CUESTIONES PRCTICAS CORRESPONDIENTES AL TEMA 3:

1) Suponga que la movilidad de los electrones en la plata es Ag=75 cm2/V. Estime la

fraccin de los electrones de valencia que estn transportando carga elctrica.

La densidad de portadores de la plata en condiciones tericas es:

n0=Nelectrones en una celda unidad/Volumen de la celda unidad=
1(electrn/tomo) 4( tomos de Ag/celda de Ag)/(parmetro de la red fcc de la Ag)3

El correspondiente valor terico de la movilidad sera terico=/n0q donde se puede

obtener de la tabla 18.2

La fraccin entre la movilidad experimental y la terica sera Ag/terico =0.97

Esto querra decir que el 97% de los electrones de valencia de la plata estn ya excitados
en la banda de conduccin a la temperatura del dato del enunciado.

2) La resistividad elctrica de una aleacin de berilio, que contiene un 5% del

elemento aleante, es 5010-6 cm a 400C. Determine las contribuciones a la
resistividad debidas a la temperatura y a las impurezas. Cul sera la resistividad
elctrica a 200C, si el berilio contuviera un 10% atmico del elemento aleante?

a) Una aleacin tiene una resistividad elctrica debida a dos componentes: trmica y
residual (impurezas) =TermImp
La componente trmica se calcula segn Term=0(1+T-T0)).
A 400C, Term= 41.510-6 cm (0 y de la tabla 18.3))
A esa misma temperatura, Imp,5%=Term10-6 cm=10-6 cm.

b) Si ahora la aleacin tiene un 10% de elemento aleante, x (tanto por uno)=0.1

Imp, 10%=b(1-x)x=16.110-6 cm (b se obtiene de los datos del apartado anterior)

Temp a 200C=0(1+-T0))
Temp a 200C + Imp, 10%

3) Suponga que la mayor parte de la carga elctrica transferida en el Al2O3 es

causada por la difusin de los iones Al3+. Determine la movilidad de los portadores
y la conductividad elctrica del Al2O3 a 500C y a 1500C (aydese de los datos de
la tabla 5.1 y del ejemplo 14-1 del Askeland).

Para el clculo de la movilidad, , y de la conductividad inica, , se emplean las

expresiones:

= ZqD/kT y = Znq

Donde Z es la valencia del in, D su coeficiente de difusin, q la carga del electrn, k la

constante de Boltzmann, T la temperatura y n la densidad de iones en el material. Segn
el enunciado Z=3.

El coeficiente de difusin a cada temperatura se obtiene a partir de la expresin:

D=D0exp(-Q/RT), donde D0 y Q pueden tomarse de la tabla 5.1.
Para el clculo de n seguimos el siguiente mtodo:
n=Nmero de iones de Al3+ en una celda unidad de Al2O3/Volumen de la celda unidad de
la Al2O3= 12/(253.83)3 (datos del ejemplo 14.1)

4) Para el Germanio, el silicio y el estao compare a 25C:

a. el nmero de portadores de carga por centmetro cbico

b. la fraccin de los electrones excitados a la banda de conduccin respecto de
todos los electrones de la banda de valencia
c. la constante no

a) El nmero de portadores de carga por centmetro cbico a una temperatura

determinada, ntemp, se calcula del siguiente modo:
ntemp=/q(e+h) donde ey h son las movilidades de los distintos portadores que
contienen estos semiconductores intrnsecos: electrones y huecos, respectivamente.

b) El nmero de portadores de carga tericos por centmetro cbico nterico, se calcula del
siguiente modo:
nterico=N de portadores por cada tomo en una celda/Volumen de la celda unidad=
4(portadores/tomo)4 (tomos en una celda)/(parmetro de red)3
La fraccin de electrones excitados respecto a todos los disponibles en la banda de
valencia es simplemente ntemp/nterico
c) La expresin n=n0exp(-Eg/2kT) permite el clculo de la densidad de portadores a
cualquier temperatura en un semiconductor intrnseco de gap Eg. Si queremos calcular
la constante n0 basta con que igualemos dicha expresin a los resultados del apartado a)
teniendo en cuenta que T=25C, n0= ntempexp(+Eg/2kT25C)

5) Estime la conductividad elctrica del silicio dopado con 0,0002% atmico de

arsnico a 600C (a esta temperatura la conductividad del silicio dopado se
encuentra por encima de la regin de saturacin) A qu temperatura se da dicha
regin de saturacin?

a) Para un semiconductor extrnseco, la conductividad a temperaturas por encima de la

saturacin de las impurezas es:
=imp,saturadas+intrnseco = nAsqelectrones+0exp(-Eg/2kT)

El clculo de la densidad de impurezas, nAs, es el siguiente:

nAs=[(0.0002tomos de As/100 tomos de Si)(8 tomos de Si en cada celda)]/Volumen
de la celda del Si)=(1610-6)tomos de As/(5.4310-8cm)3, donde se han empleado datos
de las tablas del libro de Askeland. Del mismo sitio se obtiene, electrones= 1900 cm2/Vs
Con todo ello se puede ya calcular, imp,saturadas

Para la componente intrnseca de la conductividad, intrnseco, es preciso determinar

primero la cantidad 0. Para ello utilizamos el dato de la conductividad del Silicio a
25C (tabla 18.6).
0=intrnseco a Cexp(+Eg/2kT25C)
Posteriormente, intrnseco a C=0exp exp(-Eg/2kT600C)
b) La conductividad de un semiconductor extrnseco est dominada a bajas temperaturas
por las impurezas pues son las que tienen un gap muy pequeo. Una vez que las
impurezas han cedido todos sus portadores a la banda de conduccin, stas quedan
saturadas y la conductividad del semiconductor extrnseco es constante durante un
cierto rango de temperaturas. Para temperaturas elevadas, los electrones del Si son ya
capaces de superara el gap del semiconductor intrnseco (mucho mayor que el de las
impurezas) y entonces la conductividad vuelve a aumentar con la temperatura. Esta
ltima regin est dominada por la conduccin del semiconductor intrnseco
La transicin entre la regin saturada y la intrnseca se verificar cuando impurezas,
saturadas=intrnseco. Utilizando las expresiones del apartado anterior:
nAsqelectrones =0exp(-Eg/2kTsaturacin), de donde debe obtenerse Tsaturacin

6) Determine la cantidad de arsnico que debe combinarse con 1 Kg de galio para

producir un semiconductor tipo p con conductividad elctrica de 500 (cm)-1 a
25C. El parmetro de red del GaAs es de aproximadamente 5,65 y tiene la
estructura de la blenda de zinc.Un metal medianamente resistente y muy dctil

A 25C la conductividad elctrica de un semiconductor compuesto estequiomtrico

como el AsGa est dominada por las impurezas, luego C= nAs,25Cqhuecos. Para
determinar la densidad de portadores se emplear esta expresin y los datos de la tabla
18.8.

As, nAs,25C = C/qhuecos.

Por otro lado, la densidad de portadores en un compuesto AsGa sin dopar ser la
calculada a partir de consideraciones tericas (estructurales), esto es:

nAsGa=(N de huecos/tomo)(tomos de As o Ga en cada celda)/Volumen de la celda del

AsGa=(44)huecos/(5,65 )3

La fraccin de ambas densidades indica el grado de defecto exceso de As en un

semiconductor compuesto de AsGa, F= nAs,25C/ nAsGa

Si un mol de AsGa tiene 75g de As y 70 de Ga, un 1Kg de Ga precisar de (75/70)1Kg

de As para fabricar AsGa perfectamente estequiomtrico. Como deseamos que el AsGa
sea ligeramente no estequiomtrico y adems con la conductividad elctrica pedida en el
enunciado, la cantidad de As necesaria deber ser corregida:

As necesario=[(75/70)1Kg]F