EXPERIMENTO Nº 11.

TRANSISTORES BJT (1)

Preguntas que debe responder antes de iniciar el laboratorio

1. Explique el principio físico de operación en un transistor de unión bipolar pnp (BJT).
¿Cómo deben polarizarse las uniones p-n y n-p?
2. En la configuración emisor común, muestre las curvas características del transistor,
identificando las regiones de operación y las condiciones de operación en cada una.
3. Busque el diseño de un circuito en el que el transistor npn funcione como interruptor en
la región de saturación y corte. Establezca la ecuación para calcular la corriente de
saturación.

OBJETIVO.- Estudiar las características básicas del transistor de unión bipolar (BJT), y su
operación en saturación y corte.
Paso 1. Mida en el multímetro el β (hFE) del transistor. Monte el circuito de la figura 11.1. Para
diferentes corrientes de base (mida IB) observe en el osciloscopio la curva característica IC vs
VCE. Reproduzca las curvas en papel milimetrado, indique la corriente de base, I B, para cada
curva.

10 Vp
CH X

CH Y

Figura 11.1

Paso 2. Monte el circuito de la figura 11.2. Analice el circuito y halle las ecuaciones para
calcular IB, IC e ICsat. Para Rc = 500 Ω, calcule la ICsat max. Luego calcule IB max. Para garantizar la
saturación tome IB´= 1,2 IB max, con este valor calcule RB. Monte el circuito con el valor de RB
calculado. Mida IB, IC y VCE. ¿Está en saturación el transistor?

VC

Figura 11.2

Ahora disminuya V, ¿cuándo está el transistor en corte? Mida VC cuando el transistor está en
corte y saturación.

V
Paso 3. En el circuito anterior, reemplace la fuente DC por una señal cuadrada (TTL, 0 – 5 V)
del generador de funciones, de 500 Hz, observe en el osciloscopio esta señal y la salida VC.
Explique.

Paso 4. De las curvas características IC vs VCE, obtenidas en el paso 1, calcule el βDC.

Separe el transistor utilizado para realizar el siguiente experimento.

Lecturas recomendadas

1. Cap. 3 Transistores de unión bipolar

Cap. 4 Polarización DC para BJTs
ELECTRÓNICA, TEORIA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS.
Boylestad & Nashelvsky, 8ª edición. Prentice Hall.

2. Cap. 6 Transistores bipolares

Cap. 7 Fundamentos de los transistores
Cap. 8 Polarización de los transistores
PRINCIPIOS DE ELECTRÓNICA. A. Malvino, 6ª edición, McGraw Hill
EXPERIMENTO Nº 12. TRANSISTORES BJT. Amplificación de señales pequeñas.

Preguntas que debe responder antes de iniciar el laboratorio

1. Analice por el método exacto el circuito polarizado con una sola fuente de la figura 12.1.
Halle el equivalente de Thèvenin del circuito que alimenta la base. Establezca la
ecuación para el circuito que polariza la unión colector-base.
2. Con los valores del circuito de la figura 12.2 calcule IB, IC y VCE, use el β obtenido de las
curvas características, establezca el punto de operación Q.

Figura 12.1

Paso 2. Monte el circuito de la figura 12.2. Mida IB, IC, VCE, VBE, compare sus resultados con los
calculados en el paso 1. ¿Está el transistor operando en la región de amplificación? (Los
condensadores C1 y C2 se usarán para el acoplamiento de señales de voltaje senoidal). Calcule
el β de sus medidas realizadas.
VCC
18V

RC

R1 3.6kΩ
10kΩ C2

Q1 10µF
Vs
C1

V
Ve 10µF
2N2222
e
e
R2
RE
2.2kΩ
1kΩ

Figura 12.2

Paso 3. Ingrese una señal de voltaje senoidal, Vpe ≤ 0,5 V, observe la señales de entrada y
salida en el osciloscopio. Registre la ganancia, A = Vps/Vpe. Varíe el voltaje Vpe, mientras
obtenga una señal amplificada en la salida, registre la ganancia.
Para el informe: Dibuje la recta de carga en sus curvas IC vs VCE. Indique el punto de
operación Q.
Lecturas recomendadas

1. Cap. 4 Polarización DC para BJTs

ELECTRÓNICA, TEORIA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS.
Boylestad & Nashelvsky, 8ª edición. Prentice Hall.

2. Cap. 8 Polarización de los transistores

PRINCIPIOS DE ELECTRÓNICA. A. Malvino, 6ª edición, McGraw Hill