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FACULTAD DE INGENIERÍAS
ESCUELA DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
ÁREA: INFORMÁTICA INDUSTRIAL
ASIGNATURA: LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II
PRÁCTICA DE LABORATORIO # 2
POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)
1. OBJETIVOS
2. EQUIPOS Y MATERIALES
4 Transistores 2N2222A con ganancia de corriente (beta) distinta (también se pueden adquirir 2N3904).
Resistencias 330K, 1K, 10K, 330, 4.7K, 2.7K, 330, 680 (revisar los circuitos de la guía y verificar cantidades y
valores).
2 pulsadores.
Puntas de fuente (Caimanes), pinzas, pelacables, protoboard, cables para protoboard.
4 diodos LED
3. CONTENIDO
El transistor es considerado un componente electrónico activo, pues el nivel de salida de AC es mayor que el de entrada,
esto es debido a una transferencia de energía proporcionada por las fuentes de DC utilizadas, por esta razón el análisis y
diseño de circuitos con transistores requiere un análisis en DC y otro en AC. Esta separación es posible gracias a que el
teorema de superposición es aplicable. Sin embargo, debe tenerse en cuenta que la selección de los parámetros para los
niveles de DC requeridos afectarán la respuesta de AC y viceversa.
Es claro que el transistor presenta un comportamiento lineal en la región activa, razón por la cual se trata de ubicar el
punto de funcionamiento en esa región. Una vez establecido el punto de operación, los recorridos de la señal de entrada
(corriente de base por ejemplo) en función del tiempo darán lugar a una tensión o corriente de salida (tensión o corriente
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de colector) de la misma forma de onda. Si la señal de salida no es una fiel reproducción de la señal de entrada, el punto
de funcionamiento no está ubicado apropiadamente.
Note que aunque hay libertad en la elección de los valores de Rb, Rc, R L y Vcc, no debe hacer trabajar el transistor en
cualquier punto de la región activa, ya que diversas características del transistor limitan su margen de empleo útil. Estas
características limitadoras son: la disipación máxima de potencia Pmax, la tensión máxima colector-emisor Vcemax, la
corriente de colector máxima Icmax, y la máxima tensión emisor-base Vebmax.
Habiendo polarizado un BJT en un punto de operación, debe tenerse en cuenta el efecto de la temperatura ya que provoca
cambios en las características importantes del dispositivo como la ganancia de corriente (ca) y la corriente de fuga del
transistor (Iceo). De esta forma, el diseño debe proporcionar un grado de estabilidad ante cambios de temperatura de
modo que resulten mínimos sus efectos sobre el punto de operación.
Aunque hasta ahora se ha mencionado sólo el funcionamiento del transistor en la región activa o lineal, existen otras dos
regiones de funcionamiento: corte y saturación. La operación del transistor en cada una de las regiones se obtiene
garantizando las siguientes polarizaciones en sus terminales:
El circuito de la figura 1 es uno de los circuitos de polarización más simple, cuyo análisis en DC se puede simplificar
considerando un circuito de entrada y uno de salida. Para el primero se tiene la siguiente ecuación:
Vcc V BE
IB
RB
Se puede verificar que el nivel de la corriente de colector depende de la corriente de base, y ésta a su vez, depende del
valor elegido para R B , por tanto el nivel de la corriente de colector depende de la resistencia de base y no de la resistencia
de colector (Rc).
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El circuito de la figura 2 es similar al anterior con la diferencia que se ha adicionado una resistencia en el emisor; éste
cambio contribuye a mejorar la estabilidad. Ahora, el circuito se describe por las siguientes ecuaciones:
Vcc VBE
IB
RB ( 1) RE
Contrario a las configuraciones anteriores, La configuración del circuito de la Figura 3 tiene la gran ventaja de que la
corriente de polarización I CQ y el voltaje de polarización VCQ son independientes de la ganancia , que, como se
mencionó anteriormente, depende de la temperatura.
Para su análisis se calcula la resistencia y voltaje Thévenin equivalentes, cuyos valores se definen por las siguientes
ecuaciones:
RTh R1 R2
R2.Vcc
E Th V R 2
R1 R2
3
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El circuito de la Figura 3 se puede redibujar de acuerdo con la figura 4, de tal forma que se puede calcular la corriente de
base y el voltaje colector emisor así:
E Th V BE
IB y VCE Vcc Ic( Rc R E )
RTh ( 1) R E
Una compuerta lógica es un dispositivo electrónico que permite representar una función booleana. Estos circuitos utilizan
intervalos de voltaje predefinidos para representar estados binarios. Bajo estos conceptos y con la comprensión de los
modos de operación del transistor es posible implementar fácilmente circuitos compuestos de elementos discretos, que
permitan realizar decisiones lógicas. En la figura 4 se observan tres tipos de compuertas básicos: NOT, OR y AND.
R1
330Ω
J1 LED1 Q1
R2
Key = A 330Ω LED2
NOT V1 2N2222A
5V
R1
330Ω
J1 LED1
Q1
Key = A
R2 2N2222A
330Ω LED3
J2 LED2
OR Q2
Key = B
V2 R3 2N2222A R4
5V 330Ω 100Ω
R5
330Ω
4
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R5
330Ω
R1
620Ω
Q3
R4
470Ω LED1
2N2222A
J1 Q1
R2
AND Key = A 470Ω
2N2222A
J2 Q2
R3
Key = B 470Ω
2N2222A
V2
5V
A continuación se indican los puntos que obligatoriamente deben aparecer en el informe junto con el valor de cada uno
de ellos.
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5. PROCEDIMIENTO
Para poder acceder a la práctica es necesario presentar los montajes acompañados de los cálculos de los
componentes pasivos solicitados (Pre-informe) y las tablas que se van a llenar en cada uno de los puntos del
procedimiento.
5.1 Para cada uno de los circuitos de las figuras 1, 2 y 3 realice lo siguiente:
A. Energice el circuito.
B. Empleando el transistor 2N2222A realice todas las medidas reales de los datos calculados en los puntos 4.1 a
4.3 del pre-informe.
C. Cambie el transistor 2N2222A por un transistor con un Beta lo más diferente posible al usado inicialmente realice
todas las medidas reales de los datos calculados en los puntos 4.1 a 4.3 del pre-informe.
5.2 Para cada uno de los circuitos de las figura 4 realice lo siguiente:
A. Energice el circuito.
B. Verifique el funcionamiento lógico de las compuertas NOT, OR y AND consignando los valores de saturación
y corte de la salida.
C. Implemente la compuerta NOR y NAND, Verifique su funcionamiento, documente los resultados, problemas y
conclusiones obtenidas del montaje realizado.
6. INFORME
6.1 Efectué un análisis comparativo entre los resultados prácticos, teóricos y simulados. Analice y explique las
similitudes/diferencias. (Para mejorar la presentación y facilitar el análisis, ORGANIZAR toda la información
en TABLAS). (3,0)
6.2 Investigue una aplicación práctica del transistor trabajando en cada una de las tres regiones de funcionamiento (1,0).
7. METODOLOGÍA
8. BIBLIOGRAFIA.