Você está na página 1de 3

Transistores de Efeito de Campo MOS

Estrutura

polissilício

óxido

• A porta é formada por polissilício, e o isolante por óxido de silício


Transistores de Efeito de Campo MOS
Formação do canal

• As lacunas são repelidas pela tensão positiva da porta (VG), deixando


para trás íons negativos e formando uma região de depleção. Depois,
elétrons são atraídos para a interface, criando um canal.
Transistores de Efeito de Campo MOS
Formação do canal

• O canal de um MOSFET pode ser visto como um


resistor.
• Uma vez que a densidade de cargas dentro do canal
depende da tensão de porta, esta resistência também é
dependente da tensão.