ESTRUCTURA ATMICA DE ELEMENTOS SEMICONDUCTORES

SILICIO

Etimologa:

En estado puro tiene propiedades fsicas y qumicas

parecidas a las del diamante. El dixido de silicio (slice)
[SiO2] se encuentra en la naturaleza en gran variedad de
formas: cuarzo, gata, jaspe, nice, esqueletos de
animales marinos. Su estructura cristalina le confiere
propiedades semiconductoras.

Cristalinidad esta parte de la cristalinidad hace referencia a la disponibilidad que

poseen los a tomos en una estructura cristalina y
es por ello que el material del silicio lo podemos
encontrar en tres estados: amorfo, mono cristalino
y poli cristalino

Tambin es de suma importancia decir que el silicio

presenta un enlace covalente que significa que
cada tomo est unido a otros cuatro electrones
ms compartiendo sus electrones de valencia.

Es por ello que cuando el silicio es sometido a un

cambio de un agente externo como lo es la temperatura o un haz de luz provocan
que los enlaces covalentes se rompan ocasionado as que un electrn quede libre
pero a su vez exista un hueco y es por ello que se induce una corriente elctrica
debido a que los electrones viajan a los potenciales positivos y los huecos al
potencial negativo.
GERMANIO

Es un metaloide slido duro, cristalino, de color blanco

grisceo lustroso, quebradizo, que conserva el brillo a
temperaturas ordinarias. Presenta la misma estructura
cristalina que el diamante y resiste a los cidos y lcalis.

Estructura atmica del germanio

El germanio tiene una

estructura ortorrmbica muy
estable esto debido que coparte electrones lo que
generan enlaces covalentes esto para que al compartir
esos electrones con tomos vecinos se obtengan
ocho electrones en su ltima capa
CONCEPTO DE DOPAJE

En la produccin de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de

agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro con el fin de cambiar sus
propiedades elctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a
dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como
extrnsecos. Un semiconductor altamente dopado, que acta ms como un conductor que
como un semiconductor, es llamado degenerado.

Tipo N

Cuando se introducen sustancias dopantes de tipo pentavalente (5 electrones de valencia),

entonces cuatro tomos de las sustancias dopantes formarn enlaces covalentes con los
tomos de Si, el quinto electrn que no comparte enlaces, es un
electrn de conduccin el cual ser donado a la banda de conduccin. Entonces
diremos que el semiconductor de Si es de tipo N debido a que recibe una cantidad
adicional de portadores de carga negativa y la sustancia pentavalente (P, As, Sb) se
llama donador.

Tipo P

De manera similar, si introducen en la red de Si. Impurezas de tipo trivalente (tres

electrones de valencia), aparece un enlace covalente con el resto de los tomos de Si. Sin
formar, entonces es un enlace roto o una ausencia del electrn de valencia
para llevar enlace. Esta deficiencia de electrn en los enlaces que puede formar el tomo
trivalente provoca que sea aceptado un electrn de los enlaces covalente de los tomos de
Si. Formndose en consecuencia hueco en la banda de valencia. El semiconductor dopado
con sustancias triviales se llama de tipo P y dichas sustancias (B, Al, Ga) se denominan
aceptores.
Fosforo

El fsforo elemental puede existir en varios altropos;

los ms comunes de ellos son slidos blancos y rojos.
Altropos slidos violetas y negros tambin son
conocidos. El fsforo gaseoso existe como difsforo y
fsforo atmico.

De acuerdo a su estructura atmica podemos definir

al fosforo como un elemento pentavalente debido a
que en su ltima capa cuenta con tres electrones los que son utilizados para ser
mesclados con elementos como el silicio y debido a ello estos dopan la silicio
permitiendo que estos se conviertan en materiales tipo p y n de acuerdo a que donen
o estragan electrones y esto los ase dopantes de los materiales como el silicio y el
germanio