Você está na página 1de 31

POLARIZAÇÃO DO FET

1. INTRODUÇÃO

Para o transistor de efeito de campo, a relação entre os parâmetros de entrada e saída é não-
linear devido ao termo quadrático na equação de Shockley. A relação não-linear entre ID e VGS
pode complicar o raciocínio matemático necessário à análise cc de configurações com FET.
Um método gráfico pode limitar bastante a precisão, mas é o método mais rápido para a
maioria dos amplificadores a FET.

As relações gerais que podem ser aplicadas à análise cc dos amplificadores a FET são:

IG ≅ 0A (1)

ID = IS (2)

Para o JFET e o MOSFET tipo depleção, a equação de Shockley relaciona as variáveis de


entrada e saída:
2
 V 
I D = I DSS 1 − GS  (3)
 VP 

Para os MOSFET tipo intensificação, a seguinte equação é aplicável:

ID = k(VGS – VT)2 (4)

2. CONFIGURAÇÃO COM POLARIZAÇÃO FIXA

O mais simples dos arranjos de polarização para o JFET de canal n é mostrado na Figura 1.
Esse arranjo é chamado de configuração com polarização fixa.

A configuração da Figura 1 inclui os valores ca Vi e V0 mais os capacitores de acoplamento


(C1 e C2). Lembramos que os capacitores de acoplamento são ‘circuitos abertos’ para a análise
cc e baixas impedâncias (consideradas curtos-circuitos) para a análise ca. O resistor RG está
presente para assegurar que Vi apareça na entrada do amplificador FET na análise ca. Para a
análise cc:

IG ≅ 0A

VRG = IGRG = (0 A)RG = 0 V


Figura 1. Configuração com polarização fixa.

A queda de zero volt através de RG permite a substituição de RG por um curto-circuito


equivalente, que é mostrado na Figura 2.

O fato de o terminal negativo da bateria estar conectado diretamente ao potencial positivo de


VGS revela que a polaridade de VGS é oposta à de VGG. A aplicação da lei de Kirchhoff para
tensões na malha indicada na Figura 2 no sentido horário resultará em:

-VGG –VGS = 0

VGS = - VGG (5)

Como VGG é uma fonte cc constante, a tensão VGS é fixa, daí a notação ‘configuração com
polarização fixa’.

Figura 2. Circuito para a análise cc.

O valor resultante de corrente de dreno ID é agora controlado pela equação de Shockley:


2
 V 
I D = I DSS 1 − GS 
 VP 

Para uma análise gráfica, lembramos que a escolha de VGS = VP/2 resulta em uma corrente de
dreno de IDSS/4 quando o gráfico da equação é traçado.

Figura 3. Gráfico da equação de Shockley.

Na figura 4 a reta vertical representa VGS = - VGG; logo, o valor de ID deve ser determinado
sobre essa reta. O ponto de interseção das duas curvas é a solução para a configuração e é
geralmente chamado de ponto de operação, ou ponto quiescente (ponto Q).

É importante observar que, uma vez montado o circuito da Figura 1, os valores cc de ID e VGS,
que podem ser medidos como mostra a Figura 5, são os valores quiescentes definidos pela
Figura 4.

Figura 4. Solução para a configuração com polarização fixa.


A tensão dreno-fonte do circuito de saída pode ser determinada aplicando-se a lei de Kirchhoff
para tensões:

+ VDS + IDRD – VDD = 0

e VDS = VDD – IDRD (6)

Figura 5. Medindo os valores quiescentes de ID e VGS.

Lembre-se de que os índices de uma única letra indicam uma tensão medida em relação à
GND. Para a configuração da Figura 2:

VS = 0 v (7)

Utilizando um índice duplo:

VDS = VD - VS

ou

VD = VDS + VS = VDS = 0 V

VD = VDS (8)

Além disso:

VGS = VG - VS

ou
VG = VGS + VS = VGS = 0 V

VG = VGS (9)

EXEMPLO 1

Determine os seguintes parâmetros para o circuito da Figura 6.

a) VGSQ

b) IDQ

c) VDS

d) VD

e) VG

f) VS

Figura 6. Exemplo 1.

Solução

Método matemático:

a) VGSQ = - VGG = - 2
2
 − 2V 
2
 V 
b) I DQ = I DSS 1 − GS  = 10mA1 − 
 VP   − 8V 

= 10 mA(1 – 0,25)2 = 10 mA(0,75)2 = 10 mA(0,5625)

= 5,625 mA

c) VDS = VDD – IDRD = 16 V – 5,625 mA)(2 kΩ)

= 16 V – 11,25 V = 4,75 V

d) VD = VDS = 4,75 V

e) VG = VGS = - 2 V

f) VS = 0 V

Método Gráfico

A curva resultante da equação de Shockley e a reta vertical em VGS = - 2 V são fornecidas na


Figura 7. Não conseguimos obter uma precisão além da segunda casa decimal sem aumentar
significativamente o tamanho da figura, mas uma solução de 5,6 mA do gráfico da Figura 7 é
um valor bastante aceitável. Portanto, para:

a) VGSQ = - VGG = -2V

b) IDQ = 5,6 mA

c) VDS = VDD – IDRD = 16 V – (5,6 mA)(2kΩ)

= 16 V – 11,2 V = 4,8 V

d) VD = VDS = 4,8 V

e) VG = VGS = - 2 V

f) VS = 0 V

Os resultados confirmam claramente que os métodos gráfico e matemático geral resultados


bem próximos.
Figura 7. Solução gráfica para o circuito da Figura 6.

3. CONFIGURAÇÃO COM AUTOPOLARIZAÇÃO

A configuração com autopolarização elimina a necessidade de duas fontes cc. A tensão de


controle porta-fonte é agora determinada pela tensão através do resistor RS colocada no
terminal da fonte da configuração, como mostrado na Figura 8.

Figura 8. Configuração de JFET com auto polarização.

Já que IG = 0 A, o resultado é o circuito da Figura 9 para a importante análise cc.


Figura 9. Análise cc da configuração com autopolarização.

A corrente através de RS é a corrente de fonte IS, mas IS = ID e

VRS = IDRS

Para a malha indicada na Figura 9, temos:

-VGS – VRS = 0

VGS = - VRS

ou

VGS = - IDRS (10)

Observe, nesse caso, que VGS é função corrente de saída ID, e não mais de amplitude constante.

A equação (10) é definida pela configuração do circuito e a equação de Shockley relaciona os


parâmetros de entrada e saída do dispositivo.

A solução matemática pode ser obtida simplesmente por meio da substituição da Equação (10)
de Shockley:
2
 V 
I D = I DSS 1 − GS 
 VP 
2
 − I D RS 
= I DSS 1 − 
 VP 
2
 I R 
ou I D = I DSS 1 + D S 
 VP 
Desenvolvendo-se a equação anterior e reorganizando-se os termos, pode-se obter uma
equação com o seguinte formato:

K 1 I D2 + K 2 I D + K 3 = 0

Aqui é apresentado à solução algébrica para o ponto de polarização de circuito de auto


polarização do FET.

− B − B 2 − 4 AC
ID =
2A

Onde

A = Rs2

 V p2 
B = − 2 | V p | Rs + 
 I DSS 

C = V p2

| VDS |=| VDD | − I D ( RD + Rs ) , VDS positivo para FET canal N e negativo para um FET canal P

| VGS |= I D RS , VGS é negativo para FET canal N e positivo para FET canal P

Já o método gráfico requer que o primeiro se levante a curva de transferência do dispositivo,


como a que aparece na Figura 10. Como a Equação (10) define uma linha reta no mesmo
gráfico, identificamos dois pontos nele que estejam na linha e simplesmente traçamos uma reta
entre eles. A condição mais óbvia a ser aplicada é ID = 0 A, já que ela resulta em VGS = IDRS =
(0 A)RS = 0 V. Para a Equação (10), portanto um ponto da reta é definido por ID = 0 A e VGS =
0 V, como mostrado na Figura 10.

Figura 10. Definição de um ponto na reta de autopolarização.


O segundo ponto para a Equação (10) requer que seja selecionado um valor de VGS ou ID e que
o correspondente valor da outra quantidade seja determinado pela Equação (10). Os níveis
resultantes de ID e VGS definirão outro ponto da reta e permitirão o seu traçado. Suponhamos,
por exemplo, que ID seja igual à metade do nível de saturação. Ou seja:

I DSS
ID =
2

então

I DSS RS
VGS = − I D RS = −
2

O resultado é o segundo ponto na reta traçada da Figura 11. A linha reta definida pela Equação
(10) é traçada e o ponto quiescente é obtido na interseção da reta com a curva característica do
dispositivo.

O valor de VDS pode ser determinado aplicando-se a lei de Kirchhoff para tensões ao circuito
de saída com o seguinte resultado:

VRS + VDS + VRD – VDD = 0

VDS = VDD – VRS – VRD = VDD – ISRS - IDRD

mas como

ID = IS

temos:

VDS = VDD – ID(RS + RD) (11)

Além disso:

VS = IDRS (12)

VG = 0 V (13)

VD = VDS + VS = VDD – VRD (14)


Figura 11. Esboço da reta de autopolarização.

4. POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO

A polarização por divisor de tensão é aplicada também aos amplificadores com FET, como
demonstrado pela Figura 21. A análise cc é bastante diferente, IG = 0A para os amplificadores
que utilizam TBJN, o valor de IB pode afetar os valores de corrente e tensão nos circuitos de
entrada e saída. Lembramos que IG é o elo entre os circuitos de entrada e saída na configuração
com divisor de tensão para o BJ e VGS cumpre esse mesmo papel para a configuração com
FET.

O circuito da Figura 21 é redesenhado para a análise cc, como mostrado na Fiugra 22. a fonte
VDD foi separada em duas fontes equivalentes para permitir a distinção entre a região de
entrada e de saída do circuito. Uma vez que IG = 0 A, a lei de Kirchhoff para correntes permite
afirmar que IR1 = IR2, e o circuito em série equivalente que aparece à esquerda da figura podem
ser utilizados para determinar o valor de VG. A tensão VG igual à tensão através de R2 pode ser
determinada utilizando-se a regra do divisor de tensão, conforme mostrado a seguir:

Figura 21. Configuração da polarização por divisor de tensão.


Figura 22. Circuito redesenhado da Figura 21 para análise cc.

Aplicando-se a lei de Kirchhoff para tensões no sentido horário na malha indicada na Figura
22, obtém-se:

VG – VGS – VRS = 0

VGS = VG - VRS

Substituindo-se VRS = ISRS = IDRS, temos:

VGS = VG – IDRS (16)

O resultado é uma equação que inclui as mesmas duas variáveis da equação de Shockley: VGS
e ID. As quantidades VG e RS são fixas pela configuração do circuito. A equação (16) é ainda a
equação de uma reta, mas a origem não está mais contida nela. Como são necessários dois
pontos para se definir uma reta, utilizaremos o fato de que em qualquer ponto no eixo
horizontal da Figura 23, a corrente ID = 0 mA. Se selecionarmos então ID = 0 mA, estaremos,
em essência, em algum ponto do eixo horizontal. A posição exata pode ser determinada
simplesmente substituindo ID = 0 mA na Equação (16) e encontrando o valor resultante
IGS,como a seguir:

VGS = VG - IDRS

= VG – (0 mA)RS

VGS = VG |ID = 0mA (17)


Figura 23. Esboço da equação do circuito para a configuração com divisor de tensão.

Para o outro ponto, vamos considerar o fato de que, em qualquer ponto do eixo vertical, VGS =
0 V e solucionar para o valor resultante de ID:

VGS = VG - IDRS

0 V = VG -IDRS

VG
ID = |VGS =0V (18)
RS

O resultado demonstra que, sempre que traçarmos o gráfico da Equação (16) com VGS = 0 V, o
valor de ID será determinado pela Equação (18). Essa interseção também aparece na Figura 23.

Os dois pontos definidos anteriormente permitem o traçado de uma linha reta para representar
a Equação (16). A interseção da linha reta com a curva de transferência na região à esquerda
do eixo vertical define o ponto de operação e os valores correspondentes de ID e VGS.

Como a interseção no eixo vertical é determinada por ID = VG/RS, e VG é fixo devido ao


circuito de entrada, valores crescentes de RS reduzem o valor de ID na interseção, como
mostrado na Figura 24. Essa figura deixa claro que:

Valores crescente de RS resultam em valores decrescentes de ID e valores mais negativos de


VGS.

Uma vez que sejam determinados os valores de ID0 e VGS0, a análise restante poderá ser feita da
maneira comum. Ou seja:

VDS = VDD – ID(RD + RS) (19)

VD = VDD – IDRD (20)

VS = IDRS (21)
VDD
I R1 = I R 2 = (22)
R1 + R2

Figura 24. Efeito de RS no ponto Q resultante.

Solução Algébrica

A seguir será apresentada a solução algébrica geral para o ponto de polarização de circuitos
usando um FET com polarização por divisor de tensão

− B − B 2 − 4 AC
ID =
2A

Onde

A = Rs2

 V p2 
B = −  2 | V p | + | VG | R s + 
 I DSS 

C = (| VP | + | VG |)
2

R2
| VG |= | VDD |
R1 + R2

| V DS |=| V DD | − I D ( R D + Rs ) , VDS positivo para FET canal N e negativo para um FET canal P

| VGS |=| VG | − I D RS , VGS é negativo para FET canal N e positivo para FET canal P
EXEMPLO 5.

Determine os seguintes parâmetros para o circuito da Figura 25.

a) IDQ e VGSQ

b) VD

c) VS

d) VDS

e) VDG

Figura 25. Exemplo 5.

Solução

a) Para a curva de transferência, se ID = IDSS/4 = 8 mA/4 = 2 mA, então VGS = VP/2 = -4V/2 =
- 2V. A curva resultante que representa a equação de Shockley aparece na Figura 26. A
equação do circuito é definida por:

R2VDD
VG =
R1 + R2

(270kΩ)(16V )
=
2,1MΩ + 0,27 MΩ

= 1,82 V

e
VGS = VG - IDRS

= 1,82 V – ID(1,5 kΩ)

Quando ID = 0 mA:

VGS = + 1,82 V

Quando VGS = 0 V:

1,82V
ID = = 1,21mA
1,5kΩ

A reta de polarização resultante é mostrada na Figura 26 com os seguintes valores quiescentes:

IDQ = 2,4 Ma

VGSQ = - 1,8 V

Figura 26. Determinação do ponto Q para o circuito da Figura 25.

b) VD = VDD - IDRD

= 16 V – (2,4 Ma)(2,4 kΩ)

= 10,24 V

c) VS = IDRS = (2,4 Ma)(1,5 kΩ)

= 3,6 V
d) VDS = VDD – ID(RD + RS)

= 16 V – (2,4 mA)(2,4 kΩ + 1,5 kΩ)

= 6,64 V

ou

VDS = VD – VS = 10,24 V – 3,6 V

= 6,64 V

e) Embora raramente pedida, a tensão VDG pode ser determinada de maneira muito fácil,
utilizando:

VDG = VD – VG

= 10,24 V – 1,82 V

= 8,42 V

5. MOSFET TIPO DEPLEÇÃO

A diferença principal entre MOSFET e FET é o fato de que o MOSFET tipo depleção
apresenta pontos de operação com valores positivos de VGS e valores de IS maiores que IDSS.
Para todas as configurações discutidas até agora, a análise é a mesma se um JFET for
substituído por um MOSFET tipo depleção, inclusive as equações e soluções algébricas.

A única parte da análise que não foi definida é como traçar o gráfico da equação do Shockley
para valores positivos de VGS. Para a região de valores positivos de VGS. Para a região de
valores positivos de VGS e valores de ID maiores do que IDSS, até que ponto a curva de
transferência se estende? Para muitas situações, essa região será razoavelmente bem definida
pelos parâmetros do MOSFET e pela reta de polarização resultante do circuito. Alguns
exemplos revelarão o impacto da mudança no dispositivo sobre a análise resultante.

EXEMPLO 7.

Para o MOSFET tipo depleção de canal n da Figura 30, determine:

a) IDQ e VGSQ

b) VDS
Figura 30. Exemplo 7.

Solução

a) Para a curva de transferência, um ponto no gráfico é definido por ID = IDSS /4 = 6 mA/4 =


1,5 mA e VGS = VP/2 = - 3 V/2 = 1,5 V. Considerando o valor de VP e o fato de a equação
de Shockley definir uma curva que cresce mais rapidamente à medida que VGS se torna
mais positivo, um ponto no gráfico será definido em VGS = + 1 V. A substituição na
equação resultará em:
2
 V 
I D = I DSS 1 − G 
 VP 

+ 1v 
2 2
  1
= 6 mA 1 −  = 6 mA 1 +  = 6 Ma (1,778)
 − 3v   3

= 10,67 mA

A curva de transferência resultante aparece na Figura 31. Procedendo da maneira descrita no


JFET, temos:

Equação (15):

10 MΩ(18V )
VG = = 1,5V
10 MΩ + 110 MΩ

Equação (16)

VGS = VG – IDRS = 1,5 V – ID(750 Ω)

Estabelecer ID = 0 mA resulta em:

VGS = VG = 1,5 V
Estabelecer VGS = 0 V produz:

VG 1,5V
ID = = = 2mA
RS 750Ω

Os pontos no gráfico e a reta de polarização resultante aparecem na Figura 31. O ponto de


operação resultante é:

IDQ = 3,1 Ma

VGSQ = - 0,8 V

Figura 31. Exemplo 7.

b) Equação (19)

VDS = VDD – ID (RD + RS)

= 18 V – (3,1 mA)(1,8 kΩ + 750 Ω)

≅ 10,1 V

6. MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO

A curva característica de transferência do MOSFET tipo intensificação é bem diferente


daquela obtida para o JFET e o MOSFET tipo depleção, resultando em uma solução gráfica
bem diferente daquela apresentada até agora. Para o MOSFET tipo intensificação de canal n, a
corrente de dreno é zero para valores de tensão porta-fonte menores do que o valor de limiar
VGS(TB), como mostrado na Figura 36. Para valores de VGS maiores que VGS(TB), a corrente de
dreno é definida por:

ID = k(VGS – VGS(TB))2 (25)

Figura 36. Curva característica de transferência de um MOSFET tipo intensificação de canal


n.

As folhas de dados geralmente fornecem a tensão de limiar e um valor de corrente de dreno


(ID(ligado)) para um valor de VGS(ligado), são definidos dois pontos imediatamente, com mostrado
na Figura 36. Para completar a curva, a constante k da Equação (25) deve ser determinada a
partir dos valores obtidos das folhas de dados substituídos na Equação (25) e resolvidos para k,
conforme indicado a seguir:

ID = k(VGS – VGS(TB))2

ID(ligado) = k(VGS(ligado) - VGS(TB))2

I D ( ligado )
k=
(V − VGS (Tb ) )
2
(26)
GS ( ligado )

Uma vez que k esteja definido, podem-se determinar outros valores de ID para valores
selecionados de VGS. Geralmente um ponto entre VGS(Tb), e VGS(ligado) e outro um pouco maior do
que VGS(ligado) oferecem um número suficiente de pontos para traçar a Equação (25) (observe
ID1 e ID2 na Figura 36).
Configuração de Polarização com Realimentação

Na Figura 37 é mostrada uma configuração de polarização bastante utilizada para o MOSFET


tipo intensificação. O resistor RG oferece um alto valor de tensão à porta do MOSFET,
ligando-o. Uma vez que IG = 0 mA e VRG = 0 V, o circuito cc equivalente tem a forma
mostrada na Figura 38.

Agora existe uma conexão direta entre dreno e porta, o que resulta em:

VD = VG

E VDS = VGS (27)

Figura 37. Configuração de polarização com realimentação.

Figura 38. Equivalente cc do circuito da Figura 37.


Para o circuito de saída:

VDS = VDD - IDRD

que, com a utilização da Equação (27), torna-se:

VGS = VDD - IDRD (28)

O resultado é uma equação que relaciona as mesmas duas variáveis, com na Equação (25),
permitindo o traçado de ambas no mesmo conjunto de eixos.

Como a Equação (28) representa uma linha reta, pode-se empregar o mesmo procedimento
descrito anteriormente para determinar os dois pontos que definem o traçado no gráfico.
Substituindo ID = 0 mA na Equação (28), obtemos:

VGS = VDD|ID = 0 mA (29)

Substituindo VGS = 0 V na Equação (28), obtemos:

VDD
ID = |VGS =0V (30)
RD

Os gráficos definidos pelas Equações (25) e (28) aparecem na Figura 39 com o ponto de
operação resultante.

Figura 39. Determinação do ponto Q para o circuito da Figura 37.

Equações

Solução algébrica geral para o ponto de polarização dos circuitos NMOS e PMOS com
polarização por realimentação
− B − B 2 − 4 AC
ID =
2A

Onde

A = RD2

 1
B = −2 (| VDD | − | VT |) RD + 
 β

C = (| V DD | − | VT |)
2

| V DS |=| VGS |=| V DD | − I D R D ) , positivo para NMOS e negativo para PMOS

EXEMPLO 11

Determine IDD e VDSQ para o MOSFET tipo intensificação da Figura 40.

Figura 40. Exemplo 11.

Solução

Gráfico da curva de transferência:

Dois pontos são definidos imediatamente, como mostrado na Figura 41. Resolvendo para k:

Equação (26):
I D ( ligado )
k=
VGS (ligado ) − VGS (Tb ) 2

6mA 6 × 10 −3
= = A /V 2
(8V − 3V ) 2
25

= 0,24 X 10-3 A/V2

Para VGS = 6 V (entre 3 V e 8 V):

ID = 0,24 X 10-3 (6 V – 3 V)2 = 0,24 x 10-3 (9)

= 2,16 mA

como mostrado na Figura 41. Para VGS = 10 V (um pouco maior do que VGS(Tb):

ID = 0,24 X 10-3 (10 V – 3 V)2 = 0,24 x 10-3 (49)

= 11,76 mA

como também é mostrado na Figura 41. Os quatro pontos são suficientes para traçar toda a
curva na faixa de interesse, conforme indicado nessa mesma figura.

Figura 41. Gráfico da curva de transferência para o MOSFET da Figura 40.

Para a reta de polarização do circuito:

VGS = VDD - IDRD

= 12 V - ID(2 kΩ)

Equação (29):
VGS = VDD = 12 V|ID = 0 mA

Equação (30)

VDD 12V
ID = = = 6mA |VGS =0V
RD 2kΩ

A reta de polarização resultante aparece na Figura 42.

Figura 42. Determinação do ponto Q para o circuito da Figura 40.

No ponto de operação:

IDQ = 2,75 mA

VGSQ = 6,4 V

com

VDSQ = VGSQ = 6,4 V

Configuração de Polarização com Divisor de Tensão

Na Figura 43 é mostrada outra configuração de polarização muito utilizada, para o MOSFET


tipo intensificação. O fato de que IG = 0 mA resulta na equação a seguir para VGG, que nada
mais é do que a aplicação da regra do divisor de tensão.
R2VDD
VG = (31)
R1 + R2

A aplicação da lei de Kirchhoff para tensões ao longo da malha indicada na Figura 43 resulta
em:

+ VG - VGS – VRS = 0

VGS = VG – VRS

ou

VGS = VG - IDRS (32)

Para a seção de saída:

VRS + VDS + VRD – VDD = 0

VDS = VDD – VRS – VRD

ou

VDS = VDD – ID(RS + RD) (33)

Figura 43. Configuração com polarização por divisor de tensão para um MOSFET de
intensificação de canal n.

Como a curva característica representa um gráfico de ID versus VGS e a Equação (32) relaciona
as mesmas duas variáveis, as duas curvas podem ser traçadas no mesmo gráfico e a solução
pode ser determinada na interseção. Uma vez que IDQ e VGSQ sejam conhecidos, todos os
demais parâmetros do circuito, com VDS, VD e VS podem ser determinados.
Equações

Solução algébrica geral para o ponto de polarização dos circuitos NMOS e PMOS com
polarização por divisor de tensão

− B − B 2 − 4 AC
ID =
2A

R2
| VG |= | VDD |
R1 + R2

Onde

A = Rs2

 1
B = −2 (| VG | − | VT |) RS + 
 β

C = (| VG | − | VT |)
2

| VDS |=| VDD | − I D ( RD + Rs ) , VDS é positivo para FET NMOS e negativo para um FET
PMOS

| VGS |=| VG | − I D RS , VGS é positivo para FET NMOS e negativo para um FET PMOS

EXEMPLO 12

Determine IDQ, VGSQ e VDS para o circuito da Figura 44.

Figura 44. Exemplo 12.


Solução

Circuito

Equação (31):

R2VDD (18MΩ)(40V )
VG = = = 18V
R1 + R2 22MΩ + 18MΩ

Equação (32)

VGS = VG – IDRS = 18 V - ID(0,82 kΩ)

Quando ID = 0 mA:

VGS = 18 V – (0 mA)(0,82 kΩ) = 18 V

como mostra a Figura 45. Quando VGS = 0 V:

VGS = 18 V - ID(0,82 kΩ)

0 = 18 V - ID(0,82 kΩ)

18V
ID = = 21,95mA
0,82kΩ

como mostra a Figura 45. Quando VGS = 0 V:

Figura 45. Determinação o ponto Q para o circuito do Exemplo 12.

Dispositivo:

VGS(Tb) = 5 V, ID(ligado) = 3 mA com VG(ligado) = 10 V

Equação (26)
I D ( ligado )
k=
(VGS ( ligado ) − VGS (Tb )
2

3mA
= = 0,12 X 10 −3 A / V 2
(10V − 5V ) 2

ID = k(VGS - VGS(Tb))2

= 0,12 X 10-3 (VGS – 5)2

que é traçado no mesmo gráfico (Figura 45). Da Figura 45:

I DQ ≅ 6,7 mA

VGSQ = 12,5 V

Equação (33):

VDS = VDD - ID(RS + RD)

= 40 V – (6,7 mA)(0,82 kΩ + 30 kΩ)

= 40 V – 25,6 V

= 14,4 V

7. TABELA RESUMO

Agora que já foram introduzidas as configurações mais utilizadas para os diversos dispositivos
FET´s, na Tabela 1 são revistos os principais resultados e as semelhanças existentes entre as
abordagens para as várias configurações. Além disso, é mostrado que, de maneira geral, a
análise das configurações cc para os FETs não é tão compelxa. Uma vez que esteja
estabelecida a curva característica de transferência, pode-se desenhar a reta de autopolarização
do circuito e determinar o ponto Q na interseção. Para o restante da análise, são aplicadas
simplesmente as leis básicas de análise de circuitos.

Tabela 1. Configurações de polarização para o FET