UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA Laboratorio de Electrónica de Potencia

INGENIERIA ELECTRONICA
Fecha: 23/10/2017

Práctica #1
Características transitorias de los diodos
Calupiña Gálvez Luis Ramiro
lcalupina@est.ups.edu.ec
Terán Aguilar Christopher Damián
cterana@est.ups.edu.ec
Mendez Castellanos Fausto Andres
fmendezc2@est.ups.edu.ec
Terán Aguilar Christopher Damián
cterana@est.ups.edu.ec

RESUMEN: En la presente práctica se observa, verifica la corriente por el dispositivo durante la abertura o
y mide las características transitorias de diferentes tipos apagado, aumenta el voltaje a través del mismo
de diodos de propósito general y potencia (propósito
general (1N4007) y (1N4148), Schottky, Fred) mediante
la utilización de un osciloscopio y generador de señales

I. MARCO TEÓRICO
Diodos de potencia

Un diodo tiene dos terminales: un cátodo y un

ánodo. Los diodos de potencia son de tres tipos: de
propósito general, de alta velocidad (o recuperación
rápida), y de Schottky. Los diodos de propósito general,
o de aplicación general, se consiguen hasta para 6000
V Y4500 A, Y la capacidad de los diodos de
recuperación rápida puede llegar hasta 6000 V Y1100
A. El tiempo de recuperación inversa varía entre 0.1 y 5
uS. Los diodos de recuperación rápida son esenciales
para una conmutación de alta frecuencia de los
convertidores de potencia. Los diodos de Schottky
tienen bajo voltaje de estado activo (o de conducción) y
un tiempo de recuperación muy pequeño, de
nanosegundos, en forma característica [1], La corriente
de fuga, o corriente de pérdida, aumenta al subir la
capacidad de voltaje, y sus capacidades se limitan a Fig1: formas de onda en un interruptor
100 V, 300 A. Un diodo conduce cuando su voltaje de
ánodo es mayor que el del cátodo, y la caída de voltaje II. MATERIALES Y EQUIPO
directo de un diodo de potencia es muy pequeña, en el
 Osciloscopio
caso normal de 0.5 a 1.2 V. Si el voltaje del cátodo es
 Generador de señales
mayor que el del ánodo, se dice que el diodo está en
modo de bloqueo  2 puntas de osciloscopio (x10)
 Protoboard
Características de los dispositivos prácticos  Diodos (Propósito General (1N4007)
(1N4148), Schottky, Fred)
Durante el proceso de cerrado y abertura, un
 Resistencias 1Ω, 10Ω (10w)
dispositivo práctico de conmutación requiere un tiempo
 Adaptador de tres a dos.
de demora (td) un tiempo de subida (tr), tiempo de
almacenamiento (ts) Y tiempo de bajada (tf) finitos. Al
aumentar la corriente (isw) por el dispositivo durante el
cerrado, el voltaje Vsw a través del mismo baja. Al bajar
III. DESARROLLO Y
PROCEDIMIENTO
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que el diodo Schotky y un 72.03% más lento que

el diodo Fred.
IV. ANÁLISIS Y RESULTADOS
𝒕𝒂
𝑺𝑭 = (𝟏)
Diodo 1n4007 𝒕𝒃

ta tb Trr Irr 𝟐𝒖𝒔

𝑺𝑭 = = 𝟏. 𝟒𝟐
2 us 1.4us 3.4us 180[mA] 𝟏. 𝟒𝒖𝒔
Tabla N.1 Datos obtenidos 1N4007
Diodo 1N4148

ta tb Trr Irr
38 ns 20ns 58ns 352[mA]
Tabla N.3 Datos obtenidos 1N4148

Figura : Simulación del circuito en el software

Proteus.(Diodo 1N4007)

Figura: Simulación del circuito en el software Proteus

(Diodo1N4148 )

Figura : Formas de onda obtenidas en el osciloscopio

El diodo 1N4007 es el diodo que posee mayor

tiempo de recuperación, esto debido a las
características internas del mismo como las Figura : Formas de onda obtenidas en el osciloscopio
uniones físicas pn de esta clase de diodo, es decir
Diodo Trr Trr(1n4148) %
se demora más tiempo en realizar las
diferencia
conmutaciones.
1n4007 3.4us 58ns 486.20%
Diodo Trr Trr(1n4007) % Schotky 44ns 58ns 31.81%
diferencia Fred 472ns 58ns 87.71%
1n4148 58ns 3.4us 486.20% Tabla N.4 Tabla comparativa tiempos de recuperación
diodos
Schotky 44ns 3.4us 672.72%
Fred 472ns 3.4us 72.03% El diodo 1N4148 es un 486.20% más rápido que el
Tabla N.2 Tabla comparativa tiempos de recuperación diodo 1N4007 un 31.81% más lento que el diodo
diodos
Schotky y un 87.71% más rápido que el diodo
El orden del tiempo de recuperación de este diodo Fred.
se encuentra en los microsegundos a diferencia 𝟑𝟖𝒏𝒔
de los otros tres que se encuentran en el orden de 𝑺𝑭 = = 𝟏. 𝟗
𝟐𝟎𝒏𝒔
los nanosegundos en la tabla 1 se puede observar
la diferencia en velocidad de respuesta como Diodo Schottky
porcentaje siendo el diodo 1n4007, 486.20% más
ta tb Trr Irr
lento que el diodo 1n4148, un 672.72% más lento
3 ns 41 ns 44 ns 344[mA]
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Tabla N.5 Datos obtenidos Diodo Schottky ta tb Trr Irr

272 ns 200 ns 472 ns 368 [mA]
Tabla N.7 Datos obtenidos Diodo Fred

Figura : Simulación del circuito en el software

Proteus.(Diodo Schottky)

Figura : Simulación del circuito en el software

Proteus.(Diodo Fred)

Figura : Formas de onda obtenidas en el osciloscopio

El diodo Fred, es el que cuenta con el tiempo de

recuperación más rápido, esto está dado por las Figura : Formas de onda obtenidas en el osciloscopio
propiedades del material semiconductor con el
Diodo Trr Trr %
cual se encuentra elaborado y su dopaje.
(Fred) diferencia
Diodo Trr Trr % 1n4007 3.4us 472ns 620,34%
(Schottky) diferencia 1n4148 58ns 472ns 87,71%
1n4007 3.4us 44ns 672,73% Schottky 44ns 472ns 90,68%
1n4148 58ns 44ns 86,82% Tabla N.8 Tabla comparativa tiempos de recuperación
diodos
Fred 472ns 44ns 7,25%
Tabla N.6 Tabla comparativa tiempos de recuperación El diodo Fred, es 620,34% más rápido en el
diodos
tiempo de recuperación que el diodo 1N4007, y
Para el diodo Schottky utilizado en la práctica, el 87,71% más lento en la recuperación que el diodo
tiempo de recuperación en comparación al diodo 1N4148, de igual manera es 90,68% más lento de
de propósito general 1N4007 es 672,73% es decir diferencia de tiempo de recuperación con el diodo
que entre estos dos diodos el Schottky es mucho Schottky.
más rápido en el tiempo de recuperación, la
𝟐𝟕𝟐 𝒏𝒔
diferencia con el 1N4148, es mucho menor, es 𝑺𝑭 = = 𝟏. 𝟑𝟔
𝟐𝟎𝟎 𝒏𝒔
decir que aun el diodo Schottky es más rápido que
el diodo 1N4148 pero solo en un 86,82%, por V. CONCLUSIONES
ultimo con el diodo Fred, la diferencia es mínima
de 7,25% para nosotros es casi imperceptible esta
 Para los diferentes diodos utilizados en la
diferencia pero a nivel de conmutación se la puede
práctica se determinó que el diodo
considerar una diferencia considerable.
Schottky es el que posee un menor tiempo
𝟑 𝒏𝒔 de recuperación (44 ns), por tal motivo es
𝑺𝑭 = = 𝟎. 𝟎𝟕𝟑 un diodo de rápida conmutación que pude
𝟒𝟏 𝒏𝒔
trabajar a altas frecuencias, los diodos de
propósito general tiene la diferencias que
Diodo Fred el 1N4007 no soporta altas frecuencias
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por su tiempo de recuperación, y el diodo  Verificar que el generador de señales este en

1N4148, es usado para aplicaciones de óptimas condiciones
altas frecuencias; en el ámbito de la  Usar el adaptador a tierra del osciloscopio, con
la finalidad de crear tierras virtuales en este.
corriente inversa máxima, el diodo
1N4007, es el que posee el menor valor y
el resto de diodos guardan una corriente VII. BIBLIOGRAFÍA
inversa máxima con poca variación entre
ellas, el diodo más adecuado para utilizar [1] M. H. Rashid, ELECTRÓNICA DE POTENCIA
circuitos, dispositivos y aplicaciones, Mexico: Pearson,
dependerá de la aplicación que se le dará
2000.pag 17
a este, no existe características
universales que determinen el mejor diodo
para todas las aplicaciones. (Luis
Calupiña)

 Conocer el tiempo de recuperación

inversa del diodo permite elegir el tipo de
diodo que se usara en diferentes trabajos
cuando se necesiten diferentes tiempos
de conmutación, como se puede observar
en las tablas comparativas el diodo
Schottky es el más veloz seguido por el
diodo 1N4148 siendo el primero un
24.13% más rápido que el segundo, sin
embargo dependiendo del tipo de trabajo
se usara el Schottky ya que este es un
diodo de potencia mientras que el 1n4148
es un diodo de señal el cual es imposible
usarlo en circuitos de potencia siendo
mejor optar por los otros dos. (Fausto
Mendez)

 Se observó que el diodo Schottky tiene un

tiempo de conmutación más veloz (44ns)
en comparación a los diodos de propósito
general (3.4 us) debido a que este es un
diodo de potencia que tiene un umbral de
0.2-0.4 v. Esto quiere decir que este diodo
debido a su umbral y tipo de construcción
metal-semiconductor no puede trabajar
con altos voltajes pero si con altas
frecuencias (hasta 300 MHz) debido a
esto, esté diodo es utilizado para circuitos
de alta velocidad (computadoras) donde
se requiere grandes velocidades de
conmutaciones. (Christopher Teran)

VI. RECOMENDACIONES