Moh Waqyan Ghani Fahmi

1506674690
Perlakuan Panas dan Rekayasa Permukaan -01

Aplikasi dari Proses Pengerasan Permukaan PVD dan CVD

PVD atau Physical Vapor Deposition merupakan suatu teknik pelapisan

suatu material dengan cara penguapan, yang melibatkan transfer material pada
skala atomik. Material pelapis yang digunakan berbentuk padat dengan
menggunakan ruang hampa tinggi. Proses pembuatan metal atom oleh evaporasi,
sputter dan metoda pemboman ion dilakukan pada temperatur sekitar 500C atau
yang dikenal dengan "Cold Process". Semua metoda PVD yang digunakan
memerlukan ruang hampa tinggi, secara relatif mengijinkan melekul bebas, metal
dari atom dan gas yang dicampur untuk membentuk reaksi dari permukaan
material.
Salah satu aplikasi proses dari PVD yaitu pertumbuhan lapisan film tipis
Tetrathiafulvalenetetracyanoquinodimethane (TTF-TNCQ) yang dipengaruhi
oleh struktur substrat dan bahan substrat. Pembentukan lapisan film tipis pada
Tetrathiafulvalenetetracyanoquinodimethane (TTF-TNCQ), telah diteliti dengan
menggunakan beberapa metode yang berbeda termasuk thermal evaporation, a
dipping process, drop-coating, electro-deposition, dan LangmuirBlodgett film
techniques. Dari pendekatan ini, lapisan film tipis TTF-TCNQ mudah tumbuh
baik oleh physical vapor deposition dan dengan sublimasi termal dalam vakum
tinggi dan morfologi permukaan yang diperoleh dengan beberapa substrat.
Sebelum melakukan pengujian, serbuk kristal dari TTF-TCNQ dipreparasi
oleh larutan campuran asetonitril dari TTF dan TCNQ. Serbuk kristal TTF-TCNQ
yang diperoleh direkristalisasi dua kali dari larutan asetonitril TTF-TCNQ, sampai
serbuk TTF-TCNQ menjadi hitam kering. Setelah itu TTF-TCNQ kemudian
disublimasikan untuk dilakukan pemurnian. Beberapa jenis substrat yang
digunakan pada pengujian pelapisan film tipis TTF-TCNQ ini yaitu NaCl,
SiO2/Si, dan CaF2. NaCl dipilih karena pelapisan permukaannya telah dipelajari
dengan baik. Substrat SiO2 / Si diperoleh dengan oksidasi permukaan Si dengan
menggunakan larutan H2SO4 dan H2O2 yang dicampur dengan perbandingan 4: 1.
Substrat CaF2 / CaF2 seperti yang diendapkan diperoleh dengan deposisi uap fisik
CaF2 pada substrat CaF2. CaF2 disimpan di ruang yang sama dengan yang
digunakan untuk deposisi TTF-TCNQ. CaF2 disublimasikan dari sel efusi 3
Moh Waqyan Ghani Fahmi
1506674690
Perlakuan Panas dan Rekayasa Permukaan -01

(ditunjukkan pada Gambar 1) pada suhu 1150C, dan ketebalannya dipantau

dengan monitor quartz crystal microbalance (QCM) yang dipasang di samping
substrat di ruang pengendapan.

Gambar 1. Proses pengujian pelapisan TTC-TNCQ dengan menggunakan PVD

Lapisan tipis TTF-TCNQ dibuat dengan PVD dari bubuk TTF-TCNQ

yang disiapkan dengan tekanan latar belakang kurang dari 0,5 x 10-6 Pa. TTF-
TCNQ disublimasikan dari sel efusi pada suhu sekitar 100 C. Tingkat
pertumbuhan dipantau pada monitor dengan ketebalan QCM berada pada kisaran
2 sampai 4 nm / menit. Pertumbuhannya terhenti saat ketebalan film terakumulasi
mencapai 150-200 nm. Substrat disimpan pada suhu kamar. Kontaminasi
permukaan oleh karbon dan oksigen diperiksa dengan menggunakan X-ray
photoelectron spectroscopy (XPS; VG -LAB MarkII), dan struktur permukaan
diperiksa dengan menggunakan difraksi elektron berenergi reflektif. Morfologi
film tipis TTF-TCNQ dipelajari dengan mikroskop elektron scanning (SEM;
Hitachi S-800). Pengukuran resistivitas dilakukan dengan menggunakan
pengukuran four-probe pada arus tetap 1 A.

CVD atau Chemical Vapor Deposition adalah proses kimia untuk memberi
lapisan tipis pada permukaan wafer yang digunakan dalam pembuatan mikro
sistem. Dalam proses ini, komponen gas bereaksi di permukaan wafer dan
membentuk lapisan tipis. Material pelapis yang digunakan berbentuk dalam gas,
Moh Waqyan Ghani Fahmi
1506674690
Perlakuan Panas dan Rekayasa Permukaan -01

dengan reaksi thermochemical untuk membentuk coating tool. Proses CVD ini
kemudian material dipanaskan mendekati temperatur 1,000 C atau dikenal
sebagai "Hot Process". Salah satu aplikasi dari deposisi uap kimia (CVD) yaitu
pelapisan titanium pada SiC fiber dengan Ti2 system.
Serbuk Ti (kemurnian 99,99 wt%) dan serbuk I 2 (kemurnian 99,99 wt%)
digunakan sebagai raw material, sedangkan Ar murni (kemurnian 99,99 %wt)
digunakan sebagai pengencer dan pembawa gas. Serat Tungsten-core-SiC fiber
dengan diameter sekitar 100 m tanpa lapisan karbon digunakan sebagai substrat
deposisi. Untuk menghindari pengaruh kontaminasi permukaan pada tingkat
deposisi lapisan titanium, permukaan serat SiC dibersihkan dengan alkohol murni
dan dikeringkan sebelum melakukan pengujian deposisi. Gambar 2 menunjukkan
skema perangkat pengujian yang digunakan untuk pembuatan lapisan titanium.
Perangkat pengujian yang utama mencakup tungku tabung dan tabung kuarsa.
Tungku tabung digunakan sebagai penyedia energi, dan tabung kuarsa digunakan
sebagai reaktor deposisi yang merupakan ruang pengendapan horisontal dan
panas. Substrat dalam tabung kuarsa dipanaskan hingga suhu tertentu dengan
mengendalikan suhu tungku tabung. Menurut jalur transformasi reaktan, ruang
pengendapan dapat dibagi menjadi daerah terhalogenasi dan daerah pengendapan.
Daerah yang terhalogenasi adalah untuk serbuk Ti yang bereaksi dengan bubuk I 2
untuk membentuk iodida, sedangkan daerah pengendapan untuk reaksi
disproporsionasi dari titanium halida rendah. Tungku pertama dipanaskan sampai
600 C dari suhu kamar dalam 30 menit, dan kemudian dipanaskan sampai sekitar
1000 C dalam 80 menit untuk pengendapan. Selama proses pemanasan, reaksi
halogenasi akan selesai. Setelah pengendapan, pelapis yang diendapkan
didinginkan sampai suhu kamar oleh pendingin tungku.
 Moh Waqyan Ghani Fahmi
1506674690
Perlakuan Panas dan Rekayasa Permukaan -01

Gambar 2. Proses CVD pada pelapisan Ti

Setelah lapisan Ti diendapkan pada serat SiC, permukaan morfologi dan
lapisan cross-sectional yang diendapkan diamati dengan menggunakan mikroskop
elektron scanning (SEM, Zeiss SUPRA 55, Jerman). Untuk mendapatkan
ketebalan rata-rata dan menghitung laju deposisi, sepuluh posisi berbeda di sekitar
tepi penampang diukur dengan menggunakan SEM. Distribusi dari sepuluh posisi
tersebut seragam di sekitar tepi penampang melintang.

REFERENSI
- Luo, Xian, Shuai Wu, Na Jin. 2017. Deposition of titanium coating on SiC fiber
by chemical vapor deposition with Ti-I2 system. State Key Lab of Solidification
Processing, Northwestern Polytechnical University
- Maruo, Yasuko Y., Tohru Maruno. 2017. Tetrathiafulvalene
tetracyanoquinodimethane thin films grown by physical vapor deposition:
Influence of substrate structures and substrate materials. NTT Energy and
Environmental System Laboratories, 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi,
Kanagawa