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Disciplina: Propriedades dos Materiais Sólidos.

Identificação da tarefa: Tarefa 3. Unidade 3. Envio de arquivo.


Pontuação: 10 pontos.

TAREFA 3

Na Unidade 3 estudamos as propriedades elétricas dos materiais. Hoje, existem


muitas maravilhas eletrônicas, como o computador, lasers, entre outros. No entanto
são baseadas em materiais, sendo o semicondutor de silício o mais importante
destes. Estudar as propriedades elétricas dos materiais é fundamental e
imprescindível para entender o funcionamento e realizar a construção desses
componentes.

Os semicondutores são conhecidos pelas suas propriedades elétricas. Elas estão


entre as propriedades apresentadas nos condutores elétricos e os isolantes. Os
semicondutores estão presentes de diversas formas no nosso dia a dia, sob a forma
de diodos, transistores, por exemplo. Eles tornaram possível o advento dos circuitos
integrados, o que determinou grande parte do desenvolvimento dos aparelhos
eletrônicos existentes.

Discorra sobre a propriedade de semicondutividade, o texto deve conter:

 Como se define um material semicondutor;


 Quais fatores alteram essas propriedades;
 Exemplos de materiais semicondutores e suas aplicações.

Segundo Barreto (2017), a condutividade elétrica é a capacidade dos materiais de


conduzirem ou transmitirem corrente elétrica. Ou o inverso da resistividade, que é um
indicativo da facilidade com que um material é capaz de conduzir uma corrente
elétrica. Com relação ao material, a condutividade dependerá do número de elétrons
que passam da banda de valência para a banda de condução e será maior com o
aumento da temperatura, e menor quando for a energia que separa as duas bandas,
ou seja, o gap. Para os semicondutores esse gap é relativamente pequeno, menor que
2eV, como mostra a figura 1, ou seja, é o suficiente para ocorrer a condução.
Figura 1: Gap para os diferentes tipos de material

Fonte: Portnoi, (2016) apud Barreto (2016)

Os materiais semicondutores têm condutividade elétrica tão alta como a dos metais,
no entanto, apresentam características elétricas únicas destinadas a certas
finalidades. Nos semicondutores, a condutividade pode ser rapidamente modificada
pela presença de impurezas, quando contendo concentrações pequenas e controladas
de impurezas diz-se que estão dopados. Essas impurezas acabam com a regularidade
da rede cristalina, afetando os níveis de energia e fornecem novos portadores de
corrente. Observando a Tabela 1 é possível comparar algumas propriedades elétricas
entre um condutor e um semicondutor.

Tabela 1- Algumas propriedadesa elétricas do cobre e do silício

Cobre Silício

Tipo de condutor Metal Semicondutor

Densidade de portadores 9x1024 1x1016b


de cargas, n (m-3)

Resistividade, ρ 2x10-8 3x103

Coeficiente de temperatura 4x10-3 -70x10-3


da resistividade α (K-1)

Fonte: LAMAT (2017)


Por definição, segundo Fruett (2017), semicondutores são um caso particular de
materiais isolantes, sendo a única diferença a magnitude da banda proibida de
energia. Se for menor ou até da ordem de 3 eV é semicondutor, enquanto que se for
maior é um isolante. A razão do diferente comportamento entre metais e
semicondutores é que os metais contêm um número constante de portadores móveis
de carga em todas temperaturas, e semicondutores não. Em um semicondutor puro,
para que os portadores se tornem livres, as cargas devem ser ativadas. Essa ativação
requer alguma energia, que pode vir, por exemplo, da agitação térmica.

De uma forma geral os materiais podem ser divididos em: Isolantes, semicondutores e
condutores e a classificação geral dos materiais de acordo com sua
condutividade/resistividade é mostrada na Figura 2, percebe-se que os
semicondutores ficam em uma faixa intermediária de 10-4 a 103 (s/cm). A Tabela 2
possui a relação de elementos e compostos semicondutores. Os principais elementos
semicondutores de grande importância prática são o Si, Ge, e muitos III-V e II-VI
compostos (da tabela periódica), como o Arsenieto de Gálio (GaAs), Antimônio de
índio (InSb), arsenieto de índio (InAs) e o Sulfeto de cádmio (CdS). A partir da tabela 3
podemos verificar as principais propriedades dos semicondutores mais comuns. A
magnitude da descontinuidade de energia geralmente decresce quando nos
deslocamos das posições mais altas para as mais baixas na tabela periódica (C → Si
→ Ge → Sn), ou (GaP → GaAs → GaSb), ou (AlSb → GaSb → InSb).

Figura 2: Faixa de resistividade típica dos sólidos

Autor: FRUETT (2017)


Tabela 2: Elementos e compostos formadores de semicondutores

Binário IV Binário III-IV Binário II-IV

Elementos Componentes Componentes Componentes

Si (Silício) SiC AlP ZnS

Ge (Germânio) SiGe AlAs ZnSe

AlSb ZnTe

GaP CdS

GaAs CdSe

GaSb CdTe

InP

InAs

InSb

Fonte: FREUTT (2017)

Tabela 3: Propriedades de semicondutores comuns (20ºC)

Fonte: LAMAT (2017)


A condutividade elétrica de um semicondutor é altamente dependente das condições
ambientais, tais como temperatura, radiação luminosa, pressão, campo magnético e
pureza do material etc. As propriedades elétricas desses materiais são extremamente
sensíveis à presença de impurezas, mesmo em pequenas concentrações. Os
semicondutores intrínsecos são aqueles nos quais o comportamento elétrico está
baseado na estrutura eletrônica inerente do material puro, mas quando as
características elétricas são determinadas por átomos de impurezas, o semicondutor é
extrínseco. (FRUET, 2017).

Semicondutor intrínseco é aquele encontrado na natureza na sua forma mais pura, ou


seja a concentração de portadores de carga positiva é igual à concentração de
portadores de carga negativa. Semicondutores extrínsecos ou dopados são
semicondutores intrínsecos onde introduzimos uma impureza para controlarmos as
características elétricas do semicondutor. No caso do silício, como material
semicondutor estas impurezas são elementos da coluna III (trivalentes) ou da coluna V
(pentavalente) da tabela periódica.

Um material semicondutor, além de depender das concentrações de elétrons e/ou


buracos, também dependem das mobilidades dos portadores de cargas, ou seja a
facilidade com que os elétrons e os buracos são transportados através do cristal.
Adicionalmente as magnitudes das mobilidades dos elétrons e dos buracos, também
são influenciadas pela presença daqueles mesmos defeitos cristalinos que são
responsáveis pelo espalhamento dos elétrons nos metais – as vibrações térmicas
(temperatura) e os átomos de impurezas (CALLISTER,.2012).

Os fatores principais que afetam a mobilidade dos portadores e assim as propriedades


de condutividade elétrica são: influência do teor dopante e influência da temperatura.
Conforme a figura 3, retirada do livro de Callister (2012), em concentrações de
dopante menores que aproximadamente 1020 m-3, as mobilidades de ambos os
portadores estão nos seus níveis máximos e são independentes da concentração de
dopante, além disso ambas mobilidades diminuem com o aumento do teor de
impurezas, também é possível notar que a mobilidade dos elétrons é sempre maior do
que a mobilidade dos buracos.
Figura 3: Dependência das mobilidades dos elétrons e dos buracos (escala
logarítmica) em relação à concentração de dopante (escala logarítmica) para o silício à
temperatura ambiente.

Fonte: CALLISTER (2012)

As dependências em relação à temperatura das mobilidades dos elétrons e dos


buracos para o silício estão apresentadas na figura 4 e 5. As curvas para vários teores
de impurezas dopantes estão mostradas para ambos portadores. Com esses gráficos
é possível observar que, para concentrações de dopante iguais ou menores do que
1024 m-3, tanto a mobilidade dos elétrons quanto a dos buracos diminui em magnitude
com o aumento de temperatura; esse efeito se deve ao maior espalhamento térmico
dos portadores.

Figura 4: Dependência em relação à temperatura das mobilidades em relação aos


elétrons

Fonte: CALLISTER (2012)


Figura 5: Dependência em relação à temperatura das mobilidades dos buracos para
silício dopado com várias concentrações de doadores e receptores.

Fonte: CALLISTER (2012)

Como já foi discorrido, os semicondutores possuem em sua composição o silício e o


germânico, além do gálio, do cádmio, arsênio e telúrio, que formam ligações
covalentes semelhantes a dos materiais cerâmicos, podendo ser considerados como
uma subclasse da cerâmica. É importante na fabricação de componentes eletrônicos
tais como diodos, transístores e outros de diversos graus de complexidade
tecnológica, microprocessadores, e nanocircuitos usados em nanotecnologia. Portanto
atualmente o elemento semicondutor é primordial na indústria eletrônica e confecção
de seus componentes.

Basicamente, os materiais semicondutores controlam o fluxo da corrente elétrica,


podendo atuar como simples retificadores ou chaves interruptoras; mas o fundamental
desses dispositivos e a variação de fluxo de corrente proporcionalmente a pequenos
sinais de controle, fornecendo dessa maneira, amplificação. Essa propriedade de
controle de condução de corrente explica o grande uso dos materiais semicondutores
nos circuitos diversos na eletrônica (PEREIRA, 2011).

O silício é utilizado para a produção de ligas metálicas, na preparação de silicones, na


indústria cerâmica e, por ser um material semicondutor muito abundante, tem um
interesse muito especial na indústria eletrônica e microeletrônica, como material
básico para a produção de chips para transistores, pilhas solares e, em diversas
variedades de circuitos eletrônicos. O silício é um elemento vital em numerosas
indústrias. O dióxido de silício, areia e argila são importantes constituintes do concreto
armado e azulejos (ladrilhos).

A aplicação do elemento Germânio é como semicondutor em eletrônica, produção de


fibras ópticas e equipamentos de visão noturna: Em Eletrônica tem bastante utilidade
em radares, amplificadores de guitarras elétricas, ligas metálicas de SiGe, em circuitos
integrados de alta velocidade. Óptica de infravermelhos tais: espectroscópios,
sistemas de visão noturna e outros equipamentos.

Segundo Teixeira (2011), os dispositivos semicondutores mais comuns são o diodo, o


transistor e os dispositivos fotossensíveis, conforme discriminamos abaixo:

 Diodo semicondutor: é formado pela junção p e n e tem como utilidade básica


permitir o fluxo de corrente elétrica apenas em um sentido (o sentido de
polarização direta)
 Transistor: é formado pela inserção de um semicondutor tipo p entre dois
semicondutores tipo n ou vice-versa. O material do meio é chamado base eos
outros, emissor e coletor. O transistor funciona basicamente como um
amplificador de corrente se esta for alta (ligeiramente alta) ou como um
interruptor de corrente se esta for próxima de zero.
 Dispositivos fotossensíveis: dividem-se em Células fotocondutivas:
fotoresistores, fotodiodos e fototransistores; e Células fotovoltaicas. As Células
fotocondutivas funcionam da seguinte forma: Quando um fluxo luminoso incide
sobre o material semicondutor, os fótons podem fornecer aos elétrons energia
suficiente para produzir a ruptura de ligações covalentes. A ação dos fótons
ocasiona a produção de par elétron-lacuna, o que provoca um aumento da
condutividade do semicondutor. Esse fenômeno é conhecido como
fotocondutividade.
Referências Bibliográficas

BARRETTO, Tatiana Conceição Machado. Propriedades do materiais sólidos.


Brasília, 2017.

CALLISTER JR., W. D. Ciência e Engenharia de Materiais: uma Introdução. 7ª


Edição, 2012.

FRUETT, F. Introdução aos semicondutores. 2017. Acesso disponível em:


http://www.dsif.fee.unicamp.br/~fabiano/EE530/PDF/Texto%20-
%20F%EDsica%20dos%20Semicondutores.pdf

LAMAT. Laboratório de materiais. Materiais semicondutores: capítulo 15. 2017


Acesso: http://foz.unioeste.br/~lamat/downmateriais/materiaiscap15.pdf.

PEREIRA, M. S. Materiais semicondutores. Trabalho apresentado à Universidade


Uberaba como parte das exigências à conclusão do componente curricular Materiais
Elétricos do 4º período/2011 do Curso de Engenharia Elétrica.2011.