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1. Qu es la resistividad?

La resistividad elctrica (tambin conocida como resistividad, resistencia elctrica


especfica o resistividad de volumen) cuantifica la fuerza con la que se opone un material
dado al flujo de corriente elctrica. Una resistividad baja indica un material que permite
fcilmente el movimiento de carga elctrica. Los metales de resistencia baja, por ej. el
cobre, requieren mayores corrientes para producir la misma cantidad de calor. Los
materiales de resistencia baja tambin exhiben una baja resistencia constante.
2. Qu es la conductividad?
La conductividad elctrica, es la capacidad de los cuerpos que permiten el paso de la
corriente a travs de s mismos. Esta propiedad natural est vinculada a la facilidad con la
que los electrones pueden atravesarlos y resulta inversa a la resistividad.
3. Qu determina la conductividad?
4. Dentro de la estructura atmica que son los niveles de energa

5. Enuncie el principio de exclusin de Pauli

El principio de exclusin de Pauli, fue desarrollado por el fsico austriaco Ernst Pauli en el ao
1925. Este principio de la cuntica dice que dos partculas (concretamente fermiones) que tiene los
nmeros cunticos con los que constan idnticos, no pueden existir.
Esto significa que dos electrones ( fermiones) que se encuentren en un tomo no podrn poseer a la
vez iguales nmeros cunticos. Este hecho explicara que los electrones se dispersen en capas o
niveles en torno al ncleo del tomo y por lo cual, los tomos que posean mayor nmero de
electrones ocupen mayor espacio, debido a que aumenta el nmero de capas de las que consta el
tomo. El nmero mximo de electrones que puede tener una capa o nivel es de 2n^2.

http://quimica.laguia2000.com/general/principio-de-exclusion-de-pauli

6. Qu son las bandas de energa?


Existe tres bandas de energa en la que se ubica los electrones de valencia en la rbita de
valencia de cada tomo: banda de valencia, banda prohibida y banda de conduccin. El
ancho de la banda prohibida determina el comportamiento del material como un aislante, un
conductor o un semiconductor
7. Qu es un electrn-Voltio?
es la energa cintica adquirida por un solo electrn cuando se mueve a travs de un
potencial elctrico de 1 V. Obtenemos la relacin siguiente entre julio y electrn-voltio:
1eV=1.602x10-19 J

http://atlas.physicsmasterclasses.org/es/zpath_help1.htm

8. Qu es:
a. materia Conductor, presenta una baja resistencia a paso de la corriente (movilidad de
los electrones)
b. materia semiconductora, su resistencia al pasode la corriente esta entre la de un aislante
y un conductor. Y al combinarse adecuadamente (Enlace covalente) se comportan como
un no conductor bajo determinado condiciones externas y como un conductor en
condiciones contraria.
c. materia aislante, es el que presenta una alta resistencia al flujo de electrones,
prcticamente no permite la circulacin de corriente(compuesto)
9. Explique la formacin de las bandas de energa en:

a. los conductores, son aquellos materiales cuyas bandas de valencia y de conduccin, se


encuentran muy prximas entre s, al grado de que, en algunos casos, estas bandas se
encuentran sobrepuestas. Los electrones de valencia en un tomo, son los que se
encuentran en el nivel energtico ms externo y ellos permiten los enlaces entre los
tomos en los compuestos o entre tomos del mismo tipo en una molcula o un cristal.
Por su parte, los electrones de conduccin son los que se han promovido a niveles
energticos vacos, lo que da lugar a su mayor movilidad y, eventualmente, da origen a
las corrientes elctricas
b. los aislantes, las bandas de conduccin y valencia se encuentran separadas por una
barrera de energa (banda prohibida), haciendo que no pueda tener enlace covalente
entre la banda de valencia y conduccin.
c. los semiconductores, las bandas de conduccin y valencia se encuentran separadas por
una barrera de energa (banda prohibida) ms pequea, el cual permite el paso de
electrones en ciertas condiciones.
10. Explique qu es un enlace covalente?
Los enlaces covalentes estn formados por tomos NO METALICOS. Recuerda enlace
(tomos que comparten electrones y por lo tanto estn enlazados). Un enlace covalente se
forma cuando dos tomos comparten uno o ms pares de electrones. La condicin para que
el enlace tenga un elevado carcter covalente es que la diferencia de electronegatividad
entre ambos tomos sea cero o muy pequea.
11. A qu llamamos
a. Material intrnseco, El trmino intrnseco se aplica a cualquier material
semiconductor que haya sido cuidadosamente refinado para reducir el nmero de
impurezas a un nivel muy bajo; en esencia, lo ms puro posible que se pueda fabricar
utilizando tecnologa actual.
b. material extrnseco, Un material semiconductor que ha sido sometido al proceso de
dopado se conoce como material extrnseco.
12. Explique el proceso de dopado
Como es bien conocido, los circuitos integrados utilizan materiales semiconductores
dopados que permiten la construccin de diversos dispositivos utilizados ampliamente en
los sistemas digitales. La adicin de tomos dopantes en el silicio generalmente se lleva a
cabo en dos pasos. El primero consiste en colocar tomos dopantes sobre o cerca de la
superficie de la oblea de silicio (proceso de pre deposicin) por medio de alguno de los
siguientes mtodos:
Implantacin i nica
Dopado en fase solida
Dopado en fase gaseosa
El prximo paso consiste en la difusin de profundizacin o drive-in de manera intencional
o no intencional la cual transporta los tomos dopantes adentrndolos en el sustrato de
silicio.
13. Cules son los elementos semiconductores ms utilizados y por qu?
Los ms conocidos y utilizados son el germanio (Ge) y el silicio (Si), los materiales que
estn fabricados con Ge o Si darn 50 veces ms resistencia que los conductores, pero a su
vez y ms aislantes que los que no son conductores. Entonces los semiconductores son
malos conductores, pero al mismo tiempo son malos aislantes. Otra explicacin seria por
los electrones, los conductores tienen un electrn de valencia, mientras que los no
conductores tienen 8 electrones de valencia, esto nos concluye que los semiconductores
tienen 4 electrones de valencia.
14. Qu es un material tipo P y tipo N?
a. Se les llama semiconductores de tipo P a los semiconductores contaminados con
impurezas aceptoras. Las impurezas aceptoras son aquellas que agregan un hueco en el
material. Estas son impurezas con 3electrones en su rbita de valencia. Al tener solo 3
electrones queda una unin incompleta dejando un hueco para que un electrn libre
pueda tomar ese lugar. Este material es de tipo P debido a que la conduccin elctrica
se produce debido a su gran nmero de huecos (portadores mayoritarios). Comparados
con los electrones los huecos tienen polaridad positiva.
b. Los semiconductores tipo N son aquellos a los que se le agregan impurezas donaras
(que donan un electrn). Estas impurezas suelen tener 5 electrones. De estos 5
electrones 4 formaran una unin con los tomos vecinos y 1 quedara libre. De esta
forma este material contiene un mayor nmero de electrones libres comparados con los
huecos libres. Este material es de tipo N debido a que la conduccin elctrica se
produce debido a su gran nmero de electrones (Portadores mayoritarios) de polaridad
negativa.

15. Qu es un par electrn-hueco?


Se conoce como hueco de electrn cuando en la banda de valencia hay un electrn ausente.
Este hueco se forma cuando la banda pierde un electrn; si no, el hueco estara completo.
Cuando la banda est completa o casi completa es gracias a los aislantes o insulares. El
hueco de electrn y el electrn es uno de los portadores de carga que ayuda a que la
corriente elctrica pase a los semiconductores. El hueco no es ms, que la falta de un
electrn en un semiconductor. Estos se mueven menos que los electrones.

Via: http://www.arqhys.com/articulos/hueco-de-electrones.html

16. Cules son los portadores:


a. En un material tipo n el electrn se llama portador mayoritario y el hueco portador
minoritario.
b. En un material tipo p, el hueco es el portador mayoritario y el electrn el minoritario.
17. Qu es la juntura PN?
Se denomina unin PN a la estructura fundamental de los componentes electrnicos
comnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores. Est
formada por la unin metalrgica de dos cristales, generalmente de silicio (Si), aunque
tambin se fabrican de germanio (Ge), de naturalezas P y N segn su composicin a nivel
atmico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro
intencionadamente con impurezas, normalmente con algn otro metal o compuesto
qumico. Es la base del funcionamiento de la energa solar fotovoltaica.
18. Cmo se produce la regin de vaciamiento?
Del lado P hay tomos de impurezas aceptoras sin cubrir y del lado N impurezas donantes
sin cubrir. Se forma la regin de vaciamiento o zona de carga espacial al quedar tomos
(iones) con carga positiva en la regin N y negativa en la regin P.
19. Explique el comportamiento de la juntura PN en la polarizacin directa
Disminuye la barrera de potencial Vo, lo cual hace que aumente la
corriente de difusin tanto de los huecos como de los electrones,
haciendo que circule una corriente I de la regin P a la regin N,
donde I =ID - IS.
CAPACITANCIA DE DIFUSIN
*Al haber conduccin, hay un exceso de portadores minoritarios en ambas regiones, cuyas
concentraciones dependen del voltaje aplicado.
* Si cambia el voltaje deben cambiar las concentraciones. El efecto
de acumulacin de carga da origen al efecto capacitivo denominado
Capacitancia de Difusin
.
20. Explique el comportamiento de la juntura PN en la polarizacin inversa
*Se incrementa el voltaje de juntura Vo, lo cual hace que aumenten los
tomos ionizados y aumenta la zona de carga espacial.
*Inicialmente se produce una corriente inversa debido al nmero de
portadores que abandonan la zona de carga espacial.
*Una vez en equilibrio, contina circulando una corriente comparativamente
pequea, denominada corriente inversa del dispositivo.

21. Qu es el efecto: a) Avalancha, b) zener?


a) Efecto de la avalancha, en la fsica, un aumento repentino en el flujo de una corriente
elctrica a travs de un slido no conductor o semiconductor cuando se aplica una fuerza
elctrica suficientemente fuerte. La capacidad de la mayora de los slidos no metlicos para
transportar una corriente elctrica ordinaria est limitada por la escasez de electrones libres de
moverse en presencia de un campo elctrico aplicado externamente.
b) Tambin conocido como avera de Zener, es como una condicin de avera elctrica en un
diodo zenner debido a la tensin de polarizacin inversa que excede el voltaje de ruptura que
resulta en el tonelaje de electrones de la valencia a la banda de conduccin que conduce a un
gran nmero de portadores minoritarios libres que repentinamente Aumenta la corriente
inversa.
22. Qu es el voltaje de umbral?
Tambin llamado voltaje de puerta, comnmente abreviado como Vth o VGS (th), de un
transistor de efecto de campo (FET) es el diferencial mnimo de voltaje de puerta a fuente que
se necesita para crear una trayectoria conductora entre los terminales de fuente y de drenaje.
23. Qu es la corriente: a) de difusin, b) de desplazamiento?
. a) El efecto de difusin se produce cuando la concentracin de portadores no es uniforme a lo
largo del semiconductor, o lo que es lo mismo, existe un gradiente de concentracin de
portadores con la distancia, producindose un desplazamiento de portadores que trata de
establecer el equilibrio (igualar la concentracin en la totalidad del volumen). Este
desplazamiento de portadores dara lugar a un transporte neto de carga a travs de una
superficie y por tanto a una corriente de difusin.
b) es una cantidad que est relacionada con un campo elctrico que cambia o vara en el tiempo.
Esto puede ocurrir en el vaco o en un dielctrico donde existe el campo elctrico. No es una
corriente fsica, en un sentido estricto, que ocurre cuando una carga se encuentra en movimiento
o cuando la carga se transporta de un sitio a otro. Sin embargo, tiene las unidades de corriente
elctrica y tiene asociado un campo magntico.
24. Qu es la capacitancia de: a) transicin, b) de difusin?
. a) es aquella que en la regin de polarizacin inversa existe una regin de agotamiento (libre
de portadores) que se comporta como un aislante entre las capas de carga opuesta. Debido a que
el ancho de esta regin se incrementar mediante el aumento del potencial de polarizacin
inversa, la capacitancia de transicin que resulta disminuir.
b) La capacitancia de difusin ocurre en un diodo de unin p-n polarizado hacia delante. La
capacitancia de difusin tambin se refiere a veces como capacitancia de almacenamiento. Se
denomina CD.
En un diodo polarizado hacia delante, la capacitancia de difusin es mucho mayor que la
capacitancia de transicin. Por lo tanto, la capacitancia de difusin se considera en diodos
polarizados hacia delante. Se produce debido a la carga almacenada de electrones minoritarios y
agujeros minoritarios cerca de la regin de agotamiento.

25. Qu es el tiempo inverso de recobro?


representa el tiempo durante el apagado del diodo, tarda la intensidad en alcanzar su valor
mximo (negativo) y retornar hasta un 25% de dicho valor (tpicamente 10 microsegundos para
diodos normales y 1 microsegundo para los diodos de recuperacin rpido).