Integrantes de grupo: Herrera Andrs Fecha: 30/11/2017

Allauca Bryan
Grupo N 3.
INFORME DEL LABORATORIO 1.2
1. Tema de la prctica
MOSFET DE POTENCIA Y DRIVER IR2110

2. Objetivo Principal
Analizar circuitos para medir las caractersticas de drenaje del VMOSFET.
Analizar circuitos para que el VMOSFET funcione como interruptor digital para
obtener la caracterstica de conmutacin.
3. Objetivo Especifico
Identificar las caractersticas de salida del circuito como voltaje corriente y forma de
onda.
Verificar la funcin del capacitor para el disparo del MOSFET.
4. Equipos y Materiales
Osciloscopio
Multmetro
Carga 12 V.
Capacitor de 0.1 uF y 10 uF.
Mosfet
Protoboard
Cables de conexin
Driver IR2110
5. Anlisis
 = 2
Tabla de mediciones

Ciclo de Trabajo 20% 40% 60 % 80%

Vcc 12 V 12 V 12 V 12 V
Va 8.94 V 8.7 V 8.59 V 8.44 V
VGS 1.86 V 2.2 V 2.5 V 2.7 V
Vo 0.7 V 11.8 V 11.8 V 11.82 V
Zona de trabajo Corte Saturacin Saturacin Saturacin

Tabla de errores

Error (medido- 20% 40% 60 % 80%

simulado)
Vcc 0% 0% 0% 0%
Va 2% 2.1 % 2.2 % 1.9 %
VGS 3.4 % 5.1 % 1.2 % 4.9 %
Vo 4.6 % 1.1 % 3.2 % 2.9 %
Zona de trabajo Corte Saturacin Saturacin Saturacin

6. Preguntas:
En que terminales se aplica la seal que se obtiene de un circuito de control digital
que entrega seales PWM para el disparo del MOSFET?
La seal PWM se aplica a los terminales de HIN Y LIN del driver que son los pines 10 y 12 del
circuito integrado de 14 pines.

Para que se utiliza el circuito Bootstrap?

7. Conclusiones:

8. Recomendaciones:

9. Bibliografa

1) Grob Bernard, 1983, Circuitos Elctricos y sus Aplicaciones, Editorial McGraw-Hill,

Mxico.

2) L. Boylestad Robert, 1998, Anlisis Introductorio de Circuitos, 8 Edicin Editorial

Trillas, Mxico

3) Muhammad H.Rashid, Electronica de potencia, circuitos, dispositivos y aplicaciones

III edicin, 2004, Pretince Hall.