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Silicio

Debido a que es un material semiconductor muy


abundante, es el material bsico para la creacin de obleas
o chips que se pueden implantar en transistores, pilas
solares y una gran variedad de componentes electrnicos.
Se han desarrollado muchos dispositivos electrnicos
utilizando las propiedades de transporte de los
semiconductores basados en silicio; su uso en la electrnica
ha aumentado de forma importante. As, veremos algunas de
las ms importantes:
Rectificadores (dispositivos de unin tipo p-n): se
producen uniendo un semiconductor tipo n con otro tipo
p, formando una unin tipo p-n. Los electrones se
concentran en la unin tipo n y los huecos en la unin p.
El desequilibrio electrnico resultante crea un voltaje a
travs de la unin.
Los microchips: son circuitos integrados,
actualmente utilizados como base para equipos
electrnicos y ordenadores. Los podemos encontrar en
cualquier tipo de aparatos, ya que pueden albergar
circuitos elctricos completos en un espacio bastante
reducido. Dichos circuitos se crean mediante la tcnica de
fotolitografa y son protegidos por una capa de plstico o
cermica.
Transistores de unin bipolar: un transistor se puede
usar como interruptor o como amplificador. El transistor
de unin bipolar (BJT), se suele utilizar en unidades de
procesamiento central de computadoras por su rpida
respuesta a la conmutacin.
Para el desarrollo de circuitos integrados, es necesario
utilizar silicio con una pureza del 99.99%. Para obtener
silicio con esa pureza se emplea el proceso de Czochralski.
En este proceso se comienza fundiendo silicio amorfo en un
crisol. Una vez el silicio se ha fundido, se introduce una
varilla con un pequeo cristal de silicio en la punta (llamado
semilla) y se comienza a girar lentamente y a tirar de la
varilla. Este proceso de rotacin y tirado hace que a la
semilla se vayan agregando tomos de silicio de manera
ordenada siguiendo la estructura cristalina de la semilla. A
partir de este proceso se obtienen unas barras de
aproximadamente 1m de largo.

Una vez obtenida la barra de silicio monocristalino, se


corta en lminas de 0.5m a 1mm de espesor y se pulen.

Nitruro de galio:
Es el componente ideal para dispositivos de potencia,
tales como los transistores de efecto de campo (MOSFETs)
El desarrollo del diodo emisor de luz azul y el lser azul,
permitiendo la creacin de la tecnologa del Blu-ray Disc.
Se utiliza para la fabricacin de circuitos integrados,
dispositivos optoelectrnicos como diodos lser y LEDs.
Tambien se utiliza en la fabricacin de transitores, diodos y
clulas solares.El galio se obtiene como subproducto en la
obtencin de zinc y de aluminio y se hallan trazas del metal
en minerales como la bauxita, carbn, diasporo, germanita
y esfalerita.
El nitrgeno se obtiene a travs de un proceso
denominado destilacin. La destilacin es un proceso
caracterizado por un doble cambio en el estado fsico, en
que una sustancia, inicialmente en estado lquido es
calentada hasta alcanzar la temperatura de ebullicin,
transformndose en vapor y nuevamente enfriada hasta
que toda la masa retorne al estado lquido.

El El crecimiento de Cristales de GaN no es tan fcil


como el crecimiento de silicio. GaN es slo fundido a una
temperatura de 2225 C , a esa temperatura es necesario
mantener el nitrgeno a una presion de 64,000 Altmosferas
para evitar la descomposicin del material.

Arseniuro de galio
Su principal aplicacin es en la construccin de
circuitos integrados a frecuencias de microondas, diodos de
emisin infrarroja, diodos lser y clulas fotovoltaicas. y
dispositivos optoelectrnicos en telfonos celulares y
mviles para la transmisin de seales. Adems, el
arseniuro de galio se emplea para transmitir informacin
por fibra ptica a travs de lseres para tratamiento
superficial (VCSEL) o para suministrar energa mediante los
paneles solares con clulas fotovolticas de los satlites. En
la industria de semiconductores se utiliza ante todo la
composicin de AlGaAs/GaAs (arseniuro de galio y aluminio
/ arseniuro de galio) para produccin de heteroestructuras
semiconductoras.

El arsnico se obtiene por la fusin de minerales de cobre,


plomo, cobalto y oro, se obtiene trixido de arsnico que se
volatiliza en el proceso y es arrastrado por los gases de la
chimenea que pueden llegar a contener ms de una 30 % de
trixido de arsnico. Los gases de la chimenea se refinan
posteriormente mezclndolos con pequeas cantidades de
galena o pirita para evitar la formacin de arsenitos y por
tostacin se obtiene trixido de arsnico entre el 90 y 95 %
de pureza, por sublimaciones sucesivas puede obtenerse
con una pureza del 99 %.
El proceso por el cual se obtiene el arseniuro de galio
implica una fundicin a 1280 grados celcius de arsnico y
galio, donde se obtiene un lingote cilndrico de AsGa. Luego
se corta en trocitos denominados tortas o wafers en
ingls. Luego se depositan sobre ellas en
monocristalino, sucesivas capas de aleaciones ternarias de
distintos elementos Indio, Arsnico, Galio, etc. Estas capas
se graban en un proceso de fundicin por fotolitografa con
mscaras donde se dejan grabados los dibujos de los
circuitos integrados que se quieren obtener para los
distintos usos en electrnica.