ~)1\ lz. == l. :1
lo'f ::12
b) t V=d(~A)? <f!!} ~ 1)
< K'k. ~y, +V,+?~, -ZIV1/)(v,-V,, R~ (v}-1;'4. +~ -V,2 + z(,,-v,)V,, -'2(v, -V,)~1 ~ --')
~ :; 2Rkn (ve+ Vss - J VrY =.) ;v~ {fo Ye} -= 2f2krt{t-+ fss- - J\'1-V
~' 2/f:k, VD =) :?l (ir,;,-i;) ~ 2 R&,Vr,
Va ~v+~ =Y"+2Kkl{Vc+Vs 5 -fVr/)(v.i~,=~)+2RkhVo(vc+~') J
18
SEPTIEMBRE 2000
c =~00
--, . .
siendo Va(t) la parte alterna de la tensin de
vc(t)
-Vcc
salida. (0,4 p.)
Figura 4
Por ltimo, las entradas se excitan con una (pequea) seal diferencial V;(t) = - v12(t) = vlJ)/2.
e) Dibuje el cto equivalente de pequea" seal (0,7 p.)
V 0 (t)
d) Calcule la ganancia A0 ?= - - (0,6 p.)
vAt)
DATOS: /31 = /32 = /3 >> 1, rir = /3 k~/e, r 0 --7 ce, kT /e:::: 0,025 V
e
NOTA: Considere los efectos capacitivos de los transistores despreciables.
b/ ) ' A - !2.fil
v'Jt.} ?
<:. -
tL VJ. {t) <:: ~2 a) = Ve {t) )&;().( t:omJn,
/)OTti:
;,.,
A
f(I ef
fu,..,,,
/~ ~~rc;.d~ =>
""Jo i:>.) b_
vdo "" ,J
V0
f-.r",;..
~ vn~ ~j ~invc:... !{ ""'-0/fV. fn f!./ c;..fJc
iicci.
20
JUNIO 1999
Ejercicio 2. La figura 2.1 muestra un circuito "multiplicador de VsE" que realiza la funcin de
mantener en sus terminales una tensin aproximadamente proporcional a la tensin vnE del BIT. Para su
correcto funcionamiento, la corriente de base B debe ser despreciable en el nodo B. Sabiendo que el BIT
opera en activa:
=
a) Calcule el valor de M que cumple que v M vnE suponiendo que q +
is es despreciable en el nodo B (0,8 p.)
b) Si se ha medido V= 1860 mV y VsE = 61 O m V, calcule el valor 2R
del parmetro hs del BJT (0,9 p.)
e) En el punto de trabajo del apartado b), calcule la resistencia
1 <=>
V 1
V
equivalente del circuito como componente de dos terminales
para pequea seal a frecuencias medias (0,8 p.) R
bJ V-::42,0niV
lfe:-= .()OmV
v- lfeE - 1~6-o,6d. _-~- ,, 2 ~ A
4,2r _ 0 o..Jrn
,_---f@ T
2R=- 2.R - 2-J Z '
21
.
(
~
2R
t
N V
=J
=)
22 '
JUNIO 1997
Ejercicio 3
pretende estudiar cmo influyen ciertos elementos externos (circuito de polarizacin) y factores
ntemos de un transistor de efecto de campo, en el comportamiento del dispositivo. Para ello, considrese
el circuito de la figura.
+V DO
DATOS:
Circuito de polarizacin:
VDD = Vss= + 5 V ; V00 =O V.
Transistor MOSFET (de acumulacin), de canal n:
Vr = 3 V ;
k =
z = 10- 3 A /
k' - V2
L
L: Longitud del canal; Z: Anchura del canal
mximo y mnimo de gm si f
1A:1 = 16 1~ 0,02 . (0,6 p.)
) RD?
rr : VGs =VG6 - Vss l \0s~ ~ v,G - Vss o -(-s) =!V] 1nJ~j,en~ J, RD
:=
fE ' ~s = ~s - v66 = -S" -o =-> < Vr = sv -)[ /{osf'rr Cy/ c.r-&. VRD 1
CJ d ~ ? wfl- Rn =1k.JZ.
(f' = 1,, = 2k{VGs- V,.} = 2k:1l. [tf@s - VT) = 2jo-'{5-3) =l/ )6 3 A/V J,,j, k= k1. =J03')
alfa's L
24
JUNIO 1998
Ejercicio 1
El componente de dos terminales de la figura 1 limita la tensin en bomas de la resistencia R mediante la
/~~accin de los diodos D1 y D2.
a) Cules esa tensin lmite en valor absoluto, si considera como primera aproximacin el modelo lineal
por tramos para los diodos? (0,6 p.) -
b) Obtenga y represente grficamente la caracterstica 1 - V del componente en e~ttica, utilizando de
nuevo el modelo lineal por tramos. (0,8 p.)
e) Considerando como segundo nivel de aproximacin el modelo de Shockley para los diodos, calcule el
valor de la resistencia equivalente rEQ del componente para pequea seal en el punto de trabajo_.
VQ = 580 rnV. (0,6 p.)
DATOS: R = 1 kn, Vi= 25 mV
11
+ Parmetros de los diodos,
+ Modelo lineal por tramos:
R V Vr:;t: O, rd =O, Vz-+ oo
Modelo de Shockley:
Is= 2,1 pA
Figura 1 I - - diD
--gd - dv
ra v vD=va
. NOTA: Para el clculo de pequea seal del apartado e) los efectos capacitivos de f'os. diodos son
despreciables. +. vl> - In
O..) ~
r!>
ON -\~
Of'f-
-
@ V
+- r
(J.,;Of='F" +
'{=-V"h' t( vo.or frm,fe t!$ 1 [f' lo.nl~ :
,~-&.; V R
D~:OtJ fip2 \ Vi..1; ~ vr]
ir +.
D,::OFF
+
V
-1/r <V< Vr
Dz:DFF R (s1 :;ohmos ,k e.f:... rcvi~o
JQ~ J..J, se F"'- en OH)
J.r +
o.,: ov V:~ ::-V't .ffl
Vr ~ V c~ ,mps,ble.
Di:: otJ
I
~
R
-----
Ejercicio 4
El circuito de la figura permite medir el parmetro he ( z fJ) del transistor T3 a travs de la ganancia de
tensin en pequea seal A.,=v/v5 Para ello se polariza un circuito en emisor comn con una corriente de base
(ls3 =lc2) fija, de 50 A, mediante un circuito Widlar (espejo de coniente con reduccin o lente de corriente).
Dado que el transistor T3 es de tipo npn, para realiz.ar esta polarizacin se requiere una fuente Widlar con
transistores pnp.
a) Calcular la corriente ICJ y la resistencia R2 para obtener esa corriente de base en T 3. (0,8 p.)
b) Si la ganancia medida a frecuencias medias vale Av=-v0 vs=-200. cul es el valor de he del transistor T3?.
Suponga en este apartado que el transistor T3 se encuentra en activa y que la resistencia equivalente en
pequea seal de la fuente Widlar vista entre los terminales BE de T3 es infinita. (0,4 p.)
. e) Para el valor de h1e obtenido en b) comprobar que, efectivamente, el transistor medido, T3, se encuentra en
activa. (0,3 p.)
d) Calcular la frecuencia de corte inferior del circuito. (0,5 p.)
VEE
: ............................... :
:" --- --- -------- :
Datos:
f31 = ~2 >> 1
(en activa) VEB1=VEB2 =0,7 V
(en activa) VBE3 = 0.7 V
h;e3 (k.Q) = 0,025/IB3Q (mA)
Rc1 = 4,65 k.Q
Rc3= 1 k.Q
VEE=IOV
!X)~ R,,q -
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Vu
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VC3 ~ V119 -Vea = O,1 -S- =-4, 3 V < O ~) Umrr.. k-r.Ur "" ~ve=. -cOS 13 CI! ""'."' direc~.
Ejercicio 2. La figura 2 muestra un circuito receptor de comunicaciones pticas que emplea un fotodiodo
orno sensor y un amplificador de corriente realizado con un JFET de canal n. El fotodiodo, de sensibilidad
s, equivale desde el punto de vista circuital, a un generador de corriente de valor sp (siendo p la potencia
de la pequea seal luminosa incidente) en paralelo con un diodo, como muestra la figura 2.
a) En ausencia de seal (p = O), calcule Rs para que h = O, comprobando que el diodo opera en OFF y el
transistor en saturacin (1 p.)
b) Dibuje el circuito equivalente de pequea seal para frecuencias medias (0,5 p.)
i
e) Calcule la relacin - 1- de pequea seal y frecuencias medias(0,5 p.)
p
d) Halle el margen dinmico a la salida para la seal ii, sabiendo que no est limitado por el diodo ni
porque el JFET entre en regin de corte o gradual, sino por la falta de validez del modelo de pequea
seal del transistor.
NOTA: Considere el margen dinmico de la corriente como la mxima amplitud simtrica de i1 que no
produce distorsin. Suponga que el JFET es un dispositivo aproximadamente lineal si: vg,I <!Vas -Vz.l/5
(O,Sp.).
Vcc
DATOS:
Vcc= 12 V,
h==h+i1 RD = 3 kD., Ra = 1O kD., Cs--+ oo.
S-p
...
Para el fotodiodo:
Vr = 0,5 V, Vz --t oo,
s = 0,5 AJW
-Vcc
Figura 2
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