INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAO, CINCIA E TECNOLOGIA

CAMPUS FORTALEZA
LABORATRIO DE ENSAIOS MECNICOS (LEM)
CINCIA E TECNOLOGIA DOSMATERIAIS

PROPRIEDADES ELTRICAS

FORTALEZA- CEAR

2017
 ALUNOS:

JOSE CLOMILSON COSTA MORAES NETO

DANIEL SILVA DE OLIVEIRA

EDNARDO RODRIGUES DA SILVA

GEDSON COSTA DA SILVA

HIGOR MONTEIRO DOS SANTOS

PEDRO HENRIQUE DA SILVA MONTEIRO

RAFAEL CORDEIRO COSTA

PROPRIEDADES ELTRICAS

Trabalho de pesquisa sobre as

propriedades eltricasdos materiais, tendo
como livro texto: Cincia e Engenharia de
Materiais. Uma Introduo Callister, 5.
Edio, captulo 19. Este material faz parte
da unidade curricular de Cincia e
Tecnologia dos Materiais do curso
Tecnlogo em Mecatrnica do IFCE
Campus Fortaleza.

Orientador:
Prof.: Eloy
 PROPRIEDADES ELTRICAS DOS MATERIAIS

Resumo

Existem diversos tipos de materiais e eles possuem diversas propriedades, dentre

as quais as mais importantes esto as propriedades eltricas.
A eletricidade o ramo da fsica que investiga os fenmenos naturais que envolvem
a existncia de cargas eltricas estacionrias ou em movimento. As principais
propriedades eltricas dos materiais so: Condutividade, Resistividade, Constante
Dieltrica, Rigidez Dieltrica, Piroeletricidade, Termoeletricidade;Piezoeletricidade,
Ferroeletricidade e Efeito Hall. O trabalho abaixo tratar de algumas dessas
propriedades e outros assuntos pertinentes ao tema.

Palavras-chave: Eletricidade, Propriedades Eltricas, Condutor, Semicondutor,

Isolante, Resistividade, Leis de Ohm.

Abstract

There are several types of materials and they have several properties, among which
the most important are the electrical properties.
Electricity is the branch of physics that instigates the natural phenomena that involve
the existence of stationary or moving electric charges. The main electrical properties
of the materials are: Conductivity, Resistivity, Dielectric Constant, Dielectric Rigidity,
Pyroelectricity, Thermoelectricity; Piezoelectricity, Ferroelectricity and Hall Effect. The
work below will address some of these properties and other issues pertaining to the
topic.

Keywords: Electricity, Electrical Properties, Conductor, Semiconductor, Insulator,

Resistivity, Ohm Laws.
Sumrio

1. Conduo eltrica ......................................................................................................... 3

Lei de Ohm .............................................................................................................. 3
Condutividade Eltrica ............................................................................................. 4
Conduo Eletrnica e Inica .................................................................................. 4
Estrutura da Banda de energia nos slidos.............................................................. 5
1.7 Conduo em termos de bandas e modelos de ligao atmica ............................. 9
2. Condutores ................................................................................................................. 10
Resistividade Eltrica dos Metais .......................................................................... 10
3. Isolantes ...................................................................................................................... 11
Resistncia Superficial .......................................................................................... 11
4. Semicondutores.......................................................................................................... 12
Semiconduo Intrnseca ...................................................................................... 13
Semiconduo Extrnseca ..................................................................................... 14
5. Efeito Hall .................................................................................................................... 16
6. Dispositivos Semicondutores .................................................................................... 16
Transistor .............................................................................................................. 17
Transistores de juno ....................................................................................... 17
MOSFET ............................................................................................................ 18
Diodo ..................................................................................................................... 20
7. Conduo Eltrica em Cermicas Inicas ................................................................ 21
8. Propriedades Eltricas dos Polmeros ...................................................................... 21
9. Comportamento Dieltrico ......................................................................................... 23
Capacitncia .......................................................................................................... 23
10. Ferroeletricidade ..................................................................................................... 25
11. Piezoeletricidade ..................................................................................................... 25
12. CONCLUSO ........................................................................................................... 27
 INTRODUO

Ter conhecimento das propriedades eltricas dos materiais de suma importncia

quando se deseja construir uma estrutura, componente ou at mesmo tomar
decises durante a execuo de um projeto. A apreciao das propriedades
eltricas de materiais muitas vezes importante, quando na seleo de materiais e
processamento. Quando se fala em propriedades eltricas estamos nos referimos
a muitos termos que se relacionam de alguma forma como comportamentos
eltricos, condutividade eltrica, isolantes eltricos e outros diversos termos.
Conhecer tal comportamento eltrico de um material significa estudar suas respostas
quando o mesmo se encontra sob o efeito de um campo eltrico. Esse estudo
envolve o fenmeno da conduo eltrica e seus parmetros, alm de outros
fenmenos peculiares como a ferroeletricidade e piezoeletricidade. Esses estudos
so feitos principalmente em metais, materiais semicondutores e em isolantes.

1. Conduo eltrica

Lei de Ohm

A lei de Ohm uma lei que foi determinada pelo fsico alemo George Simon Ohm e
compreende um dos conceitos mais bsicos e fundamentais da eletricidade, ela
relaciona a corrente, voltagem e resistncia.

Sua frmula dada por:

V = IR
Onde:
V = Tenso eltrica com unidade no SI dada em Volts (V).
I = Corrente eltrica com unidade no SI dada em Ampere (A).
R=Resistncia eltrica com unidade no SI dada em Ohms ().

A voltagem eltrica pode ser definida como sendo a magnitude com que os eltrons
so impulsionados dentro do circuito e proporcional a corrente eltrica que
percorre os seus condutores, que por sua vez pode ser definida como sendo o fluxo
de eltrons que percorre um condutor, ou melhor, a quantidade de carga de 1C
3
que percorre a seco do fio em 1s, ou seja 1C/s. O Valor da resistncia R sempre
ir depender do material utilizado.

A Resistividade, , uma resistncia especfica de cada material, quanto mais baixo

for o valor da resistividade, mais facilidade o material ter para conduzir corrente
eltrica. A Resistividade est relacionada a R atravs da expresso:

=

Onde: = Resistividade eltricacom unidade no SI dada em Ohm-metro (-m).

R = Resistncia eltrica do material com unidade no SI dada em Ohm ().

A = rea da seco reta perpendicular direo da corrente com unidade no SI

dada em metros quadrados (m).

L =Comprimento do material com unidade no SI dada em metros (m).

Condutividade Eltrica

A condutividade eltrica () o inverso da resistividade e pode ser definida como

sendo a capacidade com um determinado material suporta o fluxo de uma corrente
eltrica, e a partir da resistividade pode-se determinar a natureza eltrica dos
materiais e classifica-los de acordo com suas caractersticas em Condutores,
semicondutores e isolantes:

Condutores = 1,6 x 108 a 1,4 x 106-m.

Semicondutores = 1,0104 a 1,0 x 106-m.

Isolantes = 1,0 x 107 a 1,0 x 1018-m.

Conduo Eletrnica e Inica

Sabemos que a corrente eltrica surge pelo efeito da aplicao de um campo

eltrico que gera o movimento de cargas. A Conduo eletrnica um fenmeno
que ocorre devido o fluxo de eltrons em metais e semicondutores, j a conduo
inica o fluxo de ons que geralmente ocorre apenas em materiais inicos
4
isolantes. Solues que contm compostos inicos conduzem eletricidade, ou seja,
os compostos inicos so condutores eltricos, tanto os dissolvidos em gua, como
tambm os puros no estado lquido. A existncia de ons em meio ao processo
possibilita que os mesmos tenham liberdade para se movimentar e serem atrados
pelo eletrodo, fechando assim o circuito eltrico.

O entendimento poder ser melhor definido em relao a condutividade eltrica dos

compostos inicos, vejamos conceitos a respeito de deslocamento de metais:

ons Zn2+ no reagem com o cobre (Cu), portanto, este metal, uma vez presente
em soluo contendo ons Zn2+, no permite a passagem de corrente eltrica.

Solues inicas formadas por ons Cu2+ e ons Ag+ oxidam o zinco (Zn), ou seja,
permitem a passagem de corrente eltrica por este metal.

Os compostos inicos Cu2+ e Zn2+ no conduzem eletricidade quando em contato

com a prata metlica.

Compostos inicos que contm ons Ag+, quando em contato com o cobre, tornam
a soluo condutora de eletricidade.

Estrutura da Banda de energia nos slidos

Os materiais slidos apresentam constituio de um grande nmero de tomos que

so ligeiramente ligados e agrupados de forma agrupada e com ordenao
formando um composto atmico para uma determinada estrutura cristalina. Porm,
antes de formar esse arranjo atmico composto, esses tomos j foram distribudos
e separados uns dos outros e portanto cada tomo era sem dependncia dos
demais, e medida que o material foi se solidificando esses tomos foram se
aproximando de forma que surgiram interaes entre eles.

Os materiais slidos so visualizados como sendo N tomos que, inicialmente

separados, passam a se ligar para compor o arranjo ordenado que se encontra num
arranjo cristalino, por exemplo.

5
 As separaes relativamente grandes, definem cada tomo como uma ilha, mas
quando os tomos se agrupam, ocorrem perturbaes causadas pelos eltrons e
ncleos prximos.

s bandas de energia so originadas pelo princpio da excluso de Pauli, cada

estado atmico isolado se divide ento numa srie de estados eletrnicos distintos e
prximos.

O comprimento dessa diviso depende da aproximao interatmica e se

manifesta inicialmente com as camadas de eltrons mais externas.

Figura 1 - Esquema de bandas em slidos

tomos isolados tm nveis de energia

discretos.
Existiro faixas de energia possveis aos
eltrons - BANDAS PERMITIDAS
Tambm existiro faixas de energia que no
so possveis de ocupao por eltrons GAP
Bandas Proibidas

Fonte: Elaborado pelo autor

6
 Os estados eletrnicos continuam a ser discreto, em cada banda de energia,
porm a diferena entre estados prximos demasiado pequena.

Podem surgir espaamentos que so chamados de gaps de energia entre bandas

prximas tais estados energticos no esto, em geral, disponveis para ocupao
eletrnica.

O nmero total de estados em cada banda sempre igual aos estados

contribudos pelos N tomos que se associam. Por exemplo, uma banda s ter N
estados, e uma p ter 3N estados (sem falar no spin).

Figura 2 - Bandas de Energia

Fonte: Callister & Rethisch 5e.

Bandas e Energia de Fermi

A energia de Fermi EF a mais alta energia de um estado preenchido

temperatura de zero kelvin.

H quatro estruturas principais encontradas em slidos a 0 K. A figura a seguir

ilustra cada uma delas.

7
 Figura 3 - Estrutura de bandas em slidos

Fonte: Elaborado pelo autor

Nvel de Fermi () o valor de energia mximo de ocupao de estados

eletrnicos na temperatura zero absoluto 0K

Isolantes - Gap muito grande; em temperaturas normais nenhum eltron consegue

passar da banda de valncia para de conduo.

Semicondutores O gap no to grande; uma frao de eltrons pode passar

para a banda de conduo por ativao trmica.

Tipos de Estrutura de Banda

A primeira estrutura corresponde a banda mais externa est apenas parcialmente

preenchida com eltrons (at ). Essa estrutura caracterstica de alguns metais,
como o cobre, que possuem um nico eltron de valncia s. Cada tomo possui um
eltron em 4s, mas um slido de N tomos comportaria na banda correspondente
2N eltrons. Portanto, apenas metade das posies estaria preenchida.

J a segunda estrutura, h uma superposio entre uma banda vazia e uma

preenchida. O magnsio possui uma estrutura desse tipo. Cada tomo de magnsio
possui dois eltrons em 3s. No entanto, na formao do slido, a banda associada a
3s se sobrepe banda 3p. Nesse caso, a zero kelvin, o nvel de Fermi dado por

8
aquele abaixo do qual, para N tomos, N estados esto preenchidos (dois eltrons
por estado).

O terceiro tipo de estrutura corresponde de um isolante. H uma banda de

valncia preenchida separada de uma banda de conduo vazia e um espaamento
(gap) entre elas. O espaamento considerado alto, o que explica a dificuldade de
os eltrons atingirem condies de conduo.

O quarto tipo de estrutura corresponde de um semicondutor. H tambm uma

banda de valncia e uma de conduo, mas o gap entre ambas menor, o que
explica um aumento na condutividade.

Conduo em termos de bandas e modelos de ligao atmica

Somente eltrons E > participam da conduo So chamados de eltrons livres.

H tambm o espao vazio, que tem carga eltrica positiva e encontrado em

semicondutores e isolantes. Os espaos vazios tm energia menor que a energia de
Fermi e tambm participam da conduo.

A condutividade eltrica uma funo direta do nmero de eltrons livres e

espaos vazio e este nmero que permite diferenciar um condutor de um no-
condutor.

Figura 4 - Conduo em condutores

Fonte: Elaborado pelo autor

9
 2. Condutores

Quando se fala em condutores eltricos se vem primeiramente na cabea os metais,

isso por que de conhecimento geral que os metais so excelentes condutores de
eletricidade, isso se deve ao fato de que os metais esto quase sempre ligados por
redes cristalinas, que so uma espcie de infinitos pontos de tomo em forma de
grupos que se repetem ao longo do espao tridimensional, na rede cristalina 8 ou 12
tomos do mesmo elemento metlico fica circundando os tomos adjacentes, dessa
forma adquirindo a propriedade de possuir as mesmas atraes em todas as
direes. Como os tomos dos metais possuem 1,2 ou 3 eltrons na ltima camada
eletrnica (Camada de valncia), e essa camada a mais afastada do ncleo do
tomo, ou seja sofre pouca atrao por parte do ncleo, os tomo se liberam
facilmente e transitam de forma livre pelo reticulado, formando o que conhecido
como mar de eltrons livres que iro possuir a funo de formar as ligaes
metlicas, e assim manter os tomos unidos. Por essa razo os metais so bons
condutores de eletricidade, razo essa que tambm pode ser explicada pelo fato de
que o mar de eltrons livres possibilita uma transio mais efetiva de carga atravs
do metal, assim quando aplica-se uma tenso eltrica externa nas extremidades de
um metal, os eltrons livres se deslocam para o polo positivo da fonte de tenso,
fenmeno conhecido como corrente eltrica.

Resistividade Eltrica dos Metais

Como j foi explicado, a resistividade uma espcie de resistncia especfica para

cada material, uma vez que a resistncia a oposio de o material apresenta ao
fluxo de corrente eltrica, e o inverso da condutividade. A resistividade geralmente
dada em funo da temperatura ambiente (20C), uma vez que a resistncia
especfica dependente da temperatura. Nos caso dos metais e para o restante dos
considerados bons condutores de eletricidade, a resistividade proporcional
temperatura, ou seja, quando aumenta-se a temperatura a resistividade do metal
tambm ir aumentar. J foi provado experimentalmente que a resistividade total
dos metais dependente das vibraes trmicas do material, da temperatura e
ainda da deformao plstica que o material venha a ser submetido, ou melhor,

10
igual soma desses fatores. Sabe-se que onde h defeitos cristalinos, h tambm
uma espcie de espalhamento de eltrons, assim dificultando a transio de
cargas e aumentando a resistividade do material.

A adio de tomos de impurezas afeta a resistividade por meio da formao de

soluo slida, ou seja, quando deseja-se aumentar a resistncia de um material por
meio da soluo slida, consequentemente ir se diminuir a resistividade do
material.

A equao conhecida como regra de Matthiessen descreve essa propriedade dos

metais por meio da equao:

T= r + i + d

Onde T= Resistividade total do material.

r = Resistividade devido a impurezas.

d = Resistividade devido deformao plstica.

3. Isolantes

Os isolantes so materiais onde os eltrons no conseguem se mover de forma livre

como nos materiais semicondutores, como por exemplo a borracha, vidro e leos.
Os isolantes tambm so conhecidos como materiais dieltricos, e possuem uma
propriedade chamada rigidez dieltrica que se refere a mxima tenso que pode
ser aplicada nas extremidades de um isolante sem que o mesmo venha a se romper.

Resistncia Superficial

A resistncia superficial se refere isolantes slidos, onde pode-se afirmar que a

resistncia desse tipo de isolante muita alta, assim a corrente que o percorre
baixa. Porm, esses isolantes costuma acumular impurezas como poeiras e at
mesmo umidade, o que faz com que a corrente possua um novo caminho para
percorrer, assim se diz que sua resistncia superficial.

11
A figura a seguir mostra os dados referentes rigidez de alguns materiais isolantes:

Figura 5 Condutividade dos materiais

Fonte: Repositrio digital do EBAH

Nesta tabela pode-se observar que os materiais com maior rigidez so os mais
utilizados industrialmente, como por exemplo a Mica que possui rigidez dieltrica de
160 MV/m, e utilizada na fabricao de capacitores, sendo usada como dieletros.

4. Semicondutores

Os semicondutores se referem aos materiais que possuem propriedade de

condutividade intermediria entre condutores e isolantes. Em sua grande maioria
so slidos cristalinos e so muito semelhantes aos materiais cermicos, sendo
muitas vezes considerados uma subclassificao das cermicas.

A maior utilizao dos materiais semicondutores na fabricao de componentes

eletrnicos, principalmente diodos e transistores.

5Disponvel em: <http://www.ebah.com.br/content/ABAAAfF3kAB/condutividade-dos-

materiais?part=2> Acesso em nov. 2017.

12
Na chamada Fsica do Estado Slido, um fenmeno usado para determinar se
um material condutor, semicondutor ou isolante, fenmeno esse que se trata das
bandas de energia. J explicado anteriormente, esse fenmeno envolve o fato de
que os tomo possuem camadas preenchidas eletronicamente e outras no
preenchidas, sendo que sua ltima camada se chama camada de valncia, onde
os eltrons que nela se encontram so excitados de forma a ficarem livres
(passagem dos eltrons da Banda de Valncia para a Banda de conduo), e para
fazer com que os eltrons realizem essa transio, necessrio uma energia, e
essa energia mnima necessria para que o eltron saia da banda de valncia e
passe para a banda de conduo que vai determinar a natureza do matria em
termos de condutividade.

Semicondutores: Energia de transio de banda de eltrons encontra-se abaixo de

4,5eV.

Isolantes: Energia de transio de banda de eltrons encontra-se igual ou superior

4,5eV.
Condutores: Neste tipo de material no h necessidade de realizar a transio de
eltrons para a banda de conduo, pois nos condutores as banda de conduo
sempre estaro semi preenchidas.

Semiconduo Intrnseca

A Semiconduo intrnseca caracterizada pela separao de menos de 2eV

(eletron-volts), separao considerada estreita, de uma banda de valncia
totalmente preenchida e de uma banda de conduo completamente vazia 0K, e o
espaamento entre as bandas chamado de banda proibida.

13
A figura a seguir representa os semicondutores intrnsecos:

Figura 6 Bandas dos semicondutores

Fonte: Elaborado pelo autor

Para este tipo de material no h o surgimento de corrente eltrica mesmo quando

aplicado um campo eltrico, pois uma de suas bandas encontra-se vazia enquanto a
outra encontra-se totalmente preenchida.

Os dois principais semicondutores so o silcio e o germnio, e cada um possui

energia de espaamento de 1,1 eV e 0,7 eV, respectivamente. Alm desses
elementos outros apresentam a propriedade da Semiconduo intrnseca, so ele os
elementos dos grupos IIIA e VA da tabela peridica.

Semiconduo Extrnseca

A maioria dos semicondutores considerados comerciais so extrnsecos, isso por

que o que caracteriza a Semiconduo extrnseca a concentrao de impurezas, e
adicionar tomos de impureza possvel por meio de diversos tratamentos
qumicos, assim fica fcil transformar um semicondutor intrnseco em extrnseco,
pois na presena de impurezas, mesmo que em pequenas concentraes, fazem os
eltrons surgirem em excesso, alm de surgirem tambm os chamados buracos o
que facilita-se a transio de eltrons entre as bandas de energia. Como exemplo
podemos citar o silcio que necessita de aproximadamente de 1012 tomos para
tornar-se extrnseco temperatura ambiente.

14
A Semiconduo extrnseca pode ser dividida em Semiconduo extrnseca do tipo
n e Semiconduo extrnseca do tipo p:

Como j foi explicado anteriormente, os materiais semicondutores podem ser

tratados quimicamente de vrias formas para que se possa modificar suas
caractersticas. Uma dessas formas o mtodo da Dopagem.

O processo de dopagem consiste em introduzir tomos de substncia diferentes dos

tomos que fazem parte a rede semicondutora, processo semelhante insero de
impurezas nas estruturas cristalinas, como por exemplo o Silcio onde seu processo
de dopagem pode ser feito adicionando um tomo de fsforo em sua rede
semicondutora.

Veja na figura a seguir o exemplo de processo de dopagem do silcio utilizando um

tomo de fsforo:

Figura 7 Dopagem do Silcio

Fonte: Repositrio de imagens do Wikipedia

O que caracteriza o tipo de Semiconduo Extrnseca o tipo de impureza dopante.

Se a impureza dopante for doadora, ou seja, os eltrons de sua camada de
valncia esto dispostos a serem liberados do seu orbital, a semiconduo ser
extrnseca do tipo n, e tem o propsito a produo de eltrons livres no material,
porm se a impureza dopante for aceitadora, ou seja, com os orbitais
semipreenchidos, e prontos para receber eltrons, a semiconduo extrnseca ser
do tipop.

7Disponvel em: <https://pt.wikipedia.org/wiki/Semicondutor> Acesso em nov. 2017.

15
Os semicondutores extrnsecos do tipo-N tm o nvel de Fermi mais prximo da
banda de conduo, j os do tipo-P, tm o nvel de Fermi mais prximo da banda de
valncia.

5. Efeito Hall

O Efeito Hall um fenmeno que ocorre na eletricidade e foi descoberto por Edwin
H. Hall quando ele estudava as formas de se medir os sinais dos portadores de
cargas em um condutor. Naquela poca os fsicos j sabiam que ao se colocar um
fio, no qual esteja se conduzindo uma corrente eltrica, dentro do campo de alcance
de um campo magntico, surgiria uma fora que fazia com que o movimento das
cargas no condutor fossem alterado. Porm, Edwin percebeu algo a mais, ao se
expor esse condutor percorrido por uma corrente eltrica a um campo magntico
surgia novas regies com cargas negativas e outras com cargas positivas, e
percebeu tambm que surgiria um campo magntico perpendicular ao campo
magntico produzido pela corrente principal.

6. Dispositivos Semicondutores

Os dispositivos semicondutores possuem propriedades eltricas nicas nas quais

permitem a execuo de funes eletrnicas, e por isso utiliza-los na elaborao de
circuitos eletrnicos. Como seu nome j diz, eles so fabricados a partir de materiais
semicondutores, tendo como principais matrias primas o Silcio e o Germnio, e os
dispositivos semicondutores mais conhecidos so o Diodo e o transistor, que
surgiram para substiturem as vlvulas a vcuo, que costumavam ser imensas,
consumiam uma grande quantidade de energia alm de sofrerem bastante com o
elevado aquecimento. Com o surgimento de dispositivos de dimenses to
pequenas foi possvel diminuir tambm o tamanho dos circuitos, e a partir dessa
ideia foram criados os Circuitos Integrados (CIs), tais surgimentos e inovaes foram
responsveis por revolucionar o mundo da indstria, que vieram a crescer de
maneira surpreendente.

16
 Transistor

O transistor um dos dispositivos semicondutores mais importantes do ramo da

eletrnica, e por isso est presente em quase todos os circuitos eletrnicos que
possam existir. Isso por que eles podem desempenhar dois papeis fundamentais
dentro dos circuitos que so amplificar sinais eltricos e servem tambm para a
criao de chaveamento de energia, ou seja, uma espcie de interruptor nos
circuitos. utilizado principalmente em computadores, no setor de processamento
de informaes. Os dois principais tipos de transistores so os Transistores de
juno e os Transistores de Efeito de Campo com Semicondutor Metal-xido
(MOSFET).

Transistores de juno

Os transistores de juno so fabricados com a juno p-n, e nas combinaes p-n-

p ou n-p-n, sendo a primeira a mais utilizada em circuitos eletrnicos. Como j foi
dito, os transistores so muito importantes nos circuitos microeletrnicos, e os
transistores de juno so os mais utilizados principalmente na fabricaes de
Circuitos Integrados, que tambm possuem em sua fabricao os resistores,
capacitores, diodos e outros diversos componentes microeletrnicos.

A figura a seguir mostra o esquema de ligao dos transistores de juno N-P-N e

P-N-P:

Figura 8 Transistores

Fonte: Sparkfun Education

8 Disponvel em: <https://learn.sparkfun.com/tutorials/transistors> Acesso em nov. 2017.

17
Na imagem podemos observar que os transistores possuem 3 terminais: Coletor,
Base e Emissor. Basicamente o transistor funciona como uma espcie de chave, e
nesse ponto onde se tem a principal diferena entre os transistores de juno que
est na tenso de base, que se trata da tenso necessria para fazer com que a
corrente percorra do terminal coletor para o emissor e vice-versa, dependendo do
tipo. Nos transistores NPN necessrio que se aplique uma tenso na base prxima
a 5V enquanto se mantem a tenso no emissor prxima a 0V (GND), desta forma a
corrente aplicada no coletor ir fluir at passar pelo emissor e percorrer o restante
do circuito, j no transistor PNP, necessrio que se mantenha a tenso na base
prxima a 0V (GND) enquanto a tenso no emissor esteja prxima a 5V, assim a
corrente ir fluir do emissor pro coletor e a partir dele sair para o restante do
circuito.

MOSFET

Os transistores de efeito de campo foram criados antes mesmo dos transistores

comuns bipolares. No entanto, na procura de dispositivos de alta potncia, o
MOSFET se tornou um componente extremamente popular e comeou a ser o
preferido em muitas aplicaes. MOSFET a abreviao de Metal-Oxide-
Semiconductor Field Effect Transistor ou Transistor de Efeito de Campo de xido de
Metal Semicondutor. Sua estrutura semelhante dos transistores de juno,
porm o MOSFET possui 4 terminais, sendo eles Dreno (Drain), Fonte (Source),
Porta (Gate) e Substrato (Body).

Um MOSFET composto de um canal de material semicondutor (que geralmente

o silcio, mas alguns fabricantes comearam a usar uma mistura de silcio e
germnio). O terminal de comporta uma camada de polisilcio (slicio policristalino)
colocada sobre o canal, mas separada deste por uma fina camada de dixido de
silcio isolante.Em uso, ocorre que quando uma tenso aplicada entre os terminais
comporta (gate) e fonte (source), o campo eltrico gerado penetra atravs do xido e
cria uma espcie de canal invertido no canal original abaixo dele. Dessa forma, ele
cria um condutor atravs do qual a corrente eltrica possa passar. Variando-se a
tenso entre a comporta e a fonte, modula-se a condutividade dessa camada e torna
possvel controlar o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte.

Na dia a dia, o MOSFET utilizado em equipamentos eletrnicos para amplificar o

sinal enviado pela unidade principal para alimentar os alto-falantes. Chegando assim
em maior potncia do som produzido. Alm da maior potncia, a tecnologia
MOSFET influencia na qualidade do udio produzido, evitando distores e
contribuindo para uma melhor eficincia sonora do aparelho.Existem tambm
modelos de Amplificador operacional baseados na tecnologia FET/MOSFET, muito
teis e com grande utilizao na indstria eletrnica.
18
 Figura 9 Componente MOSFET

Fonte: Addicore

Veja na figura a seguir o esquema eltrico da estrutura de um MOSFET:

Figura 10 Mosfet

Fonte: Quora

Nele, h uma pelcula entre a regio do Dreno e a Fonte, regio que composta de
xido-Metal.

9 Disponvel em: <https://www.addicore.com/IRF9540N-P-Channel-Mosfet-23-Amp-p/163.htm>

Acesso em nov. 2017.

10 Disponvel em: <https://www.quora.com/Can-the-drain-and-source-of-a-MOSFET-be-

interchangable> Acesso em nov. 2017.

19
 6.2 Diodo
Assim como a maioria dos semicondutores, o diodo tambm composto de Silcio
ou Germnio, porm ele formado em uma espcie de cristal semicondutor onde
suas faces constituem uma pelcula cristalina, que se utiliza o processo de dopagem
com diversos materiais para sua fabricao para que ele possa ser polarizado.

O diodo um dos dispositivos semicondutores mais simples e sua funo dentro de

um circuito basicamente retificar a corrente eltrica, quando necessrio. O diodo
responsvel pela base da eletrnica analgica, com ele fazemos os diversos tipos
de retificadores e sua forma de polarizao de suma importncia para os diversos
circuitos, tendo funo significativa em circuitos que limitam a corrente em
determinados sentido.

Sua simbologia est representada na figura a seguir:

Figura 11 Diodo

Fonte: Repositrio de imagem do Wikipdia

Como podemos ver na figura, o diodo possui dois terminais o nodo e o ctodo,
onde na aparncia real do diodo, logo abaixo da simbologia, vemos que o ctodo
indicado por uma barra fina, indicando tambm o sentido que a corrente ir fluir
entre seus terminais.

11 Disponvel em: <https://pt.wikipedia.org/wiki/Diodo_semicondutor> Acesso em nov. 2017.

20
 7. Conduo Eltrica em Cermicas Inicas

Os materiais inicos so formados por compostos inicos, que na qumica significa

que esses compostos so ligados a partir de ligaes inica, e para forma-lo
necessrio um elemento metlico e um no metlico, isso por que o elemento
metlico ir servir como um on positivo (Ction) e o no metlico ir servir como um
on negativo (nion). Porm, s iro servir como ons os elementos no
neutralizados eletricamente, ou seja, aqueles em que no h equilbrio entre a
quantidade de prtons e eltrons. Dessa forma, o material ir adquirir a capacidade
de conduzir corrente eltrica. Como a maioria dos materiais cermicos so formados
por materiais isolantes quando encontrados na temperatura ambiente, suas bandas
de energia tambm vo ser semelhante dos materiais isolantes, ou seja, eles iro
possuir uma banda de valncia preenchida e uma banda de conduo vazia que iro
ser separada por um espaamento de bandas (GAP) maior que 2 eV, que
considerado grande. Assim, quando submetidos temperaturas normais, restam
poucos eltrons a serem excitados, tendo como resultado um valor muito baixo de
condutividade, e consequentemente um valor relativamente elevado de resistividade,
j que so grandezas inversamente proporcionais, alm disso a resistividade
tambm proporcional a temperatura, ou seja, quanto maior for a temperatura,
maior ser a resistividade do material cermico.

8. Propriedades Eltricas dos Polmeros

Assim como os materiais inicos, os polmeros tambm apresentam propriedades

isolantes quando encontrados temperatura ambiente, e em termos de bandas de
energia sua estrutura tambm igual ao dos materiais inicos, ou seja, uma banda
de valncia preenchida separada da banda de conduo vazia por um
espaamento de bandas (GAP) relativamente grande, resultando em uma
quantidade de eltrons livres muito pequena para o processo de conduo, e por
isso sua condutividade muito baixa.

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Veja na tabela a seguir os valores de condutividade para alguns polmeros:

Tabela 1 Condutividade de alguns materiais polimricos.

Material Condutividade Eltrica [( )]

Fenol-formaldedo 109 - 1010
Polimetil-metacrilato < 1012
Nilon 6,6 1012 1013
Poliestireno < 1014
Polietileno 1015 1017
Politetrafluoroetileno < 1017

Fonte: Repositrio de imagem do Wikipdia

Porm, com o avano da tecnologia, aproximadamente na dcada de 70, foi

desenvolvido um mtodo para a produo de polmeros condutores, ou seja
possvel sintetizar polmeros que tenhas propriedades eltricas semelhantes aos
metais que so bons condutores. Os polmeros sintetizados possuem propriedades
eltricas, trmicas, magnticas e at mesmo pticas semelhantes aos elementos
metlicos, inclusive alguns polmeros so sintetizados com condutividade que
chegam at 1,5 X 107 ( )1. O processo para sua sintetizao envolve o
conceito de bandas de energia e dopagem, assim sendo semelhante tambm aos
semicondutores, podendo ser produzidos do tipo N e do tipo P, dependendo do
elemento dopante utilizado. Porm algo curioso ocorre com suas bandas de energia,
ao contrrio dos semicondutores, os elementos dopantes no iro ocupar o espao,
ou seja, substituir os tomos do polmero. De certa forma, ao inserir-se um tomo
dopante na estrutura do polmero, surgem novas bandas de energia que se
sobrepem s bandas de valncia e de conduo originais do polmero isolante.
Contudo, ir surgir uma quantidade de eltrons livres e buracos, fazendo com que
o polmero se torne condutor temperatura ambiente.

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 9. Comportamento Dieltrico

Um material dieltrico um tipo de material isolante eltrico (no metlico) que

quando submetido fora de um campo eltrico acima de sua rigidez dieltrica,
liberado o fluxo de corrente eltrica.

Como j foi explicado, a rigidez eltrica valor limite de atuao do campo eltrico
sobre um material isolante, sendo que a partir desse valor os tomos se ionizam e o
material dieltrico deixa de possuir caractersticas dos isolantes.

Os materiais dieltricos podem se encontrar nos estados slidos, lquidos ou

gasosos, porm os slidos so os mais utilizados no ramo da eltrica, por serem
melhores isolantes.

Veja na tabela a seguir os valores da rigidez eltrica de alguns materiais:

Tabela 2 Rigidez eltrica de alguns materiais.

Materiais Rigidez Eltrica (V/m)

Ar 3 x 106
Baquelite 24 x 106
Nylon 14 x 106
Papel 16 x 106
Quartzo 8 x 106

Fonte: Instituto Newton C. Braga

Capacitncia

O capacitor de placas paralelas um exemplo da aplicao do efeito dieltrico, pois

neste dispositivo ao aplicar-se uma tenso eltrica uma de suas placas se torna
positiva enquanto a outra se torna negativa, e o seu campo eltrico direcionado da
positiva para a negativa. Por isso a frmula para calcular o valor da capacitncia
envolve a quantidade de cargas armazenadas em cada uma das placas.

23
Observe a seguir:

=

Onde C = A capacitncia com unidade dada em Farads (F).

Q = Carga eltrica armazenada, com unidade dada em Coulombs (C).

V = Tenso aplicada, com unidade dada em volts (V).

Figura 12 Esquema de um capacitor de placas paralelas.

Fonte: Saber Eltrica.

Figura 13 Simbologia de um capacitor.

Fonte: Repositrio de imagem do Wikipdia

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Como a capacitncia sempre vai depender do material isolante introduzido entre
suas placas, quanto maior for a constante dieltrica do material isolante introduzido,
maior ser a capacitncia.

10. Ferroeletricidade

Os materiais Ferroeltricos exibem polarizao espontnea, ou seja, so capazes de

se polarizar sem a presena de um campo eltrico. Esta polarizao espontnea
ocorre devido posio dos ons dentro da clula unitria. A polarizao espontnea
resulta como consequncia de interaes entre dipolos permanentes adjacentes que
se alinham na mesma posio. A ferroeletricidade foi descoberta por Joseph
Valasek enquanto estudava as propriedades dieltricas do sal de Rochelle
(KNaC4H4O64H2O). Os materiais que possuem propriedades ferroeltricas so de
estrutura cristalina e so dieltricos, ou seja, no conduzem corrente eltrica. Hoje
em dia o material ferroeltrico de maior importncia o Titanato de Brio, sendo
usado no fabrico de condensadores de multicamada. Este material adota a estrutura
cristalina da Perovskita (estrutura aproximada CCC, porm os ctions podem
distorcer a estrutura, tornando-a inclinada).

11. Piezoeletricidade

A piezoeletricidade o fenmeno na qual a polarizao introduzida em um

material cristalino pela aplicao de foras externas. Essa fora externa geralmente
considerada uma presso mecnica. Ao se inverter o sinal da fora externa, a
direo do campo tambm ir ser invertida. Os materiais piezoeltricos geralmente
so usados em transdutores, que so dispositivos que convertem deformaes
mecnicas em sinais eltricos, ou vice-versa, isso por que eles geram tenso eltrica
a partir de presses mecnicas.

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 Figura 15 Efeito piezoeltrico.

Fonte: Physik instrumente.

Figura 16 Piezoeltrico.

Fonte: Repositrio de imagens Mercado Livre

16 Disponvel em: < https://produto.mercadolivre.com.br/MLB-750266038-10-piezo-ceramico-

pastilha-disco-piezoeletrico-_JM> Acesso em nov. 2017.

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 12. CONCLUSO

Portanto, a partir da exposio dessas informaes, podemos perceber o quanto

complexo e importante o conhecimento a respeito das propriedades eltricas dos
materiais. Como j foi dito, saber as propriedades fundamental quando desejamos
saber sua correta aplicao, seja em qual for o caso, elaborao de projeto ou
dispositivos. Saber qual material utilizar para fabricar determinado dispositivo, ou
quais no usar. Os dispositivos semicondutores foram responsveis pela revoluo
tecnolgica dos ltimos anos, pois com o avano na eletrnica, a indstria veio a
produzir em larga escala.O grande desafio da engenharia determinar a utilizao
de determinados materiais quando submetido em condies fora do limite de
normalidade, ou seja, em condies especficas, j que muitos materiais sofrem
alteraes dependendo da sua condio de aplicao, e para isso estudos
avanados devem ser realizados para determinar suas propriedades em sua
condio de servio.

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 13. REFERNCIAS

CALLISTER, William D. Jr. Cincia e engenharia de materiais: uma introduo. 5edio.

Rio de Janeiro: LTC, 2000.
EDISCIPLINAS USP.Propriedades Eltricas dos Materiais.Disponvel em:
www.usp.br.https://edisciplinas.usp.br/pluginfile.php/188823/mod_resource/content/1/aula%2
09%20Propriedades%20el%C3%A9tricas.pdf. Acesso em 17 de novembro de 2017.
SISTEMAS EEL.Propriedades Eltricas. Disponvel em:
http://sistemas.eel.usp.br/docentes/arquivos/5840726/LOM3035/Aula3-
PropriedadesEletricas-Isolante.pdf. Acesso em 18 de novembro de 2017.
MUNDO EDUCAO, Uol.Propriedades dos Metais.Disponvel em:
http://mundoeducacao.bol.uol.com.br/quimica/propriedades-dos-metais.htm. Acesso
em 20 de novembro de 2017.
UDESC JOINVILE.Semicondutores.<http://www.joinville.udesc.br>Disponvel em:
http://www.joinville.udesc.br/portal/professores/lucio/materiais/SEMICONDUTORES.pdf. Acesso
em 21 de novembro de 2017.

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