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Notas Sobre a Linha de Transmissão Ideal, a Carta

de Smith e a sua Utilização na Adaptação de


Circuitos Distribuı́dos
José A. Soares Augusto
Prof. Auxiliar, Sec. Electrónica, DEEC, Instituto Superior Técnico, Lisboa, PORTUGAL
Investigador Sénior, INESC-ID, Lisboa, PORTUGAL

Versão 1.0.0, Junho de 2001

1 Introdução
A Carta de Smith (CS), apesar de ser uma ajuda gráfica ao projecto de circuitos dis-
tribuı́dos bastante antiga, é ainda um instrumento útil. Serve, principalmente, para
obter uma primeira estimativa de projecto, estimativa esta que deverá ser posterior-
mente ajustada utilizando simuladores adequados para circuitos distribuı́dos (e.g., o
CNL), que implementam modelos dos dispositivos electrónicos e dos elementos de in-
terligação sofisticados e válidos até frequências muito elevadas. Deve-se ter em atenção
que quando se projecta circuitos para funcionar a frequências acima de 1 GHz, a questão
da modelação do circuito é crucial para a obtenção de resultados de simulação fiáveis.
Este documento vai ser resumido (pelo menos a sua primeira versão...) Começa-
se por descrever a equação da Linha de Transmissão (LT) ideal, particulariza-se esta
equação para os stubs e para o transformador de um quarto do comprimento de onda,
relaciona-se a equação da LT com a Carta de Smith (CS) através da definição dos
Factores de Reflexão (FR) e, finalmente, exemplifica-se o uso da CS em alguns problemas
de adaptação e/ou sı́ntese de impedâncias ou admitâncias complexas.
De acordo com a notação mais ou menos universal utilizada em elementos de circuito,
verifica-se que:

• A impedância complexa Z
√ = R+jX é a soma da resistência R com a reactância
X multiplicada por j = −1;

• a admitância complexa Y = G + jB é a soma da condutância G com a sus-


ceptância B multiplicada por j;

• a relação entre a admitância e a impedância é Y = 1/Z.

1
2 A Equação da Linha de Transmissão Ideal
Vai-se considerar uma LT ideal (isto é, sem perdas), de impedância caracterı́stica Z 0
(ou R0 , na maior parte das vezes), terminada num dos extremos (ou portos) por uma
impedância de carga Zc . Este porto é denominado porto da carga. A impedância
Zg vista no outro porto da LT, denominada impedância no gerador, relaciona-se
com Zc pela seguinte equação:
Zc + jZ0 tan βd
Zg = Z 0
Z0 + jZc tan βd

O porto onde se observa Zg é naturalmente denominado porto do gerador. É impor-


tante notar que esta impedância é função de três variáveis: da impedância caracterı́stica
Z0 , do comprimento d da LT e, obviamente, da carga Zc .

d 0

LT (Zo)
Zg(Zc,Zo,d)
Zc

Figura 1: Linha de transmissão ideal, de comprimento d e impedância caracterı́stica Z 0 ,


terminada por uma impedância de carga Zc .

Sendo C e L respectivamente a capacidade e a indutância por unidade de compri-


mento da LT, define-se a constante de propagação, γ, por

γ = jω LC

e a constante de fase, β, por



β = ω LC = 2π/λ

onde λ é o comprimento de onda definido por


2πvp vp
λ= =
ω f
em que vp é a velocidade de propagação das ondas electromagnéticas na LT e f =
ω/(2π) é a frequência de trabalho.
A impedância caracterı́stica Z0 é dada em função das caracterı́sticas eléctricas da
LT por s
L
Z0 =
C

2
A unidade da impedância é o Ohm (Ω). Em microondas é costume representar-
se as impedâncias e admitâncias por maiúsculas. Porém, é habitual trabalhar com
impedâncias e admitâncias normalizadas relativamente à impedância caracterı́stica
Z0 , que são tradicionalmente representadas por minúsculas, e.g.:
Z
z=
Z0
A admitância é o inverso da impedância; a admitância normalizada é o inverso
da impedância normalizada. Assim:
1 1
Y = y=
Z z
A conversão entre impedâncias e/ou admitâncias normalizadas e não normalizadas
utilizando estas fórmulas é imediata. Além disso, a partir da relação entre Z e Y retira-se
que:
1 Y
y = = Z0 Y =
z Y0
onde Y0 = 1/Z0 .
Vai-se utilizar consistentemente esta convenção relativamente a maiúsculas e minúsculas.
Inclusive, sempre que não haja confusão, o termo ’normalizada’ será omitido para não
complicar desnecessariamente o texto.
A impedância normalizada vista no porto do gerador da LT é
zc + j tan βd
zg =
1 + jzc tan βd
onde zc é a impedância de carga normalizada.
A admitância normalizada vista no gerador é
yc + j tan βd
yg =
1 + jyc tan βd
onde yc é a admitância de carga normalizada.

2.1 Casos particulares


Existem alguns casos particulares de zg .
Considere-se a linha terminada por um curto-circuito, denominada ’stub’ em curto-
circuito. Uma vez que zc = 0 rapidamente se calcula

zgcc = j tan βd

A linha terminada por um circuito aberto, denominada ’stub’ em circuito aberto, é


caracterizada por zc → ∞. Calculando zg neste limite obtém-se

zgca = −j cot βd

3
(a cotangente é o inverso da tangente.) Se se pretender as impedâncias denormalizadas,
recorre-se ao seguinte conjunto de equações:

Zgcc = jZ0 tan βd

Zgca = −jZ0 cot βd


Os stubs permitem sintetizar directamente uma carga reactiva capacitiva ou indutiva.
Vamos particularizar um pouco mais os stubs: qual é a impedância, vista no gerador,
de stubs com um comprimento fixo d = λ/8? Neste caso tan βd = cot βd = 1 e

Zgcc(λ/8) = jZ0

Zgca(λ/8) = −jZ0
ou seja, a sı́ntese de uma reactância Xs = Zs com este elemento é feita apenas à custa da
impedância caracterı́stica do stub e não do seu comprimento. Esta solução só é viável
se o valor Xs = ±Z0 estiver dentro dos limites tecnológicos da configuração de linha
utilizada para implementar o stub (e.g., microfita...)
Considere-se agora a LT com uma dimensão de 1/4 do comprimento de onda. Neste
caso βd = (2π/λ)(λ/4) = π/2 e tan βd → ∞. Calculando zg para este limite temos

1
zg(λ/4) =
zc
e, denormalizando
Z02
Zg(λ/4) =
Zc
Na maioria das vezes Z0 = R0 é real. Este caso particular da LT, denominado1
habitualmente de transformador de λ/4, é utilizado para transformar uma resistência
de carga pré-definida Zc = Rc (normalmente valendo 50 Ω) no valor q pretendido Rg ,
usando como ’ferramenta’ a impedância do ’transformador’ Z0 = R0 = Rc Rg .
Estes três casos particulares da LT ideal são os mais utilizados na prática. Vai-se
passar agora à discussão da carta de Smith.

2.2 Não confunda a carga e o gerador nas equações da linha


com a carga e o gerador do diporto terminado!
Um dos casos práticos de aplicação das equações da LT e da CS é na sı́ntese das termi-
nações de diportos representados pelos parâmetros de dispersão ou parâmetros S.
Infelizmente, devido à existência de uma nomenclatura comum ao diporto e à LT,
confunde-se muitas vezes as posições do gerador e da carga no diporto com as posições
do gerador e da carga nas LT utilizadas para sintetizar as terminações (normalmente,
para fazer adaptação) do diporto.
1
Devido à semelhança da equação de Zg(λ/4) com a equação da resistência de entrada de um trans-
formador carregado Ri = (ni /nc )2 Rc , tão utilizada no projecto de circuitos electrónicos em baixas
frequências.

4
Zcin Zgin Zgout Zcout

Gerador Carga
LTin S LTout

Figura 2: Diporto [S] carregado por duas LT terminadas. Zcin , Zgin , Zgout e Zcout
representam as impedâncias no gerador e de carga segundo a nomenclatura das
linhas e não segundo a nomenclatura gerador/carga do diporto.

Esta situação é ilustrada na figura 2, onde são assinaladas as impedâncias re-


lativamente às LT que adaptam a saı́da e a entrada do diporto. De uma maneira
equivalente, poder-se-ia ter assinalado os coeficientes de reflexão associados a cada uma
das impedâncias. Naquela figura, atendendo a que LTin e LTout são as 2 linhas de
transmissão na entrada e na saı́da, respectivamente, verifica-se que:
• Zcin é a carga de LTin que faz a adaptação na entrada do diporto;
• Zgin é a impedância vista no porto do gerador de LTin que faz a adaptação na
entrada. Esta impedância é igual àquela denominada Z1g ou Zg quando se usam
as equações de adaptação do diporto [S].
• Zgout é a impedância vista no porto do gerador de LTout que faz a adaptação na
saı́da. Esta impedância é igual àquela denominada Z2c ou Zc quando se está a
fazer a adaptação da saı́da do diporto.
• Zcout é a carga de LTout que faz a adaptação na saı́da do diporto.
Em resumo, é importante não confundir as duas nomenclaturas, principalmente
porque quando se usa a CS para sintetizar impedâncias ou factores de reflexão, se
efectuam rotações no sentido do gerador ou da carga, sentidos estes que são opostos: se
houver algum erro sobre a identificação dos portos da carga e do gerador, os cálculos
virão errados!

3 A Carta de Smith
As expressões gerais de Zg e de zg são demasiado complicadas para serem úteis. Por ou-
tras palavras, são de pouca utilidade para sintetizar a impedância de gerador pretendida
a partir dos valores de d e de Zc (ou zc ), presumindo que Z0 está definida.
Note, porém, que a formulação matemática do problema é imediata: decompondo
zg = rg + j xg e zc = rc + j xc nas partes real e imaginária, pode-se escrever
(rc + j xc ) + j tan βd
rg + j x g =
1 + j(rc + j xc ) tan βd

5
Igualando separadamente as partes real e imaginária dos dois membros, obtém-se um
sistema não linear de equações que pode ser resolvido por um método numérico apro-
priado. Aparentemente há três variáveis (rc , xc e d) para duas equações (satisfazer a
parte real e a parte imaginária da igualdade); porém, zc habitualmente consiste de uma
resistência de 50 Ω em paralelo com uma reactância, pelo que apenas há uma variável
independente associada à carga.
Há algumas décadas, a resolução da anterior equação com um método numérico não
era prática (ainda não existiam o Matlab, o Mathcad, o Mathematica, etc...) e foi
desenvolvido um método gráfico – a carta de Smith –, para trabalhar com a linha de
transmissão.
Começa-se por definir o factor de reflexão ρ associado a uma impedância Z num
sistema com impedância de normalização Z0
Z − Z0 z−1
ρ= =
Z + Z0 z+1
Uma vez que Z ou z são complexas, ρ também o é e esta expressão define uma trans-
formação conforme (mais precisamente, uma transformação bilinear) no domı́nio
complexo.
A transformação inversa z(ρ) é
1+ρ
z=
1−ρ

Sem querer exagerar na revisão de números complexos 8-), apenas se recorda que a
transformação bilinear z → ρ transforma o semi-plano complexo direito do plano z (as
impedâncias com resistência positiva) no interior do cı́rculo de raio unitário no plano ρ.
As rectas de resistência constante ou de reactância constante em z são transformadas
(em geral, sendo excepção alguns valores singulares) em circunferências no plano ρ. Ora
a Carta de Smith é, precisamente, uma representação do interior do cı́rculo unitário
do plano ρ onde foram sobrepostas as curvas correspondentes aos valores passivos de z
com resistência constante ou com reactância constante. A figura 3 ilustra este ponto.
(Devido a problemas em desenhar a fonte Symbol nas figuras, ρ é representado pela
letra p e o ângulo θ é representado por Q. Esta substituição de sı́mbolos vai-se manter
ao longo do documento.)
A marcação de ρ na CS é normalmente feita na sua forma radial, i.e., ρ = |ρ|ejθ onde
θ é o ângulo marcado, segundo o exemplo mostrado no plano ρ da figura 3-a), a partir
do semi-eixo real positivo, no sentido directo (contrário ao dos ponteiros do relógio).
Embora ρ pudesse ser marcado na CS através das suas coordenadas cartesianas, não
é essa a prática, uma vez que a CS não tem sequer marcas que auxiliem nesta tarefa.
Casos notáveis de ρ na carta de Smith de impedâncias são:

• O curto-circuito z = 0 equivale a ρ = −1. O ponto da CS correspondente ao c.c.


é o que se situa mais à esquerda;

• A resistência de referência z = 1 equivale a ρ = 0 e corresponde, portanto, ao


centro da CS;

6
Imag. p
Plano p Plano p

Q
1
Real p
1
c.c. c.a.

Carta de
Smith
a) b)

Figura 3: a) Plano complexo (cartesiano) na variável p = ρ ; b) a Carta de Smith consiste


deste plano com a sobreposição das circunferências (ou arcos de circunferência...) cor-
respondentes a resistência constante (a cheio), ou a reactância constante (a tracejado),
da impedância normalizada z. Q designa o ângulo θ do texto.

• O circuito-aberto z → ∞ equivale a ρ = 1. O ponto da CS correspondente ao c.a.


é o que se situa mais à direita.

Estes casos são assinalados na figura 3-b).


Dentro da CS todas as impedâncias são passivas, isto é, têm resistência positiva.
No semi-cı́rculo superior encontram-se as que têm reactância positiva e no semi-cı́rculo
inferior encontram-se as que têm reactância negativa.
Verifica-se exactamente o mesmo na CS das admitâncias, que será discutida mais
adiante: dentro da CS as admitâncias são passivas, isto é, têm condutância positiva.
No semi-cı́rculo superior encontram-se as que têm susceptância positiva e o semi-cı́rculo
inferior contém as de susceptância negativa.

4 Relação entre ρg e ρc numa Linha de Transmissão


A mais valia da carta de Smith deve-se à feliz existência das seguintes igualdades equi-
valentes:
ρg = ρc e−j2βd ρc = ρg ej2βd
a primeira das quais é demonstrada no apêndice A.
Ora |ρg | = |ρc |, uma vez que |ejx | = 1, ∀x. Conclui-se assim que ambos os factores
de reflexão ρg e ρc se situam sobre a circunferência de raio |ρg | = |ρc | centrada
no centro da CS. Definindo θ = 2βd temos que

• a conversão ρg → ρc é feita rodando ρg de θ graus no sentido directo ou sentido


da carga;

7
• a conversão ρc → ρg é feita rodando ρc de θ graus no sentido retrógado (ou dos
ponteiros do relógio) denominado sentido do gerador.

Sentido do Sentido da
gerador carga
pg
pc
pc

pg

Figura 4: Cálculo de ρg (pg na figura) a partir de ρc (pc na figura) na CS da esquerda,


e vice-versa, na CS da direita, numa linha de transmissão ideal. Em ambos os caso, a
rotação é de θ = 2βd.

É importante notar que θ = 2βd = 2π implica que βd = (2πd/λ) = π, ou seja,


d = λ/2. Isto significa que se se percorrer, numa LT terminada por uma impedância de
carga qualquer, um percurso correspondente a meio comprimento de onda, a impedância
no gerador vista ao longo desse percurso ’dá uma volta completa à carta de Smith’: ou
seja, os 360 graus na CS correspondem a λ/2, conforme se pode confirmar examinando
uma CS detalhada. Na CS estão habitualmente marcadas simultaneamente escalas em
ângulos e em comprimentos de onda.
Denomina-se ângulo eléctrico a quantidade θe = βd que, obviamente, verifica
θe = θ/2 se θ fôr o ângulo medido na CS. O ângulo eléctrico varia 2π = 3600 ao longo
da linha num percurso de um comprimento de onda.
No simulador CNL, quando se utiliza uma linha ideal é o ângulo eléctrico, em graus,
que é escrito na parametrização do elemento. Quer isto dizer que os ângulos lidos na CS
têm que ser divididos por 2 para se obter os θe equivalentes apropriados para o ficheiro
de simulação do CNL.

5 Aplicações da carta de Smith


Vai-se aqui exemplificar algumas das utilizações da CS que são, na sua maior parte,
básicas: muitas das aplicações mais complexas da CS baseiam-se na utilização em se-
quência destas aplicações simples.

5.1 Admitâncias na CS
Se invertermos
1+ρ
z=
1−ρ

8
e atendermos a que y = 1/z obtém-se
1−ρ 1 + (−ρ) 1 + ρy
y= = =
1+ρ 1 − (−ρ) 1 − ρy
que permite escrever, também
y−1
ρy = −ρ =
y+1
Note que é colocado y no ı́ndice superior do factor de reflexão (ρy ) quando este
se refere à carta de admitâncias. Assim, diferencia-se este de ρ e evita-se confusões.
Obviamente, se fôr ρy que é marcado na CS, os valores lidos na grelha da carta são
valores de admitância normalizada.
Tomando em conta as anteriores equações, verifica-se que a CS permite facilmente
obter o valor da admitância a partir da impedância ou vice-versa. Uma vez que mul-
tiplicar um complexo por −1 significa rodá-lo de ±1800 no plano de Argand, infere-se
de imediato o procedimento de transformação z → y e y → z exemplificado na figura 5.
Nesta figura, sabe-se o valor de z1 e calcula-se o valor de z2. Conhece-se também y2, o
que permite calcular z2. Note que o ponto médio das setas cai exactamente sobre o
centro da carta de Smith.

z1

z2

y2

y1

Figura 5: A carta de Smith pode passar de carta de impedâncias (z, ρ) a carta de


admitâncias (y, ρy ) rodando ρ de ±1800 para obter ρy . Este procedimento é ilustrado
com z1 e y1. A transformação inversa y → z é ilustrada com os pontos y2 e z2.

EXEMPLO EXEMPLO
Vai-se utilizar valores concretos (aproximadamente) para as admitãncias e impedâncias
representadas na figura 5. Assume-se que a resistência de normalização é R0 = 50Ω.
• Se z1 ≈ (15 + j60)/50 = 0.3 + j1.2, então y1 ≈ 0.2 − j0.8 = 50(4 − j16) × 10−3 ;
• Se y2 ≈ 2 − j4 = 50(40 − j80) × 10−3 , então z2 ≈ 0.1 + j0.2 = (5 + j10)/50.
FIM FIM

Finalmente, na carta de admitâncias as posições do curto-circuito e do

9
circuito-aberto estão trocadas, relativamente àquelas assinaladas na carta de
Smith de impedâncias mostrada na figura 3-b).

5.2 Dimensionamento de stubs


A impedância ou admitância na entrada de qualquer stub é imaginária pura, ou seja, é
uma reactância ou uma susceptância. Estas reactâncias ou susceptâncias (normalizadas)
estão situadas na fronteira da CS, no locus |ρ| = 1. No dimensionamento de stubs
o deslocamento por rotação é sempre feito sobre a circunferência limite da
CS.
Quando se pretende dimensionar uma dada reactância xs com um stub, esta é sempre
’uma reactância no gerador’: marca-se este valor na posição correcta da circunferência
exterior da CS, e depois roda-se no sentido da carga até atingir o extremo direito
(c.a.) ou o extremo esquerdo (c.c.) da CS. Conforme se atinja um ou outro ponto, assim
se sintetizará a reactância com um stub em aberto ou um stub em c.c. A metade do
ângulo varrido neste deslocamente será o ângulo eléctrico do stub. Também se pode ler
directamente na CS este valor em comprimentos de onda.
EXEMPLO EXEMPLO
Na figura 6-a) ilustra-se a sı́ntese da impedância zg = xg ≈ j1.7, correspondente a
0
ρg = ej60 , com um stub. Na CS mede-se uma rotação de 180 − 60 = 1200 até ao ponto
de c.c.. Isto corresponde a um ângulo eléctrico θe = 600 , ou seja, a um comprimento de
stub d = λ/6.
Se se pretendesse sintetizar a impedância com um stub em c.a., somar-se-ia λ/4 a d,
ou seja, seriam somados 900 a θe . Lembre-se que o ângulo medido na CS é metade do
ângulo eléctrico.
A solução seria exactamente igual se trabalhássemos com admitâncias (ou, mais
precisamente, susceptâncias). Para sintetizar a susceptância yg = bg ≈ 1/j1.7 = −j0.59
0
correspondente a ρyg ≈ e−j120 , efectuar-se-ia igualmente uma rotação no sentido da
carga de 1200 até atingirmos o ponto de c.a. da CS de impedâncias que corresponde
ao c.c. da carta de admitâncias.
FIM FIM

5.3 Sı́ntese de impedâncias com linha-stub


Talvez o mais comum problema de sı́ntese de imitâncias2 resolvido com a CS seja o da
adaptação a uma linha de transmissão infinita de impedância (resistência) caracterı́stica
R0 . Este problema é resolvido colocando um stub, de comprimento ds , ’transversal’ à
linha (i.e., em paraleo com a linha) num ponto situado à distância dt do porto do
gerador. Este problema está ilustrado na figura 7, no pressuposto de que a impedância
caracterı́stica do stub é igual à da linha, R0 . Poderia, porém, ser diferente.
A impedância vista na entrada da linha de comprimento infinito é R0 ; normalizada,
vale 1; a impedância vista na entrada do stub é jXs = jR0 xs . Então, a impedância de
2
O termo imitância designa quer admitância quer impedância.

10
Sentido
da carga zg,pg

c.a. (c.c. na zg=j1.7 d ~ lambda/6


c.c. CS de y)
Zo c.c.
yg=-j0.59

b)
a)
yg,pyg

Figura 6: a) Sı́ntese da reactância (vista no porto do gerador...) zg ≈ j1.7 com um stub


em c.c. ou em c.a.. Note que se roda, em ambos os casos, no sentido da carga! (Que,
neste caso, é o c.c. que termina o stub.) Ilustra-se também (a tracejado) a sı́ntese do
mesmo stub utilizando a carta de admitâncias, para yg = 1/zg = −j0.59. b) Realização
da impedância com o stub em curto-circuito.

carga do troço de linha que se pretende dimensionar é Zc = R0 //jXs . Como o stub está
em paralelo, é conveniente tomar a carga como admitância, ou seja, Yc = G0 + jBs onde
G0 = 1/R0 e Bs = −1/Xs (atenção a esta troca de sinal!) Normalizando estas imitâncias
relativamente a R0 , conclui-se que zc = 1//jxs e yc = 1 + jbs , onde bs = −1/xs .

zc=1/yc=1//jxs
= 1/(1+jbs) Ro
zg=1/yg linha linha infinita
Ro Ro

d_t
jXs
d_s Ro
stub

c.c. ou c.a.

Figura 7: Sı́ntese (normalmente, para adaptação) de zg com linha-stub.

Vai-se agora visualizar o problema na carta de Smith, na figura 8. Lembre-se que na


CS se substitui a letra grega ρ por p, devido a dificuldades com o processador de texto...
Pretende-se sintetizar o FR denominado ρg na figura. A admitância de carga yc =
1 + jbs é representada facilmente na CS de admitâncias pela circunferência a cheio na
figura 8. Por esta razão, vai-se trabalhar na CS de admitâncias, pelo que é necessário
transformar ρg em ρyg rodando-o de 1800 . Isso é mostrado na figura, onde ρyg se denomina
pyg.

11
Vai-se agora rodar ρyg = pyg no sentido da carga, seguindo a circunferência a
tracejado centrada na origem (como se viu, um percurso na LT corresponde a rodar
ρg ou ρyg = pyg, no sentido da carga, sobre uma circunferência centrada na origem)
até se atingir o locus do FR ρyc , correspondente à admitância de carga (circunferência a
cheio). São visı́veis duas soluções para ρyc , denominadas pyc1 e pyc2. Arbitrariamente é
escolhida a primeira, pyc1. Assim, o comprimento da linha dt corresponde à rotação de
pyg até pyc1 (ou de ρyg até ρyc1 ) em unidades de comprimento de onda.
Para sintetizar o stub da carga parte-se do valor da sua admitância, que corresponde
à susceptância jbs do ponto pyc1. Esse stub está assinalado por jbs na circunferência
externa da CS de admitâncias. Poder-se-ia sintetizá-lo de imediato na carta de ad-
mitâncias, mas optou-se por fazê-lo transformando-o primeiro para impedância, a que
corresponde o ponto no alto da CS denominado jxs. Rodando no sentido da carga,
atinge-se c.c.z (curto-circuito na CS de z) pelo que o stub é do tipo ’curto-circuito’ e
tem um comprimento ds .

jxs
Sentido do
gerador
d_s
pyc2

pg

0.5 1 2 c.a.z
c.c.z

pyg

pyc1
locus de pyc
jbs (yc=1+jbs)
d_t

Figura 8: Solução de um problema de sı́ntese com linha-stub. Na figura, os FR ρ são


substituı́dos pela letra p, e os FR relativos à CS de admitâncias, ρy , são substituı́dos
por py.

Vai-se exemplificar estes cálculos utilizando valores aproximados daqueles na figura


8.
EXEMPLO EXEMPLO
j370
Considere ρg ≈ 0.4e . Então, zg ≈ 1.6 + j0.9. Passando para a carta de ad-

12
0
mitâncias, temos ρyg ≈ 0.4e−j143 e yg ≈ 0.48 − j0.27. Rodando ρyg no sentido da carga,
intersecta-se a circunferência de admitâncias yc = 1+jbs no ponto ρyc1 ≈ 0.4e−j65 ou seja
0

yc1 ≈ 1 − j0.9. Esta rotação de | − 143 − (−65)| = 780 dá o comprimento dt = (39/360)λ
da linha de transmissão.
Quanto ao stub, a partir de yc1 sabe-se que bs = −0.9, o que equivale a uma reactância
0
xs ≈ 1.1. Esta corresponde a um FR do stub ρs ≈ ej84 (ponto jxs na CS). Rodando
no sentido do c.c.z, este é atingido após uma rotação de 960 , pelo que ds = (48/360)λ.
Repete-se que estes valores estão aproximadamente de acordo com aqueles marcados
(grosseiramente) na figura 8.
FIM FIM

5.4 Sı́ntese com transformador de λ/4


Esta é uma outra técnica de sı́ntese de ρg realizada com a ajuda da carta de Smith. Mais
uma vez, coloca-se um circuito distribuı́do, no inı́cio de uma linha de transmissão infinita
com resistência caracterı́stica R0 , por forma a que esta resistência seja transformada na
impedância de gerador zg = Zg /R0 .
Esta configuração de sı́ntese está ilustrada na figura 9. A técnica consiste em alterar
para R04 a resistência caracterı́stica de um troço de linha de comprimento λ/4, situado
à distância dt do inı́cio da linha.
Tenha atenção, uma vez que que em muitas tecnologias de implementação de LTs,
como é o caso da microfita, o comprimento de onda λ = 2πvp /ω = vp /f varia com a
impedância porque a velocidade de propagação vp depende da impedância da LT. Assim,
a dimensão λ/4 do troço de linha com resistência caracterı́stica R04 terá de ser calculada
com a vp correspondente a esta resistência, enquanto que na restante linha (incluindo o
troço inicial), cuja resistência caracterı́stica é R0 , vp e λ serão diferentes.

Zc=Rc
zg =Ro4*Ro4/Ro
Ro
linha linha infinita
Ro Ro4 Ro

d_t lambda/4

Figura 9: Sı́ntese de zg com transformador de λ/4 situado à distância dt do inı́cio da


LT.

Nesta técnica utiliza-se apenas a CS de impedâncias. O factor de reflexão ρg a


sintetizar no exemplo vai ser o mesmo já utilizado no exemplo anterior.
O problema tem duas soluções, consoante seja implementada R04 > R0 ou R04 < R0 ,
ou seja, em valores normalizados, consoante r04 > 1 ou r04 < 1.
Atente-se na figura 10. Começa-se por marcar a circunferência centrada no centro da
CS cujo raio é |ρg |. Os dois pontos onde ela intersecta o eixo dos ρ reais (denominados

13
d_t
Sentido da carga

pg

0.5 1 2 c.a.z
c.c.z
pc1 pc2

Figura 10: Resolução com a CS de um problema de sı́ntese com transformador de λ/4.


O problema tem duas soluções, nos pontos ρc1 e ρc2.

na figura ρc1 e ρc2) são ρc = ±|ρg | e correspondem a duas resistências zc1 = rc1 =
(1 − |ρg |)/(1 + |ρg |) e zc2 = rc2 = (1 + |ρg |)/(1 − |ρg |). Como rc1 < 1, este será o ponto
de intersecção no lado esquerdo da CS, e rc2 corresponderá à solução no lado direito da
CS. O comprimento dt da linha de transmissão corresponde à rotação de ρg até um dos
pontos da CS correspondentes a rc1 ou a rc2 . No exemplo da figura 10 corresponderia a
rc1 .
Ora a resistência de carga é zc = rc = (R04 )2 /(R0 )2 , pois Zc = Rc = (R04 )2 /(R0 ) na
0
entrada de um transformador de λ/4, como se viu anteriormente. As soluções R04 de
0 2 2 00 00 2 2
(1 − |ρg |)/(1 + |ρg |) = (R04 ) /(R0 ) e R04 de (1 + |ρg |)/(1 − |ρg |) = (R04 ) /(R0 ) são as
duas soluções possı́veis para a resistência caracterı́stica do transformador R04 .
EXEMPLO EXEMPLO
Utiliza-se os dados do exemplo anterior e resolve-se o problema para a solução ρc1
0
da figura 10. Partindo de ρg ≈ 0.4ej37 , efectua-se uma rotação, no sentido da carga, de
180 − 37 = 1430 até se atingir ρc1. Isto corresponde a um comprimento do troço inicial
da linha dt = (71.5/360)λ.
Atendendo ao que se disse na discussão desta técnica de sı́ntese, zc1 = rc1 = (1 −
|ρg |)/(1 + |ρg |) resulta em rc1 = (1 − 0.4)/(1 + 0.4) ≈ 0.43, o que conduz a Rc1 = 21.5 Ω
partindo do√princı́pio de que R0 = 50 Ω. Da equação do transformador de λ/4 retira-se
que R04 = Rc1 R0 = 32.8 Ω, o que resolve o problema.
FIM FIM

14
5.5 Sı́ntese com elementos concentrados
A CS pode ajudar na sı́ntese com elementos concentrados, não somente na sı́ntese com
LTs. Inclusive, não há nenhuma razão para não misturar num mesmo projecto elementos
concentrados com elementos distribuı́dos. A tı́tulo de exemplo vai-se modificar a sı́ntese
com linha e stub, ilustrada nas figuras 7 e 8, para utilizar um elemento concentrado
reactivo (bobine) em vez do stub. O resultado encontra-se na figura 11.

zc=1/yc=1//jxs
= 1/(1+jbs) Ro
zg=1/yg linha linha infinita
Ro Ro

d_t
jXs
L

Figura 11: Sı́ntese de zg com linha e elemento concentrado reactivo (bobine, neste caso).

EXEMPLO EXEMPLO
0
Mais uma vez, vai-se sintetizar ρg ≈ 0.4ej37 (o mesmo utilizado nos elementos
anteriores) com uma linha e com um elemento reactivo. O projecto da linha mantém-se
inalterado, sendo válido o anterior resultado dt = (39/360)λ. Para substituir o stub pelo
elemento reactivo, é necessário que este corresponda a uma reactância jxs ≈ j1.1. Como
esta é positiva, o elemento apropriado é uma bobine. Ora jXs = jωL = j50×1.1 = 55 Ω
(reactivos), donde se retira que L = 55/ω. Se fôr feita a hipótese de que f = ω/(2π) = 2
GHz, conclui-se que L ≈ 4.3 nH.
FIM FIM

Para terminar este documento vai-se ilustrar a sı́ntese de redes básicas de adaptação
a uma linha infinita com elementos concentrados reactivos.

5.6 Sı́ntese com elementos reactivos


A sı́ntese de Zg com dois elementos reactivos é feita segundo uma das duas configurações
mostradas na figura 12. Para alguns valores de zg = Zg /R0 ambas as soluções existem;
porém, noutros casos apenas uma das soluções existe.
Começamos pela formulação algébrica do problema. Defina-se b1, x1, b2 e x2 como
os valores normalizados (relativamente a R0 ) das reactâncias e susceptâncias a sinteti-
zar, mostradas na figura 12. Por observação da figura, rapidamente se desenvolvem as

15
seguintes igualdades válidas para quantidades normalizadas:
à !
1 1 b1
zg1 = rg1 + jxg1 = jx1 + za1 = jx1 + = 2
+ j x1 −
1 + jb1 1 + b1 1 + b12
1 1 x2
µ ¶
yg2 = gg2 + jbg2 = jb2 + ya2 = jb2 + = 2
+ j b2 −
1 + jx2 1 + x2 1 + x22
Nestas igualdades pode-se inferir de imediato casos em que não existe solução.
Lembre-se que todas as incógnitas são reais, pois em última instância conduzem a valo-
res de reactâncias ou de susceptâncias. Assim, por exemplo, na primeira das equações
vê-se que:
1
rg1 =
1 + b12
o que implica que só é possı́vel efectuar a sı́ntese com a configuração da figura 12-a) se
0 < rg1 < 1; se rg1 > 1, esta equação não tem solução b1 real possı́vel. O mesmo tipo
de consideração pode ser feita relativamente a gg2 e a 1/(1 + x22 ).

Zg1 Za1=1/Ya1 Go=1/Ro Yg2=1/Zg2 Ya2=1/Za2 Ro


linha infinita linha infinita
Ro Ro

jX1 jX2
jB1 jB2
a) b)

Figura 12: Sı́ntese de zg com dois elementos concentrados reactivos. a) e b) correspon-


dem às duas configurações possı́veis de localização do elemento em paralelo.

Finalmente, vai-se explicar como é possı́vel efectuar a sı́ntese com a CS com as redes
ilustradas na figura 12. Supõe-se que são conhecidos os valores de zg = Zg /R0 ou
yg = Yg R0 pretendidos, e que se dimensiona x1 e b1, ou x2 e b2.
Discute-se apenas a configuração da figura 12-a). Um exemplo de sı́ntese com esta
configuração encontra-se na figura 13. A configuração da figura 12-b) é projectada com
o mesmo raciocı́nio, trocando-se admitâncias por impedâncias e vice-versa, na discussão
do circuito da figura 12-a) que se segue.

• Como o porto do gerador é iniciado com um elemento em série (jX1), vai-se


considerar a CS de impedâncias para marcar Zg1 = R0 zg1. A impedância vista
para além de jX1 vai ser denominada Za1. Então, em valores normalizados:

jx1 = zg1 − za1 = j(xg1 − xa1)

o que significa que o deslocamento de za1 para zg1 é feito sobre uma curva de
resistência constante da CS de impedâncias. Observe o trajecto za1 0 → zg
na figura 13. Conclui-se que zg1 e za1 estão sobre a mesma circunferência de
resistência. Naquela figura esta é a circunferência desenhada com traço grosso e
a cheio onde se localiza zg1.

16
jxg1
jxa1' Carta Z
zg1

ya1''
za1'

za1''
ya1'

za1=1/ya1
ya1=g0+jb1
jb1'

Figura 13: Resolução com a CS de um problema de sı́ntese com elementos concentrados.


Apenas se detalha uma das duas soluções possı́veis do problema (aquela que corresponde
a za10 ).

• A segunda observação importante a ter em conta, é que a admitância ya1 = za1−1


é dada por ya1 = 1 + jb1, ou seja, na carta de admitâncias situa-se sobre a
circunferência a tracejado grosso da figura. Então, o locus da impedância za1 na
carta de impedâncias será a circunferência a tracejado fino assinalada na figura
13. O problema terá duas soluções possı́veis, denominadas za10 e za100 na figura,
que são os pontos de intersecção das circunferências de zg1 e de za1.

• Escolhendo arbitráriamente a solução za10 , pode-se dimensionar x10 = xg1 − xa10


e como xg1 é maior que xa10 , aquele valor é positivo e o elemento correspondente
será uma bobine tal que jωL0 = jR0 x10 .

• Para dimensionar o elemento em paralelo, transforma-se za10 para a admitância


ya10 (veja a figura) cuja parte imaginária jb10 é negativa, pois está na metade
inferior da CS. Então, corresponderá a uma bobine tal que −j/(ωL) = jb10 /R0 .

• A outra solução, a partir de za100 , resultava numa bobine em série jωL00 = jR0 x100 ,
com x100 = xg1 − xa100 e num condensador cuja susceptância jωC corresponderia
à susceptância da solução ya100 na figura 13, i.e., jωC = jb100 /R0 (note que jb100
não está assinalada na figura).

Finalmente, termina-se com um exemplo cujos valores correspondem aproximada-

17
mente aos pontos assinalados na figura 13.
EXEMPLO EXEMPLO
Vai-se considerar f = 2 GHz e R0 = 50 Ω. Considera-se Zg ≈ 25 + j90 Ω, ou seja,
zg ≈ 0.5 + j1.8. Fazendo a intersecção do locus de za1 com a circunferência da CS
de impedâncias correspondente a rg = 0.5, localiza-se as soluções za10 = 0.5 + j0.5 e
za100 = 0.5 − j0.5. Invertendo estas impedâncias, calcula-se ya10 = 1 − j1 e ya100 =
1 + j1. As duas reactâncias em série correspondentes às duas soluções possı́veis são
x10 = 1.8 − 0.5 = 1.3 e x100 = 1.8 − (−0.5) = 2.3. As duas susceptâncias em paralelo
correspondentes às duas soluções são b10 = −1.0 e b100 = 1.0. Os elementos concentrados
serão calculados da seguinte forma:

• x10 = 1.3 → X10 = 50 × 1.3 = 65 → ωLs0 = 65 → Ls0 = 65/(2π × 2 × 109 ) = 5.17


nH.

• x100 = 2.3 → X10 = 50 × 2.3 = 115 → ωLs00 = 115 → Ls00 = 115/(2π × 2 × 109 ) =
9.15 nH.

• b10 = −1.0 → B10 = −1/50 → −1/(ωLp0 ) = −1/50 → Lp0 = 50/ω → Lp0 =


50/(2π × 2 × 109 ) = 3.98 nH.

• b100 = 1.0 → B10 = 1/50 → ωCp00 = 1/50 → Cp00 = 1/(50ω) → Cp00 = 1/(50 ×
2π × 2 × 109 ) = 1.59 pF.

Assim, as duas soluções possı́veis para o problema ilustrado na figura 13-a) são:

• Uma bobine Ls0 = 5.17 nH, em série, e uma bobine Lp0 = 3.98 nH, em paralelo;

• Uma bobine Ls00 = 9.15 nH, em série, e um condensador Cp00 = 1.59 pF, em
paralelo.

FIM FIM

6 Conclusões
Neste documento, discutiu-se e exemplificou-se a utilização da carta de Smith como
auxiliar de projecto de circuitos distribuı́dos e concentrados utilizados amiúde em elec-
trónica de RF e microondas. Existem muitas outras aplicações da CS que não são aqui
discutidas: por exemplo, a sı́ntese (ou adaptação) de cargas, não a uma única frequência,
mas sim numa dada gama (ou banda) de frequências. Outra aplicação não focada é o
projecto com linhas de transmissão não ideais, i.e. com perdas (ou atenuação), em que
a CS serve de auxiliar precioso.

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A Demonstração de que ρg = ρc e−2jβd a partir de
zg (zc)
Como se disse, a equação zg (zc ) da LT ideal é:

zc + j tan βd
zg =
1 + jzc tan βd
Desenvolvendo
zc cos βd + j sin βd zc (ejβd + e−jβd ) + (ejβd − e−jβd )
zg = = jβd
cos βd + jzc sin βd (e + e−jβd ) + zc (ejβd − e−jβd )

onde foram aplicadas as fórmulas de Euler cos x = (ejx + e−jx )/2 e cos x = (ejx −
e−jx )/(2j). Uma vez que z = (1 + ρ)/(1 − ρ) tem-se

1 + ρg (1 + ρc )(ejβd + e−jβd ) + (1 − ρc )(ejβd − e−jβd )


=
1 − ρg (1 − ρc )(ejβd + e−jβd ) + (1 + ρc )(ejβd − e−jβd )

e, simplificando
1 + ρg 2 ejβd + 2 ρc e−jβd 1 + ρc e−j2βd
= jβd =
1 − ρg 2 e − 2 ρc e−jβd 1 − ρc e−j2βd
Comparando os dois membros exteriores desta igualdade, retira-se imediatamente
que
ρg = ρc e−j2βd
q.e.d.

Referências
[1] ”Microwave Datamate”, Marconi Instruments Limited, 1984.

[2] Gonzalez, ”Microwave Transistor Amplifiers Analysis and Design”, Prentice-Hall,


1997.

[3] Pozar, ”Microwave Engineering”, Wiley, 1997.

[4] Pozar, ”Microwave and RF design of Wireless Systems”, Wiley, 2000.

[5] Bahl, Bhartia, ”Microwave Solid State Circuit Design”, Wiley, 1988.

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