1.

1 antecedentes de la electrnica de potrencia

La expresin electrnica de potencia se utiliza para diferenciar el tipo de aplicacin
que se le da a dispositivos electrnicos, en este caso para transformar y controlar
voltajes y corrientes de niveles significativos. Se diferencia as este tipo de
aplicacin de otras de la electrnica denominadas de baja potencia o tambin de
corrientes dbiles. En este tipo de aplicacin se reencuentran la electricidad y la
electrnica, pues se utiliza el control que permiten los circuitos electrnicos para
controlar la conduccin (encendido y apagado) de semiconductores de potencia
para el manejo de corrientes y voltajes en aplicaciones de potencia. Esto al
conformar equipos denominados convertidores estticos de potencia.

De esta manera, la electrnica de potencia permite adaptar y transformar la

energa elctrica para distintos fines tales como alimentar controladamente otros
equipos, transformar la energa elctrica de continua a alterna o viceversa, y
controlar la velocidad y el funcionamiento de mquinas elctricas, etc. mediante el
empleo de dispositivos electrnicos, principalmente semiconductores. Esto incluye
tanto aplicaciones en sistemas de control, sistemas de compensacin de factor de
potencia y/o de armnicos como para suministro elctrico a consumos industriales
o incluso la interconexin de sistemas elctricos de potencia de distinta frecuencia.
El principal objetivo de esta disciplina es el manejo y transformacin de la energa
de una forma eficiente, por lo que se evitan utilizar elementos resistivos,
potenciales generadores de prdidas por efecto Joule. Los principales dispositivos
utilizados por tanto son bobinas y condensadores, as como semiconductores
trabajando en modo corte/saturacin (on/off, encendido y apagado).

Dispositivos semiconductores de potencia Para estas aplicaciones se han

desarrollado una serie de dispositivos semiconductores de potencia, los cuales
derivan del diodo o el transistor. Entre estos se encuentran los siguientes:
a) Rectificador controlado de silicio (SCR en ingls)
b) Triac
c) Transistor IGBT, sigla para Insulated Gate Bipolar Transistor, Transistor
Bipolar con compuerta aislada

d) Tiristor GTO, sigla para Gated Turnoff Thyristor, Tiristor apagado por
compuerta
 e) Tiristor IGCT, sigla para Insulated Gate Controlled Thyristor, Tiristor
controlado por compuerta

f) Tiristor MCT, sigla para MOS Controlled Thyristor

En la actualidad esta disciplina est cobrando cada vez ms importancia debido

principalmente a la elevada eficiencia de los convertidores electrnicos en
comparacin a los mtodos tradicionales, y su mayor versatilidad. Un paso
imprescindible para que se produjera esta revolucin fue el desarrollo de
dispositivos capaces de manejar las elevadas potencias necesarias en tareas de
distribucin elctrica o manejo de potentes motores. Aplicaciones
Las principales aplicaciones de los convertidores electrnicos de potencia son las
siguientes:

Fuentes de alimentacin: En la actualidad han cobrado gran importancia un

subtipo de fuentes de alimentacin electrnicas, denominadas fuentes de
alimentacin conmutadas. Estas fuentes se caracterizan por su elevado
rendimiento y reduccin de volumen necesario. El ejemplo ms claro de aplicacin
se encuentra en la fuente de alimentacin de los ordenadores.

Control de motores elctricos: La utilizacin de convertidores electrnicos permite

controlar parmetros tales como la posicin, velocidad o par suministrado por un
motor. Este tipo de control se utiliza en la actualidad en los sistemas de aire
acondicionado. Esta tcnica, denominada comercialmente como inverter
sustituye el antiguo control encendido/apagado por una regulacin de velocidad
que permite ahorrar energa.

Asimismo, se ha utilizado ampliamente en traccin ferroviaria, principalmente en

vehculos aptos para corriente continua (C.C.)durante las dcadas de los aos 70
y 80, ya que permite ajustar el consumo de energa a las necesidades reales del
motor de traccin, en contraposicin con el consumo que tenan los vehculos
controlados por resistencias de arranque y frenado. Actualmente el sistema
chopper sigue siendo vlido, pero ya no se emplea en la fabricacin de nuevos
vehculos, puesto que actualmente se utilizan equipos basados en el motor
trifsico, mucho ms potente y fiable que el motor de colector.
1.1.1 Terminologa y principios de operacin de la familia de tiristores
(SCR,UJT.PUT.GTO,IGBT, etc)

Los rectificadores controlados de silicio SCR se emplea como dispositivo de

control. El rectificador controlado de silicio SCR, es un semiconductor que
presenta dos estados estables: en uno conduce, y en otro est en corte (bloqueo
directo, bloqueo inverso y conduccin directa).
El objetivo del rectificador controlado de silicio SCR es retardar la entrada en
conduccin del mismo, ya que como se sabe, un rectificador controlado de silicio
SCR se hace conductor no slo cuando la tensin en sus bornes se hace positiva
(tensin de nodo mayor que tensin de ctodo), sino cuando siendo esta tensin
positiva, se enva un impulso de cebado a puerta.
El parmetro principal de los rectificadores controlados es el ngulo de retardo, a.
Como lo sugiere su nombre, el SCR es un rectificador, por lo que pasa corriente
slo durante los semiciclos positivos de la fuente de ca. El semiciclo positivo es el
semiciclo en que el nodo del SCR es mas positivo que el ctodo. Esto significa
que el SCR no puede estar encendido ms de la mitad del tiempo. Durante la otra
mitad del ciclo, la polaridad de la fuente es negativa, y esta polaridad negativa
hace que el SCR tenga polarizaci6n inversa, evitando el paso de cualquier
corriente a la carga.

1. al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se

producen dos corrientes: IC2 = IB1.
2. IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente
de colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2
(IB2), este a su vez causa ms corriente en IC2, que es lo mismos que IB1
en la base de Q1.
3. Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el
encendido del SCR.
El transistor UJT (transistor de unijuntura Unijunction transistor) es un dispositivo
con un funcionamiento diferente al de otros transistores. Es un dispositivo de
disparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unin PN que es utilizado para
hacer osciladores. Muy importante: No es un FET. Fsicamente el transistor UJT
consiste de una barra de material tipo N con conexiones elctricas a sus dos
extremos (B1 y B2) y de una conexin hecha con un conductor de aluminio (E) en
alguna parte a lo largo de la barra de material N. En el lugar de unin el aluminio
crea una regin tipo P en la barra, formando as una unin PN. Ver los siguientes
grficos. Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre
entre el Emisor y la Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo est dado por la
frmula: Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1.
En la grfica de la figura se describe las caractersticas elctricas de este dispositivo
a travs de la relacin de la tensin de emisor (VE) con la corriente de emisor (IE).
Se definen dos puntos crticos: punto de pico o peak-point (Vp, Ip) y punto de valle
o valley-point (Vv, Iv), ambos verifican la condicin de dVE/dIE = 0.
Estos puntos a su vez definen tres regiones de operacin: regin de corte, regin
de resistencia negativa y regin de saturacin, que se detallan a continuacin:
La sigla IGBT corresponde a las iniciales de isolated gate bipolar transistor o
sea transistor bipolar de puerta de salida El IGBT es un dispositivo semiconductor
de potencia hbrido que combina los atributos del TBJ y del MOSFET. Posee una
compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada.
El gate maneja voltaje como el MOSFET. El smbolo ms comnmente usado se
muestra en la figura . Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el
fenmeno de ruptura secundario como el TBJ. El transistor bipolar de puerta aislada
(IGBT) es un dispositivo electrnico que generalmente se aplica a circuitos de
potencia. Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin.
La tensin de control de puerta es de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar
sistemas de potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la
puerta. El IGBT de la figura es una conexin integrada de un MOSFET y un BJT. El
circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las
caractersticas de conduccin son como las del BJT. El IGBT es adecuado para
velocidades de conmutacin de hasta 20 KHz y ha sustituido al BJT en muchas
aplicaciones.

El IGBT tiene la salida de conmutacin y de conduccin con las caractersticas de

los transistores bipolares, pero es controlado por tensin como un MOSFET, tiene
una impedancia de entrada elevada como los MOSFET, alta capacidad de corriente,
cada de tensin directa (voltaje colector-emisor de saturacin) muy baja as como
la facilidad de comando gracias a la compuerta aislada que ofrece la tecnologa
MOSFET, adems de las bajas prdidas en conmutacin como los BJT, puesto que
la energa aplicada en la puerta que activa el dispositivo es pequea, con corrientes
de orden de nanoamperios y tensiones de control de unos 15V, haciendo posible su
control mediante circuitos integrados, adems de no necesitar la corriente de base
para mantenerse en conduccin como los bipolares. En general, esto significa que
tiene las ventajas de la alta capacidad de manejo de corriente propias de un
transistor bipolar, con la facilidad del control de conduccin por tensin que ofrece
un MOSFET.
1.1.2 Clasificacin y caractersticas voltaje-corriente de los tiristores ( Dispositivos,
smbolo, caractersticas elctricas y su clasificacin en unidireccionales y
bidireccionales)

Un Tiristor es dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con

tres uniones pn tiene tres terminales: nodo ctodo y compuerta.
Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al ctodo, las uniones J1
y J3 tienen polarizacin directa o positiva. La unin J2 tiene polarizacin inversa, y
solo fluir una pequea corriente de fuga del nodo al ctodo. Se dice entonces que
el tiristor est en condicin de bloqueo directo o en estado desactivado llamndose
a la corriente fuga corriente de estado inactivo ID. Si el voltaje nodo a ctodo VAK
se incrementa a un valor lo suficientemente grande la unin J2 polarizada
inversamente entrar en ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalancha y el
voltaje correspondiente se llama voltaje de ruptura directa VBO. Dado que las
uniones J1 y J3 ya tienen polarizacin directa, habr un movimiento libre de
portadores a travs de las tres uniones que provocar una gran corriente directa del
nodo. Se dice entonces que el dispositivo est en estado de conduccin o activado

Formas de activar un tiristor

Luz: Si un haz de luz incide en las uniones de un tiristor, hasta llegar al mismo
silicio, el nmero de pares electrn-hueco aumentar pudindose activar el
tiristor.
Corriente de Puerta: Para un tiristor polarizado en directa, la inyeccin de una
corriente de puerta al aplicar un voltaje positivo entre puerta y ctodo lo
activar. Si aumenta esta corriente de puerta, disminuir el voltaje de bloqueo
directo, revirtiendo en la activacin del dispositivo.
Trmica: Una temperatura muy alta en el tiristor produce el aumento del
nmero de pares electrn-hueco, por lo que aumentarn las corrientes de
fuga, con lo cual al aumentar la diferencia entre nodo y ctodo, y gracias a
la accin regenerativa, esta corriente puede llegar a ser 1, y el tiristor puede
activarse. Este tipo de activacin podra comprender una fuga trmica,
 normalmente cuando en un diseo se establece este mtodo como mtodo
de activacin, esta fuga tiende a evitarse.

Alto Voltaje: Si el voltaje directo desde el nodo hacia el ctodo es mayor que
el voltaje de ruptura directo, se crear una corriente de fuga lo
suficientemente grande para que se inicie la activacin con retroalimentacin.
Normalmente este tipo de activacin puede daar el dispositivo, hasta el
punto de destruirlo.
Elevacin del voltaje nodo-ctodo: Si la velocidad en la elevacin de este
voltaje es lo suficientemente alta, entonces la corriente de las uniones puede
ser suficiente para activar el tiristor. Este mtodo tambin puede daar el
dispositivo.
El tiristor es un conmutador biestable, es decir, es el equivalente electrnico de los
interruptores mecnicos; por tanto, es capaz de dejar pasar plenamente o bloquear
por completo el paso de la corriente sin tener nivel intermedio alguno, aunque no
son capaces de soportar grandes sobrecargas de corriente. Este principio bsico
puede observarse tambin en el diodo Shockley. El diseo del tiristor permite que
ste pase rpidamente a encendido al recibir un pulso momentneo de corriente en
su terminal de control, denominada puerta (o en ingls, gate) cuando hay una
tensin positiva entre nodo y ctodo, es decir la tensin en el nodo es mayor que
en el ctodo. Solo puede ser apagado con la interrupcin de la fuente de tensin,
abriendo el circuito, o bien, haciendo pasar una corriente en sentido inverso por el
dispositivo. Si se polariza inversamente en el tiristor existir una dbil corriente
inversa de fugas hasta que se alcance el punto de tensin inversa mxima,
provocndose la destruccin del elemento (por avalancha en la unin).
Para que el dispositivo pase del estado de bloqueo al estado activo, debe generarse
una corriente de enganche positiva en el nodo, y adems debe haber una pequea
corriente en la puerta capaz de provocar una ruptura por avalancha en la unin J2
para hacer que el dispositivo conduzca. Para que el dispositivo siga en el estado
activo se debe inducir desde el nodo una corriente de sostenimiento, mucho menor
que la de enganche, sin la cual el dispositivo dejara de conducir.
A medida que aumenta la corriente de puerta se desplaza el punto de disparo. Se
puede controlar as la tensin necesaria entre nodo y ctodo para la transicin OFF
-> ON, usando la corriente de puerta adecuada (la tensin entre nodo y ctodo
dependen directamente de la tensin de puerta pero solamente para OFF -> ON).
Cuanto mayor sea la corriente suministrada al circuito de puerta IG (intensidad de
puerta), tanto menor ser la tensin nodo-ctodo necesaria para que el tiristor
conduzca.
Tambin se puede hacer que el tiristor empiece a conducir si no existe intensidad
de puerta y la tensin nodo-ctodo es mayor que la tensin de bloqueo
1.2 Circuitos de disparo

El circuito de disparo o excitacin de compuerta de los tiristores, es una parte

integral del convertidor de potencia. La salida de un convertidor, que depende de la
forma en que el circuito de disparo excita a los dispositivos de conmutacin
(tiristores), es una funcin directa del proceso de cmo se desarrolla la conmutacin.
Podemos decir entonces que los circuitos de disparo, son elementos claves para
obtener la salida deseada y cumplir con los objetivos del sistema de control, de
cualquier convertidor de energa elctrica. El diseo de un circuito excitador,
requiere el conocimiento de las caractersticas elctricas de compuerta del tiristor
especfico, que se va a utilizar en el circuito principal de conmutacin. Para
convertidores, donde los requisitos del control no son exigentes, puede resultar
conveniente disearlo con circuitos discretos. En aquellos convertidores donde se
necesita la activacin de compuerta con control de avance, alta velocidad, alta
eficiencia y que adems sean compactos, los circuitos integrados para activacin
de compuerta que se disponen comercialmente, son ms conveniente. Las partes
componentes de un circuito de disparo para tiristores usados en los rectificadores
controlados por fase, a frecuencia industrial, son los siguientes: El circuito
sincronizador, el circuito base de tiempo para retrasar el disparo, el circuito
conformador del pulso, el circuito amplificador del pulso (opcional), el circuito
aislador y finalmente el circuito de proteccin de la compuerta del tiristor. El
diagrama en bloques siguiente, nos da una idea gral, de la Inter relacin de estos
componentes;
1.2.1 Circuitos de disparo sin aislamiento