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DE BAJA FRECUENCIA
Electrnica II
Introduccin
Una clasificacin de los amplificadores segn su campo de aplicacin, agrupando los que
poseen caractersticas similares puede ser:
En este tema se estudian los amplificadores del grupo 2.a y 5, y en particular, los
amplificadores que entregan potencias de salida moderadas (1 W a 50W).
Introduccin
Introduccin
DIODO SEMICONDUCTOR
En cuanto se incrementa la
magnitud de la polarizacin
aplicada, el ancho de la
regin de empobrecimiento
continuar reducindose
hasta que un flujo de
electrones pueda atravesar
la unin, lo que produce un
crecimiento exponencial de
la corriente.
Introduccin
Se puede demostrar por medio de la fsica de estado slido que las caractersticas
generales de un diodo semiconductor se pueden definir mediante la ecuacin de
Shockley, para las regiones de polarizacin en directa y en inversa:
VKDTq
I D I S e 1
VKDTq
I D I S e 1
Con valores negativos de VD el trmino exponencial se reduce con rapidez por debajo del
nivel de I y la ecuacin resultante para ID es:
NODO CTODO
La direccin definida de la corriente convencional en la regin de voltaje positivo corresponde a la punta de flecha del smbolo de diodo.
Introduccin
La zona central se denomina base, y las laterales emisor y colector. Cada una de las zonas
consta de un terminal por donde extraer las corrientes.
Smbolos
Todos los transistores BJT, ya sean NPN o PNP pueden polarizarse de manera
que quede un terminal comn en su circuito de polarizacin; es decir, un
elemento que forma parte del lazo de entrada como del lazo de salida. Este
puede ser en cualquiera de los terminales del dispositivo
Introduccin
Recordando
Conexiones del transistor:
Emisor Comn
Curvas caractersticas de salida en Emisor Comn en un BJT npn Efecto Early en las caractersticas de entrada
Recordando
Montaje Ganancia Ganancia Desfase Ze Zs
voltaje corriente
Base Elevada /( + 1) 0 Baja Elevada/
Comn Mediana
Colector <1 ( + 1) 0 Elevada Baja
comn
Emisor Elevada 180 Mediana Elevada/
comn Mediana
Usos:
Base comn: Para adaptar fuentes de seal de baja impedancia de salida
como, por ejemplo, micrfonos dinmicos.
Colector comn: Circuitos separadores y como adaptadores de impedancia
entre las fuentes de seal y las etapas amplificadoras.
Emisor comn: Amplificacin.
Introduccin
Cuando no pasa corriente por la base, no puede pasar tampoco por sus otros
terminales; se dice entonces que el transistor est en corte, es como si se tratara de un
interruptor abierto.
El transistor est en saturacin cuando la corriente en la base es muy alta; en ese caso
se permite la circulacin de corriente entre el colector y el emisor y el transistor se
comporta como si fuera un interruptor cerrado.
Para polarizar el transistor en corte basta con no polarizar en directa la unin base-
emisor del mismo, es decir, basta con que VBE=0.
Zonas de Funcionamiento
Zona activa: En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de corriente,
determinada por la corriente de base. A pequeos aumentos de la corriente de base
corresponden grandes aumentos de la corriente de colector, de forma casi
independiente de la tensin entre emisor y colector. Para trabajar en esta zona el
diodo B-E ha de estar polarizado en directa, mientras que el diodo B-C, ha de estar
polarizado en inversa.
Punto de trabajo:
Los valores de corrientes y tensiones en continua en los terminales de un
transistor para que opere en la regin activa, se denomina punto de operacin y
se suele expresar por la letra Q (punto quiescente).
Recta de carga:
La recta indica todos los puntos de operacin posibles para un circuito, es un
resumen visual en el que se puede observar claramente los puntos crticos, por
ejemplo puntos de saturacin y de corte.
Introduccin
General
VBE = 0,7
Saturacin
Introduccin
MOSFET
Introduccin
Los MOSFET son transistores controlados por tensin. Ello se debe al aislamiento
(xido de Silicio) de la puerta respecto al resto del dispositivo.
D D
G G
S S
Los ms usados son los MOSFET de canal N Canal N Canal P
La conduccin es debida a los electrones y, por tanto, con mayor movilidad menores resistencias
de canal en conduccin
Zonas de Trabajo
La principal diferencia entre los Transistores Bipolares (BJT) y los Mosfet consiste en que
estos ltimos son controlados por tensin aplicada en la puerta (G) y requieren solo una
pequea corriente de entrada, mientras que los transistores Bipolares (BJT), son controlados
por corriente aplicada a la base.
La velocidad de conmutacin para los MOSFET est en Los Mosfet tienen el problema de ser muy sensibles
el orden de los nanosegundos, por esto los MOSFET son a las descargas electrostticas y requieren un
muy utilizados en convertidores de pequea potencia y embalaje especial.
alta frecuencia. Es relativamente difcil su proteccin.
Los MOSFET no tienen el problema de segunda Los MOSFET son ms caros que sus equivalentes
ruptura bipolares.
Mayor rea de funcionamiento. La resistencia esttica entre Drenador-Surtidor, es
Mayores ganancias. ms grande, lo que provoca mayores perdidas de
Circuito de mando ms simple. potencia cuando trabaja en Conmutacin.
Alta impedancia de entrada.
Zonas de Trabajo
Cuando ya existe canal inducido y VDS va aumentando, el canal se contrae en el lado del
Drenador, ya que la diferencia de potencial Puerta-canal es en ese punto, ms baja y la
zona de transicin ms ancha. Es decir, siempre que exista canal estaremos en regin
hmica y el dispositivo presentar baja resistencia.
Zona de corte: El transistor estar en esta regin, cuando VGS < Vt. En estas
condiciones el transistor MOSFET, equivale elctricamente a un circuito abierto, entre
los terminales del Drenador-Surtidor. De acuerdo con el modelo bsico del transistor,
en esta regin, el dispositivo se encuentra apagado. No hay conduccin entre
Drenador y Surtidor, de modo que el MOSFET se comporta como un interruptor
abierto.
Existen corrientes residuales (muy pequeas), cuando el dispositivo est en corte. Si la tensin
aplicada entre Puerta Surtidor es inferior a Vth (normalmente superior a 2 voltios, para los
MOSFET de potencia), el dispositivo continuar en la regin de corte. En esta regin la corriente
que circula por el drenador es prcticamente nula.
As mismo, el transistor estar en la regin hmica, cuando VGS > Vt y VDS < ( VGS Vt ).
AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE
BAJA FRECUENCIA
Introduccin
El Segundo grupo son lo llamados switching amplifiers y pertenecen a ellos las clases
D, E, F, G, S, T, etc; ellos usan dircuitos digitales y modulacin por ancho de pulso (PWM)
para constantemente cambiar la seal entre completamente encendido y
completamente apagado obligando a los transistors a trabajar en las zonas de corte y
saturacin.
Los ms communes a construir son los amplificadores usados para audio, principalmente
los clase A, B, AB y C
Introduccin
Definicin
Los factores del amplificador de potencia que mayor inters presentan son:
Eficiencia en potencia del circuito =
Linealidad
Amplificador Clase A
Amplificador Clase A
Es la clase ms comn debido a su simplicidad en el diseo y se podra decir
que desde el punto de vista de baja distorsin es la mejor clase, por ello
probablemente son la mejor opcin para aspectos de amplificar audio.
Generalmente esta clase usa un solo transistor (Bipolar, FET, etc) conectado
en modo de emisor comn para todo el ciclo de la seal, teniendo corriente
que circula por el transistor siempre. Esto significa que en la etapa de salida
independiente del transistor usado no se encuentra en las zonas de
saturacin o corte, sino en el punto de trabajo denominado Q, en el medio
de la recta de carga.
Clase A
Operacin de la polarizacin:
Obtener IB de la malla:
Despejando IB :
IB = (VCC - VBE)/RB
VBE = 0,7
Clase A
Operacin de la polarizacin:
Obtener IC de la malla:
Despejando IC :
IC = (VCC - VCE)/R C
Clase A
Clase A
Operacin con polarizacin de CD
Ejercicio 2.- Con la recta de carga de la figura y el punto Q definido, determine los valores
requeridos de VCC, RC y RB para una configuracin de polarizacin fija.
Clase A
Consideraciones de Potencia
La potencia de un amplificador es
proporcionada por la alimentacin.
Pi(cd) = VCC2/2R C
Clase A
Clase A
Operacin de A.C
Una seal de entrada pequea ocasionar que la corriente de base vari arriba y abajo del punto
de polarizacin, lo que provocara que la corriente de colector (salida) vari desde el punto de
polarizacin establecido, as mismo el voltaje de colector-emisor varia alrededor de su valor de
polarizacin.
Clase A
Clase A
Operacin de A.C
A medida que la seal de entrada se hace ms grande, la salida variar en forma adicional
alrededor del punto de polarizacin establecido hasta que la corriente o el voltaje alcancen una
condicin lmite.
Para la corriente esta condicin lmite es la corriente cero del extremo inferior, o bien
VCC/RC en el extremo superior de su oscilacin. Para el voltaje de colector-emisor el
lmite es ya sea 0 V o el voltaje de la fuente, VCC.
Clasificacin
IC
ICq
Clase A
Cuando se habla de corriente alterna y los voltajes (cuando son alternos) se
expresan de forma comn por su valor efectivo o RMS.
Potencia de Salida
Clase A
La Potencia entregada a la carga puede expresarse como:
Clase A
Eficiencia
Eficiencia Mxima
Clase A
Eficiencia Mxima
2
Clase A
Clase A
Ejemplo
Clase A
Ejemplo
potencia de entrada
potencia de salida
Eficiencia
Clasificacin
Clase A
Ejemplo
Clase A
Ejemplo
0,709
Icq =0.416 A
VCE
9 VCEq = 10.6 VCC = 18
Clasificacin
Clase A
Ejemplo
En base al ejercicio anterior, cul sera la potencia entregada a la carga y cual sera
el valor de la eficiencia si al amplificador se le aplica una sea de entrada Vi =
0.02senwt y la ganancia de voltaje es VA= -294 ?
Clase A
El anlisis en CD:
Clase A
Tiene:
independencia a los
cambios de temperatura,
tolerancias de resistor,
variacin de B y
tolerancia de la fuente de
alimentacin.
Clase A
Clase A
En la configuracin de polarizacin anterior, la corriente de polarizacin y el voltaje eran
funciones de la ganancia de corriente del transistor. Sin embargo, como es sensible a la
temperatura, sobre todo si se trata de transistores de silicio, y como el valor real de beta en
general no est muy bien definido, conviene desarrollar un circuito de polarizacin que
dependa menos de, o que en realidad sea independiente, de la beta del transistor.
Criterio de diseo:
Clase A
Clase A
Clase A
Clase A
Transformacin Transformacin
De Voltaje De Corriente
Transformacin
De Impedancias
Clasificacin
Clase A
Suponemos que el transformador es ideal,
entonces de la malla de salida obtenemos:
Clase A
VCE = VCC
Clase A
Para conocer la potencia mxima que puede ser
entregada a la carga es necesario conocer los valores
mximos de la corriente de colector y el voltaje
colector-emisor, para ello se hace uso de la recta de
carga de corriente alterna.
m=
El valor mximo de iC se tiene cuando vCE es cero:
Boylestad, Icmax :
Clase A
Como es necesario conocer los valores mximos de
la corriente de colector y el voltaje colector-
emisor, para ello se hace uso de la recta de carga
de corriente alterna, una forma fcil de verlo es
usar la ecuacin de la recta punto pendiente:
Y=m(X-X1)+Y1
m=
El valor mximo de iC se tiene cuando vCE es cero:
Boylestad, Icmax :
Clase A
Clase A
El anlisis en CA, muestra que: RL >> Re, y para encontrar la recta de carga, la malla
de salida proporciona la ecuacin:
m=
Clasificacin
Rca = RL y Rcd = RE, pero tambin se sabe que, RL >> Re , lo que reduce las ecuaciones a:
Clasificacin
IC
2VCC /RL
Recta de carga para de CA para el amplificador clase A acoplado por
bobina
Vcc/RL
Consideraciones de Potencia
VCE
2VCC
Vcc =VCEq
Para encontrar la potencia de ca que se entrega a la carga, podemos utilizar los valores de
corriente y voltaje RMS, pico pico a pico, de igual forma como se hizo para el
amplificador clase A alimentado en serie
Clasificacin
Ahora bien, la mxima potencia entregada a la carga se dar cuando iLP = ICQ
El rendimiento mximo del circuito amplificador clase A acoplado por bobina ser:
La potencia en el colector ser mxima cuando el segundo trmino del lado derecho de
la ecuacin anterior sea cero, es decir, en ausencia de seal de entrada.
Clasificacin
Clase A
Ejemplo
Clase A
Ejemplo
[7] Boylestad y Nashelsky. (2009) Electrnica, Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos, 10ma
Edicin, Editorial Pearson