Universidade Federal de Itajub

UNIFEI Campus Itabira

Vitor Monteiro da Rocha 19375

Problema 1

Laboratrio Eletrnica Bsica II

Professor: Dalton Martini Colombo

Itabira, 4 de dezembro de 2017

 Introduo

O presente relatrio trata-se do estudo prtico e anlise

terica do transistor do tipo Mosfet, onde so feitas medies a fim
de se verificas as tenses e , que so as tenses limiares do
transistor de polarizao N e P do tipo MOS, e tambm as
constantes e .

Mtodos

Para medio dos valores necessrios, so montados e

medidos os seguintes circuitos, para conexo N e P,
respectivamente, de acordo com a figura (1).

Figura (1) Circuito eltrico

 Utilizando um resistor de 1,5K ohm, so feitas as seguintes
medies, variando o VDD, de acordo com a tabela.

VDD (V) 1 1,2 1,5 1,7 1,8 2,4 3 3,8 4,4 6,8 9
VGS (V) 1 1,2 1,5 1,6 1,7 1,9 2,3 2,6 3 3,8 4,5
IDS (uA) 1 10 50 75 100 250 500 750 1000 2000 3000
Tabela 1 Valores medidos de VDD e VGS no NMos

VDD (V) 1,6 1,8 2 2,1 2,2 2,7 3,4 4,2 4,8 7,1 9,2
VGS (V) 1,6 1,7 1,8 2 2,2 2,3 2,7 3 3,3 4,1 4,7
IDS (uA) 1 10 50 75 100 250 500 750 1000 2000 3000
Tabela 2 Valores medidos de VDD e VGS no PMos

e so os valores do N e P Mos onde ocorre a

formao do canal do transistor, ocorrendo a partir da a circulao
de valores mais altos de corrente entre o dreno e a fonte.
Considerando o VGS sendo a tenso onde h uma passagem de
corrente ID de 10mA, temos = 1,2 V e = 1,7 V.

Com a frmula abaixo, podemos encontrar os valores das

constantes e .

= ( )

Assim, temos:

= 0,26m para NMos

= 0,65m para PMos

 Para o projeto do circuito proposto da figura (2), que tenha um
ganho Av entre -3V/V e -6V/V, para um sinal senoidal de entrada de
100mV, deve-se atender aos seguintes requisitos:

= 1 mA

4m/A

Figura (2) Circuito do amplificador proposto

Para uma corrente de dreno de 1mA, uma corrente de at

3mA deve circular pelos resistores R1 e R2.

Segundo a tabela, para = 1 mA, o deve ser igual a 3V.

Assim:

= 2 ( )

= 1,015

= 2 3

2 = 1

= 1 3

1 = 3
 Considerando um ganho Av de -4, temos:

= 3,94

Concluso

Com o desenvolvimento dessa prtica do problema 1, foi

possvel estudar e verificar as caractersticas de funcionamento do
transistor do tipo Mosfet, e sua utilidade e aplicao em circuitos
amplificadores.