• A porta é formada por polissilício, e o isolante por óxido de silício
Transistores de Efeito de Campo MOS Formação do canal
• As lacunas são repelidas pela tensão positiva da porta (VG), deixando
para trás íons negativos e formando uma região de depleção. Depois, elétrons são atraídos para a interface, criando um canal. Transistores de Efeito de Campo MOS Formação do canal
• O canal de um MOSFET pode ser visto como um
resistor. • Uma vez que a densidade de cargas dentro do canal depende da tensão de porta, esta resistência também é dependente da tensão.